KR100633208B1 - 풀-업형 캔틸레버를 이용한 마이크로 머시닝 스위치제작방법 - Google Patents
풀-업형 캔틸레버를 이용한 마이크로 머시닝 스위치제작방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (2)
- 규소 기판을 완전히 식각하는 제 1 단계;규소 기판으로의 신호 손실을 막기 위한 산화막 성장 후 도금 방법을 이용하여 식각된 부분을 금으로 채우는 제 2 단계;규소 기판 상하부에 측정 패드, 직류 전압 인가용 패드 및 캔틸레버의 접촉패드를 형성하는 제 3 단계;캔틸레버 구동용 정전기력 발생을 위한 질화규소 적층의 제 4 단계;도금 방법을 이용하여 하부에서 상부로 동작하는 pull-up 형태의 캔틸레버를 제작하는 제 5 단계;캔틸레버를 지지하고 캔틸레버와 접촉 패드와의 일정한 간격을 유지하기 위해 유리를 식각하는 제 6 단계;규소 기판과 유리를 양극 접합 방법을 이용하여 접합하는 제 7 단계를 포함한 pull-up 형 캔틸레버를 이용한 마이크로 머시닝 스위치 제작방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 5 단계의 캔틸레버는 신호 선로 단락과 개방을 위한 무게를 확보하기 위한 두께의 금속층의 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 pull-up 형 캔틸레버를 이용한 마이크로 머시닝 스위치 제작방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020040066941A KR100633208B1 (ko) | 2004-08-24 | 2004-08-24 | 풀-업형 캔틸레버를 이용한 마이크로 머시닝 스위치제작방법 |
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Publications (2)
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KR20060018537A KR20060018537A (ko) | 2006-03-02 |
KR100633208B1 true KR100633208B1 (ko) | 2006-10-11 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109911845A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-06-21 | 无锡众创未来科技应用有限公司 | 一种低功耗静电驱动式rf mems开关的制造方法 |
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2004
- 2004-08-24 KR KR1020040066941A patent/KR100633208B1/ko active IP Right Grant
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CN109911845A (zh) * | 2019-03-07 | 2019-06-21 | 无锡众创未来科技应用有限公司 | 一种低功耗静电驱动式rf mems开关的制造方法 |
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