KR100560380B1 - System And Method For Recycling Developer Solution Containing Tetra-Methyl-Ammonia-HydroxideTMAH - Google Patents

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Abstract

TMAH 농도 조정의 방법 및 시스템에 관한 것이다. m이 2와 같거나 더 크면, 220 nm과 250 nm사이의 m 파장 및 파장 210 nm에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 Y1 내지 Ym, 및 A1이 각각 측정된다. X는 파장, n은 양의 정수이고, C1 내지 Cn은 관계 계수인 파장 흡착 관계를 생성하기 위하여 n차 다항식, Y=C1Xn+…+Cn-1X+Cn에 상기 Y1 및 Ym이 입력된다. 흡착 값 Y210을 생성하기 위하여 파장 흡착 관계로 파장 210nm가 입력된다. 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로 A1과 Y210 사이의 차이 A3이 산출되고, 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 210 nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 A3이 입력된다. 그 다음 TMAH는 해당 TMAH 농도를 제공하기 위하여 첨가된다. A method and system for adjusting TMAH concentrations. If m is equal to or greater than 2, the adsorption values Y1 to Ym of the developing solution regenerated at wavelength m between 220 nm and 250 nm and wavelength 210 nm, and A1, respectively, are measured. X is a wavelength, n is a positive integer, and C 1 to C n are n-th order polynomials, Y = C 1 X n +. Y1 and Ym are input to + C n-1 X + C n . In order to generate the adsorption value Y 210 , the wavelength 210 nm is input in the wavelength adsorption relationship. The difference A3 between A1 and Y 210 is calculated as the adsorption value of TMAH in the developing solution, and A3 is input to the adsorption correction curve of TMAH at 210 nm to generate the TMAH concentration. TMAH is then added to provide the corresponding TMAH concentration.

테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH), 감광 저항 현상 용액, 재생Tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH), photoresist developing solution, regeneration

Description

테트라-메틸-암모니아-수산화물을 함유하는 감광 저항 현상 용액을 재생하기 위한 시스템 및 방법{System And Method For Recycling Developer Solution Containing Tetra-Methyl-Ammonia-Hydroxide(TMAH)}System and Method for Recycling Developer Solution Containing Tetra-Methyl-Ammonia-Hydroxide (TMAH)}

본 발명은 첨부된 도면을 참고하여 더 충분히 이해되고 더욱더 많은 이점이 명백해질 것이다. The invention will be more fully understood and more and more advantages will become apparent with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 새 것과 재생된 TMAH 현상 용액의 흡착 스펙트럼을 각각 나타낸다; 1 shows absorption spectra of new and regenerated TMAH developing solutions, respectively, according to the first embodiment of the present invention;

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 200nm 내지 230 nm사이의 파장에서 새 것과 재생된 TMAH 현상 용액의 흡착 스펙트럼을 각각 나타낸다; 2 shows absorption spectra of fresh and regenerated TMAH developing solutions, respectively, at wavelengths between 200 nm and 230 nm according to the first embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 TMAH 현상 용액을 재생하기 위한 방법의 흐름도이다; 3 is a flowchart of a method for regenerating a TMAH developing solution according to a first embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 제2 실시예에서 이용되는 새 것과 재생된 TMAH 현상 용액 각각의 흡착 스펙트럼을 나타낸다; 4 shows the absorption spectra of each of the new and regenerated TMAH developing solutions used in the second embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 TMAH 현상 용액을 재생하기 위한 방법의 흐름도이다; 5 is a flowchart of a method for regenerating a TMAH developing solution according to a second embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명에 따른 TMAH 현상 용액을 재생하기 위한 시스템 구조를 나타낸다.6 shows a system structure for regenerating a TMAH developing solution according to the present invention.

본 발명은 반도체 공장을 위한 재생 시스템, 특히 테트라-메틸암모니아-수산화물(TMAH)을 포함하는 감광 저항 현상 용액을 재생하기 위한 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a regeneration system for a semiconductor factory, in particular to a system and method for regenerating a photoresist developing solution comprising tetra-methylammonium hydroxide (TMAH).

반도체 제작에서, 사진 평판은 그 위에 패턴을 규정하기 위하여 반도체 기질 위에 놓인 감광 저항 층의 노출 및 현상을 포함한다. 전형적으로, 노출된 유기산 감광 저항은 중화되고 염기 현상액에 용해되며 노출되지 않은 감광 저항 패턴은 마스크로 남아 있게 된다. 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)은 염기 감광 저항 현상 용액으로 널리 사용된다. 일반적으로, 반도체 공장은 재생 시스템으로 염기 TMAH현상 용액을 재생하여 재사용한다. 재생된 용액 내의 TMAH의 농도를 측정하기 위하여 일반적 시스템은 전도도 미터 또는 UV 분광계를 이용한다. 이어서, TMAH을 추가한 재생된 용액은 측정된 농도에 따라 미리 결정된 알칼리성 수준으로 조정된다. 조정한 TMAH 현상 용액은 연속적인 사진 평판의 감광 저항 현상 용액으로 이용된다. 여러 번 재생한 후에, 재생된 TMAH 현상 용액은 폐기물 시스템으로 방출된다. In semiconductor fabrication, a photographic plate includes the exposure and development of a photoresist layer overlying a semiconductor substrate to define a pattern thereon. Typically, the exposed organic acid photoresist is neutralized and dissolved in the base developer and the unexposed photoresist pattern remains as a mask. Tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH) is widely used as the base photoresist developing solution. Generally, semiconductor factories regenerate and reuse base TMAH development solutions with a regeneration system. Common systems use conductivity meters or UV spectrometers to measure the concentration of TMAH in the regenerated solution. The regenerated solution with the addition of TMAH is then adjusted to a predetermined alkaline level according to the measured concentration. The adjusted TMAH developing solution is used as a photoresist developing solution for a continuous photographic plate. After several regenerations, the regenerated TMAH developing solution is discharged into the waste system.

현상 용액의 품질은 TMAH의 농도에 의존한다. 그러나, TMAH의 농도는 재생된 용액 내의 이온에 의해 좌우된다. 예를 들면, OR1 -, OR2 -, 또는 (CH3)4NOR+을 생 성하기 위하여 감광 저항 및 현상 용액의 중화된 화합물은 이온화되고 반도체 기질 상의 잔여 금속 이온 Al3+, Mo2+, K+, 또는 Na+는 현상 용액으로 헹궈진다. 전도도 미터가 이용될 때, 재생된 현상 용액의 측정된 전도도 b%은 염기 TMAH 이외의 이온을 포함하는 재생된 용액 때문에 실제 전도도 a% 보다 더 높다. 재생된 용액 내의 TMAH 농도가 예상보다 초과하기 때문에, 알칼리성, 즉 조정된 재생된 용액의 TMAH 농도는, 부정확하게 된다.The quality of the developing solution depends on the concentration of TMAH. However, the concentration of TMAH depends on the ions in the regenerated solution. For example, OR 1 -, OR 2 - , or (CH 3) 4 remaining on the metal ion neutralized compounds of the photoresist and the developer solution was ionized semiconductor substrate in order to generate a NOR + Al 3+, Mo 2+ , K + , or Na + is rinsed with the developing solution. When a conductivity meter is used, the measured conductivity b% of the regenerated developing solution is higher than the actual conductivity a% due to the regenerated solution containing ions other than the base TMAH. Since the TMAH concentration in the regenerated solution is higher than expected, the alkalinity, ie the TMAH concentration of the adjusted regenerated solution, becomes inaccurate.

UV 분광계가 TMAH 조정을 위해 이용될 때, 재생된 TMAH의 흡착 값은 재생된 용액 내의 감광 저항에 의해 좌우된다. 측정된 흡착 값은 TMAH의 실제 흡착 값보다 더 높다. 마찬가지로, 조정된 재생된 용액의 알칼리성은 부정확하다. When a UV spectrometer is used for TMAH adjustment, the adsorption value of regenerated TMAH is governed by the photoresist resistance in the regenerated solution. The measured adsorption value is higher than the actual adsorption value of TMAH. Likewise, the alkalinity of the adjusted regenerated solution is incorrect.

전도도 미터 또는 UV 분광계를 사용하여 재생된 용액에서 다른 이온의 영향을 줄이는 것은 어렵다. 따라서, 연속적인 사진 평판의 정확도 및 조정된 TMAH농도의 품질은 감소한다. It is difficult to reduce the effects of other ions in the regenerated solution using a conductivity meter or UV spectrometer. Thus, the accuracy of the continuous photographic plate and the quality of the adjusted TMAH concentration are reduced.

다른 이온의 영향을 줄이는 농도 결정을 위해 재생된 용액에서 TMAH을 분리하기 위하여 용액은 고정확도 이온 크로마토그래피(IC)를 이용하여 TMAH의 정확한 농도를 결정한다. IC의 결점은 그것이 실험실 스케일이고, 일련 과정의 농도 결정이, TMAH 재생 시스템의 연속적이고 장기적인 인-라인 분석을 위해 부적당하다는 것이다. 한편, 이온 크로마토그래피에 이용되는 물질의 비용 및 유지비는 TMAH 재생 시스템에서 이용되기에는 고가이다.To separate TMAH from the regenerated solution to determine the concentration of other ions, the solution uses high accuracy ion chromatography (IC) to determine the exact concentration of TMAH. The drawback of the IC is that it is laboratory scale and the concentration determination of a series of processes is not suitable for continuous and long-term in-line analysis of the TMAH regeneration system. On the other hand, the cost and maintenance cost of the materials used for ion chromatography are expensive to be used in the TMAH regeneration system.

본 발명의 목적은 재생된 현상 용액의 TMAH의 알칼리성이 통제될 수 있도록 재생 시스템에서 TMAH농도를 정확하게 측정할 수 있는 빠르고, 경제적이며, 정확한 TMAH 재생 시스템 및 방법을 제공하는 것이다.  It is an object of the present invention to provide a fast, economical and accurate TMAH regeneration system and method for accurately measuring TMAH concentration in regeneration systems so that the alkalinity of TMAH in the regenerated developing solution can be controlled.

본 발명은 재생을 위해 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH) 농도를 조정하는 방법을 제공하는 것이다. m이 2보다 같거나 큰 경우, M 파장은 220nm과 250nm사이에서 미리 선택된다. 220 nm과 250 nm사이의 m 파장 및 파장 210 nm에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 Y1 내지 Ym, 및 A1이 각각 측정된다. Y1에서 Ym은 X는 파장, n은 양의 정수이고, C1 내지 Cn은 관계 계수인 파장 흡착 관계 Y=C1X n+…+Cn-1X+Cn을 생성하기 위한 n차 다항식에 대입한다. 흡착 값 Y210을 생성하기 위하여 파장 210nm는 파장 흡착 관계로 입력된다. A1과 Y210의 차이 A3은 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로 산출된 후, 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 A3은 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 입력된다. 다음, TMAH은 해당 TMAH 농도에 따라 재생된 현상 용액으로 첨가된다.The present invention provides a method of adjusting the tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH) concentration for regeneration. If m is equal to or greater than 2, the M wavelength is preselected between 220 nm and 250 nm. The adsorption values Y1 to Ym of the developing solution regenerated at a wavelength of 220 nm and a wavelength of 250 nm and a wavelength of 210 nm, and A1 are measured, respectively. In Y1, Ym is a wavelength adsorption relationship Y = C 1 X n +... Where X is a wavelength, n is a positive integer, and C 1 to C n are relation coefficients. Substitute the nth order polynomial to produce + C n-1 X + C n . In order to generate the adsorption value Y 210 , the wavelength 210 nm is input in the wavelength adsorption relationship. The difference A3 between A1 and Y 210 is calculated as the adsorption value of TMAH in the developing solution, and then A3 is input to the adsorption correction curve of TMAH at 210 nm to generate the corresponding TMAH concentration. Next, TMAH is added to the regenerated developing solution according to the corresponding TMAH concentration.

본 발명에 따르면, TMAH을 포함하는 현상 용액의 재생 시스템이 또한 제공된다. 재생 시스템은 재생 파이프 라인을 경유하여 감광 저항 시스템으로부터 재생된 현상 용액을 모으기 위한 재생 탱크를 포함한다. 조정 탱크는 고농도 TMAH의 적재를 위해 조정 파이프 라인을 통하여 재생 탱크와 연결된다. 분광계는 재생 탱크 내의 현상 용액의 흡착 값 측정을 위해 재생 탱크에 연결된다. 프로세서는 분광계 그리고 조정 파이프 라인에 연결되고, 분광계로부터 측정된 흡착 값에 따라 재생 탱크 내의 TMAH 농도를 산출하기 위하여 프로그램되며, 산출한 TMAH 농도에 따라 희망하는 TMAH 농도를 얻기 위하여 고농도의 TMAH 양을 조정 파이프 라인에서 재생 탱크로 운반한다. 프로세서는 다음 단계에 의해 재생 탱크 내의 TMAH 농도를 산출하도록 프로그램된다. m이 2와 동일하거나 더 크면, 재생된 현상 용액의 220nm과 250nm사이의 m파장에서의 Y1 내지 Ym의 흡착 값은 각각으로 읽혀지고, 210nm 상의 흡착 값A1도 읽힌다. 다음, Y1 내지 Ym은 X는 파장, n은 양의 정수이고, C1 내지 Cn은 관계 계수인 파장 흡착 관계 Y=C1Xn+…+C n-1X+Cn을 생성하기 위하여 n차 다항식에 입력된다. 흡착 값 Y210을 생성하기 위하여 파장 210nm은 파장 흡착 관계로 입력된다. A1과 Y210의 차이 A3은 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로 산출된다. 재생 탱크 내의 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 A3은 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 입력된다. According to the present invention, there is also provided a regeneration system of a developing solution comprising TMAH. The regeneration system includes a regeneration tank for collecting regenerated developing solution from the photoresist system via the regeneration pipeline. The regulating tank is connected to the regeneration tank via the regulating pipeline for the loading of high concentration TMAH. The spectrometer is connected to the regeneration tank for measuring the adsorption value of the developing solution in the regeneration tank. The processor is connected to the spectrometer and the calibration pipeline, and is programmed to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank according to the adsorption values measured from the spectrometer, and adjust the high concentration of TMAH to obtain the desired TMAH concentration according to the calculated TMAH concentration. Transport from the pipeline to the regeneration tank. The processor is programmed to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank by the following steps. If m is equal to or greater than 2, the adsorption values of Y1 to Ym at m wavelengths between 220 nm and 250 nm of the regenerated developing solution are read separately and the adsorption values A1 on 210 nm are also read. Next, Y 1 to Y m are wavelength adsorption relations Y = C 1 X n +... Where X is a wavelength, n is a positive integer, and C 1 to C n are relation coefficients. It is entered into the nth order polynomial to generate + C n-1 X + C n . In order to generate the adsorption value Y 210 , the wavelength 210 nm is input in the wavelength adsorption relationship. The difference A3 between A1 and Y 210 is calculated as the adsorption value of TMAH in the developing solution. A3 is entered into the adsorption calibration curve of TMAH at 210 nm to produce the corresponding TMAH concentration in the regeneration tank.

재생 시스템이 안정할 때, 본 발명은 또한 테트라 메틸 암모니아 수산화물(TMAH)을 포함하는 현상 용액을 재생하기 위한 간단한 방법을 제공한다. 재생된 현상 용액의 흡착 값 A1과 A2는 파장 210nm과 220nm에서 측정한다. Co=(A1'-A3')/A2'이고, A1' 및 A2'는 각각 210nm과 220nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 재생된 현상 용액의 흡착 값이며, A3'은 210nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 표준 흡착 값인 경우, 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값 A3는 A3=A1-A2×Co로 산출된다. 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 A3은 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 입력된다. 따라서 TMAH은 재생된 현상 용액으로 추가되고, 이로써 희망하는 TMAH 농도를 달성한다. When the regeneration system is stable, the present invention also provides a simple method for regenerating a developing solution comprising tetra methyl ammonia hydroxide (TMAH). Adsorption values A1 and A2 of the regenerated developing solution are measured at wavelengths of 210 nm and 220 nm. Co = (A1'-A3 ') / A2', A1 'and A2' are the adsorption values of the regenerated developing solution of known TMAH concentration at 210 nm and 220 nm, respectively, and A3 'is the standard of known TMAH concentration at 210 nm. In the case of an adsorption value, the adsorption value A3 of TMAH in a developing solution is computed as A3 = A1-A2 * Co. A3 is entered into the adsorption calibration curve of TMAH at 210 nm to produce the corresponding TMAH concentration. TMAH is thus added to the regenerated developing solution, thereby achieving the desired TMAH concentration.

또한 본 발명은 다음 단계에 따라 재생 탱크 내의 TMAH 농도를 산출하기 위하여 프로그램되는 상기 재생 시스템 내에서 이용되는 프로세서를 제공한다. 파장 210nm과 220nm에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 A1과 A2은 읽힌다. Co=(A1'-A3')/A2'이고, A1' 및 A2'는 각각 210nm과 220nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 재생된 현상 용액의 흡착 값이며, A3'은 210nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 표준 흡착 값인 경우, 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값 A3는 A3=A1-A2×Co로 산출된다. 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 A3은 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 입력된다. The present invention also provides a processor for use in the regeneration system that is programmed to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank according to the following steps. The adsorption values A1 and A2 of the regenerated solution regenerated at wavelengths of 210 nm and 220 nm are read. Co = (A1'-A3 ') / A2', A1 'and A2' are the adsorption values of the regenerated developing solution of known TMAH concentration at 210 nm and 220 nm, respectively, and A3 'is the standard of known TMAH concentration at 210 nm. In the case of an adsorption value, the adsorption value A3 of TMAH in a developing solution is computed as A3 = A1-A2 * Co. A3 is entered into the adsorption calibration curve of TMAH at 210 nm to produce the corresponding TMAH concentration.

본 발명에 따르면, 저가이며 안정성이 높은 분광계가 재생 탱크 내의 TMAH 농도가 정확하게 계산되고 조정되는 컴퓨터와 같은 프로세서를 통하여 이용된다. According to the present invention, a low cost, high stability spectrometer is used through a processor such as a computer in which the TMAH concentration in the regeneration tank is accurately calculated and adjusted.

본 발명의 상세한 설명은 첨부된 도면을 참조하여 다음 실시예에 따라 하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION A detailed description of the present invention will be given below with reference to the accompanying drawings.

어떠한 방법으로도 제한되지 않으면서, 본 발명은 다음 실시예로 더 한층 심도있게 설명될 것이다. Without being limited in any way, the present invention will be further described in the following examples.

<제1 실시예><First Embodiment>

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 새 것과 재생된 TMAH 현상 용액의 흡착 스펙트럼을 각각 나타낸다. 곡선A와 곡선B는 파장 190nm 내지 파장 300nm에서 새 것과 재생된 TMAH 현상 용액 각각의 흡착 스펙트럼을 나타낸다. 도 1에 도시한 바 와 같이, 파장220nm 또는 그보다 높은 파장에서 새 것인 TMAH 용액의 흡착은 없다. 새 것과 재생된 TMAH의 흡착 스펙트럼은 225nm 내지 200 nm 파장에서 비례로 증가한다. 곡선B의 흡착은 재생된 용액 내의 이온화된 감광 저항 또는 금속 이온 등의 다른 이온의 영향 때문에, 곡선A 보다 크다.1 shows adsorption spectra of the fresh and regenerated TMAH developing solutions according to the first embodiment of the present invention, respectively. Curves A and B represent the absorption spectra of each of the fresh and regenerated TMAH developing solutions at wavelengths 190 nm to 300 nm. As shown in FIG. 1, there is no adsorption of the new TMAH solution at a wavelength of 220 nm or higher. The adsorption spectra of new and regenerated TMAH increase proportionally at wavelengths from 225 nm to 200 nm. Adsorption of curve B is larger than curve A because of the influence of ionized photoresist or other ions such as metal ions in the regenerated solution.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 200nm 내지 230 nm사이 파장에서 새 것과 재생된 TMAH 현상 용액의 흡착 스펙트럼을 각각 나타낸다. 2.08%, 2.15%, 2.24% 및 2.36%의 다양한 농도의 새 것인 TMAH의 흡착 곡선인 A부분은 서로 약간씩 일탈한다. 220nm 또는 그보다 높은 파장에서 새 것인 TMAH 용액의 흡착은 없다. 그러나, 흡착 스펙트럼(B 부분)은 220nm 보다 큰 파장에서 다른 이온을 포함하는 재생된 TMAH는 여전히 검출된다. 새 것인 것과 재생한 TMAH의 흡착 스펙트럼은 TMAH 농도가 다르더라도 210nm내지 220nm에서 비례 감소를 보인다. Figure 2 shows the absorption spectra of the fresh and regenerated TMAH developing solutions, respectively, at wavelengths between 200 nm and 230 nm according to the first embodiment of the present invention. Part A, the adsorption curve of TMAH, which is new at various concentrations of 2.08%, 2.15%, 2.24% and 2.36%, deviates slightly from each other. There is no adsorption of new TMAH solutions at 220 nm or higher wavelengths. However, regenerated TMAH which still contains other ions at wavelengths larger than 220 nm in the absorption spectrum (part B) is still detected. The adsorption spectra of the new and regenerated TMAH show a proportional decrease between 210 nm and 220 nm even with different TMAH concentrations.

도1 및 도2에서 도시한 흡착 프로필에 따라, 본 발명에 따른 TMAH 현상 용액을 재생하기 위한 방법이 도3과 같이 제공된다.According to the adsorption profile shown in FIGS. 1 and 2, a method for regenerating a TMAH developing solution according to the present invention is provided as in FIG. 3.

재생 시스템이 안정되어 있을 때, 210nm 내지 220nm에서 재생 및 새 것인 TMAH 용액의 흡착 스펙트럼은 도 2에 도시한 바와 같이 비례한다. 재생된 현상 용액 내의 TMAH농도는 표준 TMAH 용액 및 TMAH를 포함하는 재생된 현상 용액의 흡착 스펙트럼의 비례 비율Co에 따르면 계산될 수 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 흡착 스펙트럼의 비례 비율Co는 단계302에서 계산되며, 여기서 Co=(A1'-A3')/(A2'-A4'이다. When the regeneration system is stable, the adsorption spectra of regenerating and fresh TMAH solutions at 210 nm to 220 nm are proportional as shown in FIG. 2. The TMAH concentration in the regenerated developing solution can be calculated according to the proportional ratio Co of the absorption spectrum of the regenerated developing solution comprising the standard TMAH solution and TMAH. As shown in FIG. 3, the proportional ratio Co of the adsorption spectrum is calculated in step 302, where Co = (A1'-A3 ') / (A2'-A4'.

도 2에서 도시한 바와 같이, A1' 및 A2'는 각각 210nm과 220nm에서 이미 알 려진 TMAH 농도의 재생된 현상 용액의 흡착 값이다. A3' 및 A4'는 각각 210nm과 220nm에서 이미 알려진 농도의 표준 TMAH 용액의 흡착 값이다. 220nm에서 표준 TMAH 용액의 흡착이 0이거나 무시할 정도이기 때문에, A4'는 Co=(A1'-A3')/A2'로 생략할 수 있다. As shown in Fig. 2, A1 'and A2' are adsorption values of the regenerated developer solution of known TMAH concentration at 210 nm and 220 nm, respectively. A3 'and A4' are adsorption values of standard TMAH solutions of known concentrations at 210 nm and 220 nm, respectively. Since the adsorption of the standard TMAH solution at 220 nm is zero or negligible, A4 'can be omitted as Co = (A1'-A3') / A2 '.

Co을 계산하기 위하여, 흡착 보정 곡선을 각종 표준 TMAH 농도 및 이들의 해당 흡착 값의 관계인, TMAH210 농도 흡착 곡선으로 구축하기 위하여, 210nm에서 일련의 표준 TMAH 용액이 검출된다. 해당 흡착 값 A1' 및 A2'를 얻기 위하여 재생된 용액은 210nm과 220nm에서 각각 검출된다. 또한 재생된 용액 내의 정확한 TMAH 농도는 이온 크로마토그래피 같은 분석 기기 또는 분석 실험에서 더 검출된다. 재생된 용액 내의 정확한 TMAH의 농도의 흡착 값 A3'는 TMAH210 농도 흡착 보정 곡선에 기초를 두고 계산될 수 있다. 따라서, Co은 흡착 값, A1', A2' 및 A3'에 따라서 계산될 수 있다.In order to calculate Co, a series of standard TMAH solutions are detected at 210 nm to construct an adsorption correction curve into a TMAH 210 concentration adsorption curve, which is the relationship between various standard TMAH concentrations and their corresponding adsorption values. The regenerated solution was detected at 210 nm and 220 nm, respectively, to obtain the corresponding adsorption values A1 'and A2'. In addition, the exact TMAH concentration in the regenerated solution is further detected in analytical instruments or assays such as ion chromatography. The adsorption value A3 'of the exact concentration of TMAH in the regenerated solution can be calculated based on the TMAH 210 concentration adsorption calibration curve. Therefore, Co can be calculated according to the adsorption values A1 ', A2' and A3 '.

Co가 계산된 후, 표적인 재생된 용액 A1 및 A2의 흡착 값은 단계 S304에서 210nm과 220nm에서 각각 측정된다. 재생 탱크 내의 재생된 용액의 흡착을 측정하기 위하여 일반적인 분광계를 이용할 수 있다. 어떤 검출한 흡착 값이 1.2를 초과하면, 재생된 용액 샘플은 희석하여 다시 측정한다. After Co is calculated, the adsorption values of the targeted regenerated solutions A1 and A2 are measured at 210 nm and 220 nm, respectively, in step S304. A general spectrometer can be used to measure the adsorption of regenerated solution in the regeneration tank. If any detected adsorption value exceeds 1.2, the regenerated solution sample is diluted and measured again.

다음과 같이 재생된 용액 내의 TMAH A3의 흡착은 단계S306에서 산출된다: A3=A1-(A2×Co) Adsorption of TMAH A3 in the regenerated solution as follows is calculated in step S306: A3 = A1- (A2 × Co)

도2에서와 같이, 재생 시스템이 안정되어 있을 때, 210nm에서 재생된 용액과 TMAH 표준 용액 사이의 흡착 차이, (A1-A3)는 220nm에서 재생된 용액의 흡착 값, A2에 비례한다. 따라서, A1, A2 및 Co이 알려지면, A3은 재생된 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로 계산될 수 있다. As shown in Fig. 2, when the regeneration system is stable, the adsorption difference between the regenerated solution at 210 nm and the TMAH standard solution, (A1-A3), is proportional to the adsorption value of the regenerated solution at 220 nm, A2. Thus, if A1, A2 and Co are known, A3 can be calculated as the adsorption value of TMAH in the regenerated solution.

단계 S308에서, TMAH 흡착 값 A3의 해당 농도는 TMAH 농도의 표준 보정 곡선 및 흡착에 기초를 두고 계산된다. 실시예에서, A3은 해당 TMAH 농도를 계산하기 위하여 S302에서 구축된 TMAH210 농도 흡착 보정 곡선에 입력된다. 재생된 용액의 흡착이 희석된 값이면, 재생된 용액 내의 TMAH의 실제 농도는 희석 비율에 따라 환원된다. In step S308, the corresponding concentration of the TMAH adsorption value A3 is calculated based on the standard calibration curve of the TMAH concentration and the adsorption. In the example, A3 is input to the TMAH 210 concentration adsorption calibration curve constructed at S302 to calculate the corresponding TMAH concentration. If the adsorption of the regenerated solution is a dilute value, the actual concentration of TMAH in the regenerated solution is reduced according to the dilution ratio.

재생된 용액 내의 TMAH의 실제 농도가 계산된 후에, 단계 S310에서 희망하는 TMAH 농도를 얻기 위하여 TMAH의 양이 재생된 용액으로 첨가된다. TMAH이 현상 과정 동안 소모되기 때문에, 재생된 용액 내의 TMAH 농도는 보통 필수 TMAH 농도보다 적게 된다. 상기 단계에서 계산되는 실제 TMAH농도에 따르면, 재생된 용액을 위해 추가되는 TMAH의 양은 실제 TMAH 농도 및 재생된 용액의 부피에 따라 산출될 수 있다. 바람직하게는, 고농도의 TMAH 용액은 대략 2.36%의 농도로 조정하기 위해 재생된 용액으로 첨가된다. 결국, 조정한 재생된 용액은 연속적인 현상 과정을 위해 재사용된다. After the actual concentration of TMAH in the regenerated solution is calculated, the amount of TMAH is added to the regenerated solution to obtain the desired TMAH concentration in step S310. Since TMAH is consumed during the development process, the TMAH concentration in the regenerated solution is usually less than the required TMAH concentration. According to the actual TMAH concentration calculated in this step, the amount of TMAH added for the regenerated solution can be calculated according to the actual TMAH concentration and the volume of the regenerated solution. Preferably, a high concentration of TMAH solution is added to the regenerated solution to adjust to a concentration of approximately 2.36%. Finally, the adjusted regenerated solution is reused for subsequent development.

현상 용액의 재생 시스템이 꾸준히 가동을 할 때, 재생된 TMAH 농도를 조정하기 위하여 상기 단계는 유효한 용액을 즉각 제공한다. 일련의 TMAH 용액의 표준 보정 곡선은 농도 흡착 보정 곡선으로 210nm에서 미리 결정한다. 재생된 용액은 예비적으로 샘플링되어 Co를 계산하기 위하여 측정된다. 그 다음에, 재생된 용액의 어떤 배치 내의 TMAH 농도는 상기 단계에 따라 210nm과 220nm에서 재생된 용액의 흡착 값을 측정하여 조정된다. When the regeneration system of the developing solution is running steadily, this step immediately provides a valid solution to adjust the regenerated TMAH concentration. The standard calibration curve of the series of TMAH solutions is predetermined at 210 nm as the concentration adsorption calibration curve. The regenerated solution is preliminarily sampled and measured to calculate Co. The TMAH concentration in any batch of regenerated solution is then adjusted by measuring the adsorption values of regenerated solution at 210 nm and 220 nm according to the above steps.

<제2 실시예>Second Embodiment

더 정확하게 재생된 용액 내의 TMAH 농도 측정을 하기 위하여, 도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 TMAH 현상 용액을 재생하기 위한 방법을 나타낸다. In order to more accurately measure TMAH concentration in the regenerated solution, Figure 5 shows a method for regenerating a TMAH developing solution according to another embodiment of the present invention.

도 4에 도시한 바와 같이, 곡선 A에는 220nm 또는 그 이상의 파장에서 TMAH 표준 용액의 흡착이 없다. 220nm 또는 그 이상에서 재생된 용액의 흡착, 곡선B는 이온화된 감광 저항 또는 금속 이온 같은, 재생된 용액 내의 오염 이온에 의해 일어난다. 본 발명은 220nm 또는 그 이상의 파장에서 재생된 용액의 흡착 스펙트럼을 제공한다. 210nm에서 TMAH 없는 재생된 용액의 흡착은 외삽법에 의해 추정된다. 재생된 용액 내의 TMAH의 흡착은 계산되고 이렇게 이들의 농도는 추정된다. As shown in FIG. 4, curve A lacks adsorption of TMAH standard solutions at wavelengths of 220 nm or greater. Adsorption of the regenerated solution at 220 nm or above, curve B, is caused by contaminating ions in the regenerated solution, such as ionized photoresist or metal ions. The present invention provides an absorption spectrum of a regenerated solution at a wavelength of 220 nm or more. Adsorption of regenerated solution without TMAH at 210 nm is estimated by extrapolation. Adsorption of TMAH in the regenerated solution is calculated and so their concentration is estimated.

m이 2와 같거나 큰 경우, 단계 S502에서 220nm과 250nm사이에서 M 파장은 미리 선택된다. 바람직하게는, m파장은 5 nm 또는 10 nm의 간격으로 선택된다. 도4에 도시한 바와 같이, 220nm 또는 그 이상에서 TMAH의 흡착이 없고 재생된 용액의 흡착 스펙트럼이 250nm이상에서 평평한 경향이 있기 때문에, m파장은 220nm, 225nm, 230nm, 235nm, 240nm, 245nm 및 250nm의 7개의 파장으로 여기서 선택된다. 따라서, 220nm 내지 250nm에서 흡착 스펙트럼은 재생된 용액 내의 오염 이온의 흡착 경향을 나타내는 곡선이다. If m is equal to or larger than 2, the M wavelength is selected in advance between 220 nm and 250 nm in step S502. Preferably, the m wavelength is selected at intervals of 5 nm or 10 nm. As shown in Fig. 4, m wavelengths are 220 nm, 225 nm, 230 nm, 235 nm, 240 nm, 245 nm and 250 nm, since there is no adsorption of TMAH at 220 nm or more and the adsorption spectrum of the regenerated solution tends to be flat at 250 nm or more. 7 wavelengths of are selected here. Thus, the adsorption spectrum at 220 nm to 250 nm is a curve showing the tendency of adsorption of contaminating ions in the regenerated solution.

m 파장에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 Y1 내지 Ym, 및 파장 210 nm에서 흡 착 값A1은 단계 S504에서 각각 측정된다. 210nm에서 측정한 흡착이 1.2보다 크면, A1, Y1 내지 Ym을 얻기 위하여 재생된 현상 용액은 희석하여 다시 측정된다. The adsorption values Y1 to Ym of the developing solution regenerated at the m wavelength, and the adsorption values A1 at the wavelength of 210 nm are respectively measured in step S504. If the adsorption measured at 210 nm is greater than 1.2, the developing solution regenerated to obtain A1, Y1 to Ym is diluted and measured again.

Y1 내지 Ym은 단계 S506에서, X는 파장, n은 양의 정수이고, C1 내지 Cn은 관계 계수인 파장 흡착 관계 Y=C1Xn+…+Cn-1X+Cn을 생성하기 위하여 n차 다항식에 입력된다. 흡착 값 Y210을 생성하기 위하여 파장 210nm은 파장 흡착 관계로 입력된다. n차는 m 파장에 따라 결정된다. 바람직한 n차 다항식은 2 내지 5차 다항식이다. 보다 바람직한 n차 다항식은 Y=C1X3+C2X2+C3X+C 4와 같은 3차 다항식이다. 이것으로 재생된 용액 내의 오염 이온의 파장 흡착 관계를 구축하는 계수 C1 내지 Cn을 얻기 위하여 파장 220nm, 225nm, 230nm, 235nm, 240nm, 245nm, 250nm 및 해당 흡착 값은 3차 다항식 Y=C1X3+C2X2+C3X+C4으로 입력된다.Y1 to Ym are wavelength adsorption relations Y = C 1 X n +... Where S is a wavelength, n is a positive integer, and C 1 to C n are relation coefficients in step S506. It is entered into the nth order polynomial to generate + C n-1 X + C n . In order to generate the adsorption value Y 210 , the wavelength 210 nm is input in the wavelength adsorption relationship. The nth order is determined by the m wavelength. Preferred nth-order polynomials are 2-5th polynomials. More preferred nth order polynomials are third order polynomials such as Y = C 1 X 3 + C 2 X 2 + C 3 X + C 4 . Coefficient to establish a wavelength absorption relationship of contamination ions in the regenerated solution in which C 1 to wavelength to obtain a C n 220nm, 225nm, 230nm, 235nm, 240nm, 245nm, 250nm , and the absorption value is a third degree polynomial Y = C 1 Enter X 3 + C 2 X 2 + C 3 X + C 4 .

단계 S508에서, 흡착 Y210을 얻기 위하여 파장210nm은 파장 흡착 관계로 입력된다. 단계 S506에서 얻어진 파장 흡착 관계가 재생된 용액 내의 오염 이온의 흡착 곡선을 나타내기 때문에, 오염 이온 Y210의 흡착은 방정식, Y=C1X3+C 2X2+C3X+C4에 X=210nm을 치환하여 계산된다. In step S508, the wavelength 210 nm is input in the wavelength adsorption relationship to obtain the adsorption Y 210 . Since the wavelength adsorption relationship obtained in step S506 represents the adsorption curve of contaminant ions in the regenerated solution, the adsorption of contaminant ions Y 210 is determined by the equation, Y = C 1 X 3 + C 2 X 2 + C 3 X + C 4 . Calculated by substituting X = 210nm.

A1과 Y210의 차이 A3은 단계 S510에서 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로 산출된다. The difference A3 between A1 and Y 210 is calculated as the adsorption value of TMAH in the developing solution in step S510.

다음 단계 S512에서 재생된 용액 내의 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 A3은 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 입력된다. 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선은 일련의 농도의 표준 TMAH 용액의 흡착을 측정해서 미리 정해질 수 있다. 재생된 용액의 흡착이 희석된 값이면, TMAH의 실제 농도는 희석 비율에 따라 환원된다.In order to generate the corresponding TMAH concentration in the regenerated solution in the next step S512, A3 is input to the adsorption correction curve of TMAH at 210 nm. The adsorption calibration curve of TMAH at 210 nm can be predetermined by measuring the adsorption of a series of concentrations of standard TMAH solution. If the adsorption of the regenerated solution is a diluted value, the actual concentration of TMAH is reduced according to the dilution ratio.

재생된 용액 내의 TMAH의 실제 농도가 계산된 후에, 단계 S514에서 희망하는 TMAH 농도를 얻기 위하여 TMAH의 양은 재생된 용액으로 첨가된다. After the actual concentration of TMAH in the regenerated solution is calculated, the amount of TMAH is added to the regenerated solution to obtain the desired TMAH concentration in step S514.

마지막으로, 조정한 재생된 용액은 단계 S516에서 연속적인 현상 과정을 위해 재사용된다. Finally, the adjusted regenerated solution is reused for the continuous development process in step S516.

상기 방법에 따르면, 재생된 용액 내의 TMAH의 조정은 210nm, 220nm, 225nm, 230nm, 235nm, 240nm, 245nm 및 250nm에서 재생된 용액의 흡착을 측정해서 얻을 수 있다. 재생된 용액 내의 TMAH의 실제 농도는 상기 단계에 따라 계산될 수 있다. 재생된 용액 내의 TMAH농도는 그것으로 조정될 수 있다. According to the method, the adjustment of TMAH in the regenerated solution can be obtained by measuring the adsorption of the regenerated solution at 210 nm, 220 nm, 225 nm, 230 nm, 235 nm, 240 nm, 245 nm and 250 nm. The actual concentration of TMAH in the regenerated solution can be calculated according to this step. The TMAH concentration in the regenerated solution can be adjusted to it.

상기 방법은 동적인 재생 시스템내에서 이용될 수 있다. 220nm과 250nm 사이에서의 재생된 용액 내의 오염 이온의 흡착 값이 매번 측정될 수 있고, 따라서 TMAH 조정을 위해 개정된 파장 흡착 관계를 얻는다. The method can be used in a dynamic playback system. The adsorption value of contaminating ions in the regenerated solution between 220 nm and 250 nm can be measured each time, thus obtaining a revised wavelength adsorption relationship for the TMAH adjustment.

<제3실시예>Third Embodiment

제1 실시예에서 기술된 본 발명의 TMAH 현상 용액을 재생하기 위한 시스템 구조는, 본 발명의 TMAH 현상 용액을 재생하기 위한 시스템 구조를 나타내는 도 6에서 더 자세히 설명된다. The system structure for regenerating the TMAH developing solution of the present invention described in the first embodiment is described in more detail in FIG. 6 which shows the system structure for regenerating the TMAH developing solution of the present invention.

도 6에 도시한 바와 같이, 재생 탱크612은 재생 파이프 라인610을 통하여 감광 저항 현상 시스템600으로부터 재생된 현상 용액을 저장한다. 재생된 현상 용액은 방출 파이프 라인602에서 폐기물 액체 탱크604로 또한 방출될 수 있다. 재생 파이프 라인610과 방출 파이프 라인602 사이의 스위치는 게이트 밸브606에 의해 제어된다.As shown in FIG. 6, the regeneration tank 612 stores the developing solution regenerated from the photoresist developing system 600 through the regeneration pipeline 610. The regenerated developing solution may also be discharged from the discharge pipeline 602 into the waste liquid tank 604. The switch between the regeneration pipeline 610 and the discharge pipeline 602 is controlled by the gate valve 606.

재생 시스템은 또한, 25% TMAH 용액과 같은 고농도의 TMAH의 적재를 위해 조정 탱크630을 포함하며, 이입되는 TMAH를 위해 조정 파이프 라인634로 재생 탱크612와 연결된다. 조정 파이프 라인634는 게이트 밸브632에 의해 제어된다. 바람직하게는, 재생 탱크612는 2.36% TMAH과 같은, 새 것인 표준 TMAH 현상 용액을 파이프 라인642를 통하여 재생 탱크612로 이입하는 새 현상 용액 탱크640에 연결된다. 현상 용액이 방출 파이프 라인602를 통하여 감광 저항 현상 시스템600에서 배수될 때, 새 것인 표준 TMAH 현상 용액은 새 현상 용액 탱크640에 의해 공급될 수 있다.The regeneration system also includes a regulating tank 630 for the loading of high concentrations of TMAH, such as a 25% TMAH solution, and is connected to the regeneration tank 612 with a regulating pipeline 634 for incoming TMAH. Regulating pipeline 634 is controlled by gate valve 632. Preferably, the regeneration tank 612 is connected to a new developing solution tank 640 which introduces a new standard TMAH developing solution, such as 2.36% TMAH, into the regeneration tank 612 via pipeline 642. When the developing solution is drained from the photoresist developing system 600 through the discharge pipeline 602, a new standard TMAH developing solution may be supplied by a new developing solution tank 640.

재생 탱크 내의 현상 용액의 흡착 값을 측정하기 위하여 UV 분광계620은 재생 탱크612에 연결된다. 바람직하게는, 어떤 흡착 값이 1.2 보다 클 때 샘플링된 재생된 용액을 희석시키기 위하여, 희석기622는 UV 분광계620에 연결된다. A UV spectrometer 620 is connected to the regeneration tank 612 to measure the adsorption value of the developing solution in the regeneration tank. Preferably, diluent 622 is connected to a UV spectrometer 620 to dilute the sampled regenerated solution when any adsorption value is greater than 1.2.

컴퓨터624와 같은 프로세서는, 분광계620 및 조정 파이프 라인632와 연결된다. 컴퓨터624는 재생 탱크612 내의 TMAH 농도를 산출하기 위하여 제1 실시예에서의 방법에 따라 프로그램된다. 210nm에서 Co 및 TMAH의 흡착 보정 곡선은 미리 정해져서 컴퓨터624 내에 저장된다. 210nm에서 재생된 용액의 흡착 값과 nm A1 및 A2를 분광계620에서 받으면, 다음과 같이 재생된 용액A3 내의 TMAH의 흡착 값을 계산하기 위하여 컴퓨터624는 프로그램된다: A processor, such as a computer 624, is connected with the spectrometer 620 and the adjustment pipeline 632. Computer 624 is programmed according to the method in the first embodiment to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank 612. Adsorption correction curves of Co and TMAH at 210 nm are predetermined and stored in computer 624. Once the adsorption value of the regenerated solution at 210 nm and nm A1 and A2 are received on the spectrometer 620, the computer 624 is programmed to calculate the adsorption value of TMAH in the regenerated solution A3 as follows:

A3=A1-(A2×Co) A3 = A1- (A2 × Co)

재생된 용액 내의 TMAH의 농도를 계산하기 위하여 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선으로 흡착 값A3을 입력하도록 컴퓨터624는 프로그램된다. 재생된 용액의 흡착이 희석된 값이면, TMAH의 실제 농도는 희석 비율에 따라 환원된다. The computer 624 is programmed to input the adsorption value A3 into the adsorption correction curve of TMAH at 210 nm to calculate the concentration of TMAH in the regenerated solution. If the adsorption of the regenerated solution is a diluted value, the actual concentration of TMAH is reduced according to the dilution ratio.

재생된 용액 내의 TMAH농도가 계산된 후에, 재생된 용액의 부피 및 재생 탱크612 내의 TMAH 농도에 따라 재생 탱크612를 위한 고농도의 TMAH의 보충 부피(V)를 산출하기 위하여 컴퓨터624는 프로그램된다. 컴퓨터624는 재생 탱크612에 부피V의 고농도의 TMAH를 이입하기 위하여 게이트 밸브632를 열고, 이로써 미리 결정한 농도, 2.36%로 재생된 용액 내의 TMAH 농도를 조정한다. After the TMAH concentration in the regenerated solution is calculated, the computer 624 is programmed to calculate the replenishment volume (V) of the high concentration TMAH for the regeneration tank 612 according to the volume of regenerated solution and the TMAH concentration in the regeneration tank 612. Computer 624 opens gate valve 632 to introduce a high volume of TMAH in volume V into regeneration tank 612, thereby adjusting the TMAH concentration in the regenerated solution to a predetermined concentration, 2.36%.

조정한 재생된 용액은 감광 저항 현상 시스템600에 연속적인 사진 평판을 위해 공급 탱크650으로 이입된다. The adjusted regenerated solution is introduced into feed tank 650 for a continuous photographic plate to the photoresist developing system 600.

<제4 실시예>Fourth Example

제2 실시예에서 기술된 재생 방법을 이용하여 TMAH을 재생하는 또 다른 시스템은 도 6에서 도시된 시스템 구조에 기초를 두고 기술된다. Another system for reproducing TMAH using the reproducing method described in the second embodiment is described based on the system structure shown in FIG.

컴퓨터624는 재생 탱크612 내의 TMAH 농도를 산출하기 위하여 제2 실시예에서 기술된 방법에 따라 프로그램된다. 컴퓨터624는 m 파장에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 Y1 내지 Ym, 및 파장 210 nm에서 흡착 값A1을 읽도록 프로그램된다. 바람직하게, m은 2와 같거나 더 크다. 본 실시예에서, 220nm, 225nm, 230nm, 235nm, 240nm, 245nm 및 250nm에서의 흡착 값 Y1 내지 Y7은 분광계620에서 입수되고, X는 파장, n은 양의 정수이고, C1 내지 Cn은 관계 계수인 파장 흡착 관계 Y=C1Xn+…+Cn-1X+Cn을 생성하기 위하여 n차 다항식에 입력된다. 본 실시예에서, 흡착 값 Y1 내지 Y7은 3차 다항식, Y=C1X3+C2X2+C3X+C 4으로 입력된다. Computer 624 is programmed according to the method described in the second embodiment to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank 612. Computer 624 is programmed to read the adsorption values Y1 to Ym of the developing solution regenerated at m wavelength, and the adsorption value A1 at wavelength 210 nm. Preferably, m is equal to or greater than two. In this example, adsorption values Y1 to Y7 at 220 nm, 225 nm, 230 nm, 235 nm, 240 nm, 245 nm and 250 nm are obtained from the spectrometer 620, X is the wavelength, n is a positive integer, and C 1 to C n are the relationships Wavelength adsorption relation Y = C 1 X n +. It is entered into the nth order polynomial to generate + C n-1 X + C n . In this example, the adsorption values Y1 to Y7 are entered as a third order polynomial, Y = C 1 X 3 + C 2 X 2 + C 3 X + C 4 .

흡착 값Y210을 생성하기 위하여 파장 흡착 관계로 파장 210nm을 입력하도록 컴퓨터624는 프로그램된다. A1과 Y210의 차이A3은 재생된 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로 산출된다. 재생 탱크612 내의 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 210nm에서 미리 설정된 TMAH의 흡착 보정 곡선에 A3을 입력하도록 컴퓨터624는 프로그램된다. 재생된 용액의 흡착이 희석된 값이면, TMAH의 실제 농도는 희석 비율에 따라 환원된다.Computer 624 is programmed to input wavelength 210 nm in wavelength adsorption relationship to produce adsorption value Y 210 . The difference A3 between A1 and Y 210 is calculated as the adsorption value of TMAH in the regenerated solution. The computer 624 is programmed to input A3 into the adsorption correction curve of the TMAH preset at 210 nm to produce the corresponding TMAH concentration in the regeneration tank 612. If the adsorption of the regenerated solution is a diluted value, the actual concentration of TMAH is reduced according to the dilution ratio.

재생된 용액 내의 TMAH농도가 계산된 후에, 재생된 용액의 부피 및 재생 탱크612 내의 TMAH농도에 따라 재생 탱크612을 위한 고농도의 TMAH의 보충 부피(V)를 산출하기 위하여 컴퓨터624는 프로그램된다. 컴퓨터624는 재생 탱크612에 부피V의 고농도의 TMAH를 이입하기 위하여 게이트 밸브632를 열고, 이로써 미리 결정한 농도, 2.36%로 재생된 용액 내의 TMAH 농도를 조정한다. After the TMAH concentration in the regenerated solution is calculated, the computer 624 is programmed to calculate the replenishment volume (V) of the high concentration of TMAH for the regeneration tank 612 according to the volume of regenerated solution and the TMAH concentration in the regeneration tank 612. Computer 624 opens gate valve 632 to introduce a high volume of TMAH in volume V into regeneration tank 612, thereby adjusting the TMAH concentration in the regenerated solution to a predetermined concentration, 2.36%.

본 발명의 재생 방법 및 시스템은 다른 이온의 영향 없이 재생된 용액 내의 정확한 TMAH 농도의 계산을 허용한다. 따라서, 재생된 용액 내의 TMAH의 조정은 더 정확하다. 더욱이, 분광계 그리고 컴퓨터와 같은 프로세서는, 값이 비싼 이온 크로마토그래피보다는 저렴하게 TMAH농도가 측정된 용액을 제공한다.The regeneration method and system of the present invention allows the calculation of the correct TMAH concentration in the regenerated solution without the influence of other ions. Thus, the adjustment of TMAH in the regenerated solution is more accurate. Moreover, processors such as spectrometers and computers provide solutions for which TMAH concentrations are measured at a lower cost than expensive ion chromatography.

본 발명은 상기에서 언급한 실시예에 의하여 기술되었으나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않는다. 반면에, 본 발명은 당업자에게 명백한 다양한 변형 및 유사한 정렬을 포함하도록 한다. 따라서, 후술하는 청구항의 범위는 그러한 모든 변형 및 유사 정렬을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 할 것이다. Although the present invention has been described by the above-mentioned embodiments, the present invention is not limited to the disclosed embodiments. On the other hand, the present invention is intended to cover various modifications and similar arrangements as will be apparent to those skilled in the art. Accordingly, the scope of the following claims should be construed broadly to include all such modifications and similar arrangements.

Claims (18)

m이 2와 같거나 더 크고, 220 nm과 250 nm사이에서 m 파장을 선택하고; m is equal to or greater than 2 and selects the m wavelength between 220 nm and 250 nm; m 파장에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 Y1 내지 Ym, 및 파장 210 nm에서 흡착 값A1을 측정하며,the adsorption values Y1 to Ym of the developing solution regenerated at the m wavelength, and the adsorption values A1 at a wavelength of 210 nm are measured, X는 파장, n은 양의 정수이고, C1 내지 Cn은 관계 계수인 파장 흡착 관계를 생성하기 위하여 n차 다항식,Y=C1Xn+…+Cn-1X+Cn에 상기 Y1 및 Ym을 입력하고, X is a wavelength, n is a positive integer, and C 1 to C n are n-th order polynomials, Y = C 1 X n +. Input Y1 and Ym to + C n-1 X + C n , 흡착 값 Y210을 생성하기 위하여 파장 흡착 관계로 파장 210nm를 입력하며,In order to generate the adsorption value Y 210 , the wavelength 210 nm is input in the wavelength adsorption relation, 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로서 A1 및 Y210 사이의 차이 A3을 산출하고,As absorption value of TMAH in the developing solution, and calculating the difference between A1 and A3 of the Y 210, 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 210 nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 A3을 입력하며; Input A3 into the adsorption calibration curve of TMAH at 210 nm to produce the corresponding TMAH concentration; TMAH을 재사용을 위해 해당 TMAH 농도에 따라서 재생된 현상 용액으로 추가하는 것을 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 방법. A method of regenerating a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH) comprising adding TMAH to a regenerated developing solution according to the corresponding TMAH concentration for reuse. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 m 파장은 5 nm 또는 10 nm의 간격으로 선택되는 것을 특징으로 하는 테 트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 방법. M wavelength is selected at intervals of 5 nm or 10 nm. The method of regenerating a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH). 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 m 파장은, 220nm, 225nm, 230nm, 235nm, 240nm, 245nm 및 250nm의 7개의 파장인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 방법. Said m wavelength is seven wavelengths of 220 nm, 225 nm, 230 nm, 235 nm, 240 nm, 245 nm, and 250 nm, The reproduction method of the photoresist development solution containing tetra-methyl-ammonium hydroxide (TMAH). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 n차 다항식은, 2 내지 5차 다항식인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 방법.The n-th order polynomial is a second to fifth polynomial, characterized in that the tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH) containing photoresist developing solution containing. 제 4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 n차 다항식은, Y=C1X3+C2X2+C3X+C4의 3차 다항식인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 방법. The n-th order polynomial is a tertiary polynomial of Y = C 1 X 3 + C 2 X 2 + C 3 X + C 4 , wherein the photoresist development solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH) is used. How to play. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 파장 210 nm에서의 흡착 값 A1이 1.2를 초과할 때 재생된 현상 용액을 희석하고,Dilute the regenerated developing solution when the adsorption value A1 at a wavelength of 210 nm exceeds 1.2, Y1 내지 Ym, 및 A1으로 m 파장 및 210 nm에서 희석된 재생된 흡착 용액의 흡착을 재측정하는 것을 더 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 방법.A method for regenerating a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH), which further comprises re-measuring the adsorption of the regenerated adsorption solution diluted at m wavelength and 210 nm with Y1 to Ym and A1. 파장 210nm과 220nm에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 A1 및 A2를 측정하고,Measure the adsorption values A1 and A2 of the regenerated developing solution at wavelengths of 210 nm and 220 nm, Co=(A1'-A3')/A2'이고, A1' 및 A2'는 각각 210nm과 220nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 재생된 현상 용액의 흡착 값이며, A3'은 210nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 표준 흡착 값인 경우, 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값 A3는 A3=A1-A2×Co로 산출하며,Co = (A1'-A3 ') / A2', A1 'and A2' are the adsorption values of the regenerated developing solution of known TMAH concentration at 210 nm and 220 nm, respectively, and A3 'is the standard of known TMAH concentration at 210 nm. In the case of the adsorption value, the adsorption value A3 of TMAH in the developing solution is calculated as A3 = A1-A2 × Co, 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 A3은 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 입력하고,To generate the corresponding TMAH concentration, A3 is entered into the adsorption calibration curve of TMAH at 210 nm, TMAH을 재사용을 위해 해당 TMAH 농도에 따라 재생된 현상 용액으로 첨가하는 것을 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 방법.A method of regenerating a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH) comprising adding TMAH to a regenerated developing solution according to the TMAH concentration for reuse. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 파장 210 nm에서의 흡착 값 A1이 1.2를 초과할 때 재생된 현상 용액을 희석하고,Dilute the regenerated developing solution when the adsorption value A1 at a wavelength of 210 nm exceeds 1.2, A1 및 A2로 210nm 및 220 nm에서 희석된 재생된 흡착 용액의 흡착을 재측정하는 것을 더 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저 항 현상 용액의 재생 방법.A method for regenerating a photoresist resistive solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH), which further comprises re-adsorption of the regenerated adsorption solution diluted at 210 nm and 220 nm with A1 and A2. 재생 파이프 라인을 통하여 감광 저항 현상 시스템으로부터 재생된 현상 용액을 모으는 재생 탱크; A regeneration tank for collecting regenerated developing solution from the photoresist developing system through a regeneration pipeline; 상기 재생 탱크에 조정 파이프 라인으로 연결되고 고농도의 TMAH를 적재하는 조정 탱크; A regulating tank connected to said regenerative tank by a regulating pipeline and for loading a high concentration of TMAH; 상기 재생 탱크 내의 현상 용액의 흡착 값을 측정하는 분광계; A spectrometer for measuring the adsorption value of the developing solution in the regeneration tank; 분광계 및 조정 파이프 라인과 연결되고, 분광계로부터 측정된 흡착 값에 따라 재생 탱크 내의 TMAH 농도를 산출하도록 프로그램되며, 산출한 TMAH 농도에 따라 희망하는 TMAH 농도를 얻기 위하여 조정 파이프 라인으로부터 재생 탱크로 고농도의 TMAH 양을 운반하며, Connected to the spectrometer and calibration pipeline, and programmed to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank according to the adsorption values measured from the spectrometer, and from the calibration pipeline to the regeneration tank to obtain the desired TMAH concentration according to the calculated TMAH concentration. Carries the amount of TMAH, 다음 단계:next stage: m이 2와 같거나 큰 때에, 재생된 용액의 220nm와 250nm 사이의 m 파장에서의 흡착 값 Y1 내지 Ym, 및 파장 210 nm에서 흡착 값A1을 읽는 단계;when m is equal to or greater than 2, reading the adsorption values Y1 to Ym at m wavelengths between 220 nm and 250 nm of the regenerated solution, and adsorption values A1 at wavelengths 210 nm; X는 파장, n은 양의 정수이고, C1 내지 Cn은 관계 계수인 파장 흡착 관계 Y=C1Xn+…+Cn-1X+Cn를 생성하기 위하여 n차 다항식에 상기 Y1 및 Ym을 입력하는 단계; X is the wavelength, n is a positive integer, and C 1 to C n are the coefficients of the wavelength adsorption relation Y = C 1 X n +. Inputting Y1 and Ym into an n th polynomial to produce + C n-1 X + C n ; 흡착 값 Y210을 생성하기 위하여 파장 흡착 관계로 파장 210nm를 입력하는 단계;Inputting a wavelength of 210 nm in a wavelength adsorption relationship to produce an adsorption value Y 210 ; 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값으로서 A1 및 Y210 사이의 차이 A3을 산출하는 단계; 및Calculating a difference A3 between A1 and Y 210 as an adsorption value of TMAH in the developing solution; And 재생 탱크 내의 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 210 nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 A3을 입력하는 단계;에 따라 재생 탱크 내의 TMAH 농도를 산출하도록 프로그램된 프로세서,를 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템.Inputting A3 to the adsorption calibration curve of TMAH at 210 nm to produce the corresponding TMAH concentration in the regeneration tank; a tetra-methyl-ammonia-hydroxide comprising a processor programmed to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank according to Regeneration system of photoresist developing solution containing TMAH). 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 프로세서는 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템.And said processor is a computer. The regeneration system of a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH). 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 m 파장은, 5 nm 또는 10 nm의 간격으로 선택되는 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템. The m wavelength is selected at intervals of 5 nm or 10 nm. Regeneration system of a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH). 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 m 파장은, 220nm, 225nm, 230nm, 235nm, 240nm, 245nm 및 250nm의 7개의 파장인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템. Said m wavelength is seven wavelengths of 220 nm, 225 nm, 230 nm, 235 nm, 240 nm, 245 nm, and 250 nm, The regeneration system of the photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonium hydroxide (TMAH) characterized by the above-mentioned. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 n차 다항식은, 2 내지 5차 다항식인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템.The n-th order polynomial is a second to fifth polynomial, characterized in that the regeneration system of a photo-resist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH). 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 n차 다항식은, Y=C1X3+C2X2+C3X+C4의 3차 다항식인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템. The n-th order polynomial is a tertiary polynomial of Y = C 1 X 3 + C 2 X 2 + C 3 X + C 4 , wherein the photoresist development solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH) is used. Regeneration system. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 파장 210 nm에서의 흡착 값 A1이 1.2를 초과할 때 재생된 현상 용액을 희석하는 희석기를 더 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템.A regeneration system of a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH), further comprising a diluent diluting the regenerated developing solution when the adsorption value A1 at a wavelength of 210 nm exceeds 1.2. 재생 파이프 라인을 통하여 감광 저항 현상 시스템으로부터 재생된 현상 용액을 모으는 재생 탱크; A regeneration tank for collecting regenerated developing solution from the photoresist developing system through a regeneration pipeline; 상기 재생 탱크에 조정 파이프 라인으로 연결되고 고농도의 TMAH를 적재하는 조정 탱크; A regulating tank connected to said regenerative tank by a regulating pipeline and for loading a high concentration of TMAH; 상기 재생 탱크 내의 현상 용액의 흡착 값을 측정하는 분광계; A spectrometer for measuring the adsorption value of the developing solution in the regeneration tank; 분광계 및 조정 파이프 라인과 연결되고, 분광계로부터 측정된 흡착 값에 따라 재생 탱크 내의 TMAH 농도를 산출하도록 프로그램되며, 산출한 TMAH 농도에 따라 희망하는 TMAH 농도를 얻기 위하여 조정 파이프 라인으로부터 재생 탱크로 고농도의 TMAH 양을 운반하며, Connected to the spectrometer and the calibration pipeline, and programmed to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank according to the adsorption values measured from the spectrometer, and from the calibration pipeline to the regeneration tank to obtain the desired TMAH concentration according to the calculated TMAH concentration. Carries the amount of TMAH, 다음 단계: next stage: 파장 210nm과 220nm에서 재생된 현상 용액의 흡착 값 A1 및 A2를 측정하는 단계;Measuring adsorption values A1 and A2 of the regenerated solution regenerated at wavelengths of 210 nm and 220 nm; Co=(A1'-A3')/A2'이고, A1' 및 A2'는 각각 210nm과 220nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 재생된 현상 용액의 흡착 값이며, A3'은 210nm에서 이미 알려진 TMAH 농도의 표준 흡착 값인 경우, 현상 용액 내의 TMAH의 흡착 값 A3는 A3=A1-A2×Co로 산출하는 단계;Co = (A1'-A3 ') / A2', A1 'and A2' are the adsorption values of the regenerated developing solution of known TMAH concentration at 210 nm and 220 nm, respectively, and A3 'is the standard of known TMAH concentration at 210 nm. When the adsorption value, the adsorption value A3 of TMAH in the developing solution is calculated as A3 = A1-A2 × Co; 재생 탱크 내의 해당 TMAH 농도를 생성하기 위하여 A3은 210nm에서 TMAH의 흡착 보정 곡선에 입력하는 단계;에 따라 재생 탱크 내의 TMAH 농도를 산출하도록 프로그램된 프로세서,를 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템.To generate the corresponding TMAH concentration in the regeneration tank, A3 enters the adsorption calibration curve of the TMAH at 210 nm; a processor programmed to calculate the TMAH concentration in the regeneration tank, according to a tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH Regeneration system of a photoresist developing solution containing a). 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 프로세서는 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 테트라-메틸-암모니아-수산화 물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템.And said processor is a computer. The regeneration system of a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH). 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 파장 210 nm에서의 흡착 값 A1이 1.2를 초과할 때, 재생된 현상 용액을 희석하는 희석기를 더 포함하는 테트라-메틸-암모니아-수산화물(TMAH)을 함유하는 감광 저항 현상 용액의 재생 시스템.A regeneration system of a photoresist developing solution containing tetra-methyl-ammonia-hydroxide (TMAH), further comprising a diluent diluting the regenerated developing solution when the adsorption value A1 at a wavelength of 210 nm exceeds 1.2.
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