KR100594220B1

KR100594220B1 - 이온 주입 장치

Info

Publication number: KR100594220B1
Application number: KR1020000046091A
Authority: KR
Inventors: 이종오; 김봉현; 김용권; 송영창
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2000-08-09
Filing date: 2000-08-09
Publication date: 2006-06-30
Also published as: KR20020012858A

Abstract

이온 주입 장치에 관해 개시되어 있다. 웨이퍼가 로딩되는 디스크, 일단이 상기 디스크의 하부에 체결되어 있고 상기 웨이퍼의 X 스캔을 위해 상기 디스크에 직선 왕복 운동을 유발시키는 스캔 샤프트, 상기 스캔 샤프트의 X 스캔 위치를 측정하기 위한 스캔 위치 트랜스 듀서, 상기 X 스캔을 위해 상기 스캔 샤프트에 직선 왕복 운동을 유발시키는 모터, 상기 스캔 샤프트의 타단에 구비되어 있고, 가변 저항선을 통해 상기 스캔 위치 트랜스 듀서와 상기 스캔 샤프트를 연결시키는 연결 유닛 및 상기 웨이퍼에 이온빔을 주입하기 전에 상기 이온빔의 상태를 측정하는데 사용되는 빔 패러데이를 구비하는 이온 주입 장치에 있어서, 상기 스캔 샤프트의 일단과 타단 사이에 상기 X 스캔 진행 방향을 표시하는 감지 수단이 구비되어 있고, 상기 감지 수단과 반응하여 공정 진행 중에 신호를 발생하는 근접 스위치가 구비되어 있다.

Description

이온 주입 장치{Apparatus for injecting ion}

도 1은 종래 기술에 의한 이온 주입 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 실시예에 의한 이온 주입 장치의 평면도 및 측면도이다.

도 4는 본 발명의 실시예에 의한 이온 주입 장치에서 X 스캔시 접근 스위치의 접근을 감지하는 접근 센서 회로도이다.

도 5는 본 발명의 실시예에 의한 이온 주입 장치에서 스캔 에라 발생을 감지하기 위한 회로도이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*

40:디스크 42:웨이퍼

44:하우징 46:모터

50:솔레노이드 52:빔 패러데이(Beam Faraday)

54:사일로 56:빔 패러데이 축

60:스캔 샤프트 62, 64:제1 및 제2 감지 수단

66:접근 스위치 70:스캔 위치 트랜스듀서(transducer)

72:스캔 샤프트 구동 모터

74:리드 스크류 76:회전 구동력 전달체

80:회전축 82:축 베어링

본 발명은 이온 주입 장치에 관한 것으로써, 자세하게는 X 스캔과 관련된 에라를 방지할 수 있는 고 에너지 이온 주입 장치에 관한 것이다.

반도체 장치의 제조 공정에 사용되는 이온 주입 장치는 크게 얕은 도전성 불순물층을 형성하기 위해 사용되는 상대적으로 주입 에너지가 작은 저 에너지 이온주입장치와 상대적으로 깊은 도전성 불순물층을 형성하기 위해 사용되는 고 에너지 이온 주입장치로 나눌 수 있다.

도 1은 일반적으로 사용되는 고 에너지 이온 주입 장치를 개략적으로 도시한 평면도써, 참조번호 10은 웨이퍼가 로딩되는 디스크를, 12는 웨이퍼를, 14는 스캔 샤프트를 각각 나타낸다. 이온 주입시, 디스크(10) 931rpm으로 회전되는데, 이로써, 웨이퍼의 Y 스캔이 이루어진다. 스캔 샤프트(14)의 일단은 디스크(10) 하부에 체결되어 있고, 디스크(10)를 회전시키기 위한 모터(미도시)가 내장되어 있는 하우징(미도시)에 연결되어 있다. 스캔 샤프트(14)는 정해진 이동 폭내에서 상기 하우징을 직선 왕복 운동시킨다. 이에 따라, 디스크(10)도 상기 이동 폭내에서 동일한 직선 왕복 운동을 하게된다. 이와 같은 스캔 샤프트(14)의 작용으로 이온 주입 과정에서 디스크(10) 상에 로딩된 웨이퍼(12)의 X 스캔이 이루어진다. 스캔 샤프트(14)의 직선 왕복 운동은 스캔 샤프트(14)의 타단에 리드 스크류(22)를 통해 구동력을 전달하는 모터(20)에 의해 이루어진다. 모터(20)에서 발생된 회전력은 리드 스크류(22)를 통해 스캔 샤프트(14)의 타단에 구비된 스캔 샤프트(14)와 스캔 위치 드랜스 듀서(18)를 연결하는 연결 유닛(16a, 16b) 중, 하측 유닛(16b)에 고정된 회전 구동력 전달체(24)에 전달된다. 모터(20)에서 발생된 회전력은 리드 스크류(22)를 회전시키는데, 모터(20)는 고정되어 있다. 따라서, 회전 구동력 전달체(24)는 리드 스크류(22)의 회전 방향에 따라 리드 스크류(22)와 나란한 방향으로 직선 왕복 운동을 하게 된다. 곧, 스캔 샤프트(14)는 직선 왕복 운동을 하게 된다.

이와 같이 스캔 샤프트(14)의 직선 왕복 운동에 의한 웨이퍼(12)의 X스캔 위치는 스캔 샤프트(14)의 타단에 구비된 스캔 위치 트랜스듀서(scan position transducer, 18)에 의해 측정되어 컴퓨터에 통보된다.

구체적으로, 디스크(10) 상에 웨이퍼(12)가 로딩되면, 이온 주입이 이루어지게 되는데, 연결 유닛(16a, 16b)은 웨이퍼(12)가 로딩될 때까지 도면에 도시된 로딩 위치에 머물다가 이온 주입이 실시되면서 이동폭(W)내에서 직선 왕복 운동을 하게된다. 연결 유닛(16a, 16b)이 상기 직선 왕복 운동을 하게 됨으로써, 연결 유닛(16a, 16b)의 상부 유닛(16a)과 스캔 위치 드랜스듀서(18)를 잇는 가변 저항선(26)길이가 변하게 되고, 그에 따라 가변 저항선(26)의 저항이 변하게 된다. 가변 저항선(26)의 저항 변화는 결국 전압의 변화를 초래하는데, 스캔 위치 드랜스 듀서(18)는 이러한 전압 변화를 인지하여 X 스캔의 위치를 측정하고, 측정된 결과를 컴퓨터에 통보한다.

하지만, 상기한 바와 같은 종래 기술에 의한 고 에너지 이온 주입 장치는 스캐 위치 트랜스듀서(18)의 불량으로 이온 주입이 중지됨에도 불구하고, 컴퓨터는 이온주입이 정상적으로 완료된 것으로 판단하게 된다. 따라서, 작업자가 계산치와 실제의 이온 주입된 시간 차이를 확인하지 않는 경우, 대량의 불량 제품이 발생될 소지가 있다.

따라서, 본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 상술한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 스캔 위치 트랜스 듀서 불량 발생시 이를 작업자에게 통보하여 작업자가 쉽게 에라 발생을 확인할 수 있고, 불량이 발생된 시점에서 스캔 위치를 알 수 있게 하여 추가 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있는 이온 주입 장치을 제공함에 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 웨이퍼가 로딩되는 디스크, 일단이 상기 디스크의 하부에 체결되어 있고 상기 웨이퍼의 X 스캔을 위해 상기 디스크에 직선 왕복 운동을 유발시키는 스캔 샤프트, 상기 스캔 샤프트의 X 스캔 위치를 측정하기 위한 스캔 위치 트랜스 듀서, 상기 X 스캔을 위해 상기 스캔 샤프트에 직선 왕복 운동을 유발시키는 모터, 상기 스캔 샤프트의 타단에 구비되어 있고, 가변 저항선을 통해 상기 스캔 위치 트랜스 듀서와 상기 스캔 샤프트를 연결시키는 연결 유닛 및 상기 웨이퍼에 이온빔을 주입하기 전에 상기 이온빔의 상태를 측정하는데 사용되는 빔 패러데이를 구비하는 이온 주입 장치에 있어서, 상기 스캔 샤 프트의 일단과 타단 사이에 상기 X 스캔 진행 방향을 표시하는 감지 수단이 구비되어 있고, 상기 감지 수단과 반응하여 공정 진행 중에 신호를 발생하는 접근 스위치가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치를 제공한다.

상기 감지 수단은 스캔 샤프트를 따라 소정의 간격만큼 이격된 1 및 제2 감지 센서이다.

상기 접근 스위치는 이온 주입 장치의 몸체 및 상기 스캔 샤프트에 각각 하나씩 장착되어 있다.

이와 같이, 본 발명에 의한 이온 주입 장치는 스캔 샤프트의 디스크와 연결되지 않는 타단에 X스캔의 시작 부분(in)과 끝 부분(out)에 접근 감지 센서가 구비되어 있다. 따라서, 스캔 샤프트의 X 스캔이 어느 방향으로 진행되고 있는지를 작업자가 쉽게 알 수 있다. 또, 접근 스위치가 장치의 몸체 및 스캔 샤프트에 각각 장착되어 있다. 따라서, 상기 빔 패러데이를 닫기 위한 구동 신호와 함께 접근 스위치로부터 발생되는 신호를 이용하여 비정상적으로 이온주입이 종료되는 경우, 그 사실을 작업자가 바로 알 수 있다. 또한 상기 X 스캔 진행 방향을 통해 어느 스캔 위치에서 작업이 종료되었는지 알 수 있어 제품 불량 발생을 최소화할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시예에 의한 이온 주입 장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.

도 2를 참조하면, 참조번호 40은 이온 주입을 위해 다수의 웨이퍼(42)가 로딩되어 있는 디스크를 나타낸다. 이온 주입시 디스크(40)는 소정의 회전속도로 회 전된다. 디스크(40)의 회전으로 웨이퍼(42)에 대한 이온 주입시 Y 스캔이 이루어진다.

웨이퍼(42)에 대한 이온 주입을 실시하기 전에 주입하고자 하는 이온이 정해진 조건을 만족하는지를 검사하게 된다. 즉, 이온 양이 적당한지, 그 선속이 균일한지, 주입에너지는 적당한지 등을 검사하게 된다.

이온 주입은 그 위치를 고정시킨 상태에서 디스크(40)를 회전시키는 방법으로 이루어진다. 이렇게 하면, 디스크(40) 상에 로딩된 웨이퍼(42)가 상기 고정된 이온 주입 위치를 통과하게 되므로, 웨이퍼(42) 전면에 이온을 주입하는 결과가 되며, 웨이퍼(42)에 대한 Y 스캔도 이루어진다.

따라서, 상기 고정된 이온 주입 위치 아래에 주입 이온에 대한 검사 수단을 위치시킴으로써 상기 이온에 대한 검사가 가능하다. 빔 패러데이(52)는 이를 위한 것으로써, 도 3에 도시한 바와 같이, 이온원(미도시)과 디스크(40) 사이에서 상기 이온원에서 방출된 이온들(84)이 디스크(40) 상의 웨이퍼(42)에 주입되는 것을 차단하는 역할을 한다. 빔 패러데이(52)는 이온을 차단하는 역할과 함께 주입하고자 하는 이온이 상기한 조건을 만족하는지 검사하는 역할을 한다. 빔 패러데이(52)는 이온 주입이 시작되면서 디스크(44) 영역의 바깥에 구비되어 있는 사일로(silo, 54)내로 로딩된다. 참조번호 50은 빔 패러데이(52)를 구동시키기 위한 솔레노이드이고, 참조번호 56은 빔 패러데이(50)를 지지하는 축이다. 솔레노이드(50)는 이온 주입 여부에 따라 빔 패러데이(50)를 디스크(40) 위의 이온 주입 차단 위치까지 로딩시키거나, 상기 위치로부터 사일로(54) 내로 언 로딩시킨다.

도 2 및 도 3을 함께 참조하면, 참조번호 46은 디스크(40) 아래에 구비되어 있는, 회전축(80)을 통해서 디스크(40)를 회전시키는데 사용되는 모터이고, 44는 모터(46)를 포함하는 하우징을 나타낸다. 하우징(44)가 디스크(40) 사이에 회전축(80)을 감싸는 축 베어링(82)이 구비되어 있다. 계속해서, 하우징(44)의 일측에 하우징(44)을 통해 디스크(40)에 직선 왕복 운동을 유발시켜 X 스캔을 일으키는 스캔 샤프트(60)의 일단이 체결되어 있다. 스캔 샤프트(60)의 타단에 제1 및 제2 감지 수단(62, 64)이 소정의 거리(P) 만큼 이격되게 장착되어 있다. 제1 및 제2 감지 수단(62, 64)은 상기 두 감지 수단(62, 64) 사이에서만 동작하는 접근 스위치(66)의 접근을 감지하는 감지 센서 또는 스위치이다. 접근 스위치(66)는 제1 및 제2 감지 수단(62, 64)의 각각에 대응하는 위치에 하나씩 두 개가 구비되어 있다. 두 개의 접근 스위치(66) 중 하나는 이온 주입 장치의 몸체에 연결되어 있고, 나머지 하나는 스캔 샤프트(60)에 연결되어 있다. 스캔 샤프트(60)에 연결된 접근 스위치(66)는 상기 X 스캔 위치를 측정하는 스캔 위치 트랜스 튜서(70)와 스캔 샤프트(60)를 연결하는 연결 유닛(69a, 69b)중 상부 유닛(69b)에 연결되어 있다. 상부 연결 유닛(69b)은 가변 저항선(71)에 의해 스캔 위치 트랜스 듀서(70)에 연결되어 있다. 따라서, 이온 주입 과정에서 X 스캔을 위해 스캔 샤프트(60)가 직선 왕복 운동을 하게 되면 상부 연결 유닛(69a)과 스캔 위치 트랜스 듀서(70) 사이의 거리가 변하게 된다. 곧, 가변 저항선(71)의 길이가 변하게 된다. 이 결과, 가변 저항선(71)의 저항이 변하게 되어 스캔 위치 트랜스 듀서(70)내에 전압변화가 있게 되는데, 스캔 위치 트랜스 듀서(70)는 이러한 전압변화를 감지하여 X 스캔 위치를 측 정하게 된다.

연결 유닛(69a, 69b) 중, 하부 연결 유닛(69b)을 통해 스캔 샤프트(60)에 직선 왕복 운동을 유발시키는 스캔 샤프트 구동 모터(72)가 연결되어 있다. 모터(72)는 고정되어 있다. 모터(72)의 회전축에 리드 스크류(74) 체결되어 있다. 모터(72)의 회전력에 의해 리드 스크류(74)가 회전하게 되고, 하부 연결 유닛(69b)에 고정된 회전 구동력 전달체(76)는 리드 스크류(74)의 나사선을 따라 리드 스크류(74)에 나란한 방향으로 움직이게 된다. 리드 스크류(74)의 회전 방향에 따라 회전 구동력 전달체(69b)는 동일한 경로를 따라 전진 또는 후진하게 된다. 회전 구동력 전달체(69b)의 이러한 운동은 그대로 스캔 샤프트(60)에 전달되어 스캔 샤프트(60)에 직선 왕복 운동, 곧X 스캔을 유발한다.

스캔 샤프트(60)의 직선 왕복 운동의 폭은 제1 및 제2 감지 수단(62, 64)의 이격 거리(P)에 대응한다. 스캔 샤프트(60)가 상기 거리(P) 내에서 직선 왕복 운동을 하면서 X 스캔을 할 때, 접근 스위치(66)는 제1 또는 제2 감지 수단(62, 64)에 인식되고, 이 결과 X 스캔의 진행 방향이 표시된다.

도 4는 이를 설명하기 위한 회로도로써, X 스캔이 시작되면서 접근 스위치(66)는 제1 감지 수단 회로(100)의 제1 스위치(SW1)를 온(on) 시킨다. 이때, 제1 스위치(SW1)의 위치는 점선으로 도시한 위치에 오게 된다. 이렇게 되면, 제1 스위치(SW1)와 제1 전자석(C1) 사이가 로(low)가 되고, 제8 스위치(SW8)이 +12V의 전압과 온(ON) 되어 있으므로, 제1 전자석(C1)과 제8 스위치(SW8) 사이는 하이(high)가 된다. 따라서, 전류는 제8 스위치(SW8)와 제1 전자석(C1)을 거쳐 제1 스위치(SW1)로 흐르게 되고, 그 결과 제1 전자석(C1)에 의해 제2 내지 제5 스위치(SW2, SW3, SW4,SW5)의 접점 상태는 점선으로 도시한 바와 같은 상태로 전환된다. 이에 따라, 제4 및 제5 스위치(SW4, SW5)는 각각 +12V의 전원전압에 연결된다. 곧, 온 상태가 된다. 제5 스위치(SW5)가 온 상태로 전환됨으로써, 제1 램프(A1) 양단에 +12V의 전위차가 형성되어 제1 램프(A1)는 켜지게 된다. 제4 스위치(SW4)가 온 상태로 전환되면서, 제2 전자석(C2)의 양단에 동일한 전압이 인가된다. 접근 스위치(66)가 제1 감지 수단(62)을 통과함으로써, 제1 스위치(SW1)는 다시 오프 상태가 된다(실선).그러나, 제2 스위치(SW2)가 접지 상태이므로, 제1 전자석(C1)의 양단에 인가된 전압 상태는 그대로 유지되므로, 제1 램프(A1) 양단에 형성된 전위차도 계속 유지된다. 곧, 제1 램프(A1)는 계속 켜진 상태가 된다.

X 스캔, 곧 스캔 샤프트(60)의 이동은 접근 스위치(66)에 의해 제2 감지 수단 회로(102)의 제6 스위치(SW6)가 온(ON) 상태로 전환되면서 반대 반향으로 진행된다. 제6 스위치(SW6)가 온 상태로 전환되면(점선), 제2 전자석(C2)의 일단이 접지 상태가 되므로, 제2 전자석(C2) 양단에 +12V의 전위차가 형성되어 제4 스위치(SW4)로부터 제6 스위치(SW6)로 제2 전자석(C2)을 경유하는 전류가 흐르게 된다. 따라서, 제2 전자석(C2)은 자화되고 제7 내지 제10 스위치(SW7, SW8, SW9, SW10)의 상태가 전환된다. 즉, 제7 스위치(SW7)는 제2 전자석(C2)의 상기 일단을 접지 상태로 만들고, 제8 스위치(SW8)는 오프 상태가 된다. 이에 따라 제1 전자석(C1) 양단의 전위차가 사라지면서, 제2 내지 제 5 스위치(SW2, SW3, SW4,SW5)는 원래의 상태로 된다(실선). 곧, 제1 램프(A1)는 꺼지게 된다. 반면, 제6 스위치(SW6)가 온 상태가 됨으로써, 제10 스위치(SW10)는 온 상태로 되고(점선), 그 결과 제2 램프(A2)의 양단에 +12V의 전위차가 형성되어 제2 램프(A2)가 켜지게 된다. 다시 말하면, X 스캔이 시작되면서 제1 스위치(SW1)가 온 되면서 제1 램프(A1)가 켜지는데, 제1 램프(A1)의 점등 상태는 제1 스위치(SW1)가 오프된 후에도 제6 스위치(SW6)가 온 될 때까지 유지된다. 제6 스위치(SW6)가 온 되면서 X 스캔 진행 방향이 반대로 되고 제2 램프(A2)가 켜지게 된다. 제2 램프(A2)의 점등 상태는 제6 스위치(SW6)가 오프된 후에도 제1 스위치(SW1)가 다시 온 될 때까지 유지된다. 제1 스위치(SW1)가 다시 온 되면서 X 스캔의 진행 방향은 다시 반대가 된다.

이와 같이, 제1 및 제2 감지 수단 회로(100, 102)에 구비된 제1 및 제2 램프(A1,A2)의 점등으로 작업자는 X 스캔 진행 방향을 정확히 알 수 있다.

또한, 작업자는 이온 주입 중에 스캔 위치 트랜스 듀서(70) 등에 의한 에라가 발생되는 경우 알람을 통해 정확히 알 수 있다. 즉, 이온 주입 공정이 비정상적으로 종료된 경우, 예컨대 접근 스위치(66)가 제1 및 제2 감지 수단(62, 64) 사이에 위치한 상태에서 컴퓨터가 이온 주입이 종료되었다고 인식한 경우, 솔레노이드(50)는 빔 패러데이(52)를 구동시켜 이온 주입 경로를 차단함과 동시에 후속 이온 주입을 위해 주입되는 이온을 검사하는 위치에 있게 한다.

이와 같은 상태에서 접근 스위치(66)는 여전히 제1 및 제2 감시 수단(62, 64) 사이에 위치해 있으므로 계속 동작 신호를 발생시키고, 솔레노이드(50)는 빔 패러데이(52)를 구동시키기 위해 구동신호를 발생시키게 된다. 따라서, 빔 패러데이(70) 구동신호와 접근 스위치(66)로부터 발생되는 신호를 이용하여 상기 에라 검 출을 위한 회로를 구성할 수 있다.

도 5는 이를 위한 것으로써, 참조번호 110 및 112는 각각 빔 패러데이 구동 신호 및 접근 스위치 신호에 의해 구동되는 제1 및 제2 회로를 나타낸다. 이를 참조하면, 빔 패러데이 구동신호가 제1 회로(110)에 입력되면서 제3 전자석(C3) 양단에 전위차가 형성되어 제3 전자석(C3)을 경유하는 전류가 흐르게 된다. 이 결과, 제3 전자석(C3)이 가동되어 제11 및 제12 스위치(SW11, SW12)의 상태가 바뀌게 된다. 곧, 제12 스위치(SW12)는 제3 램프(A3)의 일단과 접촉된다. 제12 스위치(SW12)는 제2 회로(112)를 구성하는 제14 스위치(SW14)의 일 접점과 연결되어 있다.

접근 스위치 신호가 제2 회로(112)에 입력되면서 제4 전자석(C4)의 양단에 전위차가 형성된다. 상기 전위차에 의해 제4 전자석(C4)을 경유하는 전류가 발생되고, 그에 따라 제4 전자석(C4)이 가동된다. 이에 따라, 제13 및 제14 스위치(SW13, SW14)의 상태가 바뀌어서 제14 스위치(SW14)가 제12 스위치(SW12)가 연결된 접점과 접촉된다. 따라서, 제14 스위치(SW14)는 제12 스위치(SW12)와 연결된 상태가 되고 제3 램프(A3)의 일단과도 연결된 상태가 된다. 그런데, 제14 스위치(SW14)에 +12V의 전원전압이 인가되어 있으므로, 결국, 제3 램프(A3)의 양단에 +12V의 전위차가 형성되어 제3 램프(A3)가 켜지게 된다.

곧, 접근 스위치(66)가 제1 및 제2 감지 수단(62, 64) 사이에 위치한 상태에서 빔 패러데이(52)가 이온 주입을 차단하는 위치로 구동되는 경우, 제3 램프(A3)가 켜진다. 이 사실로써, 작업자는 이온 주입 공정에 에라가 발생된 것을 바로 알 수 있다.

한편, 도시하지는 않았지만, 스캔 위치 트랜스 듀서(70)에는 레벨 미터 (level meter)가 구비되어 있다. 상기 레벨 미터가 구비되어 있음으로써, 상기 에라가 어느 위치에서 발생되었는가를 알 수 있다. 곧, 에라 발생시 X 스캔 위치를 알 수 있다. 이러한 정보는 상기 에라가 제거된 후, 다음 위치에서 스캔을 실시할 수 있으므로, 상기 에라로 인한 제품 불량을 최소화 할 수 있다.

상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 전원 전압을 소정의 범위를 정하여 변화시킬 수 있다. 또한, 빔 패러데이(52) 위에 별도의 빔 패러데이를 구비할 수 있고, 디스크(40) 아래에 별도의 빔 패러데이를 더 구비할 수도 있다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의한 이온 주입 장치는 스캔 샤프트의 디스크와 연결되지 않는 타단에 X스캔의 시작 부분(in)과 끝 부분(out)에 접근 감지 센서가 구비되어 있다. 따라서, 스캔 샤프트의 X 스캔이 어느 방향으로 진행되고 있는지를 작업자가 쉽게 알 수 있다. 또, 접근 스위치가 장치의 몸체 및 스캔 샤프트에 각각 장착되어 있다. 따라서, 상기 빔 패러데이를 닫기 위한 구동 신호와 함께 접근 스위치로부터 발생되는 신호를 이용하여 비정상적으로 이온주입이 종료되는 경우 그 사실을 작업자가 즉시 알 수 있고, 상기 X 스캔 진행 방향을 통해 어느 스캔 위치에서 작업이 종료되었는지 알 수 있어 제품 불량 발생을 최소화할 수 있다.

Claims

웨이퍼가 로딩되는 디스크, 일단이 상기 디스크의 하부에 체결되어 있고 상기 웨이퍼의 X 스캔을 위해 상기 디스크에 직선 왕복 운동을 유발시키는 스캔 샤프트, 상기 스캔 샤프트의 X 스캔 위치를 측정하기 위한 스캔 위치 트랜스 듀서, 상기 X 스캔을 위해 상기 스캔 샤프트에 직선 왕복 운동을 유발시키는 모터, 상기 스캔 샤프트의 타단에 구비되어 있고, 가변 저항선을 통해 상기 스캔 위치 트랜스 듀서와 상기 스캔 샤프트를 연결시키는 연결 유닛 및 상기 웨이퍼에 이온빔을 주입하기 전에 상기 이온빔의 상태를 측정하는데 사용되는 빔 패러데이를 구비하는 이온 주입 장치에 있어서,

상기 스캔 샤프트의 일단과 타단 사이에 상기 X 스캔 진행 방향을 표시하는 감지 수단이 구비되어 있고, 상기 감지 수단과 반응하여 공정 진행 중에 신호를 발생하는 접근 스위치가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 감지 수단은 스캔 샤프트를 따라 소정의 간격만큼 이격된 1 및 제2 감지 센서인 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.
제 1 항에 있어서, 상기 접근 스위치는 이온 주입 장치의 몸체 및 상기 스캔 샤프트에 각각 하나씩 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 이온 주입 장치.