KR100600326B1 - Control driver for display device - Google Patents

Control driver for display device Download PDF

Info

Publication number
KR100600326B1
KR100600326B1 KR1020040072284A KR20040072284A KR100600326B1 KR 100600326 B1 KR100600326 B1 KR 100600326B1 KR 1020040072284 A KR1020040072284 A KR 1020040072284A KR 20040072284 A KR20040072284 A KR 20040072284A KR 100600326 B1 KR100600326 B1 KR 100600326B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bank
signal
single port
address
control signal
Prior art date
Application number
KR1020040072284A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20060023438A (en
Inventor
성은규
Original Assignee
매그나칩 반도체 유한회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 매그나칩 반도체 유한회사 filed Critical 매그나칩 반도체 유한회사
Priority to KR1020040072284A priority Critical patent/KR100600326B1/en
Publication of KR20060023438A publication Critical patent/KR20060023438A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100600326B1 publication Critical patent/KR100600326B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2092Details of a display terminals using a flat panel, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
    • G09G3/2096Details of the interface to the display terminal specific for a flat panel
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2370/00Aspects of data communication
    • G09G2370/08Details of image data interface between the display device controller and the data line driver circuit

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

본 발명은 싱글포트 에스램에 데이터를 리드/라이트할 때의 동작 타이밍과, 데이터를 디스플레이할 때에의 동작타이밍을 적절하게 조절하여, 동작시 에러를 방지할 수 있는 싱글포트 에스램을 구동하는 엘시디 드라이버를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 화면표시장치를 구동하기 위해, 싱글포트 메모리를 제어하는 구동 드라이버에 있어서, 뱅크 어드레스를 입력받아 디코딩하여 상기 메모리에 구비된 다수의 뱅크를 인에이블시키기 위한 다수의 뱅크 인에이블 신호를 출력하는 뱅크어드레스 디코더; 상기 메모리가 인에이블되는 구간동안 활성화되는 제1 제어신호와, 상기 메모리의 데이터 리드/라이트 동작시 활성화되는 제2 제어신호를 제공하기 하기 위한 데이터 리드/라이트 제어부; 및 상기 다수의 뱅크 인에이블 신호를 상기 제1 제어신호에 응답하여 다수의 제1 뱅크 인에이블 신호를 출력하고, 상기 제2 제어신호에 응답하여 다수의 제2 뱅크 인에이블 신호를 출력하기 위한 뱅크 인에이블 신호 생성부를 구비하는 화면표시장치의 구동드라이버를 제공한다.The present invention provides an LCD for driving a single port SRAM capable of appropriately adjusting an operation timing when reading / writing data to and from a single port SRAM and an operation timing when displaying data, thereby preventing errors during operation. In order to provide a driver, the present invention provides a driver for controlling a single port memory to drive a display device, the method comprising: receiving and decoding a bank address to enable a plurality of banks included in the memory; A bank address decoder for outputting a plurality of bank enable signals for the bank; A data read / write controller configured to provide a first control signal activated during a period in which the memory is enabled, and a second control signal activated during a data read / write operation of the memory; And a bank for outputting the plurality of bank enable signals in response to the first control signal, and for outputting the plurality of second bank enable signals in response to the second control signal. Provided is a driving driver of a screen display device having an enable signal generator.

어드레스, 제어부, 싱글포트 에스램, 인에이블, 뱅크Address, Control Unit, Single Port SRAM, Enable, Bank

Description

화면표시장치의 구동 드라이버{CONTROL DRIVER FOR DISPLAY DEVICE} DRIVE DRIVER FOR DISPLAY DEVICE}             

도1은 종래기술에 의한 에스램을 제어하기 위한 구동 드라이버의 블럭구성도.1 is a block diagram of a drive driver for controlling an SRAM according to the prior art.

도2는 도1에 도시된 엘시디 드라이버에 입력되는 어드레스신호에 따라 뱅크 인에이블신호가 생성되는 것을 나타내는 파형도.FIG. 2 is a waveform diagram showing that a bank enable signal is generated in accordance with an address signal input to the LCD driver shown in FIG.

도3은 도1에 도시된 엘시디 드라이버의 동작을 나타내는 파형도.FIG. 3 is a waveform diagram showing the operation of the LCD driver shown in FIG. 1; FIG.

도4는 도1에 도시된 엘시디 드라이버에 의한 문제점을 나타내는 파형도.Fig. 4 is a waveform diagram showing a problem caused by the LCD driver shown in Fig. 1;

도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 구동 드라이버의 블럭구성도.5 is a block diagram of a drive driver according to a preferred embodiment of the present invention.

도6은 본 발명의 보다 명확하게 나타내기 위해 도5에 도시된 구동 드라이버만을 도시한 블럭구성도.FIG. 6 is a block diagram showing only the drive driver shown in FIG. 5 to more clearly show the present invention. FIG.

도7은 도6에 도시된 인터페이스 제어부를 나타내는 회로도.FIG. 7 is a circuit diagram showing an interface controller shown in FIG. 6; FIG.

도8은 도6에 도시된 뱅크인에이블 신호 제어부와 데이터 리드/라이트 제어부를 나타내는 회로도.FIG. 8 is a circuit diagram showing a bank enable signal controller and a data read / write controller shown in FIG.

도9는 도6에 도시된 엘시디 드라이버의 동작을 나타내는 파형도.Fig. 9 is a waveform diagram showing the operation of the LCD driver shown in Fig. 6;

도10과 도11은 도6에 도시된 구동 드라이버의 동작을 보다 자세히 나타내는 파형도.10 and 11 are waveform diagrams showing in more detail the operation of the drive driver shown in FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

110 : 인터페이스 제어부110: interface control unit

130 : 뱅크 인에이블 신호 생성부130: bank enable signal generator

본 발명은 앨시디(LCD, Liquid Crystal Display element)등의 표기소자의 디스플레이 메모리로 사용되는 에스램(Static Random Access Memory,SRAM)을 구동하기 위한 엘시드 드라이버에 관한 것이다.The present invention relates to an LCD driver for driving a static random access memory (SRAM) used as a display memory of a display device such as an LCD (Liquid Crystal Display Element).

도1은 종래기술에 의한 에스램을 제어하기 위한 구동 드라이버의 블럭구성도이다.1 is a block diagram of a driving driver for controlling an SRAM according to the prior art.

도1을 참조하여 살펴보면, 종래기술에 의한 엘시디 드라이버는 어드레스(Ladd<7:0>.Xadd<7:0>,Yadd<7:0>)를 입력받아 전달하기 위한 인터페이스 제어부(12)와, 어드레스중 뱅크 어드레스를 입력받아 뱅크인에이블신호(BANK_EN1 ~ BANK_EN3)를 생성하여 출력하는 뱅크 인에이블 신호 생성부(11)와, 에스램(20)의 데이터 리드 또는 라이트를 제어하기 위한 데이터 리드/라이트 제어부(13)을 구비한다.Referring to FIG. 1, the LCD driver according to the related art includes an interface controller 12 for receiving and transmitting an address (Ladd <7: 0> .Xadd <7: 0>, Yadd <7: 0>), The bank enable signal generator 11 for generating and outputting the bank enable signals BANK_EN1 to BANK_EN3 by receiving a bank address among the addresses, and a data read / write for controlling the data read or write of the SRAM 20. The control unit 13 is provided.

한편은 에스램(20)은 다수의 뱅크를 구비하게 되는데, 여기서는 3개의 뱅크(21,22,23)를 구비한다.On the other hand, the SRAM 20 has a plurality of banks, in which three banks 21, 22, and 23 are provided.

각 뱅크는 뱅크 인에이블 신호제어부(11)에서 출력되는 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANK_EN3)에 의해 인에이블 된다. 뱅크 인에이블 신호 생성부(11)는 인터페이스 제어부에서 제공되는 어드레스(Xadd<7:5>)를 입력받아 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANK_EN3)를 출력하게 된다.Each bank is enabled by the bank enable signals BANK_EN1 to BANK_EN3 output from the bank enable signal controller 11. The bank enable signal generator 11 receives the address Xadd <7: 5> provided from the interface controller and outputs the bank enable signals BANK_EN1 to BANK_EN3.

도2는 도1에 도시된 구동 드라이버에 입력되는 어드레스신호에 따라 뱅크 인에이블신호가 생성되는 것을 나타내는 파형도이다.FIG. 2 is a waveform diagram illustrating that a bank enable signal is generated according to an address signal input to the driving driver shown in FIG.

도2에는 뱅크 인에이블 신호 생성부(11)에서 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANK_EN3)를 생성하는 동작이 도시되어 있다. 각 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANK_EN3)에 의해 에스램에 구비되는 각 뱅크(21,22,23)가 활성화된다.2 illustrates an operation of generating the bank enable signals BANK_EN1 to BANK_EN3 by the bank enable signal generator 11. Each bank 21, 22, 23 provided in the SRAM is activated by the bank enable signals BANK_EN1 to BANK_EN3.

또한 데이터 리드/라이트 제어부(13)은 에스램에 데이터를 리드 또는 라이트 할 때에 제어신호를 공급하기 위한 블럭이다.In addition, the data read / write control unit 13 is a block for supplying a control signal when reading or writing data to the SRAM.

도3은 도1에 도시된 구동 드라이버의 동작을 나타내는 파형도이다.FIG. 3 is a waveform diagram showing the operation of the drive driver shown in FIG.

도3에 도시된 메모리 인에이블신호(MEM)는 에스램을 인에이블시키기 위한 파형이며, 프리차지 신호(Pre_charge)는 에스램의 내부를 프리차지시키기 위한 신호이다.The memory enable signal MEM shown in FIG. 3 is a waveform for enabling the SRAM, and the precharge signal Pre_charge is a signal for precharging the inside of the SRAM.

또한, 제어신호(WRS)는 라이트명령어(Write)를 응답하여 에스램 내부에서 생성되는 신호이다.In addition, the control signal WRS is a signal generated inside the SRAM in response to the write command.

뱅크 인에이블신호(BANK_EN1)는 전술한 바와 같이 뱅크1을 인에이블시키기 위한 신호이며, 내부 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1_IN)는 인에이블된 뱅크1의 내부에 어드레스를 입력받는 동안 활성화되는 신호이다. 제어신호(WRSA)는 에스램 내부 에서 데이터의 처리를 위해 생성되는 신호이다.As described above, the bank enable signal BANK_EN1 is a signal for enabling bank1, and the internal bank enable signal BANK_EN1_IN is a signal that is activated while receiving an address in the enabled bank1. The control signal WRSA is a signal generated for processing data in the SRAM.

제어신호(WLEN)는 입력된 어드레스를 디코딩하는 디코더를 인에이블시키는 시간동안 활성화되는 신호로서, 제어신호(WLEN)가 활성화되어 있다는 것은 에스램이 디코딩된 어드레스에 대응하여 워드라인을 활성화시킬수 있는 구간을 말하게된다.The control signal WLEN is a signal that is activated during the time of enabling the decoder to decode the input address. The fact that the control signal WLEN is activated means that the SRAM can activate the word line corresponding to the decoded address. To say.

워드라인 신호(WL_X)는 디코딩된 어드레스에 따라 선택된 워드라인이 활성화되었음을 나타내는 신호이다.The word line signal WL_X is a signal indicating that the selected word line is activated according to the decoded address.

또한, 워드라인 신호(WL_0)은 정상적인 동작에서는 발생되지 말아야할 신호로서, 제어신호(WLEN)이 활성화된 구간동안 정상적인 워드라인 신호(WL_X)가 활성화되고 난 이후에도 일정 시간동안 어드레스 포트가 열려있기 때문에, 오동작으로 잠시 활성화되어 나타나는 신호이다.Also, the word line signal WL_0 is a signal that should not be generated in the normal operation, and since the address port is opened for a predetermined time even after the normal word line signal WL_X is activated during the period in which the control signal WLEN is activated. It is a signal that is activated for a while due to malfunction.

도4는 도1에 도시된 구동 드라이버에 의한 문제점을 나타내는 파형도이다.FIG. 4 is a waveform diagram showing a problem caused by the drive driver shown in FIG.

도4를 전술한 오동작에 대하여 보다 자세히 나타낸 파형도로서, 뱅크 인에이블 신호(Bank_en1)가 인에이블 된 구간동안 정상적인 워드라인 신호(WL0,WL1)이 일정구간 인에이블되는 파형으로 생성된다. 그러나, 오동작에 의해 워드라인(WL0)이 계속해서 순간적으로 인에이블되는 구간이 생기게 되는데(화살표참조), 여기에 대하여 자세히 살펴본다.FIG. 4 is a waveform diagram illustrating the above-described malfunction in more detail. A waveform of a normal word line signal WL0, WL1 is enabled during a period where the bank enable signal Bank_en1 is enabled. However, due to a malfunction, a section in which the word line WL0 is continuously enabled instantaneously (see arrow) will be described in detail.

엘시디같은 화면표시소자를 구동시키기 위해서는 화면에 표시된 메모리를 저장하는 매체가 필요하고, 전술한 바와 같이 에스램을 사용하며, 에스램을 구동사키기 위해서 엘시디 드라이버가 필요하다.In order to drive a screen display device such as an LCD, a medium for storing a memory displayed on the screen is required. As described above, an SRAM is used, and an LCD driver is required to drive the SRAM.

이 때 에스램은 다수의 조각으로 나누어져 있으며, 각 조각을 뱅크라고 한다. 각 뱅크는 에스램에 입력되는 데이터의 상위 몇비트를 이용하여 인에이블된다.At this time, SRAM is divided into a number of pieces, each of which is called a bank. Each bank is enabled using the upper few bits of data input to the SRAM.

한편, 싱글포트 에스램을 사용하여 엘시디를 구동하는 경우에는 하나의 어드레스 디코더를 에스램에서 데이터를 리드/라이트하는 할 때와 데이터를 엘시디로 출력할 때 공통으로 사용하게 된다.On the other hand, when the LCD is driven using a single port SRAM, one address decoder is commonly used to read / write data from the SRAM and to output the data to the LCD.

이렇게 공통으로 사용하기 때문에 다음과 같은 문제가 발생한다.This common use causes the following problems.

첫번째로, 발생할 수 있는 문제로 어드레스 디코더의 Y 어드레스 디코딩부분은 에스램에 있는 데이터가 엘시디에 표시될 때에는 사용되지 말야하 한다. 엘시디에 데이터를 디스플레이할 때에는 한 라인에 있는 모든 데이터를 한번에 엘시디로 전달하기 때문이다.First, as a problem that may arise, the Y address decoding portion of the address decoder should not be used when the data in the SRAM is displayed on the LCD. This is because when data is displayed on the LCD, all data on one line is transferred to the LCD at once.

그리고, Y 디코딩 부분에는 두개의 어드레스라인(디스플레이를 위한 라인과 에스램의 리드/라이트를 위한 라인)이 동시에 접속되는데, 이것을 선택하여 주는 신호가 전술한 뱅크 인에이블신호와 리드/라이트 동작시 발생하는 제어신호의 조합이다. In addition, two address lines (a line for display and a line for read / write of SRAM) are simultaneously connected to the Y decoding portion, and a signal for selecting the same occurs during the above-described bank enable signal and read / write operation. Is a combination of control signals.

두번째로는 Y 디코딩 부분에 연결되는 두개의 어드레스라인중 하나와 선택되는 타이밍과 Y디코딩 부분이 인에이블되는 타이밍에 마진이 존재해야 하는데, 이 마진이 존재하지 않는다면 디코딩되기 위해 입력되는 어드레스가 입력되고 닫히는 순간 출력어드레스는 0번지가 되고(초기 셋팅값), 이 0번지가 유효한 어드레스로 출력되어 오동작을 유발할 수 있다.(특히 저전압으로 동작하는 에스램엔 경우 게이트의 딜레이가 많이 발생하므로 더욱 심하게 발생할 수 있다.)Second, a margin must exist at one of the two address lines connected to the Y decoding section and at the timing at which the selected and Y decoding sections are enabled. If this margin does not exist, the address to be decoded is entered. As soon as it closes, the output address becomes 0 (initial setting value), and this 0 address is output to a valid address, which may cause a malfunction (especially in case of SRAM operating at low voltage, it causes more delay because of gate delay. Can be.)

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 제안 된 것으로, 싱글포트 에스램에 데이터를 리드/라이트할 때의 동작 타이밍과, 데이터를 디스플레이할 때에의 동작타이밍을 적절하게 조절하여, 동작시 에러를 방지할 수 있는 싱글포트 에스램을 구동하는 엘시디 드라이버를 제공함을 목적으로 한다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve the above-described problems, and by appropriately adjusting the operation timing when reading / writing data to and from the single port SRAM, the operation timing when displaying data, thereby preventing errors during operation. It is an object of the present invention to provide an LCD driver for driving a single port SRAM.

본 발명은 화면표시장치를 구동하기 위해, 싱글포트 메모리를 제어하는 구동 드라이버에 있어서, 뱅크 어드레스를 입력받아 디코딩하여 상기 메모리에 구비된 다수의 뱅크를 인에이블시키기 위한 다수의 뱅크 인에이블 신호를 출력하는 뱅크어드레스 디코더; 상기 메모리가 인에이블되는 구간동안 활성화되는 제1 제어신호와, 상기 메모리의 데이터 리드/라이트 동작시 활성화되는 제2 제어신호를 제공하기 하기 위한 데이터 리드/라이트 제어부; 및 상기 다수의 뱅크 인에이블 신호를 상기 제1 제어신호에 응답하여 다수의 제1 뱅크 인에이블 신호를 출력하고, 상기 제2 제어신호에 응답하여 다수의 제2 뱅크 인에이블 신호를 출력하기 위한 뱅크 인에이블 신호 생성부를 구비하는 화면표시장치의 구동드라이버를 제공한다.The present invention provides a plurality of bank enable signals for enabling a plurality of banks included in the memory by receiving and decoding a bank address in a driving driver for controlling a single port memory to drive a display device. A bank address decoder; A data read / write controller configured to provide a first control signal activated during a period in which the memory is enabled, and a second control signal activated during a data read / write operation of the memory; And a bank for outputting the plurality of bank enable signals in response to the first control signal, and for outputting the plurality of second bank enable signals in response to the second control signal. Provided is a driving driver of a screen display device having an enable signal generator.

본 발명은 싱글포트 에스램을 사용하는 구동 드라이버에서 발생되는 뱅크 인에이블 신호를 이용하여, 에스램에 데이터를 리드/라이트 할 때 어드레스를 지정할 수 있는 뱅크 인에이블 신호와, 에스램을 컨트롤하기 위한 뱅크인에이블 신호를 따로 두어 각각의 신호에 타이밍마진을 확보하기 위한 것이다. 또한 에스램에 저장된 데이터를 디스플레이할 때와, 에스램에 데이터를 리드/라이트 할 때의 Y 디코딩에 연결된 어드레스신호간의 충돌이 나지 않게 하기 위한 것이다. 또한, 메모리가 인에이블될 필요가 없을 때는 모든 뱅크를 디스에이블되어 파워소모를 줄일 수 있게 하였다.The present invention provides a bank enable signal that can be addressed when reading / writing data to an SRAM using a bank enable signal generated by a driving driver using a single port SRAM, and for controlling an SRAM. The bank enable signal is set aside to secure timing margins for each signal. In addition, it is to prevent collision between the address signals connected to the Y decoding when displaying data stored in the SRAM and reading / writing data to the SRAM. In addition, when the memory does not need to be enabled, all banks are disabled, reducing power consumption.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention. do.

도5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 구동 드라이버의 블럭구성도이다.5 is a block diagram of a driving driver according to a preferred embodiment of the present invention.

도5를 참조하여 살펴보면, 본 실시예에 따른 구동 드라이버는 에스램(200)을 제어하기 위해 뱅크제어부(110)와, 인터페이스 제어부(120)와, 데이터 리드/라이트 제어부(130)를 구비한다.Referring to FIG. 5, the driving driver according to the present exemplary embodiment includes a bank controller 110, an interface controller 120, and a data read / write controller 130 to control the SRAM 200.

여기서 인터페이스 제어부(110)는 에스램(200)으로 입력되는 어드레스(Ladd<7:0>, Xadd<7:0>, Yadd<7:0>)를 에스램으로 전달하고, 뱅크 어드레스에 해당되는 어드레스(Xadd<7:5>)를 뱅크제어부(110)로 전달하게 된다.Here, the interface controller 110 transmits the addresses (Ladd <7: 0>, Xadd <7: 0>, Yadd <7: 0>) input to the SRAM 200 to the SRAM, and correspond to the bank addresses. The address Xadd <7: 5> is transmitted to the bank controller 110.

에스램은 다수의 뱅크(210 ~ 230)으로 구비되어 있으며, 각 뱅크를 인에이블 시키기 위한 인에이블신호(BANK_SEN1~BANK_SEN3, BANK_AEN1~BANK_AEN3)는 뱅크 제어부(110)에서 생성되어 출력된다.The SRAM includes a plurality of banks 210 to 230, and the enable signals BANK_SEN1 to BANK_SEN3 and BANK_AEN1 to BANK_AEN3 for enabling each bank are generated and output by the bank controller 110.

데이터 리드/라이트 제어부(120)은 에스램의 각 뱅크에 데이터를 리드 또는 라이트 하기위한 제어부이다.The data read / write controller 120 is a controller for reading or writing data in each bank of the SRAM.

도6은 본 발명의 보다 명확하게 나타내기 위해, 도5에 도시된 구동 드라이버만의 뱅크제어부와 데이터 리드/라이트 제어부(130)을 도시한 블럭구성도이다.FIG. 6 is a block diagram showing the bank control unit and the data read / write control unit 130 only of the drive driver shown in FIG. 5 for clarity of the present invention.

도6을 참조하여 살펴보면, 본 실시예에 따른 구동 드라이버는 화면표시장치를 구동하기 위해, 싱글포트 에스램(200)을 제어하기 위해, 뱅크 어드레스(X7 ~ X5)를 입력받아 에스램(200)에 구비된 다수의 뱅크를 인에이블시키기 위한 다수의 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)를 출력하는 뱅크 어드레스 디코더(110A)와, 에스램이 인에이블되는 구간동안 활성화되는 제어신호(MEN)와, 메모리의 데이터 리드/라이트 동작시 활성화되는 제어신호(WREN)를 제공하기 하기 위한 데이터 리드/라이트 제어부(130)와, 다수의 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)를 입력받아 제어신호(MEN)에 응답하여 다수의 제1 뱅크 인에이블 신호(BANK_SEN1 ~ BANKE_SEN3)로 출력하고, 제어신호(WREN)에 응답하여 다수의 제2 뱅크 인에이블 신호(BANK_AEN1 ~ BANKE_AEN3)로 출력하기 위한 뱅크 인에이블 신호 생성부(110B)를 구비한다.Referring to FIG. 6, the driving driver according to the present embodiment receives the bank addresses X7 to X5 to control the single port SRAM 200 in order to drive the display device, and the SRAM 200. A bank address decoder 110A for outputting a plurality of bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 for enabling a plurality of banks provided in the bank, a control signal MEN that is activated during an interval in which SRAM is enabled, A data read / write controller 130 for providing a control signal WREN that is activated during a data read / write operation of a memory and a plurality of bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 are input to the control signal MEN. In response, the bank enable signals for outputting the plurality of first bank enable signals BANK_SEN1 to BANKE_SEN3 and for outputting the plurality of second bank enable signals BANK_AEN1 to BANKE_AEN3 in response to the control signal WREN. The generation unit 110B is provided.

도7은 도6에 도시된 인터페이스 제어부를 나타내는 회로도이다.FIG. 7 is a circuit diagram illustrating an interface controller shown in FIG. 6.

도7을 참조하여 살펴보면, 뱅크 어드레스 디코더(110A)는 에스램(200)을 제어하기 위해 입력되는 어드레스(Ladd<7:0>.Xadd<7:0>,Yadd<7:0>)중에서 뱅크 어드레스(Xadd<7:5>)에 해당되는 상위비트의 어드레스 및 그 반전신호를 버퍼링하여 전달하기 위한 제1 디코더(111)와, 제1 디코더(111)를 통해 전달된 어드레스 및 그 반전신호를 선택적으로 입력받아 에스램(200)에 구비된 수에 대응하는 수의 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)를 출력하기 위한 제2 디코더(112)를 구비한 다.Referring to FIG. 7, the bank address decoder 110A may include a bank among addresses (Ladd <7: 0> .Xadd <7: 0>, Yadd <7: 0>) that are input to control the SRAM 200. The first decoder 111 for buffering and transmitting the address of the upper bit corresponding to the address Xadd <7: 5> and its inverted signal, and the address and the inverted signal transmitted through the first decoder 111 And a second decoder 112 for selectively receiving a number of bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 corresponding to the number provided in the SRAM 200.

도8은 도6에 도시된 뱅크인에이블 신호 제어부와 데이터 리드/라이트 제어부를 나타내는 회로도이다.FIG. 8 is a circuit diagram illustrating a bank enable signal controller and a data read / write controller shown in FIG. 6.

도8을 참조하여 살펴보면, 데이터 리드/라이트 제어부(130)는 에스램에 데이터를 리드하기 위해 입력되는 리드명령어(READ) 또는 에스램에 데이터를 라이트하기 위해 입력되는 라이트명령어(WRITE)에 응답하여 제어신호(WREN)를 출력하기 위한 신호조합부(132)와, 에스램(200)에 인에이블되는 파형을 입력받아 제어신호(MEN)로 전달하기 위한 신호전달부(131)를 구비한다. Referring to FIG. 8, the data read / write control unit 130 may respond to a read command READ input to read data to the SRAM or a write command WRITE input to write data to the SRAM. A signal combination unit 132 for outputting a control signal WREN and a signal transmission unit 131 for receiving a waveform enabled for the SRAM 200 and transmitting the waveform to the control signal MEN.

또한, 신호조합부(132)는 타이밍 제어부에 의해 버퍼링된 리드명령어(RDS)와, 라이트 명령어(WDS)를 입력받는 노어게이트와, 노어게이트의 출력을 반전하여 제어신호(WREN)를 출력하기 위한 인버터를 구비한다.In addition, the signal combination unit 132 may output the control signal WREN by inverting the output of the read command RDS buffered by the timing controller, the NOR gate receiving the write command WDS, and the NOR gate. With an inverter.

뱅크 인에이블 신호 생성부(110B)는 다수의 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)를 제어신호(MEN)에 응답하여 다수의 제1 뱅크 인에이블 신호(BANK_SEN1 ~ BANKE_SEN3)를 출력하는 제1 신호조합부(113)와, 제어신호(WREN)에 응답하여 다수의 제2 뱅크 인에이블 신호(BANK_AEN1 ~ BANKE_AEN3)를 출력하는 제2 신호조합부(114)를 구비한다.The bank enable signal generator 110B combines a plurality of bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 in response to the control signal MEN, and outputs a plurality of first bank enable signals BANK_SEN1 to BANKE_SEN3. And a second signal combination section 114 for outputting a plurality of second bank enable signals BANK_AEN1 to BANKE_AEN3 in response to the control signal WREN.

제1 신호조합부(113)는 일측으로는 다수의 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)중 하나를, 타측으로는 제어신호(MEN)를 입력받는 다수의 제1 낸드게이트와, 다수의 제1 낸드게이트의 출력을 각각 반전하여 다수의 제1 뱅크 인에이블 신호(BANK_SEN1 ~ BANKE_SEN3)를 각각 출력하는 다수의 제1 인버터를 구비한다.The first signal combination unit 113 includes a plurality of first NAND gates receiving one of a plurality of bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 on one side and a control signal MEN on the other side, and a plurality of first signals. A plurality of first inverters respectively output the plurality of first bank enable signals BANK_SEN1 to BANKE_SEN3 by inverting the outputs of the NAND gates.

제2 신호조합부(114)는 일측으로는 다수의 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)중 하나를, 타측으로는 제어신호(WRS)를 입력받는 다수의 제2 낸드게이트와, 다수의 제2 낸드게이트의 출력을 각각 반전하여 다수의 제2 뱅크 인에이블 신호(BANK_AEN1 ~ BANKE_AEN3)를 각각 출력하는 다수의 제2 인버터를 구비한다.The second signal combination unit 114 includes a plurality of second NAND gates receiving one of a plurality of bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 on one side and a control signal WRS on the other side, and a plurality of second A plurality of second inverters respectively inverting outputs of the NAND gate and outputting a plurality of second bank enable signals BANK_AEN1 to BANKE_AEN3 are provided.

도9는 도6에 도시된 구동 드라이버의 동작을 나타내는 파형도이다. 도10과 도11은 도6에 도시된 구동 드라이버의 동작을 보다 자세히 나타내는 파형도이다.FIG. 9 is a waveform diagram showing the operation of the drive driver shown in FIG. 10 and 11 are waveform diagrams showing in more detail the operation of the drive driver shown in FIG.

이하에서는 도5 내지 도11을 참조하여 본 실시예에 따른 구동 드라이버의 동작을 살펴본다.Hereinafter, the operation of the driving driver according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 through 11.

본 실시예에 따른 구동 드라이버는 엘시디등의 표시장치를 구동하기 위해 싱글포트 에스램을 사용할 때에, 에스램에 구비되는 다수의 뱅크를 인에이블하는 신호를 어드레스용과 컨트롤용으로 따로 분리함으로써 데이터를 디스플레이할 때 발생할 수 있는 어드레스의 충돌을 막고, 또한 타이밍 마진을 확보하여 원치않은 어드레스의 출력을 제거할 수 있는 것이 주요 특징이다.When the drive driver according to the present embodiment uses a single port SRAM to drive a display device such as an LCD, the data is displayed by separating signals for enabling a plurality of banks included in the SRAM separately for address and control. The main feature is that it prevents address collisions that may occur when using the system, and also secures timing margins to eliminate the output of unwanted addresses.

뱅크 제어부(110)의 뱅크 어드레스 디코더(110A)는 X어드레스 상위 3비트(X5 ~ X7)를 이용하여 만들어지는 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)를 생성한다.The bank address decoder 110A of the bank control unit 110 generates the bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 that are generated by using the upper three bits of the X address (X5 to X7).

이어서, 뱅크 인에이블 신호 생성부(110B)는 데이터 리드/라이트 제어부(130)에서 발생되며, 라이트신호(WRS)와, 리드신호(RDS)의 조합에 의해 만들어지는 제어신호(WREN)와, 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)를 낸드조합하여 실제 메모리가 동작하는, 즉 메모리의 데이터 리드 또는 라이트 동작시점에만 원하는 구간인 에스램이 X 어드레스와, Y 어드레스를 입력받아 처리하게되는 구간동안 인에이블되는 제1 뱅크인에이블신호(BANK_AEN1 ~ BANKE_AEN3)를 생성하여 출력하게 된다.Subsequently, the bank enable signal generation unit 110B is generated by the data read / write control unit 130, the control signal WREN generated by the combination of the write signal WRS, the read signal RDS, and the bank. NAND combination of enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 enables SRAM, which is a desired section only when data read or write operation of memory is operated, receives and processes X address and Y address. The first bank enable signals BANK_AEN1 to BANKE_AEN3 are generated and output.

따라서 본 실시예에 따른 구동드라이버의 제어를 받게되는 에스램은 데이터 리드 또는 라이트 동작시점 이외의 시간동안에는 에스램의 어떠한 어드레스로 지정되지 않아 리드 또는 라이트관련 동작을 하지 않게 되는 것이다.Therefore, the SRAM under the control of the driving driver according to the present embodiment is not assigned to any address of the SRAM during a time other than the data read or write operation time, so that the read or write related operation is not performed.

그와 비슷한 방식으로 이번에는 뱅크 어드레스 디코더에서 발생되는 뱅크인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)를 에스램이 인에이블되는 동안 에스램의 센스앰프가 동작하게 하여 내부적으로 프리차지등의 동작을 수행하게 하는 제2 뱅크 인에이블 신호(BANK_SEN1 ~ BANKE_SEN3)를 생성하여 출력한다.In a similar manner, this time, the enable signal BANK_EN1 to BANKE_EN3 generated by the bank address decoder enables the SRAM's sense amplifier to operate while pre-charging, etc., while SRAM is enabled. The second bank enable signals BANK_SEN1 to BANKE_SEN3 are generated and output.

도10에 도시되어 있듯이, 제1 뱅크인에이블 신호(BANK_AEN1 ~ BANKE_AEN3)와, 제2 뱅크인에이블 신호(BANK_SEN1 ~ BANKE_SEN3)는 프리차지 시간의 간격을 두고 동작함을 보여줄 수 있다. As shown in FIG. 10, it is shown that the first bank enable signals BANK_AEN1 to BANKE_AEN3 and the second bank enable signals BANK_SEN1 to BANKE_SEN3 operate at intervals of a precharge time.

프리차지 신호가 먼저 발생하고, 리드/라이트 신호가 발생하게 되는데, 이미 그전에 약간의 타이밍 마진을 두고 어드레스 값이 에스렘에 입력되어 먼저 셋팅되게 되고, 또한, 리드/라이트 신호가 발생할 때 그 지정된 Y 어드레스가 워드라인을 활성화시킬 수 있도록 Y축 디코더를 인에이블시켜 주게 되는 것이 일반적인 에스램의 동작이다.The precharge signal is generated first, and the read / write signal is generated first, and the address value is input to the memory and set first with a slight timing margin before that, and the designated Y when the read / write signal is generated. It is a typical behavior of SRAM to enable the Y-axis decoder to enable the address to activate the word line.

그리고 디스플레이시도 Y축 디코더는 라인어드레스를 출력시켜야 하므로, 디스플레이 타임동안 인에이블되어야 한다. 도11처럼 디스플레이 신호인 LDE0 신호가 인에이블되면, Y 디코더로는 라인어드레스가 출력되어야 한다.In addition, since the Y-axis decoder must output a line address during display, it must be enabled during display time. When the LDE0 signal, which is the display signal, is enabled as shown in FIG. 11, a line address must be output to the Y decoder.

종래의 방식에서는 Y 어드레스 선택에 뱅크 인에이블 신호제어부(도1의 11참조)에서 발생되는 뱅크 인에이블 신호(BANK_EN1 ~ BANKE_EN3)가 사용되어 있어 에스램 리드/라이트 동작시 디스플레이장치에 활성화되어 버리면, 리드/라이트 동작시에 관계되는 잘못된 에스램의 어드레스가 디스플레이의 동작에 사용될 수 있었다.(도3과 같이 두개의 워드라인(WL_X, WL_0)이 인에이블되어 오동작을 하게 된다.)In the conventional method, the bank enable signals BANK_EN1 to BANKE_EN3 generated by the bank enable signal controller (see 11 in FIG. 1) are used to select the Y address, and thus are activated in the display device during the SRAM read / write operation. The wrong SRAM address related to the read / write operation could be used for the operation of the display (two word lines WL_X and WL_0 are enabled as shown in FIG. 3 to malfunction).

그러나, 본 발명의 구동드라이버는 도6에서와 같이 제1 뱅크인에이블 신호(Bank_AEN)라는 여과된 인에이블 신호가 에스램의 Y어드레스를 선택하므로 도11의 결과와 같이 같은 조건의 경우에 두개이상의 워드라인이 동시에 인에이블되는 경우가 제거되는 것이다.However, in the driving driver of the present invention, as shown in FIG. 6, the filtered enable signal called the first bank enable signal Bank_AEN selects the Y address of the SRAM. The case where the word lines are enabled at the same time is eliminated.

도11의 결과 파형을 보면, 도4에서 볼수 있는 타이밍 마진 에러에 의한 0번 어드레스가 출력되는 것이 사라진 것을 볼 수 있다. 11, it can be seen that the output of address 0 due to the timing margin error shown in FIG. 4 disappears.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

본 발명에 의해서 OLED 드라이버나 STN 드라이버등의 장치에서 싱글포트 에 스램을 구동할 때에, 에스램에 저장된 데이터를 디스플레이할 때와, 에스램에 데이터를 리드/라이트 할 때의 타이밍 마진에 의해 생길 수 있는 오동작을 제거할 수 있다.According to the present invention, when driving a single port SRAM in a device such as an OLED driver or an STN driver, the timing margin when displaying data stored in the SRAM and reading / writing data to the SRAM can be generated. The malfunctions can be eliminated.

또한, 디스플레이 온시나 에스램 데이터의 리드/라이트 동작수행을 하지 않을 때는 전체 에스램의 뱅크를 디스에이블시켜 줌으로서, 소모되는 파워를 절약할 수 있다.In addition, when the display is on or when the read / write operation of the SRAM data is not performed, the banks of the entire SRAMs are disabled, thereby saving power consumed.

Claims (5)

화면표시장치를 구동하기 위해 싱글포트 에스램을 제어하는 구동 드라이버에 있어서,In the drive driver to control the single port SRAM to drive the display device, 뱅크 어드레스를 디코딩하여 상기 싱글포트 에스램에 구비된 다수의 뱅크를 인에이블시키기 위한 각각의 뱅크 인에이블 신호를 출력하는 뱅크어드레스 디코더;A bank address decoder configured to decode a bank address and output a respective bank enable signal for enabling a plurality of banks included in the single port SRAM; 상기 싱글포트 에스램이 인에이블되는 구간동안 활성화되는 제1 제어신호와, 상기 싱글포트 에스램의 데이터 리드/라이트 동작시 활성화되는 제2 제어신호를 제공하기 하기 위한 데이터 리드/라이트 제어부; 및A data read / write controller configured to provide a first control signal activated during a period during which the single port SRAM is enabled, and a second control signal activated during a data read / write operation of the single port SRAM; And 상기 뱅크 인에이블 신호를 입력받아, 상기 제1 제어신호에 응답하여 각 뱅크에 대응하는 제1 뱅크 인에이블 신호를 출력하고, 상기 제2 제어신호에 응답하여 각 뱅크에 대응하는 제2 뱅크 인에이블 신호를 출력하기 위한 뱅크 인에이블 신호 생성부Receiving the bank enable signal, outputting a first bank enable signal corresponding to each bank in response to the first control signal, and enabling a second bank corresponding to each bank in response to the second control signal Bank enable signal generator for outputting a signal 를 구비하는 화면표시장치의 구동드라이버.Driving driver of the display device having a. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 뱅크 어드레스 디코더는,The bank address decoder, 상기 싱글포트 에스램을 제어하기 위해 입력되는 어드레스중에서 뱅크 어드레스에 해당되는 상위비트의 로우 어드레스 및 그 반전신호를 버퍼링하여 전달하기 위한 제1 디코더; 및A first decoder for buffering and transmitting a row address of an upper bit corresponding to a bank address and an inverted signal thereof among the addresses input to control the single port SRAM; And 상기 제1 디코더를 통해 전달된 어드레스 및 그 반전신호를 선택적으로 입력받아 상기 싱글포트 에스램의 각 뱅크에 대응하는 뱅크 인에이블 신호를 출력하기 위한 제2 디코더를 구비하는 것을 특징으로 하는 화면표시장치의 구동드라이버.And a second decoder configured to selectively receive an address transmitted through the first decoder and an inverted signal thereof, and output a bank enable signal corresponding to each bank of the single port SRAM. Driver. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 데이터 리드/라이트 제어부는, The data read / write control unit, 상기 싱글포트 에스램에 데이터를 리드하기 위해 입력되는 리드명령어 또는 상기 싱글포트 에스램에 데이터를 라이트하기 위해 입력되는 라이트명령어에 응답하여 상기 제2 제어신호를 출력하기 위한 신호조합부; 및A signal combination unit for outputting the second control signal in response to a read command input to read data to the single port SRAM or a write command input to write data to the single port SRAM; And 상기 싱글포트 에스램에 인에이블되는 파형을 입력받아 상기 제1 제어신호로 전달하기 위한 신호전달부를 구비하는 것을 특징으로 하는 화면표시장치의 구동드라이버.And a signal transfer unit configured to receive the waveform enabled by the single port SRAM and transmit the waveform to the first control signal. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 신호조합부는,The signal combination unit, 상기 리드명령어와, 상기 라이트 명령어를 입력받는 노어게이트; 및A nor gate receiving the read command and the write command; And 상기 노어게이트의 출력을 반전하여 상기 제2 제어신호를 출력하기 위한 인버터를 구비하는 것을 특징으로 하는 화면표시장치의 구동드라이버.And an inverter for outputting the second control signal by inverting the output of the NOR gate. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 뱅크 인에이블 신호 생성부는,The bank enable signal generator, 각 뱅크에 대응하는 뱅크 인에이블 신호와 상기 제1 제어신호를 입력으로 하여 각 뱅크에 대응하는 상기 제1 뱅크 인에이블 신호를 출력하는 제1 신호조합부와,A first signal combination unit for inputting a bank enable signal corresponding to each bank and the first control signal and outputting the first bank enable signal corresponding to each bank; 각 뱅크에 대응하는 뱅크 인에이블 신호와 상기 제2 제어신호를 입력으로 하여 제2 뱅크 인에이블 신호를 출력하는 제2 신호조합부를 구비하는 것을 특징으로 하는 화면표시장치의 구동드라이버.And a second signal combination unit configured to output a second bank enable signal by inputting a bank enable signal corresponding to each bank and the second control signal.
KR1020040072284A 2004-09-09 2004-09-09 Control driver for display device KR100600326B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040072284A KR100600326B1 (en) 2004-09-09 2004-09-09 Control driver for display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040072284A KR100600326B1 (en) 2004-09-09 2004-09-09 Control driver for display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060023438A KR20060023438A (en) 2006-03-14
KR100600326B1 true KR100600326B1 (en) 2006-07-19

Family

ID=37129651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040072284A KR100600326B1 (en) 2004-09-09 2004-09-09 Control driver for display device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100600326B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060023438A (en) 2006-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950020748A (en) Semiconductor memory
KR100780613B1 (en) Semiconductor memory device and driving method thereof
KR100902125B1 (en) Dram for low power consumption and driving method thereof
JP4868351B2 (en) Semiconductor memory device
KR100290286B1 (en) A semiconductor memory device with fast input/output line precharge scheme and a method of precharging input/output lines thereof
JP2006040519A (en) Semiconductor device which can be initialized by unit sram
US5566128A (en) Semiconductor memory device
US10102900B2 (en) Memory device with separate read active signal and write active signal having different activation periods used for word line selection during read and write operation
KR20060071435A (en) Method and apparatus for partial refreshing of dram
US20090059691A1 (en) Semiconductor integrated circuit and multi test method thereof
KR20000009375A (en) Memory device minimizing write time and data write method
JP4025537B2 (en) Word line control circuit for SRAM device
JP2001043683A (en) Input/output line equalization circuit and memory device provided with this circuit
JPH08180682A (en) Semiconductor memory
US7764548B2 (en) Semiconductor memory device which delays refreshment signal for performing self-refreshment
KR100600326B1 (en) Control driver for display device
US20030086320A1 (en) Semiconductor device having integrated memory and logic
KR19990072949A (en) Semiconductor memory device
US6115317A (en) Semiconductor memory device for masking data by controlling column select line signals
US8045408B2 (en) Semiconductor integrated circuit with multi test
US7804725B2 (en) Write driving circuit and semiconductor memory apparatus using the same
JP4119105B2 (en) Semiconductor memory
KR20190075334A (en) Semiconductor apparatus
JP2000090694A (en) Semiconductor memory device
JPH11353882A (en) Swl ferroelectric memory

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130620

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140618

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150617

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160620

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170626

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180618

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190619

Year of fee payment: 14