KR100543411B1 - Packaging apparatus of high frequency communication module and manufacturing method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본딩 와이어를 통해 고주파 통신 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 패키징 장치의 급전선 하부에 이중의 금속층을 형성함으로써, 이를 통해 병렬 커패시턴스를 형성해 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 감소시켜 고주파 영역에서의 급전선 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 한다.The present invention relates to a packaging device for a high frequency communication module and a method of manufacturing the same, by forming a double metal layer under the feeder line of the packaging device electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency communication module through a bonding wire, thereby parallel Capacitance is formed to reduce the high frequency parasitic inductance caused by the bonding wire, thereby improving feed line transmission characteristics in the high frequency region.

고주파, 모듈, 패키징, 금속, 단자, 이중층, 급전선High frequency, module, packaging, metal, terminal, double layer, feeder

Description

고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법{Packaging apparatus of high frequency communication module and manufacturing method thereof} Packaging apparatus of high frequency communication module and manufacturing method thereof

도 1은 일반적인 고주파 통신 모듈의 패키징 장치를 도시한 도면,1 is a view showing a packaging apparatus of a general high frequency communication module,

도 2 내지 도 4는 본 발명에 따른 고주파 통신 모듈의 패키징 장치를 도시한 도면,2 to 4 is a view showing a packaging device of a high frequency communication module according to the present invention,

도 5a와 도 5b는 본 발명에 따른 고주파 통신 모듈의 패키징 장치의 사용 양태를 예로 들어 도시한 도면이다.5A and 5B are diagrams showing examples of the use of the packaging apparatus of the high frequency communication module according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

10 : 제 1 시트 11 : 제 1 캐비티(cavity)10: first sheet 11: first cavity

12 : 제 1 금속 단자 13 : 제 1 시트 구조체12 first metal terminal 13 first sheet structure

20 : 제 2 시트 21 : 제 2 캐비티20: second sheet 21: second cavity

22 : 제 2 금속 단자 23 : 제 2 시트 구조체22: second metal terminal 23: second sheet structure

30 : 제 3 시트 31 : 제 3 캐비티30: Third sheet 31: Third cavity

32 : 급전선 33 : 제 3 시트 구조체32: feed line 33: third sheet structure

40 : 제 4 시트 41 : 제 4 캐비티 40: fourth sheet 41: fourth cavity

42 : 제 5 캐비티 43 : 제 4 시트 구조체42: fifth cavity 43: fourth sheet structure

본 발명은 본딩 와이어를 통해 고주파 통신 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 패키징 장치의 급전선 하부에 이중의 금속층을 형성함으로써, 이를 통해 병렬 커패시턴스를 형성해 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 감소시켜 고주파 영역에서의 급전선 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 하는, 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention forms a double metal layer under the feeder line of the packaging device electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency communication module through the bonding wire, thereby forming a parallel capacitance to reduce the high frequency parasitic inductance caused by the bonding wire A packaging apparatus for a high frequency communication module and a method for manufacturing the same, which can improve a feeder line transmission characteristic in an area.

일반적으로, 고주파 대역(1GHz ~ 30 GHz)의 높은 주파수에서 사용되는 고주파 통신 모듈은 그 주파수 특성에 의하여, 짧은 길이의 신호 전달용 선로 조차도 인덕턴스(Inductance)로 작용해서 그 제조가 매우 어려웠으나, 반도체 기술의 발달로 특정 소자에 고주파 통신 모듈을 집적(MMIC)화 시킬 수 있게 됨에 따라 그 사용되는 응용범위가 확대되기 시작하였다. In general, high frequency communication modules used at high frequencies in the high frequency band (1 GHz to 30 GHz), due to their frequency characteristics, are difficult to manufacture because even short-length signal transmission lines act as inductances. As the development of technology enables the integration of high frequency communication modules (MMIC) in specific devices, the scope of their applications has begun to expand.

하지만, 아직까지 그 집적화한 고주파 통신 모듈(MMIC)에 본딩 와이어를 통해 신호를 인가할 때 발생되는 기생 커패시턴스의 문제는 개선되어야할 여지도 남아 있는 실정인데, 도 1은 일반적인 고주파 모듈의 패키징 장치를 도시한 도면이다.However, the problem of parasitic capacitance generated when applying a signal through a bonding wire to the integrated high frequency communication module (MMIC) still needs to be improved. FIG. 1 illustrates a packaging device of a general high frequency module. One drawing.

이에 도시한 바와 같이, 일반적인 고주파 통신 모듈의 패키징 장치는 고주파 회로를 하나의 반도체 소자에 집적화한 고주파 통신 모듈(1)과, 그 고주파 통신 모듈(1)을 기계적으로 보호하기 위하여 세라믹(Ceramic) 또는 에폭시 수지판 등으로 이루어지는 기판(2)과, 고주파 통신 모듈(1)의 신호 전송을 위하여 상기 기판(2)상 에 도전성 물질로 부착 형성한 패드(Pad)(3)와, 고주파 통신 모듈(1)의 신호 입출력 단자와 패드(3)를 전기적으로 연결시켜주는 본딩 와이어(4)와, 그 패드(3)와 전기적으로 연결되어 그 고주파 통신 모듈(1)을 외부와 직접 전기적으로 연결하는 리드 프레임(5)과, 전술한 소자 등을 외부의 기계적 충격 등으로부터 보호하는 패키지 커버(6)로 구성된다. As shown in the drawing, a packaging apparatus of a general high frequency communication module includes a high frequency communication module 1 in which a high frequency circuit is integrated into one semiconductor element, and a ceramic or a ceramic to protect the high frequency communication module 1 mechanically. A substrate 2 made of an epoxy resin plate or the like, a pad 3 attached to and formed of a conductive material on the substrate 2 for signal transmission of the high frequency communication module 1, and a high frequency communication module 1. Bonding wire 4 electrically connecting the signal input / output terminals of the < RTI ID = 0.0 > and < / RTI > pad 3, and a lead frame electrically connected to the pad 3 to directly connect the high frequency communication module 1 to the outside. (5) and the package cover 6 which protects the above-mentioned element etc. from an external mechanical shock etc.

이러한, 일반적인 고주파 통신 모듈 패키징 장치는, 상기 리드 프레임(5)의 선로의 길이가 길게 형성됨으로 인하여 고주파에서 높은 인덕턴스 값을 가지게 될 뿐만 아니라, 특히 주파수가 증가할수록 본딩 와이어에 의한 기생 인덕턴스가 증가하게 되는데, 이러한 인덕턴스에 의하여 기생 발진이 발생하는 문제가 생기며, 또한 그로 인해 고주파 전송 특성 예컨대, 반사 손실이나 삽입 손실에 나쁜 영향을 미치게 되는 문제점이 발생된다.Such a general high frequency communication module packaging device has not only a high inductance value at a high frequency due to the length of the line of the lead frame 5 but also a parasitic inductance caused by the bonding wire increases as the frequency increases. The inductance causes parasitic oscillation, which also causes a problem of adversely affecting high frequency transmission characteristics such as reflection loss or insertion loss.

이에 본 발명은 상기한 문제점을 해소시키기 위하여 개발된 것으로, 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 감소시켜 고주파 영역에서의 급전선 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 하는, 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention was developed to solve the above problems, and to reduce the high frequency parasitic inductance due to the bonding wire to improve the feed line transmission characteristics in the high frequency region, packaging device of the high frequency communication module and a manufacturing method thereof The purpose is to provide.

이를 위해 본 발명은 본딩 와이어를 통해 고주파 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 급전선의 하부에 이중의 금속층을 형성함으로써, 이를 통해 병렬 커패시턴스를 형성하여 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 커패시턴스의 임피던스 매칭으로 감소시켜 고주파 영역에서 급전선의 전송 특성을 향상 시킬 수 있도록 한다.To this end, the present invention forms a double metal layer on the lower portion of the feeder line electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency module through the bonding wire, thereby forming a parallel capacitance to form a high-frequency parasitic inductance caused by the bonding wire to the impedance of the capacitance By reducing the matching, it is possible to improve the transmission characteristics of the feeder in the high frequency region.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명에 따른 고주파 통신 모듈의 패키징 장치 제조 방법에 대해 도 2내지 도 4를 참조하여 설명한다.First, a method for manufacturing a packaging apparatus for a high frequency communication module according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

상기 도 2내지 도 4는, 본 발명인 고주파 모듈의 패키징 장치 제조 방법을 도시한 공정 순서도이다.2 to 4 are process flowcharts illustrating a method for manufacturing a packaging device for a high frequency module according to the present invention.

우선, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 모듈의 패키징 장치 제조 방법은, 제 1 시트(10)의 중앙 영역에 제 1 캐비티(11)를 형성한다. First, as shown in FIG. 2, in the method for manufacturing a packaging apparatus for a high frequency module according to the present invention, the first cavity 11 is formed in the central region of the first sheet 10.

그런 다음, 인덕턴스 보상을 위해 상기 제 1 캐비티(11) 양측에 일정 거리만큼 이격된 한 쌍의 제 1 금속 단자(12)를 각기 인쇄하고, 상기 제 1 시트의 하면에는 도시되지 않은 접지층(G)을 인쇄하여 제 1 시트 구조체(13)를 형성한다.Then, a pair of first metal terminals 12 are printed on both sides of the first cavity 11 by a predetermined distance for inductance compensation, and a ground layer G is not shown on the bottom surface of the first sheet. ) Is printed to form the first sheet structure 13.

상기 인덕턴스 보상을 위한 제 1 금속 단자(12)는 상기 제 1 캐비티(11) 양측에 금, 은, 구리 중에서 선택된 어느 하나의 전도성 페이스트를 이용해 스크린 인쇄법으로 인쇄하여 형성하는 것이 바람직하다.The first metal terminal 12 for inductance compensation may be formed by printing by screen printing using any one of conductive pastes selected from gold, silver, and copper on both sides of the first cavity 11.

그리고, 상기 제 1 금속 단자(12)의 길이는 100㎛ ~ 500㎛로 하고, 선폭은 후속 공정에서 형성되는 급전선 선폭의 1배 ~ 10배 정도로 넓게 하는 것이 바람직한데, 특히 길이를 150㎛ ~ 300㎛로 하고, 선폭을 2배 ~ 6배정도로 하는 것이 가장 바람직하다.The length of the first metal terminal 12 is 100 μm to 500 μm, and the line width is preferably about 1 to 10 times wider than the width of the feeder line formed in a subsequent process. In particular, the length is 150 μm to 300 μm. It is most preferable to set it as micrometer and to set the line width about 2 to about 6 times.

한편, 상기 제 1 시트 구조체(13)의 형성 공정과는 별도로, 상기 제 1 캐비 티(11) 형상과 동일한 형상의 제 2 캐비티(21)를, 별도로 구비된 제 2 시트(20)의 중앙 영역에 형성하고, 상기 제 1 캐비티(11) 양측에 형성된 제 1 금속 단자보다 짧은 제 2 금속 단자(22) 한 쌍을 상기 제 2 캐비티(21)의 양측 각각에 인쇄하여, 제 2 시트 구조체(33)를 형성한다.On the other hand, apart from the process of forming the first sheet structure 13, the central region of the second sheet 20 provided with the second cavity 21 having the same shape as that of the first cavity 11 is provided separately. And a pair of second metal terminals 22 formed on each side of the second cavity 21 by printing a pair of second metal terminals 22 shorter than the first metal terminals formed on both sides of the first cavity 11. ).

이 때, 상기 제 2 금속 단자(22)는 상기 제 1 금속 단자(12)와 동일한 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 그리고, 그 길이는 50㎛ ~ 250㎛ 정도로 하는 것이 바람직하고, 그 선폭은 후속 공정에서 형성되는 급전선의 선폭보다 1배 ~ 10배정도 넓은 것이 바람직한데, 특히 그 길이가 100㎛ ~ 150㎛이고, 그 선폭이 급전선의 선폭보다 2배 ~ 6배정도 넓은 것이 가장 바람직하다.In this case, it is preferable that the second metal terminal 22 uses the same metal as the first metal terminal 12. The length is preferably about 50 to 250 µm, and the line width is preferably about 1 to about 10 times wider than the line width of the feeder formed in a subsequent step, particularly the length is 100 to 150 µm. It is most preferable that the line width is about 2 to 6 times wider than the line width of the feeder.

계속해서, 상기 제 1 시트 구조체(13) 및 제 2 시트 구조체(23)의 형성 공정과는 별도로, 상기 제 1 캐비티(11) 형상과 동일한 형상의 제 3 캐비티(31)를, 별도로 구비된 제 3 시트(30)의 중앙 영역에 형성하고, 이 형성한 제 3 캐비티(31) 양측에 급전선(32)을 연속적으로 길게 인쇄하여 제 3 시트 구조체(33)를 형성한다.Subsequently, apart from the process of forming the first sheet structure 13 and the second sheet structure 23, a third cavity 31 having the same shape as that of the first cavity 11 is separately provided. It forms in the center area | region of the 3 sheet | seat 30, and the 3rd sheet structure 33 is formed by continuously feeding the feed line 32 in the both sides of this formed 3rd cavity 31 continuously.

아울러, 상기 공정들, 즉, 제 1, 2, 3 시트 구조체 형성 공정과는 각기 별도로 상기 제 1 캐비티(11) 영역을 포함할 정도로 큰 제 4 캐비티(41)를, 별도로 구비한 제 4 시트(40)의 중앙 영역에 형성하고, 이와 동시에 또는 각기 상기 제 4 캐비티(41)의 양측에 각기 제 5 캐비티(42)를 형성하여 제 4 시트 구조체(43)를 형성한다.In addition, a fourth sheet having a fourth cavity 41 that is large enough to include the first cavity 11 region separately from the processes, that is, the first, second, and third sheet structure forming processes, The fourth sheet structure 43 is formed by forming a fourth cavity 42 in the center region of the center 40, and at the same time or in each of the fourth cavities 41, respectively.

상기 제 4 시트 구조체의 제 4, 5 캐비티(41, 42)는 자동 펀처(puncher) 또는 펀칭 금형 등을 이용해 형성하는 것이 바람직하다.The fourth and fifth cavities 41 and 42 of the fourth sheet structure are preferably formed using an automatic puncher or a punching die.

그리고, 상기 제 1, 2, 3, 4 시트 구조체 형성시 사용되는 시트(sheet)는 800℃ ~ 900℃ 정도에서도 소성이 가능한 세라믹 그린 시트를 사용하는 것이 바람직하다.In addition, the sheet used in forming the first, second, third, and fourth sheet structures may preferably use a ceramic green sheet capable of baking at about 800 ° C to 900 ° C.

덧붙여서, 상기 도 2에서 상기 제 4 캐비티의 상하 영역에 형성된 또 다른 캐비티(44)는 종래 시트 구조체에 형성되는 DC 라인을 노출시키는 것으로서, 이는 일반적인 기술에 속할 뿐만 아니라, 본 발명의 기술적 사상을 이탈하는 것이기에, 그에 대한 설명을 여기서는 생략한다In addition, another cavity 44 formed in the upper and lower regions of the fourth cavity in FIG. 2 exposes a DC line formed in a conventional sheet structure, which is not only a general technique but also deviates from the technical idea of the present invention. The description is omitted here.

다음, 상기 공정들을 통해 제 1, 2, 3, 4 시트 구조체(13, 23, 33, 43)가 형성되면, 이렇게 형성된 제 1, 2, 3 시트 구조체(13, 23, 33, 43)를 기술적 순서에 따라 순차적으로 적층하고, 일축압으로 가압하여 도 3에 도시된 바와 같이, 합체시킨다.Next, when the first, second, third, and fourth sheet structures 13, 23, 33, and 43 are formed through the above processes, the first, second, third sheet structures 13, 23, 33, and 43 thus formed are described. Laminated sequentially according to the order, pressurized by uniaxial pressure, as shown in Fig. 3, coalesced.

이 때, 층간 접합력이 약하면 소성 중에 층분리(de-lamination)가 일어나거나 모서리 부분이 뭉개질 수 있기 때문에, 각 층간의 접합력을 향상시키기 위하여 글루(glue)를 코팅하여 적층하고, 적층이 종료되면 800℃ ~ 900℃정도의 온도에서 소성시키는 것이 바람직하다.At this time, if the interlayer bonding strength is weak, de-lamination may occur during firing or the edges may be crushed. Thus, in order to improve the bonding strength between the layers, a glue is coated and laminated. It is preferable to bake at the temperature of about 800 to 900 degreeC.

마지막으로 제 1, 2, 3, 4 시트 구조체가 합체되면, 상기 제 1 시트 구조체(13)의 접지면(G)과 특정 금속(51)으로 둘레가 도금된 금속체(50)를 예컨대, AuSn이나 AuGe 등의 브레이징 합금을 이용해 접합시켜 본 발명을 종료한다(도 4).Finally, when the first, second, third, and fourth sheet structures are coalesced, the metal body 50 circumferentially plated with the ground plane G of the first sheet structure 13 and the specific metal 51 is, for example, AuSn. The present invention is completed by joining using a brazing alloy such as AuGe or the like (FIG. 4).

상기 금속체는 효과적인 열방출을 위하여 열전도성이 좋은 금속을 주로 사용하며, 예를 들면 Cu와 W가 혼합된 합금, Cu와 Mo이 혼합된 합금, 또는 Cu, Mo, Cu 가 순서대로 적층된 3층의 합금, Ni, Mo, Ni가 순서대로 적층된 3층의 합금 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.The metal body mainly uses a metal having good thermal conductivity for effective heat dissipation. For example, an alloy in which Cu and W are mixed, an alloy in which Cu and Mo are mixed, or 3 in which Cu, Mo and Cu are sequentially stacked. It is preferable to use any one selected from the alloy of the layer, Ni, Mo, and the alloy of three layers in which Ni was laminated in order.

그리고, 상기 금속체(50)의 둘레는 Ni 또는 Au 중에서 선택된 어느 하나 또는 두 종이 혼합된 것으로 도금되도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the circumference of the metal body 50 may be plated by mixing any one or two selected from Ni or Au.

이렇게 전술한 방법에 따라 제조되는 고주파 모듈의 패키징 장치는, 도 4에 도시된 바와 같이, 소정의 금속(51)으로 둘레가 도금된 금속체(50)와; 하면에 접지층이 형성되어 상기 금속체(50)의 상면과 접합되며, 중앙 영역에 제 1 캐비티가 형성되고, 상기 제 1 캐비티 양측 각각에 한 쌍의 제 1 금속 단자(12)가 형성되는, 제 1 시트 구조체(13)와; 상기 제 1 캐비티의 영역과 대응되는 위치에 제 2 캐비티가 형성되고, 상기 제 1 금속 단자(12)의 영역과 대응되는 위치의 제 2 캐비티 양측에 상기 제 1 금속 단자(12)보다 짧은 제 2 금속 단자(22)가 쌍으로 각기 형성되어 상기 제 1 시트 구조체(13) 상부에 적층되는, 제 2 시트 구조체(23)와; 상기 제 1 캐비티의 영역과 대응되는 위치에 제 3 캐비티가 형성되고, 상기 제 1 금속 단자(12)의 영역과 대응되는 제 3 캐비티의 양측에 급전선(32)이 연속적으로 길게 형성되어, 상기 제 2 시트 구조체(23) 상부에 적층되는, 제 3 시트 구조체(33)와; 상기 제 1 캐비티를 포함하는 영역에 제 4 캐비티가, 상기 급전선(32)의 영역에 대응되는 위치의 일부에 제 5 캐비티가 형성되어, 상기 제 3 시트 구조체(33) 상부에 적층되는 제 4 시트 구조체(43)로 이루어진다.Thus, the packaging apparatus of the high frequency module manufactured according to the above-described method, as shown in Figure 4, the metal body 50 is plated around the predetermined metal 51; A ground layer is formed on the bottom surface and is bonded to the top surface of the metal body 50, and a first cavity is formed in a central region, and a pair of first metal terminals 12 are formed on both sides of the first cavity. A first sheet structure 13; A second cavity is formed at a position corresponding to the area of the first cavity, and a second shorter than the first metal terminal 12 at both sides of the second cavity at a position corresponding to the area of the first metal terminal 12. A second sheet structure (23), in which metal terminals (22) are formed in pairs and stacked on top of the first sheet structure (13); A third cavity is formed at a position corresponding to the region of the first cavity, and a feed line 32 is continuously formed on both sides of the third cavity corresponding to the region of the first metal terminal 12 so that the third cavity is continuously formed. A third sheet structure 33, stacked on top of the two sheet structures 23; The fourth sheet is formed in the region including the first cavity, the fifth cavity is formed at a portion corresponding to the region of the feed line 32, the fourth sheet stacked on the third sheet structure 33 It consists of a structure 43.

이렇게 이루어진 본 발명의 고주파 통신 모듈의 패키징 장치는, 급전선(32)의 하부에 이중층의 금속 단자(12, 22)를 형성함으로써, 이를 통해 병렬 커패시턴 스를 형성하여 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 임피던스 매칭을 통하여 감소시켜 고주파 전송 특성을 향상시킨다. In the packaging apparatus of the high frequency communication module according to the present invention, the dual terminal metal terminals 12 and 22 are formed under the feed line 32, thereby forming parallel capacitance, thereby forming high frequency parasitic inductance due to the bonding wire. Is reduced through impedance matching to improve high frequency transmission characteristics.

도 5a와, 도 5b는 본 발명의 패키징 장치의 사용 양태에 대해 설명하기 위해, 본 발명에 따라 형성된 패키징 장치에 고주파 통신 모듈이 패키징된 사용 상태도의 평면도 및 그 단면도이다.5A and 5B are a plan view and a cross-sectional view of a use state diagram in which a high frequency communication module is packaged in a packaging device formed according to the present invention to explain the use aspect of the packaging device of the present invention.

상기 도 5a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 패키징 장치에서 제 3 시트 구조체(33)에 형성된 급전선(32)의 일부가 제 4 시트 구조체(43)에 형성된 제 4 캐비티와 제 5 캐비티를 통해 노출되어 있으며, 특히, 노출된 급전선의 일부는 소정의 본딩 와이어(62)를 통해 고주파 통신 모듈(60)의 상면에 형성된 패드(61)와 전기적으로 연결되어 있다.As shown in FIG. 5A, a portion of the feed line 32 formed in the third sheet structure 33 is exposed through the fourth cavity and the fifth cavity formed in the fourth sheet structure 43 in the packaging device of the present invention. In particular, a part of the exposed feeder line is electrically connected to the pad 61 formed on the upper surface of the high frequency communication module 60 through a predetermined bonding wire 62.

그리고, 도 5b에 도시된 바와 같이, 본딩 와이어(62)를 통해 고주파 통신 모듈(60)의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 급전선(32)의 하부에는 제 1 금속단자(12)와 제 2 금속 단자(22)로 이루어진 이중의 금속층이 형성되어 있으며, 이러한, 이중의 금속층은 급전선과 병렬 커패시턴스를 형성함으로써 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 감소시켜, 고주파 영역으로 갈수록 종래의 내부 금속층이 없는 급전선 구조보다 반사 손실은 커지게 하고, 삽입 손실은 급격하게 작아지게 하여, 이를 통해 급전선의 전송 특성을 향상시킬 수 있다.And, as shown in Figure 5b, the first metal terminal 12 and the second in the lower portion of the feed line 32 is electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency communication module 60 through the bonding wire 62. The double metal layer formed of the metal terminals 22 is formed, and the double metal layer forms a parallel capacitance with the feed line, thereby reducing the high frequency parasitic inductance caused by the bonding wire, and thus the feed line without the conventional inner metal layer toward the high frequency region. The reflection loss is made larger than the structure, and the insertion loss is made to be rapidly smaller, thereby improving the transmission characteristics of the feeder.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 고주파 모듈의 패키징 장치 및 그 제조 방법은 본딩 와이어를 통해 고주파 모듈의 상면에 형성된 패드와 전기적으로 연결되는 급전선의 하부에 이중의 금속층을 형성하여 본딩 와이어로 인한 고주파 기생 인덕턴스를 감소시켜 고주파 영역에서 급전선의 전송 특성을 향상시킬 수 있도록 하는 효과가 있다.As described above in detail, the packaging apparatus of the high frequency module and the manufacturing method thereof according to the present invention forms a double metal layer on the lower portion of the feed line electrically connected to the pad formed on the upper surface of the high frequency module through the bonding wire to the bonding wire. By reducing the high frequency parasitic inductance, there is an effect to improve the transmission characteristics of the feed line in the high frequency region.

본 발명은 기재된 구체적인 예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the invention has been described in detail only with respect to the specific examples described, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the spirit of the invention, and such modifications and variations belong to the appended claims.

Claims (7)

하면에는 접지층을 중앙에는 캐비티를 가지며 상기 캐비티의 양측에는 상호 이격된 한 쌍의 금속 단자를 각기 가진 제1시트 구조체를 형성하는 단계;Forming a first sheet structure having a ground layer on a lower surface thereof, a cavity in a center thereof, and a pair of metal terminals spaced apart from each other on both sides of the cavity; 중앙에 상기 캐비티와 동일한 형상의 캐비티를 가지며 그의 양측에 상기 금속 단자보다 짧은 길이의 한 쌍의 금속 단자를 가진 제2시트 구조체를 형성하는 단계;Forming a second sheet structure having a cavity in the center having the same shape as the cavity and having a pair of metal terminals having a length shorter than the metal terminals on both sides thereof; 중앙에 상기 캐비티와 동일한 캐비티를 가지며 그의 양측에 급전선을 가진 제3시트 구조체를 형성하는 단계;Forming a third sheet structure having the same cavity as the cavity in the center and having feed lines on both sides thereof; 중앙에 상기 캐비티보다 큰 크기의 캐비티를 가지며, 그 캐비티의 양측 각각에 소정 크기의 캐비티를 가진 제4시트 구조체를 형성하는 단계;Forming a fourth sheet structure having a cavity in a center larger than the cavity and having a cavity of a predetermined size on each side of the cavity; 상기 형성한 제1, 2, 3, 4 시트 구조체를 순차적으로 적층 합체하는 단계;Sequentially laminating and coalescing the formed first, second, third and fourth sheet structures; 상기 합체된 구조체를 소성하여 세라믹 구조체를 형성하는 단계;Firing the coalesced structure to form a ceramic structure; 상기 단계에 따라 소성된 세라믹 구조체의 접지면을 둘레가 도금된 금속체와 접합하는 단계를 포함하여 이루어지는 고주파 통신 모듈의 패키징장치 제조방법.A method of manufacturing a packaging apparatus for a high frequency communication module, comprising bonding a ground plane of a ceramic structure fired according to the above step with a metal body having a circumference. 제1항에 있어서, 상기 제1, 2, 3, 4시트는The method of claim 1, wherein the first, second, third, fourth sheet 세라믹 그린 시트인 것을 특징으로 하는, 고주파 통신 모듈의 패키징장치 제조방법.It is a ceramic green sheet, The manufacturing method of the packaging apparatus of a high frequency communication module. 둘레가 도금된 금속체;Circumferentially plated metal; 하면에 상기 금속체의 상면과 접합되는 접지층을 가지며, 중앙에 제1캐비티와 그 제1캐비티의 양측에 한 쌍의 제1금속단자를 구비한 제1시트구조체;A first sheet structure having a ground layer bonded to an upper surface of the metal body on a lower surface thereof, the first sheet structure having a first cavity in the center and a pair of first metal terminals on both sides of the first cavity; 상기 제1캐비티와 대응되는 위치에 제2캐비티를 가지며, 상기 제1금속단자와 대응되는 위치에 해당하는 상기 제2캐비티의 양측에 상기 제1금속단자보다 짧은 한 쌍의 제2금속단자를 구비하여 상기 제1시트구조체 상부에 형성된 제2시트구조체;A pair of second metal terminals having a second cavity at a position corresponding to the first cavity and shorter than the first metal terminal at both sides of the second cavity corresponding to a position corresponding to the first metal terminal; A second sheet structure formed on the first sheet structure; 상기 제1캐비티와 대응되는 위치에 제3캐비티를 가지며, 상기 제1금속단자와 대응되는 위치에 해당하는 상기 제3캐비티 양측에 급전선을 구비하여 상기 제2시트 구조체 상부에 형성된 제3시트구조체;A third sheet structure having a third cavity at a position corresponding to the first cavity, and having a feed line at both sides of the third cavity corresponding to the position corresponding to the first metal terminal and formed on the second sheet structure; 상기 제1캐비티 보다 큰 제4캐비티와 상기 급전선의 대응되는 위치의 일부에 형성되는 제5캐비티를 구비하여 상기 제3시트구조체 상부에 형성된 제4시트구조체를 포함하여 이루어진 고주파 통신 모듈의 패키징 장치.And a fourth cavity formed in a portion of a corresponding position of the feeder and the fourth cavity larger than the first cavity, and including a fourth sheet structure formed on the third sheet structure. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 금속 단자는;The method of claim 3, wherein the first metal terminal; 길이가 150㎛ ~ 300㎛이고,The length is 150 μm to 300 μm, 선폭이 급전선 선폭보다 2배 ~ 10배정도 넓은 것을 특징으로 하는, 고주파 통신 모듈의 패키징 장치.A packaging apparatus for a high frequency communication module, characterized in that the line width is 2 to 10 times wider than the feed line line width. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 금속 단자는;The method of claim 3, wherein the second metal terminal; 길이가 100㎛ ~ 150㎛이고, 100 μm to 150 μm in length, 선폭이 급전선 선폭보다 2배 ~ 6배정도 넓은 것을 특징으로 하는, 고주파 통신 모듈의 패키징 장치.A packaging apparatus for a high frequency communication module, characterized in that the line width is about 2 to 6 times wider than the feed line line width. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 금속 단자와 제 2 금속 단자는;The method of claim 3, wherein the first metal terminal and the second metal terminal; 금, 은, 구리 중에서 선택된 어느 하나의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 고주파 통신 모듈의 패키징 장치.A packaging device for a high frequency communication module, characterized in that it is made of any one metal selected from gold, silver, and copper. 제 3 항에 있어서, 상기 금속체는;The method of claim 3, wherein the metal body; 그 둘레가 Ni 또는 Au 중에서 선택된 어느 하나 또는 두 종이 혼합된 것으로 도금된 것을 특징으로 하는, 고주파 통신 모듈의 패키징 장치.The packaging device of the high frequency communication module, characterized in that the circumference is plated with a mixture of any one or two selected from Ni or Au.
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