KR100631501B1 - Clear dielectric of semiconductor display device and fabricating method thereof - Google Patents

Clear dielectric of semiconductor display device and fabricating method thereof Download PDF

Info

Publication number
KR100631501B1
KR100631501B1 KR1020000007772A KR20000007772A KR100631501B1 KR 100631501 B1 KR100631501 B1 KR 100631501B1 KR 1020000007772 A KR1020000007772 A KR 1020000007772A KR 20000007772 A KR20000007772 A KR 20000007772A KR 100631501 B1 KR100631501 B1 KR 100631501B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
display device
transparent dielectric
composition ratio
semiconductor display
crystal phase
Prior art date
Application number
KR1020000007772A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20010081709A (en
Inventor
이윤관
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020000007772A priority Critical patent/KR100631501B1/en
Publication of KR20010081709A publication Critical patent/KR20010081709A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100631501B1 publication Critical patent/KR100631501B1/en

Links

Images

Classifications

    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E03—WATER SUPPLY; SEWERAGE
    • E03C—DOMESTIC PLUMBING INSTALLATIONS FOR FRESH WATER OR WASTE WATER; SINKS
    • E03C1/00—Domestic plumbing installations for fresh water or waste water; Sinks
    • E03C1/02—Plumbing installations for fresh water
    • E03C1/04—Water-basin installations specially adapted to wash-basins or baths
    • E03C1/0404—Constructional or functional features of the spout

Abstract

본 발명은 반도체 표시소자의 투명 유전체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 종래에는 형광체가 비교적 높은 300∼400(volt peak)에서 구동됨에 따라 형광체의 상부 및 하부에 형성되는 유전체가 높은 절연전압과 양호한 화학적 안정성이 요구되지만, 이를 만족시키기 어려운 문제점이 있었다. 따라서, 본 발명은 반도체 표시소자의 투명 유전체막을 고강도 및 고투과율 특성을 갖도록 미결정을 함유하는 결정화 유리로 형성하여 투명 유전체가 글래스 메트릭스 내에 가시광선 파장 이하의 미결정을 함유함에 따라 광의 흡수와 산란을 방지하여 높은 가시광 투과특성을 구현할 수 있고, 미결정의 팽창으로 인해 기포의 발생을 최소화하여 절연파괴전압을 증가시킴과 아울러 원자의 확산을 억제시켜 발광층과 후속 투명전극의 안정화를 꾀할 수 있게 되어 소자의 특성유지 및 수명증가에 기여하는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent dielectric of a semiconductor display device and a method of manufacturing the same. In the related art, as the phosphor is driven at a relatively high 300 to 400 (volt peak), dielectrics formed on the upper and lower portions of the phosphor have high insulation voltage and good chemical properties. Stability is required, but there was a problem that is difficult to satisfy. Accordingly, the present invention forms a transparent dielectric film of a semiconductor display device with crystallized glass containing microcrystals to have high strength and high transmittance characteristics, thereby preventing absorption and scattering of light as the transparent dielectric contains microcrystals below the visible wavelength in the glass matrix. It is possible to realize high visible light transmission characteristics, and to minimize the generation of bubbles due to expansion of microcrystals, to increase the dielectric breakdown voltage and to suppress the diffusion of atoms to stabilize the light emitting layer and the subsequent transparent electrode. It has the effect of contributing to maintenance and longevity.

Description

반도체 표시소자의 투명 유전체 및 그 제조방법{CLEAR DIELECTRIC OF SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}Transparent dielectric of semiconductor display device and its manufacturing method {CLEAR DIELECTRIC OF SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF}

도1은 일반적인 TDEL 표시소자를 보인 사시도.1 is a perspective view showing a typical TDEL display device.

도2는 본 발명에 의한 투명 유전체의 형성방법을 포함한 반도체 표시소자의 제조방법을 보인 수순 사시도.2 is a perspective view showing a method of manufacturing a semiconductor display device including a method of forming a transparent dielectric according to the present invention.

***도면의 주요부분에 대한 부호의 설명****** Explanation of symbols for main parts of drawing ***

11:기판 12:어드레스 전극11: Substrate 12: Address electrode

13:후막유전체 14:표면평탄화층13: Thick film dielectric 14: surface planarization layer

15:발광층 16:투명유전체15: light emitting layer 16: transparent dielectric

17:투명전극17: transparent electrode

본 발명은 반도체 표시소자의 투명 유전체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 SSD(solid state display) 또는 TDEL(thick dielectric electroluminescent) 표시소자의 투명 유전체막을 고강도 및 고투과율 특성을 갖는 결정화 유리로 형성하여 특성을 향상시키기에 적당하도록 한 반도체 표시소자의 투명 유전체 및 그 제조방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent dielectric of a semiconductor display device and a method of manufacturing the same. In particular, the transparent dielectric film of a solid state display (SSD) or thick dielectric electroluminescent (TDEL) display device is formed of crystallized glass having high strength and high transmittance characteristics. The present invention relates to a transparent dielectric of a semiconductor display device and a method for manufacturing the same, which are suitable for improving the efficiency of the semiconductor device.

일반적으로, SSD 또는 TDEL 표시소자는 반도성 형광체 재료에 전기장을 인가하였을때 발광하는 현상을 이용하는 능동형 발광 표시소자이다. In general, SSD or TDEL display devices are active light emitting display devices that utilize the phenomenon of emitting light when an electric field is applied to the semiconducting phosphor material.

특히, 상기 TDEL 표시소자는 종래 박막형 EL 표시소자의 단점인 공정의 복잡성, 박막절연체의 재현성 저하등의 문제를 해결함과 아울러 우수한 발광특성으로 인해 새로운 차세대 표시소자로 주목받고 있다. 이와같은 종래 TDEL 표시소자의 제조방법을 첨부한 도1의 사시도를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.In particular, the TDEL display device is attracting attention as a new next generation display device due to solving the problems of the disadvantages of the conventional thin film type EL display device, such as a reduction in the reproducibility of the thin film insulator and excellent light emission characteristics. When described in detail with reference to the perspective view of Figure 1 attached to a conventional manufacturing method of such a TDEL display device as follows.

먼저, 기판(1)의 상부에 진공증착 또는 스크린 인쇄(screen printing) 방법을 통해 10㎛ 정도의 두께로 전극물질(Al)을 형성하여 어드레스 전극(2)을 형성한다. 이때, 기판(1)은 고온소결특성에 따라 일반적으로 96% Al2O3 기판을 적용한다. First, the electrode material Al is formed to a thickness of about 10 μm by vacuum deposition or screen printing on the substrate 1 to form the address electrode 2. In this case, the substrate 1 generally applies a 96% Al 2 O 3 substrate according to the high temperature sintering characteristics.

그리고, 상기 어드레스 전극(2)을 포함하는 기판(1) 상의 전면에 페로브스카이트(perovskite) 결정구조를 갖는 직경 2∼3㎛의 SrTiO3, PbTiO3, BaTiO3 분말을 저 융점 유기용제와 혼합한 페이스트(paste) 상태로 스크린 인쇄 방법을 이용하여 50∼200㎛의 후막(厚膜)으로 도포한 다음 산화분위기에서 900∼1000℃의 온도로 소성하여 강유전체(3)를 형성한다. 이때, 강유전체(3)는 후속 발광층(4)을 전기적인 절연파괴로부터 보호하는데 목적이 있으므로, 이상적으로 핀-홀(pin-hole)이 없어야 하며, tanδ가 작고 아울러 발광층(4)과의 밀착성이 우수해야 한다.Then, the entire surface of the perovskite (perovskite), a SrTiO 3, PbTiO 3, BaTiO 3 powder having a crystal structure with a diameter of 2~3㎛ low melting organic solvent on the substrate (1) comprising the address electrodes (2) The ferroelectric material 3 is formed by applying a thick film having a thickness of 50 to 200 µm in a mixed paste state by using a screen printing method and then firing at a temperature of 900 to 1000 ° C. in an oxidizing atmosphere. At this time, since the ferroelectric 3 has the purpose of protecting the subsequent light emitting layer 4 from electrical breakdown, it should be ideally free of pin-holes, small tanδ, and adhesion to the light emitting layer 4. Must be excellent

그리고, 상기 강유전체(3) 상의 전면에 진공증착법을 통해 ZnS:Sm(red), ZnS:Tb(green), CaGa2S4:Ce(blue) 발광체를 0.5∼2㎛의 두께로 증착하여 발광층(4)을 형성한다.In addition, a ZnS: Sm (red), ZnS: Tb (green), and CaGa 2 S 4 : Ce (blue) emitters are deposited to a thickness of 0.5 to 2 μm by vacuum deposition on the entire surface of the ferroelectric material 3. 4) form.

그리고, 상기 발광층(4)의 상부에 ITO(indium-tin oxide) 전극물질을 0.5㎛ 정도의 두께로 도포한 다음 450∼500℃의 온도로 1시간정도 소성하여 투명전극(5)을 형성한다.In addition, an ITO (indium-tin oxide) electrode material is coated on the light emitting layer 4 to a thickness of about 0.5 μm, and then fired at a temperature of 450 to 500 ° C. for about 1 hour to form a transparent electrode 5.

이후, 도면에 도시되지는 않았지만 상기 결과물 상에 저융점 유리 또는 실리콘 실란트(sealant)를 10∼20㎛의 두께로 형성하여 외부의 습기나 오염으로부터 소자를 보호한다.Subsequently, although not shown in the drawings, a low melting point glass or silicone sealant (sealant) is formed on the resultant to a thickness of 10 to 20 μm to protect the device from external moisture or contamination.

한편, 도면상의 미설명부호 '6'은 상기 강유전체(3)와 발광층(4)의 평활한 계면 유지를 위해 삽입가능한 평탄화층으로, 졸-겔(Sol-Gel) 또는 MOD(metal oxide decomposition) 방법을 통해 수 ㎛의 두께로 형성된다.In the drawings, reference numeral '6' denotes a planarization layer that can be inserted to maintain a smooth interface between the ferroelectric 3 and the light emitting layer 4, and may be a sol-gel or metal oxide decomposition (MOD) method. Through it is formed to a thickness of several μm.

또한, 도면상의 미설명부호 '7'은 상기 발광층(4)과 투명전극(5)을 보호함과 아울러 상호확산을 방지하기 위해 삽입가능한 박막유전체로, 1∼3㎛의 두께로 형성된다.In addition, reference numeral '7' in the drawing is a thin film dielectric insertable to protect the light emitting layer 4 and the transparent electrode 5 and to prevent mutual diffusion, and is formed to have a thickness of 1 to 3 μm.

그러나, 상기한 바와같은 종래 반도체 표시소자는 일반적으로 형광체가 비교적 높은 300∼400(volt peak)에서 구동됨에 따라 형광체의 상부 및 하부에 형성되는 유전체가 높은 절연전압과 양호한 화학적 안정성이 요구되지만, 이를 만족시키기 어려운 문제점이 있었다.However, in the conventional semiconductor display device as described above, as the phosphor is driven at a relatively high 300 to 400 (volt peak), dielectrics formed on the upper and lower portions of the phosphor require high insulation voltage and good chemical stability. There was a problem that was difficult to satisfy.

본 발명은 상기한 바와같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 창안한 것으로, 본 발명의 목적은 반도체 표시소자의 투명 유전체막을 고강도 및 고투과율 특성을 갖는 결정화 유리로 형성하여 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 표시소자의 투명 유전체 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, and an object of the present invention is to form a transparent dielectric film of a semiconductor display device with crystallized glass having high strength and high transmittance characteristics, thereby improving characteristics. It is to provide a transparent dielectric of the device and a method of manufacturing the same.

상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 반도체 표시소자의 투명 유전체는 미결정을 함유하고 있는 고강도 투명 결정화 유리인 것을 특징으로 한다.The transparent dielectric of the semiconductor display device for achieving the object of the present invention as described above is characterized in that the high-strength transparent crystallized glass containing microcrystals.

그리고, 상기한 바와같은 본 발명의 목적을 달성하기 위한 반도체 표시소자의 투명 유전체 제조방법은 미결정을 함유하고 있는 고강도 투명 결정화 유리를 스크린 인쇄, 증착 및 스퍼터링 중에서 선택된 하나의 방법으로 도포한 다음 열처리를 통해 결정화하는 과정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, the transparent dielectric manufacturing method of the semiconductor display device for achieving the object of the present invention as described above is applied to a high-strength transparent crystallized glass containing microcrystals by one of the methods selected from screen printing, vapor deposition and sputtering and then heat treatment Characterized in that the process consists of crystallization through.

상기한 바와같은 본 발명에 의한 반도체 표시소자의 투명 유전체로서, 고강도 투명 결정화 유리는 β-석영 고용체 결정상이 형성되는 재료, 첨정석(spinel) 결정상이 형성되는 재료 및 뮬라이트(mullite) 결정상이 형성되는 재료를 적용할 수 있다.As the transparent dielectric of the semiconductor display device according to the present invention as described above, the high-strength transparent crystallized glass is formed of a material in which the β-quartz solid solution crystal phase is formed, a material in which a spinel crystal phase is formed, and a mullite crystal phase are formed. The material can be applied.

상기 β-석영 고용체 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표1 내지 표3에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질로 형성되며, 특히 표3은 알카리를 포함하지 않은 물질을 나타낸 것이다.The material in which the β-quartz solid solution crystal phase is formed is formed of a material having a composition ratio as shown in Tables 1 to 3 below, and in particular, Table 3 shows materials that do not contain alkali.

물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 Li2OLi 2 O MgOMgO ZnOZnO TiO2 TiO 2 ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 68-7668-76 17-2417-24 2.5-5.02.5-5.0 0-3.00-3.0 0-4.00-4.0 1.5-4.01.5-4.0 0-3.00-3.0

물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 Li2OLi 2 O MgOMgO ZnOZnO TiO2 TiO 2 ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 68-7668-76 17-2217-22 1.5-3.01.5-3.0 2.5-7.02.5-7.0 0-3.00-3.0 3.0-6.03.0-6.0

물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 Li2OLi 2 O MgOMgO ZnOZnO TiO2 TiO 2 ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 64-7564-75 16-2516-25 3.0-103.0-10 0-7.00-7.0 3.0-103.0-10

그리고, 상기 첨정석 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표4에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질로 형성된다.The material in which the spinel crystal phase is formed is formed of a material having a composition ratio as shown in Table 4 below.

물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 K2OK 2 O MgOMgO ZnOZnO Cs2OCs 2 O ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 65-7565-75 15-2515-25 0-6.00-6.0 0-6.00-6.0 4.0-154.0-15 0-4.00-4.0 5.0-105.0-10

그리고, 상기 뮬라이트 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표5에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질로 형성된다.The material on which the mullite crystal phase is formed is formed of a material having a composition ratio as shown in Table 5 below.

물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 BaOBaO Na2ONa 2 O Rb2ORb 2 O Cs2OCs 2 O ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 60-9060-90 1.0-4.01.0-4.0 1.0-2.01.0-2.0 0.5-2.00.5-2.0 0.5-1.00.5-1.0 1.0-2.01.0-2.0

한편, 상기한 바와같은 본 발명에 의한 투명 유전체의 형성방법을 포함한 반도체 표시소자의 제조방법을 첨부한 도2a 내지 도2f의 수순사시도를 일 실시예로 하 여 상세히 설명하면 다음과 같다.On the other hand, the procedure of Fig. 2a to 2f attached to a method for manufacturing a semiconductor display device including a method of forming a transparent dielectric according to the present invention as described above in detail as an embodiment as follows.

먼저, 도2a에 도시한 바와같이 글래스, 글래스 세라믹 또는 금속 기판(11)의 상부에 Ag와 같은 전극물질을 패터닝하여 어드레스 전극(12)을 형성한다.First, as shown in FIG. 2A, an electrode material such as Ag is patterned on the glass, glass ceramic, or metal substrate 11 to form an address electrode 12.

그리고, 도2b에 도시한 바와같이 상기 어드레스 전극(12)을 포함한 기판(11) 상의 전면에 스크린 인쇄 또는 졸-겔(sol-gel) 방법을 통해 PbTiO3 또는 BaTiO3 와 같은 강유전체를 수백 ㎛의 두께로 도포한 다음 산화분위기에서 900∼1000℃의 온도로 소성하여 후막유전체(13)를 형성한다. 이때, 후막유전체(13)는 후속 공정에서 형성되는 발광층(15)을 전기적인 절연파괴로부터 보호하는데 목적이 있으므로, 핀-홀이 없어야 하고 아울러 평활한 경계면을 유지하여야 한다.As shown in FIG. 2B, ferroelectrics such as PbTiO 3 or BaTiO 3 are formed on the entire surface of the substrate 11 including the address electrode 12 by a screen printing or sol-gel method. After coating in a thickness, it is baked at a temperature of 900 ~ 1000 ℃ in an oxidizing atmosphere to form a thick film dielectric (13). At this time, since the thick film dielectric 13 is intended to protect the light emitting layer 15 formed in a subsequent process from electrical breakdown, there should be no pin-hole and maintain a smooth interface.

그리고, 도2c에 도시한 바와같이 상기 후막유전체(13)의 평탄화를 위하여 MOD 방법을 통해 표면평탄화층(14)을 수 ㎛의 두께로 형성한다.As shown in FIG. 2C, the surface planarization layer 14 is formed to have a thickness of several μm through the MOD method for planarization of the thick film dielectric 13.

그리고, 도2d에 도시한 바와같이 상기 표면평탄화층(14)의 상부에 ZnS 계 발광층(15)을 1∼2㎛ 정도의 두께로 박막화하여 형성한다.As shown in FIG. 2D, a ZnS-based light emitting layer 15 is formed into a thin film having a thickness of about 1 to 2 mu m on the surface planarization layer 14.

그리고, 도2e에 도시한 바와같이 상기 발광층(15)의 상부에 이미 설명한 바와같은 미결정을 함유하고 있는 고강도 투명 결정화 유리를 스크린 인쇄, 증착 또는 스퍼터링 방법으로 형성한 다음 600∼700℃의 온도에서 1시간동안 열처리하는 결정화과정을 통해 투명유전체(16)를 형성한다. 이때, 투명유전체(16)에 함유되는 미결정은 유리 메트릭스와의 굴절율 차이가 0.5 이하이고, 크기는 가시광선 파장 이하가 될 수 있도록 하는 것이 바람직하다.As shown in FIG. 2E, a high-strength transparent crystallized glass containing microcrystals as described above is formed on the light emitting layer 15 by screen printing, vapor deposition, or sputtering, and then, at a temperature of 600 to 700 ° C. Through the crystallization process of heat treatment for a time to form a transparent dielectric material 16. At this time, it is preferable that the microcrystals contained in the transparent dielectric material 16 have a refractive index difference of 0.5 or less from the glass matrix and a size of the microcrystals can be below the visible wavelength.

상기한 바와같이 미결정의 굴절율 및 크기를 설정하게 되면, 광의 흡수와 산 란을 방지하여 80% 이상의 높은 가시광 투과특성을 나타내며, 미결정의 팽창으로 인해 기공이 최소화되어 절연파괴전압을 증가시킴과 아울러 원자의 확산을 억제시켜 발광층(15)과 후속 투명전극(17)의 안정화를 꾀할 수 있게 된다.As described above, when the refractive index and size of the microcrystalline are set, the absorption and scattering of the light is prevented to show high visible light transmittance of 80% or more, and the pores are minimized due to the expansion of the microcrystalline to increase the dielectric breakdown voltage and By suppressing the diffusion of the light emitting layer 15 and the subsequent transparent electrode 17 can be stabilized.

그리고, 도2f에 도시한 바와같이 상기 투명유전체(16)의 상부에 ITO 전극물질을 도포한 다음 소성하여 투명전극(17)을 형성한다.As shown in FIG. 2F, an ITO electrode material is coated on the transparent dielectric 16 and then fired to form a transparent electrode 17.

이후, 도면상에 도시되지는 않았지만 상기 결과물 상에 투명 수지 또는 박막형 보호막을 형성하여 외부의 습기나 오염으로부터 소자를 보호한다.Subsequently, although not shown in the drawings, a transparent resin or a thin film protective film is formed on the resultant to protect the device from external moisture or contamination.

상술한 바와같이 본 발명에 의한 반도체 표시소자의 투명 유전체 및 그 제조방법은 투명 유전체가 글래스 메트릭스 내에 가시광선 파장 이하의 미결정을 함유함에 따라 광의 흡수와 산란을 방지하여 높은 가시광 투과특성을 구현할 수 있고, 미결정의 팽창으로 인해 기포의 발생을 최소화하여 절연파괴전압을 증가시킴과 아울러 원자의 확산을 억제시켜 발광층과 후속 투명전극의 안정화를 꾀할 수 있게 되어 소자의 특성유지 및 수명증가에 기여하는 효과가 있다.As described above, the transparent dielectric of the semiconductor display device and the method of manufacturing the same according to the present invention can realize high visible light transmission characteristics by preventing the absorption and scattering of light as the transparent dielectric contains microcrystals below the visible wavelength in the glass matrix. As a result, the expansion of microcrystals minimizes the occurrence of bubbles and increases the dielectric breakdown voltage, and also suppresses the diffusion of atoms to stabilize the light emitting layer and the subsequent transparent electrode, thereby contributing to the maintenance of device characteristics and lifespan. have.

Claims (11)

삭제delete 가시광선의 파장보다 작은 미결정을 함유하는 고강도 투명 결정화 유리인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.It is a high-strength transparent crystallized glass containing microcrystals smaller than the wavelength of visible light, The transparent dielectric of a semiconductor display element characterized by the above-mentioned. 제 2 항에 있어서, 상기 고강도 투명 결정화 유리에 함유되는 미결정은 메트릭스 유리와의 굴절률 차이가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.The transparent dielectric of a semiconductor display device according to claim 2, wherein the microcrystals contained in the high strength transparent crystallized glass have a refractive index difference of 0.5 or less from the matrix glass. 제 2 항에 있어서, 상기 고강도 투명 결정화 유리에서 석출되는 결정상은 β-석영 고용체 결정상, 첨정석(spinel) 결정상 및 뮬라이트(mullite) 결정상 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.The transparent dielectric of claim 2, wherein the crystal phase precipitated from the high-strength transparent crystallized glass is one selected from β-quartz solid solution crystal phase, spinel crystal phase, and mullite crystal phase. 제 4 항에 있어서, 상기 β-석영 고용체 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.The transparent dielectric of a semiconductor display device according to claim 4, wherein the material on which the β-quartz solid solution crystal phase is formed is a material having a composition ratio as shown in the following table. 물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 Li2OLi 2 O MgOMgO ZnOZnO TiO2 TiO 2 ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 68-7668-76 17-2417-24 2.5-5.02.5-5.0 0-3.00-3.0 0-4.00-4.0 1.5-4.01.5-4.0 0-3.00-3.0
제 4 항에 있어서, 상기 β-석영 고용체 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.The transparent dielectric of a semiconductor display device according to claim 4, wherein the material on which the β-quartz solid solution crystal phase is formed is a material having a composition ratio as shown in the following table. 물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 Li2OLi 2 O MgOMgO ZnOZnO TiO2 TiO 2 ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 68-7668-76 17-2217-22 1.5-3.01.5-3.0 2.5-7.02.5-7.0 0-3.00-3.0 3.0-6.03.0-6.0
제 4 항에 있어서, 상기 β-석영 고용체 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.The transparent dielectric of a semiconductor display device according to claim 4, wherein the material on which the β-quartz solid solution crystal phase is formed is a material having a composition ratio as shown in the following table. 물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 Li2OLi 2 O MgOMgO ZnOZnO TiO2 TiO 2 ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 64-7564-75 16-2516-25 3.0-103.0-10 0-7.00-7.0 3.0-103.0-10
제 4 항에 있어서, 상기 첨정석(spinel) 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.The transparent dielectric of a semiconductor display device according to claim 4, wherein the material in which the spinel crystal phase is formed is a material having a composition ratio as shown in the following table. 물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 K2OK 2 O MgOMgO ZnOZnO Cs2OCs 2 O ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 65-7565-75 15-2515-25 0-6.00-6.0 0-6.00-6.0 4.0-154.0-15 0-4.00-4.0 5.0-105.0-10
제 4 항에 있어서, 상기 뮬라이트(mullite) 결정상이 형성되는 재료는 아래의 표에 나타낸 바와같은 조성비를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체.The transparent dielectric of claim 4, wherein the material on which the mullite crystal phase is formed is a material having a composition ratio as shown in the following table. 물질matter SiO2 SiO 2 Al2O3 Al 2 O 3 BaOBaO Na2ONa 2 O Rb2ORb 2 O Cs2OCs 2 O ZrO2 ZrO 2 조성비(wt%)Composition ratio (wt%) 60-9060-90 1.0-4.01.0-4.0 1.0-2.01.0-2.0 0.5-2.00.5-2.0 0.5-1.00.5-1.0 1.0-2.01.0-2.0
제5항 내지 제9항 중 어느 한 항의 조성비를 갖는 고강도 투명 결정화 유리를 스크린 인쇄, 증착 및 스퍼터링 중에서 선택된 하나의 방법으로 형성한 다음 열처리를 통해 결정화하는 과정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 표시소자의 투명 유전체 제조방법.A method of forming a semiconductor display device, the method comprising: forming a high-strength transparent crystallized glass having the composition ratio of any one of claims 5 to 9 by screening, vapor deposition, and sputtering, and then crystallizing it by heat treatment. Transparent dielectric manufacturing method. 삭제delete
KR1020000007772A 2000-02-18 2000-02-18 Clear dielectric of semiconductor display device and fabricating method thereof KR100631501B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000007772A KR100631501B1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 Clear dielectric of semiconductor display device and fabricating method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020000007772A KR100631501B1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 Clear dielectric of semiconductor display device and fabricating method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010081709A KR20010081709A (en) 2001-08-29
KR100631501B1 true KR100631501B1 (en) 2006-10-09

Family

ID=19647666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020000007772A KR100631501B1 (en) 2000-02-18 2000-02-18 Clear dielectric of semiconductor display device and fabricating method thereof

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100631501B1 (en)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990017300A (en) * 1997-08-22 1999-03-15 구자홍 DISPLAY PANEL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
KR20000002657A (en) * 1998-06-22 2000-01-15 김영남 Plasma addressed liquid crystal display with wide view angle and fabricating methode of the same
JP2000040594A (en) * 1998-07-23 2000-02-08 Sony Corp Organic el element
JP2000044282A (en) * 1998-05-29 2000-02-15 Nippon Electric Glass Co Ltd Li2O-Al2O3-SiO2 TYPE TRANSPARENT CRYSTALLIZED GLASS AND CRYSTALLIZABLE GLASS
KR20010068309A (en) * 2000-01-04 2001-07-23 구자홍 A dielectric layer for a plasma display panel

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990017300A (en) * 1997-08-22 1999-03-15 구자홍 DISPLAY PANEL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP2000044282A (en) * 1998-05-29 2000-02-15 Nippon Electric Glass Co Ltd Li2O-Al2O3-SiO2 TYPE TRANSPARENT CRYSTALLIZED GLASS AND CRYSTALLIZABLE GLASS
KR20000002657A (en) * 1998-06-22 2000-01-15 김영남 Plasma addressed liquid crystal display with wide view angle and fabricating methode of the same
JP2000040594A (en) * 1998-07-23 2000-02-08 Sony Corp Organic el element
KR20010068309A (en) * 2000-01-04 2001-07-23 구자홍 A dielectric layer for a plasma display panel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010081709A (en) 2001-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6819044B2 (en) Thin-film EL device and composite substrate
JP2004520691A (en) Insertion layer for thick electroluminescent display
JP5432056B2 (en) Barrier layers for thick film dielectric electroluminescent displays
US8466615B2 (en) EL functional film and EL element
US5955835A (en) White-light emitting electroluminescent display device and manufacturing method thereof
US6403204B1 (en) Oxide phosphor electroluminescent laminate
US20020125821A1 (en) Electroluminescent display formed on glass with a thick film dielectric layer
KR100631501B1 (en) Clear dielectric of semiconductor display device and fabricating method thereof
US20030039813A1 (en) High performance dielectric layer and application to thin film electroluminescent devices
JPH0744072B2 (en) EL device and manufacturing method thereof
EP1554913B1 (en) Thin film phosphor for electroluminescent displays
JP4530459B2 (en) Inorganic EL structure and inorganic EL element
JPS5824915B2 (en) Thin film EL element
JP4494568B2 (en) Dielectric thick film for inorganic EL, inorganic EL element, and dielectric thick film
KR100299536B1 (en) Fabrication Method of Electroluminescence Display Device
KR100324767B1 (en) Semiconductor display device and fabricating method thereof
JP4440403B2 (en) Inorganic EL substrate and inorganic EL element
JP2003077677A (en) Thin film el element and manufacturing method therefor
KR100364539B1 (en) Manufacturing method for solid state display
JPS5849995B2 (en) EL display device
JP2003157967A (en) El panel and manufacturing method of the same
KR20010036326A (en) Method for fabricating display device of semiconductor
JP2002373791A (en) Light-emitting device and it manufacturing method
JPS62264595A (en) El display panel and manufacture of the same
JPH02297894A (en) Film el element

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee