KR100625870B1

KR100625870B1 - image sensor with protective package structure for sensing area

Info

Publication number: KR100625870B1
Application number: KR20040035564A
Authority: KR
Inventors: 첸왠칭
Original assignee: 엑스퀴지트 옵티칼 테크날러지 코오퍼레이션 리미티드; 첸왠칭
Priority date: 2004-05-19
Filing date: 2004-05-19
Publication date: 2006-09-20
Also published as: KR20050110752A

Abstract

본 발명은 감지영역용 보호 패키지 구조를 갖는 영상센서이다. 영상센서는 광투과기판과 반도체 영상감지 칩을 포함한다. 도전연결회로는 광투과기판의 하면에 형성된다. 반도체 영상감지 칩은 기판의 도전연결회로와 전기적으로 연결된다. 크리스탈 그레인의 주위는 충진용 수지로 충진된다. 방벽은 반도체 영상감지 칩의 영상감지 영역 주위에 형성된다. 반도체 영상감지 칩의 전기적 접속은 방벽의 외측에 배치된다. The present invention is an image sensor having a protective package structure for the detection area. The image sensor includes a light transmitting substrate and a semiconductor image sensing chip. The conductive connection circuit is formed on the lower surface of the light transmitting substrate. The semiconductor image sensing chip is electrically connected to the conductive connection circuit of the substrate. The periphery of the crystal grains is filled with a filling resin. The barrier is formed around the image sensing area of the semiconductor image sensing chip. The electrical connection of the semiconductor image sensing chip is arranged outside the barrier.

감지영역, 방벽 Sensing Area, Barrier

Description

Image sensor with protective package structure for sensing area

도 1은 본 발명의 플립 칩 패키지를 가진 영상센서의 단면도,1 is a cross-sectional view of an image sensor having a flip chip package of the present invention;

도 2는 상기 도 1에 따른 본 발명의 플립 칩 패키지를 가진 영상 센서의 평면도, 2 is a plan view of an image sensor having a flip chip package of the present invention according to FIG. 1;

도 3은 본 발명에 따른 광투과기판의 하면에 방벽이 형성된 것을 보인 개략도,Figure 3 is a schematic view showing that the barrier is formed on the lower surface of the light transmitting substrate according to the present invention,

도 4는 본 발명에 따른 영상센서의 광투과기판에 방벽이 일체 성형된 것을 보인 개략도, 4 is a schematic view showing that the barrier is integrally formed on the light transmitting substrate of the image sensor according to the present invention;

도 5는 방벽이 미리 성형되고 난 후에 본 발명의 광투과기판 표면의 예정위치에 점착되는 것을 보인 개략도, 5 is a schematic view showing that after the barrier is formed in advance, the adhesive film is adhered to a predetermined position on the surface of the light transmitting substrate of the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 반도체 영상감지 칩의 영상감지 영역 주위에 방벽이 형성된 것을 보인 개략도,6 is a schematic view showing that a barrier is formed around an image sensing region of a semiconductor image sensing chip according to the present invention;

도 7은 본 발명에 따른 반도체 영상감지 칩의 예정 위치된 표면에 방벽이 용착성형된 것을 보인 개략도, 7 is a schematic view showing that a barrier is formed on a predetermined surface of a semiconductor image sensing chip according to the present invention;

도 8은 방벽이 미리 성형되고 난 후에 본 발명에 따른 반도체 영상감지 칩의 표면의 예정위치에 점착되는 것을 개략도, 8 is a schematic view of sticking to a predetermined position on the surface of a semiconductor image sensing chip according to the present invention after the barrier is preformed;

도 9는 본 발명의 플립 칩 패키지를 가진 영상 센서의 광학 경로를 보인 개략도, 9 is a schematic diagram showing an optical path of an image sensor having a flip chip package of the present invention;

도 10은 플립 칩 패키지를 가진 종래의 영상 센서의 단면도, 10 is a cross-sectional view of a conventional image sensor with a flip chip package,

도 11은 플립 칩 패키지를 가진 종래 영상 센서의 광학 경로를 보인 개략도. 11 is a schematic diagram showing an optical path of a conventional image sensor with a flip chip package.

<도면의 주요부분에 대한 부호설명><Code Description of Main Parts of Drawing>

1 : 광투과기판 2 :반도체 영상 감지 칩DESCRIPTION OF SYMBOLS 1: Optical transmission board 2: Semiconductor image detection chip

11 : 상면 12 : 하면 11: upper surface 12: lower surface

20 : 감지영역 21 : 본딩패드(solder pad)20: sensing area 21: bonding pad (solder pad)

22 : 주석볼 23 : 충진용 수지 22: tin ball 23: filling resin

24 , 122 : 방벽 121 : 도전연결회로24, 122: barrier 121: conductive connection circuit

본 발명은 감지영역용 보호 패키지구조를 갖는 영상센서에 관한 것으로, 더욱 상세히는 플립 칩 패키지(flip chip package)를 구비한 영상센서에 있는 칩의 감지영역 외주에 오염으로부터 영상감지 영역을 분리시키고 산란된 광선을 차단하기 위한 방벽(dike)을 형성하는 감지센서용 보호패키지 구조를 가지는 영상센서에 관한 것이다. The present invention relates to an image sensor having a protective package structure for a sensing region, and more particularly, to separate and scatter an image sensing region from contamination on the periphery of a sensing region of a chip in an image sensor having a flip chip package. The present invention relates to an image sensor having a protective package structure for a detection sensor that forms a barrier for blocking a broken light beam.

패키지 기술의 경향은 플립 칩의 방식에 따른다. 그러한 제조방법은 워퍼(wafer) 상에 범프(bumps)를 성장시키고 나서, 유니트(unit)로 절단한 후에 유니트들은 기판에 있는 전자회로의 접점에 루프 용접된다. 이것은 칩 크기의 최소 패키지 부피를 이룰 수 있을 뿐만 아니라 칩은 직접적으로 열을 방사할 수 있으므로 플립 칩 패키지는 현재 전자물품의 최소화 요구를 충족시킨다.The trend in package technology follows the flip chip approach. Such a manufacturing method grows bumps on a wafer, and then cuts into units, where the units are loop welded to the contacts of the electronic circuitry on the substrate. This not only achieves a minimum package volume of chip size, but also allows the chip to radiate heat directly, so flip chip packages meet current electronic minimization requirements.

도 10은 종래의 영상센서용 플립 칩 패키지 구조를 나타낸다.10 shows a flip chip package structure for a conventional image sensor.

도전연결회로(81)는 글래스기판(80)의 하면에 형성되고, 다수의 본딩패드는 반도체 영상감지 칩의 크리스탈 그레인(8:grain) 상에 배치된다. 주석볼(tin ball)(82) 또는 범프를 매개로 하는 열가압 또는 루프 용접에 의해 본딩패드(pad)는 전기적으로 도전연결회로(81)의 회로 접점과 연결된다. 크리스탈 그레인(8)의 주위는 기밀효과를 위해 충진용 수지(83)로 충진된다. 주석볼(82)은 회로판의 표면에 부착하기 위해 글래스기판(80)의 주위영역의 각 회로접점에 설치된다. The conductive connection circuit 81 is formed on the bottom surface of the glass substrate 80, and a plurality of bonding pads are disposed on crystal grains 8: of the semiconductor image sensing chip. The bonding pads are electrically connected to the circuit contacts of the conductive connection circuit 81 by a tin ball 82 or bump pressurization or loop welding. The periphery of the crystal grain 8 is filled with the filling resin 83 for the airtight effect. The tin ball 82 is provided at each circuit contact of the peripheral region of the glass substrate 80 to attach to the surface of the circuit board.

상기 배열은 다음과 같은 단점을 가진다.The arrangement has the following disadvantages.

1. 충진된 충진용 수지는 모세관 현상에 의하여 반도체 영상감지 칩의 크리스탈 그레인(8)과 글래스기판(80) 사이의 갭(gap) 안으로 침투한다. 충진용 수지(83)가 정확히 제어되지 않을 경우에 크리스탈 그레인(8)의 영상감지 영역(A)은 일부 또는 전부가 충진용 수지(83)에 의해 덮여지게 된다. 이것은 영상감지 영역(A)에 투영되는 영상 광경로에 영향을 끼치게 된다. 결과적으로, 감지된 영상은 흐릿해지게 된다.1. The filled filler resin penetrates into the gap between the crystal grain 8 and the glass substrate 80 of the semiconductor image sensing chip by capillary action. When the filling resin 83 is not accurately controlled, the image sensing region A of the crystal grain 8 is partially or entirely covered by the filling resin 83. This affects the image light path projected on the image sensing area A. FIG. As a result, the sensed image is blurred.

2. 빛은 도 11에 보인 바와 같이 반도체 영상감지 칩의 크리스탈 그레인(8)의 영상감지 영역(A)의 주위 상부의 글래스기판(80)을 관통하여 지날 수 있다. 그러나 찍혀진 영상 광선(T1, T2)은 크리스탈 그레인(8)의 표면에 의해 일부 반사되고, 글래스기판(80)의 저면에 의해 전부 반사되고 나서 영상감지 영역(A)에 투영된다. 이것은 영상감지 영역 주위에 감지된 영상을 방해한다. 2. Light can pass through the glass substrate 80 around the upper portion of the image sensing region A of the crystal grain 8 of the semiconductor image sensing chip as shown in FIG. However, the image light beams T1 and T2 imprinted are partially reflected by the surface of the crystal grain 8 and are entirely reflected by the bottom surface of the glass substrate 80 and then projected onto the image sensing area A. FIG. This disturbs the sensed image around the image sensing area.

3. 영상감지 영역의 크리스탈 그레인이 주석 패이스트(paste) 루프 용접 또는 납/주석 범프에 의해 글래스기판과 결합되는 경우에, 플럭스(flux)는 종종 용접 표면에 도포된다. 이 경우에 플럭스의 휘발성 용제 가스의 일부가 고온에서 영상감지 영역 안으로 새게 되어 영상감지 영역을 오염시키거나 산화되기 때문에 찍혀진 영상의 품질에 악영향을 미치게 된다.3. In the case where the crystal grain of the image sensing area is combined with the glass substrate by tin paste loop welding or lead / tin bumps, flux is often applied to the welding surface. In this case, a portion of the volatile solvent gas of the flux leaks into the image sensing region at high temperature, and contaminates or oxidizes the image sensing region, thereby adversely affecting the quality of the captured image.

본 발명의 주요목적은 상기에서와 같은 종래의 결점을 해소하기 위해 창출한 것으로, 칩의 영상감지 영역이 본딩패드에서 격리되게 하여 오염과 산란된 광선으로부터 영상감지 영역을 격리시킬 수 있는 플립 칩 패키지를 가진 영상센서를 제공하는데 있다.The main purpose of the present invention is to solve the above-mentioned drawbacks. The flip chip package can isolate the image sensing area from contamination and scattered light by separating the chip sensing area from the bonding pad. To provide an image sensor having a.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 영상센서는 상면과 하면을 가지고, 하면에 도전연결회로가 형성되는 광투과기판과; 상면이 기판 하면의 도전연결회로와 전기적으로 접속되고, 크리스탈 그레인의 주위에 충진용 수지로 채워지는 반도체 영상감지 칩을 포함하며, 반도체 영상감지 칩의 영상감지 영역 주위에 방벽이 형성되며 반도체 영상감지 칩의 접점은 방벽의 외측에 위치된다.
In order to achieve the above object, the image sensor of the present invention has an upper surface and a lower surface, a light transmitting substrate having a conductive connection circuit formed on the lower surface; A semiconductor image sensing chip having an upper surface electrically connected to a conductive connection circuit on the lower surface of the substrate, and filled with a resin for filling around crystal grains, wherein a barrier is formed around the image sensing region of the semiconductor image sensing chip, and the semiconductor image sensing The contacts of the chip are located outside the barrier.

이하 첨부된 도면을 따라서 본 발명의 기술적 구성을 상세히 설명한다.Hereinafter, the technical configuration of the present invention according to the accompanying drawings will be described in detail.

도 1은 본 발명의 플립 칩 패키지를 가진 영상센서의 단면도이고, 도 2는 상기 도 1에 따른 본 발명의 플립 칩 패키지를 가진 영상 센서의 평면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 광투과기판의 하면에 방벽이 형성된 것을 보인 개략도이고, 도 4는 본 발명에 따른 영상센서의 광투과기판에 방벽이 일체 성형된 것을 보인 도면이며, 도 5는 방벽이 미리 성형되고 난 후에 본 발명의 광투과기판 표면의 예정위치에 점착되는 것을 보인 개략도이고, 도 6은 본 발명에 따른 반도체 영상감지 칩의 영상감지 영역 주위에 방벽이 형성된 것을 보인 개략도이며, 도 7은 본 발명에 따른 반도체 영상감지 칩의 예정 위치된 표면에 방벽이 용착성형된 것을 보인 개략도이고, 도 8은 방벽이 미리 성형되고 난 후에 본 발명에 따른 반도체 영상감지 칩의 표면의 예정위치에 점착되는 것을 개략도이며, 도 9는 본 발명의 플립 칩 패키지를 가진 영상 센서의 광학 경로를 보인 개략도이고, 도 10은 플립 칩 패키지를 가진 종래의 영상 센서의 단면도이며, 도 11은 플립 칩 패키지를 가진 종래 영상 센서의 광학 경로를 보인 개략도이다.1 is a cross-sectional view of an image sensor having a flip chip package of the present invention, FIG. 2 is a plan view of an image sensor having a flip chip package of the present invention according to FIG. 1, and FIG. 3 is a view of a light transmitting substrate according to the present invention. Figure 4 is a schematic view showing that the barrier is formed on the lower surface, Figure 4 is a view showing that the barrier is integrally formed on the light transmitting substrate of the image sensor according to the present invention, Figure 5 is a light transmitting substrate of the present invention after the barrier is formed in advance 6 is a schematic view showing adhesion to a predetermined position on the surface, Figure 6 is a schematic view showing that a barrier is formed around the image sensing area of the semiconductor image sensing chip according to the present invention, Figure 7 is a plan of the semiconductor image sensing chip according to the present invention 8 is a schematic view showing that a barrier is weld-molded on a located surface, and FIG. 8 is adhered to a predetermined position on the surface of a semiconductor image sensing chip according to the present invention after the barrier is formed in advance. 9 is a schematic view showing an optical path of an image sensor having a flip chip package of the present invention, FIG. 10 is a cross-sectional view of a conventional image sensor having a flip chip package, and FIG. 11 is a conventional view having a flip chip package. A schematic diagram showing the optical path of an image sensor.

도 1과 2를 참고하면, 본 발명의 영상센서는 상면(11)과 하면(12)을 가진 광투과기판(1)을 포함한다. 도 3에 도시한 바와 같이 도전연결회로(121)와 프레임 형상으로 된 방벽(122)은 광투과기판(1)의 하면(12)에 형성된다.1 and 2, the image sensor of the present invention includes a light transmitting substrate 1 having an upper surface 11 and a lower surface 12. As shown in FIG. 3, the conductive connection circuit 121 and the barrier 122 having a frame shape are formed on the lower surface 12 of the light transmitting substrate 1.

방벽(122)은 다음의 방법에 의해 만들어진다.The barrier 122 is made by the following method.

1. 방벽(122)은 망판인쇄방식(halftone printing)에 의하여 광투과기판(1) 하면(12)의 예정위치에 도포된다.1. The barrier 122 is applied to a predetermined position of the lower surface 12 of the light transmissive substrate 1 by halftone printing.

2. 방벽(122)은 수지적하방식(point gluing)에 의하여 광투과기판(1) 하면(12)의 예정위치에 도포된다. 2. The barrier 122 is applied to a predetermined position of the lower surface 12 of the light transmitting substrate 1 by point gluing.

3. 방벽(122)은 사출성형방식(injection molding)에 의하여 광투과기판(1) 하면(12)의 예정위치에 성형된다.3. The barrier 122 is molded at a predetermined position on the lower surface 12 of the light transmitting substrate 1 by injection molding.

4. 방벽(122)은 용착방식(sedimentation)에 의하여 광투과기판(1) 표면의 예정위치에 성형된다.4. The barrier 122 is molded at a predetermined position on the surface of the light transmitting substrate 1 by sedimentation.

5. 방벽(122)은 도 4에 도시한 바와 같이 사출성형방식에 의하여 광투과기판(1)에 일체 성형된다.5. The barrier 122 is integrally formed on the light transmitting substrate 1 by the injection molding method as shown in FIG.

6. 방벽(122)은 도 5에서 도시한 바와 같이 사출성형에 의하여 독립한 프레임 바디(frame body)로 성형된 후에 광투과기판(1) 표면의 예정위치에 점착된다.6. The barrier 122 is adhered to a predetermined position on the surface of the light transmitting substrate 1 after being molded into an independent frame body by injection molding as shown in FIG.

방벽(122)의 재료는 UV수지(UV gum), 에폭시수지(epoxy), 고무, 플라스틱(plastic)과 그 외 다른 비도전성 재료 중에서 채용한다. The material of the barrier 122 is employed among UV gum, epoxy resin, rubber, plastic and other non-conductive materials.

또 본 발명은 반도체 영상감지 칩(2)을 포함한다. 본딩패드(21)는 칩(2)의 상면(11)에 배치되고, 광투과기판(1) 하면(12)의 도전연결회로(121)와 전기적으로 접속된다. 본 실시예에서 본딩패드(21)는 주석볼(22)에 의해 도전연결회로(121)와 전기적으로 결합되고 나서, 방벽(122)의 제작방법에 따라, 고화 공정(solidifying)이 수행된다. 예를 들면, 첫 번째와 두 번째 제작방법에 있어서, 방벽(122)을 UV수지로 만드는 경우에 본 발명은 UV광선(UV ray)에 노출되고 신속하게 고화된다. 크리스탈 그레인의 주위는 플립 칩(2) 패키지를 가진 영상센서를 구성하기 위해 충진 용 수지(23)로 채워지고, 영상감지 칩(2)은 감지영역(20) 주위에 방벽(122)을 가지며, 본딩패드(21)와 주석볼(22)은 방벽(122) 외측에 배치된다.In addition, the present invention includes a semiconductor image sensing chip (2). The bonding pad 21 is disposed on the top surface 11 of the chip 2 and electrically connected to the conductive connection circuit 121 of the bottom surface 12 of the light transmitting substrate 1. In the present embodiment, the bonding pad 21 is electrically coupled to the conductive connection circuit 121 by the tin ball 22, and then solidifying is performed according to the manufacturing method of the barrier 122. For example, in the first and second manufacturing methods, when the barrier 122 is made of a UV resin, the present invention is exposed to UV rays and solidifies quickly. The periphery of the crystal grain is filled with a resin 23 for filling to form an image sensor having a flip chip 2 package, and the image sensing chip 2 has a barrier 122 around the sensing region 20. The bonding pads 21 and the tin balls 22 are disposed outside the barrier 122.

본 발명의 다른 실시예에 의하면, 방벽(24)은 반도체 영상감지 칩(2)의 영상감지 영역(20) 주위에 배열된다.According to another embodiment of the present invention, the barrier 24 is arranged around the image sensing area 20 of the semiconductor image sensing chip 2.

방벽(24)은 다음의 방법 중 하나에 의하여 만들어진다. The barrier 24 is made by one of the following methods.

1. 방벽(24)은 도 6에 보인바와 같이 망판인쇄방식에 의해 반도체 영상감지 칩(2)의 영상감지 영역의 외주 표면의 예정위치에 도포된다. 1. The barrier 24 is applied to a predetermined position on the outer circumferential surface of the image sensing region of the semiconductor image sensing chip 2 by a mesh printing method as shown in FIG.

2. 방벽(24)은 도 6에 보인 바와 같이 수지적하방식에 의해 반도체 영상감지 칩(2)의 영상감지 영역의 외주 표면의 예정위치에 도포된다. 2. The barrier 24 is applied to a predetermined position on the outer circumferential surface of the image sensing region of the semiconductor image sensing chip 2 by the resin dropping method as shown in FIG.

3. 방벽(24)은 도 7에 보인 바와 같이 용착방식에 의해 반도체 영상감지 칩(2)의 영상감지 영역의 외주 표면의 예정위치에 성형된다.3. The barrier 24 is formed at a predetermined position on the outer circumferential surface of the image sensing region of the semiconductor image sensing chip 2 by the welding method as shown in FIG.

4. 방벽(24)은 도 8에 보인 바와 같이 사출성형에 의해 미리 독립된 프레임 바디로 성형되고 나서, 반도체 영상감지 칩(2)의 영상감지 영역의 외주 표면의 예정위치에 부착된다. 4. The barrier 24 is molded into an independent frame body in advance by injection molding as shown in Fig. 8, and then attached to a predetermined position on the outer peripheral surface of the image sensing region of the semiconductor image sensing chip 2.

방벽(24)의 재료는 UV수지(UV gum), 에폭시수지, 고무, 플라스틱과 그 외 다른 비도전성 재료 중에서 채용한다.The material of the barrier 24 is employed among UV gum, epoxy resin, rubber, plastic and other non-conductive materials.

상기 두 종류의 영상센서 실시예에서, 방벽(122)(24)의 높이(h1, h2)는 반도체 영상감지 칩(2)과 반도체 영상감지 칩(2)이 전기적으로 접속되는 광투과기판(1)의 하면(12) 사이의 갭(h3)과 동일하다. 패키지 된 후, 방벽(122)(24)의 상단은 최대의 보호효과를 이루기 위해 광투과기판(1)의 하면(12) 에 당접(當接)한다.In the above two kinds of image sensor embodiments, the heights h1 and h2 of the barriers 122 and 24 are the light transmitting substrates 1 to which the semiconductor image sensing chip 2 and the semiconductor image sensing chip 2 are electrically connected. Is the same as the gap h3 between the lower surface 12 of. After being packaged, the upper ends of the barriers 122 and 24 abut the lower surface 12 of the light transmissive substrate 1 to achieve the maximum protective effect.

본 발명에 따른 설계에 의하면, 영상감지 칩(2)의 감지영역(20)은 외주의 방벽(122)(24)에 의해 격리된다. 반도체 영상감지 칩(2)의 본딩패드(21)는 방벽(122)(24)의 외측에 위치한다. 그러므로 주석볼(22)의 루프 본딩 같은 연속적인 제작공정 동안에 플럭스의 휘발성 용제의 기화된 가스가 영상감지 영역(20)으로 침투하는 것을 확실히 방지한다. 게다가 충진용 수지(23)를 채울 때, 새어나온 충진용 수지(23)가 영상감지 영역(20)으로 들어가는 것을 방벽(122)(24)에 의해 정지되도록 하므로, 영상감지 영역(20)은 깨끗하게 유지될 수 있다. According to the design according to the invention, the sensing area 20 of the image sensing chip 2 is isolated by barriers 122 and 24 of the outer circumference. The bonding pads 21 of the semiconductor image sensing chip 2 are located outside the barriers 122 and 24. Therefore, during the continuous manufacturing process such as the loop bonding of the tin ball 22, the vaporized gas of the volatile solvent of the flux is surely prevented from penetrating into the image sensing area 20. Furthermore, when filling the filling resin 23, the leaked filling resin 23 is stopped by the barriers 122 and 24 to enter the image sensing region 20, so that the image sensing region 20 is clean. Can be maintained.

한편, 도 9에 보인 바와 같이, 방벽(24)(122)이 검거나 빛이 반사되지 않는 재료로 만들어진 경우, 찍혀진 영상 광선(L1, L2)은 광투과기판(1)의 글래스기판을 통과하고 나서 영상감지 영역(20)의 외주에 투영된다. 광선은 반도체 영상감지 칩(2)의 크리스탈 그레인의 표면에 의해 반사되고, 방벽(122)(24)에 의해 차단된다. 그러므로 영상감지 영역(20)의 외주에 의해 감지된 영상은 산란되지 않을 것이다. 또 찍혀진 영상광선(L2)은 글래스기판을 통과하고 나서 방벽(122)(24)에 투영된다. 그러므로 방벽(122)(24)이 빛이 반사되지 않는 재료로 만들어질 경우, 광선(L3)이 억제되어서 영상감지 영역(20)까지 반사되는 것을 방지하게 된다.On the other hand, as shown in FIG. 9, when the barriers 24 and 122 are made of a material which is black or does not reflect light, the image light beams L1 and L2 imprinted pass through the glass substrate of the light transmissive substrate 1. It is then projected on the outer periphery of the image sensing area 20. The light rays are reflected by the surface of the crystal grain of the semiconductor image sensing chip 2 and are blocked by the barriers 122 and 24. Therefore, the image detected by the outer periphery of the image sensing area 20 will not be scattered. Also, the image light beam L2 imprinted is projected onto the barriers 122 and 24 after passing through the glass substrate. Therefore, when the barriers 122 and 24 are made of a material that does not reflect light, the light beam L3 is suppressed to prevent the reflection to the image sensing region 20.

상기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로 본 발명의 범주가 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 정의를 벗어나지 않고 상기 실시예의 많은 변형들이 이루어질 수 있다.The above examples are intended to illustrate the invention and the scope of the invention is not limited thereto. Many variations of the above embodiments may be made without departing from the definition of the invention.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 감지영역용 보호 패키지 구조를 갖는 영상센서는 칩의 감지영역 외주에 오염으로부터 격리되고 산란된 광선을 차단하는 방벽을 형성하여 새어나온 충진용 수지가 영상감지 영역으로 들어가는 것을 방지하므로, 영상감지영역이 오염이나 산란되지 않고 또 산란된 광선에 의한 방해가 없어서 영상의 품질이 우수하다.As described above, the image sensor having the protective package structure for the sensing region according to the present invention forms a barrier to block scattered light rays isolated from contamination on the outer periphery of the sensing region of the chip so that the filling resin leaked into the image sensing region. Since the image detection area is not contaminated or scattered, and there is no interference by the scattered light rays, the image quality is excellent.

Claims

A light transmitting substrate 1 having an upper surface 11 and a lower surface 12 and having a conductive connection circuit 121 formed on at least the lower surface 12;

In the image sensor consisting of a semiconductor image sensing chip 2 whose upper surface is electrically connected to the conductive connection circuit 121 of the lower surface 12 of the substrate 1 and filled with the resin 23 for filling around the crystal grain. ,

A barrier 24 is formed around the image sensing region 20 of the semiconductor image sensing chip 2, a contact point of the semiconductor image sensing chip 2 is disposed outside the barrier 24, and the barrier 122 is formed. An image sensor having a protective package structure for a sensing area, which is applied to a predetermined position on the surface of a semiconductor image sensing chip 2 by the steel sheet printing method.

delete

2. The barrier 24 according to claim 1, wherein the barrier 24 comprises at least a gap between the semiconductor image sensing chip 2 and the lower surface 12 of the light transmitting substrate 1 to which the semiconductor image sensing chip 2 is electrically connected. Image sensor having a protective package structure for the detection area, characterized in that having the same height.

4. The image sensor according to claim 3, wherein the barrier (24) is made of a material which is black or does not reflect light.

delete

A barrier 24 is formed around the image sensing region 20 of the semiconductor image sensing chip 2, and a contact point of the semiconductor image sensing chip 2 is disposed outside the barrier 24.

And said barrier (24) is applied to a predetermined position on the surface of the semiconductor image sensing chip (2) by a resin dropping method.

The barrier 122 is an image sensor having a protective package structure for a sensing area, characterized in that the coating is applied to a predetermined position on the surface of the light transmitting substrate (1) by a mesh printing method.

A barrier 122 is formed around the image sensing region 20 of the semiconductor image sensing chip 2, and a contact point of the semiconductor image sensing chip 2 is disposed outside the barrier 122.

The barrier 122 is an image sensor having a protective package structure for a sensing area, characterized in that the coating is applied to a predetermined position on the surface of the light transmitting substrate (1) by the vertical drop method.

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The light transmitting substrate 1 according to any one of claims 6 to 8, wherein the barriers 24 and 122 are electrically connected to the semiconductor image sensing chip 2 and the semiconductor image sensing chip 2. The image sensor having a protective package structure for a sensing area, characterized in that it has at least the same height as the gap between the lower surface (12).

12. The image sensor according to claim 11, wherein the barrier (24) (122) is made of a material which is not black or reflected by light.

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