KR100551897B1 - Low power consumption latch circuit - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전자 회로 기술에 관한 것으로, 특히 저전력 래치 회로에 관한 것이다. 본 발명은 저전력 소비 특성을 가지면서 저장 데이터의 원치 않는 전압 레벨 강하를 방지할 수 있는 래치 회로를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명의 일 측면에 따르면, 클럭에 응답하여 입력단과 데이터 저장 노드 사이를 절체하기 위한 스위칭 수단; 상기 데이터 저장 노드에 걸린 신호를 반전시켜 출력신호를 생성하기 위한 제1 반전 수단; 상기 출력신호를 입력으로 하는 제2 반전 수단; 및 상기 클럭에 응답하여 상기 제2 반전 수단의 출력신호로 상기 데이터 저장 노드를 구동하기 위한 구동 수단을 구비하는 래치 회로가 구비된다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to electronic circuit technology, and more particularly, to a low power latch circuit. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a latch circuit having a low power consumption characteristic and capable of preventing an unwanted voltage level drop of stored data. According to one aspect of the invention, switching means for switching between the input terminal and the data storage node in response to a clock; First inverting means for inverting a signal applied to the data storage node to generate an output signal; Second inverting means for receiving the output signal as an input; And a driving means for driving the data storage node with an output signal of the second inverting means in response to the clock.

저전력, 래치 회로, 누설, 전압 강하, 클럭Low Power, Latch Circuit, Leakage, Voltage Drop, Clock

Description

저전력 래치 회로{LOW POWER CONSUMPTION LATCH CIRCUIT} LOW POWER CONSUMPTION LATCH CIRCUIT             

도 1은 일반적인 래치 회로를 나타낸 도면.1 shows a general latch circuit.

도 2는 종래기술에 따른 저전력 래치 회로를 나타낸 도면.2 shows a low power latch circuit according to the prior art;

도 3은 도 2의 저전력 래치 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.3 is a diagram illustrating a simulation result of the low power latch circuit of FIG. 2.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 저전력 래치 회로를 나타낸 도면.4 illustrates a low power latch circuit in accordance with an embodiment of the present invention.

도 5는 도 4의 저전력 래치 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면.5 is a diagram illustrating a simulation result of the low power latch circuit of FIG. 4.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

B : 데이터 저장 노드B: data storage node

CLK : 클럭CLK: Clock

본 발명은 전자 회로 기술에 관한 것으로, 특히 저전력 래치 회로에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to electronic circuit technology, and more particularly, to a low power latch circuit.

최근 새로운 디스플레이로서 각광 받고 있는 LCD는 소스 드라이버라는 독특한 구조를 포함하고 있으며, 소스 드라이버 내에는 각 채널마다 데이터 래치가 구비된다.The LCD, which has been in the spotlight as a new display recently, includes a unique structure called a source driver, and a data latch is provided for each channel in the source driver.

데이터 래치 회로는 비교적 간단한 회로이지만, LCD 소스 드라이버에는 채널 수만큼 많은 수의 데이터 래치 회로가 구비되므로, 데이터 래치 회로가 차지하는 면적과 전력 소모를 간과하기 어렵다.Although the data latch circuit is a relatively simple circuit, since the LCD source driver includes as many data latch circuits as the number of channels, it is difficult to overlook the area and power consumption of the data latch circuit.

도 1은 일반적인 래치 회로를 나타낸 도면이다.1 illustrates a general latch circuit.

도 1을 참조하면, 일반적인 래치 회로는, 입력신호(IN) 및 클럭(CLK)을 입력으로 하는 낸드게이트(NAND1)와, 입력신호(IN)를 입력으로 하는 인버터(INV1)와, 인버터(INV1)를 통해 반전된 입력신호(IN)와 클럭(CLK)을 입력으로 하는 낸드게이트(NAND2)와, 낸드게이트(NAND2)의 출력신호 및 피드백된 최종 출력신호(OUTB)를 입력으로 하는 낸드게이트(NAND3)와, 낸드게이트(NAND1)의 출력신호를 입력으로 하는 인버터(INV2)와, 낸드게이트(NAND3)의 출력신호를 입력으로 하는 인버터(INV3)와, 인버터(INV2)의 출력신호 및 인버터(INV3)의 출력신호를 입력으로 하여 최종 출력신호(OUTB)를 출력하는 오아게이트(OR1)를 구비한다.Referring to FIG. 1, a general latch circuit includes a NAND gate NAND1 for inputting an input signal IN and a clock CLK, an inverter INV1 for inputting an input signal IN, and an inverter INV1. NAND gate NAND2 for inputting the inverted input signal IN and clock CLK, and NAND gate for inputting the output signal of the NAND gate NAND2 and the final feedback signal OUTB fed back. NIN3, an inverter INV2 for inputting the output signal of the NAND gate NAND1, an inverter INV3 for inputting the output signal of the NAND gate NAND3, an output signal of the inverter INV2, and an inverter ( An OR gate OR1 for outputting the final output signal OUTB by inputting the output signal of INV3).

상기와 같이 구성된 래치 회로는 클럭(CLK)의 라이징 에지마다 입력신호(IN)를 저장하게 된다.The latch circuit configured as described above stores the input signal IN at each rising edge of the clock CLK.

그런데, 이러한 래치 회로는 그 회로를 구현하기 위해서 최소 24개의 MOS 트랜지스터가 필요하므로, 레이아웃 면적 면에서 불리하고 전력 소모 또한 크다는 단점이 있었다.However, since such a latch circuit requires at least 24 MOS transistors to implement the circuit, it has disadvantages in terms of layout area and high power consumption.

이러한 문제점을 고려하여 래치 회로의 구현에 소요되는 트랜지스터의 수를 줄이려는 노력이 시도되어 왔다.In view of these problems, efforts have been made to reduce the number of transistors required to implement a latch circuit.

도 2는 종래기술에 따른 저전력 래치 회로를 나타낸 도면이다.2 illustrates a low power latch circuit according to the prior art.

도 2를 참조하면, 종래기술에 따른 저전력 래치 회로는, 입력단(IN)과 노드 A 사이에 접속되며 클럭(CLK)을 게이트 입력으로 하는 스위칭 NMOS 트랜지스터(N1)와, 노드 A에 걸린 신호를 반전시켜 출력신호(OUT)를 생성하기 위한 인버터(INV4)와, 전원전압단(VDD)과 노드 A 사이에 접속되며 피드백된 출력신호(OUT)를 게이트 입력으로 하는 풀업 PMOS 트랜지스터(P1)와, 접지전압단(VSS)과 노드 A 사이에 접속되며 피드백된 출력신호(OUT)를 게이트 입력으로 하는 풀다운 NMOS 트랜지스터(N2)로 구성된다.Referring to FIG. 2, a low power latch circuit according to the related art is connected between an input terminal IN and a node A and inverts a switching NMOS transistor N1 having a clock CLK as a gate input and a signal applied to the node A. Inverter INV4 for generating the output signal OUT, the pull-up PMOS transistor P1 connected between the power supply voltage terminal VDD and the node A and having the feedbacked output signal OUT as a gate input, and ground. It is composed of a pull-down NMOS transistor N2 connected between the voltage terminal VSS and the node A and having a gated input as the output signal OUT fed back.

먼저, 입력신호(IN)가 논리레벨 로우인 경우, 클럭(CLK)의 라이징 에지에서 스위칭 NMOS 트랜지스터(N1)가 턴온되어 노드 A가 논리레벨 로우가 되고 출력신호(OUT)는 논리레벨 하이가 되며, 논리레벨 하이의 출력신호(OUT)가 피드백되어 풀다운 NMOS 트랜지스터(N2)가 턴온되어 노드 A가 논리레벨 로우로 유지되도록 한다. 한편, 이 경우 클럭(CLK)이 논리레벨 로우가 되더라도 풀다운 NMOS 트랜지스터(N2)가 노드 A를 계속해서 방전시키기 때문에 데이터 레벨이 유지된다.First, when the input signal IN is at the logic level low, the switching NMOS transistor N1 is turned on at the rising edge of the clock CLK so that the node A is at the logic level low and the output signal OUT is at the logic level high. The output signal OUT of the logic level high is fed back so that the pull-down NMOS transistor N2 is turned on to maintain the node A at the logic level low. In this case, the data level is maintained because the pull-down NMOS transistor N2 continues to discharge the node A even when the clock CLK becomes a logic level low.

다음으로, 입력신호(IN)가 논리레벨 하이인 경우, 클럭(CLK)의 라이징 에지에서 스위칭 NMOS 트랜지스터(N1)가 턴온되어 노드 A가 논리레벨 하이가 되고 출력신호(OUT)는 논리레벨 로우가 되며, 논리레벨 로우의 출력신호(OUT)가 피드백되어 풀업 PMOS 트랜지스터(P1)가 턴온되어 노드 A가 논리레벨 하이로 유지되도록 한다. 한편, 이 경우 클럭(CLK)이 논리레벨이 로우가 되더라도 풀업 PMOS 트랜지스터(P1)가 노드 A를 계속해서 충전시키기 때문에 데이터 레벨이 유지된다.Next, when the input signal IN is at the logic level high, the switching NMOS transistor N1 is turned on at the rising edge of the clock CLK so that the node A is at the logic level high and the output signal OUT is at the logic level low. The output signal OUT of the logic level low is fed back so that the pull-up PMOS transistor P1 is turned on to maintain the node A at the logic level high. In this case, the data level is maintained because the pull-up PMOS transistor P1 continues to charge the node A even when the clock CLK goes low.

상기와 같이 구성되어 동작하는 종래의 저전력 래치 회로는 소요되는 트랜지스터의 수를 5개로 크게 줄여 도 1에 도시된 래치 회로에 비해 전력 소모를 크게 줄일 수 있었다.The conventional low power latch circuit configured and operated as described above can greatly reduce the number of transistors required to five to significantly reduce power consumption compared to the latch circuit shown in FIG. 1.

그러나, 클럭(CLK)이 논리레벨 로우인 구간에서 입력신호(IN)의 전압 레벨이 떨어지는 문제점이 있었다.However, there is a problem in that the voltage level of the input signal IN falls during the period when the clock CLK is at a logic level low.

도 3은 도 2에 도시된 종래의 저전력 래치 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면으로서, 클럭(CLK)이 논리레벨 로우인 구간에서 입력신호(IN)의 전압 레벨이 약 0.1V 정도 떨어지는 것을 확인할 수 있다.FIG. 3 is a diagram illustrating a simulation result of the conventional low power latch circuit shown in FIG. 2, and it can be seen that the voltage level of the input signal IN drops by about 0.1 V in a section where the clock CLK is at a logic level low. .

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 저전력 소비 특성을 가지면서 저장 데이터의 원치 않는 전압 레벨 강하를 방지할 수 있는 래치 회로를 제공하는데 그 목적이 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and has an object of providing a latch circuit having a low power consumption characteristic and preventing an unwanted voltage level drop of stored data.

상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 클럭에 응답하여 입력단과 데이터 저장 노드 사이를 절체하기 위한 스위칭 수단; 상기 데이터 저장 노드에 걸린 신호를 반전시켜 출력신호를 생성하기 위한 제1 반전 수단; 상기 출력신호를 입력으로 하는 제2 반전 수단; 및 상기 클럭에 응답하여 상기 제2 반전 수단의 출력신호로 상기 데이터 저장 노드를 구동하기 위한 구동 수단을 구비하는 래치 회로가 구비된다.According to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, switching means for switching between the input terminal and the data storage node in response to the clock; First inverting means for inverting a signal applied to the data storage node to generate an output signal; Second inverting means for receiving the output signal as an input; And a driving means for driving the data storage node with an output signal of the second inverting means in response to the clock.

여기서, 상기 스위칭 수단과 상기 구동 수단은 상기 클럭의 서로 다른 레벨에서 인에이블 된다.Here, the switching means and the driving means are enabled at different levels of the clock.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 입력단과 데이터 저장 노드 사이에 접속되며 클럭을 게이트 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터; 데이터 저장 노드에 걸린 신호를 반전시켜 출력신호를 생성하기 위한 제1 인버터; 상기 출력신호를 입력으로 하는 제2 인버터; 및 상기 제2 인버터의 출력단과 상기 데이터 저장 노드 사이에 접속되며 상기 클럭을 게이트 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터를 구비하는 래치 회로가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an NMOS transistor connected between an input terminal and a data storage node and having a clock as a gate input; A first inverter for generating an output signal by inverting a signal applied to the data storage node; A second inverter configured to receive the output signal; And a PMOS transistor connected between an output terminal of the second inverter and the data storage node and having the clock as a gate input.

이하, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여 본 발명의 바람직한 실시예를 소개하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be introduced in order to enable those skilled in the art to more easily carry out the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 저전력 래치 회로를 나타낸 도면이다.4 illustrates a low power latch circuit according to an embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 입력단(IN)과 노드 B(데이터 저장 노드) 사이에 접속되며 클럭(CLK)을 게이트 입력으로 하는 스위칭 NMOS 트랜지스터(N3)와, 노드 B에 걸린 신호를 반전시켜 출력신호(OUT)를 생성하기 위한 인버터(INV5)와, 출력신호(OUT)를 입력으로 하는 인버터(INV6)와, 인버터(INV6)의 출력단과 노드 B 사이에 접속되며 클럭(CLK)을 게이트 입력으로 하는 구동 PMOS 트랜지스터(P2)를 구비한다.Referring to FIG. 4, a switching NMOS transistor N3 connected between an input terminal IN and a node B (data storage node) and using a clock CLK as a gate input, and an output signal (inverted) by inverting a signal applied to the node B. Drive INV5 for generating OUT, inverter INV6 for inputting output signal OUT, and output terminal of inverter INV6 and node B, and driving clock CLK as a gate input. PMOS transistor P2 is provided.

여기서, 인버터(INV5, INV6)를 스트롱 피드백 인버터(strong feedback inverter)로 구현하는 것이 바람직하다.Herein, it is preferable to implement the inverters INV5 and INV6 as strong feedback inverters.

이하, 도 4에 도시된 래치 회로의 동작을 설명한다.The operation of the latch circuit shown in FIG. 4 will now be described.

먼저, 입력신호(IN)가 논리레벨 로우인 경우, 클럭(CLK)의 라이징 에지에서 스위칭 NMOS 트랜지스터(N3)가 턴온되어 노드 B가 논리레벨 로우가 되고 출력신호(OUT)는 논리레벨 하이가 된다. 한편, 클럭(CLK)이 논리레벨 로우가 되면 구동 PMOS 트랜지스터(P2)가 턴온되어 인버터(INV6)를 통해 피드백된 출력신호(OUT)의 반전값(로우)으로 노드 B를 구동한다.First, when the input signal IN is at the logic level low, the switching NMOS transistor N3 is turned on at the rising edge of the clock CLK so that the node B is at the logic level low and the output signal OUT is at the logic level high. . On the other hand, when the clock CLK is at a logic level low, the driving PMOS transistor P2 is turned on to drive the node B with the inverted value (low) of the output signal OUT fed back through the inverter INV6.

다음으로, 입력신호(IN)가 논리레벨 하이인 경우, 클럭(CLK)의 라이징 에지에서 스위칭 NMOS 트랜지스터(N3)가 턴온되어 노드 B가 논리레벨 하이가 되고 출력신호(OUT)는 논리레벨 로우가 된다. 한편, 클럭(CLK)이 논리레벨 로우가 되면 구동 PMOS 트랜지스터(P2)가 턴온되어 인버터(INV6)를 통해 피드백된 출력신호(OUT)의 반전값(하이)으로 노드 B를 구동한다.Next, when the input signal IN is at the logic level high, the switching NMOS transistor N3 is turned on at the rising edge of the clock CLK so that the node B is at the logic level high and the output signal OUT is at the logic level low. do. On the other hand, when the clock CLK becomes a logic level low, the driving PMOS transistor P2 is turned on to drive the node B with the inverted value (high) of the output signal OUT fed back through the inverter INV6.

상기와 같이 구성되어 동작하는 본 실시예에 따른 래치 회로는 총 6개의 트랜지스터로 구현되기 때문에 저전력 소비 특성을 가지며, 도 2에 도시된 종래의 저전력 래치 회로에 비해 누설 특성이 우수하기 때문에 클럭(CLK)이 로우인 구간에서 데이터의 전압 레벨 강하를 최소화하면서 데이터를 저장할 수 있다.The latch circuit according to the present embodiment configured and operated as described above has a low power consumption characteristic because it is implemented with a total of six transistors, and has a better clock leakage characteristic than the conventional low power latch circuit shown in FIG. The data can be stored while minimizing the voltage level drop of the data in the low section.

도 5는 도 4의 저전력 래치 회로의 시뮬레이션 결과를 나타낸 도면로서, 클럭(CLK)이 로우인 구간에서 약 0.01V의 전압 강하를 보이고 있음을 확인할 수 있으 며, 이는 도 2에 도시된 종래의 저전력 래치 회로에 비해 1/10 정도에 해당하는 값이다.FIG. 5 is a diagram illustrating a simulation result of the low power latch circuit of FIG. 4, and it can be seen that a voltage drop of about 0.01 V is shown in a section in which the clock CLK is low, which is illustrated in FIG. 2. This value is about 1/10 of the latch circuit.

본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will understand that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

예컨대, 앞에서는 LCD 소스 드라이버의 데이터 래치에의 적용만을 언급하였으나, 본 발명의 래치 회로는 이 외에도 레지스터와 같이 많은 수의 래치가 필요한 회로에의 적용이 적합하다.For example, although the foregoing only mentions the application of the LCD source driver to the data latch, the latch circuit of the present invention is also suitable for a circuit requiring a large number of latches such as a register.

또한, 전술한 실시예에서 사용된 NMOS 트랜지스터 및 PMOS 트랜지스터를 각각 다른 종류의 스위칭 소자로 구현하더라도 본 발명은 적용된다.In addition, even if the NMOS transistor and the PMOS transistor used in the above-described embodiments are implemented in different types of switching elements, the present invention is applicable.

전술한 본 발명은 저전력 소비 특성을 유지하면서 저장 데이터의 전압 레벨 강하를 최소화하는 래치 회로를 제공하여, 래치 회로를 채용한 IC의 전력 소비를 절감하고 데이터 오류를 방지하는 효과가 있다.
The present invention described above provides a latch circuit that minimizes the voltage level drop of stored data while maintaining low power consumption, thereby reducing power consumption and preventing data errors of an IC employing the latch circuit.

Claims (3)

클럭에 응답하여 입력단과 데이터 저장 노드 사이를 절체하기 위한 스위칭 수단;Switching means for switching between an input terminal and a data storage node in response to a clock; 상기 데이터 저장 노드에 걸린 신호를 반전시켜 출력신호를 생성하기 위한 제1 반전 수단;First inverting means for inverting a signal applied to the data storage node to generate an output signal; 상기 출력신호를 입력으로 하는 제2 반전 수단; 및Second inverting means for receiving the output signal as an input; And 상기 클럭에 응답하여 상기 제2 반전 수단의 출력신호로 상기 데이터 저장 노드를 구동하기 위한 구동 수단Driving means for driving said data storage node with an output signal of said second inverting means in response to said clock; 을 구비하는 래치 회로.A latch circuit having a. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 스위칭 수단과 상기 구동 수단은 상기 클럭의 서로 다른 레벨에서 인에이블 되는 것을 특징으로 하는 래치 회로.The switching means and the driving means are enabled at different levels of the clock. 입력단과 데이터 저장 노드 사이에 접속되며 클럭을 게이트 입력으로 하는 NMOS 트랜지스터;An NMOS transistor connected between an input terminal and a data storage node and having a clock as a gate input; 데이터 저장 노드에 걸린 신호를 반전시켜 출력신호를 생성하기 위한 제1 인 버터;A first inverter for generating an output signal by inverting a signal applied to the data storage node; 상기 출력신호를 입력으로 하는 제2 인버터; 및A second inverter configured to receive the output signal; And 상기 제2 인버터의 출력단과 상기 데이터 저장 노드 사이에 접속되며 상기 클럭을 게이트 입력으로 하는 PMOS 트랜지스터A PMOS transistor connected between an output terminal of the second inverter and the data storage node and having the clock as a gate input 를 구비하는 래치 회로.A latch circuit having a.
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