KR100587312B1 - Magnetron - Google Patents

Magnetron Download PDF

Info

Publication number
KR100587312B1
KR100587312B1 KR1020040007817A KR20040007817A KR100587312B1 KR 100587312 B1 KR100587312 B1 KR 100587312B1 KR 1020040007817 A KR1020040007817 A KR 1020040007817A KR 20040007817 A KR20040007817 A KR 20040007817A KR 100587312 B1 KR100587312 B1 KR 100587312B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
magnetron
high frequency
fsil
acyl
magnetic field
Prior art date
Application number
KR1020040007817A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20050079721A (en
Inventor
백채현
이종수
Original Assignee
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지전자 주식회사 filed Critical 엘지전자 주식회사
Priority to KR1020040007817A priority Critical patent/KR100587312B1/en
Publication of KR20050079721A publication Critical patent/KR20050079721A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100587312B1 publication Critical patent/KR100587312B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/14Leading-in arrangements; Seals therefor
    • H01J23/15Means for preventing wave energy leakage structurally associated with tube leading-in arrangements, e.g. filters, chokes, attenuating devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/12Vessels; Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/50Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J25/00Transit-time tubes, e.g. klystrons, travelling-wave tubes, magnetrons
    • H01J25/50Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field
    • H01J25/52Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode
    • H01J25/58Magnetrons, i.e. tubes with a magnet system producing an H-field crossing the E-field with an electron space having a shape that does not prevent any electron from moving completely around the cathode or guide electrode having a number of resonators; having a composite resonator, e.g. a helix
    • H01J25/587Multi-cavity magnetrons

Abstract

본 발명은 마그네트론에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 마그네트론의 에이실 및 에프실의 재질을 개선하여, 상기 에이실 및 에프실로 인해 무효자기장이 발생되지 않아 성능이 향상되는 마그네트론에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetron, and more particularly, to a magnetron having improved performance by improving the materials of the acyl and fsil of the magnetron, and thus generating no effective magnetic field due to the acyl and fsil.

이를 위하여, 본 발명은 마그네트론의 에이실 및 에프실의 재질을 상대투자율이 공기와 비슷한 비자성체로 하여, 마그네트론의 에이실 및 에프실에 의해서 발생되는 무효 자기장을 없에 자기장의 손실을 줄임으로써, 마그네트론의 성능을 높일 수 있고, 비용이 절감되는 효과가 있는 마그네트론을 제공한다.To this end, the present invention is to make the material of the acyl and Fsil of the magnetron to a nonmagnetic material having a relative permeability similar to that of air, thereby reducing the loss of the magnetic field by eliminating the invalid magnetic field generated by the acyl and the Fsil of the magnetron. It provides a magnetron that can increase the performance and reduce the cost.

마그네트론, 자기장, 무효자기장, 에이실, 에프실, 비자성체Magnetron, magnetic field, invalid magnetic field, Asil, Fsil, nonmagnetic material

Description

마그네트론{Magnetron}Magnetron

도 1은 종래의 마그네트론의 개략적인 구성을 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a conventional magnetron.

도 2는 본 발명의 마그네트론의 개략적인 구성을 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of the magnetron of the present invention.

*도면의 주요한 부위에 대한 부호설명** Description of Signs of Major Parts of Drawings *

101 : 요크판 111 : 아노드101: York Edition 111: anode

112 : 마그네트 114a : 에이실112: magnet 114a: ACIL

114b : 에프실114b: fsyl

본 발명은 마그네트론에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 고주파의 누설을 차폐하는 에이실 및 에프실의 재질을 개선한 마그네트론에 관한 것이다.The present invention relates to a magnetron, and more particularly, to a magnetron having improved materials of ACIL and FSI that shield high frequency leakage.

일반적으로 마그네트론(magnetron)은 전자레인지, 플라즈마 조명기기, 건조기 및 기타 다른 고주파 시스템 등에 적용된다. 이러한 마그네트론은 전원을 인가함에 따라 음극으로 방출되는 열전자가 전자계에 의해 고주파(micro wave)를 생성하고, 이러한 고주파를 안테나 피터를 통해 출력하여 목표물을 가열하는 열원으로 사용되고 있다.In general, magnetrons are applied to microwave ovens, plasma lighting equipment, dryers and other high frequency systems. The magnetron is used as a heat source for heating the target by generating a high frequency (micro wave) by the electromagnetic field of the hot electrons emitted to the cathode as the power is applied.

이러한 마그네트론은 전자계에 의해 고주파 에너지를 발생시키는 고주파 발생부와, 상기 고주파 발생부에 전원을 인가하기 위한 입력부와, 상기 고주파 발생부에서 고주파 에너지를 방출하기 위한 출력부로 대별된다.The magnetron is roughly divided into a high frequency generator for generating high frequency energy by an electromagnetic field, an input unit for applying power to the high frequency generator, and an output unit for emitting high frequency energy from the high frequency generator.

도 1은 종래 마그네트론의 구조를 나타낸 구성도로서 이를 참조하면, 상기 마그네트론은 외곽 케이스 내부에 요크 상판(1a) 및 요크 하판(1b)이 설치되고, 상기 요크 상판(1a)의 상부에는 고주파 출력부가 설치되고, 상기 요크 상판 및 하판(이하에서는 "요크판"이라함)의 내부에는 고주파 발생부가 설치되며, 상기 요크 하판(1b)의 하부에는 입력부가 설치된다.1 is a block diagram illustrating a structure of a conventional magnetron. Referring to the magnetron, a yoke upper plate 1a and a yoke lower plate 1b are installed inside an outer case, and a high frequency output unit is provided on an upper portion of the yoke upper plate 1a. A high frequency generator is installed inside the upper and lower yoke plates (hereinafter, referred to as a "yoke plate"), and an input part is provided below the yoke lower plate 1b.

상기 입력부는 요크 하판(1b)의 하부에 고정된 필터박스(22)와, 상기 필터박스에 설치되어 전원을 공급하는 콘덴서(23)와, 상기 콘덴서에 연결되어 전류를 전달받는 쵸크 코일(23a)과, 상기 쵸크 코일에서 연장된 외부접속리드(23b)를 포함하여 이루어진다.The input unit has a filter box 22 fixed to the lower portion of the yoke lower plate 1b, a capacitor 23 installed in the filter box to supply power, and a choke coil 23a connected to the capacitor to receive current. And an external connection lead 23b extending from the choke coil.

상기 고주파 발생부는 요크판(1) 중심부에 원통형 아노드(11)가 설치되고, 상기 아노드(11)의 상단부에는 에이실(14a)이 설치되고, 상기 아노드(11)의 하단부에는 에프실(14b)이 설치되며, 상기 에이실(14a)과 에프실(14b)의 외부에는 상부 마그네트(12a)와 하부 마그네트(12b)가 각각 설치된다. 또한, 상기 에프실(14b) 및 에이실(14a)의 내측면에는 베인(15)을 중심으로 상하로 대칭되도록 상자극(13a) 및 하자극(13b)이 설치되며, 상기 에프실(14b)의 하단부에는 에프실(14b)의 하단부를 밀폐하도록 세라믹스템(21)이 설치된다.The high frequency generator is provided with a cylindrical anode 11 at the center of the yoke plate 1, an acyl 14a is installed at an upper end of the anode 11, and an F-silk at a lower end of the anode 11. 14b is provided, and the upper magnet 12a and the lower magnet 12b are respectively provided outside the Asil 14a and the Fsil 14b. In addition, on the inner surfaces of the f-sil 14b and the ac-il 14a, a box electrode 13a and a retarder 13b are provided to be symmetrical with respect to the vane 15 up and down, and the f-sil 14b. At the lower end of the ceramic stem 21 is installed to seal the lower end of the F chamber 14b.

상기 아노드(11)의 내측면에는 방사형으로 베인(15)이 설치되어 중심부에 작 용공간(15a)을 형성하며, 상기 작용공간(15a)에는 케소드(16)가 설치되며, 상기 케소드(16)에는 센터리드(17a) 및 사이드리드(17b)가 설치되어 케소드(16)를 지지하며, 상기 센터리드(17a) 및 사이드 리드(17b)는 외부접속리드(23b)와 전기적으로 접속된다.The inner surface of the anode 11 is radially provided with vanes 15 to form a working space 15a in the center, and a cathode 16 is installed in the working space 15a, and the cathode A center lead 17a and a side lead 17b are installed at 16 to support the cathode 16, and the center lead 17a and the side lead 17b are electrically connected to an external connection lead 23b. do.

상기 고주파 출력부는 안테나 피더(32) 및 에이세라믹(31)을 포함하여 이루어지는데, 상기 안테나 피더(32)는 그 일단부가 베인(15)에 연결됨과 아울러 그 타단부가 안테나캡(미도시)에 둘러싸이도록 설치되며, 상기 에이세라믹(31)은 에이실(14a)의 상단부와 안테나캡 사이에 설치된다. 이에 따라, 상기 안테나 피더(32)를 통해 전달된 고주파가 에이세라믹(31)을 통해 목적물에 도달되게 된다.The high frequency output unit includes an antenna feeder 32 and an ceramic 31. The antenna feeder 32 has one end connected to the vane 15 and the other end connected to the antenna cap (not shown). It is installed so as to surround the ceramic 31 is installed between the upper end of the acyl 14a and the antenna cap. Accordingly, the high frequency transmitted through the antenna feeder 32 reaches the target object through the ceramic 31.

일반적으로, 자성체와 자성체의 사이에는 자력이 발생하게 되는데 이러한 자력의 세기는 자성체 주위에 발생되는 자기장에 의해 결정이 된다.In general, a magnetic force is generated between the magnetic body and the magnetic body. The strength of the magnetic force is determined by the magnetic field generated around the magnetic body.

상기 마그네트론은 외부접속리드(23b)를 통해 센터리드(17a)에 전류가 인가됨에 따라 이에 접속된 캐소드(16)에서 열전자가 방출되며, 이때 방출된 열전자는 각 베인(15)의 내측면과 캐소드(16) 사이에 형성된 작용공간(15a)에 위치하게 된다. 이와 함께, 상/하부 마그네트(12a,12b)로부터 발생되는 자기 에너지는 상/하부 자극(13a,13b)을 통해 작용공간(15a)으로 집속된다.As the magnetron is applied with current to the center lead 17a through the external connection lead 23b, hot electrons are emitted from the cathode 16 connected thereto, and the hot electrons are emitted from the inner surface of each vane 15 and the cathode. It is located in the working space (15a) formed between (16). In addition, the magnetic energy generated from the upper and lower magnets 12a and 12b is concentrated into the working space 15a through the upper and lower magnetic poles 13a and 13b.

집속된 상기 자기 에너지는 상기 열전자에게 운동에너지를 전달해주게 되어 고주파가 생성되게 된다.The focused magnetic energy delivers kinetic energy to the hot electrons, thereby generating high frequency.

여기서, 상기 에이실(14a) 및 에프실(14b)은 상기 아노드(11) 내부의 진공을 유지하며, 상기 고주파 발생부에서 발생된 고주파가 외부로 누설되지 않도록 상기 고주파 발생부와 입력부 및 고주파 출력부를 차폐하기 위하여 설치된다.Here, the acyl 14a and the fsil 14b maintain a vacuum inside the anode 11 and prevent the high frequency generated from the high frequency generator from leaking to the outside. Installed to shield the output.

상기한 에이실(14a) 및 에프실(14b)은 주로 값이 싸고 강도가 강한 철(Iron)계열의 재질로 제작되게 되는데, 이러한 철계의 재질은 상대투자율이 4000이상의 강자성체로서 매우 쉽게 자화된다. 이러한 철계의 물질로 제작된 에이실(14a) 및 에프실(14b)은 강력한 자력의 근원인 마그네트(12a,12b)의 인근에 설치되므로, 상기 마그네트(12a,12b)의 자력에 의해서 쉽게 자화된다.The acyl 14a and fsil 14b are mainly made of iron-based materials having low cost and high strength, and the iron-based materials are easily magnetized as ferromagnetic materials having a relative permeability of 4000 or more. Since the acyl 14a and the fsil 14b made of the iron-based material are installed in the vicinity of the magnets 12a and 12b, which are strong sources of magnetic force, they are easily magnetized by the magnetic forces of the magnets 12a and 12b. .

그러나, 상기와 같이 상대투자율이 높은 재질로 에이실(14a) 및 에프실(14b)을 형성할 경우 마그네트(12a, 12b)와 상기 마그네트(12a, 12b)에 의해 쉽게 자화되는 강자성체 재질의 에이실(14a) 및 에프실(14b)의 사이에는 자기손실, 즉 무효 자기장이 발생되게 되며, 이 무효 자기장은 상기 작용공간에 작용되는 전체 자기장의 손실로 나타나게 되어 전체적인 마그네트론의 성능이 저하되는 문제점이 있다.However, when the AC 14a and the F seal 14b are formed of a material having a high relative permeability as described above, the Asil of ferromagnetic material easily magnetized by the magnets 12a and 12b and the magnets 12a and 12b. Magnetic loss, i.e., an invalid magnetic field is generated between the 14a and the f chamber 14b, and this invalid magnetic field is represented by a loss of the total magnetic field acting on the working space, thereby degrading the performance of the entire magnetron. .

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 마그네트론의 에이실 및 에프실의 재질을 개선하여, 상기 에이실 및 에프실로 인해 무효자기장이 발생되지 않아 성능이 향상된 마그네트론을 제공하는데 그 목적이 있다.In order to solve the above problems, an object of the present invention is to improve the material of the Asil and Fsil of the magnetron, to provide a magnetron with improved performance because no reactive magnetic field is generated due to the Asil and Fsil.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 전자계에 의해 고주파 에너지를 발생시키는 고주파 발생부와, 상기 고주파 발생부에 전원을 인가하기 위한 입력부와, 상기 고주파 발생부에서 고주파 에너지를 방출하기 위한 고주파 출력부와, 상기 고주파 발생부와 입력부의 사이에 구비되어 고주파의 누설을 막는 에프실과, 상기 고주파 발생부와 고주파 출력부의 사이에 구비되어 고주파의 누설을 막는 에이실로 구성된 마그네트론에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나는 비자성체의 재질로 이루어져 무효자기장의 발생을 방지하는 것을 특징으로 하는 마그네트론을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a high frequency generator for generating high frequency energy by an electromagnetic field, an input unit for applying power to the high frequency generator, and a high frequency output for emitting high frequency energy from the high frequency generator. A magnet provided between a high frequency generating portion and an input portion to prevent high frequency leakage, and an acyl provided between the high frequency generating portion and the high frequency output portion to prevent high frequency leakage. At least one of the real is made of a non-magnetic material to provide a magnetron, characterized in that to prevent the generation of an invalid magnetic field.

또한, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느 하나는 상대투자율이 1±0.1 범위 내인 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.In addition, at least one of the Asil and Fsil is characterized in that the relative permeability is made of a material in the range of 1 ± 0.1.

이하, 본 발명의 마그네트론의 바람직한 실시예를 첨부한 도면 및 표를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiment of the magnetron of the present invention will be described in detail.

또한, 이하의 설명에서 본 발명에 따른 마그네트론의 주요한 구성요소중 종래와 동일한 부분에 대해서는 도 1에 따라 전솔한 종래의 기술을 참조하여 그 상세한 설명을 생략하며 동일한 번호를 부여한다.In addition, in the following description, the same parts as those of the prior art main components of the magnetron according to the present invention will be referred to the prior art according to FIG.

도 2는 본 발명의 마그네트론을 도시한 도면이다.2 is a view showing a magnetron of the present invention.

본 발명에 따른 마그네트론은 전자계에 의해 고주파 에너지를 발생시키는 고주파 발생부와, 상기 고주파 발생부에 전원을 인가하기 위한 입력부와, 상기 고주파 발생부에서 고주파 에너지를 방출하기 위한 출력부로 대별된다.The magnetron according to the present invention is roughly divided into a high frequency generator for generating high frequency energy by an electromagnetic field, an input unit for applying power to the high frequency generator, and an output unit for emitting high frequency energy from the high frequency generator.

상기 입력부는 고주파 발생부의 하부에 설치되며, 외관을 이루는 필터박스(122)와, 상기 필터박스(122)에 설치되어 전원을 공급하는 콘덴서(123)와, 쵸크코일(123a) 및 외부접속리드(123b)로 이루어져 있다.The input unit is installed below the high frequency generator, and forms a filter box 122 forming an appearance, a capacitor 123 installed in the filter box 122 to supply power, a choke coil 123a and an external connection lead ( 123b).

그리고, 상기 출력부는 안테나 피더(132) 및 에이세라믹(131)을 포함하여 이루어진다.The output unit includes an antenna feeder 132 and an ceramic 131.

또한, 고주파 발생부는 외관을 이루는 요크판(101)과, 중심부에 원통형으로 형성된 아노드(111)와, 상기 아노드(111)의 내부에 형성된 베인(115)과, 상기 베인(115) 사이의 작용공간(115a)에 형성된 케소드(116)와, 상기 아노드(115)의 상부와 하부에 각각 형성된 마그네트(112)로 이루어지며, 상기 입력부 및 출력부와 연결되는 부분에 상기 고주파 발생부에서 발생된 고주파가 외부로 누설되지 않도록 차폐시키는 에이실(114a) 및 에프실(114b)이 설치된다.In addition, the high-frequency generating unit between the yoke plate 101 forming an appearance, the anode 111 formed in a cylindrical shape at the center, the vanes 115 formed inside the anode 111, and the vanes 115. The cathode 116 is formed in the working space (115a), and the magnet 112 is formed on the upper and lower portions of the anode 115, respectively, in the high frequency generator in a portion connected to the input and output An ac-il 114a and a f-sil 114b are provided to shield the generated high frequency so as not to leak to the outside.

표 1은 일반적인 종래의 마그네트론과 종래의 마그네트론에서 에이실(114a) 및 에프실(114b)을 제거한 마그네트론의 자기장의 세기를 비교실험한 결과이다.Table 1 is a result of comparing the strength of the magnetic field of the magnetron from which the acyl 114a and the fsil 114b are removed from the conventional magnetron and the conventional magnetron.

Magnetron ModelMagnetron model 자기장(Magnetic Field Density(G))Magnetic Field Density (G) 에이실 및 에프실이 있을경우 (투자율이 높은 강자성체)In case of Asil and Fsil (ferromagnetic material with high permeability) 에이실 및 에프실이 없을 경우 (투자율이 공기와 같음)Without Asil and Fsil (permeability equal to air) 시료 1Sample 1 17151715 19151915 시료 2Sample 2 18811881 20292029 시료 3Sample 3 18161816 20582058

상기 표 1에서 시료의 자기장의 수치는 마그네트론의 동작전압과 비례관계를 이루게 된다. 즉, 같은 용량의 마그네트(112)를 사용하더라도 자기장이 클 수록 더 높은 전압의 마그네트론의 성능을 발휘할 수 있다.In Table 1, the numerical value of the magnetic field of the sample is proportional to the operating voltage of the magnetron. That is, even when the magnets 112 having the same capacity are used, the larger the magnetic field is, the higher the performance of the magnetron of higher voltage can be exhibited.

또한, 표 1에서와 같이, 에이실(114a) 및 에프실(114b)이 제거되었을 때, 즉, 투자율이 공기와 같을 때 마그네트론의 자기장의 수치가 종래의 마그네트론과 비교하여 대략 200G정도 높은 것을 알 수 있다.In addition, as shown in Table 1, when the acyl 114a and fsil 114b are removed, that is, when the permeability is equal to air, the magnetic field value of the magnetron is about 200 G higher than that of the conventional magnetron. Can be.

따라서, 상기 에이실(114a) 및 에프실의(114b) 재질을 상대투자율이 공기와 같거나 비슷한 비자성체를 사용한다면, 상기한 에이실(114a) 및 에프실(114b)이 제거되었을 때 나타나는 효과와 유사한 효과가 예측되는것은 자명한 일이다.Therefore, if a material having the relative permeability equal to or similar to air is used for the materials of the acyl 114a and the fsil 114b, the effect that occurs when the acyl 114a and the fsil 114b is removed is as follows. It is obvious that similar effects are expected.

그러므로, 본 발명의 마그네트론의 에이실(114a) 및 에프실(114b)은 비자성체의 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable that the acyl 114a and the fsil 114b of the magnetron of the present invention are made of a nonmagnetic material.

또한, 상기 에이실(114a) 및 에프실(114b)을 이루는 재질의 상대투자율이 1 ± 0.1 인 것이 더욱 바람직하다.In addition, the relative permeability of the material forming the acyl 114a and fsil 114b is more preferably 1 ± 0.1.

이러한 재질은 대표적으로 구리, 황동, 은, 금, 비자성 스테인레스 스틸(Sus 304)등이 있으며, 이 외에도 상대투자율이 공기와 유사한 다른 재질을 사용하여도 무방하다.Such materials are typically copper, brass, silver, gold, and non-magnetic stainless steel (Sus 304). In addition, other materials similar in relative permeability may be used.

이외의 다른 구성요소 및 작용은 전술한 종래의 기술의 구성 및 작용과 동일하며, 그 자세한 설명은 생략한다.Other components and operation are the same as the configuration and operation of the prior art described above, the detailed description thereof will be omitted.

이상에서 살펴본 바와같이, 본 발명의 마그네트론에 의하면, 마그네트론의 에이실 및 에프실에 의해서 발생되는 무효 자기장을 없에 자기장의 손실을 줄임으로써, 마그네트론의 성능을 높일 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the magnetron of the present invention, there is an effect that can increase the performance of the magnetron by reducing the loss of the magnetic field without the invalid magnetic field generated by the acyl and Fsil of the magnetron.

또한, 크기가 작고 가격이 싼 마그네트를 사용하더라도 충분한 자기장을 발생시킬 수 있어 비용이 절감되는 효과가 있다.In addition, even when using a small size and low-cost magnet can generate a sufficient magnetic field has the effect of reducing the cost.

Claims (7)

전자계에 의해 고주파 에너지를 발생시키는 고주파 발생부와, 상기 고주파 발생부에 전원을 인가하기 위한 입력부와, 상기 고주파 발생부에서 고주파 에너지를 방출하기 위한 고주파 출력부와, 상기 고주파 발생부와 입력부의 사이에 구비되어 고주파의 누설을 막는 에프실과, 상기 고주파 발생부와 고주파 출력부의 사이에 구비되어 고주파의 누설을 막는 에이실로 구성된 마그네트론에 있어서, A high frequency generator for generating high frequency energy by an electromagnetic field, an input unit for applying power to the high frequency generator, a high frequency output unit for emitting high frequency energy from the high frequency generator, and between the high frequency generator and the input unit In the magnetron which is provided in the F chamber to prevent the leakage of high frequency, and the acron provided between the high frequency generator and the high frequency output unit to prevent the leakage of high frequency, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나는 비자성체의 재질로 이루어져 무효자기장의 발생을 방지하는 것을 특징으로 하는 마그네트론.At least one of the Asil and the F-sil is made of a nonmagnetic material of the magnetron, characterized in that to prevent the generation of an invalid magnetic field. 제 1 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느 하나는 상대투자율이 1±0.1 범위 내인 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 마그네트론.The magnetron of claim 1, wherein at least one of the acyl and the fsil is made of a material having a relative permeability of 1 ± 0.1. 제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 구리인 것을 특징으로 하는 마그네트론.The magnetron according to claim 2, wherein at least one of the acyl and fsil is made of copper. 제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 황동인 것을 특징으로 하는 마그네트론.The magnetron of claim 2, wherein at least one of the acyl and fsil is made of brass. 제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 은인 것을 특징으로 하는 마그네트론.The magnetron of claim 2, wherein at least one of the acyl and fsil is made of silver. 제 2항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 금인 것을 특징으로 하는 마그네트론.The magnetron according to claim 2, wherein at least one of the acyl and fsil is made of gold. 제 2 항에 있어서, 상기 에이실과 에프실중 적어도 어느하나의 재질은 비자성 스테인레스 스틸(Sus 304)인 것을 특징으로 하는 마그네트론.The magnetron of claim 2, wherein at least one of the acyl and fsil materials is made of non-magnetic stainless steel (Sus 304).
KR1020040007817A 2004-02-06 2004-02-06 Magnetron KR100587312B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040007817A KR100587312B1 (en) 2004-02-06 2004-02-06 Magnetron

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040007817A KR100587312B1 (en) 2004-02-06 2004-02-06 Magnetron

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050079721A KR20050079721A (en) 2005-08-11
KR100587312B1 true KR100587312B1 (en) 2006-06-08

Family

ID=37266595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040007817A KR100587312B1 (en) 2004-02-06 2004-02-06 Magnetron

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100587312B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050079721A (en) 2005-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100700554B1 (en) Magnetron
KR100651905B1 (en) magnetron
KR100587312B1 (en) Magnetron
DE60237912D1 (en) PHASE-CONTROLLED SOURCE ELECTROMAGNETIC RADIATION
JP3925153B2 (en) Magnetron
Kronberger et al. Magnetic cusp configuration of the SPL plasma generator
KR200162643Y1 (en) Magnetron
KR100609960B1 (en) Magnetron
KR940009188B1 (en) Anode structure of magnetron
KR100539815B1 (en) Gasket ring structure of magnetron
JP2004071533A (en) Magnetron for electronic range
KR100266604B1 (en) Structure for preventing harmonic wave leakage in magnetron
KR200152106Y1 (en) Magnetron
KR100320466B1 (en) magnetic spacer for magnetron
KR100279872B1 (en) Magnetron for microwave oven
KR100222055B1 (en) Electromagnetic wave shielding structure of magnetron
KR100266603B1 (en) Structure for preventing harmonic wave leakage in magnetron
KR19990074034A (en) Microwave Magnetron
KR970005950Y1 (en) Magnetron for microwave oven
KR200150805Y1 (en) Magnetron
JPH1140068A (en) Accelerator magnetron
GB2310539A (en) Electromagnets for magnetrons
JP2004152519A (en) Magnetron
KR20060019284A (en) Input unit in magnetron
JP2013125584A (en) Magnetron

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
G170 Publication of correction
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130424

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140424

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee