KR100605545B1 - Method for manufacturing a dense structure with high aspect ratio using a localized electrochemical deposition - Google Patents

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KR100605545B1 KR1020040035313A KR20040035313A KR100605545B1 KR 100605545 B1 KR100605545 B1 KR 100605545B1 KR 1020040035313 A KR1020040035313 A KR 1020040035313A KR 20040035313 A KR20040035313 A KR 20040035313A KR 100605545 B1 KR100605545 B1 KR 100605545B1
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Abstract

국부전기화학석출법(localized electrochemical deposition)을 이용한 높은 종횡비를 갖는 3차원 미세 물체를 제조하는 방법으로서, 전도성 미세 전극을 간격 형성을 위해 전도성 기판 표면부근에 위치시키는 단계; 상기 전도성 미세전극과 상기 전도성 기판 표면이 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계; 상기 3차원 물체를 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 전기적 포텐셜을 인가하는 단계; 상기 전도성 전극과 상기 3차원 물체사이의 최적 거리를 선정하는 단계; 및 상기 최적공정 조건 하에서 산출된 미세 전극과 3차원 물체사이의 거리를 일정하게 유지하면서, 상기 전도성 전극을 이동시키는 단계를 포함한다. 미세전극과 상기 3차원 물체사이의 최적거리는 코우히어런트 X-선을 이용한 미세 방사학적 장치를 이용하여 확인되며, 전도성 전극의 위치조절은 스테핑 모터에 의해 행해진다.   CLAIMS 1. A method of manufacturing a high aspect ratio three dimensional microobject using localized electrochemical deposition, comprising: placing a conductive microelectrode near a surface of a conductive substrate to form a gap; Introducing an electrochemical medium such that the conductive microelectrode contacts the surface of the conductive substrate; Applying an electrical potential across the electrochemical medium to precipitate the three-dimensional object; Selecting an optimal distance between the conductive electrode and the three-dimensional object; And moving the conductive electrode while maintaining a constant distance between the fine electrode and the three-dimensional object calculated under the optimum process conditions. The optimum distance between the microelectrode and the three-dimensional object is confirmed using a microradio device using coherent X-rays, and the positioning of the conductive electrode is performed by a stepping motor.

LECD, 전극, 전도성 표면, 코우히어런트 X-선, 미세방사학적 장치LECD, electrode, conductive surface, coherent x-ray, microradioactive device

Description

국부 전기화학석출법을 이용한 치밀한 품질의 높은 종횡비의 미세구조물을 제조하는 방법{Method for manufacturing a dense structure with high aspect ratio using a localized electrochemical deposition} Method for manufacturing a dense structure with high aspect ratio using a localized electrochemical deposition

도 1은 종래의 고(高) 종횡비의 미세구조물을 제조하기 위한 장치의 개략도.1 is a schematic diagram of an apparatus for fabricating a high aspect ratio microstructure of the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 고 종횡비의 미세구조물을 제조하는 장치의 개략도.2 is a schematic representation of an apparatus for producing high aspect ratio microstructures in accordance with the present invention.

도 3a 및 도 3b는 코히어런트 X-선을 사용한 실시간 미세방사선학에 의해 모니터링된 높은 종횡비의 Cu미세구조물의 LECD 성장을 보여주는 사진. 여기서, 도 3b는 미세전극(선단)이 성장하는 미세구조물의 선단으로부터 약 35 ㎛에 도달하였을 때, 성장하는 조직의 형태가 치밀성에서 다공성으로 전이되면서 성장속도가 급격하게 증가하는 것을 보여준다. 이 때, 인가전압이 V=4.5 V이다. 3A and 3B are photographs showing LECD growth of high aspect ratio Cu microstructures monitored by real time microradiology using coherent X-rays. Here, FIG. 3B shows that when the microelectrode (tip) reaches about 35 μm from the tip of the growing microstructure, the growth rate rapidly increases as the shape of the growing tissue transitions from dense to porous. At this time, the applied voltage was V = 4.5V.

도 3c는 도 3b와 동일한 성장에 대한 조직의 형태의 변화를 보여주는 FE-SEM 분석 사진.FIG. 3C is a photograph of FE-SEM analysis showing changes in tissue morphology for the same growth as in FIG. 3B.

도 4a는 본 발명에 의한 4.5 V의 인가전압에서 미세전극과 미세구조물사이의 거리 L에 따른 석출속도를 보여주는 그래프. 여기서 화살표는 임계값을 보여주며, 또한 삽입그래프는 쌍곡선 의존성을 보여주는 석출속도 대(對) 1/L의 그래프이다. Figure 4a is a graph showing the precipitation rate according to the distance L between the microelectrode and the microstructure at an applied voltage of 4.5 V according to the present invention. Here the arrow shows the threshold and the interpolation graph is a graph of precipitation rate versus 1 / L showing hyperbolic dependence.

도 4b는 본 발명에 의한 시간에 따른 전해액 셀에서의 전류 및 석출속도의 그래프. Figure 4b is a graph of the current and precipitation rate in the electrolyte cell with time according to the present invention.

도 5는 본 실시 예에 의한 두 용액에 있어서 인가전압 V에 따른 L의 "임계"값의 변화를 보여주는 그래프. 5 is a graph showing the change of the "critical" value of L according to the applied voltage V in the two solutions according to the present embodiment.

도 6a 및 도 6b는 용액1에서 3.5 V의 인가전압에 있어서 밀도가 높은 치밀성의 성장(좌측)으로부터 밀도가 낮은 다공성의 성장(우측)으로의 전이를 보여주는 사진들. 6A and 6B are photographs showing the transition from dense dense growth (left) to dense porous growth (right) at an applied voltage of 3.5 V in solution 1.

도 6c 및 도 6d는 용액1에서 10V의 인가전압에 있어서 밀도가 높은 치밀성의 성장(좌측)으로부터 밀도가 낮은 다공성의 성장(우측)으로의 변이를 보여주는 사진들. 6C and 6D are photographs showing the transition from dense dense growth (left) to dense porous growth (right) at 10 V applied voltage in solution 1.

여기서 "임계" 거리는 도 6a,b의 첫 번째 경우는 8 ㎛이고, 도 6c,d의 두 번째 경우는 80 ㎛이다. 임계 거리는 첫 번째 경우가 두 번째 경우보다 훨씬 더 크다는 것을 알 수 있다. The “critical” distance here is 8 μm in the first case of FIGS. 6A and 6B and 80 μm in the second case of FIGS. 6C and D. It can be seen that the threshold distance is much larger in the first case than in the second case.

본 발명은 국부전기화학석출법(localized electrochemical deposition)을 이용한 높은 종횡비(aspect ratio)를 갖는 미세구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method for producing microstructures having high aspect ratios using localized electrochemical deposition.

종래기술Prior art

마스크를 사용할 필요가 없는 대안적인 전착(electrodeposition)이 국부전기화학석출법(LECD)이다.An alternative electrodeposition that does not require the use of a mask is local electrochemical precipitation (LECD).

마덴(Madden)과 헌터(Hunter)는 여러 가지의 마이크로미터 크기의 니켈 구조물을 석출시키는데, 아주 뾰족한 미세 전극의 팁을 사용하였다(J.D Madden and I.W. Hunter, J. Microelectrochem. Systems, 5, 24 (1996)참조). Madden and Hunter used to deposit a variety of micrometer-sized nickel structures, using the tip of a very fine microelectrode (JD Madden and IW Hunter, J. Microelectrochem. Systems, 5, 24 (1996). )Reference).

A.J.Bard, F.-R.F.Fan, and M.V.Mirkin, in Electroanalytical Chemistry, Vol.18, A. J. Bard,Editor, p.244, Marcel Dekker, Incorporated, New York(1994)에 기재된 종래의 팁 배향 국부석출(tip-directed localized deposition)에서는, 초미세전극(UME: Ultra micro electrode) 팁과 기판전극사이에 바이어스 전압이 인가될 때 이온전도성 전해액(ionically conducting electrolyte)에 잠겨 있는 초미세전극 팁과 기판전극의 사이의 용액을 통하여 패러데이 전류가 흐르게 된다. 환원성 금속이온들(reducible metal ions)이 전해액내에 존재하고 (예를 들면, Cu2+ 이온) 기판전극 포텐셜이 팁 전극에 대하여 음(negative)이라면, 패러데이 전류의 흐름은 이 기판상에서 금속의 석출과 팁에서의 산화공정을 일으킨다. 이 전극들 사이의 전류를 모니터링하고 그에 따라 상호 전극간격을 모니터링하는 피드백 제어수단에 의해 초미세전극 팁과 전극간의 패러데이 전류의 크기를 일정하게 유지한다. 팁 전극을 기판전극에 대하여 수직방향으로 이동시킴으로써, 대략 팁 직경의 금속 구조체가 생성된다. 또 다른 예로서, 기판의 표면 위를 측 방향[lateral direction]으로 팁을 주사함으로써, 금속선들(metal lines)을 제작할 수 있다.Conventional tip-directed localized as described in AJBard, F.-RFFan, and MVMirkin, in Electroanalytical Chemistry, Vol. 18, AJ Bard, Editor, p.244, Marcel Dekker, Incorporated, New York (1994). In deposition, a solution between the ultrafine electrode tip and the substrate electrode submerged in an ionically conducting electrolyte when a bias voltage is applied between the ultramicro electrode (UME) tip and the substrate electrode is applied. Faraday current flows. If reducible metal ions are present in the electrolyte (e.g. Cu 2+ ions) and the substrate electrode potential is negative relative to the tip electrode, the flow of Faraday currents may be associated with the deposition of metal on the substrate. Causes oxidation at the tip. The magnitude of the Faraday current between the ultrafine electrode tip and the electrode is kept constant by feedback control means for monitoring the current between these electrodes and thus monitoring the mutual electrode spacing. By moving the tip electrode perpendicular to the substrate electrode, a metal structure of approximately tip diameter is produced. As another example, metal lines can be fabricated by scanning the tip over the surface of the substrate in a lateral direction.

또한, E.M.El-Giar, R.A.Said, G.E.Bridges, 및 D.J.Thomson은, Local Electrochemical Deposition of Copper Microstructures, Journal of The Electrochemical of Society, 147(2) 586-591(2000)에서는, 도1에 보여진 바와 같이, 피드백 회로에 일정한 기준 포텐셜 V0(즉, 기준전류 I0)이 설정되어 있고 석출이 시작되어 Cu구조물이 성장함에 따라서, 전류모니터(10)에 의해 전류를 감지하여, 전류 It가 I0를 초과할 때(즉, 팁과 성장하는 Cu구조물이 접촉할 때)까지 증가하면, 피드백 회로가 작동되어 미세전극(20)의 팁을 위로 이동시키고 성장하는 Cu구조물이 다시 단락될 때까지 Cu성장은 계속된다. 이때 미세위치 조절기(30)상에 장착된 미세전극은 미세 스테핑 모터를 사용하여 3차원으로 조절된다. 여기서, 40은 반응물을 함유하는 용액을 담은 용기를 나타낸다.EMEl-Giar, RASaid, GEBridges, and DJThomson also show in Local Electrochemical Deposition of Copper Microstructures, Journal of The Electrochemical of Society, 147 (2) 586-591 (2000), as shown in FIG. When a constant reference potential V0 (i.e., reference current I0) is set in the feedback circuit and precipitation starts and the Cu structure grows, the current is detected by the current monitor 10 so that the current It exceeds I0. (I.e., when the tip and the growing Cu structure are in contact), the feedback circuit is activated to move the tip of the microelectrode 20 upward and Cu growth continues until the growing Cu structure is shorted again. At this time, the microelectrode mounted on the micro position controller 30 is adjusted in three dimensions by using a fine stepping motor. Here 40 represents a vessel containing a solution containing the reactants.

이것으로 종합하여 보면, 종래의 기술은 두 전극사이의 기준 전류값을 정해 놓고 전극사이에 그 이상의 전류가 흐르게 되면 미세전극과 구조체간의 거리를 분리시키는 방법(미세전극과 구조체간의 접촉을 허용)을 이용하여 미세구조물을 제조하는 기술임을 알 수 있다. Taken together, the conventional technique sets a reference current value between two electrodes and separates the distance between the microelectrode and the structure (allowing contact between the microelectrode and the structure) when more current flows between the electrodes. It can be seen that the technique for producing a microstructure using.

그러나, 이러한 종래의 기술들은 미세전극과 구조체간의 접촉을 허용하기 때문에 However, these conventional techniques allow for contact between the microelectrode and the structure.

다공성의 구조체가 만들어 진다는 문제를 가지고 있다. 구조물이 많은 기공을 갖게 되면 전기적으로는 저항이 높아지게 되고 구조적으로는 강도가 낮아진다는 단점을 갖게 된다. The problem is that porous structures are made. If the structure has a lot of pores, there is a disadvantage that the resistance is increased electrically and the strength is structurally low.

본 발명은 치밀성이 있고 높은 종횡비를 갖는 미세 금속구조물을 신속하게 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.        It is an object of the present invention to provide a method for rapidly producing fine metal structures having dense and high aspect ratios.

LECD는 아주 높은 종횡비의 미세구조물과 나노구조물의 제조를 위한 새롭고 아주 흥미로운 기술이다. 이 기술은 전기화학적 도금 (electrochemical deposition)에 근거를 두고 있다: LECD is a new and exciting technology for the production of very high aspect ratio microstructures and nanostructures. The technique is based on electrochemical deposition:

본 발명의 장치에 있어서, 미세전극과 전도성 기판을 용기 안에 넣고 전압을 인가하고, 미세전극과 전도성 기판위에 성장하는 미세구조물사이의 거리를 일정하게 유지하면서 미세구조물을 석출시켜, 높은 종횡비를 갖는 미세구조물을 얻는다. 이때 제작 과정은 미세 방사학적 장치를 이용하여 실시간으로 모니터링 된다. 이러한 모니터링을 통해 미세전극과 성장하는 미세구조물을 갖는 기판의 거리가 스테핑 모터를 이용하여 일정한 거리가 유지되므로, 높은 종횡비를 갖는 치밀한 미세구조물을 제조할 수 있다. In the device of the present invention, the microelectrode and the conductive substrate are placed in a container and a voltage is applied, and the microstructure is deposited while maintaining a constant distance between the microelectrode and the microstructure growing on the conductive substrate, thereby having a fine aspect ratio. Get the structure. The fabrication process is monitored in real time using a microradio device. Through such monitoring, since the distance between the microelectrode and the substrate having the growing microstructure is maintained at a constant distance using a stepping motor, it is possible to manufacture a dense microstructure having a high aspect ratio.

위에 같은 장치를 이용한 본 발명에 따른 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법은 다음과 같다. Method for producing a high aspect ratio dense microstructures according to the present invention using the same device is as follows.

1) 전도성 미세전극을 용기에 잠겨있는 전도성 기판에 아주 근접하게 위치시킨다. 미세전극은 전형적으로 백금 또는 플래티나 이리듐으로 만들어진다. 그러나 미세전극은 어떠한 전도성 물질로 만들어질 수 있다. 예를 들면 금속, 탄소 및 전도성 중합체로 만들어질 수 있다. 1) Place the conductive microelectrode in close proximity to the conductive substrate submerged in the container. Microelectrodes are typically made of platinum or platinum or iridium. However, the microelectrode can be made of any conductive material. For example, it can be made of metal, carbon and conductive polymers.

2) 미세전극과 전도성 기판 사이에 적절한 전압을 인가한다. 2) Appropriate voltage is applied between the microelectrode and the conductive substrate.

3) 마이크로, 나노 구조물의 석출을 시작한다. 3) Precipitation of micro and nano structures begins.

4) 마이크로, 나노 구조물이 성장하는 동안에 구조물의 선단과 미세전극의 선단사이의 최적거리를 선정한다. 이 때, 이 거리의 측정은 코히어런트 X-선을 갖는 미세방사학적 장치에 의해 행하여졌다. 코히어런트 X-선을 갖는 미세방사학적 장치의 구성은 크게 X-선빔 소스, 샘플 스테이지, 이미지 검출장치로 구성되어 있다. 코히어런트 X-선을 갖는 미세방사학적 장치는 Y.Hwu, W.-L. Tsai, A. Groso, G. Margaritondo and J.H.Je, J. Phys. D35, R105(2002)에서 상세하게 기재되어 있으며, 이 기술에 의해 최근에 재료과학공정들의 동력학을 이해하는 데 다른 돌파구가 마련되었다. 4) Select the optimal distance between the tip of the structure and the tip of the microelectrode while the micro and nano structure is growing. At this time, the measurement of this distance was carried out by a microradioactive apparatus having coherent X-rays. The configuration of the microradioactive apparatus having coherent X-rays is largely composed of an X-ray beam source, a sample stage, and an image detection apparatus. Microradiological devices with coherent X-rays are described in Y. Hwu, W.-L. Tsai, A. Groso, G. Margaritondo and JHJe, J. Phys. D35 , R105 (2002), which is described in detail and has recently made another breakthrough in understanding the dynamics of materials science processes.

이 미세방사학을 이용한 본 발명에서는, 미세전극과 석출된 구조물사이의 거리를 실시간으로 모니터링할 수 있고, 또한 석출된 구조물의 조직 형태을 실시간으로 모니터링할 수 있다.In the present invention using the microradiology, the distance between the microelectrode and the deposited structure can be monitored in real time, and the structure of the deposited structure can be monitored in real time.

이러한 코히어런트 X-선을 갖는 미세방사학적 장치를 이용하여, 최적의 거리를 설정할 수 있다.Using such a coherent X-ray microradiological apparatus, an optimal distance can be set.

실험들은 한국에 소재한 포항 라이트 소스(PLS)의 새로운 7B2 X선 마이크로스코피 빔라인(microscopy beamline)에서 수행되었다. 제조된 구조물의 현미경적인 특징들은 전계방출 주사전자 현미경(field emission scanning electron microscopy: FE-SEM)에 의해 측정되었다. Experiments were performed on a new 7B2 X-ray microscopy beamline from Pohang Light Source (PLS), South Korea. Microscopic features of the fabricated structures were measured by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM).

5) 위에서 채택된 최적의 거리(마이크로, 나노 구조물의 선단으로부터 미세전극사이의 거리)를 구조물이 성장 동안에 실질적으로 일정하게 유지되도록 미세전극을 이동시켜 3차원 구조물을 제조한다. 도2에 제시한 시스템을 이용하여 공정을 미세방사학적 기구를 이용하여 실시간으로 관찰하면 미세 전극과 성장하고 있는 미세구조물 사이의 거리가 공정이 진행됨에 따라 변화하는 것을 관찰할 수 있고 그 거리를 측정할 수 있다. 그 거리가 임계값 보다 작아지면 스테핑 모터를 이용하여 미세전극의 위치를 이동시켜 최적의 임계거리(최적거리)를 유지하게 한다. 5) The three-dimensional structure is manufactured by moving the microelectrode so that the optimal distance (micro, distance between the microelectrode from the tip of the nanostructure) adopted above is kept substantially constant during the growth. Using the system shown in FIG. 2, the process can be observed in real time using a microradiological instrument to observe that the distance between the microelectrode and the growing microstructure changes as the process progresses and the distance is measured. can do. If the distance is smaller than the threshold value, the stepping motor is used to move the position of the microelectrode to maintain the optimum critical distance (optimal distance).

이 "상향식(bottom-up)" 접근방식은 LIGA(Lithographie, Galvanoformung, Abforming)과 같은 표준적인 "하향식(top-down)" 제조기술에 비하여 중요한 장점들을 제공한다. 예를 들면, LECD는 염가이고 최소 크기에 제한이 없다는 장점을 갖는다. This "bottom-up" approach offers significant advantages over standard "top-down" manufacturing techniques such as LIGA (Lithographie, Galvanoformung, Abforming). For example, LECD has the advantage of being inexpensive and having no minimum size limitation.

LECD는 마이크론, 서브-마이크론, 나노 스케일의 금속, 금속합금, 전도성 중합체 및 반도체와 같은 다양한 재료에 적용될 수 있다. 이 간단한 접근법은 미세전자, 통신, 마이크로로봇, 생명과학, 마이크로센서, 엑츄에이터 및 일반 소형 장치에 중요한 제조기술이 될 수 있다. LECD can be applied to a variety of materials such as microns, sub-microns, nanoscale metals, metal alloys, conductive polymers and semiconductors. This simple approach can be an important manufacturing technology for microelectronics, telecommunications, microrobots, life sciences, microsensors, actuators and general small devices.

그러나, 지금까지는, 어느 누구도 LECD 공정을 적절하게 높은 공간적인 분해능을 가지고 실시간으로 관찰하지 못하였다. 따라서 LECD 공정에 대한 지식이 제한적이었다: 본 발명자들은 인가전압과 금속이온의 농도에 영향을 받는 전극과 생성된 구조물사이의 거리가 중요하며, 지금까지 알려지지 않은 이 미세전극과 석출된 구조물사이의 거리가 석출된 구조물에 미치는 영향을 발견하였다. 미세전극과 구조물사이의 거리를 일정하게 유지시킴으로써, 매우 낮은 정도의 다공성을 가지며, 스무스(smooth)하고 미세한 결정립의 3차원 미세구조물(three dimensional object with the dimension being micrometer)을 얻을 수 있다는 것을 발견하였다. Until now, however, no one has observed the LECD process in real time with adequately high spatial resolution. Thus, the knowledge of the LECD process was limited: The inventors note that the distance between the electrode and the resulting structure, which is affected by the applied voltage and the concentration of metal ions, is important, and the distance between this microelectrode and the deposited structure, which has not been known so far, is important. Was found to affect the deposited structures. By keeping the distance between the microelectrode and the structure constant, it has been found that a three dimensional object with the dimension being micrometer can be obtained with a very low degree of porosity and a smooth and fine grain. .

실시예Example

본 발명은 높은 종횡비 및 3 차원의 금속, 중합체 및 반도체를 제조하는 새로운 방법 및 금속, 반도체, 세라믹 및 중합체를 석출하는 새로운 방법에 관련되어 있다. 석출(deposition) 및 식각(etching)은 도체표면상에 국부화되어 있는 전기화학적 반응에 의해 달성된다. The present invention relates to new methods for producing metals, polymers and semiconductors in high aspect ratios and three dimensions and to new methods for depositing metals, semiconductors, ceramics and polymers. Deposition and etching are achieved by an electrochemical reaction localized on the conductor surface.

본 발명 방법은 적절한 전도성 기판 및 전기화학적 산화 및 환원시에 원하는 생성물을 석출할 반응물(reactant(s))을 함유하는 용액을 선정한다. 미세전극은 기판의 크기에 비하여 작은 마이크로 또는 나노 단위의 특징적 형상체(characteristic features)을 구비하며, 이들 형상체(미세전극)를 기판에 근접하게 배열하고, 적절한 포텔셜을 인가함으로써, 전류 및 그에 따른 기판상의 석출이 국부화된다. 구조물들을 형성하기 위해서 미세전극을 3차원으로 기판에 대하여 이동시켜, 기판으로부터 물질을 쌓아올린다. 공정을 수행하기 위한 예시적인 장치가 도2에 개략적으로 도시되어 있다. The method of the present invention selects a solution containing a suitable conductive substrate and reactant (s) which will precipitate the desired product upon electrochemical oxidation and reduction. Microelectrodes have characteristic features in micro or nano units that are small relative to the size of the substrate, and by arranging these features (microelectrodes) in close proximity to the substrate and applying an appropriate portal current, Precipitation on the substrate is localized. The microelectrodes are moved relative to the substrate in three dimensions to form the structures, thereby stacking material from the substrate. An exemplary apparatus for carrying out the process is shown schematically in FIG.

전도성 기판(1)과 미세전극(2)이 용기(3)에 넣어진 용액(4)에 잠겨져 있다. The conductive substrate 1 and the microelectrode 2 are immersed in the solution 4 placed in the container 3.

전도성 기판(1)은 캐소우드로서 순동막대를 사용하였다. The conductive substrate 1 used a pure copper rod as a cathode.

미세전극(2)은 전형적으로 백금 또는 플라티나 이리듐(platinum iridium)으로 만들어진다. 그러나, 미세전극은 잠재적으로 어떠한 전도성 물질로 만들어 질 수 있다. 예를 들면 금속, 탄소 및 전도성 중합체로 만들어질 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. 미세전극은 약 50 ㎛ 직경의 백금 선을 세라믹 튜브와 에폭시를 가지고 밀봉하였고 그 후 폴리싱 하여 제조하였다. The microelectrode 2 is typically made of platinum or platinum iridium. However, microelectrodes can potentially be made of any conductive material. For example, it can be made of metal, carbon and conductive polymers. However, it is not limited thereto. The microelectrode was prepared by sealing a platinum wire having a diameter of about 50 μm with a ceramic tube and an epoxy and then polishing it.

본 실시예에서는 두 종류, 즉 CuSO4·5H2O(250g/L)(용액1)과 CuSO4·5H2O(180g/L), H2SO4(75g/L)(용액2)을 사용하였다. In this example, two types, CuSO 4 · 5H 2 O (250 g / L) (solution 1), CuSO 4 · 5H 2 O (180 g / L), and H 2 SO 4 (75 g / L) (solution 2) were used.

미세전극(2)의 위치는 3개의 스테핑 모터(5)에 의해 조절된다.  The position of the microelectrode 2 is controlled by three stepping motors 5.

기판(1)에 대한 미세전극(2)의 위치는 모터(5)를 이용하여 X, Y 및 Z 방향으로 미세전극(2)을 이동시켜 조절하였다. 예시적인 구현예에서 미세스텝핑 모터들(microstepping motors)이 사용되었다. The position of the microelectrode 2 relative to the substrate 1 was adjusted by moving the microelectrode 2 in the X, Y, and Z directions using the motor 5. In an exemplary embodiment microstepping motors were used.

영상수집장치(image acquisition apparatus)(6)에 의해 관찰된 미세전극(2)과 성장하는 기판상의 미세구조물 사이의 거리가 임계값에 도달하였을 때, 영상수집장치(6)는 스테핑 모터 콘트롤러(7)에 모터 구동 신호를 출력하고, 스테핑 모터 콘트롤러(7)는 스테핑 모터(5)를 구동하여 미세전극(2)을 이동시킨다. 여기서, 영상수집장치는 X-선 마이크로레이디알러지 장치(X-ray microradiology apparatus)이다.When the distance between the microelectrode 2 observed by the image acquisition apparatus 6 and the microstructures on the growing substrate reaches a threshold, the image acquisition apparatus 6 is a stepping motor controller 7. ) Outputs a motor driving signal, and the stepping motor controller 7 drives the stepping motor 5 to move the microelectrode 2. Here, the image collecting device is an X-ray microradiology apparatus.

미세전극은, 석출을 국부화하기 위하여, 전도성 기판에 근접하게 배치된다. 석출을 국부화 시키기 위한 적절한 미세전극과 전도성 기판 사이의 거리는 미세전극의 형태, 사용된 용액 및 반응물(들), 미세전극과 기판사이에 인가된 전압 및 미세전극과 기판의 재료(어느 정도)에 의존한다.The microelectrode is disposed in proximity to the conductive substrate in order to localize the precipitation. The distance between the microelectrode and the conductive substrate suitable for localizing the precipitation depends on the shape of the microelectrode, the solution and reactant (s) used, the voltage applied between the microelectrode and the substrate, and the material (to some extent) of the microelectrode and the substrate. Depends.

본 실시예에서는, 도 3a 및 도 3b에 보여진 바와 같이, 미세전극을 용액 1안에서 위치를 고정하여, 미세구조물이 성장함에 따라서 미세구조물과 미세전극 사이의 거리L이 감소해 가도록 하였다. 거리L이 작아짐에 따라 석출속도가 증가하였고 거리L이 약 35㎛에 도달하였을 때, 석출속도가 급격하게 증가하고, 도 3b에 보여진 바와 같이, 성장된 구조물이 다공성으로 되었다. 조직이 치밀성에서 다공성으로 전이되는 시점에서의 미세구조물과 미세전극 사이의 거리(간격)를 임계거리로 하였다. In the present embodiment, as shown in FIGS. 3A and 3B, the position of the microelectrode is fixed in the solution 1 so that the distance L between the microstructure and the microelectrode decreases as the microstructure grows. As the distance L became smaller, the precipitation rate increased and when the distance L reached about 35 μm, the deposition rate rapidly increased, and as shown in FIG. 3B, the grown structure became porous. The distance (interval) between the microstructure and the microelectrode at the time when the tissue transitions from dense to porous is defined as the critical distance.

도 6a, b 및 도 6c, d에서 알 수 있듯이, 임계거리는 조직이 치밀성에서 다공성으로 전이되는 시점에서의 거리를 의미한다. 미세전극과 구조체 사이의 거리가 임계거리보다 크게 되면 치밀성 조직의 구조체를 얻을 수 있지만, 그 석출속도가 느리게 된다. 그러나 거리L이 임계거리보다 작게 되면 속도가 너무 빨라져 다공성의 구조체를 얻게 된다. 따라서 석출속도와 조직의 다공률 고려하여 임계거리보다 더 긴 거리(예를 들면, 임계거리의 약 105%)를 최적거리로 한다. 이 최적거리를 근거하여 초기 미세전극의 위치를 설정한다. 이러한 임계거리의 측정은 코히어런트 X-선을 갖는 미세방사학적 기구에 의해 행하여졌다. 석출되는 과정을 실시간으로 확대하여 관찰하고 또 그와 동시에 전류의 변화를 측정함 으로써 임계거리를 측정할 수 있었다. As can be seen in Figures 6a, b and 6c, d, the critical distance means the distance at the time the tissue transitions from dense to porous. If the distance between the microelectrode and the structure is larger than the critical distance, the structure of the dense tissue can be obtained, but the deposition rate becomes slow. However, if the distance L is smaller than the critical distance, the speed becomes so fast that a porous structure is obtained. Therefore, considering the precipitation rate and the porosity of the tissue, a distance longer than the critical distance (for example, about 105% of the critical distance) is an optimal distance. The position of the initial microelectrode is set based on this optimum distance. The measurement of this critical distance was done by microradiological instruments with coherent X-rays. The critical distance could be measured by expanding and observing the deposition process in real time and simultaneously measuring the change in current.

제조 공정 동안에 성장하는 구조물과 미세전극의 최적의 거리의 일정한 유지 역시, 영상수집기인 코히어런트 X-선을 갖는 미세방사학적 장치를 이용하여 실시간으로 확대 관찰하면서 미세 전극을 이동시켰다.  The constant maintenance of the optimum distance between the growing structure and the microelectrode during the fabrication process was also moved while zooming in real time using a microradiological apparatus with a coherent X-ray, an image collector.

미세전극이 최적의 초기위치에 배열되면, 전도성 기판상에 석출을 일으키기 위하여 미세전극과 전도성 기판사이에 전압을 인가한다. When the microelectrode is arranged at an optimal initial position, a voltage is applied between the microelectrode and the conductive substrate to cause precipitation on the conductive substrate.

백금 미세전극을 이용하여 동을 CuSO4·5H2O(250g/L)(용액1)과 CuSO4·5H2O(180g/L), H2SO4(75g/L)(용액2)에서 동기판상에 석출할 경우에는 예를 들면 약 4.0V와 약 4.5V 사이의 전압이 적합하다. In the case of depositing copper on a copper plate using CuSO4 · 5H2O (250g / L) (solution 1), CuSO4 · 5H2O (180g / L), and H2SO4 (75g / L) (solution 2) using a platinum microelectrode For example, a voltage between about 4.0V and about 4.5V is suitable.

LECD의 미세방사선학 연구를 위한 실험 셀은 테프론 블록을 가공하여 제작되었고 X-선이 지나는 경로에는 켑톤 필름(X-선에 대하여 투과성이 있고 대부분의 화학반응에 안정하다)으로 밀봉하여 제작되었다. X-선이 지나는 두개의 셀 윈도우들 사이의 간격은 전해액에 의한 불필요한 X-선 흡수를 피하기 위하여 약 5 mm로 최적화 되었다. The experimental cell for the study of microradiology of LECD was fabricated by processing Teflon blocks and sealed with a Homton film (permeable to X-rays and stable to most chemical reactions) along the X-ray path. The spacing between the two cell windows through which the X-ray passes is optimized to about 5 mm to avoid unnecessary X-ray absorption by the electrolyte.

도 4a는 미세전극과 구조물사이의 거리가 만든 석출속도의 변화에 따른 구조체의 형태변화를 보여준다. 종래의 전기화학적 석출에서, 성장속도는 전자이동(electron transfer) 및 용액에서 캐소우드로 금속이온의 질량이동(mass transfer)에 의해 주로 영향을 받으며, 후자에 더 큰 영향을 받는다. 석출은 캐소우드 근처의 금속이온을 고갈시키며, 이 금속이온은 용액에서의 질량이동에 의해 재공급되어야만 석출이 계속적으로 일어날 수 있다. 이 재공급 매커니즘에는 크게 두가지 확산(diffusion)과 이동(migration)이 있다. 확산이 종래의 전기도금에서는 우세하지만, 미세전극과 구조물사이의 거리가 작아서 매우 강한 국부 전기장들을 발생시키기 때문에 LECD에서는 이동이 고려되어야 한다.  Figure 4a shows the shape change of the structure according to the change in the deposition rate made by the distance between the microelectrode and the structure. In conventional electrochemical precipitation, the growth rate is mainly affected by electron transfer and mass transfer of metal ions from solution to the cathode, which is more affected by the latter. Precipitation depletes metal ions near the cathode, which must continue to be replenished by mass transfer in solution. There are two main mechanisms of this resupply mechanism: diffusion and migration. While diffusion prevails in conventional electroplating, movement must be considered in LECD because the distance between the microelectrode and the structure is small, resulting in very strong local electric fields.

이동은 전기장 E(=V/L, 여기서 V는 인가전압이다)에 비례하는 전류밀도를 발생시킨다. 모서리 효과(edge effect)를 고려하지 않으면, 이동전류는 L-1에 비례할 것이다. L의 큰 값에 대해서는, 이 항을 무시할 수 있고 확산이 우세하다. L이 감소함에 따라, 이동 항이 대략적으로 쌍곡선 법칙에 따라 증가한다. 이것은 도 2a의 데이터를 설명한다: 삽입도표는, 다공성 석출물이 석출속도를 측정하는 것을 어렵게 만드는 매우 작은 L-값들을 제외하고는, 쌍곡선 법칙을 아주 충실하게 따른다는 것을 보여준다. The shift produces a current density proportional to the electric field E (= V / L, where V is the applied voltage). Without considering the edge effect, the moving current will be proportional to L −1 . For large values of L, this term can be ignored and diffusion prevails. As L decreases, the shift term increases approximately with hyperbolic law. This explains the data of FIG. 2A: The inset shows that the porous precipitate follows the hyperbolic law very well, except for very small L-values that make it difficult to measure the precipitation rate.

도 4b는 전류의 시간변이와 석출속도가 서로 관련이 있다는 것을 보여준다.   4b shows that the time variation of the current and the precipitation rate are related to each other.

거리 L의 "임계" 값은 대략적으로 이동이 우세한 석출인자로서 확산을 추월하는 지점에 해당한다. The "threshold" value of distance L corresponds approximately to the point overtaking diffusion as the predominant precipitation factor.

이 분석은 인가전압 V의 영향을 올바르게 예측한다. 확산 항이 대략적으로 일정하고 이동 항이 대략적으로 V/L에 비례한다면, 위에서 정의한 L의 "임계"값은 V에 따라 선형적으로 증가한다. 이것은 두 용액에 대한 도 5의 실험적인 전압 의존성과 대략적으로 일치한다. 도 6a, b 및 도 6c, d는 인가전압 V가 더 커질 때 조직형태의 전이, 즉 치밀상에서 다공상으로의 전이가 훨씬 더 큰 임계거리 L에서 변한다는 것을 보여준다.This analysis correctly predicts the effect of applied voltage V. If the spreading term is approximately constant and the moving term is approximately proportional to V / L, the "threshold" value of L defined above increases linearly with V. This is roughly consistent with the experimental voltage dependence of FIG. 5 for both solutions. 6a, b and 6c, d show that when the applied voltage V becomes larger, the transition of the tissue form, ie from the dense phase to the porous phase, changes at a much larger critical distance L.

이 분석은 미세전극과 미세구조물 사이의 거리 L상에서 석출속도와 성장 조직형태의 발견된 비선형 의존성을 설명한다. 이 발견은 LECD의 실용적인 사용에 있어서의 중요한 반향을 일으켰다. 더 빠른 성장속도는 확실히 바람직하다. 그러나 과도하게 작은 미세전극과 구조물사이의 거리에 의해 성장속도가 너무 빠르게 되면, 그 생성물은 다공성으로 된다. 그러므로, LECD의 이상적인 방법은 최적 거리를 확인하고 그것을 성장 동안에 일정하게 유지시키는 것이다. This analysis accounts for the found nonlinear dependence of deposition rate and growth tissue morphology on the distance L between the microelectrode and the microstructure. This finding has generated significant repercussions in the practical use of LECD. Faster growth rates are certainly desirable. However, if the growth rate is too high due to the distance between the microscopic electrode and the structure, the product becomes porous. Therefore, the ideal method of LECD is to identify the optimal distance and keep it constant during growth.

코우히어런트 X-선을 이용한 실시간 미세방사선학의 신규한 테크닉을 사용하여 수행된 시험들에 의해, 국부전기화학석출법(localized electrochemical deposition)(LECD)에서 미세전극(애노드)와 높은 종횡비의 성장하는 구리 미세구조물(캐소우드)사이의 거리에 대한 제조된 구조물의 조직상태를 결정 짖는 "임계"값이 존재한다는 것을 실험적으로 명확하게 밝혀냈다. 이 임계값에 의해 두개의 다른 제조구역으로 분리 되어진다: 미세전극과 미세구조물사이의 거리가 점점 작아짐에 따라, 석출속도는 급격하게 증가하며 석출물들은 치밀하다기 보다는 다공성이다-석출물들의 품질에 중요한 결과를 초래한다Tests performed using a novel technique of real-time microradiology with coherent X-rays resulted in the growth of microelectrode (anode) and high aspect ratio in localized electrochemical deposition (LECD). It has been found experimentally clearly that there is a "threshold" value that determines the organizational state of the fabricated structure with respect to the distance between copper microstructures (cathodes). This threshold is separated into two different manufacturing zones: As the distance between the microelectrode and the microstructure becomes smaller, the deposition rate increases rapidly and the precipitates are porous rather than dense-important for the quality of the precipitates. Results in

본 발명은 미세전극과 구조물사이의 거리의 역할에 대한 실험적 증거를 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 이 거리의 역할을 석출과정에서의 금속-이온 확산 과 이동 사이의 상호 작용을 가지고 정량적으로 설명하는 것을 목적으로 한다. The present invention aims to provide experimental evidence for the role of the distance between the microelectrode and the structure. The present invention aims to quantitatively explain the role of this distance with the interaction between metal-ion diffusion and transport in the precipitation process.

본 발명에 의하면, 미세전극과 구조물사이의 거리에 임계값이 존재하며, 이 임계값은 다공성의 구조물이 생성되기 시작하는 거리를 의미한다. 이 임계값 이상의 거리로 유지하면서 미세전극을 이동시킴으로써, 치밀한 조직을 갖는 3차원 구조물을 제조할 수 있다.According to the present invention, a threshold exists in the distance between the microelectrode and the structure, which means the distance at which the porous structure starts to be produced. By moving the microelectrodes while keeping the distance above this threshold value, a three-dimensional structure having a dense structure can be produced.

본 발명의 기술에 의해 예를 들면 집적회로 패기지에서 패드들 사이에서 동선(copper lines)이 성장될 수 있으며, 약 2 cm의 안테나가 밀리미터 파전송선 캔틸레버상에서 성장될 수 있다. By the technique of the present invention, copper lines can be grown between pads, for example in an integrated circuit package, and an antenna of about 2 cm can be grown on a millimeter wave transmission line cantilever.                     

또한 이 기술은 미세전자 산업분야에서 인터커넥트(interconnect) 수리 및 치밀한 PC 보드상에서의 인터커넥트(interconnects)를 변경시키는 기술로서 유망할 것이다. The technology will also be promising in the microelectronics industry as a technology for interconnect repairs and altering interconnects on dense PC boards.

Claims (7)

국부 전기화학석출법을 이용한 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법으로서, As a method for producing high aspect ratio dense microstructures using local electrochemical precipitation, (a) 팁 형태의 미세전극을 전도성 기판의 표면 부근에 위치시키는 단계; (a) placing a tip-shaped microelectrode near the surface of the conductive substrate; (b) 상기 미세전극과 상기 전도성 기판의 표면이 전기화학적으로 접촉하도록 전기화학적 매체를 도입하는 단계;  (b) introducing an electrochemical medium such that the microelectrode and the surface of the conductive substrate are in electrochemical contact; (c) 미세구조물을 석출하기 위하여 상기 전기화학적 매체를 가로질러 상기 미세전극과 상기 전도성 기판 사이에 전기적 포텐셜을 인가하는 단계;  (c) applying an electrical potential between the microelectrode and the conductive substrate across the electrochemical medium to precipitate microstructures; (d) 상기 미세전극과 상기 미세구조물 사이의, 상기 미세구조물이 치밀하게 성장할 수 있도록 하는 최적 거리를 선정하는 단계; 및 (d) selecting an optimal distance between the microelectrode and the microstructure to allow the microstructure to grow densely; And (e) 상기 치밀한 미세구조물이 높은 종횡비를 갖도록, 상기 최적 거리를 유지하면서 상기 미세전극을 이동시키는 단계를 포함하는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.  (e) moving the microelectrodes while maintaining the optimum distance such that the dense microstructures have a high aspect ratio. 제 1 항에 있어서, 단계(d)에서의 상기 미세전극과 상기 미세구조물 사이의 상기 최적거리는 영상수집장치를 이용하여 확인되는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.The method of claim 1, wherein the optimum distance between the microelectrode and the microstructure in step (d) is confirmed by using an image collecting device. 제 2 항에 있어서, 상기 영상수집장치는 미세방사학적 장치인 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.The method of claim 2, wherein the image collecting device is a microradiographic device. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 미세전극의 위치조절은 스테핑 모터에 의해 행해지는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.3. A method according to claim 1 or 2, wherein the positioning of the microelectrode is performed by a stepping motor. 제 1 항에 있어서, 상기 미세구조물은 전기석출 가능한 금속, 중합체 및 반도체로 이루어진 그룹에서 적어도 부분적으로 선택되는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.The method of claim 1, wherein the microstructures are at least partially selected from the group consisting of electroprecipitable metals, polymers, and semiconductors. 제 3 항에 있어서, 상기 미세방사학적 장치는 X-선빔 소스, 샘플 스테이지 및 이미지 검출장치를 포함하는 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.4. The method of claim 3, wherein the microradiologic device comprises an X-ray beam source, a sample stage, and an image detection device. 제 1 항에 있어서, 상기 최적 거리는 상기 미세구조물이 치밀한 조직에서 다공성 조직으로 전이되는 시점에서의 상기 미세구조물과 상기 미세전극 사이의 거리인 높은 종횡비의 치밀한 미세구조물을 제조하는 방법.The method of claim 1, wherein the optimal distance is a distance between the microstructure and the microelectrode at the time when the microstructure is transferred from the dense tissue to the porous tissue.
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