KR100612130B1 - Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 ITO 층의 저항을 낮추기 위하여 보조 금속 전극을 형성할 필요가 없고 또한 보조 금속 형성을 위하여 사용되는 금속의 입자에 의한 유기물 층의 손상을 방지할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 유기 전계 발광 소자를 구성하는 인듐 주석 산화물층(ITO 층)의 두께를 2,600 내지 3,400Å 또는 4,000 내지 4,900Å, 바람직하게는 2,900 내지 3,000Å 또는 4,400 내지 4,500Å으로 형성함으로서 ITO 층의 우수한 투과율을 유지함과 동시에 금속 보조 전극을 형성하지 않고서도 ITO 저항의 안정화를 이룰 수 있다. The present invention does not need to form an auxiliary metal electrode in order to lower the resistance of the ITO layer, and also to an organic electroluminescent device and a method for manufacturing the same, which can prevent damage to an organic layer by particles of a metal used for forming an auxiliary metal. It is about. According to the present invention, the thickness of the indium tin oxide layer (ITO layer) constituting the organic EL device is 2,600 to 3,400 Pa or 4,000 to 4,900 Pa, preferably 2,900 to 3,000 Pa or 4,400 to 4,500 Pa. The ITO resistance can be stabilized without maintaining a transmittance and without forming a metal auxiliary electrode.

유기 전계 발광 소자, 인듐 주석 산화물(ITO)Organic Electroluminescent Devices, Indium Tin Oxide (ITO)

Description

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법{Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same}Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same {Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same}

도 1은 유기 전계 발광 소자의 기본적인 구조를 개략적으로 도시한 도면.1 is a view schematically showing the basic structure of an organic electroluminescent device.

도 2는 ITO 층 및 금속 보조 전극을 형성하는 각 단계를 도시하는 도면.2 shows each step of forming an ITO layer and a metal auxiliary electrode.

도 3은 본 발명에 따른 ITO 층을 제조하는 단계를 도시하는 도면. 3 shows the steps for producing an ITO layer according to the invention.

도 4는 ITO 층의 두께에 따른 투과율의 변화를 도시한 그래프. 4 is a graph showing the change of transmittance according to the thickness of the ITO layer.

도 5는 ITO 층의 두께에 따른 표면 저항(sheet resistance)의 변화를 나타낸 그래프.5 is a graph showing the change of sheet resistance with the thickness of the ITO layer.

본 발명은 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 보조 금속 전극을 형성하지 않고서도 ITO 층의 저항을 낮출 수 있고 잔류 금속에 의한 영향을 배제할 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same. In particular, an organic electroluminescent device and a method of manufacturing the same, which can lower the resistance of the ITO layer and eliminate the influence of residual metal without forming an auxiliary metal electrode. It is about.

유기 전계 발광은 유기물(저분자 또는 고분자) 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 재결합(recombination)하여 여기자 (exition)를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상이다. Organic electroluminescence is recombination of electrons and holes injected through a cathode and an anode into an organic (low molecular or polymer) thin film to form an exciton, and is determined by energy from the excitons formed. It is a phenomenon that light of wavelength is generated.

이러한 현상을 이용한 유기 전계 발광 소자는 도 1에 도시된 바와 같은 기본적인 구조를 갖고 있다. 유기 전계 발광 소자의 기본적인 구성은, 유리 기판(1), 유리 기판(1) 상부에 형성되어 애노드(anode) 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물층(2; Indium Tin Oxide film : 이하, 편의상 "ITO 층"이라 칭함), 절연층, 유기물층(3) 및 캐소드(cathode) 전극인 금속 전극(4)이 순서적으로 적층된 구조이다.The organic EL device using this phenomenon has a basic structure as shown in FIG. 1. The basic configuration of the organic electroluminescent device is an indium tin oxide layer 2 formed on the glass substrate 1 and the glass substrate 1 and used as an anode electrode. "," The insulating layer, the organic material layer 3, and the metal electrode 4 which is a cathode electrode are laminated | stacked in order.

유기물층(3)은, 소자 내에 정공의 주입이 원활하게 하기 위한 정공 주입층 (3A; hole injection layer); 애노드 전극(1; ITO 층)으로부터 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 정공 수송층 (3B; hole transport layer); 캐소드 전극(4)과 애노드 전극(1)으로부터 공급된 전자와 정공의 재결합이 이루어지면서 발광이 일어나는 영역인 발광층(3C; emitting layer); 및 캐소드 전극(4)으로부터 공급되는 전자의 원활한 수송을 위한 전자 수송층(3D; electron transport layer)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.The organic layer 3 includes a hole injection layer 3A for smoothly injecting holes into the device; A hole transport layer (3B) for transporting holes injected from the anode electrode (ITO layer) to the light emitting layer; An emitting layer (3C) emitting region (3C), which emits light while recombination of electrons and holes supplied from the cathode electrode 4 and the anode electrode 1 is performed; And an electron transport layer (3D) for sequentially transporting electrons supplied from the cathode electrode 4 in a stacked manner.

이러한 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자는 다음의 단계들을 거쳐 제조된다. 먼저, 유리 기판 상에 진공 증착법을 이용하여 ITO 층을 증착하고, 이 ITO 층을 사진식각법(photolithography)으로 패터닝(patterning)한다. An organic electroluminescent device having such a structure is manufactured through the following steps. First, an ITO layer is deposited on a glass substrate using a vacuum deposition method, and the ITO layer is patterned by photolithography.

여기서, 애노드 전극으로서의 투과성을 만족시키는 금속으로서는 산화 인듐 (In2S3)에 산화 주석(SnO2)을 도핑한 ITO가 적합하나, 이 ITO는 저항이 높다는 문제가 있다. 따라서 ITO 층의 안정화, 즉 ITO 층의 저항을 낮추기 위한 한 방안으로서 ITO 층상에 보조 금속 전극을 형성하는 방법이 일반적으로 이용되고 있다. As a metal satisfying the permeability as an anode electrode, ITO in which tin oxide (SnO 2 ) is doped with indium oxide (In 2 S 3 ) is suitable, but this ITO has a problem of high resistance. Therefore, a method of forming an auxiliary metal electrode on the ITO layer is generally used as a method for stabilizing the ITO layer, that is, lowering the resistance of the ITO layer.

즉, ITO 층의 저항을 낮추기 위하여 패터닝된 ITO 층 상에 금속 재료층을 증착한 후, 사진식각법으로 패터닝함으로서 ITO 층 상에 보조 금속 전극이 형성된다. 패터닝된 ITO 층 및 보조 금속 전극 상에 절연막과 격벽을 사진식각법으로 형성한 후, 절연벽과 격벽을 형성하고, 위에서 설명한 유기물층 및 캐소드 전극용 금속 전극을 전면 증착함으로서 유기 전계 발광 소자가 구성된다.That is, an auxiliary metal electrode is formed on the ITO layer by depositing a metal material layer on the patterned ITO layer in order to lower the resistance of the ITO layer, and then patterning by photolithography. An organic electroluminescent device is constructed by forming an insulating film and a partition wall on a patterned ITO layer and an auxiliary metal electrode by photolithography, forming an insulating wall and a partition wall, and depositing a metal electrode for the organic material layer and the cathode electrode described above. .

도 2는 ITO 층 및 금속 보조 전극을 형성하는 각 단계를 도시하는 도면으로서, 위에서 설명한 ITO 층 및 금속 보조 전극 형성 과정을 도 2를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. FIG. 2 is a diagram illustrating each step of forming an ITO layer and a metal auxiliary electrode, which will be described in more detail with reference to FIG. 2.

먼저, 유리 기판(10; glass substrate) 상에 ITO 층(12)을 전면 증착하며(도 2a), ITO 층(12) 상에 포토레지스트(13)를 전면 증착한다(도 2b). 포토마스크 (P1)를 이용하여 노출된 포토레지스트(13)를 광(예를 들어, U. V.(자외선))에 노출시키는 노광 공정(도 2c), 노광 공정을 통하여 분자 구조가 변화된 포토레지스트 (13)를 유기 용매를 이용하여 용해시키는 현상 공정(도 2d) 및 포토레지스트 패턴 (13A)을 통해 ITO 층(12)을 선택적으로 제거하는 에칭 공정(도 2e)을 순차적으로 실시한 후, 잔류하는 포토레지스트 패턴(13A)을 제거함으로서 유리 기판(11) 상에 패터닝된 ITO 층(12A)이 형성된다(도 2f).First, an ITO layer 12 is deposited on the glass substrate 10 (FIG. 2A), and a photoresist 13 is deposited on the ITO layer 12 (FIG. 2B). Exposure process (FIG. 2C) which exposes the photoresist 13 exposed using photomask P1 to light (for example, UV (ultraviolet)), and photoresist 13 whose molecular structure changed through the exposure process. The photoresist pattern remaining after the sequencing process (FIG. 2D) and the etching process (FIG. 2E) which selectively removes the ITO layer 12 through the photoresist pattern 13A are performed sequentially, and it melt | dissolves using an organic solvent. By removing 13A, a patterned ITO layer 12A is formed on the glass substrate 11 (FIG. 2F).

패터닝된 ITO 층(12A) 상에 보조 전극용 금속 재료(14)를 전면 증착하고(도 2g), 금속층(14) 상에 포토레지스트(15)를 도포한다(도 2h). 포토마스크(P2)를 이용한 노광 공정(도 2i), 현상 공정(도 2J) 및 금속층에 대한 에칭 공정(도 2k)을 순차적으로 실시한 후, 잔류 포토레지스트 패턴(15A)을 제거한다. 최종적으로, 패터닝된 ITO 층(12A) 상에 패터닝된 보조 금속 전극(14A)이 형성된 상태를 도 2I에 도시한다. 이후, 보조 금속 전극(14A)을 포함한 ITO 층(12A) 상에 유기물층 및 캐소드 전극용 금속 전극을 전면 증착함으로서 도 1에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자가 구성된다.A metal material 14 for auxiliary electrodes is deposited on the patterned ITO layer 12A (FIG. 2G), and a photoresist 15 is applied on the metal layer 14 (FIG. 2H). After performing the exposure process (FIG. 2i), the developing process (FIG. 2J), and the etching process with respect to a metal layer (FIG. 2K) using the photomask P2 sequentially, the residual photoresist pattern 15A is removed. Finally, a state in which the patterned auxiliary metal electrode 14A is formed on the patterned ITO layer 12A is shown in FIG. 2I. Subsequently, an organic electroluminescent device having a structure as shown in FIG. 1 is constructed by depositing the organic material layer and the cathode electrode metal electrode on the ITO layer 12A including the auxiliary metal electrode 14A.

그러나, 보조 금속 전극(14A)을 형성하는 공정(도 2g 내지 도 2l)이 종료된 후에, 금속 전극을 형성하기 위하여 사용되는 금속 재료의 입자가 잔존하게 되며, 이러한 잔존 금속 입자는 후에 형성될 유기물층을 손상시키는 요인으로 작용하게 된다. 따라서, ITO 층의 저항을 낮추면서도 보조 금속 전극을 형성하지 않는, 즉 금속 입자에 의하여 유기물층에 영향을 주지 않은 방안이 요구된다. However, after the process of forming the auxiliary metal electrode 14A (FIGS. 2G to 2L) is finished, particles of the metal material used to form the metal electrode remain, and the remaining metal particles are formed of the organic layer to be formed later. It will act as a damaging factor. Accordingly, there is a need for a method of lowering the resistance of the ITO layer but not forming an auxiliary metal electrode, that is, not affecting the organic material layer by the metal particles.

이 외에도, 금속 보조 전극 형성하기 위하여 실시되는 공정이 복잡하기 때문에 생산성이나 비용적인 측면에서 바람직하지 않다. In addition, since the process performed to form the metal auxiliary electrode is complicated, it is not preferable in terms of productivity or cost.

따라서 본 발명은 ITO 층의 안정화를 위하여 형성하는 보조 금속 전극으로 인해 발생되는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 보조 금속 전극을 형성하지 않고서도 ITO 층의 저항을 현저하게 줄일 수 있는 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. Therefore, the present invention is to solve the above-mentioned problems caused by the auxiliary metal electrode formed for stabilization of the ITO layer, an organic electroluminescent device that can significantly reduce the resistance of the ITO layer without forming the auxiliary metal electrode And it aims at providing the manufacturing method.

상술한 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자 제조 방법은, 기판 상에 인듐 주석 산화물(ITO) 층을 그 두께가 2,600 내지 3,400Å의 범위 내 또는 4,000 내지 4,900Å 범위 내가 되도록 증착하는 단계; ITO 층 상에 포 토레지스트를 증착하고, 포토레지스트의 노출 부분을 선택적으로 노광하는 단계; 노광 단계에서 분자 구조가 변화된 포토레지스트를 현상하는 단계; 포토레지스트 패턴을 통해 ITO 층을 선택적으로 제거하고, 잔류 포토레지스트 패턴을 제거하여 기판 상에 패터닝된 ITO 층을 형성하는 단계; 및 형성된 ITO 층 상에 유기물층 및 캐소드 전극용 금속 전극을 전면 증착하는 단계를 포함함으로서 ITO 층 상에 보조 금속 전극을 형성하지 않고서도 ITO 층의 낮은 저항 및 우수한 투과율을 얻을 수 있다. 특히, ITO 층은 그 두께가 2,900 내지 3,000Å 또는 4,400 내지 4,500Å이 바람직하다.The organic electroluminescent device manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is to deposit an indium tin oxide (ITO) layer on the substrate so that its thickness is within the range of 2,600 to 3,400 kPa or within the range of 4,000 to 4,900 kPa step; Depositing a photoresist on the ITO layer and selectively exposing an exposed portion of the photoresist; Developing the photoresist whose molecular structure has changed in the exposing step; Selectively removing the ITO layer through the photoresist pattern, and removing the residual photoresist pattern to form a patterned ITO layer on the substrate; And depositing a metal electrode for an organic material layer and a cathode electrode on the formed ITO layer, thereby achieving low resistance and excellent transmittance of the ITO layer without forming an auxiliary metal electrode on the ITO layer. In particular, the ITO layer preferably has a thickness of 2,900 to 3,000 kPa or 4,400 to 4,500 kPa.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 소자는, 유리 기판; 유리 기판 상에 2,600 내지 3,400Å의 범위 내 또는 4,000 내지 4,900Å 범위 내의 두께로 형성되어 애노드 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(ITO)층; ITO 층상에 순차적으로 형성된 절연층, 유기물층 및 금속 전극을 포함하며, 가장 바람직하기로는 ITO 층은 그 두께가 2,900Å 또는 4,900Å이다. An organic electroluminescent device according to the present invention comprises a glass substrate; An indium tin oxide (ITO) layer formed on the glass substrate in a thickness in the range of 2,600 to 3,400 kPa or in the range of 4,000 to 4,900 kPa and used as an anode electrode; And an insulating layer, an organic material layer, and a metal electrode sequentially formed on the ITO layer. Most preferably, the ITO layer has a thickness of 2,900 kPa or 4,900 kPa.

이하, 본 발명을 첨부한 도면을 참고하여 보다 상세히 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings of the present invention will be described in more detail.

본 발명은 유기 전계 발광 소자의 애노드(anode) 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물층(Indium Tin Oxide film: ITO 층)의 물리적 특성, 즉 ITO 층은 그 두께가 두꺼울수록 저항이 작아지며, 그 두께와 투과율이 반드시 반비례하지 않는다는 특성을 이용한 것이다.According to the present invention, the physical properties of the indium tin oxide layer (ITO layer) used as an anode electrode of the organic EL device, that is, the thicker the thickness of the ITO layer, the lower the resistance. The transmittance is not necessarily inversely used.

도 3은 본 발명에 따른 ITO 층을 제조하는 과정을 각 단계별로 도시한 도면 으로서, 먼저 유리 기판(21) 상에 ITO 층(22)을 전면 증착(도 3a)한 후, ITO 층(22) 상에 포토레지스트(23)를 전면 증착한다(도 3b). 포토마스크(P)를 이용하여 노출된 포토레지스트(23)를 예를 들어, U. V.(자외선)에 노출시키는 노광 공정(도 3c)을 실시하며, 노광 공정을 통하여 분자 구조가 변화된 포토레지스트(23)를 유기 용매를 이용하여 용해시키는 현상 공정(도 3d)을 실시한다.FIG. 3 is a diagram illustrating a step of manufacturing an ITO layer according to the present invention, in which each surface is first deposited on the glass substrate 21 (FIG. 3A), and then the ITO layer 22. The photoresist 23 is deposited on the entire surface (Fig. 3B). An exposure process (FIG. 3C) is performed in which the photoresist 23 exposed using the photomask P is exposed to UV (ultraviolet light), for example, and the photoresist 23 whose molecular structure is changed through the exposure process is performed. The developing process (FIG. 3D) which melt | dissolves using an organic solvent is implemented.

이후, 형성된 포토레지스트 패턴(23A)을 통해 ITO 층(22)을 선택적으로 제거하는 에칭 공정(도 3e)을 실시한 후, 잔류하는 포토레지스트 패턴(23A)을 제거함으로서 유리 기판(21) 상에 패터닝된 ITO 층(22A)이 형성된다(도 3f). 이후, ITO 층(22A) 상에 유기물층 및 캐소드 전극용 금속 전극을 전면 증착하고, 후속 공정을 실시함으로서 도 1에 도시된 바와 같은 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자가 구성된다.Thereafter, after performing an etching process (FIG. 3E) to selectively remove the ITO layer 22 through the formed photoresist pattern 23A, patterning is performed on the glass substrate 21 by removing the remaining photoresist pattern 23A. ITO layer 22A is formed (FIG. 3F). Subsequently, an organic electroluminescent device having a structure as shown in FIG. 1 is formed by depositing the organic material layer and the metal electrode for the cathode electrode on the ITO layer 22A and performing a subsequent process.

본 발명에서는, 유리 기판(21) 상에 ITO 층(22)을 전면 증착할 때, ITO 층(22)의 두께가 2,600 내지 3,400Å의 범위 내 또는 4,000 내지 4,900Å 범위 내에 있도록 하였으며, 바람직하게는 2,900 내지 3,000Å 또는 4,400 내지 4,500Å의 두께를 갖도록 형성하였다.  In the present invention, when totally depositing the ITO layer 22 on the glass substrate 21, the thickness of the ITO layer 22 is in the range of 2,600 to 3,400 kPa or in the range of 4,000 to 4,900 kPa, preferably It was formed to have a thickness of 2,900 to 3,000 kPa or 4,400 to 4,500 kPa.

일반적으로 ITO 층은 그 두께가 두꺼워짐에 따라 투과율이 비례 및 반비례적으로 나타난다. ITO 층의 두께에 따른 투과율의 변화를 나타낸 그래프인 도 4를 통하여 알 수 있듯이, 예를 들어, ITO 층는 제 1 범위에서 두께가 증가함에 따라 투과율이 증가하지만, 제 2 범위에서는 두께가 증가하면 투과율이 낮아지고, 제 3 범위에서는 다시 두께가 증가할수록 투과율이 높아지는 특성을 갖는 것이다. In general, the ITO layer has a transmittance proportional and inversely proportional to its thickness. As can be seen from FIG. 4, which is a graph showing the change in transmittance according to the thickness of the ITO layer, for example, the transmittance increases as the thickness of the ITO layer increases in the first range, but the transmittance increases as the thickness increases in the second range. Is lowered, and in the third range, the transmittance becomes higher as the thickness increases again.

참고로, 일반적인 구조를 갖는 유기 전계 발광 소자(즉, 도 2에 도시된 공정에 의하여 제조된 소자로서, ITO 층 상에 보조 금속 전극이 형성된 구조)에서는 ITO 층의 두께가 1,000 내지 1,500Å 범위 이내, 특히 투과율이 가장 우수하게 나타나는 1,500Å으로 형성된다.For reference, in an organic electroluminescent device having a general structure (that is, a device manufactured by the process shown in FIG. 2, in which an auxiliary metal electrode is formed on the ITO layer), the thickness of the ITO layer is within a range of 1,000 to 1,500 μs. In particular, it is formed at 1,500 Hz, which shows the best transmittance.

한편, 도 5는 ITO 층의 두께에 따른 표면 저항(sheet resistance)의 변화를 나타낸 그래프로서, 전술한 바와 같이 ITO 층의 두께가 두꺼워질수록 그 표면 저항이 점차 작아지는 것을 나타내고 있다.On the other hand, Figure 5 is a graph showing the change in the sheet resistance (sheet resistance) according to the thickness of the ITO layer, as described above shows that as the thickness of the ITO layer becomes thicker, the surface resistance gradually decreases.

본 발명의 목적은 ITO 층의 안정화를 위한 보조 금속 전극을 형성하지 않으면서도 낮은 저항을 유지할 수 있는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것이다. 이러한 목적을 이루고 소자의 최적의 기능을 얻기 위해서 ITO 층은 낮은 저항 및 우수한 투과율을 갖는 것이 가장 바람직하다. 도 4 및 도 5는 우수한 투과율과 낮은 저항을 동시에 만족시킬 수 있는 ITO 층의 두께가 2,600 내지 3,400Å 그리고 4,000 내지 4,900Å 범위임을 나타내고 있다. An object of the present invention is to provide an organic electroluminescent device capable of maintaining low resistance without forming an auxiliary metal electrode for stabilization of an ITO layer. It is most desirable for the ITO layer to have low resistance and good transmittance in order to achieve this purpose and to obtain the optimum function of the device. 4 and 5 show that the thickness of the ITO layer capable of satisfying good transmittance and low resistance at the same time is in the range of 2,600 to 3,400 Å and 4,000 to 4,900 Å.

도 4에서 알 수 있는 바와 같이, 이러한 범위의 두께로 이루어진 ITO 층은 일반적으로 적용하고 있는 ITO 층의 두께 범위인 1,000 내지 1,500Å에서의 투과율과 동일한 투과율을 가지며, 특히 2,900 내지 3,000Å 범위 및 4,400 내지 4,500Å 범위의 두께로 이루어진 ITO 층이 가장 우수한 투과율을 갖는다.As can be seen in Figure 4, the ITO layer having a thickness in this range generally has a transmittance equal to a transmittance in the range of 1,000 to 1,500 Hz, which is the thickness of the applied ITO layer, in particular in the range of 2,900 to 3,000 Hz and 4,400 The ITO layer, with a thickness in the range from 4 to 500 kPa, has the best transmittance.

또한, 도 5에서는 2,600 내지 3,400Å 그리고 4,000 내지 4,900Å의 범위의 두께를 갖는 ITO 층에서 비교적 낮은 표면 저항을 나타내고 있으며, 특히 1,000 내지 1,500Å의 두께를 갖는 ITO 층의 표면 저항과 비교하여 현저하게 낮은 표면 저 항을 갖는다. 두께가 2,600 내지 3,400Å 또는 4,000 내지 4,900Å의 범위에 있는 ITO 층에서의 표면 저항값은 상부면에 보조 금속 전극이 형성되어 있는 ITO 층에서의 표면 저항값과 큰 차이를 나타내지 않는다.  In addition, FIG. 5 shows a relatively low surface resistance in the ITO layer having a thickness in the range of 2,600 to 3,400 kPa and 4,000 to 4,900 kPa, particularly in comparison with the surface resistance of the ITO layer having a thickness of 1,000 to 1,500 kPa. It has a low surface resistance. The surface resistance value in the ITO layer whose thickness is in the range of 2,600 to 3,400 kPa or 4,000 to 4,900 kPa does not show a big difference from the surface resistance in the ITO layer in which the auxiliary metal electrode is formed on the upper surface.

결과적으로, 본 발명은 저항 개선을 위하여 일반적으로 이용되고 있는 보조 금속 전극을 형성하지 않고도 현저히 낮은 저항을 갖는 ITO 층을 형성할 수 있다.As a result, the present invention can form an ITO layer having a significantly lower resistance without forming auxiliary metal electrodes which are generally used for resistance improvement.

이상과 같은 본 발명은 보조 금속 전극을 형성하지 않아도 ITO 층의 안정화즉, 낮은 저항 및 우수한 투과율을 가진 ITO 층을 얻을 수 있으며, 간단한 구조의 유기 전계 발광 소자를 형성할 수 있다. 또한 금속 보조 전극을 형성하기 위한 복잡한 공정이 필요없게 되어 공정의 효율성이 높아지고, 금속 보조 전극을 형성하는 경우에 발생하는 잔류 금속 입자에 의한 유기물층의 손상을 방지할 수 있어 유기 전계 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The present invention as described above can stabilize the ITO layer without forming an auxiliary metal electrode, that is, obtain an ITO layer having low resistance and excellent transmittance, and can form an organic EL device having a simple structure. In addition, the complicated process for forming the metal auxiliary electrode is unnecessary, thereby increasing the efficiency of the process, and preventing damage to the organic material layer due to residual metal particles generated when forming the metal auxiliary electrode, thereby improving the reliability of the organic field device. You can.

Claims (4)

유기 전계 발광 소자 제조 방법에 있어서,In the organic electroluminescent device manufacturing method, 기판 상에 인듐 주석 산화물(ITO) 층을 그 두께가 2,600 내지 3,400Å의 범위 내 또는 4,000 내지 4,900Å 범위 내가 되도록 증착하는 단계;Depositing an indium tin oxide (ITO) layer on the substrate such that its thickness is in the range of 2,600 to 3,400 GPa or in the range of 4,000 to 4,900 GPa; ITO 층 상에 포토레지스트를 증착하고, 포토레지스트의 노출 부분을 선택적으로 노광하는 단계;Depositing a photoresist on the ITO layer and selectively exposing an exposed portion of the photoresist; 노광 단계에서 분자 구조가 변화된 포토레지스트를 현상하는 단계;Developing the photoresist whose molecular structure has changed in the exposing step; 포토레지스트 패턴을 통해 ITO 층을 선택적으로 제거하고, 잔류 포토레지스트 패턴을 제거하여 기판 상에 패터닝된 ITO 층을 형성하는 단계; 및 Selectively removing the ITO layer through the photoresist pattern, and removing the residual photoresist pattern to form a patterned ITO layer on the substrate; And 형성된 ITO 층 상에 유기물층 및 캐소드 전극용 금속 전극을 전면 증착하는 단계를 포함하여 ITO 층 상에 보조 금속 전극을 형성하지 않고서도 ITO 층의 낮은 저항 및 우수한 투과율을 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.An organic electric field characterized in that the low resistance and excellent transmittance of the ITO layer can be obtained without forming an auxiliary metal electrode on the ITO layer, including depositing a metal electrode for the organic material layer and the cathode electrode on the formed ITO layer. Light emitting element. 제 1 항에 있어서, 상기 ITO 층은 그 두께가 2,900 내지 3,000Å 또는 4,400 내지 4,500Å인 유기 전계 발광 소자 제조 방법.The method of claim 1, wherein the ITO layer has a thickness of 2,900 to 3,000 kPa or 4,400 to 4,500 kPa. 유기 전계 발광 소자에 있어서, In the organic electroluminescent device, 유리 기판;Glass substrates; 유리 기판 상에 2,600 내지 3,400Å의 범위 내 또는 4,000 내지 4,900Å 범 위 내의 두께로 형성되어 애노드 전극으로 사용되는 인듐 주석 산화물(ITO)층;An indium tin oxide (ITO) layer formed on the glass substrate in a thickness in the range of 2,600 to 3,400 kPa or in the range of 4,000 to 4,900 kPa and used as an anode electrode; 상기 ITO 층상에 순차적으로 형성된 절연층, 유기물층 및 금속 전극을 포함하는 유기 전계 발광 소자. An organic electroluminescent device comprising an insulating layer, an organic material layer and a metal electrode sequentially formed on the ITO layer. 제 3 항에 있어서, 상기 ITO 층은 그 두께가 2,900 내지 3,000Å 또는 4,400내지 4,500Å인 유기 전계 발광 소자.The organic electroluminescent device according to claim 3, wherein the ITO layer has a thickness of 2,900 to 3,000 kPa or 4,400 to 4,500 kPa.
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