KR100617050B1 - Ion Implantation Apparatus - Google Patents

Ion Implantation Apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100617050B1
KR100617050B1 KR1020040111160A KR20040111160A KR100617050B1 KR 100617050 B1 KR100617050 B1 KR 100617050B1 KR 1020040111160 A KR1020040111160 A KR 1020040111160A KR 20040111160 A KR20040111160 A KR 20040111160A KR 100617050 B1 KR100617050 B1 KR 100617050B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ion
target chamber
plate
ions
wafer
Prior art date
Application number
KR1020040111160A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060072501A (en
Inventor
박진하
Original Assignee
동부일렉트로닉스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동부일렉트로닉스 주식회사 filed Critical 동부일렉트로닉스 주식회사
Priority to KR1020040111160A priority Critical patent/KR100617050B1/en
Publication of KR20060072501A publication Critical patent/KR20060072501A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100617050B1 publication Critical patent/KR100617050B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 상에 이온 빔(Ion Beam)을 주입시 이온 빔에 의해 파손된 이온 애널라이져의 파손 부분만을 교체할 수 있도록 한 이온 주입장치에 관한 것이다.The present invention relates to an ion implantation apparatus capable of replacing only a broken portion of an ion analyzer broken by an ion beam when an ion beam is implanted on a wafer.

본 발명에 따른 이온 주입장치는 외부로부터 이온이 주입될 웨이퍼가 로딩되는 타겟 챔버와, 가스로부터 이온을 얻기 위한 이온 소스부와, 상기 이온 소스부로부터 원하는 이온 빔만을 선별하여 상기 타겟 챔버로 보내는 애널라이져 마그넷부와, 상기 애널라이져 마그넷부에 설치되어 상기 원하는 이온 빔을 제외한 원하지 않는 이온 빔이 상기 타겟 챔버로 향하는 것을 방지하기 위한 복수의 빔 스트라이크 플레이트를 가지며; 상기 각 빔 스트라이크 플레이트는; 플레이트와, 상기 플레이트에 착탈가능하게 설치되어 상기 원하지 않는 이온 빔이 상기 타겟 챔버로 향하는 것을 방지하는 복수의 빔 스트라이크들과, 상기 플레이트의 배면을 관통하여 상기 각 빔 스트라이크에 체결되는 복수의 스크류를 구비하는 것을 특징으로 한다.The ion implantation apparatus according to the present invention comprises a target chamber into which a wafer into which ions are to be implanted is loaded, an ion source unit for obtaining ions from a gas, and an analyzer for selecting only a desired ion beam from the ion source unit and sending the ion beam to the target chamber A riser magnet portion and a plurality of beam strike plates mounted on the analyzer magnet portion to prevent unwanted ion beams other than the desired ion beams from being directed to the target chamber; Each of the beam strike plates; A plate, a plurality of beam strikes detachably installed on the plate to prevent the unwanted ion beam from being directed to the target chamber, and a plurality of screws penetrating the rear surface of the plate and fastened to the respective beam strikes. It is characterized by including.

이러한 구성에 의하여 본 발명은 애널라이져 마그넷부에서 빔 스트라이크 플레이트의 유지비용을 감소시킬 수 있다.By such a configuration, the present invention can reduce the maintenance cost of the beam strike plate in the analyzer magnet portion.

이온 주입장치, 애널라이져 마그넷, 빔 스트라이크Ion Implanter, Analyzer Magnet, Beam Strike

Description

이온 주입장치{Ion Implantation Apparatus}Ion Implantation Apparatus {Ion Implantation Apparatus}

도 1은 종래의 이온 주입장치에 있어서 빔 스트라이크 플레이트를 나타내는 도면.1 is a view showing a beam strike plate in a conventional ion implanter.

도 2는 이온 빔에 의해 특정부분이 손상된 빔 스트라이크 플레이트를 나타내는 도면.2 shows a beam strike plate in which a specific portion is damaged by an ion beam.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치를 나타내는 도면.3 is a view showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3에 도시된 애널라이져 마그넷부를 나타내는 도면.FIG. 4 is a diagram illustrating an analyzer magnet unit shown in FIG. 3. FIG.

도 5는 도 4에 도시된 빔 스트라이크 플레이트를 나타내는 분해사시도.FIG. 5 is an exploded perspective view showing the beam strike plate shown in FIG. 4. FIG.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

110 : 가스 캐비넷 120 : 이온 소스부110: gas cabinet 120: ion source portion

130 : 추출전극부 140 : 애널라이져 마그넷부130: extraction electrode portion 140: analyzer magnet portion

142,144,146 : 빔 스트라이크 플레이트 143 : 플레이트142,144,146: beam strike plate 143: plate

145 : 빔 스트라이크 148 : 스크류145: beam strike 148: screw

본 발명은 반도체 제조장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 상에 이온 빔(Ion Beam)을 주입시 이온 빔에 의해 파손된 이온 애널라이져의 파손 부분만을 교체할 수 있도록 한 이온 주입장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to an ion implantation apparatus capable of replacing only a damaged portion of an ion analyzer damaged by an ion beam when implanting an ion beam onto a wafer.

일반적으로 반도체 제조공정 중 이온 주입공정(Ion Implantation)은 반도체가 전기적 특성을 갖도록 하기 위하여 웨이퍼에 불순물을 주입시키는 방법 중의 하나로서, 원하는 종류의 불순물을 이온 빔으로 변환시킨 다음, 이를 가속시켜 필요한 양이나 필요한 깊이로 웨이퍼상에 골고루 혹은 필요한 부분에만 선택적으로 주입시키는 공정이다.In general, ion implantation (Ion Implantation) of the semiconductor manufacturing process is a method of injecting impurities into the wafer in order to have a semiconductor electrical characteristics, converts the desired type of impurities into an ion beam, and then accelerates the required amount However, it is a process to selectively inject evenly or only necessary parts on the wafer to the required depth.

이러한, 이온 주입공정에 사용되는 이온 주입장치는 외부로부터 이온이 주입될 웨이퍼가 로딩되는 타겟 챔버(Target Chamber)와, 이온을 얻기 위한 이온 소스(Ion Source)부와, 이온 소스부로부터 이온을 웨이퍼 쪽으로 보내는 추출전극부와, 에너지를 조절하여 매스(Mass) 및 차지(Charge)를 가진 이온만을 선별하여 웨이퍼가 로딩된 타겟 챔버로 보내는 애널라이져 마그넷(Analyzer Magnet)부를 구비한다.The ion implantation apparatus used in the ion implantation process includes a target chamber in which a wafer to be implanted with ions is loaded, an ion source unit for obtaining ions, and ions from the ion source unit. An extracting electrode portion to be sent to the side, and an analyzer magnet (Analyzer Magnet) portion for controlling the energy to sort only the ions having a mass (mass) and charge (Charge) to send to the target chamber loaded with the wafer.

이러한, 종래의 이온 주입장치는 이온 소스부에서 생성된 이온을 애널라이져마그넷부를 통과함으로써 원하는 원자량의 이온 만이 웨이퍼에 도달하게 된다. 이때, 플레밍의 오른손 법칙에 의해 원하는 이온에 따르는 에너지를 애널라이져 마그넷부에 걸어줌으로써 원하는 이온을 분류하게 된다.In such a conventional ion implanter, ions generated in the ion source portion pass through the analyzer magnet portion so that only ions of a desired atomic weight reach the wafer. At this time, according to Fleming's right-hand rule, the energy corresponding to the desired ion is applied to the analyzer magnet to classify the desired ion.

이러한, 종래의 이온 주입장치에서는 이온 소스부로부터의 이온을 분류하는 동안 원하는 이온은 애널라이져 마그넷부에 의해 분류되어 웨이퍼로 주입되지만 원하지 않는 매스를 가진 이온들은 애널라이져 마그넷부의 외벽에 부딪쳐 사라지거나 바운딩되어 웨이퍼로 주입되게 된다. 이와 같은, 영향을 제거하기 위하여 애널라 이져 마그넷부는 도 1에 도시된 마와 같이 빔 스트라이크 플레이트(Beam Strike Plate)(40)를 구비한다.In the conventional ion implantation apparatus, while sorting ions from the ion source portion, desired ions are sorted by the analyzer magnet portion and injected into the wafer, but ions having unwanted masses collide with the outer wall of the analyzer magnet portion to disappear or bound. And injected into the wafer. In order to eliminate the influence, the analyzer magnet part includes a beam strike plate 40 as shown in FIG. 1.

빔 스트라이크 플레이트(40)는 전면에 그래파이트(Graphite) 재질의 톱니 모양을 가지는 복수의 빔 스트라이크(45)를 구비한다. 이러한, 복수의 빔 스트라이크(45)는 원하지 않는 매스의 이온들이 벽에 부딪친 후 다시 웨이퍼가 있는 쪽으로 바운드(Bound) 되어 AMU(Atomic Mass Unit) 오염이 일어나는 것을 방지하지 하게 된다.The beam strike plate 40 includes a plurality of beam strikes 45 having a sawtooth shape of graphite material on a front surface thereof. Such a plurality of beam strikes 45 are bound to the wafer back after the unwanted mass of ions hit the wall to prevent AMU (Atomic Mass Unit) contamination.

그러나, 빔 스트라이크 플레이트(40)에서 그래파이트 재질인 톱니 모양을 가지는 복수의 빔 스트라이크(45)는 이온 빔에 의해서 도 2에 도시된 바와 같이 특정부위(A)가 손상을 입게 된다. 이러한, 복수의 빔 스트라이크(45) 중 특정부위(A)의 손상은 이온 빔의 바운딩을 방지할 수 없으므로 결국 매스의 오염을 방지할 수 없게 된다. 이에 따라, 종래의 이온 주입장치에서는 고가인 빔 스트라이크 플레이트(40)를 주기적으로 교체하여 이러한 현상을 방지하므로 애널라이져 마그넷부의 유지비용이 증가하는 문제점이 있다.However, in the beam strike plate 40, the plurality of beam strikes 45 having a sawtooth shape of graphite material are damaged by the ion beam as shown in FIG. 2. The damage of the specific portion A of the plurality of beam strikes 45 cannot prevent the ion beam from bounding, and thus, contamination of the mass cannot be prevented. Accordingly, in the conventional ion implantation apparatus, since the expensive beam strike plate 40 is periodically replaced to prevent such a phenomenon, the maintenance cost of the analyzer magnet part increases.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 웨이퍼 상에 이온 빔(Ion Beam)을 주입시 이온 빔에 의해 파손된 이온 애널라이져의 파손 부분만을 교체할 수 있도록 한 이온 주입장치를 제공하는데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art, it is possible to replace only the damaged portion of the ion analyzer damaged by the ion beam when implanting the ion beam (Ion Beam) on the wafer. An ion implanter is provided.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치는 외부로부터 이온이 주입될 웨이퍼가 로딩되는 타겟 챔버와, 가스로부터 이온을 얻기 위한 이온 소스부와, 상기 이온 소스부로부터 원하는 이온 빔만을 선별하여 상기 타겟 챔버로 보내는 애널라이져 마그넷부와, 상기 애널라이져 마그넷부에 설치되어 상기 원하는 이온 빔을 제외한 원하지 않는 이온 빔이 상기 타겟 챔버로 향하는 것을 방지하기 위한 복수의 빔 스트라이크 플레이트를 가지며; 상기 각 빔 스트라이크 플레이트는; 플레이트와, 상기 플레이트에 착탈가능하게 설치되어 상기 원하지 않는 이온 빔이 상기 타겟 챔버로 향하는 것을 방지하는 복수의 빔 스트라이크들과, 상기 플레이트의 배면을 관통하여 상기 각 빔 스트라이크에 체결되는 복수의 스크류를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention, the target chamber is loaded with a wafer to be implanted with ions from the outside, an ion source portion for obtaining ions from a gas, from the ion source portion An analyzer magnet portion that selects and sends only a desired ion beam to the target chamber, and a plurality of beam strike plates installed on the analyzer magnet portion to prevent unwanted ion beams excluding the desired ion beam from being directed to the target chamber Has; Each of the beam strike plates; A plate, a plurality of beam strikes detachably installed on the plate to prevent the unwanted ion beam from being directed to the target chamber, and a plurality of screws penetrating the rear surface of the plate and fastened to the respective beam strikes. It is characterized by including.

삭제delete

상기 이온 주입장치에서 상기 애널라이져 마그넷부는 L자 형태를 가지며 상부 및 하부간에 자기장을 형성하여 상기 원하는 이온 빔을 상기 타겟 챔버로 향하도록 하는 덕트를 구비하는 것을 특징으로 한다.In the ion implantation device, the analyzer magnet portion has an L shape and has a duct which forms a magnetic field between the upper and lower portions to direct the desired ion beam to the target chamber.

상기 이온 주입장치에서 상기 복수의 빔 스트라이크 플레이트는 상기 덕트의 모서리 부분에 설치되는 것을 특징으로 한다.In the ion implantation device, the plurality of beam strike plates is installed at an edge portion of the duct.

이하 발명의 바람직한 실시 예에 따른 구성 및 작용을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the configuration and operation according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치를 나타내는 도면이다.3 is a view showing an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치는 외부로부터 이온이 주입될 웨이퍼가 로딩되는 타겟 챔버(Target Chamber) (150)와, 가스 캐비넷(110)과, 가스 캐비넷(110)으로부터의 가스로부터 이온을 얻기 위한 이온 소스(Ion Source)부(120)와, 이온 소스부(120)로부터 이온을 웨이퍼 쪽으로 보내는 추출전극부(130)와, 에너지를 조절하여 매스(Mass) 및 차지(Charge)를 가진 이온만을 선별하여 웨이퍼가 로딩된 타겟 챔버(150)로 보내는 애널라이져 마그넷(Analyzer Magnet)부(140)를 구비한다.Referring to FIG. 3, an ion implantation apparatus according to an embodiment of the present invention includes a target chamber 150, a gas cabinet 110, and a gas cabinet 110 in which a wafer into which ions are to be implanted from the outside is loaded. An ion source unit 120 for obtaining ions from the gas from the gas, an extraction electrode unit 130 for sending ions from the ion source unit 120 toward the wafer, and a mass and charge by adjusting energy An analyzer magnet (140) is provided to select only ions having a charge and send them to the target chamber 150 in which the wafer is loaded.

그리고, 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치의 타겟 챔버(150)는 조밀한 이온 빔(Ion Beam)이 블로우-업(Blow-Up)되는 것을 방지하기 위한 사중극 렌즈(Quardupole Lens)(152)와, 웨이퍼에 주입할 이온 빔의 전류를 측정하는 플래그 패러데이(Flag Faraday)(154)와, 외부로부터 공급된 웨이퍼를 고속으로 회전 및 상하 운동시킴으로써 웨이퍼에 이온들이 골고루 주입시키는 디스크 패러데이 및 웨이퍼 핸들러(156)를 구비한다.In addition, the target chamber 150 of the ion implantation apparatus according to the embodiment of the present invention has a quadrupole lens 152 for preventing the dense ion beam from being blowed up. Flag Faraday 154, which measures the current of the ion beam to be injected into the wafer, and a disk Faraday and wafer handler that evenly injects ions into the wafer by rotating and vertically moving the wafer supplied from the outside at high speed. 156 is provided.

가스 캐비넷(110)은 불순물 가스(Gas)를 이온 소스부(120)로 공급한다.The gas cabinet 110 supplies an impurity gas (Gas) to the ion source unit 120.

이온 소스부(120)는 가스 캐비넷(110)으로부터 공급되는 불순물 가스를 이온화시킨 후, 이를 강한 전계로 높은 에너지를 공급하여 빠른 속도로 이동하는 이온 빔을 추출한다.The ion source unit 120 ionizes the impurity gas supplied from the gas cabinet 110, and then extracts the ion beam moving at a high speed by supplying high energy with a strong electric field.

추출전극부(130)는 인가되는 전압에 의해 이온 소스부(120)로부터 추출된 이온 빔을 타겟 챔버(150) 쪽으로 보내게 된다.The extraction electrode unit 130 sends the ion beam extracted from the ion source unit 120 toward the target chamber 150 by the applied voltage.

애널라이져 마그넷부(140)는 플레밍의 오른손 법칙에 의해 원하는 이온에 따 르는 에너지를 조절하여 추출전극부(130)로부터의 매스 및 차지를 가진 이온만을 선별하여 웨이퍼가 로딩된 타겟 챔버(150)로 휘어지도록 한다.The analyzer magnet unit 140 adjusts the energy according to the desired ions by Fleming's right-hand rule to select only ions having mass and charge from the extraction electrode unit 130 to the target chamber 150 in which the wafer is loaded. Let it bend.

이를 위해, 도 4에 도시된 바와 같이 L자 형태를 가지는 덕트(141)와, 덕트(141)의 모서리 부분에 나란하게 설치되는 제 1 내지 제 3 빔 스트라이크 플레이트(142, 144, 146)를 구비한다.To this end, as shown in FIG. 4, the duct 141 having an L shape and first to third beam strike plates 142, 144, and 146 installed side by side at a corner portion of the duct 141 are provided. do.

덕트(141)는 상부와 하부에 전기장을 걸어 조정해줌으로써 추출전극부(130)로부터의 주입되는 이온 빔을 플레밍의 오른손 법칙에 따라 웨이퍼가 있는 타겟 챔버로 휘어지도록 하는 역할을 한다.The duct 141 serves to bend the ion beam injected from the extraction electrode unit 130 by applying an electric field to the top and the bottom of the duct 141 to the target chamber where the wafer is located according to Fleming's right hand rule.

구체적으로, 이온 소스부(120)에서 생성된 이온 빔이 추출전극부(130)의 전압에 의해 빠져 나오고 애널라이져 마그넷부(140)에서 원하는 AMU(Atomic Mass Unit)를 얻게 된다. 예를 들어, 11B+를 웨이퍼에 주입하기 위해서는 BF3를 사용하게 되고 이온 소스부(120)에서 나오는 매스는 11B+ 뿐만 아니라 10B+ 20%, 11B+ 80%가 이온 소스부(120)로부터 나오게 된다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치에서는 원하는 11B+의 AMU를 얻기 위해 애널라이져 마그넷부(140)의 상부와 하부에 자기장을 걸어 조정 해주므로 플레밍의 오른손 법칙에 따라 이온 빔을 웨이퍼가 있는 타겟 챔버로 휘어지도록 한다.Specifically, the ion beam generated by the ion source unit 120 exits by the voltage of the extraction electrode unit 130 and obtains the desired AMU (Atomic Mass Unit) from the analyzer magnet unit 140. For example, in order to inject 11B + into the wafer, BF3 is used, and the mass coming out of the ion source unit 120 is not only 11B + but also 10B + 20% and 11B + 80% are emitted from the ion source unit 120. Accordingly, in the ion implantation apparatus according to the embodiment of the present invention, the magnetic beam is applied to the upper and lower portions of the analyzer magnet part 140 to obtain the desired AMU of 11B +. Bend into the target chamber.

그러나, 애널라이져 마그넷부(140)에서 이온 빔을 분류하는 동안 원하는 이온 빔(180)은 도 4에 도시된 제 1 궤적(190)을 따라 타겟 챔버(150) 쪽으로 진행하게 된다. 반면에, 원하지 않는 매스를 가진 이온 빔들은 제 2 궤적(182)을 따라 애널라이져 마그넷부(140)의 외벽에 부딪힌 후 사라지거나, 제 3 및 제 4 궤적 (184, 186)을 따라 애널라이져 마그넷부(140)의 외벽에 부딪힌 후 다시 타겟 챔버(150)로 진행하게 된다. 이에 따라, 제 1 내지 제 3 빔 스트라이크 플레이트(142, 144, 146) 각각은 원하는 않는 매스를 가지는 이온 빔들이 애널라이져 마그넷부(140)의 외벽에 부딪힌 후 바운드되어 제 3 및 제 4 궤적(184, 186)을 따라 타겟 챔버(150)로 진행하는 것을 방지하게 된다. 즉, 제 1 내지 제 3 빔 스트라이크 플레이트(142, 144, 146) 각각은 원하지 않는 매스의 이온들이 벽에 부딪친 후 다시 웨이퍼가 있는 쪽으로 바운드(Bound) 되어 AMU(Atomic Mass Unit) 오염이 일어나는 것을 방지하지 하게 된다.However, while classifying the ion beam in the analyzer magnet portion 140, the desired ion beam 180 travels toward the target chamber 150 along the first trajectory 190 shown in FIG. 4. On the other hand, ion beams with unwanted mass disappear after hitting the outer wall of the analyzer magnet portion 140 along the second trajectory 182, or the analyzer magnet along the third and fourth trajectories 184, 186. After hitting the outer wall of the part 140, the process proceeds to the target chamber 150 again. Accordingly, each of the first to third beam strike plates 142, 144, and 146 is bound after the ion beams having an undesired mass hit the outer wall of the analyzer magnet part 140 to be bound to the third and fourth trajectories 184. , 186 may be prevented from proceeding to the target chamber 150. That is, each of the first to third beam strike plates 142, 144, and 146 is bound to the wafer again after unwanted ions hit the wall to prevent AMU (Atomic Mass Unit) contamination. I will not.

이를 위해, 제 1 내지 제 3 빔 스트라이크 플레이트(142, 144, 146) 각각은 도 5에 도시된 바와 같이 플레이트(143)와, 플레이트(143)의 전면에 착탈가능하게 설치되는 복수의 빔 스트라이크(145)를 구비한다.To this end, each of the first to third beam strike plates 142, 144, and 146 includes a plate 143 and a plurality of beam strikes detachably installed on the front surface of the plate 143 as shown in FIG. 5. 145).

플레이트(143)에는 복수의 빔 스트라이크(145)가 나란하게 배치되며 복수의 빔 스트라이크(145) 각각에 바닥면에 대응되도록 형성된 복수의 관통홀(149)이 형성된다. 이 복수의 관통홀(149)에는 복수의 스크류(148)가 관통하게 된다. 이때, 각 스크류(148)는 애널라이져 마그넷부(140)에 주입된 이온이 충돌하여 아킹(Arcing)이 발생하지 않도록 플레이트(143)의 배면에서 관통홀(149)을 관통하여 빔 스트라이크(145)에 체결된다.In the plate 143, a plurality of beam strikes 145 are arranged side by side, and a plurality of through holes 149 are formed in each of the plurality of beam strikes 145 to correspond to the bottom surface. The plurality of screws 148 pass through the plurality of through holes 149. At this time, each screw 148 penetrates the through hole 149 at the rear surface of the plate 143 so that ions injected into the analyzer magnet part 140 collide with each other so that arcing does not occur. Is fastened to.

복수의 빔 스트라이크(145) 각각은 그래파이트(Graphite) 재질의 톱니 모양, 즉 삼각 형태의 단면을 가지도록 제작되어 플레이트(143)에 나란하게 설치된다. 이러한, 복수의 빔 스트라이크(145) 각각의 바닥면에는 복수의 스크류 홀(147)이 형성된다. 이 복수의 스크류 홀(147)에는 플레이트(143)의 관통홀(149)를 관통하는 스크류(148)가 체결된다. 이에 따라, 빔 스트라이크 (145) 각각은 스크류(148)에 의해 플레이트(143)의 전면에 고정됨으로써 플레이트(143) 상에 착탁 가능하게 설치된다.Each of the plurality of beam strikes 145 is manufactured to have a sawtooth shape of graphite material, that is, a triangular cross section, and are installed side by side on the plate 143. A plurality of screw holes 147 are formed on the bottom surface of each of the plurality of beam strikes 145. The screw 148 penetrating the through hole 149 of the plate 143 is fastened to the plurality of screw holes 147. As a result, each of the beam strikes 145 is fixed to the front surface of the plate 143 by the screw 148 and is installed on the plate 143 so that the beam strike 145 can be attached to the plate 143.

이러한, 애널라이져 마그넷부(140)는 원하는 이온 빔들을 타겟 챔버(150)로 진행시키는 반면에 제 1 내지 제 3 빔 스트라이크 플레이트(142, 144, 146) 각각에 의해 원하지 않은 이온 빔들이 타겟 챔버(150)로 진행하는 것을 방지하게 된다.The analyzer magnet portion 140 advances the desired ion beams to the target chamber 150 while the unwanted ion beams are directed to the target chamber 150 by each of the first to third beam strike plates 142, 144, and 146. 150).

이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치는 제 1 내지 제 3 빔 스트라이크 플레이트(142, 144, 146)의 빔 스트라이크(145)를 플레이트(143)에 착탈가능하게 설치함으로써 이온 빔의 분류 과정에서 이온 빔에 의해 손상된 빔 스트라이크(145)만 교체하게 된다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치는 애널라이져 마그넷부(140)의 유지비용을 감소시킬 수 있다.As such, the ion implantation apparatus according to the embodiment of the present invention classifies the ion beam by detachably installing the beam strike 145 of the first to third beam strike plates 142, 144, and 146 on the plate 143. In the process, only the beam strike 145 damaged by the ion beam is replaced. Accordingly, the ion implantation apparatus according to the embodiment of the present invention can reduce the maintenance cost of the analyzer magnet unit 140.

이상의 설명에서와 같이 본 발명의 실시 예에 따른 이온 주입장치는 애널라이져 마그넷부에서 빔 스트라이크 플레이트의 유지비용을 감소시킬 수 있다.As described above, the ion implantation apparatus according to the embodiment of the present invention may reduce the maintenance cost of the beam strike plate in the analyzer magnet part.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시 예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구 범위에 의해서 정해져야 한다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

Claims (4)

외부로부터 이온이 주입될 웨이퍼가 로딩되는 타겟 챔버와,A target chamber into which a wafer to be implanted with ions is loaded; 가스로부터 이온을 얻기 위한 이온 소스부와,An ion source section for obtaining ions from a gas, 상기 이온 소스부로부터 원하는 이온 빔만을 선별하여 상기 타겟 챔버로 보내는 애널라이져 마그넷부와,An analyzer magnet part which selects only a desired ion beam from the ion source part and sends it to the target chamber; 상기 애널라이져 마그넷부에 설치되어 상기 원하는 이온 빔을 제외한 원하지 않는 이온 빔이 상기 타겟 챔버로 향하는 것을 방지하기 위한 복수의 빔 스트라이크 플레이트를 가지며;A plurality of beam strike plates mounted on the analyzer magnet portion to prevent unwanted ion beams other than the desired ion beams from being directed to the target chamber; 상기 각 빔 스트라이크 플레이트는;Each of the beam strike plates; 플레이트와,With plates, 상기 플레이트에 착탈가능하게 설치되어 상기 원하지 않는 이온 빔이 상기 타겟 챔버로 향하는 것을 방지하는 복수의 빔 스트라이크들과,A plurality of beam strikes detachably mounted to the plate to prevent the unwanted ion beam from being directed to the target chamber; 상기 플레이트의 배면을 관통하여 상기 각 빔 스트라이크에 체결되는 복수의 스크류를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.And a plurality of screws penetrating the rear surface of the plate and fastened to the respective beam strikes. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 애널라이져 마그넷부는 L자 형태를 가지며 상부 및 하부간에 자기장을 형성하여 상기 원하는 이온 빔을 상기 타겟 챔버로 향하도록 하는 덕트를 구비하는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.And the analyzer magnet portion has an L shape and a duct for forming a magnetic field between upper and lower portions to direct the desired ion beam to the target chamber. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 복수의 빔 스트라이크 플레이트는 상기 덕트의 모서리 부분에 설치되는 것을 특징으로 하는 이온 주입장치.And the plurality of beam strike plates are installed at edge portions of the duct.
KR1020040111160A 2004-12-23 2004-12-23 Ion Implantation Apparatus KR100617050B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040111160A KR100617050B1 (en) 2004-12-23 2004-12-23 Ion Implantation Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040111160A KR100617050B1 (en) 2004-12-23 2004-12-23 Ion Implantation Apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060072501A KR20060072501A (en) 2006-06-28
KR100617050B1 true KR100617050B1 (en) 2006-08-30

Family

ID=37165675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040111160A KR100617050B1 (en) 2004-12-23 2004-12-23 Ion Implantation Apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100617050B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100840467B1 (en) * 2006-11-21 2008-06-20 동부일렉트로닉스 주식회사 Structure for particle removing of Ion Implanters
KR101382704B1 (en) * 2012-12-13 2014-04-08 주식회사 포스코 Ion beam source

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030018744A (en) * 2001-08-31 2003-03-06 삼성전자주식회사 Resolving aperture of ion implanter
KR20040076128A (en) * 2003-02-24 2004-08-31 삼성전자주식회사 Partially exchangeable arc chamber top plate of ion implantation facility
KR20040082527A (en) * 2003-03-19 2004-09-30 삼성전자주식회사 Analyzer chamber

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030018744A (en) * 2001-08-31 2003-03-06 삼성전자주식회사 Resolving aperture of ion implanter
KR20040076128A (en) * 2003-02-24 2004-08-31 삼성전자주식회사 Partially exchangeable arc chamber top plate of ion implantation facility
KR20040082527A (en) * 2003-03-19 2004-09-30 삼성전자주식회사 Analyzer chamber

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060072501A (en) 2006-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI404106B (en) Ion implantation system, device for reducing contamination in ion implantation system and method for controlling contamination in ion implantation
EP1981058B1 (en) Ion implantation apparatus and ion implantation method
KR101354633B1 (en) System and magnetic scanning and correction of an ion beam
CN109643628B (en) In-situ ion beam current monitoring and control in a scanning ion implantation system
US9006690B2 (en) Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system
US7304319B2 (en) Wafer charge compensation device and ion implantation system having the same
WO2005086204A2 (en) Modulating ion beam current
JP2016524277A5 (en)
US9443698B2 (en) Hybrid scanning for ion implantation
KR101650244B1 (en) Medium current ribbon beam for ion implantation
KR100617050B1 (en) Ion Implantation Apparatus
KR20120004999A (en) End terminations for electrodes used in ion implantation systems
CN111146060B (en) Adjusting device and adjusting method for high-energy ion implanter beam
US11120970B2 (en) Ion implantation system
US7361915B2 (en) Beam current stabilization utilizing gas feed control loop
KR100840467B1 (en) Structure for particle removing of Ion Implanters
KR101954541B1 (en) An ion source device for optimizing magnetic field
KR100774813B1 (en) Extraction electrode of ion implantation equipment and focusing method thereby
KR100563094B1 (en) Device for beam quality improvement in process
US8698108B1 (en) Ion beam measurement system and method
KR20080037837A (en) Beam aperture deflector of ion implanters

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee