KR100611220B1 - Organic electro luminescence display - Google Patents
Organic electro luminescence display Download PDFInfo
- Publication number
- KR100611220B1 KR100611220B1 KR1020030037664A KR20030037664A KR100611220B1 KR 100611220 B1 KR100611220 B1 KR 100611220B1 KR 1020030037664 A KR1020030037664 A KR 1020030037664A KR 20030037664 A KR20030037664 A KR 20030037664A KR 100611220 B1 KR100611220 B1 KR 100611220B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- passivation layer
- protective film
- organic
- layer
- inorganic
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 무기 보호막 상에 유기 보호막을 형성한 이중 구조의 보호막을 구비하는 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로, TFT가 형성된 절연 기판과; 상기 절연 기판 상에 형성된 보호막과; 상기 TFT와 콘택된 애노드 전극을 포함하며, 상기 보호막은 제 1 보호막과 제 2 보호막으로 이루어지는 이중막 구조의 보호막인 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an organic light emitting display device having a dual structure protective film having an organic protective film formed on an inorganic protective film, comprising: an insulating substrate having a TFT; A protective film formed on the insulating substrate; And an anode electrode in contact with the TFT, wherein the passivation layer is a passivation layer having a double layer structure including a first passivation layer and a second passivation layer.
유기 전계 발광 표시 장치, 보호막Organic electroluminescent display, shield
Description
도 1 및 도 2는 종래의 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 단면도. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating a conventional organic light emitting display device.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 단면도. 3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device according to a preferred embodiment of the present invention.
(도면의 주요 부위에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for main parts of drawing)
300; 절연 기판 310; 버퍼층300;
320; 활성층 321; 소오스 영역320;
323; 채널 영역 325; 드레인 영역323; Channel
330; 게이트 절연막 340; 게이트 전극330; A gate
350; 층간 절연막 351, 355; 콘택 홀350; Interlayer
361; 소오스 전극 365; 드레인 전극361;
370; 보호막 371; 무기 보호막370;
373; 유기 보호막 375; 비아 홀373; Organic
380; 애노드 전극380; Anode electrode
본 발명은 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로, 무기 보호막 상에 유기 보호막을 형성한 이중 구조의 보호막을 구비하는 유기 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescent display, and more particularly, to an organic electroluminescent display including a protective film having a dual structure in which an organic protective film is formed on an inorganic protective film.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 종래의 기술에 대하여 설명한다.Hereinafter, a conventional technology will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 무기 보호막을 사용하는 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device using a conventional inorganic protective film.
도 2는 종래의 유기 보호막을 사용하는 유기 전계 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device using a conventional organic protective film.
도 1을 참조하면, 버퍼층(110)이 형성된 절연 기판(100) 상에 폴리 실리콘막으로 된 활성층(120)을 형성한다. 상기 절연 기판(100) 전면에 게이트 절연막(130)과 게이트 메탈을 증착하고, 게이트 메탈을 패터닝하여 게이트 전극(140)을 형성한다. Referring to FIG. 1, an
그런 다음, 상기 게이트 전극(140)을 마스크로 이용하여 소정의 불순물을 도핑하여, 소오스 영역(121)과 드레인 영역(125)을 형성한다. 그리고, 상기 활성층(120) 중 소오스 영역(121)과 드레인 영역(125) 사이의 영역은 채널 영역(123)으로 작용한다. Then, the
그 후, 층간 절연막(150)을 증착하고, 패터닝하여 소오스 영역(121)과 드레인 영역(125)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(151, 155)을 형성한다. 기판(100)의 전면에 금속층을 5000Å 정도의 두께로 증착한 후, 사진 식각하여 소오스/드레인 전극(161, 165)과 금속 배선(167)을 형성한다. Thereafter, the
상기 소오스/드레인 전극(161, 65) 및 금속 배선(167)을 포함하는 절연 기판(100) 전면에 SiNx, SiO2를 CVD를 이용하여 6000Å 정도의 두께로 증착하여 무기 보호막(170)을 형성한다. An inorganic
상기 무기 보호막(170)에 드레인 전극(165)의 일부를 노출시키는 비아 홀(175)을 형성한다. 상기 절연 기판(100)의 전면에 ITO를 증착한 후, 사진 식각하여 비어 홀(175)을 통해 드레인 전극(165)에 연결되는 애노드(anode) 전극(180)을 형성한다. A
이후에는, 도면상에는 도시하지 않았으나, 유기 발광층과 캐소드 전극을 형성한다. Thereafter, although not shown in the drawings, an organic light emitting layer and a cathode are formed.
상기한 바와 같이, 보호막(170)으로 무기 절연막을 사용하는 경우에, TFT 특성 개선을 위한 열처리 공정시 소오스/드레인 전극(161, 165) 및 금속 배선(167)의 산화를 방지할 수 있으며, 고온의 열처리가 가능하다. As described above, in the case where the inorganic insulating film is used as the
그러나, 상기 보호막(170)으로 사용되는 무기 절연막인 SiNx, SiO2는 하부 구조에 등각(conformal)하게 형성되므로, 평탄화를 위하여 두껍게 증착하기 어려울 뿐만 아니라, 상기 무기 절연막인 SiO2는 유전율이 3.9이며, SiNx는 유전율이 7정도로 높기 때문에 기생 캐패시턴스가 증가하는 문제점이 있다. However, since the inorganic insulating films SiNx and SiO2 used as the
상기한 문제점을 해결하기 위하여 유기 보호막을 도입하였다. In order to solve the above problems, an organic protective film was introduced.
도 2를 참조하면, 버퍼층(210)을 구비한 절연 기판(200) 상에 소오스/드레인 영역(221, 225)과 채널 영역(223)을 구비한 활성층(220), 게이트 절연막(230), 게이트 전극(240), 층간 절연막(250), 소오스/드레인 전극(261, 265)을 순차적으로 형성한다. 2, an
도면의 참조 부호 251, 255는 콘택 홀이며, 267은 금속 배선이다.
그런 다음, 소오스/드레인 전극(261, 265)을 포함하는 절연 기판 전면(200)에 아크릴 등의 유기 물질을 CVD를 이용하여 7500~30000Å의 두께로 증착하여 유기 보호막(270)을 형성한다. Then, an organic material such as acryl is deposited on the entire surface of the
상기 유기 보호막(270)을 형성한 후, 유기 보호막(270)에 드레인 전극(265)의 일부를 노출시키는 비아 홀(275)을 형성하고, 상기 비아 홀(275)을 통하여 드레인 전극(265)과 전기적으로 연결되는 애노드 전극(280)을 형성한다. After forming the
이후에는, 도면상에는 도시하지 않았으나, 애노드 전극(280) 상에 유기 발광층을 형성하고 기판 전면에 캐소드 전극을 형성한다. Thereafter, although not shown in the drawing, an organic emission layer is formed on the
그러나, 상기 보호막으로 유기 보호막(270)을 사용하는 경우에는 유기 보호막(270)에 사용되는 유기 물질이 하부 구조에 비등각(nonconformal)하게 형성되므로 평탄화를 위하여 두껍게 증착하는 것이 가능하다. 그러나, 무기 보호막과는 달리 고온 열처리가 불가능한 문제점이 있다. 이는 유기 보호막(270)이 열에 약하며, 고온에서 아웃 개싱(outgasing)의 문제가 발생하기 때문이다. However, in the case of using the
본 발명의 목적은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명은 이중 구조의 보호막을 형성하여 하부 구조 TFT의 특성 개선을 위한 고온 열처리가 가능한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 데에 그 목적이 있다. An object of the present invention is to solve the above problems of the prior art, the present invention is to provide an organic electroluminescent display device capable of high-temperature heat treatment to improve the characteristics of the underlying TFT by forming a protective film of a double structure. There is a purpose.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 TFT가 형성된 절연 기판과; 상기 절연 기판 상에 형성된 보호막과; 상기 TFT와 콘택된 애노드 전극을 포함하며, 상기 보호막은 제 1 보호막과 제 2 보호막으로 이루어지는 이중막 구조를 갖는 유기 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 특징으로 한다. The present invention for achieving the above object is an insulating substrate with a TFT; A protective film formed on the insulating substrate; And an anode electrode in contact with the TFT, wherein the passivation layer has a double layer structure consisting of a first passivation layer and a second passivation layer.
본 발명의 실시예에 있어서, 상기 보호막은 무기 보호막과 유기 보호막으로 이루어지는 이중막 구조의 보호막으로, 상기 제 1 보호막은 무기 보호막이며, 상기 제 2 보호막은 유기 보호막인 것이 바람직하다. In an embodiment of the present invention, the protective film is a protective film having a double film structure composed of an inorganic protective film and an organic protective film, wherein the first protective film is an inorganic protective film, and the second protective film is an organic protective film.
또한, 상기 보호막은 두께가 1.5㎛ 이상인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 상기 보호막의 두께는 1.5㎛ 내지 1.8㎛이다. In addition, the protective film preferably has a thickness of 1.5 μm or more, and more preferably, the protective film has a thickness of 1.5 μm to 1.8 μm.
상기 제 1 보호막은 SiNx 또는 SiO2로 이루어진 무기 보호막이며, 3000Å 이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다. The first protective film is an inorganic protective film made of SiNx or SiO2, and preferably has a thickness of 3000 kPa or less.
상기 제 2 보호막은 아크릴, PI, PA 또는 BCB로 이루어지는 유기 보호막인 것이 바람직하다. It is preferable that a said 2nd protective film is an organic protective film which consists of acryl, PI, PA, or BCB.
이하 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시예를 설명한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 이중 구조의 보호막을 사용하는 유기 전계 발광 표시 장치를 설명하는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device using a dual layer protective film according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 절연 기판(300)으로 사용되는 유리 기판 상에 상기 유리 기판으로부터 금속 이온 등의 불순물이 확산되어 활성층(다결정 실리콘)에 침투하는 것을 막기 위한 버퍼층(310, buffer layer; diffusion barrier)을 PECVD, LPCVD, 스퍼터링(sputtering) 등의 방법을 통해 증착한다. Referring to FIG. 3, a
그런 다음, 상기 버퍼층(310) 상에 PECVD, LPCVD, 스퍼터링 등의 방법을 이용하여 비정질 실리콘막(amorphous Si)을 증착한다. 그리고, 진공 로(furnace)에서 탈수소 공정을 실시한다. 상기 비정질 실리콘막을 LPCVD나 스퍼터링으로 증착한 경우 탈수소하지 않을 수도 있다. Next, an amorphous Si film is deposited on the
상기 비정질 실리콘막에 고에너지를 조사하는 비정질 실리콘의 결정화 공정을 통해 비정질 실리콘을 결정화하여 다결정 실리콘막(poly-Si)을 형성한다. 바람직하게는 상기 결정화 공정으로 ELA, MIC, MILC, SLS, SPC 등의 결정화 공정이 사용된다. The amorphous silicon is crystallized through a crystallization process of amorphous silicon that irradiates the amorphous silicon film with high energy to form a polycrystalline silicon film (poly-Si). Preferably, a crystallization process such as ELA, MIC, MILC, SLS, SPC is used as the crystallization process.
상기 다결정 실리콘막을 형성한 후, 상기 다결정 실리콘막 상에 활성층을 형성하기 위한 포토레지스트를 형성하고, 상기 포토레지스트를 마스크로 하여 상기 다결정 실리콘막을 패터닝하여 활성층(320, active layer)을 형성한다. After the polycrystalline silicon film is formed, a photoresist for forming an active layer is formed on the polycrystalline silicon film, and the polycrystalline silicon film is patterned using the photoresist as a mask to form an
상기 활성층(320) 상에 게이트 절연막(330)을 증착하고, 상기 게이트 절연막(330) 상에 게이트 메탈을 증착한 후, 상기 게이트 메탈을 패터닝하여 게이트 전극(340)을 형성한다. A
상기 게이트 전극(340)을 형성한 후, 게이트 전극(340)을 마스크로 이용하여 상기 활성층(320)에 소정의 도전형을 갖는 불순물을 도핑하여 소오스/드레인 영역(321, 325)을 형성한다. 상기 활성층 중 소오스/드레인 영역(321, 325) 사이의 영역은 TFT의 채널 영역(323)으로 작용한다. After the
상기 활성층(320)에 불순물을 도핑하여 소오스/드레인 영역(321, 325)을 형성한 후, 상기 절연 기판(300) 전면에 걸쳐 층간 절연막(350)을 형성하고, 패터닝 하여 소오스 영역(321)과 드레인 영역(325)의 일부를 노출시키는 콘택 홀(351, 355)을 형성한다. After the source /
그런 다음, 상기 절연 기판(300)의 전면에 소정의 도전막을 증착하고, 사진 식각하여 상기 소오스/드레인 영역(321, 325)과 콘택 홀(351, 355)을 통하여 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극(361, 365)과 금속 배선(367)을 형성한다. Then, a predetermined conductive film is deposited on the entire surface of the insulating
상기 소오스/드레인 전극(361, 365)을 형성한 후, 상기 절연 기판(300) 전체에 CVD 방법을 이용하여 무기 보호막(371)을 형성한다. 이 때, 상기 무기 보호막(371)은 하부 구조에 등각(conformal)하게 형성되며, 상기 금속 배선(367)과 이후에 형성되는 유기 보호막과의 접찹력을 강화시켜준다. 상기 무기 보호막(371)으로는 SiNx, SiO2 등과 같은 물질을 증착하여 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 무기 보호막(371)은 3000Å 이하의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. After forming the source /
상기 무기 보호막(371)을 형성한 후, 열처리를 실시한다. 상기 열처리는 TFT 제조 공정에서 발생하는 손상을 큐어링(curing)하여 TFT의 특성을 개선하기 위한 것이다. After the inorganic
상기 열처리 공정을 수행한 다음, 상기 무기 보호막(371) 상에 유기 보호막(373)을 증착하여, 무기 보호막(371)과 유기 보호막(373)으로 이루어지는 이중막 구조의 보호막(370)을 형성한다. After performing the heat treatment process, an
이 때, 상기 유기 보호막(373)은 상기 무기 보호막(371)과는 달리 하부 구조에 비등각(nonconformal)하게 형성되며, 평탄화를 위하여 두껍게 증착하여도 유전율이 낮으므로 기생 캐패시턴스가 크게 증가하지 않는다. 상기 유기 보호막(373)으 로는 아크릴(Acryl), PI(Polyimide), PA(Polyamide) 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등과 같이 유동성이 있어 TFT의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있는 물질을 사용하는 것이 바람직하며, 유기 보호막(373)으로 사용되는 물질 중 아크릴은 다른 물질에 비하여 유전율이 낮으므로, 상대적으로 다른 유기 물질에 비하여 기생 캐패시턴스가 작아 좀 더 두껍게 증착할 수 있다. In this case, unlike the
상기 무기 보호막(371)과 유기 보호막(373)으로 이루어지는 이중막 구조의 보호막(370)은 1.5㎛이상의 두께로 형성하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는, 상기 이중막 구조의 보호막(370)은 1.5㎛ 내지 1.8㎛의 두께로 형성한다. The
상기 유기 보호막(373)을 형성한 후, 상기 무기 보호막(371)과 유기 보호막(373)으로 이루어지는 이중막 구조의 보호막(370)에 드레인 전극(365)의 일부를 노출시키는 비아 홀(375)을 형성한다. 상기 절연 기판(300)의 전면에 걸쳐 상기 보호막(370)의 상부에 ITO와 같은 전도성 물질을 증착한 후, 사진 식각하여 비아 홀(375)을 통해 드레인 전극(365)에 전기적으로 연결되는 애노드 전극(380)을 형성한다. After the
이후에는, 도면상에 도시하지 않았으나, 애노드 전극(380) 상에 유기 발광층을 형성하고, 기판 전면에 캐소드 전극을 형성한다. Thereafter, although not shown in the drawing, an organic light emitting layer is formed on the
상기한 바와 같이 본 발명에 따르면, 이중 구조의 보호막을 형성함으로써, 보다 평탄화된 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. As described above, according to the present invention, a flattened organic light emitting display device can be provided by forming a protective film having a double structure.
또한, 유기 절연막을 형성하기 전, TFT 특성을 개선시켜주기 위한 열처리 공 정을 수행함으로써, 고온 열처리가 가능하다. In addition, high temperature heat treatment is possible by performing a heat treatment process to improve the TFT characteristics before forming the organic insulating film.
또한, 금속 배선과 유기막 사이의 접착력이 우수한 유기 전계 발광 표시 장치를 제공할 수 있다. In addition, an organic light emitting display device having excellent adhesion between a metal wiring and an organic layer can be provided.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. While the foregoing has been described with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.
Claims (8)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030037664A KR100611220B1 (en) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | Organic electro luminescence display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030037664A KR100611220B1 (en) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | Organic electro luminescence display |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040106814A KR20040106814A (en) | 2004-12-18 |
KR100611220B1 true KR100611220B1 (en) | 2006-08-09 |
Family
ID=37381131
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030037664A KR100611220B1 (en) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | Organic electro luminescence display |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100611220B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11145697B2 (en) | 2017-02-10 | 2021-10-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101603997B1 (en) | 2008-11-11 | 2016-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device and method of fabricating the same |
-
2003
- 2003-06-11 KR KR1020030037664A patent/KR100611220B1/en active IP Right Grant
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11145697B2 (en) | 2017-02-10 | 2021-10-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20040106814A (en) | 2004-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1708197B (en) | Organic light emitting display device and method of fabricating the same | |
US8299478B2 (en) | Organic light emitting diode display device having a pixel defining layer and method of fabricating the same | |
KR101233348B1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
CN1703126B (en) | Organic light emitting display device and method for fabricating the same | |
WO2019140733A1 (en) | Flexible amoled substrate and manufacturing method therefor | |
US8174012B2 (en) | Organic light emitting diode display device and method of manufacturing the same | |
US8168531B2 (en) | Semiconductor device and method of fabricating the same | |
KR100601370B1 (en) | TFT and Organic Electro Luminescence Display using the same | |
KR100579182B1 (en) | Methode of fabricating OELDOrganic Electro Luminescence Display | |
KR100601374B1 (en) | TFT, fabricating method of the same, and flat panel display having the TFT | |
WO2015096375A1 (en) | Double-sided display oled array substrate and manufacturing method thereof and display device | |
KR20120061312A (en) | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same | |
WO2020220476A1 (en) | Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel | |
KR100635065B1 (en) | Organic light emitting display device and the method for fabricating of the same | |
WO2020037850A1 (en) | Array substrate and manufacturing method therefor, and display panel | |
KR100611155B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display and method of fabricating the same | |
KR100611220B1 (en) | Organic electro luminescence display | |
KR100635062B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display device | |
KR102204755B1 (en) | Manufacturing method of thin film transistor of display device | |
KR100590238B1 (en) | Organic light emitting display device and the method for fabricating of the same | |
KR100611217B1 (en) | OELDOrganic Electroluminescence Display using organic passivation | |
KR100590260B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display | |
KR100635059B1 (en) | Organic Electro Luminescence Display | |
KR100611757B1 (en) | Organic light emitting display device and the method for fabricating of the same | |
KR101351402B1 (en) | Method for Manufacturing Thin Film Transtistor and Method for Manufacturing Flat Panel Display Device Using the Same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120730 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130731 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160801 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180802 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190801 Year of fee payment: 14 |