KR100599682B1 - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

Abstract

플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 플라즈마 디스플레이 패널에 사용되는 보호막의 특성을 개선하여 플라즈마 디스플레이 패널의 표시품위를 향상시키고자 한다. 이를 위해 본 발명에서는, 서로 대향 배치되는 전면기판 및 배면기판; 전면기판과 배면기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 어드레스 전극 및 다수의 유지 전극; 다수의 어드레스 전극 및 다수의 유지 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층; 및 유전체층을 덮어서 형성되며, 어드레스 전극 또는 유지 전극을 따라서 두께가 변하는 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

보호막, 두께, 전압강하, 응답속도

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}

도 1a 및 도1b는 각각 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 부분 분해 사시도이고,

도 2는 도 1a 및 도 1b에 도시한 전면기판과 어드레스 전극의 개략도이며,

도 3은 배면기판과 유지 전극의 개략도이고,

도 4는 보호막을 도시한 단면도이며,

도 5는 보호막 증착 공정을 개략적으로 나타내는 단면도이고,

도 6a는 본 발명의 실시예 3에 대한 유지 전압(Vs)과 어드레스 전압(Va)의 관계를 도시한 그래프이고,

도 6b는 비교예 1에 대한 유지 전압(Vs)과 어드레스 전압(Va)의 관계를 도시한 그래프이며,

도 7a는 본 발명의 실시예 4에 대한 유지 전압(Vs)과 어드레스 전압(Va)의 관계를 도시한 그래프이고,

도 7b는 비교예 2에 대한 유지 전압(Vs)과 어드레스 전압(Va)의 관계를 도시한 그래프이며,

도 8은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 분해 사시도이다.

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 보호막의 두께를 변화시켜 특성이 개선된 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.

플라즈마 디스플레이 패널(plasma display panel, PDP)은 기체 방전 시에 생기는 플라즈마로부터 나오는 빛을 이용하여 문자 또는 그래픽을 표시하는 장치로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 방전공간에 설치된 두 전극에 소정의 전압을 인가하여 이들 사이에서 플라즈마 방전이 일어나도록 하고, 이 플라즈마 방전 시 발생되는 자외선에 의해 소정의 패턴으로 형성된 형광체층을 여기시켜 화상을 형성한다.

이와 같은 플라즈마 디스플레이는 크게 교류형(AC type), 직류형(DC type) 및 혼합형(Hybrid type)으로 나누어진다. 도 8은 일반적인 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 방전셀의 분해 사시도이다. 도 8을 참조하면, 일반적인 플라즈마 디스플레이 패널(100)은 하부기판(111), 하부기판(111) 위에 형성된 다수의 어드레스 전극(115), 이 어드레스 전극(115)이 형성된 하부기판(111) 위에 형성된 유전체층(119), 이 유전체층(119) 상부에 형성되어 방전거리를 유지시키고 셀간의 크로스 토크(cross talk)를 방지하는 다수의 격벽(123)과 격벽(123) 표면에 형성된 형광체층(125)을 포함한다.

다수의 방전유지 전극(117)은 하부기판(111) 상에 형성된 다수의 어드레스 전극(115)과 소정 간격으로 이격되어 직교하도록 상부기판(113) 하부에 형성된다. 그리고 유전체층(121) 및 보호막(127)이 순차적으로 방전유지 전극(117)을 덮고 있다. 특히, 보호막(127)으로는 가시광선이 잘 투과될 수 있도록 투명할 뿐만 아니라 유전층 보호 및 2차 전자 방출 성능이 우수한 MgO를 주로 사용하고 있으며, 최근에는 다른 재료로 이루어진 보호막의 연구도 이루어지고 있다.

여기서의 MgO 보호막은 플라즈마 디스플레이 패널 동작 중의 방전 시 방전가스의 이온충격으로 인한 영향을 완화시킬 수 있는 내스퍼터링 특성을 가져 이온 충돌로부터 유전체층을 보호하고 2차 전자의 방출을 통하여 방전 전압을 낮추는 역할을 하는 투명 보호 박막으로서, 3000~7000Å 두께로 유전체층을 덮어서 형성한다.

MgO 보호막은 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법) 및 졸-겔(sol-gel)법 등을 사용하여 형성하고 있으며, 최근에는 이온 플레이팅(ion plating) 방식이 개발되어 사용되고 있다.

MgO 재료는 단결정 또는 소결체 형태의 것을 사용한다. MgO 단결정 재료의 경우, 증착을 위한 용융 시 냉각 속도에 의한 고용 한계의 차이로 인하여 특정 도펀트(dopant)의 정량제어가 어려운 문제점이 있어서, 제조 시에 특정 도펀트를 정량적으로 첨가한 MgO 소결체 재료를 사용하여 이온 플레이팅 방식으로 MgO 보호막을 제조하고 있다.

MgO 보호막은 방전가스에 접촉되므로 보호막을 구성하는 성분과 막 특성은 방전특성에 크게 영향을 미칠 수 있다. 이 때 MgO 보호막 특성은 성분과 증착 시의 성막 조건에 크게 의존한다. 특히 보호막의 두께에 따라 보호막의 2차 전자 방출 성능이 달라질 수 있다.

따라서 목적하는 막 특성 향상에 부합하도록 최적의 보호막 증착 조건을 개발하여 플라즈마 디스플레이의 표시품질을 보다 더 개선하는 최적의 보호막을 형성하는 것이 절실히 요구된다.

본 발명은 상술한 요구에 따라 제안된 것으로서, 그 목적은 플라즈마 디스플레이 패널에 사용되는 보호막의 특성을 개선하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 플라즈마 디스플레이 패널용 보호막의 특성 개선을 위해 보호막의 최적 증착 두께를 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는, 서로 대향 배치되는 전면기판 및 배면기판; 전면기판과 배면기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 어드레스 전극 및 다수의 유지 전극; 다수의 어드레스 전극 및 다수의 유지 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층; 및 유전체층을 덮어서 형성되며, 어드레스 전극 또는 유지 전극을 따라서 두께가 변하는 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.

이 때 보호막의 두께는 어드레스 전극 또는 유지 전극의 단자부로부터 먼 쪽이 가까운 쪽에 비해 더 두꺼운 것이 바람직하다.

더욱 구체적으로는 보호막의 두께가 4000 내지 12000Å일 수 있다.

이 때 단자부로부터 먼 쪽의 보호막 두께가 10000 내지 12000Å일 수 있고, 단자부와 가까운 쪽의 보호막 두께가 4000 내지 6000Å일 수 있다.

이러한 보호막은 MgO로 이루어질 수 있다.

보호막의 두께는 보호막의 증착 시 인가하는 전압을 변경하는 방법, 및 기판의 이동 속도를 변경하는 방법 중의 어느 하나 또는 둘 모두를 수행하는 것에 의해 변화될 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.

도 1a 및 도1b는 각각 본 발명의 제1 실시예 및 제2 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 부분 분해 사시도이고, 도 2는 도 1a 및 도 1b에 도시한 전면기판과 어드레스 전극의 개략도이며, 도 3은 배면기판과 유지 전극의 개략도이다. 도 4는 보호막을 도시한 단면도이다.

도면을 참고하면, 본 발명에 의한 플라즈마 디스플레이 패널에서는 전면기판(2)과 배면기판(4)이 임의의 간격을 두고 서로 대향 배치되고, 양 기판의 사이 공간에는 격벽(6)에 의해 구획되는 방전 셀들(8R, 8G, 8B)이 마련된다.

먼저, 전면기판(2)의 내면에는 일방향(도면의 Y 방향)을 따라 어드레스 전극(10)들이 형성되고, 어드레스 전극(10)들을 덮으면서 전면기판(2)의 내면 전체에 제1 유전층(12)이 위치한다. 어드레스 전극(10)은 일례로 스트라이프 패턴으로 이루어져 이웃한 어드레스 전극(10)과 소정의 간격을 두고 나란하게 위치한다.

어드레스 전극(10)은 도 2에 도시한 바와 같이 전면기판(2)의 상측 혹은 하측 가장자리에 단자부(Ca)를 형성하고, 단자부(Ca)에 칩 온 필름(COF; chip on film) 또는 테이프 캐리어 패키지(TCP; tape carrier package)와 같은 접속 부재(미도시)가 실장되어 접속 부재를 통해 어드레스 전압(Va)을 인가받는다.

제1 유전층(12) 위에는 격벽(6), 일례로 어드레스 전극(10)과 평행한 스트라이프 패턴의 격벽(6)이 형성되고, 격벽(6)의 측면과 제1 유전층(12) 상면에 걸쳐 적색, 녹색 및 청색의 형광층(14R, 14G, 14B)이 순서대로 마련된다. 이 때, 격벽(6)의 형상은 스트라이프 패턴에 한정되지 않으며, 격자형과 같은 폐쇄형 구조 또는 그 이외의 패턴으로 이루어질 수 있다.

그리고 전면기판(2)에 대향하는 배면기판(4)의 내면에는 어드레스 전극(10)과 직교하는 방향(도면의 X 방향)을 따라 스캔 전극(16)과 공통 전극(18)으로 이루어지는 유지 전극(20)이 형성되고, 유지 전극(20)들을 덮으면서 배면기판(4)의 내면 전체에 투명한 제2 유전층(22)과 MgO 보호막(24)이 위치한다.

본 실시예에서 스캔 전극(16)과 공통 전극(18)은 각각 스트라이프 패턴의 투명 전극(16a, 18a)과, 투명 전극(16a, 18a)의 일측 가장자리에 형성되어 투명 전극(16a, 18a)의 전압 강하를 방지하는 금속의 버스 전극(16b, 18b)으로 이루어진다. 투명 전극(16a, 18a)으로는 인듐 틴 옥사이드(ITO; indium tin oxide)가 바람직하고, 버스 전극(16b, 18b)으로는 은(Ag), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)와 같은 금속 전극이 바람직하다.

전면기판(2)과 배면기판(4)의 조합에 의해 어드레스 전극(10)과 유지 전극(20)이 교차하는 방전 공간이 하나의 방전 셀(8R, 8G, 8B)을 구성하며, 방전 셀(8R, 8G, 8B) 내부는 방전 가스(주로 Ne-Xe 혼합 가스)로 채워진다.

유지 전극(20)은 도 3에 도시한 바와 같이 배면기판(4)의 상측 혹은 하측 가장자리에 단자부(Cs)를 형성하고, 단자부(Cs)에 칩 온 필름(COF; chip on film) 또는 테이프 캐리어 패키지(TCP; tape carrier package)와 같은 접속 부재(미도시)가 실장되어 접속 부재를 통해 유지 전압(Vs)을 인가받는다.

이와 같이 전면기판(2)과 배면기판(4)에 각각 구비되어 방전 셀 내에 플라즈마 방전을 일으키는 전극들(10, 20)은 도 2와 도 3에 도시한 바와 같이, 방전 셀들이 위치하여 실질적인 표시가 이루어지는 표시 영역(30) 뿐만 아니라 표시 영역(30) 바깥의 단자 영역(35)에 일단이 연장되고, 단자 영역(35)에서 도시하지 않은 접속 부재와 연결되어 PDP 구동에 필요한 전압을 인가받게 된다.

전술한 구성에 의해, 어드레스 전극(10)과 스캔 전극(16) 사이에 어드레스 전압(Va)을 인가하여 어드레스 방전을 통해 발광이 일어날 방전 셀을 선택하고, 선택된 방전 셀의 스캔 전극(16)과 공통 전극(18) 사이에 유지 전압(Vs)을 인가하면, 방전 셀 내에 플라즈마 방전이 일어나면서 플라즈마 방전시 만들어지는 Xe의 여기 원자로부터 진공 자외선이 방출되고, 진공 자외선이 형광층을 여기시켜 가시광을 내게 함으로써 소정의 표시가 이루어진다.

여기서, 도 1a에 도시된 바와 같이 본 발명의 제1 실시예에서는 보호막(24)의 두께가 어드레스 전극(10)의 길이방향 및 유지 전극(20)의 배열 방향을 따라서 변할 수 있고, 도 1b에 도시된 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에서는 보호막(24)의 두께가 유지 전극(20)의 길이방향 및 어드레스 전극(10)의 배열 방향을 따라서 변할 수 있다.

보호막(24)의 두께는 각 전극들의 단자부(Ca, Cs)로부터 먼 쪽이 가까운 쪽에 비해 더 두꺼운 것이 바람직하며, 이러한 보호막(24)의 두께는 4000 내지 12000Å 범위 내에서 변한다.

더욱 구체적으로는 도 4에 도시된 바와 같이, 단자부(Ca, Cs)로부터 먼 쪽의 보호막(24) 두께 T1은 10000 내지 12000Å 정도이고, 단자부(Ca)와 가까운 쪽의 보호막(24) 두께 T2는 4000 내지 6000Å 정도일 수 있다.

보호막은 일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널에서 유전체층의 표면을 덮어 방전기간 중 방전가스의 이온충격으로부터 유전체층을 보호하는 역할을 한다. 이러한 보호막 재료로는 MgO를 많이 사용하는데, 이는 MgO가 우수한 내스퍼터링 특성과 큰 2차전자 방출계수를 가진 유전재료 조건에 부합되기 때문이다.

한편, 어드레스 전극과 스캔 전극으로 전압이 인가될 때 스캔펄스(sacn pulse)가 단자부로부터 전극을 따라 입력되면 전극의 자체 저항에 의해 전압강하가 발생하게 된다. 이러한 전압강하로 인해 패널 내 위치에 따른 응답속도의 차이가 발생하게 되어 플라즈마 디스플레이 패널의 표시품위 균일성을 저하하게 된다.

따라서, 본 발명에서는 상술한 문제점을 야기시키는 근본 원인으로 작용하는 전압강하를, 보호막의 두께를 차등 적용하는 방법에 의해 보상한다. 즉, 단자부로부터 먼 쪽에서 발생하는 전압강하를 보호막의 두께를 보다 더 두껍게 함으로써 보상하는 것이다. 이는 두께가 두꺼울수록 2차전자 방출계수가 더 커지는 보호막의 특성에 의해 가능한 것으로 이해된다.

이와 같이 본 발명에 따라 보호막의 두께를 전극의 길이 방향에 따라서 다르 게 할 경우, 특히 단자부로부터 먼 쪽의 보호막을 보다 더 두껍게 할 경우 플라즈마 디스플레이 패널의 균일한 표시품위를 실현할 수 있다.

일반적으로 보호막은 스퍼터링법, 전자빔 증착법, IBAD(ion beam assisted deposition, 이온빔지원퇴적법), CVD(chemical vapor deposition, 화학기상증착법) 및 졸-겔(sol-gel)법 등을 사용하여 형성하고 있으며, 최근에는 이온 플레이팅(ion plating) 방식이 개발되어 사용되고 있다. 또한, 보호막 증착재로는 펠렛 형태로 성형한 후 소결한 것이 사용되고 있다.

도 5는 보호막 증착 공정을 개략적으로 나타내는 도면으로서, 전자빔 증착법에 의해, 전극과 유전체층을 차례로 형성한 기판 상에 보호막을 형성하는 공정을 개략적으로 나타낸 단면도이다.

전자빔 증착법에서는 전기장과 자기장으로 가속되어지는 전자빔을 증착 재료에 충돌시켜 증착 재료를 가열 및 증발시킴으로써 보호막을 형성한다. 이 경우, 전자빔의 에너지를 재료 표면에 집중시켜 고속증착 및 고순도증착을 실행할 수 있다. 도 5는 이러한 보호막의 형성 공정의 일례를 예시한 것에 지나지 않으며, 보호막의 형성 공정이 전자빔 증착법에 한정되는 것은 아니다.

도 5에 나타낸 보호막(24)의 성막 공정에 있어서는 먼저 기판(4)을 좌측으로부터 우측으로 롤러(41)로 이동시켜 증착실 입구(42)에 로드(load)하면서 보호막(24)을 증착한 후 증착실 출구(43)측으로 배출한다. 기판(4)에 이상이 있는 경우에는 증착실 입구(42)로부터 기판(4)을 언로드(unload)할 수 있다. 증착실(50)의 내부는 진공으로 형성되어야 하므로 진공 펌프(미도시)가 부착되어 배기를 지속적으로 행하며, 셔터(44)를 이용하여 내외부를 이중 차단하면서 개폐시킨다. 전자총(45)을 작동시켜 자기장 및 전기장을 형성하며, 전자총(45)에서 배출되는 이온을 하부에 위치한 증착재인 펠렛(55)에 충돌시켜 펠렛(55)을 상부에 위치한 기판(4) 상에 증착시킨다. 이온 충돌로 인하여 펠렛(55)이 과열되는 것을 방지하기 위해 냉각 장치(46)를 통하여 냉각시키면서 보호막을 증착한다.

상술한 바와 같은 보호막 증착 공정에서 보호막의 두께를 조절하기 위해서는 이미션 전류를 조절하거나 또는 기판의 이동속도를 조절할 수 있다.

예를 들면, 전극의 단자부로부터 먼 쪽에서 보호막을 두껍게 증착하고자 할 경우에는, 이미션 전류를 높이거나 또는 기판의 이동속도를 늦추거나, 또는 이 둘(전류 증가 및 이동속도 감소)을 모두 적용하여 보호막의 증착두께를 두껍게 할 수 있다.

이와 반대로, 전극의 단자부와 가까운 쪽에서 보호막을 상대적으로 얇게 증착하고자 할 경우에는, 이미션 전류를 상대적으로 낮추거나 또는 기판의 이동속도를 상대적으로 빠르게 하거나, 또는 이 둘(전류 감소 및 이동속도 증가)을 모두 적용하여 보호막의 증착두께를 상대적으로 얇게 할 수 있다.

그러나 보호막 두께를 변화시키는 공정 변수는 상술한 이미션 전류 및 기판의 이동속도로 한정되는 것은 아니고, 보호막 증착 방법에 따라 적절하게 변경하여 선택 적용할 수 있다.

상술한 바와 같은 전자빔 증착법에 따라 다음의 실험예와 같이 실험하였다. 이러한 실험예는 단지 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명이 여기에 한정되 는 것은 아니다.

실험예 1

MgO 펠렛을 제조한 후, MgO 증착실에 넣고 유전체가 형성된 플라즈마 디스플레이 패널에 MgO를 증착하였다. 증착실 내부의 경우, 기본 압력을 1×10-4Pa로, 증착 형성시의 압력을 5.3×10-2Pa로 하였으며, 산소를 100sccm(유량부피단위)로 공급하면서 기판을 200±5℃로 유지하였다.

기판의 반송속도를 150 mm/min으로 하고, 전압을 -15kV DC로 조절한 전자총을 이용하여 전자빔을 조사하고, 이미션(emission) 전류를 350 내지 450 mA로 변화시켜 MgO 보호막을 4000 내지 12000Å 두께로 증착하는 실시예 3을 수행하였다.

이 때 어드레스 전극을 따라서 단자부와 가까운 쪽의 보호막을 4000Å 두께로, 단자부로부터 먼 쪽의 보호막을 12000Å 두께로 증착하였다.

한편, 전류를 390 mA로 고정시킨 상태에서 보호막을 8000Å의 균일한 두께로 증착한 비교예 1을 수행하였다.

이와 같이 실시예 3 및 비교예 1에 따라 제조한 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 구동 전압 마진을 알아보기 위해 유지 전압(Vs) 및 어드레스 전압(Va)을 측정하여 그래프로 도시하였다. 그 결과 실시예 3에 대한 Va-Vs 그래프가 도 6a에 도시되어 있고, 비교예 1에 대한 Va-Vs 그래프가 도 6b에 도시되어 있다.

도 6a 및 도 6b의 그래프에서 어드레스 전압(Va)의 상한과 하한을 나타내었으며, 어드레스 전압(Va)의 상한과 하한의 차이가 어드레스 전압 마진을 의미하며, 특히, 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 총합인 화이트(W) 폐곡선의 면적이 클수록 구동 전압 마진이 큰 것을 의미한다.

따라서, 도 6a에 도시된 보호막의 두께가 변하는 실시예 3의 경우가, 도 6b에 도시된 보호막 두께가 균일한 비교예 1의 경우에 비해 구동 전압 마진이 큰 것을 확인할 수 있었다.

실험예 2

MgO 펠렛을 제조한 후, MgO 증착실에 넣고 유전체가 형성된 플라즈마 디스플레이 패널에 MgO를 증착하였다. 증착실 내부의 경우, 기본 압력을 1×10-4Pa로, 증착 형성시의 압력을 5.3×10-2Pa로 하였으며, 산소를 100sccm(유량부피단위)로 공급하면서 기판을 200±5℃로 유지하였다.

이미션(emission) 전류를 390 mA,으로 전압을 -15kV DC로 조절한 전자총을 이용하여 전자빔을 조사하고, 기판의 반송속도를 80 내지 200 mm/min으로 변화시켜 MgO 보호막을 4000 내지 12000Å 두께로 증착하는 실시예 4를 수행하였다.

이 때 어드레스 전극부와 가까운 쪽의 보호막을 4000Å 두께로, 단자부로부터 먼 쪽의 보호막을 12000Å 두께로 증착하였다.

한편, 기판의 이동속도를 150 mm/min으로 고정시킨 상태에서 보호막을 8000Å의 균일한 두께로 증착한 비교예 2를 수행하였다.

이와 같이 실시예 4 및 비교예 2에 따라 제조한 플라즈마 디스플레이 패널에 대하여 구동 전압 마진을 알아보기 위해 유지 전압(Vs) 및 어드레스 전압(Va)을 측정하여 그래프로 도시하였다. 그 결과 실시예 4에 대한 Va-Vs 그래프가 도 7a에 도시되어 있고, 비교예 2에 대한 Va-Vs 그래프가 도 7b에 도시되어 있다.

도 7a에 도시된 보호막의 두께가 변하는 실시예 4의 경우가, 도 7b에 도시된 보호막 두께가 균일한 비교예 2의 경우에 비해 구동 전압 마진이 큰 것을 확인할 수 있었다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에서는 MgO 보호막의 두께를 전극의 길이 방향을 따라서 변화시키고, 특히 단자부로부터 먼 쪽의 보호막을 보다 더 두껍게 형성함으로써, 전압강하를 보상하고 이로 인해 응답속도의 균일성을 확보하며, 나아가 플라즈마 디스플레이 패널의 표시 품질을 개선하는 효과가 있다.

Claims (6)

1. 서로 대향 배치되는 전면기판 및 배면기판;

   상기 전면기판과 배면기판의 대향면에 각각 형성되면서 서로 교차하도록 배열되는 다수의 어드레스 전극 및 다수의 유지 전극;

   상기 다수의 어드레스 전극 및 상기 다수의 유지 전극을 각각 덮어서 형성되는 유전체층; 및

   상기 유전체층을 덮어서 형성되며, 상기 어드레스 전극 또는 상기 유지 전극의 길이 방향을 따라서 두께가 변하는 보호막을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 보호막의 두께는 상기 어드레스 전극 또는 상기 유지 전극의 단자부로부터 먼 쪽이 가까운 쪽에 비해 더 두꺼운 플라즈마 디스플레이 패널.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 단자부로부터 먼 쪽의 보호막 두께는 10000 내지 12000Å이고, 상기 단자부와 가까운 쪽의 보호막 두께는 4000 내지 6000Å인 플라즈마 디스플레이 패널.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 보호막의 두께는 4000 내지 12000Å인 플라즈마 디스플레이 패널.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 보호막은 MgO로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 보호막의 두께는 상기 보호막의 증착 시 전류를 변경하는 방법, 및 기판의 이동 속도를 변경하는 방법 중의 어느 하나 또는 둘 모두를 수행하는 것에 의해 변화되는 플라즈마 디스플레이 패널.

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