KR100624133B1 - Emission driver and organic electro luminescence display device having the same - Google Patents

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Abstract

화소부에 발광제어신호를 공급하는 발광제어 구동부가 패널 내에 형성된 유기전계발광표시장치가 개시된다. 상기 발광제어 구동부는 다수의 플립플롭으로 구성된 시프트 레지스터와 상기 시프트 레지스터의 연속한 2 개의 출력신호를 입력받아 논리 합 연산을 수행하는 논리 게이트를 가지는 논리 연산부로 구성된다. 각각의 논리 게이트는 입력신호들의 논리 합 연산을 수행하여, 하나의 발광제어신호를 출력하며, 이러한 플립플롭은 P타입 MOSFET으로 이루어져 SOP(System On Panel)이 용이하다.An organic light emitting display device including a light emission control driver for supplying a light emission control signal to a pixel portion in a panel is disclosed. The light emission control driver includes a shift register composed of a plurality of flip-flops and a logic calculator having a logic gate configured to receive two consecutive output signals of the shift register and perform a logic sum operation. Each logic gate performs a logic sum operation of input signals, and outputs one emission control signal. The flip-flop is made of a P-type MOSFET to facilitate a system on panel (SOP).

Description

발광제어 구동장치 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치{Emission Driver and Organic Electro Luminescence Display Device having the same}Light emission control driving device and organic light emitting display device including same {Emission Driver and Organic Electro Luminescence Display Device having the same}

도 1은 종래의 유기전계발광표시장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional organic light emitting display device.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 티일링 기술을 이용한 유기전계발광표시장치의 구성도이다.2 is a block diagram of an organic light emitting display device using a tiling technology according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 EL표시패널의 구성도이다.3 is a configuration diagram of an EL display panel according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화소의 회로도이다.4 is a circuit diagram of a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소의 회로도이다.5 is a circuit diagram of a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 4또는 도 5의 화소회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.6 is a timing diagram for describing an operation of the pixel circuit of FIG. 4 or 5.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광제어 구동부의 구성도이다.7 is a configuration diagram of a light emission control driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8은 도 7에 도시된 발광제어 구동부의 플립플롭을 나타내는 회로도이다.FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a flip-flop of the emission control driver shown in FIG. 7.

도 9는 도 8에 도시된 플립플롭의 인버터를 나타내는 회로도이다.FIG. 9 is a circuit diagram illustrating an inverter of the flip-flop illustrated in FIG. 8.

도 10은 도 7에 도시된 발광제어 구동부의 논리게이트를 나타내는 회로도이다.FIG. 10 is a circuit diagram illustrating a logic gate of the light emission control driver illustrated in FIG. 7.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 발광제어 구동부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.11 is a timing diagram for describing an operation of a light emission control driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 화소부100: pixel portion

250 : 발광제어 구동부250: light emission control driver

260 : 시프트 레지스터260: shift register

270 : 논리 연산부270 logical operation unit

본 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 SOP (System On Panel)를 구현하기 위하여, 발광제어 구동부를 P타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; 이하 MOSFET이라한다.)으로 설계한 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display device. Specifically, in order to implement a SOP (System On Panel), a light emission control driver is designed as a P-type MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). The present invention relates to an organic light emitting display device.

화소회로에 발광소자의 발광을 제어하는 발광제어 트랜지스터가 부가되어 있는 경우 유기전계발광표시장치는 발광제어 트랜지스터로 발광제어신호를 제공하기 위한 발광제어 구동장치를 포함한다.When a light emission control transistor for controlling light emission of the light emitting device is added to the pixel circuit, the organic light emitting display device includes a light emission control driving device for providing a light emission control signal to the light emission control transistor.

근래, 평판표시장치가 활발하게 연구되고 있으며 특히 유기전계발광표시장치는 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하여 차세대 평판표시장치로 주목받고 있다. Recently, flat panel display devices have been actively researched. In particular, organic light emitting display devices have attracted attention as next generation flat panel display devices due to their excellent luminance and viewing angle characteristics.

유기전계발광표시장치는 액정표시장치와 달리 별도의 광원부를 요구하지 않 고 특정한 빛을 발광하는 발광 다이오드를 사용한다. 이러한 발광 다이오드는 애노드 전극으로 흘러 들어가는 구동전류의 양에 상응하는 빛을 발광한다. Unlike the liquid crystal display, the organic light emitting display device uses a light emitting diode that emits a specific light without requiring a separate light source unit. Such a light emitting diode emits light corresponding to the amount of driving current flowing into the anode electrode.

도 1은 종래의 유기전계발광표시장치의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional organic light emitting display device.

유기전계발광표시장치는 화소부(10), 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30) 및 발광제어 구동부(40)로 구성된다. The organic light emitting display device includes a pixel unit 10, a scan driver 20, a data driver 30, and a light emission control driver 40.

화소부(10)는 다수의 주사선(S1~Sn)과 다수의 데이터선(D1~Dm) 및 다수의 발광제어선(E1~En)이 교차하는 영역에 위치한 다수의 화소들(P11~Pnm)로 구성되어 있으며, 인가되는 데이터전압에 따라 소정의 영상을 디스플레이한다. The pixel unit 10 includes a plurality of pixels P11 to Pnm positioned in an area where a plurality of scan lines S1 to Sn, a plurality of data lines D1 to Dm, and a plurality of emission control lines E1 to En cross each other. And a predetermined image is displayed according to the applied data voltage.

주사 구동부(20)는 타이밍 제어부(미도시)로부터의 스캔제어신호, 즉 스타트 펄스와 클럭신호에 응답하여 순차적으로 주사선(S1~Sn)에 주사신호를 공급한다.The scan driver 20 sequentially supplies scan signals to the scan lines S1 to Sn in response to a scan control signal from a timing controller (not shown), that is, a start pulse and a clock signal.

데이터 구동부(30)는 타이밍 제어부(미도시)로부터 공급되는 데이터제어신호에 응답하여 R, G, B 데이터에 상응하는 데이터전압을 데이터선(D1~Dm)에 공급한다. The data driver 30 supplies data voltages corresponding to the R, G, and B data to the data lines D1 to Dm in response to a data control signal supplied from a timing controller (not shown).

발광제어 구동부(40)는 타이밍 제어부(미도시)로부터 스타트 펄스와 클럭신호에 응답하여 순차적으로 발광제어선(E1~En)에 발광제어신호를 공급한다.The emission control driver 40 sequentially supplies emission control signals to emission control lines E1 to En in response to a start pulse and a clock signal from a timing controller (not shown).

종래의 발광제어 구동부(40)의 스위칭 소자는 빠른 응답속도를 요하므로 CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor)공정을 통하여, 실리콘 기판 상에 형성된 N타입 및 P타입 MOSFET이 사용된다. 따라서, 발광제어 구동부(40)는 화소부(10)에 많이 사용되는 P타입 MOSFET만으로 구성되지 않아 발광제어 구동부(40)와 화소부(10)의 트랜지스터를 동일한 공정으로 제조할 수 없다.Since the switching element of the conventional light emission control driver 40 requires a fast response speed, N type and P type MOSFETs formed on a silicon substrate are used through a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) process. Therefore, the light emission control driver 40 is not composed of only the P-type MOSFETs that are frequently used in the pixel unit 10, and thus the light emitting control driver 40 and the transistors of the pixel unit 10 cannot be manufactured in the same process.

이러한 발광제어 구동부(40)는 별도의 집적회로로 제작되어 패널에 접속되어 있는 테이프 필름에 장착하는 테이프 캐리어 패키지( Tape Carrier Package : TCP)방법으로 화소부(10)가 형성된 패널에 부착된다. 또한 화소부(10)가 형성된 유리 기판 상에 직접 실장될 수도 있는데 이를 COG(Chip On Glass)방식이라 한다. 그러나 이러한 방식은 생산수율이 저하되고, 공정이 복잡해짐으로써 제조비용이 증가하는 문제점이 있다.The light emission control driver 40 is attached to a panel on which the pixel portion 10 is formed by a tape carrier package (TCP) method which is manufactured as a separate integrated circuit and mounted on a tape film connected to the panel. In addition, the pixel unit 10 may be directly mounted on the glass substrate, which is called a chip on glass (COG) method. However, this method has a problem in that the production yield is lowered and the manufacturing cost is increased due to the complicated process.

따라서 근래에는 화소부(10)가 형성된 패널 내에 구동부를 설계하여 화소부(10)의 회로들과 구동부의 회로들을 동시에 제조하기 위한 SOP(System On Panel)를 구현하고자 한다. 특히, 다수의 패널을 접합하여 하나의 패널을 형성하는 타일링(Tiling)을 이용한 유기전계발광표시장치의 경우, 구동부를 형성하는 집적회로를 패널과 접착할 수 있는 면이 줄어든다. 따라서 SOP방식으로 구동부의 일부를 패널에 직접 설계하려는 노력이 필요하다.Therefore, in recent years, a driving unit is designed in a panel in which the pixel unit 10 is formed to implement a system on panel (SOP) for simultaneously manufacturing circuits of the pixel unit 10 and circuits of the driving unit. In particular, in the case of an organic light emitting display device using tiling in which a plurality of panels are joined to form one panel, the surface on which the integrated circuit forming the driving unit can be bonded to the panel is reduced. Therefore, it is necessary to design a part of the driving part directly on the panel by the SOP method.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 EL표시패널 내부에 SOP 방식으로 설계되어 화소들의 발광을 제어하는 발광제어 구동부를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention for solving the above problems is to provide a light emission control driver which is designed in an SOP method inside an EL display panel to control light emission of pixels.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 영상을 디스플레이 하기 위한 화소 부: 상기 화소부로 주사신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부; 상기 화소부로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부; 및 상기 화소부로 발광제어신호를 공급하기 위한 발광제어 구동부를 포함하며, 상기 발광제어 구동부는, 개시펄스를 인가받고, 클럭신호와 반전된 클럭신호에 동기되어 출력신호를 공급하는 다수의 플립플롭들; 및 이웃한 2개의 플립플롭들로부터 2개의 출력신호를 인가받아, 논리 합 연산을 수행하여 상기 화소부로 발광제어신호를 공급하는 다수의 논리 게이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.According to an aspect of the present invention, a pixel unit for displaying an image includes: a scan driver for sequentially supplying a scan signal to the pixel unit; A data driver for supplying a data signal to the pixel portion; And a light emission control driver for supplying a light emission control signal to the pixel unit, wherein the light emission control driver receives a start pulse and supplies a plurality of flip-flops in synchronization with a clock signal and a clock signal inverted. ; And a plurality of logic gates receiving two output signals from two adjacent flip-flops and performing a logic sum operation to supply a light emission control signal to the pixel portion. do.

또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 개시펄스를 인가받고, 클럭신호와 반전된 클럭신호에 동기되어 출력신호를 생성하는 제 1 플립플롭; 상기 제 1 플립플롭의 출력신호를 인가받고, 상기 클럭신호와 상기 반전된 클럭신호에 동기되어 출력신호를 생성하는 제 2 플립플롭; 및 상기 제 1 플립플롭 및 제 2 플립플롭로부터 출력신호들을 인가받아, 논리 합 연산을 수행하여 발광제어신호를 공급하는 논리 게이트를 포함하는 발광제어 구동장치를 제공한다.In addition, the present invention for achieving the above object, a first flip-flop is applied to the start pulse, and generates an output signal in synchronization with the clock signal and the clock signal inverted; A second flip-flop receiving an output signal of the first flip-flop and generating an output signal in synchronization with the clock signal and the inverted clock signal; And a logic gate configured to receive output signals from the first flip-flop and the second flip-flop, and perform a logic sum operation to supply a light emission control signal.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

실시예Example

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 티일링 기술을 이용한 유기전계발광표시장치의 구성도이다.2 is a block diagram of an organic light emitting display device using a tiling technology according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광표시장치는 다수의 EL표시패널(1~8)을 접합하여 형성된 대형 패널과 각각의 EL표시패널(1~8)에 연결되는 데이터 구동부(1~8)로 구성된다.Referring to FIG. 2, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a large panel formed by bonding a plurality of EL display panels 1 to 8 and data connected to each EL display panel 1 to 8. It consists of the drive parts 1-8.

하나의 EL표시패널(400)과 EL표시패널(400)에 연결된 하나의 데이터 구동부(300)는 유기전계발광표시장치를 구성하는 하나의 서브 유기전계발광표시장치(450)를 구성한다.One EL display panel 400 and one data driver 300 connected to the EL display panel 400 constitute one sub organic light emitting display device 450 constituting the organic light emitting display device.

각각의 EL표시패널(400)은 데이터 구동부(300)와 전기적으로 연결된다. 하나의 EL표시패널(400)과 데이터 구동부(500) 사이의 전기적 연결은 가요성 필름 상에 인쇄된 금속 패턴을 통해 달성된다. 즉, 데이터 구동부(300)의 출력 단자는 금속 패턴의 일단에 전기적으로 연결되고, 상기 EL표시패널(400) 상에 구비된 데이터선은 상기 금속 패턴의 타단과 전기적으로 연결된다.Each EL display panel 400 is electrically connected to the data driver 300. Electrical connection between one EL display panel 400 and the data driver 500 is achieved through a metal pattern printed on the flexible film. That is, the output terminal of the data driver 300 is electrically connected to one end of the metal pattern, and the data line provided on the EL display panel 400 is electrically connected to the other end of the metal pattern.

각각의 데이터 구동부(500)는 가요성 필름 상에 구비된 다수의 도전성 라인들을 통해 데이터 신호를 화소부에 공급한다. Each data driver 500 supplies a data signal to the pixel part through a plurality of conductive lines provided on the flexible film.

또한, 화소부를 구성하는 화소를 선택하기 위한 주사신호 및 화소의 발광동작을 제어하기 위한 발광제어신호를 생성하는 회로는 상기 EL표시패널(400)에 내장된다. 따라서 상기 EL표시패널(400)은 외부에 별도로 구비된 주사신호 발생수단 또는 발광제어신호 발생수단을 요구하지 않는다.In addition, a circuit for generating a scanning signal for selecting a pixel constituting the pixel portion and a light emission control signal for controlling the light emission operation of the pixel is incorporated in the EL display panel 400. Therefore, the EL display panel 400 does not require scanning signal generating means or light emitting control signal generating means separately provided externally.

이러한 EL표시패널(400)에 있어서, 각각의 화소들의 박막 트랜지스터, 주사 구동부 및 발광제어 구동부를 형성하는 박막 트랜지스터들은 빠른 응답속도 및 균일성을 위하여 채널로 폴리 실리콘을 갖는다. 이때 폴리 실리콘은 비정질 실리콘 층을 유리 기판 상에 형성한 후 LTPS(Low Temperature Poly Si)공정을 거쳐 비정질 실리콘 층을 폴리 실리콘으로 결정화시킨다. In such an EL display panel 400, the thin film transistors forming the thin film transistor, the scan driver and the light emission control driver of each pixel have polysilicon as a channel for fast response speed and uniformity. At this time, the polysilicon forms an amorphous silicon layer on the glass substrate, and then crystallizes the amorphous silicon layer into polysilicon through a Low Temperature Poly Si (LTPS) process.

하나의 EL표시패널(400)은 종래에 사용되는 유기전계발광표시장치의 패널과 동일한 제조공정을 거쳐 생산될 수 있다. 따라서 동일한 제조공정을 거쳐 생산된 동일한 수개의 EL표시패널(400)을 접합하여 하나의 대형 패널을 형성한다. 이러한 각각의 EL표시패널(400)은 UV 경화수지나 열 경화수지, 구체적으로 에폭시 수지 등을 사용하여 이웃한 EL표시패널(400)과 접합할 수 있다. One EL display panel 400 can be produced through the same manufacturing process as the panel of an organic light emitting display device used in the related art. Therefore, one large panel is formed by bonding the same several EL display panels 400 produced through the same manufacturing process. Each of the EL display panels 400 may be bonded to a neighboring EL display panel 400 by using a UV curable resin or a thermosetting resin, specifically an epoxy resin.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 EL표시패널의 구성도이다.3 is a configuration diagram of an EL display panel according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, EL표시패널(400)은 화소부(100), 주사 구동부(200) 및 발광제어 구동부(250)로 구성된다. 이러한 EL표시패널(400)은 TCP방식으로 패널과 접합되는 데이터 구동부(300)와 하나의 서브 유기전계발광표시장치(450)을 형성한다.Referring to Fig. 3, the EL display panel 400 is composed of a pixel portion 100, a scan driver 200 and a light emission control driver 250. The EL display panel 400 forms a data driver 300 and one sub organic light emitting display device 450 which are bonded to the panel by the TCP method.

도 3에서는 n번째 주사신호에 의해 활성화되는 화소들의 방향을 제 1 방향으로, 제 1 방향에 수직인 방향을 제 2 방향으로 한다.In FIG. 3, the direction of pixels activated by the n-th scan signal is referred to as the first direction, and the direction perpendicular to the first direction is referred to as the second direction.

주사 구동부(200) 및 발광제어 구동부(250)는 EL표시패널(400) 내에 위치하고, EL표시패널(400)외에 위치하는 데이터 구동부(300)와 EL표시패널(400) 내에 위치하는 화소부(100) 사이에 형성된다. 이는 다수의 EL표시패널(400)을 접합하여 하나의 유기전계발광표시장치를 제조하기 위해 데이터신호, 주사신호 및 발광제어신호를 인가하는 구동부를 화소부(100)의 편측으로 형성하기 위함이다. The scan driver 200 and the emission control driver 250 are positioned in the EL display panel 400, and the data driver 300 positioned outside the EL display panel 400 and the pixel unit 100 positioned in the EL display panel 400. Formed between). This is to form a driving unit for applying a data signal, a scanning signal, and a light emission control signal to one side of the pixel unit 100 in order to bond a plurality of EL display panels 400 to manufacture one organic light emitting display device.

주사 구동부(200) 및 발광제어 구동부(250)는 타이밍 제어부(미도시)로부터 클럭신호들을 인가받아 주사신호 및 발광제어신호를 화소부(100)로 출력한다. The scan driver 200 and the emission control driver 250 receive clock signals from a timing controller (not shown) and output the scan signal and the emission control signal to the pixel unit 100.

주사 구동부(200)로부터 연장되는 주사선(Sn)은 제 2 방향으로 형성된다. 또 한 발광제어 구동부(250)로부터 연장되는 발광제어선(En)은 주사선(Sn)과 평행하게 제 2 방향으로 형성된다. 이러한 주사선(Sn) 및 발광제어선(En)은 제 1 방향의 화소들(Pn1~Pnm)을 하나의 주사신호 및 하나의 발광제어신호로 순차적으로 활성화시켜야 한다. 따라서 주사선(Sn) 및 발광제어선(En)은 주사선(Sn) 및 발광제어선(En)과 교차하여 제 1 방향으로 형성된 금속배선들을 이용하여 제 1 방향의 화소들(Pn1~Pnm)과 각각 연결된다.The scan line Sn extending from the scan driver 200 is formed in the second direction. In addition, the emission control line En extending from the emission control driver 250 is formed in the second direction in parallel with the scan line Sn. The scan line Sn and the emission control line En must sequentially activate the pixels Pn1 to Pnm in the first direction with one scan signal and one emission control signal. Therefore, the scan line Sn and the emission control line En are intersected with the scan line Sn and the emission control line En by using metal wires formed in the first direction, respectively, to correspond to the pixels Pn1 to Pnm in the first direction. Connected.

각각의 금속배선들은 제 1 방향으로 형성된 화소들(Pn1~Pnm)을 가로질러 형성된다. 주사선(Sn)과 연결되는 금속배선은 주사신호에 의해 턴온되는 제 1 방향의 화소들(Pn1~Pnm) 상의 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 연결된다. 또한 발광제어선(En)과 연결되는 금속배선은 발광제어신호에 의해 턴온되는 제 1 방향의 화소들(Pn1~Pnm) 상의 발광제어 트랜지스터의 게이트 전극과 연결된다. 이러한 주사선(Sn) 및 발광제어선(En)과 금속배선들의 전기적 접속은 콘택홀을 통해 달성된다. Each of the metal wires is formed across the pixels Pn1 to Pnm formed in the first direction. The metal line connected to the scan line Sn is connected to the gate electrode of the thin film transistor on the pixels Pn1 to Pnm in the first direction turned on by the scan signal. In addition, the metal wiring connected to the emission control line En is connected to the gate electrode of the emission control transistor on the pixels Pn1 to Pnm in the first direction turned on by the emission control signal. The electrical connection between the scan line Sn and the emission control line En and the metal wires is achieved through the contact hole.

화소부(100)는 다수의 화소들(P11~Pnm)을 가지며 하나의 단위화소(Pnm)는 레드, 그린 및 블루 부화소들로 구성된다. 상기 화소들(P11~Pnm)은 제 1 방향을 따라 레드, 그린 및 블루의 부화소들이 규칙적으로 반복하며 형성되고, 제 2 방향을 따라서 동일한 형태가 반복하며 형성된다. The pixel unit 100 includes a plurality of pixels P11 to Pnm, and one unit pixel Pnm includes red, green, and blue subpixels. The pixels P11 to Pnm are formed by repeating red, green, and blue subpixels regularly along a first direction, and repeating the same shape along the second direction.

레드, 그린 및 블루 부화소들은 유기EL소자(OLED)에 인가되는 전류에 상응하는 레드, 그린 및 블루의 빛을 발광한다. 따라서 화소(Pnm)는 화소(Pnm)를 형성하는 레드, 그린 및 블루 부화소들이 발광하는 빛을 조합하여 특정한 색을 표시한다. The red, green, and blue subpixels emit red, green, and blue light corresponding to the current applied to the organic EL element OLED. Accordingly, the pixel Pnm displays a specific color by combining light emitted by the red, green, and blue subpixels forming the pixel Pnm.

이러한 화소부(100)에는 화소들(P11~Pnm) 상으로 다수의 주사선(S1~Sn) 및 발광제어선들(E1~En)과 다수의 데이터선(D1~Dm)이 제 2 방향으로 형성된다.In the pixel unit 100, a plurality of scan lines S1 to Sn, emission control lines E1 to En, and a plurality of data lines D1 to Dm are formed on the pixels P11 to Pnm in a second direction. .

각각의 화소(Pnm)는 주사선(Sn) 및 발광제어선(En)과 연결된 금속배선으로부터 주사신호 및 발광제어신호를 인가받고, 데이터선(Dm)으로부터 데이터신호를 인가받아 소정의 영상을 디스플레이한다.Each pixel Pnm receives a scan signal and a light emission control signal from a metal line connected to the scan line Sn and the light emission control line En, and receives a data signal from the data line Dm to display a predetermined image. .

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 화소의 회로도이며, 도 6은 도 4의 화소회로의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.4 is a circuit diagram of a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a timing diagram for describing an operation of the pixel circuit of FIG. 4.

도 4에서는 설명의 편의상 m번째 데이터선과 n번째 주사선에 연결된 화소회로(Pnm)만을 도시한다.In FIG. 4, only the pixel circuit Pnm connected to the m th data line and the n th scan line is shown for convenience of description.

도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 화소회로(Pnm)는 유기EL소자(OLED), 트랜지스터들(M1,M2,M3) 및 커패시터(Cst1)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the pixel circuit Pnm according to the exemplary embodiment of the present invention includes an organic EL element OLED, transistors M1, M2, and M3, and a capacitor Cst1.

구동 트랜지스터(M1)는 유기EL소자(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어하기 위한 트랜지스터로서, 소스전극이 전원전압(VDD)에 접속되고, 드레인전극이 발광제어 트랜지스터(M3)의 소스전극에 접속된다. The driving transistor M1 is a transistor for controlling the driving current flowing through the organic EL element OLED. The source electrode is connected to the power supply voltage VDD, and the drain electrode is connected to the source electrode of the light emission control transistor M3. .

발광제어 트랜지스터(M3)는 상기 구동 트랜지스터(M1)와 상기 유기EL소자(OLED)사이에 연결되고, 게이트전극과 연결되는 발광제어선(En)의 발광제어신호에 응답하여 상기 구동전류를 흐르게 하거나 차단한다.The light emission control transistor M3 is connected between the drive transistor M1 and the organic EL element OLED and flows the driving current in response to a light emission control signal of the light emission control line En connected to the gate electrode. Block it.

유기EL소자(OLED)는 캐소드가 전원전압(VSS)에 연결되고, 애노드가 발광제어 트랜지스터(M3)의 드레인전극에 접속되어 구동 트랜지스터(M1)로부터 인가되는 구동 전류의 양에 대응하는 빛을 발광한다. The organic EL device OLED emits light corresponding to the amount of driving current applied from the driving transistor M1 by connecting the cathode to the power supply voltage VSS and the anode to the drain electrode of the light emitting control transistor M3. do.

스위칭 트랜지스터(M2)는 주사선(Sn)으로부터의 주사신호에 응답하여 데이터 선(Dm)에 인가되는 데이터 전압(Vdata)을 커패시터(Cst1)의 일전극으로 전달한다.The switching transistor M2 transfers the data voltage Vdata applied to the data line Dm to one electrode of the capacitor Cst1 in response to the scan signal from the scan line Sn.

커패시터(Cst1)의 일전극은 스위칭 트랜지스터(M2)의 게이트전극에 접속되고, 타전극은 전원전압(VDD)에 접속된다. One electrode of the capacitor Cst1 is connected to the gate electrode of the switching transistor M2, and the other electrode is connected to the power supply voltage VDD.

이하에서는, 도 6의 신호파형을 이용하여 도 4의 유기전계발광표시장치의 화소회로(Pnm)의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the pixel circuit Pnm of the organic light emitting display device of FIG. 4 will be described using the signal waveform of FIG. 6.

먼저, 로우 레벨의 제 n번째 주사신호(S[n])가 인가되면, 스위칭 트랜지스터(M2)가 턴온되어 커패시터(Cst1)의 일전극에 데이터 전압(Vdata)이 인가된다. 따라서 커패시터(Cst1)에는 전원전압(VDD)과 데이터 전압(Vdata)의 차에 상응하는 전하가 충전된다. 그러나 이 때에는 발광제어신호(En)가 하이 레벨이므로 발광제어 트랜지스터(M3)가 턴오프 되어 유기EL소자(OLED)에는 전류가 흐르지 않는다.First, when the n th scan signal S [n] of the low level is applied, the switching transistor M2 is turned on to apply the data voltage Vdata to one electrode of the capacitor Cst1. Therefore, the capacitor Cst1 is charged with a charge corresponding to the difference between the power supply voltage VDD and the data voltage Vdata. However, at this time, since the light emission control signal En is at a high level, the light emission control transistor M3 is turned off and no current flows to the organic EL element OLED.

다음으로, 하이 레벨의 제 n번째 주사신호(S[n])가 인가되고, 로우 레벨의 발광제어신호(En)가 인가되면, 발광제어 트랜지스터(M3)가 턴온 되어 유기EL소자(OLED)에 전류가 흐르게 된다. Next, when the high level nth scan signal S [n] is applied and the low level light emission control signal En is applied, the light emission control transistor M3 is turned on to the organic EL element OLED. Current will flow.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소의 회로도이다.5 is a circuit diagram of a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5에서는 설명의 편의상 m번째 데이터선과 n번째 주사선에 연결된 화소회로(Pnm)만을 도시한다.In FIG. 5, only the pixel circuit Pnm connected to the m th data line and the n th scan line is shown for convenience of description.

도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 화소회로(Pnm)는 유기EL소자(OLED), 트랜지스터들(M4,M5,M6,M7,M8) 및 커패시터(Cst2, Cvth)를 포함한다.Referring to FIG. 5, a pixel circuit Pnm according to another exemplary embodiment of the present invention includes an organic EL element OLED, transistors M4, M5, M6, M7, and M8, and capacitors Cst2 and Cvth. .

구동 트랜지스터(M4)는 유기EL소자(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어하기 위한 트랜지스터로서, 소스전극이 전원전압(VDD)에 접속되고, 드레인전극이 발광제어 트랜지스터(M8)의 소스전극에 접속된다. The driving transistor M4 is a transistor for controlling the driving current flowing through the organic EL element OLED. The source electrode is connected to the power supply voltage VDD, and the drain electrode is connected to the source electrode of the light emission control transistor M8. .

발광제어 트랜지스터(M8)는 상기 구동 트랜지스터(M5)과 상기 유기EL소자(OLED)사이에 연결되고, 게이트전극에 인가되는 발광제어신호에 응답하여 상기 구동전류를 흐르게 하거나 차단한다.An emission control transistor M8 is connected between the driving transistor M5 and the organic EL element OLED, and flows or blocks the driving current in response to an emission control signal applied to a gate electrode.

유기EL소자(OLED)는 캐소드가 전원전압(VSS)에 연결되고, 애노드가 발광제어 트랜지스터(M8)의 드레인전극에 접속되어 구동 트랜지스터(M4)로부터 인가되는 구동전류의 양에 대응하는 빛을 발광한다. The organic EL element OLED emits light corresponding to the amount of driving current applied from the driving transistor M4 by connecting the cathode to the power supply voltage VSS and the anode to the drain electrode of the light emitting control transistor M8. do.

제 1 스위칭 트랜지스터(M7)는 소스전극이 데이터선(Dm)에 연결되고, 게이트전극과 연결되는 주사선(Sn)으로부터의 n번째 주사신호(S[n])에 응답하여 데이터 전압(Vdata)을 커패시터(Cst2)의 일전극으로 전달한다.The first switching transistor M7 receives the data voltage Vdata in response to an nth scan signal S [n] from the scan line Sn connected to a source electrode connected to the data line Dm and connected to the gate electrode. Transfer to one electrode of the capacitor (Cst2).

커패시터(Cst2)는 일전극이 제 1 스위칭 트랜지스터(M7)의 드레인전극에 연결되고, 타전극이 전원전압(VDD)에 연결된다.One electrode of the capacitor Cst2 is connected to the drain electrode of the first switching transistor M7, and the other electrode is connected to the power supply voltage VDD.

커패시터(Cvth)은 일전극이 구동 트랜지스터(M4)의 게이트전극에 연결되고, 타전극이 커패시터(Cst2)의 일전극에 연결된다.One electrode of the capacitor Cvth is connected to the gate electrode of the driving transistor M4, and the other electrode is connected to one electrode of the capacitor Cst2.

문턱전압보상 트랜지스터(M5)는 구동 트랜지스터(M4)의 게이트전극와 드레인전극 사이에 위치하며, n-1번째 주사신호(S[n-1])에 응답하여 구동 트랜지스터(M4)를 다이오드 연결한다.The threshold voltage compensation transistor M5 is positioned between the gate electrode and the drain electrode of the driving transistor M4, and diode-connects the driving transistor M4 in response to the n−1 th scan signal S [n−1].

제 2 스위칭 트랜지스터(M6)는 보조전원전압(Vsus)과 커패시터(Cst2)의 일전극 사이에 위치하며, n-1번째 주사신호(S[n-1])에 응답하여 커패시터(Cst2)의 일전극에 보조전원전압(Vsus)을 인가한다.The second switching transistor M6 is positioned between the auxiliary power supply voltage Vsus and the one electrode of the capacitor Cst2, and the one of the capacitor Cst2 in response to the n-1 th scan signal S [n-1]. An auxiliary power supply voltage Vsus is applied to the electrode.

이하에서는, 도 6의 신호파형을 이용하여 도 5의 유기전계발광표시장치의 화소회로(Pnm)의 동작을 설명한다.Hereinafter, the operation of the pixel circuit Pnm of the organic light emitting display device of FIG. 5 will be described using the signal waveform of FIG. 6.

먼저, 로우 레벨의 n-1번째 주사신호(S[n-1])가 인가되면 트랜지스터들(M5,M6)이 턴온 되고, 로우 레벨의 발광제어신호(En)가 인가되면 발광제어 트랜지스터(M8)가 턴온 되면, 커패시터들(Cst2,Cvth)이 초기화된다. First, when the low level n-1 th scan signal S [n-1] is applied, the transistors M5 and M6 are turned on. When the low level light emission control signal En is applied, the light emission control transistor M8 is applied. When is turned on, the capacitors Cst2 and Cvth are initialized.

이때, 로우 레벨의 발광제어신호(En)는 단시간 동안만 지속되며, 다시 하이 레벨을 유지하여 구동 트랜지스터(M4)에 잔류하는 전류가 유기EL소자(OLED)로 흐르는 것을 차단한다. At this time, the low level emission control signal En lasts for a short time, and maintains the high level again to block the current remaining in the driving transistor M4 from flowing to the organic EL element OLED.

문턱전압보상 트랜지스터(M5)가 턴온되어, 구동 트랜지스터(M4)가 다이오드 연결되면 구동 트랜지스터(M4)의 게이트전극에 VDD-Vth의 전압이 인가되고, 제 2 스위칭 트랜지스터(M6)가 턴온 되어 커패시터(Cst2)의 일전극에 보조전원전압(Vsus)이 인가된다.When the threshold voltage compensation transistor M5 is turned on and the driving transistor M4 is diode-connected, a voltage of VDD-Vth is applied to the gate electrode of the driving transistor M4, and the second switching transistor M6 is turned on to turn on the capacitor ( The auxiliary power supply voltage Vsus is applied to one electrode of Cst2).

따라서 커패시터(Cst2)에는 전원전압(VDD)과 보조전원전압(Vsus)의 차에 상응하는 전하가 충전되고, 커패시터(Cvth)에는 보조전원전압(Vsus)과 구동 트랜지스터(M4)의 게이트전극에 인가된 전압(VDD-Vth)의 차에 상응하는 전하가 충전된다. Therefore, the capacitor Cst2 is charged with a charge corresponding to the difference between the power supply voltage VDD and the auxiliary power supply voltage Vsus, and the capacitor Cvth is applied to the auxiliary power supply voltage Vsus and the gate electrode of the driving transistor M4. The charge corresponding to the difference between the voltages VDD-Vth is charged.

다음으로, 로우 레벨의 n번째 주사신호(S[n])가 인가되면 제 1 스위칭 트랜지스터(M7)가 턴온 된다. 따라서 커패시터(Cst2)의 일전극에 데이터 전압(Vdata)이 인가되어 구동 트랜지스터(M4)의 게이트전극에 인가되는 전압은 VDD-Vth-ΔV가 된다. 이때 ΔV는 보조전원전압(Vsus)과 데이터 전압(Vdata)의 차를 의미한다. Next, when the n th scan signal S [n] of the low level is applied, the first switching transistor M7 is turned on. Therefore, the data voltage Vdata is applied to one electrode of the capacitor Cst2, and the voltage applied to the gate electrode of the driving transistor M4 becomes VDD-Vth-ΔV. In this case, ΔV means a difference between the auxiliary power supply voltage Vsus and the data voltage Vdata.

다음으로, 로우 레벨의 발광제어신호(En)가 인가되면, 발광제어 트랜지스터 (M8)가 턴온 되어 구동 트랜지스터(M4)의 출력단자로 흐르는 전류 I가 유기EL소자(OLED)로 흐르게 되어 유기EL소자(OLED)가 발광하게 된다. Next, when the low level light emission control signal En is applied, the light emission control transistor M8 is turned on so that the current I flowing through the output terminal of the driving transistor M4 flows to the organic EL element OLED, and thus the organic EL element. OLED emits light.

구동 트랜지스터(M4)의 드레인전극에서 유기EL소자(OLED)로 흐르는 전류는 아래의 [수학식 1]과 같다.The current flowing from the drain electrode of the driving transistor M4 to the organic EL element OLED is shown in Equation 1 below.

Figure 112005045244985-pat00001
Figure 112005045244985-pat00001

상기의 [수학식 1] 에 ΔV를 대입하여 정리하면, 구동 트랜지스터(M4)의 드레인전극에서 유기EL소자(OLED)로 흐르는 전류는 아래의 [수학식 2]와 같다.When ΔV is substituted in Equation 1 above, the current flowing from the drain electrode of the driving transistor M4 to the organic EL element OLED is represented by Equation 2 below.

Figure 112005045244985-pat00002
Figure 112005045244985-pat00002

여기에서, VDD는 전원전압, Vth는 구동트랜지스터(M4)의 문턱전압, Vdata는 데이터전압, Vsus는 보조전원전압을 나타낸다.Here, VDD represents a power supply voltage, Vth represents a threshold voltage of the driving transistor M4, Vdata represents a data voltage, and Vsus represents an auxiliary supply voltage.

보조전원전압(Vsus)의 경우 실질적으로 전류소스원이 아니기 때문에 전압강하가 발생하지 않으므로 Vth와 IR-drop이 보상되는 화소회로(Pnm)를 구현할 수 있다.In the case of the auxiliary power supply voltage Vsus, since the voltage drop does not occur since it is not substantially a current source source, a pixel circuit Pnm in which Vth and IR-drop are compensated may be implemented.

다시 도 3을 참조하면, 발광제어 구동부(250)는 EL표시패널(400) 내에 위치하며, 상기 화소부(100) 각각의 화소의 발광제어 트랜지스터의 온/오프를 제어하기 위한 발광제어신호를 공급한다. 이러한 발광제어 구동부(250)는 P타입 MOSFET로 설계되어 화소부(100)의 트랜지스터들과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 이하, 발광제어 구동부(250)에 대하여 바람직한 실시예를 참조하여 상세히 설명한다.Referring to FIG. 3 again, the emission control driver 250 is positioned in the EL display panel 400 and supplies an emission control signal for controlling on / off of the emission control transistor of each pixel of the pixel unit 100. do. The light emission control driver 250 may be designed as a P-type MOSFET and formed through the same process as the transistors of the pixel unit 100. Hereinafter, the light emission control driver 250 will be described in detail with reference to a preferred embodiment.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 발광제어 구동부의 구성도이다.7 is a configuration diagram of a light emission control driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7을 참조하면, 발광제어 구동부(250)는 스캔펄스(Vsp)를 인가받고, 클럭신호(VCLK)와 반전된 클럭신호(VCLKB)에 동기되어 순차적으로 출력신호(OUT)를 생성하는 시프트 레지스터(260)와 상기 시프트 레지스터(260)의 연속한 2개의 출력신호를 인가받아, 논리 합 연산을 수행하여, 상기 화소부(100)로 발광제어신호를 공급하는 다수의 논리 게이트(OR1,OR2,...)를 가지는 논리 연산부(270)로 구성된다.Referring to FIG. 7, the emission control driver 250 receives a scan pulse Vsp and sequentially generates an output signal OUT in synchronization with a clock signal VCLK and an inverted clock signal VCLKB. A plurality of logic gates OR1, OR2, which are supplied with two consecutive output signals of the 260 and the shift register 260, and perform a logic sum operation to supply the emission control signal to the pixel unit 100. And a logical operation unit 270 having a ...).

시프트 레지스터(260)는 공통의 클럭신호(VCLK) 및 반전된 클럭신호(VCLKB)로 동기되는 다수의 플립플롭들(FF1, FF2, FF3, ...)로 구성된다. The shift register 260 is composed of a plurality of flip-flops FF1, FF2, FF3, ... that are synchronized with the common clock signal VCLK and the inverted clock signal VCLKB.

제 1 플립플롭(FF1)은 개시펄스(Vsp), 클럭신호(VCLK) 및 반전된 클럭신호(VCLKB)를 입력받아, 클럭신호(VCLK)의 하강에지에서 개시펄스(Vsp)를 샘플링하고, 클럭 1 주기 동안 유지시킨 출력신호(OUT1)를 생성한다. The first flip-flop FF1 receives the start pulse Vsp, the clock signal VCLK, and the inverted clock signal VCLKB, and samples the start pulse Vsp at the falling edge of the clock signal VCLK. The output signal OUT1 maintained for one period is generated.

제 2 플립플롭(FF2)은 상기 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)를 입력신호로 인가받고, 클럭신호 (VCLK)및 반전된 클럭신호(VCLKB)에 의해 동기된다. 따라서 제 2 플립플롭(FF2)은 클럭 1 주기 시프트된 클럭신호(VCLK)의 하강에지에서 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)를 샘플링하고, 클럭 1 주기 동안 유지시킨 출력신호(OUT2)를 생성한다. The second flip-flop FF2 receives the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 as an input signal and is synchronized with the clock signal VCLK and the inverted clock signal VCLKB. Accordingly, the second flip-flop FF2 samples the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 at the falling edge of the clock signal VCLK shifted by one clock cycle, and maintains the output signal OUT2 for one clock cycle. )

연속한 플립플롭들(FF3,FF4,FF5,...)도 이전 플립플롭의 출력신호를 입력받아 클럭신호(VCLK)의 하강에지에서 샘플링하여 클럭 1 주기만큼 시프트된 출력신호를 순차적으로 출력한다. Successive flip-flops FF3, FF4, FF5, ... also receive the output signal of the previous flip-flop, sample at the falling edge of the clock signal VCLK, and sequentially output the output signal shifted by one clock cycle. .

논리 연산부(270)은 다수의 논리 게이트들(OR1,OR2,OR3,...)로 구성된다. 각각의 논리 게이트는 상기 플립플롭들(FF1,FF2,FF3,...)로부터 연속한 2개의 출력신호를 입력받아 발광제어신호(E1,E2,E3,...)를 생성하여 화소부(100)에 공급한다.The logic operator 270 is composed of a plurality of logic gates OR1, OR2, OR3,... Each logic gate receives two successive output signals from the flip-flops FF1, FF2, FF3,... And generates light emission control signals E1, E2, E3,... 100).

제 1 논리 게이트(OR1)는 상기 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)와 상기 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)를 입력받는다. 제 1 논리 게이트(OR1)는 2개의 출력신호(OUT1,OUT2)의 논리 합 연산을 수행한다. 즉, 두 개의 출력신호(OUT1,OUT2) 중 하나 이상의 신호가 하이레벨인 경우 하이레벨의 제 1 발광제어신호(E1)를 발생한다. 또한, 두 개의 출력신호(OUT1,OUT2)가 모두 로우레벨인 경우 로우레벨의 제 1 발광제어신호(E1)를 발생한다.The first logic gate OR1 receives the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 and the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2. The first logic gate OR1 performs a logic sum operation of the two output signals OUT1 and OUT2. That is, when at least one of the two output signals OUT1 and OUT2 has a high level, the first emission control signal E1 having a high level is generated. In addition, when both output signals OUT1 and OUT2 are low level, the first emission control signal E1 having a low level is generated.

제 2 논리 게이트(OR2)는 상기 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)와 상기 제 3 플립플롭(FF3)의 출력신호(OUT3)를 입력받는다. 제 2 논리 게이트(OR2)는 2개의 출력신호(OUT2,OUT3)의 논리 합 연산을 수행하여 제 2 발광제어신호(E2)를 출력한다.The second logic gate OR2 receives the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2 and the output signal OUT3 of the third flip-flop FF3. The second logic gate OR2 outputs the second emission control signal E2 by performing a logical sum operation of the two output signals OUT2 and OUT3.

제 3 내지 제 n논리 게이트들(OR3~ORn)도 제 1 및 제 2 논리 게이트들(OR1,OR2)과 같은 동작을 수행하여 제 3 내지 제 n번째 발광제어신호(E3~En)를 출력한다. The third to nth logic gates OR3 to ORn also perform the same operations as the first and second logic gates OR1 and OR2 to output the third to nth emission control signals E3 to En. .

이하, 상기 플립플롭 및 논리 게이트의 구성에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the configuration of the flip-flop and the logic gate will be described in detail.

도 8은 도 7에 도시된 발광제어 구동부의 플립플롭을 나타내는 회로도이다.FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a flip-flop of the emission control driver shown in FIG. 7.

도 8을 참조하면, 플립플롭(FF1)은 2개의 트랜지스터들(M9,M10) 및 2개의 인버터들(INV1,INV2)로 구성된다. Referring to FIG. 8, the flip-flop FF1 includes two transistors M9 and M10 and two inverters INV1 and INV2.

스위칭 트랜지스터(M9)는 소스전극으로 개시펄스(Vsp)가 인가되고, 드레인전극과 제 1 인버터(INV1)가 연결되며, 반전된 클럭신호(VCLKB)에 따라 턴/오프 동작하여 제 1 인버터(INV1)로 입력신호를 전달한다. The switching transistor M9 has a start pulse Vsp applied to the source electrode, a drain electrode connected to the first inverter INV1, and is turned on / off according to the inverted clock signal VCLKB to operate the first inverter INV1. Transmits the input signal.

제 1 인버터(INV1)는 상기 스위칭 트랜지스터(M9)의 출력신호를 인가받아 이를 반전하여 샘플링 트랜지스터(M10)로 전달한다. The first inverter INV1 receives the output signal of the switching transistor M9, inverts it, and transfers the inverted signal to the sampling transistor M10.

샘플링 트랜지스터(M10)는 상기 제 1 인버터(INV1)의 출력신호를 인가받고, 이를 클럭신호(VCLK)의 하강에지에서 샘플링하여 출력한다. The sampling transistor M10 receives the output signal of the first inverter INV1 and samples the output signal from the falling edge of the clock signal VCLK.

제 2 인버터(INV2)는 상기 샘플링 트랜지스터(M10)의 출력신호를 인가받아 이를 반전하여 제 1 논리 게이트(OR1)로 출력한다.The second inverter INV2 receives the output signal of the sampling transistor M10, inverts it, and outputs the inverted signal to the first logic gate OR1.

상기의 플립플롭(FF1)은 개시펄스(Vsp), 클럭신호(VCLK) 및 반전된 클럭신호(VCLKB)를 인가받고, 클럭 주기 만큼의 듀티를 갖는 출력신호(OUT1)를 출력한다. 이러한 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)는 다시 제 2 플립플롭(FF2)의 입력신호가 된다. 따라서 제 2 플립플롭(FF2)의 입력신호는 제 2 플립플롭(FF2)의 스위칭 트랜지스터(M9)에 로우레벨의 반전된 클럭신호(VCLKB)가 인가되어 제 1 인버터(INV1)로 전달되고, 제 1 인버터(INV1)에서 반전되어 샘플링 트랜지스터(M10)로 전달된다. 이러한 샘플링 트랜지스터(M10)는 인가되는 클럭신호(VCLK)의 다음 하강에지에서 제 1 인버터(INV1)의 출력신호(OUT1)를 샘플링하고, 제 2 인버터(INV2)가 샘플링된 신호를 반전하여 출력한다.The flip-flop FF1 receives the start pulse Vsp, the clock signal VCLK, and the inverted clock signal VCLKB, and outputs an output signal OUT1 having a duty equal to a clock period. The output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 becomes an input signal of the second flip-flop FF2 again. Accordingly, the inverted clock signal VCLKB of the low level is applied to the switching transistor M9 of the second flip-flop FF2 and transferred to the first inverter INV1. 1 is inverted by the inverter INV1 and transferred to the sampling transistor M10. The sampling transistor M10 samples the output signal OUT1 of the first inverter INV1 at the next falling edge of the applied clock signal VCLK, and inverts and outputs the sampled signal by the second inverter INV2. .

따라서, 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)는 상기 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)와 동일한 클럭주기 만큼의 듀티를 갖으며, 상기 제 1 플립플롭 (FF1)의 출력신호(OUT1)에 대하여 1 클럭주기 만큼 시프트되어 출력된다.Therefore, the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2 has the same duty cycle as the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1, and has the same duty cycle as that of the first flip-flop FF1. The output signal OUT1 is shifted by one clock period and output.

이러한 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1) 및 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)는 제 1 논리 게이트(OR1)의 입력신호가 되며, 제 1 논리 게이트(OR1)는 논리 합 연산을 수행하여 제 1 발광제어신호(E1)를 생성한다. The output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 and the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2 become input signals of the first logic gate OR1, and the first logic gate OR1 is The first summation control signal E1 is generated by performing a logic sum operation.

이하, 상기 플립플롭을 구성하는 제 1 및 제 2 인버터의 구성에 대해 설명한다. Hereinafter, the configuration of the first and second inverters constituting the flip-flop will be described.

도 9는 도 8에 도시된 플립플롭의 인버터를 나타내는 회로도이다.FIG. 9 is a circuit diagram illustrating an inverter of the flip-flop illustrated in FIG. 8.

도 9를 참조하면, 제 1 및 제 2 인버터(INV1,INV2)는 동일하게 구성되며, 각각 3개의 트랜지스터(M11,M12,M13)로 형성된다. Referring to FIG. 9, the first and second inverters INV1 and INV2 have the same configuration, and are formed of three transistors M11, M12, and M13, respectively.

트랜지스터(M11)은 양의전원전압(VDD)과 소스전극이 연결되고, 드레인전극이 인버터(INV1,INV2)의 출력신호를 추출하는 출력단(out)과 연결된다. 이러한 트랜지스터(M11)은 인버터(INV1,INV2)의 입력신호, 즉, 스위칭 트랜지스터(M9) 또는 샘플링 트랜지스터(M10)의 출력신호에 따라 턴/오프 동작을 수행하여, 양의전원전압(VDD)을 상기 출력단(out)으로 전달한다. The transistor M11 is connected with a positive power supply voltage VDD and a source electrode, and a drain electrode is connected with an output terminal (out) for extracting output signals of the inverters INV1 and INV2. The transistor M11 performs a turn on / off operation according to an input signal of the inverters INV1 and INV2, that is, an output signal of the switching transistor M9 or the sampling transistor M10, thereby applying a positive power supply voltage VDD. It passes to the output (out).

트랜지스터(M12)는 음의전원전압(VSS)과 드레인전극이 연결되고, 출력단(out)으로 소스전극이 연결된다. 이러한 트랜지스터(M12)는 게이트전극으로 인가되는 전압에 따라 출력단(out)으로 흐르는 전류를 조절하는 능동부하로 동작한다.The transistor M12 has a negative power supply voltage VSS and a drain electrode connected thereto, and a source electrode connected to the output terminal out. The transistor M12 operates as an active load that adjusts the current flowing to the output terminal according to the voltage applied to the gate electrode.

트랜지스터(M13)은 상기 트랜지스터(M2)의 게이트전극과 드레인전극 사이에 연결되고, 게이트전극과 드레인전극이 연결되어 다이오드처럼 동작한다. 따라서 트랜지스터(M13)은 턴온 상태를 유지하며, 이때 트랜지스터(M12)의 게이트전극으로 음의전원전압(VDD)과 트랜지스터(M13)의 문턱전압 값의 합에 해당하는 전압을 인가하여 트랜지스터(M12)의 온/오프를 제어한다.The transistor M13 is connected between the gate electrode and the drain electrode of the transistor M2, and the gate electrode and the drain electrode are connected to operate as a diode. Accordingly, the transistor M13 maintains a turn-on state, and at this time, a voltage corresponding to the sum of the negative power supply voltage VDD and the threshold voltage value of the transistor M13 is applied to the gate electrode of the transistor M12 to transmit the transistor M12. To control the on / off.

또한, 상기 인버터(INV1,INV2)는 상기 트랜지스터(M9)의 제어전극과 출력단(N1) 사이에 형성되는 커패시터(C1)를 더 포함한다. 이러한 커패시터(C1)는 하이레벨의 클럭신호(VCLK) 및 반전된 클럭신호(VCLKB)가 인가되어 상기 인버터(INV1, INV2)로 인가되는 입력신호가 차단되는 경우, 클럭 반주기동안 이전 반주기의 출력신호와 동일한 출력신호를 출력한다.In addition, the inverters INV1 and INV2 further include a capacitor C1 formed between the control electrode of the transistor M9 and the output terminal N1. When the capacitor C1 is applied with the high level clock signal VCLK and the inverted clock signal VCLKB, and the input signal applied to the inverters INV1 and INV2 is cut off, the output signal of the previous half cycle during the clock half cycle Outputs the same output signal as

상기 인버터(INV1,INV2)의 동작을 살펴보면, 상기 인버터(INV1,INV2)의 트랜지스터(M11)로 로우레벨의 입력신호가 인가되면, 상기 트랜지스터(M11)은 턴온된다. 이때, 트랜지스터(M13)가 턴온 상태이므로, 상기 트랜지스터(M12)의 게이트전극으로 음의전원전압(VSS)과 트랜지스터(M13)의 문턱전압의 합에 상응하는 전압이 인가된다. 따라서, 트랜지스터(M12)는 턴온된다. 따라서 상기 출력단(out)으로는 양의전원전압(VDD) 또는 음의전원전압(VSS)이 모두 출력될 수 있으나, 음의전원전압(VSS)과 연결되는 트랜지스터들(M12,M13)의 턴온저항이 양의전원전압(VDD)과 연결되는 트랜지스터(M11)의 턴온저항보다 크게 설계되어, 출력단(out)으로 출력되는 출력신호는 양의전원전압(VDD) 값을 가진다. 트랜지스터(M11,M12,M13)의 턴온저항은 채널의 길이(Len gth) 및 채널의 폭(Width)을 조절하여 형성할 수 있다.Referring to the operation of the inverters INV1 and INV2, when a low level input signal is applied to the transistors M11 of the inverters INV1 and INV2, the transistor M11 is turned on. At this time, since the transistor M13 is turned on, a voltage corresponding to the sum of the negative power supply voltage VSS and the threshold voltage of the transistor M13 is applied to the gate electrode of the transistor M12. Thus, transistor M12 is turned on. Therefore, both the positive power supply voltage VDD or the negative power supply voltage VSS may be output to the output terminal out, but the turn-on resistors of the transistors M12 and M13 connected to the negative power supply voltage VSS may be output. It is designed to be larger than the turn-on resistance of the transistor M11 connected to the positive power supply voltage VDD, so that the output signal output to the output terminal has a positive power supply voltage VDD. The turn-on resistance of the transistors M11, M12, and M13 may be formed by adjusting the length of the channel (Len gth) and the width of the channel (Width).

다음으로, 상기 인버터(INV1,INV2)의 트랜지스터(M11)로 하이레벨의 입력신호가 인가되면, 상기 트랜지스터(M11)은 턴오프된다. 따라서 이미 턴온상태의 트랜지스터(M12)를 통하여 출력단(out)의 전압은 점점 로우레벨로 변화된다. 이때, 트 랜지스터(M12)의 게이트/소스 사이에 형성된 커패시터(C1)는 트랜지스터(M11)가 턴오프되기 전의 게이트/소스 사이의 전압을 유지한다. 예를 들어, 양의전원전압(VDD)이 5V이고, 음의전원전압(VSS)이 -7V인 경우, 트랜지스터(M11)가 턴온되어 출력단(out)에 출력되는 전압은 5V이며, 트랜지스터(M12)의 게이트전압은 -7V가 된다. 따라서, 커패시터(C1)는 일정 전압을 유지하기 위하여, 출력단(out)의 전압이 로우레벨로 변화함에 따라 트랜지스터(M12)의 게이트전압도 로우레벨로 변화시킨다. 이때, 트랜지스터(M12)의 게이트전압이 로우레벨로 변화하면서, 트랜지스터(M13)에 역바이어스 전압이 인가되어 트랜지스터(M13)은 턴오프된다. 따라서, 트랜지스터(M12)는 트랜지스터(M13)이 턴오프되더라도 기생 커패시터(Cgs)에 의해 턴온 상태를 유지하며, 출력단(out)은 음의전원전압(VDD) 레벨인 -7V까지 변화하여 로우레벨의 출력신호를 출력한다. Next, when a high level input signal is applied to the transistors M11 of the inverters INV1 and INV2, the transistor M11 is turned off. Therefore, the voltage at the output terminal (out) is gradually changed to the low level through the transistor M12 that is already turned on. At this time, the capacitor C1 formed between the gate / source of the transistor M12 maintains the voltage between the gate / source before the transistor M11 is turned off. For example, when the positive power supply voltage VDD is 5V and the negative power supply voltage VSS is -7V, the voltage at which the transistor M11 is turned on and output to the output terminal is 5V, and the transistor M12 is ), The gate voltage is -7V. Therefore, in order to maintain a constant voltage, the capacitor C1 changes the gate voltage of the transistor M12 to a low level as the voltage at the output terminal out changes to a low level. At this time, while the gate voltage of the transistor M12 changes to a low level, a reverse bias voltage is applied to the transistor M13, and the transistor M13 is turned off. Therefore, the transistor M12 remains turned on by the parasitic capacitor Cgs even when the transistor M13 is turned off, and the output terminal changes to -7V, which is a negative power supply voltage VDD level, so that Output the output signal.

또한, 하이레벨의 클럭신호 및 반전된 클럭신호가 상기 플립플롭(FF1)의 샘플링 트랜지스터(M10)로 클럭 반주기 동안 인가되면, 상기 인버터(INV2)에 입력신호가 인가되지 않는다. 이때, 상기 인버터(INV2)의 커패시터(C1)는 이전 클럭 반주기동안의 출력신호에 상응하는 레벨의 전압을 출력단(out)으로 공급한다. 따라서 플립플롭(FF1)은 클럭 1 주기동안 하이레벨의 출력신호(OUT)를 생성한다. In addition, when the high level clock signal and the inverted clock signal are applied to the sampling transistor M10 of the flip-flop FF1 for a half clock period, the input signal is not applied to the inverter INV2. At this time, the capacitor C1 of the inverter INV2 supplies a voltage having a level corresponding to the output signal during the previous clock half cycle to the output terminal out. Accordingly, the flip-flop FF1 generates the high level output signal OUT for one clock period.

이하, 시프트 레지스터(260)로부터 연속한 2개의 출력신호를 인가받아 이들의 논리 합 연산을 수행하여, 발광제어신호를 순차적으로 출력하는 논리 연산부(270)에 대해 설명한다. Hereinafter, a logic operation unit 270 that receives two successive output signals from the shift register 260 and performs their logic sum operation to sequentially output the light emission control signals will be described.

도 10은 도 7에 도시된 발광제어 구동부의 논리 게이트를 나타내는 회로도이 다.FIG. 10 is a circuit diagram illustrating a logic gate of the light emission control driver shown in FIG. 7.

도 10을 참조하면, 하나의 발광제어신호(E1)를 생성하는 하나의 논리 게이트(OR1)는 양의전원전압(VDD)과 제 1 출력단(N1) 사이에 형성되며, 이웃한 2개의 플립플롭(FF1,FF2)으로부터 연속하여 출력되는 2개의 출력신호(OUT1,OUT2)를 인가받아 온/오프 동작하는 입력부(271), 음의전원전압(VSS)과 제 1 출력단(N1) 사이에 형성되고, 상기 입력부(271)의 온/오프 동작에 따라 상기 제 1 출력단(N1)으로 흐르는 전류를 제어하는 제 1 능동부하(277) 및 제 1 출력단(N1)의 출력신호를 반전하여 발광제어신호(E1)를 출력하기 위한 인버터(273)로 구성된다.Referring to FIG. 10, one logic gate OR1 generating one light emission control signal E1 is formed between the positive power supply voltage VDD and the first output terminal N1 and adjacent two flip-flops. Two input signals OUT1 and OUT2 outputted continuously from (FF1 and FF2) are applied between the input unit 271 and the negative power supply voltage VSS and the first output terminal N1. In response to the on / off operation of the input unit 271, the output signals of the first active load 277 and the first output terminal N1 that control the current flowing to the first output terminal N1 are inverted to generate the light emission control signal ( An inverter 273 for outputting E1).

상기 입력부(271)는 양의전원전압(VDD)과 제 1 출력단(N1) 사이에 직렬로 연결되어 형성되는 2개의 트랜지스터들(M14,M15)로 구성된다. 트랜지스터(M14)은 소스전극이 양의전원전압(VDD)과 연결되고, 드레인전극이 트랜지스터(M15)의 소스전극과 연결되어, 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)를 인가받아 온/오프 동작한다. 트랜지스터(M15)는 소스전극이 트랜지스터(M14)의 드레인전극과 연결되고, 드레인전극이 제 1 출력단(N1)과 연결되어, 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)를 인가받아 온/오프 동작한다. The input unit 271 includes two transistors M14 and M15 connected in series between the positive power supply voltage VDD and the first output terminal N1. In the transistor M14, the source electrode is connected to the positive power supply voltage VDD and the drain electrode is connected to the source electrode of the transistor M15 to receive the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1. On / off In the transistor M15, a source electrode is connected to the drain electrode of the transistor M14, and a drain electrode is connected to the first output terminal N1 to receive the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2. Works off.

따라서, 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)와 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)가 동시에 로우레벨을 갖는 경우에만, 입력부(271)는 양의전원전압(VDD)을 제 1 출력단(N1)으로 전달하며, 그 외의 경우 턴오프된다.Therefore, only when the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 and the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2 have a low level at the same time, the input unit 271 is the positive power supply voltage VDD. Is transmitted to the first output terminal (N1), otherwise it is turned off.

제 1 능동부하(277)은 음의전원전압(VSS)이 드레인전극에 연결되고, 제 1 출력단(N1)이 소스전극에 연결되어, 게이트전극에 인가되는 전압에 따라 음의전원전 압(VSS)을 제 1 출력단(N1)으로 전달하는 트랜지스터(M16)을 갖는다. 이러한 트랜지스터(M16)의 게이트전극과 드레인전극 사이에는 상기 트랜지스터(M16)의 게이트전압을 제어하기 위한 트랜지스터(M17)가 형성된다. 이러한 트랜지스터(M17)는 다이오드 연결되어 턴온상태를 유지한다. 이러한 트랜지스터들(M16,M17)은 상기 입력부(271)가 턴온되어 양의전원전압(VDD)이 제 1 출력단(N1)에 인가될 때 턴온되어 상기 음의전원전압(VSS)을 제 1 출력단으로 전달한다. 따라서, 상기 입력부(271)의 트랜지스터들(M14,M15)의 턴온 저항을 트랜지스터들(M16,M17)의 턴온 저항보다 작게 설계하여 상기 제 1 출력단(N1)이 양의전원전압(VDD)을 출력할 수 있도록 한다. 이러한 트랜지스터들(M14,M15,M16,M17)의 턴온 저항은 트랜지스터의 채널의 길이와 폭으로 조절이 가능하다. The first active load 277 has a negative power supply voltage VSS connected to the drain electrode, a first output terminal N1 connected to the source electrode, and a negative power supply voltage VSS according to the voltage applied to the gate electrode. ) Has a transistor M16 that transfers.) To a first output terminal N1. A transistor M17 for controlling the gate voltage of the transistor M16 is formed between the gate electrode and the drain electrode of the transistor M16. The transistor M17 is diode-connected to remain turned on. These transistors M16 and M17 are turned on when the input unit 271 is turned on and a positive power supply voltage VDD is applied to the first output terminal N1 to turn the negative power supply voltage VSS to the first output terminal. To pass. Therefore, the turn-on resistance of the transistors M14 and M15 of the input unit 271 is designed to be smaller than the turn-on resistance of the transistors M16 and M17 so that the first output terminal N1 outputs a positive power supply voltage VDD. Do it. The turn-on resistance of these transistors M14, M15, M16, and M17 can be adjusted by the length and width of the channel of the transistor.

상기 입력부(271)가 턴오프되면, 제 1 출력단(N1)은 음의전원전압(VSS) 레벨로 변화하고, 제 1 출력단(N1)의 전압변동에 따라 트랜지스터(M16)의 게이트전압도 로우레벨로 변화한다. 이러한 전압의 변동은 트랜지스터(M16)의 소스/게이트 사이의 커패시터에 의해 달성될 수 있다. 효과적으로는 트랜지스터(M16)의 소스/게이트전압을 유지하기 위하여 커패시터(C2)를 부가적으로 형성한다. 트랜지스터(M16)의 게이트전압이 계속적으로 하강하면서, 트랜지스터(M17)는 역바이어스 전압이 인가되어 턴오프되며, 트랜지스터(M16)는 커패시터(C2)에 의해 턴온상태를 유지한다. 따라서, 제 1 출력단(N1)은 음의전원전압(VSS) 레벨의 신호를 출력한다. When the input unit 271 is turned off, the first output terminal N1 is changed to a negative power supply voltage VSS level, and the gate voltage of the transistor M16 is also low level according to the voltage variation of the first output terminal N1. To change. This change in voltage can be achieved by a capacitor between the source / gate of transistor M16. Effectively, capacitor C2 is additionally formed to maintain the source / gate voltage of transistor M16. As the gate voltage of the transistor M16 continues to fall, the transistor M17 is turned off by applying a reverse bias voltage, and the transistor M16 is turned on by the capacitor C2. Accordingly, the first output terminal N1 outputs a signal having a negative power supply voltage VSS level.

인버터(273)는 상기 제 1 출력단(N1)의 출력신호를 인가받아 이를 반전하여 발광제어신호(E1)를 제 2 출력단(N2)으로 출력한다.The inverter 273 receives the output signal of the first output terminal N1 and inverts it to output the light emission control signal E1 to the second output terminal N2.

이러한 인버터(273)는 양의전원전압(VDD)와 음의전원전압(VSS)사이에 형성되어, 제 1 출력단(N1)의 출력신호에 의해 양의전원전압(VDD)또는 음의전원전압(VSS)을 선택적으로 출력하기 위한 트랜지스터들(M18,M19,M20)로 구성된다.The inverter 273 is formed between the positive power supply voltage VDD and the negative power supply voltage VSS, and is connected to the positive power supply voltage VDD or the negative power supply voltage by the output signal of the first output terminal N1. And transistors M18, M19, and M20 for selectively outputting VSS.

트랜지스터(M18)은 소스전극이 양의전원전압(VDD)과 연결되고, 드레인전극이 제 2 출력단(N2)과 연결되며, 상기 제 1 출력단(N1)의 출력신호에 따라 온/오프 동작하여, 양의전원전압(VDD)을 제 2 출력단(N2)으로 전달한다.The transistor M18 has a source electrode connected to a positive power supply voltage VDD, a drain electrode connected to a second output terminal N2, and turned on / off according to an output signal of the first output terminal N1. The positive power supply voltage VDD is transferred to the second output terminal N2.

트랜지스터(M19)는 음의전원전압(VSS)과 드레인전극이 연결되고, 제 2 출력단(N2)으로 소스전극이 연결되어, 게이트전극으로 인가되는 전압에 따라 온/오프되어 제 2 출력단(N2)의 출력전류를 제어하는 능동부하(275)로 동작한다.The transistor M19 has a negative power supply voltage VSS and a drain electrode connected thereto, a source electrode connected to the second output terminal N2, and turned on / off according to a voltage applied to the gate electrode N2. It acts as an active load 275 that controls its output current.

트랜지스터(M20)는 상기 트랜지스터(M19)의 게이트전극과 드레인전극 사이에 다이오드 연결되어 형성된다. 따라서, 트랜지스터(M20)은 턴온 상태를 유지하여, 트랜지스터(M19)의 게이트전극에 음의전원전압(VSS)과 트랜지스터(M20)의 문턱전압의 합에 상응하는 전압을 인가한다. The transistor M20 is formed by diode connection between the gate electrode and the drain electrode of the transistor M19. Accordingly, the transistor M20 maintains a turn-on state to apply a voltage corresponding to the sum of the negative power supply voltage VSS and the threshold voltage of the transistor M20 to the gate electrode of the transistor M19.

또한, 상기 인버터(273)는 상기 트랜지스터(M19)의 게이트전극과 제 2 출력단(N2) 사이에 형성되는 커패시터(C3)를 더 포함할 수 있다. 이러한 커패시터(C3)는 트랜지스터(M20)이 턴오프 되더라도, 트랜지스터(M19)의 게이트전극과 소스전극 사이의 전압을 일정하게 유지하여 트랜지스터(M19)의 턴온상태를 유지시키는 역할을 한다.In addition, the inverter 273 may further include a capacitor C3 formed between the gate electrode of the transistor M19 and the second output terminal N2. The capacitor C3 maintains the turn-on state of the transistor M19 by maintaining a constant voltage between the gate electrode and the source electrode of the transistor M19 even when the transistor M20 is turned off.

상기 인버터(273)의 동작을 살펴보면, 상기 인버터(273)의 트랜지스터(M18)로 로우레벨의 입력신호가 인가되면, 상기 트랜지스터(M18)는 턴온된다. 이때, 트 랜지스터(M20)가 턴온되어 트랜지스터(M19)의 게이트전극으로 음의전원전압(VSS)과 트랜지스터(M20)의 문턱전압의 합에 상응하는 전압을 인가한다. 따라서, 트랜지스터(M19)도 턴온된다. 인버터(273)는 로우레벨의 입력신호에 대하여 하이레벨의 출력신호를 생성해야 하므로, 음의전원전압(VSS)과 연결되는 트랜지스터들(M19,M20)의 턴온 저항이 양의전원전압(VDD)과 연결되는 트랜지스터(M18)의 턴온 저항보다 크게 설계된다. 따라서 제 2 출력단(N2)으로 출력되는 발광제어신호(E1)는 하이레벨의 양의전원전압(VDD) 값을 갖는다. 트랜지스터(M18,M19,M20)의 턴온 저항은 채널의 길이(Length) 및 채널의 폭(Width)을 조절하여 조절이 가능하다. Referring to the operation of the inverter 273, when a low level input signal is applied to the transistor M18 of the inverter 273, the transistor M18 is turned on. At this time, the transistor M20 is turned on to apply a voltage corresponding to the sum of the negative power supply voltage VSS and the threshold voltage of the transistor M20 to the gate electrode of the transistor M19. Thus, transistor M19 is also turned on. Since the inverter 273 needs to generate a high level output signal with respect to the low level input signal, the turn-on resistance of the transistors M19 and M20 connected to the negative power supply voltage VSS is positive in the power supply voltage VDD. It is designed to be larger than the turn-on resistance of the transistor M18 that is connected to. Therefore, the emission control signal E1 output to the second output terminal N2 has a high level of positive power supply voltage VDD. The turn-on resistance of the transistors M18, M19, and M20 may be adjusted by adjusting the length of the channel and the width of the channel.

다음으로, 상기 인버터(273)의 트랜지스터(M18)로 하이레벨의 입력신호가 인가되면, 상기 트랜지스터(M18)는 턴오프된다. 따라서 이미 턴온상태의 트랜지스터(M19)를 통하여 제 2 출력단(N2)의 전압은 점점 로우레벨로 변화된다. 이때, 트랜지스터(M19)의 게이트/소스 사이에 형성된 커패시터(C3)는 트랜지스터(M18)가 턴오프되기 전의 게이트/소스 사이의 전압을 유지한다. 예를 들어, 양의전원전압(VDD)이 5V이고, 음의전원전압(VSS)이 -7V인 경우, 트랜지스터(M18)가 턴온되어 제 2 출력단(N2)에 출력되는 전압은 5V이며, 트랜지스터(M19)의 게이트전압은 -7V가 된다. 따라서, 커패시터(C3)는 일정 전압을 유지하기 위하여, 제 2 출력단(N2)의 전압이 로우레벨로 변화함에 따라 트랜지스터(M19)의 게이트전압도 로우레벨로 변화시킨다. 이때, 트랜지스터(M19)의 게이트전압이 로우레벨로 변화하면서, 트랜지스터(M20)에 역바이어스 전압이 인가되어 트랜지스터(M20)는 턴오프된다. 따라서, 트랜지스터(M19)는 트랜지스터(M20)가 턴오프되더라도 커패시터(C3)에 의해 턴온 상태 를 유지한다. 제 2 출력단(N2)은 음의전원전압(VSS) 레벨인 -7V까지 변화하여 로우레벨의 발광제어신호(E1)를 출력한다. Next, when a high level input signal is applied to the transistor M18 of the inverter 273, the transistor M18 is turned off. Accordingly, the voltage of the second output terminal N2 gradually changes to the low level through the transistor M19 that is already turned on. At this time, the capacitor C3 formed between the gate / source of the transistor M19 maintains the voltage between the gate / source before the transistor M18 is turned off. For example, when the positive power supply voltage VDD is 5V and the negative power supply voltage VSS is -7V, the voltage of the transistor M18 is turned on and output to the second output terminal N2 is 5V. The gate voltage of M19 is -7V. Therefore, in order to maintain a constant voltage, the capacitor C3 also changes the gate voltage of the transistor M19 to a low level as the voltage of the second output terminal N2 changes to a low level. At this time, while the gate voltage of the transistor M19 is changed to the low level, the reverse bias voltage is applied to the transistor M20, and the transistor M20 is turned off. Thus, the transistor M19 remains turned on by the capacitor C3 even when the transistor M20 is turned off. The second output terminal N2 changes to a negative power supply voltage VSS level of -7V to output the low level light emission control signal E1.

이하, 연속된 플립플롭(FF1,FF2)의 출력신호(OUT1,OUT2)에 따른 상기 논리 게이트의 동작을 살펴본다. Hereinafter, the operation of the logic gate according to the output signals OUT1 and OUT2 of the successive flip-flops FF1 and FF2 will be described.

상기 입력부(271)로 인가되는 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)가 로우레벨이고, 제 2 플립플롭(F2)의 출력신호(OUT2)도 로우레벨인 경우, 상기 입력부(271)는 턴온되어, 제 1 출력단(N1)으로 양의전원전압(VDD)의 출력신호를 출력한다. When the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 applied to the input unit 271 is at a low level, and the output signal OUT2 of the second flip-flop F2 is also at a low level, the input unit 271 is provided. Is turned on to output the output signal of the positive power supply voltage VDD to the first output terminal N1.

이러한 제 1 출력단(N1)의 출력신호는 인버터(273)의 트랜지스터(M18)을 턴오프시킨다. 따라서 이미 턴온상태의 트랜지스터(M19)를 통하여 제 2 출력단(N2)은 음의전원전압(VSS)에 상응하는 로우레벨의 발광제어신호(E1)을 출력한다.The output signal of the first output terminal N1 turns off the transistor M18 of the inverter 273. Accordingly, the second output terminal N2 outputs the low level emission control signal E1 corresponding to the negative power supply voltage VSS through the transistor M19 that is already turned on.

다음으로, 상기 입력부(271)로 인가되는 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)가 로우레벨이고, 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)가 하이레벨이거나, 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)가 하이레벨이고, 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)가 로우레벨인 경우를 살펴본다.Next, the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 applied to the input unit 271 is at a low level, and the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2 is at a high level, or a first flip. The case where the output signal OUT1 of the flop FF1 is high level and the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2 is low level will be described.

상기의 경우 입력부(271)의 트랜지스터들(M14,M15)은 직렬 연결되어 있으므로, 입력부(271)는 턴오프된다. 상기 입력부(271)가 턴오프되면, 제 1 출력단(N1)은 음의전원전압(VSS) 레벨로 변화하고, 제 1 출력단(N1)의 전압변동에 따라 트랜지스터(M16)의 게이트전극의 전압도 하강한다. 트랜지스터(M16)의 전압이 계속적으로 하강하면서, 트랜지스터(M17)는 역바이어스 전압이 인가되어 턴오프되며, 트랜 지스터(M16)는 커패시터(C2)에 의해 턴온상태를 유지한다. 따라서, 제 1 출력단(N1)은 음의전원전압(VSS)에 상응하는 로우레벨의 출력신호를 출력한다. In this case, since the transistors M14 and M15 of the input unit 271 are connected in series, the input unit 271 is turned off. When the input unit 271 is turned off, the first output terminal N1 changes to a negative power supply voltage VSS level, and the voltage of the gate electrode of the transistor M16 is changed according to the voltage variation of the first output terminal N1. Descend. As the voltage of the transistor M16 continues to fall, the transistor M17 is turned off by applying a reverse bias voltage, and the transistor M16 is turned on by the capacitor C2. Accordingly, the first output terminal N1 outputs a low level output signal corresponding to the negative power supply voltage VSS.

따라서 상기 인버터(273)의 트랜지스터(M18)은 로우레벨의 제 1 출력단(N1)의 출력신호를 인가받아 턴온되어, 제 2 출력단(N2)으로 양의전원전압(VDD)을 전달한다. 따라서 제 2 출력단(N2)으로는 양의전원전압(VDD)에 상응하는 하이레벨의 발광제어신호(E1)가 발생한다. Accordingly, the transistor M18 of the inverter 273 is turned on by receiving the output signal of the first output terminal N1 having a low level, and transmits a positive power supply voltage VDD to the second output terminal N2. Accordingly, a high level emission control signal E1 corresponding to the positive power supply voltage VDD is generated at the second output terminal N2.

상기의 플립플롭들(FF1~FFn+1)을 구성하는 트랜지스터들 및 논리 게이트(OR1~ORn)를 구성하는 트랜지스터들은 모두 P 타입 MOSFET이며, 따라서 화소부(100)의 각각의 화소를 구동하는 트랜지스터들과 동일한 공정에서 제조할 수 있다. The transistors constituting the flip-flops FF1 to FFn + 1 and the transistors constituting the logic gates OR1 to ORn are all P-type MOSFETs, and thus transistors for driving each pixel of the pixel portion 100. It can manufacture in the same process as these.

도 11은 본 발명의 실시예에 따른 발광제어 구동부의 동작을 나타내는 타이밍도이다. 11 is a timing diagram illustrating an operation of a light emission control driver according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 시프트 레지스터(260)의 다수의 플립플롭(FF1~FFn+1)은 클럭신호(CLK)와 반전된 클럭신호(CLKB)를 공통으로 인가받으며, 이전 플립플롭의 출력신호를 입력신호로 인가받는다.Referring to FIG. 11, the plurality of flip-flops FF1 to FFn + 1 of the shift register 260 are commonly applied with the clock signal CLK and the inverted clock signal CLKB, and receive the output signal of the previous flip-flop. It is applied as an input signal.

먼저, 개시펄스(Vsp)가 제 1 플립플롭(FF1)의 입력으로 인가되면, 제 1 플립플롭(FF1)은 상기 클럭신호(CLK)의 1번째 하강에지에서 하이레벨의 출력신호(OUT1)를 클럭 한 주기 동안 출력한다. First, when the start pulse Vsp is applied to the input of the first flip-flop FF1, the first flip-flop FF1 receives the high level output signal OUT1 at the first falling edge of the clock signal CLK. Output for one clock cycle.

다음으로, 상기 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)가 제 2 플립플롭(FF2)의 입력으로 인가되면, 제 2 플립플롭(FF2)은 상기 클럭신호(CLK)의 2번째 하강에지에서 하이레벨의 출력신호(OUT2)를 클럭 한 주기 동안 출력한다. Next, when the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 is applied to the input of the second flip-flop FF2, the second flip-flop FF2 is the second falling edge of the clock signal CLK. Outputs the high level output signal OUT2 for one clock cycle.

위와 같은 동작을 반복하여, 마지막으로 제 n 플립플롭(FFn)의 출력신호(OUTn)가 제 n+1 플립플롭(FFn+1)의 입력으로 인가되면, 제 n+1 플립플롭(FFn+1)은상기 클럭신호(CLK)의 n+1번째 하강에지에서 하이레벨의 출력신호(OUTn+1)를 클럭 한 주기 동안 출력한다. 따라서, 시프트 레지스터(260)는 클럭 한 주기 마다 시프트되는 출력신호들(OUT1~OUTn+1)을 논리 연산부(270)로 인가한다.By repeating the above operation, when the output signal OUTn of the nth flip-flop FFn is applied to the input of the n + 1th flip-flop FFn + 1, the n + 1th flip-flop FFn + 1 ) Outputs the high level output signal OUTn + 1 for one cycle at the n + 1th falling edge of the clock signal CLK. Accordingly, the shift register 260 applies the output signals OUT1 to OUTn + 1, which are shifted every clock cycle, to the logic operation unit 270.

논리 연산부(270)는 다수의 논리 게이트(OR1~ORn)로 구성되며, 상기 플립플롭(FF1~FFn+1)의 출력신호들(OUT1~OUTn+1)을 인가받아 논리합 연산을 수행하여 발광제어신호(E1~En)를 출력한다.The logic operation unit 270 includes a plurality of logic gates OR1 to ORn, and receives the output signals OUT1 to OUTn + 1 of the flip-flop FF1 to FFn + 1 to perform a logic sum operation to control light emission. Output signals E1 to En.

제 1 논리 게이트(OR1)는 상기 제 1 플립플롭(FF1)의 출력신호(OUT1)와 상기 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)를 인가받는다. 따라서, 제 1 출력신호(OUT1)와 제 2 출력신호(OUT2)가 로우레벨인 경우, 상기 제 1 논리 게이트(OR1)는 로우레벨의 발광제어신호(E1)를 출력하고, 그 이외의 레벨상태에서는 하이레벨의 발광제어신호(E1)를 출력한다.The first logic gate OR1 receives the output signal OUT1 of the first flip-flop FF1 and the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2. Therefore, when the first output signal OUT1 and the second output signal OUT2 are at the low level, the first logic gate OR1 outputs the light emission control signal E1 at a low level, and other level states. Outputs a high level light emission control signal E1.

다음으로, 제 2 논리 게이트(OR2)는 상기 제 2 플립플롭(FF2)의 출력신호(OUT2)와 상기 제 3 플립플롭(FF3)의 출력신호(OUT3)를 인가받는다. 따라서, 제 2 출력신호(OUT2)와 제 3 출력신호(OUT3)가 로우레벨인 경우, 상기 제 2 논리 게이트(OR2)는 로우레벨의 발광제어신호(E2)를 출력하고, 그 이외의 레벨상태에서는 하이레벨의 발광제어신호(E2)를 출력한다. 따라서, 제 2 발광제어신호(E2)는 제 1 발광제어신호(E1)보다 클럭 한 주기만큼 시프트(shift)되어 출력된다.Next, the second logic gate OR2 receives the output signal OUT2 of the second flip-flop FF2 and the output signal OUT3 of the third flip-flop FF3. Therefore, when the second output signal OUT2 and the third output signal OUT3 are at the low level, the second logic gate OR2 outputs the light emission control signal E2 at the low level, and other level states. Outputs a high level light emission control signal E2. Therefore, the second emission control signal E2 is shifted by a clock cycle than the first emission control signal E1 and output.

위와 같은 동작을 반복하여, 마지막으로 제 n 논리 게이트(ORn)는 상기 제 n 플립플롭(FFn)의 출력신호(OUTn)와 상기 제 n+1 플립플롭(FFn+1)의 출력신호(OUT n+1)를 인가받는다. 따라서, 제 n 출력신호(OUTn)와 제 n+1 출력신호(OUTn+1)가 로우레벨인 경우, 상기 제 n 논리 게이트(ORn)는 로우레벨의 발광제어신호(En)를 출력하고, 그 이외의 레벨상태에서는 하이레벨의 발광제어신호(En)를 출력한다. By repeating the above operation, the n-th logic gate ORn finally outputs the output signal OUTn of the nth flip-flop FFn and the output signal OUT n of the n + 1th flip-flop FFn + 1. +1) is authorized. Therefore, when the nth output signal OUTn and the n + 1th output signal OUTn + 1 are at a low level, the nth logic gate ORn outputs a low level emission control signal En, In other levels, the high level light emission control signal En is output.

상기의 발광제어 구동부(250)는 시프트 레지스터(260) 및 논리 연산부(270)을 형성하는 트랜지스터들이 모두 P타입 MOSFET으로 구성되어 있어, SOP(System On Panel)의 구현이 용이하다. Since the transistors forming the shift register 260 and the logic operation unit 270 are all formed of a P-type MOSFET, the SOP (System On Panel) can be easily implemented.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 화소부로 발광제어신호를 인가하는 발광제어 구동부가 화소부를 형성하는 트랜지스터들과 동일한 타입의 트랜지스터들로 형성된다. 따라서, 화소부와 동일한 공정으로 발광제어 구동부를 제조할 수 있어, 공정이 단순화된다. 또한, 발광제어 구동부와 패널의 연결공간이 필요하지 않아 일정한 크기의 기판 상에 화소부 즉, 영상이 디스플레이되는 면적을 증가시킬 수 있다. According to the present invention as described above, the emission control driver for applying the emission control signal to the pixel portion is formed of transistors of the same type as the transistors forming the pixel portion. Therefore, the light emission control driver can be manufactured in the same process as the pixel portion, and the process is simplified. In addition, since the connection space between the emission control driver and the panel is not required, the area of the pixel portion, that is, the image, may be increased on the substrate having a predetermined size.

다수의 패널을 타일링방식을 이용하여 형성되는 유기전계발광표시장치의 경우 패널과 구동용 집적회로를 접합할 수 있는 영역이 감소하므로, 발광제어 구동부를 패널 상에 형성할 수 있어 더욱 유용하다.In the case of an organic light emitting display device in which a plurality of panels are formed using a tiling method, an area in which the panel and the driver integrated circuit can be bonded is reduced, so that the emission control driver can be formed on the panel, which is more useful.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although described above with reference to a preferred embodiment of the present invention, those skilled in the art will be variously modified and changed within the scope of the invention without departing from the spirit and scope of the invention described in the claims below I can understand that you can.

Claims (16)

영상을 디스플레이 하기 위한 화소부:Pixel part for displaying images: 상기 화소부로 주사신호를 순차적으로 공급하기 위한 주사 구동부;A scan driver for sequentially supplying scan signals to the pixel portion; 상기 화소부로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동부; 및A data driver for supplying a data signal to the pixel portion; And 상기 화소부로 발광제어신호를 공급하기 위한 발광제어 구동부를 포함하며, 상기 발광제어 구동부는,A light emission control driver for supplying a light emission control signal to the pixel unit; 개시펄스를 인가받고, 클럭신호와 반전된 클럭신호에 동기되어 출력신호를 공급하는 다수의 플립플롭들; 및A plurality of flip-flops receiving a start pulse and supplying an output signal in synchronization with a clock signal and an inverted clock signal; And 이웃한 2개의 플립플롭들로부터 2개의 출력신호를 인가받아, 논리 합 연산을 수행하여 상기 화소부로 발광제어신호를 공급하는 다수의 논리 게이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And a plurality of logic gates receiving two output signals from two adjacent flip-flops and performing a logic sum operation to supply a light emission control signal to the pixel portion. 제 1항에 있어서, 각각의 상기 플립플롭은,The method of claim 1, wherein each of the flip-flops, 상기 반전된 클럭신호에 의해 턴온되어 입력신호를 전달하는 제 1 트랜지스터;A first transistor turned on by the inverted clock signal to transfer an input signal; 상기 제 1 트랜지스터의 출력신호를 반전하는 제 1 인버터;A first inverter for inverting the output signal of the first transistor; 상기 클럭신호의 하강에지에서 상기 제 1 인버터의 출력신호를 샘플링하는 제 2 트랜지스터; 및A second transistor sampling an output signal of the first inverter at a falling edge of the clock signal; And 상기 제 2 트랜지스터의 출력신호를 반전하는 제 2 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And a second inverter for inverting the output signal of the second transistor. 제2항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인버터는,The method of claim 2, wherein the first and second inverters, 양의전원전압과 출력단 사이에 연결되고, 상기 제 1 또는 제 2 트랜지스터의 출력신호에 의해 턴온되어 상기 양의전원전압을 상기 출력단에 전달하는 제 3 트랜지스터; 및 A third transistor connected between a positive power supply voltage and an output terminal and turned on by an output signal of the first or second transistor to transfer the positive power supply voltage to the output terminal; And 음의전원전압과 상기 출력단 사이에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 온/오프에 따라 상기 출력단으로 흐르는 전류량을 제어하는 제 4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And a fourth transistor connected between a negative power supply voltage and the output terminal and controlling an amount of current flowing to the output terminal according to on / off of the third transistor. 제 3항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인버터는,The method of claim 3, wherein the first and second inverters, 상기 음의전원전압과 상기 제 4 트랜지스터의 게이트전극 사이에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 게이트전압을 제어하기 위한 다이오드 연결된 제 5 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And a fifth transistor connected between the negative power supply voltage and the gate electrode of the fourth transistor and diode-connected for controlling the gate voltage of the fourth transistor. 제4항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인버터는,The method of claim 4, wherein the first and second inverters, 상기 출력단과 상기 제 4 트랜지스터의 게이트전극 사이에 형성되어, 상기 출력단과 제 4 트랜지스터의 게이트전극 사이의 전압을 일정하게 유지하기 위한 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And a capacitor formed between the output terminal and the gate electrode of the fourth transistor to maintain a constant voltage between the output terminal and the gate electrode of the fourth transistor. 제5항에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터의 턴온 저항은 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터의 턴온 저항보다 작은 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 5, wherein the turn-on resistance of the third transistor is smaller than that of the fourth and fifth transistors. 제6항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 5 트랜지스터들은 P타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device of claim 6, wherein the first to fifth transistors are metal oxide semiconductor field effect transistors (P MOSFETs). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화소부, 주사 구동부, 데이터 구동부 및 발광제어 구동부는 하나의 기판상에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.And the pixel portion, the scan driver, the data driver, and the light emission control driver are formed on one substrate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 전계발광 표시장치는 다수개의 유기 전계발광 표시장치가 타일형태로 결합하여 하나의 영상을 표시하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic electroluminescent display device is characterized in that a plurality of organic electroluminescent display devices are combined in a tile form to display a single image. 개시펄스를 인가받고, 클럭신호와 반전된 클럭신호에 동기되어 출력신호를 생성하는 제 1 플립플롭; A first flip-flop receiving a start pulse and generating an output signal in synchronization with a clock signal inverted from the clock signal; 상기 제 1 플립플롭의 출력신호를 인가받고, 상기 클럭신호와 상기 반전된 클럭신호에 동기되어 출력신호를 생성하는 제 2 플립플롭; 및A second flip-flop receiving an output signal of the first flip-flop and generating an output signal in synchronization with the clock signal and the inverted clock signal; And 상기 제 1 플립플롭 및 제 2 플립플롭로부터 출력신호들을 인가받아, 논리 합 연산을 수행하여 발광제어신호를 공급하는 논리 게이트를 포함하는 발광제어 구동장치.And a logic gate configured to receive output signals from the first flip-flop and the second flip-flop, and perform a logic sum operation to supply an emission control signal. 제10항에 있어서, 각각의 상기 플립플롭은,The method of claim 10, wherein each of the flip-flops, 상기 반전된 클럭신호에 의해 턴온되어 입력신호를 전달하는 제 1 트랜지스터;A first transistor turned on by the inverted clock signal to transfer an input signal; 상기 제 1 트랜지스터의 출력신호를 반전하는 제 1 인버터;A first inverter for inverting the output signal of the first transistor; 상기 클럭신호의 하강에지에서 상기 제 1 인버터의 출력신호를 샘플링하는 제 2 트랜지스터; 및A second transistor sampling an output signal of the first inverter at a falling edge of the clock signal; And 상기 제 2 트랜지스터의 출력신호를 반전하는 제 2 인버터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광제어 구동장치.And a second inverter for inverting the output signal of the second transistor. 제11항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인버터는,The method of claim 11, wherein the first and second inverters, 양의전원전압과 출력단 사이에 연결되고, 상기 제 1 또는 제 2 트랜지스터의 출력신호에 의해 턴온되어 상기 양의전원전압을 상기 출력단에 전달하는 제 3 트랜지스터; 및 A third transistor connected between a positive power supply voltage and an output terminal and turned on by an output signal of the first or second transistor to transfer the positive power supply voltage to the output terminal; And 음의전원전압과 상기 출력단 사이에 연결되고, 상기 제 3 트랜지스터의 온/오프에 따라 상기 출력단으로 흐르는 전류량을 제어하는 제 4 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광제어 구동장치.And a fourth transistor connected between a negative power supply voltage and the output terminal and controlling an amount of current flowing to the output terminal according to on / off of the third transistor. 제12항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인버터는,The method of claim 12, wherein the first and second inverters, 상기 음의전원전압과 상기 제 4 트랜지스터의 게이트전극 사이에 연결되고, 상기 제 4 트랜지스터의 게이트전압을 제어하기 위한 다이오드 연결된 제 5 트랜지스터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광제어 구동장치.And a fifth transistor connected between the negative power supply voltage and the gate electrode of the fourth transistor and diode-connected for controlling the gate voltage of the fourth transistor. 제13항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 인버터는,The method of claim 13, wherein the first and second inverters, 상기 출력단과 상기 제 4 트랜지스터의 게이트전극 사이에 연결되어, 상기 출력단과 제 4 트랜지스터의 게이트전극 사이의 전압을 일정하게 유지하기 위한 커패시터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광제어 구동장치.And a capacitor connected between the output terminal and the gate electrode of the fourth transistor to maintain a constant voltage between the output terminal and the gate electrode of the fourth transistor. 제14항에 있어서, 상기 제 3 트랜지스터의 턴온 저항은 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터의 턴온 저항보다 작은 것을 특징으로 하는 발광제어 구동장치.15. The light emission control driving device according to claim 14, wherein the turn-on resistance of the third transistor is smaller than that of the fourth and fifth transistors. 제15항에 있어서, 상기 제 1내지 제 5 트랜지스터들은 P타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 발광제어 구동장치.16. The light emission control driving device according to claim 15, wherein the first to fifth transistors are metal oxide semiconductor field effect transistors (P MOSFETs).
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