KR100626100B1 - Data recording device and data recording method and recording medium - Google Patents
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Abstract
고밀도 기록 및 고속 랜덤 액세스를 가능하게 하기 위해서, 상(相) 변화 디스크에 대하여, 데이터를, MCAV(Modified Constant Angular Velocity) 방식으로 기록하는 경우에 있어서 선속도가 저속인 영역과 선속도가 고속인 영역에 각각 적합하도록 시단 펄스, 종단 펄스를 지연시킨 기록 펄스에 따라서 마크와 스페이스를 형성한다. 즉, 기록 펄스를 구성하는 시단 펄스 또는 종단 펄스 각각의 상승 에지 또는 하강 에지의 위치를, 영역에 대응하여 변화시킴으로써, 그들의 펄스폭을 변화시킨다. 이것에 의해, 각 선속도에 적합한 기록 보상을 행한다.In order to enable high-density recording and high-speed random access, in a case where data is recorded in a modified constant angular velocity (MCAV) method with respect to a phase change disk, an area with a low linear velocity and a high linear velocity Marks and spaces are formed in accordance with the recording pulses in which the start pulse and the end pulse are delayed to suit the area. That is, the pulse width is changed by changing the positions of the rising edge or falling edge of each of the start pulse and the end pulse constituting the recording pulse corresponding to the area. As a result, recording compensation suitable for each linear velocity is performed.
Description
본 발명은 데이터 기록 장치 및 데이터 기록 방법 및 기록 매체에 관한 것으로, 특히, 예를 들면, 상(相) 변화 디스크 등의 기록 매체에 마크와 스페이스를 형성함으로써, 데이터를 기록하는 경우 이용하기에 적합한 데이터 기록 장치 및 데이터 기록 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a data recording apparatus, a data recording method, and a recording medium. In particular, a mark and a space are formed on a recording medium such as, for example, a phase change disk, to be suitable for use in recording data. A data recording apparatus, a data recording method and a recording medium.
차세대의 고밀도 기록 매체로서, 상 변화 디스크가 주목되고 있다. 상 변화 디스크로의 정보의 기록은, 도 14에 도시된 바와 같이, 소정의 융점 이상(예를 들면, 600도 정도)으로 가열하여 급냉하면 비정질 상태로 되고, 또한, 융점 이하(예를 들면, 400도 정도)로 가열하여 서서히 냉각하면 재결정화하는 기록막의 성질(상변화)을 이용하여 행해지고, 정보의 재생은 비정질(amorphous) 상태와 결정 상태에서 서로 다른 광의 반사율을 이용하여 행해진다. 여기에서, 비정질 또는 결정부분 각각은 통상, 마크 또는 스페이스라고 불리고, 따라서, 상 변화 디스크로의 정보 기록은 거기에 정보에 대응하는 마크와 스페이스가 형성됨으로써 행해진다고 할 수 있다.As a next generation high density recording medium, a phase change disk is attracting attention. As shown in Fig. 14, the recording of the information onto the phase change disk is in an amorphous state when heated to a predetermined melting point or more (for example, about 600 degrees) and quenched, and is below the melting point (for example, About 400 degrees) and gradually cool down, using the property (phase change) of the recording film to recrystallize, and information reproduction is performed using different reflectances of light in an amorphous state and a crystalline state. Here, each of the amorphous or crystalline portions is usually called a mark or a space, and therefore, it can be said that information recording on the phase change disk is performed by forming marks and spaces corresponding to the information therein.
그런데, 예를 들면, 미니 디스크(상표) 등으로 대표되는 광자기디스크에 대해서는 자계변조 방식에 의해 직접 오버라이트가 가능하지만, 고속의 기록, 재생이 곤란하게 된다. 한편, 광변조 방식에 의하면, 고속의 기록, 재생을 행하는 것이 가능하지만, 직접 오버라이트를 실현하기 위해서는 특수한 기록막을 사용할 필요가 있다.By the way, for example, a magneto-optical disc represented by a mini disc (trademark) or the like can be directly overwritten by a magnetic field modulation method, but high-speed recording and reproduction are difficult. On the other hand, with the optical modulation method, it is possible to perform high-speed recording and reproduction, but it is necessary to use a special recording film in order to realize direct overwrite.
이것에 대하여, 상 변화 디스크에서는, 도 15에 도시된 바와 같이, 레이저광을 중간 파워(소거 레벨)와 높은 파워(기록(기입) 레벨)로 전환하면서 마크와 스페이스를 형성하는 것으로, 이미 기록되어 있는 데이터의 소거와, 새로운 데이터의 기록을 동시에 행하는 직접 오버라이트를 용이하게 실현할 수 있다. 또, 데이터의 재생은 기록막이 상 변화를 일으키지 않을 정도의 낮은 파워(재생 레벨)의 레이저 광을 조사함으로써 행해진다. 즉, 비정질인 마크의 반사율은 낮고, 결정인 스페이스의 반사율은 높기 때문에, 레이저광을 조사함으로써 얻게 되는 반사광의 광량에 기초하여, 데이터의 재생이 행해진다.On the other hand, in the phase change disk, as shown in Fig. 15, the marks and spaces are already recorded by switching the laser light into intermediate power (erase level) and high power (write (write) level). Direct overwrite which simultaneously erases existing data and writes new data can be easily realized. The data is reproduced by irradiating laser light with a low power (reproduction level) such that the recording film does not cause a phase change. That is, since the reflectance of the amorphous mark is low and the reflectance of the crystalline space is high, the data is reproduced based on the light amount of the reflected light obtained by irradiating the laser light.
상 변화 디스크에는 상술한 바와 같이, 용이하게 직접 오버라이트를 행할 수 있는 외에, 광자기디스크와 비교하여, (1) 픽업(광픽업)의 구조가 간단하고, (2) 재생신호가 크고, C/N(carrier to noise ratio)이 높으며, (3) 기록층의 열전도도가 작고, 소거동작 온도가 높기 때문에, 인접 트랙의 마크끼리 영향을 미치기 어렵고, 트랙의 고밀도화가 가능하며, (4) 데이터의 재생을 반사율의 차이뿐만 아니라, 반사광의 위상차를 이용하여 행함으로써, 미소한 마크의 신호 강도를 크게 할 수 있는 등의 고밀도화 하기 용이한 이점이 있다.As described above, the phase change disk can be easily overwritten, and compared with the magneto-optical disk, (1) the pickup (optical pickup) structure is simple, (2) the reproduction signal is large, and C The high carrier to noise ratio (N), (3) the thermal conductivity of the recording layer is small, and the erasing operation temperature is high, making it difficult to influence the marks of adjacent tracks, and the density of the tracks can be increased. The reproducing is performed not only by the difference in reflectance but also by the phase difference of the reflected light, so that there is an advantage that the density can be easily increased, for example, the signal strength of minute marks can be increased.
또, 상 변화 디스크로의 데이터의 기록은 순수한 열기록(thermal recording)이며, 따라서, 고밀도 기록을 실현하기 위해서는 데이터의 기록, 소거를 행할 때의 열 관리가 가장 중요하게 된다.In addition, recording of data on the phase change disk is pure thermal recording, and therefore, thermal management at the time of recording and erasing data becomes the most important to realize high density recording.
상 변화 디스크에 대한 데이터의 기록 방식으로서는 다양한 길이의 마크 및 스페이스를 형성함으로써, 그 양쪽의 길이에 대해 정보를 할당하는 마크 에지 기록방식이 있다. 이 마크 에지 기록 방식에 의하면, 비교적 긴 마크를 형성하기 위해서, 기록 레벨의 레이저광이 장시간 조사되는 경우가 있지만, 이 경우, 기록막의 축열 효과에 의해, 마크의 후반부분이 디스크 반경 방향으로 폭이 굵게 된 눈물형의 마크가 형성된다. 이러한 눈물형의 마크를 재생하면, 그 종단 부분의 에지가 이상적인 위치에서 어긋나기 때문에, 에러율이 증가한다.As a recording method of data on a phase change disk, there is a mark edge recording method which allocates information to both lengths by forming marks and spaces of various lengths. According to this mark edge recording method, in order to form a relatively long mark, laser light at a recording level may be irradiated for a long time. In this case, due to the heat storage effect of the recording film, the second half of the mark has a width in the radial direction of the disc. Thick tear marks are formed. When reproducing such tear marks, the error rate increases because the edges of the end portions thereof are displaced at the ideal positions.
그래서, 마크의 후반부분에 있어서, 반경 방향의 폭이 넓어지지 않도록, 레이저광을 발생하는 레이저 다이오드 등의 발광 수단을 멀티펄스로 구동함으로써, 마크의 후반부분에서 조사 광량을 약하게 하는 기록 방식(A)이 있다.Therefore, in the latter half of the mark, a recording method that weakens the amount of irradiation light in the latter half of the mark by driving light emitting means such as a laser diode that generates laser light with a multipulse so that the width in the radial direction is not widened (A There is).
이 기록 방식(A)에 의하면, 도 16(A)에 도시된 바와 같이, 1클럭(데이터 율)에 대응하는 펄스폭을 T로 했을 때, 길이가 nT인 마크(단지, n은 정수)는 다음 식으로 나타내는 신호(A)에 의해 레이저 다이오드를 구동함으로써 형성된다(이하, 적당하게, 레이저 다이오드 등의 발광 수단을 구동하기 위한 신호를 기록 펄스라 한다).According to this recording method A, as shown in Fig. 16A, when the pulse width corresponding to one clock (data rate) is T, the mark of length nT (where n is an integer) is It forms by driving a laser diode by the signal A shown by following formula (Hereinafter, the signal for driving light emitting means, such as a laser diode, is suitably called a recording pulse).
A = 1.5M + (n - 2)(0.5S + 0.5M) + 0.5S … (1)A = 1.5 M + (n-2) (0.5 S + 0.5 M) + 0.5 S... (One)
여기서, M은 길이(T)의 H 레벨을 의미하고, S는 길이(T)의 L 레벨을 의미한다(M을 L 레벨에 대응시키고, S를 H 레벨에 대응시켜도 된다).Here, M means the H level of the length T, and S means the L level of the length T (M may correspond to L level and S may correspond to H level).
따라서, 데이터(도 16(B))가 예를 들면, 2M인 경우, 즉, n = 2 인 경우, 식 (1)에서, 1.5M + 0.5S의 기록 펄스 A(1.5T의 H 레벨(기록 레벨)과 0.5T의 L 레벨(소거 레벨))에 의해, 레이저 다이오드가 구동된다(도 16(C)). 또한, 데이터(도 16(B))가, 예를 들면, 3M인 경우, 즉, n = 3인 경우, 1.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S의 기록 펄스(A)에 의해, 레이저 다이오드가 구동된다(도 16(C)). 또한, 데이터(도 16(B))가, 예를 들면, 5M인 경우, 즉, n = 5인 경우, 1.5M + 3(0.5S + 0.5M) + 0.5S(=1.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S)의 기록 펄스(A)에 의해, 레이저 다이오드가 구동된다(도 16(C)).Therefore, in the case where the data (Fig. 16 (B)) is, for example, 2M, that is, n = 2, in the formula (1), the recording pulse A (1.5 levels of 1.5T + H level (recording) Level) and L level (clear level) of 0.5T), the laser diode is driven (Fig. 16 (C)). In addition, when the data (Fig. 16 (B)) is, for example, 3M, that is, when n = 3, the laser diode is caused by the write pulse A of 1.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S. Is driven (Fig. 16 (C)). In addition, when the data (Fig. 16 (B)) is 5M, that is, when n = 5, 1.5M + 3 (0.5S + 0.5M) + 0.5S (= 1.5M + 0.5S + The laser diode is driven by the write pulse A of 0.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S (Fig. 16 (C)).
또, 기록 방식(A)에 있어서(후술하는 기록 방식(B)에 대해서도 동일함), 데이터의 nS의 부분에 대한 기록 펄스(A)는 그대로 nS로 된다.In addition, in the recording method A (the same applies to the recording method B described later), the recording pulse A for the nS portion of the data is nS as it is.
그러나, 기록 방식(A)에서는 마크의 후반부분에서 조사 광량이 약하게 되기 때문에, 그 종단 부분의 에지가 열적으로 불안정하게 되어, 특히, 기록시의 선속도가 고속인 경우에는 그 위치의 변동이 현저해지는 과제가 있었다.However, in the recording method A, since the amount of irradiation light is weak at the latter part of the mark, the edge of the terminal part becomes thermally unstable, and in particular, when the linear velocity at the time of recording is high, the variation of the position is remarkable. There was a problem to get rid of.
그래서, 예를 들면,「상 변화 디스크용 고속 기록율·고밀도 기록 방식의 검토」, 우루미야 등, 텔레비전 학회 기술보고, ITE Technical Report Vol. 17, No. 79, PP.7-12, VIR'93-83, (Dec. 1993)(이하, 문헌 1이라 한다)이나, 특개평 6-295440호 공보(이하, 문헌 2라 한다), 특개평 7-129959호 공보(이하, 문헌 3이라 한다) 등에는 마크의 종단 부분에, 어느 정도의 광량을 조사하는 기록 방식(B)이 개시되어 있다.Thus, for example, "Review of the high-speed recording rate and high-density recording system for phase change disks", Television Society Technical Report, Urumiya et al., ITE Technical Report Vol. 17, No. 79, PP.7-12, VIR'93-83, (Dec. 1993) (hereinafter referred to as Document 1), and Japanese Patent Laid-Open No. 6-295440 (hereinafter referred to as Document 2), Japanese Patent Laid-Open No. 7-129959 Japanese Patent Application Publication (hereinafter referred to as Document 3) and the like disclose a recording method B for irradiating a certain amount of light to an end portion of a mark.
이 기록 방식(B)에 의하면, 길이가 nT의 마크가, 다음 식으로 나타내는 기록 펄스(B)에 의해 레이저 다이오드를 구동함으로써 형성된다.According to this recording method B, a mark of length nT is formed by driving a laser diode with a recording pulse B represented by the following equation.
A = 1.0M + (n - 2)(0.5S + 0.5M) + 0.5M + 0.5S ·· (2)A = 1.0M + (n-2) (0.5S + 0.5M) + 0.5M + 0.5S
따라서, 데이터(도 16(B))가, 예를 들면, 2M인 경우, 즉, n = 2인 경우, 식 (2)에서, 1.0M + 0.5M + 0.5S = 1.5M + 0.5S의 기록 펄스(B)에 의해, 레이저 다이오드가 구동된다(도 16(D)). 또한, 데이터(도 16(B))가, 예를 들면, 3M인 경우, 즉, n = 3인 경우, 1.0M + 0.5S + 0.5M + 0.5M + 0.5S = 1.0M + 0.5S + 1.0M + 0.5S의 기록 펄스(B)에 의해, 레이저 다이오드가 구동된다(도 16(D)). 또한, 데이터(도 16(B))가, 예를 들면, 5M인 경우, 즉, n = 5인 경우, 1.0M + 3(0.5S + 0.5M) + 0.5M + 0.5S(= 1.0M + 0.5S + 0.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S + 1.0M + 0.5S)의 기록 펄스(B)에 의해, 레이저 다이오드가 구동된다(도 16(D)).Therefore, when the data (Fig. 16 (B)) is, for example, 2M, i.e., n = 2, in the formula (2), recording of 1.0M + 0.5M + 0.5S = 1.5M + 0.5S By the pulse B, the laser diode is driven (Fig. 16 (D)). In addition, when data (FIG. 16 (B)) is 3M, for example, when n = 3, 1.0M + 0.5S + 0.5M + 0.5M + 0.5S = 1.0M + 0.5S + 1.0 The laser diode is driven by the write pulse B of M + 0.5S (Fig. 16 (D)). In addition, when the data (Fig. 16 (B)) is 5M, that is, when n = 5, 1.0M + 3 (0.5S + 0.5M) + 0.5M + 0.5S (= 1.0M + The laser diode is driven by the write pulse B of 0.5S + 0.5M + 0.5S + 0.5M + 0.5S + 1.0M + 0.5S) (Fig. 16 (D)).
그러나, 기록 방식(B)에 의한 경우에 있어서도, 예를 들면, 2T나 3T 등의 짧은 마크나 스페이스가 형성되는 부분, 특히, 짧은 스페이스를 사이에 둔 마크간에는 열간섭이 생기고, 그 에지의 위치가, 이상적인 위치에서 어긋나며, 이것에 의해, 에러율이 증가되는 과제가 있었다.However, also in the case of the recording method B, for example, thermal interference occurs between portions where short marks and spaces such as 2T and 3T are formed, in particular, marks between which the short spaces are interposed, and the position of the edges thereof. There is a problem that the deviation occurs at an ideal position, whereby the error rate is increased.
그리하여, 상술의 문헌 1 및 3 등에서는 짧은 마크 및 스페이스에 대응하는 데이터를 검출하여, 그와 같은 데이터에 대응하는 기록 펄스에 관해서는 그 시단부분의 에지와, 종단 부분의 에지의 위치를 변화시킴으로써, 열간섭 등에 기인하는 에지의 위치 어긋남을 보상하여 기록을 행하는 방법(기록 보상 방법)이 개시되어 있다.Thus, in
도 17은 그와 같은 기록 보상을 행하는 종래의 기록 보상회로의 일례의 구성을 도시하고 있다.Fig. 17 shows a configuration of an example of a conventional write compensation circuit for performing such write compensation.
시단(始端) 펄스 발생기(101), 게이트 발생기(102), 종단(終端) 펄스 발생기(103) 및 마크/스페이스 길이 검출기(104)에는 기록해야 할 정보를 변조한 변조 데이터(도 16(B))가 공급되도록 되어 있다.In the
여기에서, 변조 데이터는, 예를 들면, (1, 7) RLL(Run Length Limited)과 NRZI(Non Return to Zero Inverted)를 조합하여, 정보를 변조함으로써 얻게 되는 것이며, 따라서, 변조 데이터에는 고립된 반전은 존재하지 않는다. 또한, 그 최소 반전폭 또는 최대 반전폭은 각각 2 또는 8이다(따라서, 상기의 경우, 식(2)에 있어서의 n은 2 내지 8의 범위의 값이 된다).Here, the modulated data is obtained by modulating the information by combining, for example, (1, 7) Run Length Limited (RLL) and Non Return to Zero Inverted (NRZI), and therefore, the modulated data is isolated. There is no reversal. The minimum inversion width or the maximum inversion width is 2 or 8, respectively (hence, in the above case, n in the formula (2) becomes a value in the range of 2 to 8).
시단 펄스 발생기(101)에서는 변조 데이터의 상승 에지로부터 0.5T만큼 지연된 위치에서 상승하는 펄스폭이 IT의 시단 펄스(식(2)에 있어서의 우변의 제 1항 1.0M에 대응하는 펄스)가 생성되어, 지연선(108)을 통해, OR 게이트(110)에 공급된다.In the
또한, 게이트 발생기(102)에서는 변조 데이터로부터, 식(2)에 있어서의 n에 대응하는 펄스폭의 게이트 신호가 생성되고, AND 게이트(109)의 한쪽의 입력 단자에 공급된다. AND 게이트(109)의 다른 쪽 입력 단자에는 클럭(도 16(A))이 공급되어 있고, AND 게이트(109)에서는 클럭과 게이트 신호의 논리곱이 연산된다. 이것에 의해, AND 게이트(109)에 있어서는 버스트 펄스(식(2)에 있어서의 우변의 제 2항(n - 2)(0.5S + 0.5M)에서의 최후의 0.5M을 제외한 것에 대응하는 펄스)가 생성되어, OR 게이트(110)에 공급된다.In the
또한, 종단 펄스 발생기(103)에서는 변조 데이터의 하강 에지의 위치에서 하강되는 펄스폭이 1T의 종단 펄스(식(2)에 있어서의 우변의 제 2항 (n - 2)(0.5S + 0.5M)의 최후의 0.5M과, 제 3항 0.5M을 합친 것에 대응하는 펄스)가 생성되어, 지연선(107)을 통해, OR 게이트(110)에 공급된다.Further, in the
OR 게이트(110)에서는 시단 펄스, 버스트 펄스 및 종단 펄스의 논리합이 연산되고, 이것에 의해, 식(2)에서 주어지는 기록 펄스(B)(도 16(D))가 생성되어 출력된다.In the OR
한편, 마크/스페이스 길이 검출기(104)에서는 변조 데이터로부터, 예를 들면, 2T나 3T 등의 짧은 마크 및 스페이스에 대응하는 것이 검출되고, 그 검출 결과가 셀렉터(105, 106)에 공급된다. 셀렉터(105, 106)에서는 마크/스페이스 길이 검출기(104)로부터의 검출 결과에 기초하여, 시단 펄스 또는 종단 펄스를 지연하는 지연량이 결정되어, 지연선(107 또는 108)에 각각 공급된다.On the other hand, the mark /
지연선(107 또는 108) 각각은 시단 펄스 또는 종단 펄스가 셀렉터(105 또는 106)로부터 공급되는 지연량만큼 지연되어 출력된다.Each of the
이상과 같이 하여, 짧은 마크 및 스페이스에 대응하는 데이터에 대응하는 기록 펄스에 관하여는 그 시단부분의 에지와, 종단 부분의 에지의 위치가 변화되어, 이것에 의해, 열간섭 등에 기인되는 에지의 위치 어긋남의 기록 보상이 행해진다.As described above, with respect to the recording pulse corresponding to the data corresponding to the short mark and the space, the position of the edge of the start end and the edge of the end part is changed, whereby the position of the edge resulting from thermal interference or the like. Recording compensation of misalignment is performed.
그런데, 광디스크나 광자기디스크 등에는 CAV(Constant Angular Velocity) 방식으로, 데이터가 기록된다. CAV 방식에서는 각속도(디스크의 회전속도)가 일정하기 때문에, 데이터율이 일정하면, 선밀도는 디스크의 내주측에서는 높고, 또한, 외주측에서는 낮게 되어, 그 결과, 전체로서의 기록 용량은 작게 된다.By the way, data is recorded on an optical disc, a magneto-optical disc, etc. in a CAV (Constant Angular Velocity) method. In the CAV system, since the angular velocity (rotational speed of the disc) is constant, if the data rate is constant, the linear density is high on the inner circumferential side of the disc and low on the outer circumferential side, and as a result, the recording capacity as a whole becomes small.
이에 반해, CLV(Constant Linear Velocity) 방식으로 데이터를 기록하는 경우에 있어서는 선속도가 일정하기 때문에, 데이터율이 일정하면, 선밀도도 일정하게 되며, 그 결과, 전체로서의 기록 용량을 크게 할 수 있다. 그러나, CLV방식에서는 디스크를 회전 구동하는 스핀들 모터의 회전수를 그 최내주로부터 최외주에 걸쳐서 연속적으로 변화시킬 필요가 있어, 제어 시스템이 복잡하게 된다.On the other hand, when data is recorded by the CLV (Constant Linear Velocity) method, the linear velocity is constant. Therefore, when the data rate is constant, the linear density is also constant. As a result, the recording capacity as a whole can be increased. However, in the CLV method, it is necessary to continuously change the rotation speed of the spindle motor for rotating the disk from the innermost to outermost circumferences, which complicates the control system.
그리하여, 일정한 각속도로 회전 구동하면 무방한, 즉, 제어가 간단한 CAV 방식의 이점과, 기록 용량을 크게 할 수 있는 CLV 방식의 이점 모두를 겸비한 방식으로서, MCAV(Modified CAV) (MZ-CAV(Multi- Zone- CAV)) 방식이 있다.Therefore, it is possible to rotate at a constant angular velocity, that is, a method that combines both the advantages of the CAV method, which is simple to control, and the advantages of the CLV method, which can increase the recording capacity. The MCAV (Modified CAV) (MZ-CAV (Multi -Zone- CAV)).
MCAV 방식에서는 CAV 방식과 같이, 일정한 각속도로 회전 구동이 행해지지만, 디스크가 그 최내주로부터 최외주에 걸쳐서, 몇 개(예를 들면, 50정도 등)의 영역으로 분할되어 있고, 외주측의 영역일수록 데이터율을 높게 하여 기록이 행해진다. 데이터율은 각 영역의 최내주에 있어서의 선밀도가 일정하게 되도록 제어되고, 이것에 의해, CLV 방식과 같이, 기록 용량을 크게 할 수 있도록 이루어져 있다.In the MCAV system, as in the CAV system, rotational driving is performed at a constant angular velocity, but the disk is divided into several regions (for example, about 50) from the innermost to outermost circumferences, and the outer circumferential side. Recording is performed at a higher data rate. The data rate is controlled so that the linear density in the innermost periphery of each area is constant, whereby the recording capacity can be increased like the CLV method.
상 변화 디스크에 의해 고밀도 기록을 실현하는 경우, 기록 보상의 관점으로부터, 일정한 기록 보상으로 대응할 수 있는 선속도가 일정한 CLV 방식을 채용하는 것이 바람직하다. 즉, 상 변화 디스크로의 데이터의 기록은 순수한 열기록이기 때문에, 선속도가 일정하면, 일정한 기록 보상을 행하면 끝난다.When high density recording is realized by the phase change disk, it is preferable to adopt a CLV method having a constant linear velocity that can cope with constant recording compensation from the viewpoint of recording compensation. That is, since the recording of data to the phase change disk is pure thermal recording, if the linear velocity is constant, it ends when constant recording compensation is performed.
그러나, CLV 방식에서는 트래버스(트랙 점프)한 경우에, 디스크의 회전속도를 트래버스 전의 위치에 적합한 값으로부터, 트래버스 후에 있어서의 위치에 적합한 값으로 변화시킬 필요가 있고, 그때까지 데이터의 재생을 개시할 수 없다. 이 때문에, 비디오 테이프 등의 테이프형상의 기록 매체와 비교한 경우에, 디스크의 중요한 특징인 랜덤 액세스의 속도가 느리다고 하는 결점이 있다.However, in the CLV system, in the case of traverse (track jump), it is necessary to change the rotational speed of the disc from a value suitable for the position before traverse to a value suitable for the position after traverse. Can't. For this reason, when compared with a tape-shaped recording medium such as a video tape, there is a drawback that the speed of random access, which is an important feature of the disc, is slow.
그리하여, 이러한 결점에 의해, 상 변화 디스크의 용도가 한정되는 것을 방지하기 위해서, 기록 용량이 크고, 고속인 랜덤 액세스가 가능한 MCAV 방식을 채용하는 방법이 있다.Therefore, in order to prevent the use of the phase change disk from being limited by such drawbacks, there is a method that adopts the MCAV system which has a large recording capacity and enables fast random access.
그러나, MCAV 방식에서는 최내주로부터 최외주에 걸쳐서 선속도가 변화되기 때문에, 일정한 기록 보상으로 대응하는 것이 곤란했었다.However, in the MCAV system, since the linear velocity changes from the innermost to the outermost, it was difficult to cope with constant recording compensation.
본 발명은 이러한 상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 선속도에 대응한 기록 보상을 용이하게 행할 수 있도록 하는 것이다.The present invention has been made in view of such a situation, and is intended to facilitate recording compensation corresponding to the linear velocity.
본 발명에 기재된 데이터 기록 장치는 시단 펄스, 버스트 펄스 및 종단 펄스를 합성하여 얻게 되는 기록 펄스에 따라서, 데이터를 기록 매체에 기록하는 데이터 기록 장치로서, 시단 펄스의 시단 에지의 위치를 변화시킴으로써, 그 펄스폭을 변화시키는 시단 펄스 변화 수단(예를 들면, 도 3에 도시된 멀티펄스 발생기(16), 프로그램 가능한 지연선(18) 및 기록 신호 발생기(21) 등)과, 종단 펄스의 종단 에지의 위치를 변화시킴으로써, 그 펄스폭을 변화시키는 종단 펄스 변화 수단(예를 들면, 도 3에 도시된 멀티펄스 발생기(16), 프로그램 가능한 지연선(17) 및 기록 신호 발생기(21) 등)을 구비하는 것을 특징으로 한다.The data recording apparatus described in the present invention is a data recording apparatus for recording data on a recording medium in accordance with a recording pulse obtained by synthesizing a start pulse, a burst pulse, and an end pulse, and by changing the position of the start edge of the start pulse. The start pulse change means (for example, the
본 발명에 기재된 데이터 기록 장치는 기록 펄스에 따라서, 기록 매체에 마크와 스페이스를 형성함으로써, 데이터를 기록하는 기록 수단(예를 들면, 도 1에 도시된 픽업(3) 등)을 더 구비하며, 시단 펄스 변화 수단 또는 종단 펄스 변화 수단 각각이 기록 매체와 기록 수단 사이의 상대 속도에 기초하여, 시단 에지 또는 종단 에지의 위치를 변화시키는 것을 특징으로 한다.The data recording apparatus described in the present invention further includes recording means (for example,
본 발명에 기재된 데이터 기록 장치는 데이터에 대응하는 기록 펄스에 따라서, 마크와 스페이스를 기록 매체로 형성함으로써, 데이터를 기록하는 데이터 기록 장치로서, 데이터의 시단을 그 시단으로 하는 1클럭분의 펄스폭의 시단 펄스를 생성하는 시단 펄스 생성 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 DFF(D 플립플롭)(52, 54), AND 게이트(56) 등)과, 데이터의 종단을 그 종단으로 하는 1클럭분의 펄스폭의 종단 펄스를 생성하는 종단 펄스 생성 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 DFF(51, 52) 및 AND 게이트(57) 등)과, 데이터를 제 1 지연량(x) 만큼 지연하는 제 1 지연 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 프로그램 가능한 지연선(18) 등)과, 소정량의 클럭만큼 시간적으로 선행하는 데이터를 제 2 지연량(y)만큼 지연하는 제 2 지연 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 프로그램 가능한 지연선(17) 등)과, 시단 펄스 생성 수단, 종단 펄스 생성 수단, 제 1 및 제 2 지연 수단의 출력을 논리 연산하는 것으로, 기록 펄스를 생성하는 기록 펄스 생성 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 OR 게이트(58), 및 AND 게이트(61, 62) 등)을 포함하고, 1클럭에 대응하는 펄스폭을 T로 하고, 길이 T의 기록 펄스의 H 또는 L 레벨 중의 한쪽을 M, 다른 쪽을 S로 나타낼 때, 길이가 nT의 마크(단지, n은 정수)에 대응하는 기록 펄스가, 식 xS + (1.5 - x)M + (n - 2)(0.5S + 0.5M) + yM + (0.5 - y)S 또는 식 xS + (1.5 - x)M + (n - 3)(0.5S + 0.5M) + 0.5S + yM + (1.0 - y)S로 표현되는 것을 특징으로 한다.The data recording apparatus according to the present invention is a data recording apparatus for recording data by forming a mark and a space into a recording medium in accordance with a recording pulse corresponding to the data, wherein the pulse width for one clock having the beginning of the data as the beginning of the data A start pulse generating means (e.g., DFF (D flip-flop) 52, 54, AND
본 발명에 기재된 데이터 기록 장치는, 기록 펄스 생성 수단이 시단 펄스 생성 수단 및 종단 펄스 생성 수단의 출력들과 클럭 신호의 논리합을 연산하는 제 1 연산 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 OR 게이트(58) 등)과, 제 1 및 제 2 지연 수단의 출력의 논리곱을 연산하는 제 2 연산 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 AND 게이트(61) 등)과, 제 1 및 제 2 연산 수단의 출력의 논리곱을 연산하는 제 3 연산 수단(예를 들면, 도 7에 도시된 AND 게이트(62) 등)을 갖는 것을 특징으로 한다.The data recording apparatus according to the present invention is characterized in that the recording pulse generating means includes first calculation means (for example, an OR gate shown in FIG. (58), etc.), second calculating means (e.g., AND
본 발명에 기재된 데이터 기록 장치는 제 1 또는 제 2 지연량(x또는 y) 각각을 적응적으로 설정하는 지연 설정 수단(예를 들면, 도 3에 도시된 마이크로 컴퓨터(11) 등)을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The data recording apparatus described in the present invention further includes delay setting means (for example, the
본 발명에 기재된 데이터 기록 장치는 기록 펄스에 따라서, 기록 매체에 마크와 스페이스를 형성함으로써, 데이터를 기록하는 기록 수단(예를 들면, 도 1에 도시된 픽업(3) 등)을 더 구비하며, 지연량 설정 수단이 기록 매체와 기록 수단간의 상대 속도에 기초하여, 제 1 또는 제 2 지연량(x 또는 y) 각각을 설정하는 것을 특징으로 한다.The data recording apparatus described in the present invention further includes recording means (for example,
본 발명에 기재된 데이터 기록 장치는 소정의 지연량에 필요한 인버터의 단수를 측정하기 위한 측정 수단(예를 들면, 도 10에 도시된 DFF(81), 단위 지연 소자(82), OR 게이트(83), 셀렉터(84, 86), NOR 게이트(87) 및 RSFF(RS 플립플롭)(88) 등)을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.The data recording apparatus described in the present invention includes measuring means for measuring the number of stages of an inverter required for a predetermined delay amount (for example, the
도 1은 본 발명을 적용한 디스크 드라이브의 1실시예의 구성을 도시하고 있다.Fig. 1 shows the configuration of one embodiment of a disk drive to which the present invention is applied.
디스크(1)는, 예를 들면, 상술한 바와 같은 상 변화 디스크로, 스핀들 모터(2)에 의해 회전 구동된다. 스핀들 모터(2)는 스핀들 서보 시스템을 구성하고 있고, 디스크(1)를 일정한 회전속도(회전수)로 회전 구동한다.The
데이터의 기록시에 있어서는 그 기록해야 할 데이터를, 예를 들면, 상술한 바와 같이, (1, 7) RLL과 NRZI를 조합한 변조 방식에 의해 변조한 변조 데이터가 기록 회로(4)에 공급된다. 기록 회로(4)에서는 그 변조 데이터에 대응하는 기록 펄스로서, 기록 보상을 행한 것이 생성되어, 픽업(3)에 공급된다. 픽업(3)은 그 내장된 레이저 다이오드 등의 발광 수단을, 기록 펄스에 따라서 구동한다. 이것에 의해, 디스크(1)에 대하여는 기록 펄스에 따른, 도 15에서 설명한 바와 같은 파워의 레이저광이 조사되어, 기록 회로(4)에 입력된 데이터에 대응하는 마크와 스페이스가 형성되는 것으로, 예를 들면, 마크 에지 기록 방식에 의해 데이터가 기록된다.At the time of data recording, for example, as described above, the data to be recorded is supplied to the
한편, 데이터의 재생시에 있어서는 픽업(3)에 있어서, 디스크(1)에 대해, 재생 레벨의 레이저광이 조사되고, 그 반사광이 수광된다. 또한, 픽업(3)에서는 수광된 반사광이 광전 변환되어, 그 결과 얻어지는 RF(Radio Frequency) 신호가 재생회로(5)로 공급된다. 재생회로(5)에서는 RF 신호에 소정의 처리가 실행되어, 변조 데이터가 재생되어 출력된다. 이 변조 데이터는 도시하지 않은 원상회복 회로에 있어서 원상 회복되어, 원래의 데이터로 된다.On the other hand, at the time of reproduction of data, the
또, 본 실시예에 있어서는 디스크(1)는, 예를 들면, 그 최내주로부터 최외주에 걸쳐서, 몇 개(예를 들면, 50정도 등)의 영역으로 분할되어 있고, 외주측의 영역만큼, 데이터율을 높게 하여 기록이 행해진다. 데이터율은 각 영역의 최내주에 있어서의 선밀도가 일정하게 제어되도록 이루어져 있고, 따라서, 여기에서는 디스크(1)에 대하여, MCAV 방식에 의해, 데이터의 기록, 재생이 행해지도록 이루어져 있다.In addition, in this embodiment, the
다음에, 도 2를 참조하여, 도 1의 기록 회로(4)에 있어서의 기록 보상에 대하여 설명한다.Next, with reference to FIG. 2, the write compensation in the
도 2는 도 16과 같은 파형도이고, 상술한 바와 같이, 식(1) 또는 (2)에 의해 표현되는 기록 방식(A 또는 B)에 의하면, 도 2(A)에 도시된 바와 같은 클럭하에서, 동 도면(B)에 도시된 바와 같은 변조 데이터가 주어진 경우, 동 도면(C 또는 (D)에 도시된 것과 같은 기록 펄스(A 또는 B)가 각각 생성된다.FIG. 2 is a waveform diagram as shown in FIG. 16, and as described above, according to the recording method A or B represented by the formula (1) or (2), under the clock as shown in FIG. Given the modulation data as shown in figure B, a write pulse A or B as shown in figure C or D, respectively, is generated.
여기에서, 기록 방식(A)에 의하면, 상술한 바와 같이, 디스크(1)의 선속도, 즉, 디스크(1)와 픽업(3)의 상대 속도가 고속인 경우, 마크 에지의 위치 변동이 현저하게 되지만, 선속도가 저속인 경우(예를 들면, 4m/s(meter/초) 정도)에는 그와 같지 않고, 따라서 저선속도에 적합한 것으로 알려져 있다. 또한, 기록 방식(B)은 선속도가 저속인 경우에는 적합하지 않지만, 고속인 경우(예를 들면, 10m/s 정도)에 적합한 것으로 알려져 있다.Here, according to the recording method A, as described above, when the linear speed of the
따라서, MCAV 방식과 같이, 최내주로부터 최외주를 향하여, 선속도가 저속으로부터 고속으로 변화하는 경우에는, 기록 펄스도, 기록 방식(A)에 의해 얻어지는 것에서 기록 방식(B)에 의해 얻어지는 것으로 변화시키도록 하면, 선속도에 대응한 기록 보상을 행할 수 있다.Therefore, as in the MCAV system, when the linear velocity changes from the innermost to the outermost circumference from low speed to high speed, the recording pulse is also changed from that obtained by the recording method A to that obtained by the recording method B. In this case, recording compensation corresponding to the linear velocity can be performed.
그리하여, 기록 회로(4)는 도 2(C)에 있어서 점선으로 도시된 바와 같이, 기록 방식(A)에 의한 기록 펄스(A)를 구성하는 시단 펄스 또는 종단 펄스 각각의 시작 에지 또는 하강 에지의 위치를 변화시킴으로써, 그들의 펄스폭을 변화시킨다. 이것에 의해, 기록 펄스를 선속도에 대응하여, 예를 들면, 영역에 대응하여 변화시키도록 이루어져 있다. 혹은 또한, 기록 회로(4)는 도 2(D)에 있어서 점선으로 나타낸 바와 같이, 기록 방식(B)에 의한 기록 펄스 (B)를 구성하는 시단 펄스 또는 종단 펄스 각각의 상승 에지 또는 하강 에지의 위치를 변화시킴으로써, 그들의 펄스폭을 변화시키고, 이것에 의해 기록 펄스를 선속도, 예를 들면, 영역에 대응하여 변화시키도록 이루어져 있다.Thus, as shown by the dotted line in Fig. 2C, the
다음에, 도 3은 도 1의 기록 회로(4)의 구성예를 도시하고있다.Next, FIG. 3 shows a configuration example of the
마이크로 컴퓨터(11)는 각종의 신호(CS, WR, OW, AB [15:0], CLK, D[7:0], Z[7:0] 등)에 의해, 기록 회로(4)를 구성하는 각 블럭을 제어하도록 이루어져 있다. 여기에서, 예를 들면, 데이터 D[7:0]라는 표기는 데이터 D의 제 0 내지 제 7 비트를 의미한다. 따라서, 데이터 D가 8비트로 구성되는 경우, 데이터 D[7:0]은 데이터 D 그 자체를 나타낸다. 또한, 예를 들면, 데이터 D[0]라는 표기는 데이터(D)의 제 0 비트를 의미한다. 또, 제 0 비트는 예를 들면, LSB(최하위 비트)를 나타내는 것으로 한다.The
즉, 마이크로 컴퓨터(11)는 RAM(Random Access Memory) (15)에 대하여, 데이터 D[7:0]의 기록을 행하는 경우, 예를 들면, 통상은 L레벨로 되어 있는 칩 셀렉터 신호(CS)를 H 레벨로 하도록 이루어져 있다. 또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 RAM(11)에 데이터(D)를 기록하는 경우, 또는 데이터(D)를 판독하는 경우, 라이트신호(WR)를, 각각 H 또는 L 레벨로 하도록 이루어져 있다. 또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 직접 오버라이트를 행하는지 어떤지, 즉, 변조 데이터의 기록을 행하는지 어떤지를 나타내는 오버라이트 신호(OW)를 출력하도록 이루어져 있다.That is, when the
또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 RAM(15)에 대하여 데이터를 판독 기록하는 경우, 그 어드레스를 지정하기 위한 어드레스 신호 AB[15:0]을 출력하도록 이루어져 있다. 또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 기록 회로(4)를 구성하는 블록 중의 필요한 것에, 클럭(CLK)을 공급하도록 이루어져 있다. 또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 RAM(15)에 기록해야 되는 데이터 D[7:0]을 출력함과 동시에, RAM(15)으로부터 판독된 데이터 D[7:0]을 수신하도록 이루어져 있다. 또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 픽업(3)이 레이저광을 조사하고 있는 영역을 검출하여 그 영역을 나타내는 영역 데이터 Z[7:0]을 출력하도록 이루어져 있다.In addition, when the
또, 도 3의 실시예에 있어서는 예를 들면, 어드레스 신호 AB[15:0]은 15비트의 신호와, 데이터 D[7:0] 및 영역 데이터 Z[7:0]은 8비트의 신호로 되어 있다.3, for example, the address signal AB [15: 0] is a 15-bit signal, and the data D [7: 0] and the area data Z [7: 0] are 8-bit signals. It is.
제어기(12)에는 마이크로 컴퓨터(11)에서, 칩 셀렉터 신호(CS), 라이트 신호(WR), 또는 오버라이트 신호(OW)가, 그 입력 단자(CSIN, WRIN, 또는 OWIN)에 각각 공급되도록 이루어져 있다. 또한, 제어기(12)에는 시프터(14)가 출력하는 12 비트의 데이터 AA[11:0] 중, 제 4 내지 제 7 비트로 구성되는 데이터 AA[7:4]가 그 입력 단자 D[3:0]에 공급되도록 이루어져 있다.In the
제어기(12)는 거기에 입력되는 칩 셀렉터 신호(CS), 라이트 신호(WR) 및 오버라이트 신호(OW)에서, 그 출력 단자(OE, CS 또는 WR) 각각으로부터 출력해야 할 신호(이하, 적당히, 출력 단자(OE)로부터 출력되는 신호를 인에이블(enable) 신호(OE) 라고 한다. 또한, 출력 단자(CS, WR)로부터 출력되는 신호는 제어기(12)에 입력되는 칩 셀렉터 신호(CS), 라이트 신호(WR)에 각각 대응하기 때문에, 이들의 신호도, 이하, 적당히, 각각 칩 셀렉터 신호(CS), 라이트 신호(WR)라는)를 생성하여 출력하도록 이루어져 있다. 또한, 제어기(12)는 데이터 AA[7:4]에 기초하여, 변조 데이터(D)의 상승 에지 또는 하강 에지를 검출하고, 그 타이밍으로, 예를 들면, 1 클럭 동안만, L 레벨로부터 H 레벨이 되는 상승 에지 신호(RISE 또는 FALL)를, 그 출력 단자(RISE 또는 FALL)에서 각각 출력하도록 이루어져 있다.The
셀렉터(13)는 예를 들면, 16비트의 셀렉터로, 거기에는 마이크로 컴퓨터(11)에서 오버라이트 신호(OW)와 어드레스 신호 AB[15:0]이, 그 입력 단자(A/B)와 B[15:0] 각각 공급되도록 이루어져 있다. 또한, 셀렉터(13)에는 시프터(14)가 출력하는 데이터 AA [11:0] 중 제 0 내지 제 3 비트 및 제 8 내지 제 11 비트로 구성되는 데이터 AA[3:0] 및 AA[11:8]을 하위 8비트로 하여, 마이크로 컴퓨터(11)가 출력하는 영역 데이터 Z[7:0]을 상위 8비트로 하는 16비트의 데이터(이 데이터도, 어드레스 신호 AB[15:0]과 같이, RAM(15)의 15비트의 어드레스로 되기 때문에, 이하, 적당히, 어드레스 신호 AB'[15:0]으로 표기한다)가, 그 입력 단자 A[15:0]에 공급되도록 이루어져 있다.The
셀렉터(13)는 오버라이트 신호(OW)가 L 또는 H 레벨일 때, 어드레스 신호 AB[15:0] 또는 AB'[15:0]을 각각 선택하여, 그 출력 단자 C[15:0]에서, 어드레스 신호 ADR[15:0]로서 출력하도록 이루어져 있다.The
시프터(14)는 예를 들면, 12비트의 시프터로, 거기에는 변조 데이터 DATA와 클럭(CLK)이 입력 단자(DIN, CLK) 각각에 공급되도록 이루어져 있다. 시프터(14)는 12비트의 레지스터를 내장하고 있고, 클럭(CLK)에 동기하여, 그 레지스터의 LSB에, 변조 데이터 DATA를 기억시킴과 동시에, 그 레지스터의 각 비트를, 1개의 상위 비트에 복사, 즉, 1비트의 왼쪽 시프트를 행하도록 이루어져 있다. 시프터(14)가 내장된 레지스터의 기억치, 즉, 12비트 단위의 패러랠 데이터로 된 변조 데이터 AA[11:0]는 제 0 내지 제 3 비트 AA[3:0], 제 4 내지 제 7 비트 AA[7:4] 및 제 8 내지 제 11 비트 AA[11:8]로 분할되고, 상술된 바와 같이, 제 0 내지 제 3 비트 AA[3:0] 및 제 8 내지 제 11 비트 AA[11:8]은 셀렉터(13)로 공급되어, 제 4 내지 제 7 비트 AA[7:4]는 제어기(12)에 공급되도록 이루어져 있다.The
또, 변조 데이터 AA[11:0] 중의 제 3 비트 AA[3]은 멀티펄스 발생기(16)에도 공급되도록 이루어져 있다.The third bit AA [3] of the modulated data AA [11: 0] is also supplied to the
RAM(15)은 예를 들면, 16비트의 어드레스 공간을 구비하고, 8비트의 데이터를 기억하는 RAM으로, 거기에는 제어기(12)로부터 칩 셀렉터 신호(CS) 또는 라이트 신호(WR)가 그 입력 단자(CS 또는 WR)에 각각 공급되도록 이루어져 있다. 또한, RAM (15)에는 셀렉터(13)로부터 어드레스 신호 ADR[15:0]이 그 입력 단자 A[15:0]으로 공급되도록 이루어져 있다. 또한, RAM(15)의 데이터 단자(DIN)에는 마이크로컴퓨터(11)가 출력하는 데이터 D[7:0]이 공급되도록 이루어져 있다.The
RAM(15)는 칩 셀렉터 신호(CS)가 H 레벨이고, 또한 라이트 신호가 H 레벨일 때, 마이크로 컴퓨터(11)가 출력하는 데이터D[7:0]을, 어드레스 신호 ADR[15:0]으로 나타나는 어드레스에 기억하고, 또한, 칩 셀렉터 신호(CS)가 H 레벨이고, 또한 라이트 신호가 L 레벨일 때, 어드레스 신호 ADR[15:0]로 나타나는 어드레스로부터, 데이터 D[7:0]을 판독하여, 데이터 DO[7:0]로서, 그 출력 단자 DOUT[7:0]로부터 출력되도록 이루어져 있다.The
멀티펄스 발생기(16)에는 시프터(14)로부터, 12비트의 변조 데이터 AA[11:]중의 제 3 비트 AA[3]이, 그 입력 단자 INDATA에 공급되고, 또한, 마이크로 컴퓨터(11)로부터 클럭(CLK)이 그 입력 단자(CLK)로 공급되도록 이루어져 있다.In the
멀티펄스 발생기(16)는 변조 데이터의 제 3 비트 AA[3]과 클럭(CLK)에 기초하여, 종단 펄스로 되는 데이터 DATA1, 버스트 펄스가 되는 데이터(MP) 및 시단 펄스가 되는 데이터 DATA2를 생성하고, 각각을, 그 출력 단자(Q1, MP, Q2)로부터 출력하도록 이루어져 있다.The
프로그램 가능한 지연선(17 또는 18)은 DFF(19 또는 20)로부터 공급되는 4비트의 데이터 FALL_DATA[3:0] 또는 RISE_DATA[3:0]에 따라서, 데이터 DATA1 또는 DATA2를 각각 소정량(y 또는 x)량 만큼 지연되고, 지연 데이터 DDATA1 또는 DDATA2로서, 각각의 출력 단자(OUT)로부터 출력하도록 이루어져 있다.The
DFF(19 또는 20)은 RAM(15)으로부터 출력되는 데이터 DO[7:0] 중의 하위 4비트 DO[3:0] 또는 상위 4비트 DO[7:4]를 제어기(12)로부터 공급되는 하강 에지 신호(FALL) 또는 상승 에지 신호(RISE)의 타이밍에서 래치(latch)하여, 데이터 FALL_DATA[3:0] 또는 RISE_DATA[3:0]로서, 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18)에 각각 공급하도록 이루어져 있다.The
기록 신호 발생기(21)는 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18) 각각으로부터의 지연 데이터 DDATA1 또는 DDATA2, 및 멀티펄스 발생기(16)로부터의 데이터(MP)를 사용하여 논리 연산을 행하는 것으로, 도 2에서 설명한 바와 같은 기록 펄스를 생성하여, 그 출력 단자(REC)로부터 출력하도록 이루어져 있다.The
게이트 회로(22)는 예를 들면, 8비트의 3 스테이트의 게이트로, RAM(15)으로부터 판독된 데이터 DO[7:0]을 수신하여, 제어기(12)가 출력하는 인에이블 신호(OE)가 L 또는 H 레벨 중, 예를 들면, H 레벨인 경우에만, 그 수신한 데이터 DO[7:0]을, 데이터 D[7:0]로서, 마이크로 컴퓨터(11)에 공급하도록 이루어져 있다.The
이상과 같이 구성된 기록 회로(4)에서는 후술되는 바와 같이, 지연량에 의해, 기록 펄스를 구성하는 시단 펄스 또는 종단 펄스의 상승 또는 하강 에지의 위치가 변화되고, 이것에 의해, 각각의 펄스폭이 변화된다. 마이크로 컴퓨터(11)에 있어서, 기록 펄스를 구성하는 시단 펄스의 지연량(x) 및 종단 펄스의 지연량(y)으로서의 데이터 D[7:0]이 선속도마다 즉, 예를 들면, 여기에서는 영역마다 설정되어, RAM(15)에 공급되어 기억된다. 이 같은 처리가 행해지는 모드를 데이터 설정모드라 한다. 그리고, 직접 오버라이트(기록시)에 있어서는 그 데이터 D[7:0]에 기초하여 지연이 행해진 기록 펄스가 생성된다. 이와 같은 처리가 행해지는 모드를 오버라아트 모드라 한다.In the
즉, 데이터 설정 모드에 있어서는 마이크로 컴퓨터(11)는 칩 셀렉터 신호(CS) 및 라이트 신호(WR)의 양방향을 H 레벨로 하고, 오버라이트 신호(OW)를 L 레벨로 한다.That is, in the data setting mode, the
또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 영역마다 적합한 지연량(x 또는 y)에 대응하는 4비트의 RISE_DATA[3:0] 또는 FALL_DATA[3:0]을 각각 설정하고, RISE_DATA[3:0]을 상위 4비트로 하고, FALL_DATA[3:0]을 하위 4비트로 하는 8비트의 데이터 D[7:0]을 생성한다.Further, the
여기에서, 기록 보상은 선속도에 대응하여 행하는 외에, 형성하고자 하는 마크나 스페이스 길이, 특히 상술된 바와 같이, 짧은 마크나 스페이스에 대응하여 행할 필요가 있다.Here, the recording compensation needs to be performed in correspondence with the linear velocity, in addition to the mark or space length to be formed, in particular in response to the short mark or space as described above.
그리하여, 마이크로 컴퓨터(11)에서는 영역마다 적합한 지연량으로서, 또한 형성되는 마크 및 스페이스의 길이, 즉, 기록되는 변조 데이터에도 적합한 것이 설정되도록 이루어져 있다.Thus, in the
구체적으로는 예를 들면, 변조 데이터 중 어떤 연속하는 12비트에 주목한 경우에, 그 상위 4비트와 하위 4비트의 합계8비트와, 그 변조 데이터가 기록되는 영역의 양방향에 기초하여, 적합한 지연량으로서의 데이터 D[7:0]이 구해진다.Specifically, for example, in the case of paying attention to any 12 consecutive bits of the modulated data, an appropriate delay is based on a total of 8 bits of the upper 4 bits and the lower 4 bits and the bidirectional direction of the region where the modulated data is recorded. Data D [7: 0] as the quantity is obtained.
이 데이터 D[7:0]은 마이크로 컴퓨터(11)에서 RAM(15)으로 공급된다.This data D [7: 0] is supplied from the
또, 데이터 D[7:0]은 예를 들면, 미리 실험 등을 행함으로써 구해 두고, 도시하지 않은 ROM(Read Only Memory) 등에 기억시키어 놓도록 하는 것이 바람직하다. 상기의 경우, 마이크로 컴퓨터(11)에는 데이터 설정 모드시에, 그 ROM에서, 데이터 D[7:0]을 판독하도록 하면 된다.The data D [7: 0] is preferably obtained by, for example, experimenting in advance, and stored in a ROM (Read Only Memory) or the like (not shown). In this case, the
마이크로 컴퓨터(11)는 상술한 바와 같이, 변조 데이터 중 어떤 연속되는 12비트에 주목한 경우에, 그 상위 4비트와 하위 4비트의 합계 8비트로 구성되는 데이터(AD1)와, 그 변조 데이터가 기록되는 영역(z)의 양방향에 기초하여, 적합한 지연량으로서의 데이터 D[7:0]을 얻으면, 8비트의 데이터(AD1)를 하위 어드레스로 하고, 또한, 영역(z)을 나타낸다., 예를 들면, 8비트의 데이터 (AD2)를 상위 어드레스로서, 16비트의 어드레스 신호 AB[15:0]을 생성하여, 셀렉터(13)에 출력한다.As described above, when the
상술한 바와 같이, 현재의 경우, 오버라이트 신호(OW)는 L 레벨이기 때문에, 셀렉터(13)에 있어서는 입력 단자 B[15:0]에 입력되는 마이크로 컴퓨터(11)로부터의 어드레스 신호 AB[15:0]이 선택되어, 어드레스 신호 ADR[15:0]으로서, RAM(15)에 공급된다.As described above, in the present case, since the overwrite signal OW is at the L level, in the
한편, 제어기(12)는 H 레벨의 칩 셀렉터 신호(CS) 및 라이트 신호(WR)와, L 레벨의 오버라이트 신호(OW)를 수신하면, H 레벨의 칩 셀렉터 신호(CS) 및 라이트 신호(WR)를 RAM(15)에 출력한다.On the other hand, when the
따라서, RAM(15)에 있어서는 어드레스 신호 ADR[15:0]이 나타내는 어드레스에, 데이터 D[7:0]이 기억된다(기록된다).Therefore, in the
이하, 마찬가지로 하여, RAM(15)에는 영역마다 적합한 지연량으로서, 또한 형성되는 마크 및 스페이스의 길이, 즉, 기록되는 변조 데이터에 적합한 것에 대응하는 각 값의 데이터 D[7:0]이 기억된다.In the same manner, the
또, RAM(15)에 기억된 데이터 D[7:0]이 정확한지 어떤지를 확인하기 위한 것 등에, 어떤 어드레스 ADR[15:0]에 있어서의 데이터 D[7:0]을 RAM(15)으로부터 판독하는 경우에는 마이크로 컴퓨터(11)는 칩 셀렉터 신호(CS)를 H 레벨로 하고, 라이트 신호(WR) 및 오버라이트 신호(OW)를 L 레벨로 한다. 또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 어드레스 AB[15:0]을 셀렉터(13)에 출력한다. 상기의 경우, 제어기(12)는 레벨의 칩 셀렉터 신호(CS)와, L 레벨의 라이트 신호(WR)를 RAM(15)에 출력함과 동시에, H 레벨의 인에이블 신호(OE)를, 게이트 회로(22)에 출력한다. 또한, 셀렉터(13)는 마이크로 컴퓨터(11)로부터의 어드레스 AB[15:0]를 선택하여, 어드레스 신호 ADR[15:0]로서 RAM(15)에 출력한다.The data D [7: 0] at a certain address ADR [15: 0] is transferred from the
RAM(15)는 H 레벨의 칩 셀렉터 신호(CS), L 레벨의 라이트 신호(WR) 및 어드레스 신호 ADR[15:0]을 수신하면, 상술한 바와 같이, 어드레스 신호 ADR[15:0]에 대응하는 어드레스로부터, 데이터 D[7:0]을 판독하고, 데이터 DO[7:0]으로서, 게이트 회로(22)에 출력한다. 게이트 회로(22)는 상술한 바와 같이, H 레벨의 인에이블 신호(OE)를 수신하면, RAM(15)으로부터의 데이터를 마이크로 컴퓨터(11)에 출력하기 때문에, 이것에 의해, RAM(15)으로부터 판독된 데이터 DO[7:0]은 마이크로 컴퓨터(11)로 공급된다.When the
다음에, 오버라이트 모드시에 있어서는 마이크로 컴퓨터(11)는 칩 셀렉터 신호(CS) 및 오버라이트 신호(OW)를 H 레벨로 하고, 라이트 신호(WR)를 L 레벨로 한다. 또한, 마이크로 컴퓨터(11)는 픽업(3)이 액세스하고 있는 영역을 인식하여, 그 영역에 대응하는 영역 데이터 Z[7:0]을 셀렉터(13)에 공급한다.Next, in the overwrite mode, the
또한, 상기의 경우, 시프터(14)에는 클럭(CLK)에 동기한 변조 데이터 DATA가 공급된다. 시프터(14)는 클럭(CLK)의 타이밍으로, 거기에 공급되는 변조 데이터 DATA를 그 내장하는 12비트의 레지스터의 LSB에 기억함과 동시에, 그 레지스터의 기억치를 시프트하여, 그 결과 얻어지는 12비트 단위의 변조 데이터 AA [11:0]을 출력한다. 이 12비트의 변조 데이터 AA[11:0] 중, 제 0 내지 제 3 비트 AA[3:0] 및 제 8 내지 제 11 비트 AA[11:8]은 셀렉터(13)에, 제 3 비트 AA[3]은 멀티펄스 발생기(16)에, 제 4 내지 제 7 비트 AA[7:4]는 제어기(12)에 각각 공급된다.In this case, the
마이크로 컴퓨터(11)가 출력하는 영역 데이터 Z[7:0]과, 시프터(14)가 출력하는 변조 데이터 AA[3:0] 및 AA[11:8]은 1개의 16 비트의 데이터로서 정리되고, 즉, 상술한 바와 같이, 예를 들면, 최상위 비트로부터 영역 데이터 Z[7:0], 변조 데이터 AA[3:0] 및 AA[11:8]의 순으로 나열된 16비트의 데이터(어드레스 신호) AB'[15:0]이 구성되고, 셀렉터(13)의 입력 단자 A[15:0]에 공급된다.The area data Z [7: 0] output by the
현재의 경우, 오버라이트 신호(OW)는 H 레벨이기 때문에, 셀렉터(13)에서는 그 입력 단자 A[15:0]에 공급되는 어드레스 신호 AB'[15:0]이 선택되고, 어드레스 신호 ADR[15:0]으로서, RAM(15)에 공급된다.In the present case, since the overwrite signal OW is at the H level, the
한편, 제어기(12)는 H 레벨의 칩 셀렉터 신호(CS)와, L 레벨의 라이트 신호(WR)를 수신하면, 그들과 같은 칩 셀렉터 신호(CS) 및 라이트 신호(WR)를 RAM(15)에 출력한다.On the other hand, when the
따라서, 상기의 경우, RAM(15)에 있어서는 어드레스 신호 ADR[15:0]에 대응하는 어드레스로부터, 데이터 D[7:0]이 판독되고, 데이터 DO[7:0]로서 출력된다. 즉, 상기의 경우, 변조 데이터를 기록하는 영역(선속도)에 적합한 지연량으로서, 그 변조 데이터에 적합한 것에 대응하는 데이터 DO[7:0]이 RAM(15)으로부터 출력된다. 이 데이터 DO[7:0] 중, 상위 4비트 DO[7:4]는 DFF(20)에 공급되고, 하위 4비트 DO[3:0]은 DFF(19)로 공급된다.Therefore, in the above case, in the
또한, 제어기(12)는 변조 데이터 AA[7:4]를 수신하면, 그 변조 데이터 AA[7:4]에 기초하여, 변조 데이터의 상승 에지 및 하강 에지를 검출한다. 즉, 본 실시예에서는 변조 데이터는 상술한 바와 같이, (1, 7) RLL과 NRZI의 조합에 의해 얻어진 것이기 때문에, 고립된 반전이 존재하지 않는다. 이 때문에, 변조 데이터 중에 상승 에지가 있으면, 시프터(14)에 있어서 변조 데이터가 시프트되어 가는 과정 중에서, AA[7] = 0, AA[6] = 0, AA[5] = 1, AA[4] = 1로 되는 경우가 반드시 생긴다. 또한, 변조 데이터 중에 하강 에지가 있으면, 시프터(14)에 있어서 변조 데이터가 시프트되어 가는 과정 중에서, AA[7] = 1, AA[6] = 1, AA[5] = 0, AA[4] = 0이 되는 경우가 반드시 생긴다.In addition, upon receiving the modulation data AA [7: 4], the
그리하여, 제어기(12)는 AA[7] = 0, AA[6] = 0, AA[5] = 1, AA[4] = 1을 검출하면, 상승 에지를 검출한 것으로서, 상승 에지 신호 RISE를 출력한다. 또한, 제어기(12)는 AA[7] = 1, AA[6] = 1, AA[5] = 0, AA[4] = 0을 검출하면, 하강 에지를 검출한 것으로서, 하강 에지 신호(FALL)를 출력한다.Thus, if the
또, 변조 데이터의 최소 반전폭이 2가 아닌 경우에는 그것에 대응하여, 제어기(12)에 있어서의 상승 에지 및 하강 에지의 검출 방법을 변경할 필요가 있다.In addition, when the minimum inversion width of the modulated data is not 2, it is necessary to change the detection method of the rising edge and falling edge in the
하강 에지 신호(FALL) 또는 상승 에지 신호(RISE)는 DFF (19 또는 20)에 각각 출력된다. DFF(19 또는 20)는 하강 에지 신호(FALL) 또는 상승 에지 신호(RISE)의 타이밍으로, RAM(15)으로부터의 데이터 D[3:0] 또는 D[7:4]를 래치하고, 데이터 FALL_DATA[8:0] 또는 RISE_DATA[3:0]으로서, 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18)에 각각 출력한다.The falling edge signal FALL or the rising edge signal RISE is output to the
한편, 멀티펄스 발생기(16)는 시프터(14)로부터 데이터 AA [3]을 변조 데이터로서 수신하고, 그 변조 데이터로부터, 데이터DATA1, DATA2, MP를 생성하고, 각각을 프로그램 가능한 지연선(17, 18), 기록 신호 발생기(21)에 출력한다. 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18)에서는 DFF(19 또는 20)로부터 공급되는 4비트의 데이터 FALL_DATA[3:0] 또는 RISE_DATA[3:0]에 따라서, 데이터 DATA1 또는 DATA2가 각각 소정량(y 또는 x)만큼 지연되고, 지연 데이터 DDATA1 또는 DDATA2로서, 기록 신호 발생기(21)에 공급된다. 기록 신호 발생기(21)에서는 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18) 각각으로부터의 지연 데이터 DDATA1 또는 DDATA2 및 멀티펄스 발생기(16)로부터의 데이터(MP)에 기초하여, 기록 펄스가 생성되어 출력된다.On the other hand, the
여기에서, 실제의 회로에서는 시프터(14)나 RAM(15) 등의 규정(동작 속도)에 의해, 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18)에 대하여, 변조 데이터의 하강 에지 또는 상승 에지에 대응하는 데이터 DATA1 또는 DATA2가 입력되는 타이밍과, 데이터 FALL_DATA[3:0] 또는 RISE_DATA[3:0]이 입력되는 타이밍 사이에 어긋남이 생기는 경우가 있다. 이러한 경우에는 예를 들면, 변조 데이터 AA[3]이 입력되는 멀티펄스 발생회로(16)의 입력 단자 INDATA의 전단에, 지연회로 등을 설치하는 등으로, 상술의 타이밍끼리를 일치시키도록 할 필요가 있다. 또, 이것은 기타, 예를 들면, 시프터(14)로부터 멀티펄스 발생기(16)에 공급하는 변조 데이터를, AA[3]이 아니고, AA[2]나 AA[4]로 등으로 함으로써 실현할 수 있다.Here, in the actual circuit, the data corresponding to the falling edge or rising edge of the modulated data with respect to the
다음에, 도 3의 제어기(12)의 구성예를 도시한 도 4에 의거하여 제어기(12)를 상세히 기술한다.Next, the
AND 게이트(31)에는 변조 데이터 AA[4] 및 AA[5]가 입력되도록 이루어져 있고, 그곳에서는 양자의 AND(논리곱)가 연산되고, AND 게이트(33)의 한쪽의 입력 단자에 입력된다. 또한, AND 게이트(33)의 다른쪽 입력 단자에는 NOR 게이트(35)의 출력이 입력되도록 이루어져 있고, AND 게이트(33)에서는 AND 게이트(31)와 NOR 게이트(35)의 출력의 AND가 연산되어, 그 연산 결과가 하강 에지 신호(FALL)로서 출력된다. NOR 게이트(35)에는 변조 데이터 AA[6] 및 AA[7]이 입력되도록 되어 있고, 여기에서는 양자의 NOR(논리합의 부정)이 연산된다.Modulation data AA [4] and AA [5] are input to the AND
따라서, AA[7] = 1, AA[6] = 1, AA[5] = 0, AA[4] = 0일 때만, AND 게이트(33)로부터는 H 레벨(1)의 하강 에지 신호(FALL)가 출력된다.Therefore, only when AA [7] = 1, AA [6] = 1, AA [5] = 0, AA [4] = 0, the falling edge signal FALL of the
또한, AND 게이트(32)에는 변조 데이터 AA[6] 및 AA[7]이 입력되도록 되어 있고, 그곳에서는 양자의 AND가 연산되어, AND 게이트(34)의 한쪽의 입력 단자에 입력된다. 또한, AND 게이트(34)의 다른쪽 입력 단자에는 NOR 게이트(36)의 출력이 입력되도록 이루어져 있고, AND 게이트(34)에서는 AND 게이트(32)와 NOR 게이트(36)의 출력인 AND가 연산되어, 그 연산 결과가 상승 에지 신호(RISE)로서 출력된다. NOR 게이트(36)에는 변조 데이터 AA[4] 및 AA[5]가 입력되도록 이루어져 있고, 그곳에서는 양자의 NOR가 연산된다.Modulation data AA [6] and AA [7] are input to the AND
따라서, AA[7] = 0, AA[6] = 0, AA[5] = 1, AA[4] = 1일 때만, AND 게이트(34)로부터는 H 레벨(1)의 상승 에지 신호(RISE)가 출력된다.Therefore, only when AA [7] = 0, AA [6] = 0, AA [5] = 1, AA [4] = 1, the rising edge signal RISE of
한편, 마이크로 컴퓨터(11)에서의 칩 셀렉터 신호(CS)는 OR 게이트(38)의 한쪽의 입력 단자 및 AND 게이트(39)의 한쪽의 입력 단자에, 오버라이트 신호(OW)는 OR 게이트(38)의 다른쪽 입력 단자 및 인버터(37)에, 라이트 신호(WR)는 AND 게이트(40)의 한쪽의 입력 단자에, 각각 입력되도록 이루어져 있다.On the other hand, the chip selector signal CS in the
OR 게이트(38)로서는 칩 셀렉터 신호(CS)와 오버라이트 신호(OW)의 OR(논리합)이 연산되어, 그 연산 결과가 칩 셀렉터 신호(CS)로서 출력된다. 따라서, 제어기(12)가 출력하는 칩 셀렉터 신호(CS)는 마이크로 컴퓨터(11)가 출력하는 칩 셀렉터 신호(CS) 또는 오버라이트 신호(OW) 중의 어느 한쪽이 H 레벨일 때 H 레벨로 되고, 그 양방이 L 레벨일 때 L 레벨로 된다.The
또한, 인버터(37)에서는 오버라이트 신호(OW)가 반전되어, AND 게이트(39)의 다른쪽 입력 단자와, AND 게이트(40)의 다른쪽 입력 단자에 공급된다. AND 게이트(39)에서는 칩 셀렉터 신호(CS)와, 인버터(37)의 출력의 AND가 연산되고, 그 연산결과가, 인에이블 신호(OE)로서 출력된다. 따라서, 인에이블 신호(OE)는 마이크로컴퓨터(11)가 출력하는 칩 셀렉터 신호가 H 레벨이고, 오버라이트 신호(OW)가 L 레벨일 때에만 H 레벨로 되며, 그 이외일 때는 L 레벨로 된다.In the
AND 게이트(40)에서는 인버터(37)의 출력과, 라이트 신호(WR)의 AND가 연산되고, 그 연산 결과가 라이트 신호(WR)로서 출력된다. 따라서, 제어기(12)가 출력되는 라이트 신호(WR)는 마이크로 컴퓨터(11)가 출력되는 오버라이트 신호(OW)가 L레벨이고, 라이트 신호(WR)가 H 레벨일 때에만 H 레벨로 되며, 그 이외일 때는 L 레벨로 된다.In the AND
도 5는 도 3의 멀티펄스 발생기(16)의 구성예를 도시하고 있다.FIG. 5 shows an example of the configuration of the
변조 데이터 AA[3]인 데이터 DATA는 DFF(51)에 공급되어, 그곳에서, 클럭(CLK)의 타이밍(클럭(CLK)의, 예를 들면, 상승 에지의 타이밍 등)으로 래치(latch)되어, DFF(52, 53)로 공급된다. 또한, DFF (51)은 래치한 데이터 DATA의 반전 출력(/Q)을, AND 게이트(57)의 한쪽의 입력 단자에 공급한다.The data DATA, which is the modulation data AA [3], is supplied to the
DFF(53)는 인버터(55)의 출력 타이밍(인버터(55)의 출력의, 예를 들면, 상승 에지의 타이밍 등)으로, DFF(51)의 출력을 래치하도록 이루어져 있고, 또한, 인버터(55)에는 클럭(CLK)이 공급되도록 이루어져 있다. 따라서, DFF(53)에서는 후술하는 DFF(52)가 래치한 데이터에서 1/2 클럭만큼 시간적으로 선행하는 데이터가 래치된다. 이 1/2 클럭만큼 진행한 데이터는 데이터 DATA1로서 출력된다.The
한편, DFF(52)에서는 DFF(51)의 출력이 클럭(CLK)의 타이밍으로 래치되어, 데이터 DATA2로서 출력됨과 동시에, DFF(54), AND 게이트(56)의 한쪽의 입력 단자 및 AND 게이트(57)의 다른쪽 입력 단자에 공급된다. DFF(54)에서도, DFF(52)의 출력이, 클럭 (CLK)의 타이밍으로 래치되고, 그 반전 출력이 AND 게이트(56)의 다른 쪽 입력 단자에 공급된다.On the other hand, in the
AND 게이트(56)에서는 DFF(52)의 출력과, DFF(54)의 반전 출력의 AND가 연산되고, OR 게이트(58)에 공급된다. 또한, AND 게이트(57)에서는 DFF(51)의 반전 출력과, DFF(52)의 출력의 AND가 연산되며, 이것도, OR 게이트(58)에 공급된다.In the AND
OR 게이트(58)에는 AND 게이트(56 및 57)의 출력 외, 클럭(CLK)이 공급되어 있고, 그곳에서는 이들의 OR이 연산되어, 그 연산 결과가, 데이터(MP)로서 출력된다.In addition to the outputs of the AND
도 6은 도 3의 기록 신호 발생기(21)의 구성예를 도시하고있다.FIG. 6 shows an example of the configuration of the
프로그램 가능한 지연선(17 또는 18) 각각으로부터의 데이터 DDATA1 또는 DDATA2는 모두 AND 게이트(61)에 입력되도록 이루어져 있고, AND 게이트(61)에서는 데이터 DDATA1과 DDATA2의 AND가 연산되고, AND 게이트(62)의 한쪽의 입력 단자에 공급된다. AND 게이트(62)의 다른쪽 입력 단자에는 데이터(MP)가 입력되도록 이루어져 있고, AND 게이트(62)로서는 AND 게이트(61)의 출력과, 데이터(MP)의 AND가 연산되어, 그 연산 결과가, 기록 펄스로서 출력된다.The data DDATA1 or DDATA2 from each of the
다음에, 도 7 및 도 8을 참조하여, 도 3의 멀티펄스 발생기(16), 프로그램 가능한 지연선(17, 18) 및 기록 신호 발생기(21) 부분의 처리에 대하여, 또한 설명한다.Next, with reference to FIGS. 7 and 8, the processing of the
또, 도 7은 도 5에 도시된 멀티펄스 발생기(16) 및 도 6에 도시된 기록 신호발생기(21)에, 프로그램 가능한 지연선(17, 18)을 덧붙여 도시한 것으로, 도 8은 그 각부 신호의 파형을 도시하고 있다.7 shows the
마이크로 컴퓨터(11)(도 3)로부터의 클럭(CLK)(도 8(A))은 DFF(51, 52, 54), 인버터(55), OR 게이트(58)에 공급되어 있다. 또한, 변조 데이터 AA[3]은 DFF(51)에 공급되어 있고, 이 DFF(51), 또한, DFF(52, 54)에 있어서, 클럭(CLK)의 상승 에지의 타이밍으로 순차 래치된다.The clock CLK (FIG. 8A) from the microcomputer 11 (FIG. 3) is supplied to the
여기에서, k를 시간에 대응하는 변수로 하여, DFF(52)의 래치 출력(Q)을 DATA[k]로 나타내기로 한다. 상기의 경우, DFF (51)로 공급되는 변조 데이터 AA[3]은 데이터 DATA[k+2]와, DFF (51)의 래치 출력은 데이터 DATA[k+1]과, DFF(54)의 래치 출력은 데이터 DATA[k-1]로 각각 나타낼 수 있다.Here, the latch output Q of the
한편, 인버터(55)에서는 클럭(CLK)이 반전되어, DFF(53) (DFF(53)의 클럭단자)에 공급된다. DFF(53)의 입력 단자(D)에는 DFF(51)의 래치 출력인 데이터 DATA[k + 1]이 공급되어 있고, DFF(53)에서는 데이터 DATA[k+1]이, 반전된 클럭(CLK)의 상승 에지의 타이밍으로 래치된다.On the other hand, in the
이 결과, 데이터 DATA[k]가 예를 들면, 도 8(B)에 도시된 것과 같은 것으로 하면, DFF(53)의 래치 출력으로서는 도 8(D)에 도시된 것과 같은 상기의 데이터 DATA[k] 보다 1/2 클럭만큼 진행한 데이터 DATA[k+1/2]를 얻게 된다.As a result, if data DATA [k] is as shown in FIG. 8 (B), for example, the latch data of
DFF(52 또는 53)의 래치 출력인 데이터 DATA[k] 또는 DATA[k+1/2]는 프로그램 가능한 지연선(18 또는 17)에 공급되어, 그곳에서, 각각 미소량(x 또는 y)만큼 지연되고, 이것에 의해, 데이터 DATA[k](도 8(B)) 또는 DATA[k+1/2](도 8(D))는 각각 도 8(C) 또는 (E)에 도시된 것과 같은 지연 데이터 DDATA[k](도 3에 있어서의 DDATA2) 또는 DDATA[k+1/2](도 3에 있어서의 DATA1)로 된다. 그래서, 지연 데이터 DDATA[k] 및 DDATA[k+1/2]는 어느 것이나 AND 게이트(61)에 공급된다.The data DATA [k] or DATA [k + 1/2], which is the latch output of the
AND 게이트(61)에서는 지연 데이터 DDATA[k](도 8(C)) 및 DDATA[k+1/2](도 8(E))의 AND가 연산되어, 이것에 의해, 도 8(F)에 도시된 것과 같은 게이트 신호(GATE)가 생성된다. 이 게이트 신호(GATE)는 AND 게이트(62)에 공급된다.In the AND
여기에서, nM(nT폭의 H 레벨)의 데이터 DATA[k]에 대하여는 폭이 (n-x+y)T의 게이트 신호(GATE)가 생성된다.Here, for the data DATA [k] of nM (H level of nT width), a gate signal GATE having a width of (n-x + y) T is generated.
한편, DFF(54)에서는 DFF(52)로부터의 데이터 DATA[k]가 래치됨으로써, 그것보다 1클럭 지연된 데이터 DATA[k-1]가 되고, 그 반전 출력 !DATA[k-1] ("!"는 반전을 나타낸다)이 AND 게이트(56)의 한쪽의 입력 단자에 공급된다. AND 게이트(56)의 다른쪽 입력 단자에는 DFF(52)의 래치 출력인 데이터 DATA[k]가 공급되어 있고, AND 게이트(56)에서는 데이터 !DATA[k-1]와 DATA[k]의 AND가 연산됨으로써, 도 8(G)에 도시된 바와 같이, 데이터 DATA[k]의 시단을 그 시단으로 하는 1클럭분의 펄스폭을 갖는 시단 펄스 (TOP)(이 시단 펄스 TOP는 데이터 DATA[k]의 상승 에지부분에서의 미분치에 상당한다)가 생성되어, OR게이트(58)에 공급된다.On the other hand, in the
또한, AND 게이트(57)에는 DFF(51)로부터, 데이터 DATA[k+1]을 반전한 !DATA[k+1] 데이터와, DFF(52)로부터, 데이터 DATA[k]가 공급되어 있고, 그곳에서는 데이터 !DATA[k+1]과 DATA[k]의 AND가 연산된다. 이 결과, AND 게이트(57)에서는 도 8(H)에 도시된 바와 같이, 데이터 DATA[k]의 종단을 그 종단으로 하는 1클럭 분량의 펄스폭을 갖는 종단 펄스(END)(이 종단 END는 데이터 DATA[k]의 하강 에지 부분에서의 미분치에 상당한다)가 생성되어, OR 게이트(58)에 공급된다.Further,! DATA [k + 1] data in which data DATA [k + 1] is inverted from the
OR 게이트(58)에서는 그곳에 공급되는 클럭(CLK)(버스트 펄스)(도 8(A)), 시단 펄스(TOP)(도 8(G)) 및 종단 펄스(END)(도 8(H))의 OR이 연산되어, 이것에 의해, 도 8(I)에 도시된 것과 같은 데이터(멀티펄스)(MP)가 생성된다. 이 데이터(MP)는 AND 게이트(62)에 공급된다.In the
AND 게이트(62)에서는 게이트 신호(GATE)(도 8(F))와 데이터(MP)(도 8(I))의 AND가 연산되고, 이것에 의해, 도 8(J)에 도시된 바와 같이, 길이가 nT의 마크에 대응하는 기록 펄스로서, 식 xS + (1.5 - x)M + (n - 2)(0.5S + 0.5M) + yM + (0.5 - y)S로 표현되는 신호 REC가 생성된다.In the AND
따라서, 예를 들면, x = y = 0일 때, 기록 펄스는 식 1.5M + (n - 2)(0.5S + 0.5M) + 0.5S로 표현되어 지고, 이것은 상술한 기록 방식(A)에서의 경우와 동일하게 된다.Thus, for example, when x = y = 0, the recording pulse is represented by the formula 1.5M + (n-2) (0.5S + 0.5M) + 0.5S, which is described in the above-described recording scheme A. Is the same as
또한, 예를 들면, x = y = 0.5일 때, 기록 펄스는 식 1.0M + (n - 2)(0.5S + 0.5M) + 0.5M + 0.5S로 표현됨으로써, 이것은 상술한 기록 방식(B)에서의 경우와 동일하게 된다.Further, for example, when x = y = 0.5, the recording pulse is represented by the formula 1.0M + (n-2) (0.5S + 0.5M) + 0.5M + 0.5S, which is the above-described recording method (B The same as in the case of).
이상으로부터, 지연량(x, y)을, x = y로서, 0.0 내지 0.5의 범위에서 변화시키는 것으로, 선속도(여기에서는 상술한 바와 같이, 영역)를 따라서, 말하자면, 기록 신호(A)(도 2(C))와 (B)(도 2(D)) 사이를 연속적으로 변화시킬 수 있는 기록 방식(기록 보상 방식)을 실현할 수 있다. 따라서, 선속도에 대응한 기록 보상을 용이하게 행할 수 있고, 예를 들면, MCAV에 의한 기록 용량이 크고, 고속의 랜덤 액세스가 가능한 시스템을 실현하는 것이 가능하게 된다.From the above, by varying the delay amounts x and y in the range of 0.0 to 0.5 with x = y, the recording signal A (i.e., according to the linear velocity (here, the region as described above)) is described. A recording method (recording compensation method) capable of continuously changing between Figs. 2C and 2B (Fig. 2D) can be realized. Therefore, it is possible to easily perform recording compensation corresponding to the linear velocity, for example, to realize a system having a large recording capacity by the MCAV and enabling high-speed random access.
또한, 지연량(x, y)을 선속도뿐만 아니고, 변조 데이터 열에 기초하여 변화시키는 것으로, 특히, 짧은 마크 및 스페이스에 대응하는 데이터에 대하여, 열간섭 등에 기인하는 에지의 위치 어긋남에 대한 기록 보상을 행하는 것이 가능하게 된다.In addition, the delay amount (x, y) is changed not only based on the linear velocity but also on the modulation data string, and in particular, recording compensation for edge misalignment caused by thermal interference or the like for data corresponding to short marks and spaces. It is possible to do this.
또, 지연량(x, y)을 상술한 바와 같이, 0.0 내지 0.5의 범위에서 변화시키도록 한 경우, 시단 펄스 및 종단 펄스의 펄스폭은 1.0T 내지 1.5T의 범위에서 변화하지만, 지연량(x, y)을 기타, 예를 들면, 0.0 내지 1.0의 범위에서 변화시키도록 한 경우에는 시단 펄스 및 종단 펄스의 펄스폭은 0.5T 내지 1.5T의 범위에서 변화하게 된다.In addition, when the delay amounts (x, y) are changed in the range of 0.0 to 0.5 as described above, the pulse widths of the start pulse and the end pulse vary in the range of 1.0T to 1.5T, but the delay amount ( In the case where x, y) is changed to other values, for example, in the range of 0.0 to 1.0, the pulse widths of the start pulse and the end pulse change in the range of 0.5T to 1.5T.
여기에서, 상기와 같이 하여 얻어지는 기록 펄스는 시단 펄스 및 종단 펄스 에지의 위치 외에, 그 펄스폭도 변화하는 점에서, 그 에지의 위치만이 변화하고, 펄스폭은 일정한 상술한 도 17의 기록 보상 회로에서 얻어지는 기록 펄스와는 근본적으로 다르다.In the above-described write compensation circuit of FIG. 17, the write pulse obtained as described above has only a change in the position of the edge and a constant pulse width in addition to the positions of the start pulse and the end pulse edge. It is fundamentally different from the recording pulse obtained from.
즉, 상술한 도 17에 있어서의 기록 펄스는 그 시단 펄스 및 종단 펄스가 펄스폭이 일정하게 전후로 이동할 뿐이다. 이것에 대하여, 기록 회로(4)로부터 얻어지는 기록 펄스는 시단 펄스의 상승 에지와, 종단 펄스의 하강 에지의 위치가 변화하고, 이에 따라, 각각의 펄스폭도 변화한다. 그 결과, 기록 회로(4)의 규모는 종래에 있어서의 경우와 거의 동일한 것임에도 불구하고, 그 가변범위 및 자유도가 큰 기록 보상이 가능하게 된다.That is, in the above-described recording pulse in Fig. 17, the start pulse and the end pulse only move back and forth with a constant pulse width. On the other hand, in the recording pulse obtained from the
그런데, 도 1의 디스크 드라이브를 시스템에 내장하는 것을 고려한 경우, 기록 회로(4)는 1칩으로 IC화되는 것이 바람직하다. 또한, IC화는 특히, 비용면에서, 예를 들면, CMOS 프로세스에 의한 것이 바람직하다. 그러나, IC화 시에는 그 IC내부에, 어떻게 하여, 정밀도가 양호한 프로그램 가능한 지연선(17, 18)을 구성할지가 문제가 된다.In the case where the disk drive of FIG. 1 is incorporated into the system, the
즉, 예를 들면, 프로그램 가능한 지연선(17, 18)을, 복수의 인버터를 캐스케이드(cascade)에 접속하여 구성하고, 그 접속 단수에 의해, 지연량(x, y)을 설정하도록 한 경우 등에 있어서는 CMOS 프로세스의 온도나, 속도, 또한 전원전압 등의 여러가지 요인에 의해, 1 내지 3배 정도의 지연량의 변동이 생긴다. 따라서, 항상, 원하는 지연량(x, y)을 얻을 수 있도록 하는 것이, 기록 회로(4)를 CMOS-IC화하는 것에 있어서, 중요한 문제가 된다.That is, for example, when the
그리하여, 기록 회로(4)를, 예를 들면, 도 9에 도시된 바와 같이 구성하여, 이것에 의해, 1칩의 IC로서 실현하도록 하는 것이 가능하게 된다.Thus, the
즉, 도 9는 기록 회로(4)의 다른 구성예를 도시하고 있다. 또, 도면 중, 도 3에 있어서의 경우와 대응하는 부분에 관하여는 동일한 부호를 붙이고, 이하에서는 그 설명은 적당히 생략한다. 즉, 이 기록 회로(4)는 셀렉터(71, 72)가 새롭게 설치되고, 또한, 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18)을 대신하여, 프로그램 가능한 지연선(73 또는 74)이 각각 마련되어 있는 것 이외에는 기본적으로, 도 3에 있어서의 경우와 같이 구성되어 있다.That is, FIG. 9 shows another configuration example of the
단지, 도 9의 실시예에 있어서는 마이크로 컴퓨터(11)는 도 3에서 설명한 신호의 송수신을 행하는 이외에, 또한, 신호 DL_TEST의 송신 및 신호 FLAG1 및 FLAG2의 수신도 행하고, 또한, 그와 같은 신호의 송수신에 따른 제어 등도 행하도록 이루어져 있다.In addition, in the embodiment of FIG. 9, the
또한, 도 9의 실시예에서는 지연량(x, y)에 대응하는 RISE_DATA, FALL_DATA가 4비트가 아니고, 6비트로 되어 있고, 이것에 따라, RAM(15)은 12(= 6 + 6) 비트의 RAM으로 되어 있다. 또한, DFF(19 또는 20)은 RAM(15)으로부터 출력되는 12비트의 데이터 DO[11:0] 중의 하위 6비트 DO[5:0] 또는 상위 6비트 DO[11:6]를, 각각 래치하도록 이루어져 있다.In addition, in the embodiment of Fig. 9, RISE_DATA and FALL_DATA corresponding to the delay amounts (x, y) are 6 bits instead of 4 bits. Accordingly, the
셀렉터(71)는, 예를 들면, 6비트의 셀렉터로, 거기에는 마이크로 컴퓨터(11)에서, 신호 DL_TEST과, 데이터 D[11:0] 중의 하위 6비트[5:0]이 그 입력 단자 A/B와, A[5:0]에 각각 공급되도록 이루어져 있다. 또한, 셀렉터(71)의 입력 단자 B[5:0]에는 DFF(19)의 래치출력이 공급되도록 이루어져 있다. 그리고, 셀렉터(71)는 신호 DL_TEST가 예를 들면, 1 또는 0일 때, 그 입력 단자 A[5:0] 또는 B[5:0]으로의 입력을 선택하고, 그 출력 단자 C[5:0]으로부터 출력하도록 되어 있다. 즉, 셀렉터(71)는 신호 DL_TEST가 1 또는 0일 때, 마이크로 컴퓨터(1)로부터의 데이터 D[11:0] 중의 하위 6비트[5:0], 또는 DFF(19)로 래치된 RAM(15)으로부터 판독된 데이터 DO[11:0] 중의 하위 6비트 DO[5:0]을, 각각 선택하여 출력하도록 이루어져 있다. 셀렉터(71)의 출력은 지연량(y)에 대응하는 데이터 FALL_DATA[5:0]으로서, 프로그램 가능한 지연선(73)으로 공급되도록 이루어져 있다.The
셀렉터(72)도, 셀렉터(71)와 같이 6비트의 셀렉터로, 거기에는 마이크로 컴퓨터(11)로부터, 신호 DL_TEST과, 데이터 D[11:0] 중의 상위 6비트[11:6]가, 그 입력 단자 A/B와, A[5:0]에 각각 공급되도록 이루어져 있다. 또한, 셀렉터(72)의 입력 단자 B[5:0]에는 DFF(20)의 래치 출력이 공급되도록 이루어져 있다. 그리고, 셀렉터(72)는 셀렉터(71)와 같이, 신호 DL_TEST가, 예를 들면, 1 또는 0일 때, 그 입력 단자 A[5:0] 또는 B[5:0]에의 입력을 선택하여, 그 출력 단자 C[5:0]으로부터 출력하도록 이루어져 있다. 따라서, 셀렉터(72)에 있어서는 신호 DL_TEST가 1 또는 0일 때, 마이크로 컴퓨터(1)로부터의 데이터 D[11:0]중의 상위 6비트[11:6], 또는 DFF(20)로 래치된 RAM(15)으로부터 판독된 데이터 DO[11:0] 중의 상위 6비트 DO[11:6]가, 각각 선택되어 출력된다. 셀렉터(72)의 출력은 지연량(x)에 대응하는 데이터 RISE_DATA[5:0]으로서, 프로그램 가능한 지연선(74)에 공급되도록 이루어져 있다.Like the
프로그램 가능한 지연선(73 또는 74)은 프로그램 가능한 지연선(17 또는 18)과 같이, 셀렉터(71 또는 72)로부터 공급되는 6비트의 데이터 FALL_DATA[5:0] 또는 RISE_DATA[5:0]에 따라서, 데이터 DATA1 또는 DATA2를 각각 소정량(y 또는 x) 만큼 지연되고, 지연 데이터 DDATA1 또는 DDATA2로서 각각 출력하도록 이루어져 있다.
또한, 프로그램 가능한 지연선(73, 74)에는 마이크로 컴퓨터(11)에서, 신호 DL_TEST, 클리어 신호(CLR) 및 클럭(CLK)이 공급되도록 이루어져 있고, 그곳에서는 후술하는 것과 같은 측정처리가 행해지고, 그 처리 결과에 대응하는 플래그 FLAG2, FLAG1이 출력되도록 이루어져 있다.In addition, the
즉, 도 10은 프로그램 가능한 지연선(73)의 구성예를 도시하고 있고, 도 11은 프로그램 가능한 지연선(73)의 각부 신호의 파형을 도시하고 있다. 프로그램 가능한 지연선(74)은 프로그램 가능한 지연선(73)과 같이 구성되기 때문에, 그 설명은 생략한다.That is, FIG. 10 shows an example of the configuration of the
DFF(81)의 입력 단자(D)에는 그 래치 출력의 반전(/Q)이 공급되도록 되어 있고, 그곳에서는 마이크로 컴퓨터로부터의 클럭(CLK)(도 11(A))의 예를 들면, 상승 에지의 타이밍으로, 그의 입력 단자(D)로의 입력이 래치된다. 이것에 의해, DFF(81)의 래치 출력(Q)으로서, 클럭(CLK)을 2분주한 신호 REF_SIGNAL(도 11(B))가 출력된다.The inverting (/ Q) of the latch output is supplied to the input terminal D of the
즉, 클럭(CLK)의 듀티비는 일반적으로는 50%가 아니기 때문에, DFF(81)에 있어서는 클럭(CLK)을 2분주하는 것으로, 듀티비가 50%의 신호 REF_SIGNAL이 생성된다.That is, since the duty ratio of the clock CLK is generally not 50%, the clock CLK is divided in two in the
이 신호 REF_SIGNAL은 단위 지연 소자(82) 및 OR 게이트(83)의 한쪽의 입력 단자에 공급된다.This signal REF_SIGNAL is supplied to one input terminal of the unit delay element 82 and the
단위 지연 소자(DCELL)(82)는 예를 들면, 도 12에 도시된 바와 같이, 인버터(INV)를 2단으로 직렬 접속하여 구성되어 있고, 그곳에서는 신호 REF_SIGNAL이 다소 지연되어, OR 게이트(83)의 다른쪽 입력 단자에 공급된다. OR 게이트(83)에서는 신호 REF_SIGNAL과, 그것을 단위 지연 소자(82)에서 다소 지연된 것의 OR이 연산되어, 그 연산 결과가 셀렉터(84)의 입력 단자(B)에 공급된다.For example, the unit delay element (DCELL) 82 is configured by connecting the inverter INV in two stages, as shown in FIG. 12, where the signal REF_SIGNAL is somewhat delayed, and the
셀렉터(84)의 입력 단자(A)에는 멀티펄스 발생기(16)로부터의 데이터 DATAI(DL_IN)가 공급되어 있고 (프로그램 가능한 지연선(74)에 관하여는 데이터 DATA2), 또한, 그 입력 단자 A/B에는 마이크로 컴퓨터(11)에서의 신호 DL_TEST가 공급되어 있다. 셀렉터(84)는 신호 DL_TEST가, 예를 들면, 1 또는 0일 때, 입력 단자(A 또는 B)로 공급되는 데이터 DATA1(DL_IN) 또는 OR 게이트(83)의 출력을 선택하여, 그 출력 단자(C)로부터 출력한다. 이 셀렉터(84)의 출력은 지연 매트릭스(85) 및 NOR 게이트(87)의 한쪽의 입력 단자로 공급된다.The input terminal A of the
지연 매트릭스(85)는 예를 들면, 도 13에 도시된 바와 같이, 도 12의 단위 지연 소자가 매트릭스형상으로 배치되어, 직렬로 접속되어 구성되어 있다. 즉, 도 13의 실시예에서는 지연 매트릭스(85)는 63(9 × 7)의 단위 지연 소자가 매트릭스 형상으로 배치되어 구성되어 있고, 그 63의 단위 지연 소자 각각의 출력이, 그 후단의 셀렉터(86)에 공급되어 있다. 또한, 셀렉터(86)에는 지연 매트릭스(85)의 최초의 단위 지연 소자에 입력되기 전의 신호도 공급되어 있다. 따라서, 지연 매트릭스(85)로부터 셀렉터(86)에는 셀렉터(84)의 출력(SEL_IN)을, 0 내지 63의 단위 지연 소자로 각각 지연한 64의 신호가 공급된다.For example, as shown in FIG. 13, the delay matrix 85 is configured in which the unit delay elements of FIG. 12 are arranged in a matrix and connected in series. That is, in the embodiment of Fig. 13, the delay matrix 85 is formed by arranging 63 (9 x 7) unit delay elements in a matrix shape, and the output of each of the 63 unit delay elements is selected by 86). The selector 86 is also supplied with a signal before input to the first unit delay element of the delay matrix 85. Therefore, 64 signals obtained by delaying the output SEL_IN of the
셀렉터(86)에는 지연 매트릭스(85)로부터 64의 신호가 공급되는 외에, 셀렉터(71)(도 9)가 데이터 FALL_DATA[5:0] (DSEL[5:0])이 공급된다(프로그램 가능한 지연선(74)에 관하여는 셀렉터(72)로부터 데이터 RISE_DATA[5:0]이 공급된다). 셀렉터(86)는 셀렉터(71)로부터의 데이터 FALL_DATA[5:0]에 따라서, 지연 매트릭스(85)로부터의 64의 신호 중의 1개를 선택하여, 그 선택한 신호를, 멀티펄스 발생기(16)로부터의 데이터 DATA1을, FALL_DATA[5:0]에 따라서 지연한 데이터 DDATA1(DL_OUT)로서 출력한다.The selector 86 is supplied with 64 signals from the delay matrix 85, and the selector 71 (FIG. 9) is supplied with the data FALL_DATA [5: 0] (DSEL [5: 0]) (programmable delay). Regarding
또한, 이 데이터 DDATA1(DL_OUT)은 NOR 게이트(87)의 다른쪽 입력 단자에도 공급된다. NOR 게이트(87)로서는 셀렉터(84)의 출력(SEL_IN)과, 셀렉터(86)로부터의 데이터 DDATA1(DL_OUT)의 NOR(논리합의 부정)이 연산되어, 그 연산 결과 NOR이 RSFF(RS 플립플롭)(88)의 S 단자에 공급된다.This data DDATA1 (DL_OUT) is also supplied to the other input terminal of the NOR
RSFF(88)의 R단자에는 마이크로 컴퓨터(11)로부터의 클리어 신호 CLR(도 11(F))이 공급되어 있고, 그곳에서는 클리어 신호 CLR가 0 또는 1일 때, 각각, NOR 게이트(87)의 출력이 래치되고, 또는 그 내용(래치하고 있는 값)이 클리어 되어 출력된다. RSFF(88)의 출력(Q)은 플래그 FLAG1로서, 마이크로 컴퓨터(11)에 공급된다.The R terminal of the
따라서, 신호 DL_TEST가 1일 때, 셀렉터(84)에서는 OR 게이트(83)의 출력이 선택되어, 지연 매트릭스(85)와 NOR 게이트(87)에 공급된다. 여기에서, OR 게이트(83)의 출력은 신호 REF_SIGNAL(도 11(B))과, 그것을 다소 지연한 신호의 논리합이기 때문에, 그것은 도 11(C)에 도시된 바와 같이, 신호 REF_SIGNAL의 하강 에지를 간신히 지연하게 된다.Therefore, when the signal DL_TEST is 1, the output of the
지연 매트릭스(85)에서는 셀렉터(84)의 출력을, 0 내지 63의 단위 지연 소자로 각각 지연한 64의 신호가 출력되고, 셀렉터(86)에서는 그 64의 신호 중 데이터 FALL_DATA[5:0](DSEL[5:0])에 대응하는 것이 선택되어, 그 선택 신호 DL_OUT가 NOR 게이트(87)에 공급된다.The delay matrix 85 outputs 64 signals obtained by delaying the output of the
따라서, 신호 REF_SIGNAL(도 11(B))에 대한 선택 신호 DL_OUT(셀렉터(84)의 출력을, 0 내지 63의 단위 지연 소자로 각각 지연한 64의 신호 중의 어느 하나)(도 11(D))의 지연량이 클럭(CLK)의 주기 T보다 적을 때와, 주기 T보다 클 때에는 모두, 도 11(E)에 도시된 바와 같이, NOR 게이트(87)의 출력에 H 레벨이 나타난다. 또한, 그 지연량이 클럭(CLK)의 주기(T)와 일치하고 있을 때, NOR 게이트(87)의 출력은 L 레벨인 채로 된다(도 11(E)).Therefore, the selection signal DL_OUT (any one of 64 signals each having delayed the output of the
NOR 게이트(87)의 출력에 H 레벨이 나타나는 경우(도 11 (E)), 클리어 신호 CLR(도 11 (F))가 1(H 레벨)로 되면, RSFF(88)의 출력인 FLAG1도 1로 되고(도 11(G)), 또한, NOR 게이트(87)의 출력이 L 레벨인 채로 있는 경우(도 11 (E)), 클리어 신호 CLR(도 11(F))의 레벨과는 무관하게, RSFF(88)의 출력인 FLAG1은 0(L 레벨)인 채로 된다(도 11(G)).When the H level appears at the output of the NOR gate 87 (FIG. 11 (E)), when the clear signal CLR (FIG. 11 (F)) becomes 1 (H level), FLAG1, which is the output of the
이상으로부터, 신호 DL_TEST을 0으로 함과 동시에, 클리어신호 CLR을 1로서, RSFF(88)를 리세트하고, 데이터 FALL_DATA[5:0](DSEL[5:0]), 즉, 셀렉터(86)에서 선택한 신호를 변화시키어, 클리어 신호 CLR를 0으로 하고, 그 후, 신호 DL_TEST을 1로 하는 것을 반복함으로써, 플래그 FLAG1이 0인 채로 되는 경우의 데이터 FALL_DATA[5:0] (DSEL[5:0])이 얻어지고, 이것이 1클럭분의 지연(시간 T의 지연)에 필요한 단위 지연 소자의 단수에 대응하는 값으로 하게 된다.From the above, the signal DL_TEST is set to 0, the clear signal CLR is set to 1, the
이와 같이, 도 10의 프로그램 가능한 지연선(73)에 의하면, 1클럭분의 지연에 필요한 단위 지연 소자(여기에서는 도 12에 도시한 바와 같이 인버터로 구성된다)의 단수를 측정할 수 있다.Thus, according to the
여기에서, 신호 DL_TEST를 1로 한 경우, 도 9의 셀렉터(71)에서는 상술한 바와 같이, 마이크로 컴퓨터(11)에서의 데이터D[11:0] 중의 하위 6비트 D[5:0]이 선택되고, 데이터 FALL_DATA [5:0](DSEL[5:0])으로서, 프로그램 가능한 지연선(73)에 공급된다. 따라서, 마이크로 컴퓨터(11)는 플래그 FLAG1을 감시하면서, 상술한 바와 같이, 신호 DL_TEST 및 클리어 신호(CLR)를 변화시킴과 동시에, 데이터 D[11:0]을 변화시키는 것으로, 1클럭분의 지연에 대응하는 데이터 FALL_DATA[5:0]을 인식할 수 있어, 그 인식 결과에 기초하여, RAM(15)에, 적절한 값의 데이터를 기억시킬 수 있다.Here, when the signal DL_TEST is set to 1, the
한편, 기록 펄스를 생성하는 경우에 있어서는 마이크로 컴퓨터(11)가 신호 DL_TEST를 0으로 하는 것으로, 도 9의 셀렉터(71)에 있어서, 상술한 바와 같이, DFF(19)의 출력이 선택되고, 이것에 의해, RAM(15)으로부터 판독된 데이터 DO[11:0] 중의 하위 6비트 DO[5:0] 0이 데이터 FALL-DATA[5:0] (DSEL[5:0)으로서, 프로그램 가능한 지연선(73)으로 공급된다. 상기의 경우, 프로그램 가능한 지연선(73)에서는 셀렉터(84)(도 10)에 있어서, 멀티펄스 발생기(16)로부터의 데이터 DATA1(DL_IN)이 선택되어, 지연 매트릭스(85)로 공급된다. 그리고, 셀렉터(86)에 있어서, 데이터 FALL_DATA[5:0] (DSEL[5:0)에 대응하여, 멀티펄스 발생기(16)로부터의 데이터 DATA1(DL_IN)을, 0 내지 63의 단위 지연 소자로 각각 지연한 64의 신호 중의 어느 하나가 선택되고, 그것이, 데이터 DDATA1(DL_OUT)로서 출력된다.On the other hand, when the recording pulse is generated, the
상기와 같이, 프로그램 가능한 지연선(73(74))에 의하면, 1클럭분의 지연에 필요한 단위 지연 소자의 단수를 측정할 수 있기 때문에, 기록 회로(4)를 1칩화 한 경우에, CMOS 프로세스의 온도나, 속도, 또한 전원 전압 등의 여러 가지 요인에 의해, 1개의 단위 지연 소자의 지연 시간이 변동되었다고 해도, 그 변동에 대응하여, RAM(15)에 기억되는 데이터 D[11:0]을 재기록함으로써, 대처 가능하게 된다.As described above, since the programmable delay line 73 (74) can measure the number of units of the unit delay element required for one clock delay, the CMOS process is performed when the
또, 상술한 바와 같은 1클럭분의 지연에 필요한 단위 지연 소자의 단수의 측정과, 그 측정 결과에 대응하는 데이터에의 RAM (15)의 재기록은, 예를 들면, 시스템의 전원 투입시나, 혹은 전원 투입 후에 정기적으로 행하도록 하는 것이 가능하다. 또한, 상기와 같은 프로그램 가능한 지연선(73(또는 74))에 관하여는 본건 출원인이 먼저 출원한, 예를 들면, 특원평 7-244963호 등에, 그 상세한 설명이 개시되어 있다.In addition, the measurement of the number of stages of the unit delay element required for the delay of one clock as described above, and the rewriting of the
이상의 본 발명을 상 변화 디스크를 구동하는 디스크 드라이브에 적용한 경우에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 예를 들면, 카드형상 등의 디스크 형상 이외의 기록 매체를 구동하는 장치에도 적용 가능하다. 또한, 본 발명의 적용범위는 상 변화에 의한 기록이나, MCAV 방식에 의한 기록 등에 한정되지 않다.Although the case where the present invention is applied to a disk drive for driving a phase change disk has been described, the present invention can be applied to an apparatus for driving a recording medium other than a disk shape such as a card shape, for example. In addition, the scope of application of the present invention is not limited to recording by phase change, recording by MCAV system, or the like.
또, 본 실시예에 있어서는 지연량(x, y)을, 그 값을 동일하게 변화시키도록 하였지만, 지연량(x, y)은 동일할 필요는 없다.In addition, in the present embodiment, the delay amounts (x, y) are changed to the same value, but the delay amounts (x, y) need not be the same.
또한, 본 실시예에서는 프로그램 가능한 지연선(17)에 있어서, DFF(53)(도 7)에서 얻어진 1/2 클럭만큼 시간적으로 선행하는 데이터 DATA1을 지연시키도록 하였지만, DFF(53)에서는 1클럭만큼 시간적으로 선행하는 데이터를 생성하고, 프로그램 가능한 지연선(17)에 있어서, 이 데이터를 지연시키도록 하는 것도 가능하다. 상기의 경우, 길이가 nT의 마크에 대응하는 기록 펄스는 식 xS + (1.5 - x)M + (n - 3)(0.5S + 0.5M) + 0.5S + yM + (1.0 - y)S로 나타나게 된다.In the present embodiment, the
청구항 1항에 기재된 데이터 기록 장치 및 청구항 5항에 기재의 데이터 기록 방법에 의하면, 시단 펄스의 시단 에지의 위치를 변화시킴으로써, 그 펄스폭이 변화됨과 동시에, 종단 펄스의 종단 에지의 위치를 변화시킴으로써, 그 펄스폭이 변화된다. 따라서, 예를 들면, 선속도 등에 대응한 기록 보상을 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다.According to the data recording apparatus according to
청구항 6항에 기재의 기록 매체에는 시단 펄스의 시단 에지의 위치가 변화됨으로써, 그 펄스폭이 변화되고, 또한, 종단 펄스의 종단 에지의 위치가 변화됨으로써, 그 펄스폭이 변화된 기록 펄스에 따라서 마크와 스페이스가 형성되어 있다. 따라서, 예를 들면, 고밀도 기록 및 고속 랜덤 액세스가 가능하게 된다.In the recording medium according to
청구항 7항에 기재의 데이터 기록 장치에 의하면, 길이가 nT의 마크에 대응하는 기록 펄스가 식 xS + (1.5 - x)M + (n - 2)(0.5S + 0.5M) + yM + (0.5 - y)S, 또는 식 xS + (1.5 - x)M + (n - 3)(0.5S + 0.5M) + 0.5S + yM + (1.0 - y)S로 나타내고, 이 기록 펄스에 따라서 기록이 행하여진다. 따라서, 예를 들면, 선속도 등에 대응한 기록 보상을 용이하게 행하는 것이 가능하게 된다.According to the data recording apparatus of
도 1은 본 발명을 적용한 디스크 드라이브의 일 실시예의 구성을 도시한 블록도.1 is a block diagram showing the configuration of an embodiment of a disk drive to which the present invention is applied.
도 2는 도 1의 기록 회로(4)에 있어서의 기록 보상 방법을 설명하기 위한 도면.FIG. 2 is a diagram for explaining a recording compensation method in the
도 3은 도 1의 기록 회로(4)의 구성예를 도시한 블럭도.3 is a block diagram showing an example of the configuration of the
도 4는 도 3의 제어기(12)의 구성예를 도시한 회로도.4 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the
도 5는 도 3의 멀티펄스 발생기(16)의 구성예를 도시한 회로도.FIG. 5 is a circuit diagram showing an example of the configuration of the
도 6은 도 3의 기록 신호 발생기(21)의 구성예를 도시한 회로도.FIG. 6 is a circuit diagram showing a configuration example of the
도 7은 도 3의 멀티펄스 발생기(16), 프로그램 가능한 지연선(17, 18) 및 기록 신호 발생기(21)의 구성예를 도시한 블럭도.7 is a block diagram showing an example of the configuration of the
도 8은 도 7의 멀티펄스 발생기(16), 프로그램 가능한 지연선(17, 18) 및 기록 신호 발생기(21)의 동작을 설명하기 위한 타이밍도.FIG. 8 is a timing diagram for explaining the operation of the
도 9는 도 1의 기록 회로(4)의 다른 구성예를 도시한 블럭도.9 is a block diagram showing another example of the configuration of the
도 10은 도 9의 프로그램 가능한 지연선(73, 74)의 구성예를 도시한 블럭도.FIG. 10 is a block diagram showing a configuration example of the
도 11은 도 10의 프로그램 가능한 지연선(73)의 동작을 설명하기 위한 타이밍도.11 is a timing diagram for explaining the operation of the
도 12는 도 10의 단위 지연 소자(82)의 구성예를 도시한 회로도.FIG. 12 is a circuit diagram showing a configuration example of the unit delay element 82 of FIG.
도 13은 도 10의 지연 매트릭스(85)의 구성예를 도시한 블럭도.FIG. 13 is a block diagram showing a configuration example of a delay matrix 85 of FIG.
도 14는 상 변화 디스크의 기록원리를 설명하기 위한 도면.14 is a diagram for explaining the recording principle of a phase change disk.
도 15는 직접 오버라이트를 설명하기 위한 도면.15 is a diagram for explaining direct overwrite;
도 16은 종래의 기록 보상 방법을 설명하기 위한 도면.16 is a diagram for explaining a conventional recording compensation method.
도 17은 종래의 기록 보상을 행하는 회로의 일례의 구성을 도시한 블럭도.17 is a block diagram showing a configuration of an example of a circuit for performing conventional write compensation.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ※※ Explanation of code about main part of drawing ※
1: 디스크 2: 스핀들 모터1: disc 2: spindle motor
3: 픽업 4: 기록 회로3: pickup 4: recording circuit
5: 재생 회로5: regeneration circuit
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Also Published As
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