KR100584121B1 - Apparatus for providing gas having 3-dimension flow path and etching chamber containing the same - Google Patents
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Abstract
본 발명의 가스공급장치는, 식각챔버 내부로의 가스 공급을 위하여 식각챔버의 상부에 배치되는 가스공급장치에 관한 것이다. 이 가스공급장치는, 식각챔버의 상부 둘레를 따라 배치되되, 적어도 하나의 가스공급구를 포함하고 가스공급구에 연결되는 유로가 둘레를 따라 내부에서 배치되는 챔버 파트와, 챔버 파트의 중앙에 삽입되어 식각챔버 내부로 가스를 공급하기 위한 분출구를 갖는 가스분배판과, 그리고 가스분배판 위에 배치되어 유로를 통해 공급되는 가스를 중앙으로 모아서 가스분배판의 분출구로 공급하는 돔을 포함한다.The gas supply device of the present invention relates to a gas supply device disposed above the etching chamber for supplying gas into the etching chamber. The gas supply device includes a chamber part disposed along an upper circumference of the etching chamber, the chamber part including at least one gas supply port and having a flow path connected to the gas supply port disposed therein along the circumference, and inserted into the center of the chamber part. And a gas distribution plate having a jet port for supplying gas into the etching chamber, and a dome disposed on the gas distribution plate to collect gas supplied through the flow path toward the center and supply the gas to the jet port of the gas distribution plate.
Description
도 1은 종래의 가스공급장치를 채용한 식각챔버를 개략적으로 나타내 보인 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an etching chamber employing a conventional gas supply device.
도 2a는 본 발명에 따른 가스공급장치를 나타내 보인 배면도이다.Figure 2a is a rear view showing a gas supply device according to the present invention.
도 2b 및 도 2c는 도 2a의 가스공급장치를 부분적으로 나타내 보인 사시도이다.2B and 2C are perspective views partially showing the gas supply device of FIG. 2A.
도 3은 도 2a의 가스공급장치를 분해하여 나타내 보인 도면이다.3 is an exploded view illustrating the gas supply device of FIG. 2A.
도 4a 및 도 4b는 도 2a의 가스공급장치의 챔버파트를 나타내 보인 도면들이다.4A and 4B are views illustrating chamber parts of the gas supply device of FIG. 2A.
도 4c는 도 4a 및 도 4b의 챔버파트 내의 유로를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.4C is a view illustrating the flow path in the chamber parts of FIGS. 4A and 4B.
도 5a는 도 2a의 가스공급장치를 구성하는 가스분배판과 분출구의 결합을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.FIG. 5A is a view illustrating a combination of a gas distribution plate and a jet port of the gas supply device of FIG. 2A.
도 5b는 도 5a의 가스분배판과 분출구가 결합된 상태를 나타내 보인 단면도이다.5B is a cross-sectional view illustrating a state in which the gas distribution plate and the jet port of FIG. 5A are coupled.
도 6a 및 도 6b는 도 2a의 가스공급장치를 구성하는 돔을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.6A and 6B are views for explaining a dome constituting the gas supply device of FIG. 2A.
도 7a 및 도 7b는 도 2a의 분출구의 여러 예들을 나타내 보인 평면도들이다.7A and 7B are plan views illustrating various examples of the jet port of FIG. 2A.
도 8a 내지 도 8c는 도 2a의 분출구의 여러 다른 예들을 나타내 보인 평면도들이다.8A to 8C are plan views illustrating various other examples of the jet port of FIG. 2A.
본 발명은 반도체제조설비에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 3차원 가스유로를 갖는 가스공급장치 및 이를 포함하는 식각챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a gas supply apparatus having a three-dimensional gas flow path and an etching chamber including the same.
일반적으로 반도체웨이퍼에 대한 식각공정은 식각챔버내에 공급되는 가스가 이온, 레디칼 및 전자로 해리되어 발생되는 플라즈마에 의해서 웨이퍼에 설계된 메탈, 산화물 및 폴리를 선택적으로 제거하는 공정이다. 이와 같은 식각공정을 적절하게 수행하기 위해서는 식각챔버내에 형성되는 플라즈마를 균일하게 분포시킬 필요가 있다. 챔버내의 균일한 플라즈마 분포를 얻는데 큰 영향을 끼치는 것들 중 하나는 챔버내로의 가스공급방식이다.In general, an etching process for a semiconductor wafer is a process of selectively removing metals, oxides, and polys designed on a wafer by a plasma generated by dissociation of gases supplied into the etching chamber into ions, radicals, and electrons. In order to properly perform such an etching process, it is necessary to uniformly distribute the plasma formed in the etching chamber. One of the major influences on obtaining a uniform plasma distribution in the chamber is the gas supply into the chamber.
종래에는 챔버의 측면을 통해 가스를 공급하는 사이드 피딩(side feeding) 방식을 주로 사용하였는데, 이 방법은 챔버 측면에 위치한 인젝터(injector)를 통하여 챔버내로 가스를 공급한다. 그런데 이 방법은 챔버내의 가스를 밖으로 배출시키기 위한 펌프와 챔버가 수직적으로 배치되는 경우에는 문제가 없으나 나란하게 배치되는 경우에는 균일한 가스 분포를 얻기 힘들다는 단점을 갖는다. 최근 이와 같은 문제를 해소하기 위하여, 탑 피딩(top feeding) 방식이 주로 사용되는데, 이 방식은 챔버의 상부에 배치되는 가스분배판을 통해 가스를 공급하는 방식이다.Conventionally, a side feeding method of supplying gas through the side of the chamber is mainly used. The method supplies gas into the chamber through an injector located at the side of the chamber. However, this method has no problem when the pump and the chamber for discharging the gas in the chamber are arranged vertically, but it is difficult to obtain a uniform gas distribution when arranged side by side. Recently, in order to solve such a problem, a top feeding method is mainly used, and this method is a method of supplying gas through a gas distribution plate disposed on the upper part of the chamber.
도 1은 종래의 가스공급장치를 채용한 식각챔버를 개략적으로 나타내 보인 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an etching chamber employing a conventional gas supply device.
도 1을 참조하면, 종래의 식각챔버(100)는, 챔버외벽(110)에 의해 일정한 내부공간(120)이 한정된다. 식각챔버(100)의 바닥에는 반도체웨이퍼(140)를 지지하기 위한 지지대(130)가 배치된다. 식각챔버(100)의 상부에는 가스분배판(150)이 배치되는데, 가스분배판(150)의 중앙부분에는 가스공급부(151)가 배치된다. 이 가스공급부(151)에는, 도면에 나타내지는 않았지만, 가스가 통과하는 통로 역할의 복수개의 홀들(미도시)이 배치된다.Referring to FIG. 1, in the
이와 같은 식각챔버(100)에 있어서, 가스공급부(151)에 연결되는 가스공급라인(미도시)을 통해 공급되는 가스는 가스공급부(151)의 복수개의 홀들을 통해 식각챔버(100)의 내부공간(120)으로 공급된다. 이와 같은 공급되는 가스는, 식각챔버의 상하부에 인가되는 RF 전원 및 식각챔버 상부의 코일에 의해 해리되어 식각챔버(100)의 내부공간(120)에는 플라즈마(160)가 형성된다.In such an
그런데 이와 같은 종래의 가스공급장치를 채용한 식각챔버(100)의 경우, 가스공급부(151) 내의 복수개의 홀들 중 가스공급라인에 인접한 홀들과 인접하지 못하는 홀들 사이의 가스공급편차가 발생하게 되며, 따라서 식각챔버(100) 내부로의 가스공급이 균일하게 이루어지지 못한다는 문제가 발생한다.However, in the
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 식각챔버 내부로 가스가 균일하게 공급되도록 하여 식각챔버 내의 플라즈마 분포가 균일해지도록 할 수 있는 3차원 가스유로를 갖는 가스공급장치 및 이를 포함하는 식각챔버를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a gas supply device having a three-dimensional gas flow path that can be uniformly supplied to the inside of the etching chamber to the plasma distribution in the etching chamber and an etching chamber comprising the same will be.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 가스공급장치는, 식각챔버 내부로의 가스 공급을 위하여 상기 식각챔버의 상부에 배치되는 가스공급장치에 있어서, 상기 식각챔버의 상부 둘레를 따라 배치되되, 적어도 하나의 가스공급구를 포함하고 상기 가스공급구에 연결되는 유로가 둘레를 따라 내부에서 배치되는 챔버 파트; 상기 챔버 파트의 중앙에 삽입되어 상기 식각챔버 내부로 가스를 공급하기 위한 분출구를 갖는 가스분배판; 및 상기 가스분배판 위에 배치되어 상기 유로를 통해 공급되는 가스를 중앙으로 모아서 상기 가스분배판의 상기 분출구로 공급하는 돔을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the gas supply device according to the present invention, in the gas supply device disposed in the upper portion of the etching chamber for supplying gas into the etching chamber, it is disposed along the upper circumference of the etching chamber A chamber part including at least one gas supply port and having a flow passage connected to the gas supply port disposed therein along a circumference; A gas distribution plate inserted into a center of the chamber part and having a jet port for supplying gas into the etching chamber; And a dome disposed on the gas distribution plate and collecting gas supplied through the flow path toward the center of the gas distribution plate.
상기 챔버 파트내에 형성되는 유로는 상기 가스공급구로부터 분지되어 상기 챔버 파트의 가장자리를 따라 배치되되, 적어도 하나 이상의 분지점을 통해 양방향으로 분지되도록 배치되는 것이 바람직하다.The flow path formed in the chamber part is branched from the gas supply port is disposed along the edge of the chamber part, it is preferable to be arranged so as to branch in both directions through at least one or more branch points.
상기 가스분배판의 분출구는 상기 가스분배판의 중앙에 탈부착할 수 있는 플러그형인 것이 바람직하다.It is preferable that the jet port of the said gas distribution board is a plug-type which can be attached or detached in the center of the said gas distribution board.
상기 분출구에 형성된 분출공은 사각 형태로 이루어질 수 있다.The ejection hole formed in the ejection opening may be formed in a square shape.
상기 분출구에 형성된 분출공은 원 형태로 이루어질 수도 있다.The jet hole formed in the jet port may be formed in a circular shape.
상기 분출구는, 분출공이 배치되지 않은 제1 영역과 분출공이 있는 제2 영역이 교대로 배치되는 구조를 가질 수 있다.The jet port may have a structure in which a first region in which the jet holes are not disposed and a second region in which the jet holes are disposed are alternately arranged.
이 경우 상기 제2 영역이 복수개 있는 경우, 상기 제2 영역의 각각에 포함되는 분출공들은 서로 다른 형상을 가질 수도 있다. 그리고 상기 제2 영역이 복수개 있는 경우, 상기 제2 영역의 각각에 포함되는 분출공들은 서로 다른 밀도를 가질 수도 있다.In this case, when there are a plurality of second regions, the ejection holes included in each of the second regions may have different shapes. In addition, when there are a plurality of second regions, the ejection holes included in each of the second regions may have different densities.
상기 분출구는, 내부에는 분출공이 배치되지 제1 영역이 배치되고, 제1 영역의 둘레를 따라 분출공이 배치되는 제2 영역이 배치될 수 있다.The ejection opening may include a first region in which the ejection hole is not disposed, and a second region in which the ejection hole is disposed along the circumference of the first region.
상기 돔은 세라믹 돔일 수 있다.The dome may be a ceramic dome.
상기 돔은 가장자리의 측면으로부터 중앙을 향해 길게 배치되는 복수개의 홈들을 포함하며, 복수개의 상기 홈들과 연결되는 내부공간을 가져서, 상기 유로를 통해 공급되는 가스가 상기 돔의 측면 및 홈들을 통해 상기 내부공간으로 공급되도록 하는 것이 바람직하다.The dome includes a plurality of grooves disposed to extend from the side of the edge toward the center, and has an inner space connected to the plurality of grooves so that the gas supplied through the flow path passes through the side and the grooves of the dome. It is desirable to be supplied to the space.
이 경우 상기 내부공간은 상기 가스분배판의 분출구와 연결되는 것이 바람직하다.In this case, the inner space is preferably connected to the outlet of the gas distribution plate.
그리고 상기 홈은 최대 1.5㎜의 깊이를 갖는 것이 바람직하다.And it is preferable that the groove has a depth of at most 1.5mm.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 식각챔버는, 식각챔버 내부로의 가스 공급을 위하여 상기 식각챔버의 상부에 배치되는 가스공급장치를 포함하는 식각챔버에 있어서, 상기 식각챔버의 상부 둘레를 따라 배치되되, 적어도 하나의 가스공급구를 포함하고 상기 가스공급구에 연결되는 유로가 둘레를 따라 내 부에서 배치되는 챔버 파트; 상기 챔버 파트의 중앙에 삽입되어 상기 식각챔버내부로 가스를 공급하기 위한 분출구를 갖는 가스분배판; 및 상기 가스분배판 위에 배치되어 상기 유로를 통해 공급되는 가스를 중앙으로 모아서 상기 가스분배판의 상기 분출구로 공급하는 돔으로 이루어지는 가스공급장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the etching chamber according to the present invention, in the etching chamber including a gas supply device disposed above the etching chamber for supplying gas into the etching chamber, the upper periphery of the etching chamber A chamber part including at least one gas supply hole and having a flow passage connected to the gas supply hole, the chamber part being disposed inside the circumference; A gas distribution plate inserted into a center of the chamber part and having a jet port for supplying gas into the etching chamber; And a gas supply device disposed on the gas distribution plate and configured to collect a gas supplied through the flow path in the center and supply the gas to the jet port of the gas distribution plate.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below.
도 2a는 본 발명에 따른 가스공급장치를 나타내 보인 배면도이다. 그리고 도 2b 및 도 2c는 도 2a의 가스공급장치를 부분적으로 나타내 보인 사시도이다. 또한 도 3은 도 2a의 가스공급장치를 분해하여 나타내 보인 도면이다.Figure 2a is a rear view showing a gas supply device according to the present invention. 2B and 2C are perspective views partially illustrating the gas supply device of FIG. 2A. 3 is an exploded view illustrating the gas supply device of FIG. 2A.
도 2a, 도 2b, 도 2c 및 도 3를 참조하면, 본 발명에 따른 가스공급장치는 식각챔버 내부로의 가스 공급을 위하여 식각챔버의 상부에 배치된다. 이 가스공급장치는, 식각챔버의 상부 둘레를 따라 배치되는 챔버 파트(chamber part)(210)와, 챔버 파트(210)의 중앙 홀에 순차적으로 삽입되는 가스분배판(230) 및 돔(240)과, 그리고 가스분배판(230) 및 돔(240)을 챔버 파트(210)에 고정시키기 위한 덮개(250)를 포함하여 구성된다.2A, 2B, 2C, and 3, the gas supply apparatus according to the present invention is disposed above the etching chamber for supplying gas into the etching chamber. The gas supply device includes a
챔버 파트(210)는, 링(ring) 형태의 본체(211)로 구성되며, 주변 가장자리에는 적어도 하나의 가스공급구(212)를 포함한다. 이 가스공급구(212)에는 유로(213) 가 본체(211)둘레를 따라 본체(211) 내부에 배치된다. 본체(211)의 내벽에는 복수개의 홈(215)들이 형성되는데, 이 홈(215)들은 유로(213)에 연결된다. 따라서 가스공급구(212)를 통해 공급되는 가스는 유로(213)와 홈(215)을 통해 내벽쪽으로 공급된다.The
이와 같은 챔버 파트(210)의 중앙 홀에는 가스분배판(GDP)(230) 및 돔(240)이 순차적으로 삽입된다. 가스분배판(230)이 챔버 내부와 접하도록 배치되고, 돔(240)은 챔버 외부와 접하도록 배치된다. 가스분배판(230)은 중앙에 형성된 일정 크기의 홀을 포함하는데, 이 홀에는 분출구(220)가 끼워진다. 이 분출구(220)는 가스분배판(230)의 홀로의 탈부착이 자유로운 플러그-인(plug-in) 형태이다. 분출구(220)은 챔버 내부를 향해 볼록하게 돌출되는 반타원 형상을 가지며, 표면에는 복수개의 분출공(221)들이 형성된다.The gas distribution plate (GDP) 230 and the
가스분배판(230) 위에 배치되는 돔(240)은 세라믹 재질로 이루어지며, 챔버 파트(210)의 본체(211) 내부의 유로(213)를 통해 공급되는 가스를 중앙으로 모아서 가스분배판(230)의 분출구(220)로 공급한다. 이를 위하여, 돔(240)은, 가장자리의 측면으로부터 중앙을 향해 길게 배치되는 복수개의 홈(241)들을 포함하며, 복수개의 홈(241)들과 연결되면서 동시에 가스분배판(230)의 분출구(220)에도 연결되는 내부공간(242)을 가진다. 상기 홈(241)은 최대 1.5㎜의 깊이를 갖는 것이 바람직한데, 이는 그 이상의 깊이를 갖는 경우 이 곳에서 원하지 않는 플라즈마가 형성될 수 있기 때문이다. 이에 따라 유로(213)를 통해 공급되는 가스는 돔(240)의 측면 및 홈(241)들을 통해 내부공간(242)으로 공급되며, 결국 분출구(220)를 통해 챔버 내부로 공급된다.The
이와 같은 구조의 가스공급장치에 있어서, 외부로부터 챔버 파트(210)의 가스공급구(212)를 통해 공급되는 가스는, 챔버 파트(210)의 본체(211) 내에 삽입되어 있는 유로(213)를 따라 챔버 파트(210) 가장자리 전체에 걸쳐서 고르게 퍼진 후에 돔(240)의 측면 홈(260)과 연결되는 유로(215)를 통해 돔(240)의 홈(241)으로 공급된다. 이때 돔(240)의 측면과 챔버 파트(210) 가장자리 사이에는 오-링(O-ring)이 배치되어 외부로부터의 가스 누출이 방지된다. 돔(240)의 홈(241)으로 공급된 공기는 홈(241)을 지나 돔(240)의 내부공간(242)으로 공급되고, 이 공기는 가스분배판(230)에 끼워진 분출구(220)로 공급된다. 그리고 분출구(220)로 공급된 가스는 분출구(220)의 분출공(221)들을 통해 챔버 내부로 분사된다.In the gas supply device having such a structure, the gas supplied from the outside through the
도 4a 및 도 4b는 도 2a의 가스공급장치의 챔버파트를 서로 다른 각도에서 바라본 형상을 나타내 보인 도면들이다. 구체적으로 도 4a는 위에서 바라본 형상이고, 도 4b는 아래에서 바라본 형상이다.4A and 4B are views illustrating shapes of the chamber parts of the gas supply device of FIG. 2A viewed from different angles. Specifically, FIG. 4A is a shape viewed from above, and FIG. 4B is a shape viewed from below.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 챔버 파트(210)는 하나의 가스공급구(212)와, 이 가스공급부(213)에 연결되는 복수개의 라인들로 구성되는 유로(213)가 챔버 파트(210)의 본체(211) 내에 삽입된다. 이 유로(213)는 본체(211)의 내면에 배치되는 복수개의 홈(215)을 통해 분사된다.4A and 4B, the
도 4c는 도 4a 및 도 4b의 챔버파트 내의 유로를 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.4C is a view illustrating the flow path in the chamber parts of FIGS. 4A and 4B.
도 4c를 참조하면, 가스공급구(212)와 연결되는 유로(213)는, 제1 분지점 (214a)에서 양 방향으로 분지된다. 각각 분지된 유로(213)는 제2 분지점(214b)들에서 다시 분지되며, 각각 분지된 유로(213)는 제3 분지점(214c)들에서 다시 분지된다. 이와 같은 분지점들(214a, 214b, 214c)의 개수는 본 실시예에서와 같이 3개일 수도 있고, 그 이상일 수도 있으며, 또는 경우에 따라서 3개보다 작을 수도 있다. 또한 분지되는 유로(213)의 배치는 상호 대칭적이다.Referring to FIG. 4C, the
도 5a는 도 2a의 가스공급장치를 구성하는 가스분배판과 분출구의 결합을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 그리고 도 5b는 도 5a의 가스분배판과 분출구가 결합된 상태를 나타내 보인 단면도이다.FIG. 5A is a view illustrating a combination of a gas distribution plate and a jet port of the gas supply device of FIG. 2A. 5B is a cross-sectional view illustrating a state in which the gas distribution plate and the jet port of FIG. 5A are coupled.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 가스분배판(230)의 중앙에 형성되어 있는 홀(231)에 분출구(220)가 부착된다. 분출구(220)에는 복수개의 분출공(221)들이 배치되어 이 분출공(221)을 통해 챔버 내부로 가스를 분사시킨다. 상기 분출구(220)는 플러그-인 형태로서 자유롭게 가스분배판(230)으로부터 탈착 및 부착이 이루어질 수 있다.5A and 5B, a
도 6a 및 도 6b는 도 2a의 가스공급장치를 구성하는 돔을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 구체적으로 도 6a는 위에서 바라본 형상을 나타내었고, 도 6b는 아래에서 바라본 형상을 나타내었다.6A and 6B are views for explaining a dome constituting the gas supply device of FIG. 2A. Specifically, FIG. 6A illustrates a shape viewed from above, and FIG. 6B illustrates a shape viewed from below.
도 6a를 참조하면, 돔(240)의 상부는 평평한 형상이지만, 돔(240)의 하부는 방사 형태로 형성되는 복수개의 홈(241)들이 배치되고, 이 홈(241)들은 중앙에 배치되는 하나의 내부공간(242)에 연결된다. 앞서 언급한 바와 같이, 이 내부공간(242)은 가스분사판(230)에 부착된 분출구(220)에 연결된다. 가스의 이동 경로는 돔의 측면 홈으로부터 돔(240) 하부의 홈(241)들 및 내부공간(242)이 된다.Referring to FIG. 6A, the upper portion of the
도 7a 및 도 7b는 도 2a의 분출구의 여러 예들을 나타내 보인 평면도들이다.7A and 7B are plan views illustrating various examples of the jet port of FIG. 2A.
먼저 도 7a에 도시된 바와 같이, 분출구(220a)는 분출공(221)이 배치되지 않은 제1 영역(220a-1)과 분출공(221)이 있는 제2 영역(220a-2)이 교대로 배치되는 구조를 갖는다. 즉 원 형태의 분출구(220a)의 중심에 분출공(221)이 있는 제2 영역(220a-2)이 배치되고, 이 제2 영역(220a-2) 둘레에 제2 영역(220a-2)을 둘러싸는 제1 영역(220a-1)이 링 형태로 배치된다. 제1 영역(220a-1)에는 분출공(221)이 존재하지 않는다. 다시 이 제1 영역(220a-1) 둘레에는 제2 영역(220a-2)이 배치되고, 이 제2 영역(220a-2) 둘레에는 제1 영역(220a-2)이 배치되며, 다시 이 제1 영역(220a-1) 둘레에는 제2 영역(220a-2)이 배치된다. 다음에 도 7b에 도시된 바와 같이, 분출구(220b)는 중앙에서 분출공(221)이 존재하지 않는 제1 영역(220b-1)이 배치되고, 제1 영역(220b-1)을 둘러싸는 가장자리에는 분출공(221)이 존재하는 제2 영역(220b-2)이 배치된다.First, as illustrated in FIG. 7A, the
도 8a 내지 도 8c는 도 2a의 분출구의 여러 다른 예들을 나타내 보인 평면도들이다.8A to 8C are plan views illustrating various other examples of the jet port of FIG. 2A.
먼저 도 8a를 참조하면, 분출구(220a)는 도 7a를 참조하여 설명한 바와 같이, 분출공(221a)이 존재하지 않는 제1 영역과 분출공(221a)이 존재하는 제2 영역이 교대로 배치되는 구조에서 사각 형태의 분출공(221a)을 갖는다. 이와 같은 사각 형태의 분출공(221a)은, 물론 도 7b를 참조하여 설명한 바와 같은 형태에서도 적용될 수 있다는 것은 당연하다. 다음에 도 8b를 참조하면, 분출구(220a)에 형성되는 분출공(221b)은 원 형태로 형성된다. 다음에 도 7c를 참조하면, 분출구(220a)의 중심에는 고밀도의 분출공(221c)을 가지고, 최외각에는 원 형태의 분출공(221b)을 가지며, 그리고 그 사이에서는 사각 형태의 분출공(221a)을 가진다. 이와 같이 영역에 따라 분출공의 밀도가 다를 수도 있다.First, referring to FIG. 8A, as described with reference to FIG. 7A, the
이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 가스공급장치 및 이를 포함하는 식각챔버에 의하면, 다음과 같은 효과들이 있다. 첫 번째로 공정의 요구에 적합한 다양한 조합의 분출구와 분출공의 선택이 가능하다. 두 번째로 3차원 구조로 가스가 효율적으로 분배되고 대칭의 유로를 통해 가스분배판에 가스를 균일하게 포집할 수 있다.As described above, according to the gas supply apparatus and the etching chamber including the same according to the present invention, there are the following effects. Firstly, it is possible to select various combinations of spouts and spouts to suit the needs of the process. Secondly, the gas is efficiently distributed in the three-dimensional structure, and the gas can be uniformly collected in the gas distribution plate through the symmetrical flow path.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. Do.
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- 2004-08-14 KR KR1020040064121A patent/KR100584121B1/en active IP Right Grant
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