KR100627959B1 - Mass Flow Meter - Google Patents

Mass Flow Meter Download PDF

Info

Publication number
KR100627959B1
KR100627959B1 KR1020040117517A KR20040117517A KR100627959B1 KR 100627959 B1 KR100627959 B1 KR 100627959B1 KR 1020040117517 A KR1020040117517 A KR 1020040117517A KR 20040117517 A KR20040117517 A KR 20040117517A KR 100627959 B1 KR100627959 B1 KR 100627959B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
pressure
gauge
pressure value
ion
Prior art date
Application number
KR1020040117517A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060078923A (en
Inventor
이완기
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020040117517A priority Critical patent/KR100627959B1/en
Publication of KR20060078923A publication Critical patent/KR20060078923A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100627959B1 publication Critical patent/KR100627959B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32412—Plasma immersion ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
    • H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명에 따른 매스 플로우 미터는, 이온 게이지가 장착된 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스의 유량과 압력을 조절하는 매스 플로우 미터에 있어서, 가스의 압력 수치를 확인할 수 있는 압력계와; 이온 게이지에서 확인된 가스의 압력 수치 및 압력계에서 확인된 가스의 압력 수치를 수신한 후, 그 압력 수치를 비교하는 컨트롤 보드를 포함하는 것을 특징으로 한다.A mass flow meter according to the present invention includes a mass flow meter for adjusting a flow rate and a pressure of a gas injected into a plasma chamber equipped with an ion gauge, the mass flow meter comprising: a pressure gauge capable of checking a pressure value of the gas; It is characterized in that it comprises a control board for comparing the pressure value after receiving the pressure value of the gas identified in the ion gauge and the gas value confirmed in the pressure gauge.

여기서 컨트롤 보드는, 이온 게이지에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 이온 게이지 수신부와; 압력계에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 압력계 수신부와; 이온 게이지 수신부에 수신된 가스의 압력 수치와 압력계 수신부에 수신된 가스의 압력 수치를 비교하는 연산부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 그리고 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스는 He 가스인 것이 바람직하다. Here, the control board, the ion gauge receiving unit for receiving the pressure value of the gas confirmed by the ion gauge; A pressure gauge receiver for receiving a pressure value of the gas checked by the pressure gauge; And an operation unit for comparing the pressure value of the gas received in the ion gauge receiver with the pressure value of the gas received in the pressure gauge receiver. In addition, the gas injected into the plasma chamber is preferably He gas.

본 발명에 따르면, He 가스에 대한 MFM의 영점을 주기적으로 확인할 수 있으므로, 영점이 틀어져서 발생하는 공정상의 쉬프트(shift)를 미연에 방지할 수 있다.According to the present invention, since the zero point of the MFM with respect to the He gas can be periodically checked, it is possible to prevent a process shift caused by the zero point being misaligned.

MFM, MFC, 영점MFM, MFC, Zero

Description

매스 플로우 미터{Mass Flow Meter}Mass Flow Meter

도 1은 가스를 프로세스 챔버로 유입시키는 일반적인 MFC의 구조도.1 is a structural diagram of a typical MFC for introducing gas into the process chamber.

도 2는 일반적인 MFC의 구성을 나타내는 기본 구성도.2 is a basic configuration diagram showing a configuration of a general MFC.

도 3은 일반적인 플라즈마 챔버를 나타내는 단면도.3 is a cross-sectional view showing a typical plasma chamber.

도 4는 본 발명에 따른 MFM의 구성을 나타내는 구조도.4 is a structural diagram showing a configuration of an MFM according to the present invention;

도 5는 본 발명에 따른 컨트롤 보드의 구성을 나타내는 구성도.5 is a configuration diagram showing a configuration of a control board according to the present invention.

<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>

10 : 플라즈마 챔버 20 : 상부 챔버10 plasma chamber 20 upper chamber

30 : 하부 챔버 40 : 이온 게이지30 lower chamber 40 ion gauge

50 : 컨트롤 보드 60 : 이온 게이지 수신부50: control board 60: ion gauge receiver

70 : 압력계 수신부 80 : 연산부70: pressure gauge receiver 80: calculator

90 : 압력계90: pressure gauge

본 발명은 매스 플로우 미터(Mass Flow Meter)에 관한 것으로서, 좀 더 구체적으로는 반도체 소자의 제조 공정 중에 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스의 압력 값에 대한 영점(zero point)의 보정이 가능한 매스 플로우 미터(Mass Flow Meter)에 관한 것이다.The present invention relates to a mass flow meter, and more particularly, a mass flow meter capable of correcting a zero point for a pressure value of a gas injected into a plasma chamber during a manufacturing process of a semiconductor device. Mass Flow Meter).

일반적으로 플라즈마(plasma)를 사용하는 반도체 장비에서 He 가스는 웨이퍼의 후방 냉각 가스로 사용된다. 이때 He 가스는 매스 플로우 컨트롤러(Mass Flow Controller; 이하 'MFC'라고 한다)와 매스 플로우 미터(Mass Flow Meter; 이하 'MFM'이라고 한다)라고 하는 컨트롤러(controller)를 통해서 장비에 주입된다.In general, in semiconductor equipment using plasma, He gas is used as a cooling gas behind the wafer. At this time, He gas is injected into the equipment through a controller called a mass flow controller (hereinafter referred to as "MFC") and a mass flow meter (hereinafter referred to as "MFM").

이러한 MFM과 MFC는 가스를 플라즈마 챔버 내에 주입하는 장비로서 유사한 구성을 갖는다. 다만, MFC는 챔버에 주입되는 가스의 양을 조절하는 장비이고, MFM은 챔버에 주입되는 가스의 양과 압력을 같이 조절하는 장비이다. 이하에서는 MFC를 중심으로 하여 MFM에 대해 설명한다.These MFMs and MFCs have a similar configuration as equipment for injecting gas into the plasma chamber. However, MFC is a device that controls the amount of gas injected into the chamber, MFM is a device that controls the amount and pressure of the gas injected into the chamber. Hereinafter, the MFM will be described based on the MFC.

도 1에는 MFC를 통해 가스가 프로세스 챔버로 유입되는 구조도가 도시되어 있다. 한편 MFM도 MFC의 장비 구조와 거의 동일한 구조를 가진다.1 is a structural diagram in which gas is introduced into a process chamber through an MFC. On the other hand, MFM has almost the same structure as MFC equipment.

MFC와 MFM은 기본적으로 정확한 가스의 유량을 제어하는 완전히 자동화된 장비로서, 장비 내에 설정된 셋 포인트(set point)와 센서(sensor)에서 읽어낸 아웃 풋(out put) 유량을 비교하면서 정확한 유량 조정을 하게 된다.MFCs and MFMs are basically fully automated devices that control the correct flow of gas, allowing accurate flow adjustments by comparing the set point set out in the equipment with the outputs read from the sensor. Done.

한편, 도 2에는 일반적인 MFC의 구성이 도시되어 있다.2 illustrates a general MFC.

도 2에 도시된 바와 같이, 일반적인 MFC는 센서(sensor), 밸브(valve), 바이패스(bypass), PCB 등 주요한 4개의 요소로 구성된다. 밸브(valve)와 바이패스(bypass)로는 여러 종류가 사용될 수 있다. 한편, MFM은 밸브(valve)를 제외하고는 MFC의 구성요소와 동일한 구성을 가진다.As shown in FIG. 2, a typical MFC is composed of four main elements: a sensor, a valve, a bypass, and a PCB. Several types of valves and bypasses can be used. On the other hand, the MFM has the same configuration as the components of the MFC except for the valve (valve).

특히 MFM와 MFC의 구성요소 중에서도, 센서(sensor)는 열전도 특성에 의해 가스의 유량을 측정하는 요소로서, 일반적으로 1 mm 내지 0.25mm 혹은 그 이하의 얇은 튜브(tube)로 이루어진다. 그리고 바이패스(bypass)를 통하여 가스의 유량이 분산되는데, 이때 일부 가스가 센서(sensor)를 통과하게 된다. 센서(sensor)의 튜브 길이는 튜브내의 가스 유량을 안정시키는데 결정적 요소로 작용하고, 최적의 튜브 길이는 튜브 직경의 20:1정도의 비율로 제작되는 것이 바람직하다.In particular, among the components of the MFM and MFC, the sensor is a factor for measuring the flow rate of the gas by the heat conduction characteristics, generally consisting of a thin tube (1 mm to 0.25 mm or less). The flow rate of gas is distributed through a bypass, where some gas passes through a sensor. The tube length of the sensor acts as a decisive factor in stabilizing the gas flow rate in the tube, and the optimum tube length is preferably manufactured at a ratio of about 20: 1 of the tube diameter.

또한 센서(sensor)의 튜브 주변에는 2개의 매우 섬세한 히트 코일(heat coil)이 감겨져 있다. 이러한 2개의 코일은 표준 브릿지 회로(standard bridge circuit)에 의해 안정적으로 동작하게 된다. 그리고 유량이 증가함에 따라 두 히트 코일(heat coil)의 온도 차이는 브릿지 회로(bridge circuit) 저항의 변화 원인이 된다. In addition, two very delicate heat coils are wound around the tube of the sensor. These two coils are operated stably by a standard bridge circuit. As the flow rate increases, the temperature difference between the two heat coils causes a change in the bridge circuit resistance.

이러한 센서(sensor)는 매우 민감한 측정 부품으로서, 기본적으로 몇 가지 문제점들을 가지고 있는데, 그 중 가장 빈번히 발생되는 문제는 영점(zero point)의 변화이다. 즉, MFM을 오랜 시간 동안 사용하게 되면 MFM의 영점(zero point)가 틀어져서 반도체 공정의 쉬프트(shift)를 유발하는 문제가 발생한다. 여기서 영점(zero point)의 변화는 실제 챔버 내의 가스 압력과 압력계를 통해 읽혀지는 가스 압력의 차이가 발생한 경우를 의미한다.Such a sensor is a very sensitive measurement component, and basically has some problems, the most frequently occurring of which is the change of zero point. In other words, when the MFM is used for a long time, a zero point of the MFM is distorted, causing a shift of the semiconductor process. Here, the change of the zero point means a case where a difference between the actual gas pressure in the chamber and the gas pressure read through the pressure gauge occurs.

예를 들면, 메탈 에칭 공정의 경우에 He MFM의 영점이 0.5Torr 이상 쉬프트(shift) 되면, 메탈 회로 선폭에 영향을 주게 되어, 그 메탈 선폭이 더욱 작아지거나 커지게 되는데, 이럴 경우 공정상의 문제를 유발할 가능성이 크다고 할 수 있 다.For example, in the case of the metal etching process, if the zero point of the He MFM is shifted by 0.5 Torr or more, it will affect the metal circuit line width, and the metal line width becomes smaller or larger. It is very likely to cause.

종래에는 이처럼 영점의 변화가 발생한 경우에는 공정 진행 중에 확인할 수 없고, 공정이 완료된 후 결함의 원인을 찾는 과정에서 영점의 변화가 발생했음을 확인할 수 있을 뿐이다.Conventionally, when such a zero point occurs, it cannot be confirmed during the process, and it can only be confirmed that the zero point occurs in the process of finding the cause of the defect after the process is completed.

본 발명의 목적은, 반도체 소자의 제조 공정 중에 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스의 압력에 대한 영점의 변화를 MFM을 이용하여 보정할 수 있도록 하기 위한 것이다.An object of the present invention is to be able to correct the change in the zero point with respect to the pressure of the gas injected into the plasma chamber during the manufacturing process of the semiconductor device using MFM.

본 발명에 따른 매스 플로우 미터는, 이온 게이지가 장착된 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스의 유량과 압력을 조절하는 매스 플로우 미터에 있어서, 가스의 압력 수치를 확인할 수 있는 압력계와; 이온 게이지에서 확인된 가스의 압력 수치 및 압력계에서 확인된 가스의 압력 수치를 수신한 후, 그 압력 수치를 비교하는 컨트롤 보드를 포함하는 것을 특징으로 한다.A mass flow meter according to the present invention includes a mass flow meter for adjusting a flow rate and a pressure of a gas injected into a plasma chamber equipped with an ion gauge, the mass flow meter comprising: a pressure gauge capable of checking a pressure value of the gas; It is characterized in that it comprises a control board for comparing the pressure value after receiving the pressure value of the gas identified in the ion gauge and the gas value confirmed in the pressure gauge.

여기서 컨트롤 보드는, 이온 게이지에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 이온 게이지 수신부와; 압력계에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 압력계 수신부와; 이온 게이지 수신부에 수신된 가스의 압력 수치와 압력계 수신부에 수신된 가스의 압력 수치를 비교하는 연산부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다. 그리고 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스는 He 가스인 것이 바람직하다.Here, the control board, the ion gauge receiving unit for receiving the pressure value of the gas confirmed by the ion gauge; A pressure gauge receiver for receiving a pressure value of the gas checked by the pressure gauge; And an operation unit for comparing the pressure value of the gas received in the ion gauge receiver with the pressure value of the gas received in the pressure gauge receiver. In addition, the gas injected into the plasma chamber is preferably He gas.

구현예Embodiment

이하 도면을 참조로 본 발명의 구현예에 대해 설명한다.Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

도 3에는 일반적인 플라즈마 챔버가 도시되어 있고, 도 4에는 본 발명에 따른 MFM의 구성이 도시되어 있다.3 shows a typical plasma chamber, and FIG. 4 shows a configuration of an MFM according to the present invention.

도 3을 참조하면, 일반적으로 메탈 에칭을 위한 플라즈마 챔버(10)는 캐서드(cathode)를 중심으로 상부에 위치하는 상부 챔버(20)와 하부에 위치하는 하부 챔버(30)로 이루어지고, 메탈 에칭 공정은 상부 챔버(20)에서 이루어지며, 하부 챔버(30)에는 메탈 에칭을 위한 여러 장비들이 위치하게 된다. 한편, 하부 챔버(30)에는 이온 게이지(ion gauge)(40)라는 장비가 위치하는데, 이온 게이지(40)는 평소에는 사용하지 않고, 영점(zero point)의 변화를 확인하기 위한 과정에서 플라즈마 챔버(10) 내의 가스 압력을 정밀하게 측정할 때 사용되는 장비이다.Referring to FIG. 3, a plasma chamber 10 for metal etching generally includes an upper chamber 20 positioned above and a lower chamber 30 positioned below the cathode. The etching process is performed in the upper chamber 20, the various equipment for the metal etching is located in the lower chamber 30. On the other hand, the lower chamber 30 is located in a device called an ion gauge (ion gauge 40), the ion gauge 40 is not usually used, the plasma chamber in the process for checking the change of zero (zero point) This equipment is used to accurately measure the gas pressure in (10).

그리고 도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 MFM은 종래의 구성에 컨트롤 보드(control board)가 추가되는 구성으로 이루어진다. 이러한 MFM은 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스의 압력 수치를 확인할 수 있는 압력계(도시되지 않음)와, 이온 게이지(40)에서 확인된 가스의 압력 수치 및 압력계에서 확인된 가스의 압력 수치를 수신한 후, 그 압력 수치를 비교하는 컨트롤 보드(control board)(50)를 포함하여 구성된다.And, referring to Figure 4, MFM according to the present invention consists of a configuration in which a control board (control board) is added to the conventional configuration. The MFM receives a pressure gauge (not shown) capable of confirming the pressure value of the gas injected into the plasma chamber, a pressure value of the gas checked by the ion gauge 40, and a pressure value of the gas checked by the pressure gauge. And a control board 50 for comparing the pressure values.

그리고 도 5를 참조하면, 컨트롤 보드(control board)(50)는 하부 챔버(30)에 위치하는 이온 게이지(40)와 전기적으로 연결되어 그 이온 게이지(40)에 의해 읽혀지는 챔버 내의 가스의 압력 수치를 수신하는 이온 게이지 수신부(60)와, MFM 의 압력계(90)를 통해 읽혀지는 가스의 압력 수치를 수신하는 압력계 수신부(70), 그리고 그 이온 게이지(40)에 의해 측정된 가스의 압력 수치와 MFM의 압력계(90)를 통해 읽혀지는 가스의 압력 수치를 비교한 후, 그 수치의 차이가 존재하면 영점의 변화가 발생한 것으로 인식하는 연산부(80)로 이루어진다. 5, the control board 50 is electrically connected to the ion gauge 40 located in the lower chamber 30, and the pressure of the gas in the chamber read by the ion gauge 40. The pressure gauge of the gas measured by the ion gauge receiver 60 receiving the numerical value, the pressure gauge receiver 70 receiving the pressure value of the gas read through the pressure gauge 90 of the MFM, and the ion gauge 40. And the pressure value of the gas read through the pressure gauge 90 of the MFM, and if there is a difference in the value is made of a calculation unit 80 to recognize that a change in the zero point has occurred.

이하에서는 본 발명에 따른 MFM을 이용하여 플라즈마 챔버 내에 주입된 가스의 영점 확인 및 보정 방법에 대해 살펴본다.Hereinafter, a method of checking and correcting a zero point of a gas injected into a plasma chamber using an MFM according to the present invention will be described.

우선, 메탈 에칭 공정을 진행하고자 하는 웨이퍼를 플라즈마 챔버(10) 내에 배치한다. 그리고 챔버 내에 가스, 예를 들면 He 가스를 주입한 후 메탈 에칭 공정을 진행한다.First, a wafer to be subjected to a metal etching process is disposed in the plasma chamber 10. Then, a gas, such as He gas, is injected into the chamber, and then a metal etching process is performed.

그리고 이와 같은 메탈 에칭 공정의 진행 전 또는 진행 중에, 챔버(10) 내에 주입된 가스의 정확한 압력 수치를 이온 게이지(40)가 컨트롤 보드(50)의 제어에 따라 자동적으로 확인하고, 그 이온 게이지(40)에 의해 확인된 가스의 압력 수치는 MFM을 구성하는 컨트롤 보드(50)의 이온 게이지 수신부(60)에 수신된다. And before or during the progress of the metal etching process, the ion gauge 40 automatically checks the exact pressure value of the gas injected into the chamber 10 under the control of the control board 50, and the ion gauge ( The pressure value of the gas confirmed by 40 is received by the ion gauge receiver 60 of the control board 50 constituting the MFM.

그리고 마찬가지로 메탈 에칭 공정의 진행 전 또는 진행 중에, 챔버(10) 내에 주입된 가스의 압력 수치를 MFM의 압력계(90)가 컨트롤 보드(50)의 제어에 따라 자동적으로 확인하고, 그 압력계(90)에 의해 확인된 가스의 압력 수치는 MFM을 구성하는 컨트롤 보드(50)의 압력계 수신부(70)에 수신된다.Similarly, before or during the progress of the metal etching process, the pressure value of the gas injected into the chamber 10 is automatically checked by the pressure gauge 90 of the MFM under the control of the control board 50, and the pressure gauge 90 The pressure value of the gas confirmed by is received by the pressure gauge receiver 70 of the control board 50 constituting the MFM.

한편, 이온 게이지(40) 및 압력계(90)에 의한 가스의 압력 수치 확인은 이와 같이 프로그램에 의해 자동적으로 이루어질 수도 있고, 또는 필요한 경우에만 오퍼레이터에 의한 명령 입력에 의해 이루어질 수도 있다.On the other hand, the pressure value check of the gas by the ion gauge 40 and the pressure gauge 90 may be automatically performed by the program in this way, or may be made by command input by the operator only when necessary.

그리고 컨트롤 보드(50)의 연산부(80)에서는 이온 게이지 수신부(60)를 통해 확인되는 가스의 압력 수치와 압력계 수신부(70)를 통해 확인되는 가스의 압력 수치를 비교하고, 그 압력 수치상에 차이가 발생하게 되면, 이는 곧 영점의 변화가 발생한 것이므로, 그 결과를 프린터 또는 디스플레이 화면을 통해 외부에 출력한다.In addition, the operation unit 80 of the control board 50 compares the pressure value of the gas checked through the ion gauge receiver 60 with the pressure value of the gas checked through the pressure gauge receiver 70, and the difference in the pressure value is different. When it occurs, this is because a change in the zero point occurs, and the result is output to the outside through a printer or a display screen.

그리고 오퍼레이터는 이처럼 MFM의 컨트롤 보드(50)를 통해 영점의 변화가 발생했음을 확인한 후, 그 영점을 보정해주기 위해 작업, 예를 들면 압력계(90)에 의해 읽혀지는 가스의 압력 수치를 이온 게이지(40)에 의해 읽혀지는 압력 수치에 맞춰주는 작업을 수행하게 된다. After the operator confirms that the zero point change has occurred through the control board 50 of the MFM, the operator checks the pressure value of the gas read by the work, for example, the pressure gauge 90, to correct the zero point. Will be adjusted to the pressure reading.

지금까지 본 발명의 구체적인 구현예를 도면을 참조로 설명하였지만 이것은 본 발명이 속하는 기술분야에서 평균적 지식을 가진 자가 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이고 발명의 기술적 범위를 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서 본 발명의 기술적 범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의하여 정하여지며, 도면을 참조로 설명한 구현예는 본 발명의 기술적 사상과 범위 내에서 얼마든지 변형하거나 수정할 수 있다.Although specific embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings, this is intended to be easily understood by those skilled in the art and is not intended to limit the technical scope of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention is determined by the matters described in the claims, and the embodiments described with reference to the drawings may be modified or modified as much as possible within the technical spirit and scope of the present invention.

본 발명에 따르면, He 가스에 대한 MFM의 영점을 주기적으로 확인할 수 있으므로, 영점이 틀어져서 발생하는 공정상의 쉬프트(shift)를 미연에 방지할 수 있다.According to the present invention, since the zero point of the MFM with respect to the He gas can be periodically checked, it is possible to prevent a process shift caused by the zero point being misaligned.

Claims (3)

이온 게이지가 장착된 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스의 유량과 압력을 조절하는 매스 플로우 미터(MFM)에 있어서,In the mass flow meter (MFM) for adjusting the flow rate and pressure of the gas injected into the plasma chamber equipped with an ion gauge, 가스의 압력 수치를 확인할 수 있는 압력계와;A pressure gauge capable of confirming the pressure value of the gas; 이온 게이지(ion gauge)에서 확인된 가스의 압력 수치 및 상기 압력계에서 확인된 가스의 압력 수치를 수신한 후, 상기 압력 수치들을 비교하여 영점 변화 유무를 판단하는 컨트롤 보드(control board);를 포함하고,And a control board which receives the pressure value of the gas checked in the ion gauge and the pressure value of the gas checked in the pressure gauge, and then compares the pressure values to determine whether there is a zero point change. , 상기 컨트롤 보드는, 상기 이온 게이지에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 이온 게이지 수신부; 상기 압력계에서 확인한 가스의 압력 수치를 수신하는 압력계 수신부; 및 상기 이온 게이지 수신부에 수신된 가스의 압력 수치와 압력계 수신부에 수신된 가스의 압력 수치를 비교하여 영점 변화 유무를 판단하는 연산부;The control board, the ion gauge receiving unit for receiving the pressure value of the gas confirmed by the ion gauge; A pressure gauge receiver configured to receive a pressure value of the gas checked by the pressure gauge; And a calculation unit comparing the pressure value of the gas received in the ion gauge receiver with the pressure value of the gas received in the pressure gauge receiver to determine whether there is a zero point change. 를 포함하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 미터.Mass flow meter comprising a. 삭제delete 제1항에서,In claim 1, 상기 플라즈마 챔버 내에 주입되는 가스는 He 가스인 것을 특징으로 하는 매스 플로우 미터.The gas injected into the plasma chamber is He gas.
KR1020040117517A 2004-12-30 2004-12-30 Mass Flow Meter KR100627959B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040117517A KR100627959B1 (en) 2004-12-30 2004-12-30 Mass Flow Meter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040117517A KR100627959B1 (en) 2004-12-30 2004-12-30 Mass Flow Meter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060078923A KR20060078923A (en) 2006-07-05
KR100627959B1 true KR100627959B1 (en) 2006-09-25

Family

ID=37170745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040117517A KR100627959B1 (en) 2004-12-30 2004-12-30 Mass Flow Meter

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100627959B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190132267A (en) * 2018-05-18 2019-11-27 가부시키가이샤 호리바 에스텍 Fluid control device and flow rate ratio control device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980010382A (en) * 1996-07-23 1998-04-30 김광호 Apparatus and method for measuring pressure of vacuum chamber
KR19990012451U (en) * 1997-09-09 1999-04-06 구본준 Automatic Pressure Control System for Wafer Deposition Equipment
KR20000043979A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 김영환 Pressure control system
KR20010108611A (en) * 2000-05-30 2001-12-08 윤종용 single wafer type deposition apparatus
JP2004363522A (en) * 2003-06-09 2004-12-24 Renesas Technology Corp Semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor-device manufacturing method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980010382A (en) * 1996-07-23 1998-04-30 김광호 Apparatus and method for measuring pressure of vacuum chamber
KR19990012451U (en) * 1997-09-09 1999-04-06 구본준 Automatic Pressure Control System for Wafer Deposition Equipment
KR20000043979A (en) * 1998-12-29 2000-07-15 김영환 Pressure control system
KR20010108611A (en) * 2000-05-30 2001-12-08 윤종용 single wafer type deposition apparatus
JP2004363522A (en) * 2003-06-09 2004-12-24 Renesas Technology Corp Semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor-device manufacturing method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190132267A (en) * 2018-05-18 2019-11-27 가부시키가이샤 호리바 에스텍 Fluid control device and flow rate ratio control device
KR102615958B1 (en) 2018-05-18 2023-12-21 가부시키가이샤 호리바 에스텍 Fluid control device and flow rate ratio control device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060078923A (en) 2006-07-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8589107B2 (en) Measurement instrument and method
US9400004B2 (en) Transient measurements of mass flow controllers
CN109416275B (en) Flow rate control device, flow rate correction method for flow rate control device, flow rate measurement device, and flow rate measurement method using flow rate measurement device
KR101572407B1 (en) Diagnostic mechanism in differential pressure type mass flow controller
CN110571171B (en) Calibration method and calibration system of gas flow controller and gas inlet device
US7108009B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus enabling inspection of mass flow controller maintaining connection thereto
JP5530718B2 (en) How to check the validity of actual flow rate
KR102088498B1 (en) System and method for providing a self validating mass flow controller and mass flow meter
EP1719981A1 (en) Fluid sensor of anticorrosive metal and fluid supply device using same
KR20100114079A (en) Method and apparatus for in situ testing of gas flow controllers
KR102187959B1 (en) Metrology method for transient gas flow
KR102281930B1 (en) Method and Apparatus for Verification of Wide Range of Mass Flow
US20020157448A1 (en) Flowmeter calibration apparatus
JP2017112159A (en) Gas flow rate monitoring method and gas flow rate monitoring device
KR101754068B1 (en) Differential pressure sensor and method
KR100627959B1 (en) Mass Flow Meter
US20050064609A1 (en) Semiconductor processing system
CN115298522A (en) Method for operating a coriolis measuring device
KR20220108374A (en) Apparatus for Supplying Gas of Substrate Processing Apparatus
KR20150055180A (en) Monitoring system and method of mass flow controller trerefor
KR20190052993A (en) Apparatus and Method for Calibrating Temperature Measuring Wafer Senser
US20240183702A1 (en) Mass flow control device and zero point calibration method for the same
KR101075127B1 (en) Method of operating process chamber for semiconductor device manufacturing
US9410834B2 (en) System and method for providing a self validating mass flow controller or a mass flow meter utilizing a software protocol
KR20080014167A (en) Apparatus for counting wafer in loadlock chamber

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee