KR100540862B1 - A method for preparing diffractive optical elements for a laser of ZnSe polycrystalline substrate - Google Patents

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Abstract

반응성 이온 에칭을 ZnSe 다결정 기판에 적용하는 경우, 이에 사용되는 반응성 기체는 탄화수소 그룹을 포함하지 않는 염소계 기체이다. 또는 반응성 기체는 탄화수소 그룹을 포함하지 않는 염소계 기체와 다른 기체를 혼합시킴으로써 제조된 기체이다. 기타 다른 기체로는 불활성 기체 또는 ZnSe와 반응하지 않는 기체가 있다. BCl3 기체는 염소계 기체의 한 종류이다. Ar 기체는 불활성 기체의 한 종류이다. RF 전력은 기체를 활성화시키는 하나의 수단이다.When reactive ion etching is applied to a ZnSe polycrystalline substrate, the reactive gas used therein is a chlorine-based gas that does not contain hydrocarbon groups. Or the reactive gas is a gas prepared by mixing a chlorine-based gas containing another hydrocarbon group with another gas. Other gases include inert gases or gases that do not react with ZnSe. BCl 3 gas is one type of chlorine-based gas. Ar gas is one kind of inert gas. RF power is one means of activating a gas.

ZnSe 다결정체, 회절형 광학 부품, 반응성 이온 에칭, 염소계 기체, 표면 조도, 표면 균일도.ZnSe polycrystals, diffractive optical components, reactive ion etching, chlorine-based gases, surface roughness, surface uniformity.

Description

ZnSe 다결정체의 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법{A method for preparing diffractive optical elements for a laser of ZnSe polycrystalline substrate}A method for preparing diffractive optical elements for a laser of ZnSe polycrystalline substrate

도 1은 본 발명의 양태에 따른 BCl3 기체를 사용한 에칭(etching)의 추정 메카니즘(mechanism)을 나타낸 것이다.1 shows the estimation mechanism of etching with BCl 3 gas according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 양태에 따라 수득된 에칭된 표면의 상태를 나타낸 것이다.2 shows the state of an etched surface obtained in accordance with an aspect of the present invention.

도 3은 본 발명의 기체 압력과 에칭된 표면 조도(roughness) 사이의 관계를 나타낸 것이다.3 shows the relationship between the gas pressure and etched surface roughness of the present invention.

도 4는 본 발명의 하전된 고주파 전력과 에칭된 표면 조도 사이의 관계를 나타낸 것이다.4 shows the relationship between the charged high frequency power and etched surface roughness of the present invention.

도 5는 본 발명의 BCl3 유량과 에칭된 표면 조도 사이의 관계를 나타낸 것이다.5 shows the relationship between the BCl 3 flow rate and etched surface roughness of the present invention.

도 6은 본 발명의 압력과 표면 균일성(uniformity) 사이의 관계를 나타낸 것이다.Figure 6 illustrates the relationship between pressure and surface uniformity of the present invention.

도 7은 표면 균일성을 측정하는 경우 표면 위의 측정 지점을 나타낸 것이다.7 shows measurement points on the surface when measuring surface uniformity.

도 8은 ZnSe 다결정을 사용한 DOE 제조방법의 공정을 나타낸 것이다.Figure 8 shows the process of the DOE manufacturing method using ZnSe polycrystals.

도 9는 레이저 드릴(laser drill) 가공에 대한 DOE의 적용을 예시한 것이다.9 illustrates the application of DOE to laser drill processing.

도 10은 레이저 드릴 가공을 포함하는 다른 레이저 가공에 대한 DOE의 적용을 예시한 것이다.10 illustrates the application of DOE to other laser processing, including laser drill processing.

도 11은 탄화수소계 기체를 사용한 종래의 에칭의 추정 메카니즘을 나타낸 것이다.Fig. 11 shows the estimation mechanism of the conventional etching using a hydrocarbon-based gas.

도 12는 종래의 에칭 방법에 의해 수득된 표면 상태를 나타낸 것이다.12 shows the surface state obtained by the conventional etching method.

본 발명은 일반적으로는 셀레늄화 아연(ZnSe) 다결정 기판의 에칭방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 부드럽게 에칭된 표면이 수득될 수 있는 ZnSe 다결정 기판의 에칭방법에 관한 것이다.The present invention relates generally to a method of etching zinc selenide (ZnSe) polycrystalline substrates. In particular, the present invention relates to a method of etching a ZnSe polycrystalline substrate from which a smoothly etched surface can be obtained.

휴대 전화, 개인용 컴퓨터 등에 사용되는 전기 부품 및 전기 장치가 소형화됨에 따라, 보다 정밀하고 보다 빠른 속도의 드릴 가공(drill processing)에 대한 필요성이 커지고 있다. 회절 광학 부품(diffractive optical element)의 적용이 이러한 필요성을 충족시켜주는 주요한 장치로서 개발되었다.With the miniaturization of electrical components and electrical devices used in cellular phones, personal computers and the like, there is a growing need for more precise and faster drill processing. The application of diffractive optical elements has been developed as the primary device for meeting this need.

굴절 및/또는 반사를 이용하는 통상적인 광학 부품과는 상이하게, DOE는 광학 회절을 이용하고, 상을 직접 조절하므로, 이에 의해 빔 분광(beam splitting)을 포함하는 광범위한 적용을 예상할 수 있는 광학 부품이 제조된다. 도 9는 이산화탄소 기체 레이저를 사용하는 드릴 가공에 DOE가 이용되는 예를 나타낸 것이다. DOE를 사용함으로써 하나의 가공 레이저 빔을 다수의 점으로 분리할 수 있고, 동시 에 다수의 구멍을 뚫을 수 있으며, 따라서, 미세한 구멍을 고속으로 가공할 수 있다. DOE를 다른 레이저 공정에 이용하는 예를 도 10에 나타낸다.Unlike conventional optical components that use refraction and / or reflection, DOE uses optical diffraction and directly modulates the image, whereby optical components can be expected for a wide range of applications including beam splitting. Is manufactured. 9 shows an example in which DOE is used for drilling using a carbon dioxide gas laser. By using DOE, one processing laser beam can be separated into a number of points, and many holes can be drilled at the same time, so that minute holes can be processed at high speed. An example of using DOE for another laser process is shown in FIG. 10.

ZnSe는 적외선 투과율이 뛰어나며, 이산화탄소 기체 레이저용 광학 부품 물질로서 사용된다. 일반적으로, 광학 부품으로서 통상 사용되는 직경이 1 또는 2인치이고, 두께가 수 ㎜인 ZnSe에 있어서, 비용 측면에서 단결정 광학 부품 대신 다결정 광학 부품이 사용된다. 대부분의 경우, 화학증착(CVD) 방법에 의해 합성된 고순도 ZnSe 다결정이 사용된다.ZnSe has excellent infrared transmittance and is used as an optical component material for carbon dioxide gas lasers. In general, for ZnSe having a diameter of 1 or 2 inches and a thickness of several millimeters that are commonly used as optical components, polycrystalline optical components are used instead of single crystal optical components in terms of cost. In most cases, high purity ZnSe polycrystals synthesized by chemical vapor deposition (CVD) methods are used.

도 8은 ZnSe 다결정을 사용한 DOE의 일반적인 제조 단계를 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram illustrating general manufacturing steps of a DOE using ZnSe polycrystals.

단계 A: Zn 및 H2Se로부터 ZnSe 다결정을 합성하는 단계.Step A: Synthesis of ZnSe polycrystals from Zn and H 2 Se.

단계 B: ZnSe 다결정을 절단하고, ZnSe 다결정 기판(1)을 형성시키고, 이의 기판을 연마(polishing)하는 단계.Step B: cutting the ZnSe polycrystal, forming the ZnSe polycrystalline substrate 1, and polishing the substrate thereof.

단계 C: ZnSe 다결정 기판(1) 위에 레지스트층(2)을 형성시키는 단계.Step C: forming a resist layer 2 on the ZnSe polycrystalline substrate 1.

단계 D: 광마스크(photomask)(3)를 사용하여 광(4)을 선택적으로 조사(irradiating)하고, 레지스트층(2) 위에 인쇄된 패턴을 형성시키는 단계.Step D: selectively irradiating light 4 using a photomask 3 and forming a printed pattern on the resist layer 2.

단계 D 및 단계 E: 레지스트층(2)을 현상하고, 레지스트 패턴(5)을 형성시키는 단계.Step D and Step E: developing resist layer 2 and forming resist pattern 5.

단계 F: 레지스트 패턴(5)에 의해 ZnSe 다결정 기판(1)을 반응성 이온 에칭(reactive ion etching; RIE)하고, 기판(1) 위에 패턴(1a)을 형성시키는 단계.Step F: Reactive ion etching (RIE) the ZnSe polycrystalline substrate 1 by the resist pattern 5 and forming a pattern 1a on the substrate 1.

단계 G: 레지스트 패턴(5)을 제거하는 단계.Step G: removing the resist pattern 5.

단계 H: ZnSe 다결정 기판(1) 위에 무반사(anti reflection) 피막(6)을 형성시키는 단계.Step H: forming an anti reflection film 6 on the ZnSe polycrystalline substrate 1.

DOE는 상기 일련의 단계(A 내지 H)를 통해 수득할 수 있다.DOE can be obtained through the above series of steps (A to H).

도 8의 단계 F에 사용된 RIE 방법에 의해, 반응성 기체로부터 생성되는 라디칼과 기판 표면 위의 ZnSe 사이에서 화학 반응이 발생되며, 이에 의해 2차 생성물이 생성된다. 이어서, 이러한 2차 생성물을 스퍼터링(sputtering)에 의해 제거한다. 이와 같은 방식으로 에칭이 진행된다.By the RIE method used in step F of FIG. 8, a chemical reaction occurs between the radicals generated from the reactive gas and ZnSe on the substrate surface, thereby producing a secondary product. This secondary product is then removed by sputtering. Etching proceeds in this manner.

RIE 방법의 에칭 기체로서는 시그널 결정에 통상 사용되는 탄화수소계 기체가 공지되어 있다. 그러나, 에칭 기체로서 탄화수소계 기체를 사용하는 경우, 에칭 속도는 다결정 그레인(grain)의 결정 방향에 따라 크게 좌우된다. 따라서, 도 12에 나타낸 바와 같이, ZnSe 다결정 표면은 거칠어지며, DOE의 광학 특성이 열화된다.As the etching gas of the RIE method, a hydrocarbon-based gas usually used for signal determination is known. However, when using a hydrocarbon-based gas as the etching gas, the etching rate greatly depends on the crystal direction of the polycrystalline grains. Thus, as shown in Fig. 12, the ZnSe polycrystalline surface becomes rough, and the optical properties of the DOE deteriorate.

도 11에 나타낸 메카니즘으로 인하여, 에칭 기체로서 탄화수소계 기체를 사용하는 경우 에칭 속도가 다결정 그레인의 결정 방향에 따라 크게 좌우된다는 사실이 예상된다.Due to the mechanism shown in FIG. 11, it is expected that the etching rate greatly depends on the crystal direction of the polycrystalline grains when using a hydrocarbon-based gas as the etching gas.

탄화수소계 기체를 사용하는 경우, 기체는 기판 표면에서 ZnSe와 반응하여, 디메틸아연, 디메틸셀레나이드 등과 같은 금속-유기 화합물의 2차 생성물을 생성시킨다. 이들은 증기압이 높고, 생성과 동시에 기판 표면으로부터 탈착되는 성향이 강하다. 따라서, 스퍼터링에 의해 제거되는 비율은 작다. 즉, 에칭 속도는 라디칼과 기판 표면 위의 ZnSe 사이의 반응에 따라 크게 좌우된다.When using a hydrocarbon-based gas, the gas reacts with ZnSe at the substrate surface to produce a secondary product of metal-organic compounds such as dimethylzinc, dimethyl selenide, and the like. They have a high vapor pressure and a strong tendency to desorb from the surface of the substrate at the same time of production. Therefore, the ratio removed by sputtering is small. That is, the etch rate is highly dependent on the reaction between radicals and ZnSe on the substrate surface.

다결정에 있어서, 앞면 표면 위의 원자 밀도는 결정 그레인의 결정 방향에 따라 상이하지만, 반응성 에칭 기체로부터 생성된 라디칼은 균일하게 표면에 도달한다. 따라서, 원자 밀도가 작은 결정 그레인에 비하여 표면 위의 원자 밀도가 높은 결정 그레인의 경우, 보다 서서히 에칭이 진행된다. 에칭 속도가 결정성 그레인의 결정 방향에 따라 상이하므로, 에칭 후의 각각의 결정 그레인은 불균일해진다.In polycrystals, the atomic density on the front surface is different depending on the crystallographic direction of the crystal grains, but the radicals generated from the reactive etching gas uniformly reach the surface. Therefore, in the case of crystal grains having a high atomic density on the surface as compared with crystal grains having a small atomic density, etching proceeds more slowly. Since the etching rate differs depending on the crystal direction of the crystalline grain, each crystal grain after etching becomes nonuniform.

본 발명에 의해 부드럽게 에칭된 표면이 수득될 수 있는 개선된 ZnSe 다결정 기판의 에칭방법이 제공된다.
The present invention provides an improved method of etching ZnSe polycrystalline substrates from which a smoothly etched surface can be obtained.

본 발명에 따라, ZnSe 다결정 기판은 탄화수소 그룹을 포함하지 않는 염소계 기체에 의한 반응성 이온 에칭법에 의해 에칭된다. 염소계 기체로서는 BCl3 기체가 바람직하게 사용된다. 또한, 불활성 기체 또는 ZnSe와 반응하지 않는 기체를 상술한 염소계 기체와 혼합할 수 있다. Ar 기체를 불활성 기체로서 사용할 수 있다. 또한, 상술한 반응성 이온 에칭은 0.5Pa 내지 1Pa에서 수행되는 것이 바람직하다. 본 기체를 활성시키는데는 고주파(RF) 전력을 사용할 수 있다.According to the present invention, ZnSe polycrystalline substrates are etched by reactive ion etching with a chlorine-based gas containing no hydrocarbon groups. As the chlorine-based gas, BCl 3 gas is preferably used. In addition, an inert gas or a gas which does not react with ZnSe can be mixed with the above-described chlorine-based gas. Ar gas can be used as the inert gas. In addition, the above-mentioned reactive ion etching is preferably performed at 0.5Pa to 1Pa. High frequency (RF) power can be used to activate the gas.

이하에서, 본 발명의 양태를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

도 1(A)에 따라서, CVD법에 의해 형성된 ZnSe 다결정 기판(1)(직경: 2인치, 두께: 5㎜)이 제조된다. ZnSe 다결정 기판(1)을 RIE법으로 에칭한다. 에칭 조건은 0.8Pa의 압력, 5sccm의 BCl3 유량, 90W의 RF 전력, 및 90분의 에칭 시간을 포함한다. 에칭 깊이는 대략 4㎛이다. 에칭된 표면의 상태를 도 2에 나타낸다. 표면 조도(Ra)는 5nm이다.According to Fig. 1A, a ZnSe polycrystalline substrate 1 (diameter: 2 inches, thickness: 5 mm) formed by the CVD method is manufactured. The ZnSe polycrystalline substrate 1 is etched by the RIE method. Etching conditions include a pressure of 0.8 Pa, a BCl 3 flow rate of 5 sccm, an RF power of 90 W, and an etching time of 90 minutes. The etching depth is approximately 4 μm. The state of the etched surface is shown in FIG. Surface roughness Ra is 5 nm.

본 발명의 양태에 의해 수득된 ZnSe 다결정 기판의 표면 상태의 표면 균일성은 3.1%이다. 도 7을 참조하면, 표면 균일성은 2인치 기판의 외부 원주로부터 5㎜에 위치한 4개의 지점과 이의 중심 지점의 에칭된 깊이에 기초하는 하기 식에 의해 정의된다.The surface uniformity of the surface state of the ZnSe polycrystalline substrate obtained by the embodiment of the present invention is 3.1%. Referring to FIG. 7, the surface uniformity is defined by the following equation based on the etched depth of the four points located 5 mm from the outer circumference of the 2-inch substrate and its central point.

표면 균일성 = {(최대 깊이값) - (최소 깊이값)}/{(최대 깊이값) + (최소 깊이값)}Surface uniformity = {(maximum depth value)-(minimum depth value)} / {(maximum depth value) + (minimum depth value)}

이러한 평활한 표면은 아래와 같이 이해할 수 있는 본 양태에 의해 수득될 수 있다.Such a smooth surface can be obtained by the present embodiment which can be understood as follows.

도 1(A) 및 1(B)에 있어서, 반응성 이온 에칭이 BCl3 등과 같은 염소계 기체에 의해 ZnSe 다결정 기판(1)에서 수행되는 경우, 우선 ZnCl2, Se2Cl2, SeCl4 등과 같은 증기압이 낮은 2차 생성물(7)이 생성된다. 이러한 염화물은 증기압이 낮으므로, 즉시 탈착되지는 않지만, ZnSe 다결정 기판(1)의 표면 주위를 이동하여 균일하게 분배된다[참조: 도 1(B) 및 도1(C)].1 (A) and 1 (B), when reactive ion etching is performed on a ZnSe polycrystalline substrate 1 by a chlorine-based gas such as BCl 3 , firstly, vapor pressure such as ZnCl 2 , Se 2 Cl 2 , SeCl 4, or the like This low secondary product 7 is produced. Since these chlorides have low vapor pressure, they are not immediately desorbed, but are distributed evenly around the surface of the ZnSe polycrystalline substrate 1 (see Figs. 1 (B) and 1 (C)).

이어서, 도 1(D) 및 도 1(E)에 있어서, 스퍼터링 이온(양이온)에 의해 2차 생성물(7)이 제거되면, 신규한 ZnSe 다결정 기판(1) 생성된다.1 (D) and 1 (E), when the secondary product 7 is removed by sputtering ions (cations), a novel ZnSe polycrystalline substrate 1 is produced.

도 1(A) 내지 도 1(E)의 작동을 반복하면, ZnSe 다결정 기판(1)의 표면이 점차 에칭된다. 따라서, ZnSe 다결정 기판(1)의 표면은 결정 그레인의 결정 방향과 상관없이 균일하게 에칭되며, 따라서 평활한 표면을 수득할 수 있다.By repeating the operation of Figs. 1A to 1E, the surface of the ZnSe polycrystalline substrate 1 is gradually etched. Therefore, the surface of the ZnSe polycrystalline substrate 1 is etched uniformly regardless of the crystal direction of the crystal grains, so that a smooth surface can be obtained.

또한, 에칭용으로 사용된 기체와 Ar 기체 등을 혼합하면, 무거운 이온화된 그레인이 효과적으로 스퍼터링되고, 2차 생성물이 제거된다.In addition, by mixing the gas used for etching with Ar gas or the like, heavy ionized grains are effectively sputtered and secondary products are removed.

또한, 반응성 이온 에칭이 0.5Pa 내지 1Pa의 기체 압력에서 수행되는 경우, 표면내의 2차 생성물의 제거가 단일화되므로, 기판 표면내의 에칭 속도의 균일성이 향상된다.In addition, when reactive ion etching is performed at a gas pressure of 0.5 Pa to 1 Pa, since the removal of secondary products in the surface is unified, the uniformity of the etching rate in the substrate surface is improved.

비교하기 위해, 종래의 기술에 따른 방법에 따라 에칭을 수행한다. 즉, 본 발명의 양태와 동일한 방법으로 형성된 ZnSe 다결정을 반응성 기체로서 메탄 가스를 사용하여 에칭한다.For comparison, etching is performed according to the method according to the prior art. That is, ZnSe polycrystals formed in the same manner as in the embodiment of the present invention are etched using methane gas as the reactive gas.

에칭 조건은 5sccm의 CH4 유량, 1Pa의 압력, 및 0.5W/㎠의 RF 전력이 포함되며, 에칭 시간은 180분이고, 에칭 깊이는 대략 4㎛이다. 이러한 경우 에칭된 표면의 상태는 도 12에 나타낸 바와 같다. 표면 조도(Ra)는 80nm이며, 표면은 거울 표면(mirror surface)이 아니다.Etching conditions include a CH 4 flow rate of 5 sccm, a pressure of 1 Pa, and an RF power of 0.5 W / cm 2, with an etching time of 180 minutes and an etching depth of approximately 4 μm. In this case the state of the etched surface is as shown in FIG. The surface roughness Ra is 80 nm and the surface is not a mirror surface.

지금부터, 본 발명의 양태에서의 에칭 조건과 이렇게 수득된 에칭된 표면의 특성 사이의 관계를 설명한다.The relationship between the etching conditions in the embodiments of the present invention and the properties of the etched surface thus obtained will now be described.

1. 기체 압력과 표면 조도 사이의 관계1. Relationship between gas pressure and surface roughness

본 발명에 따르는 ZnSe 다결정 기판의 에칭 방법에 의한 기체 압력과 표면 조도의 관계를 도 3에 나타낸다. 평형 기체 압력에서, 다른 조건을 각각의 실험을 수행하면서 변화시키고, 결과를 도표내에 기록한다. 도 3으로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 기체 압력과 표면 조도 사이에는 상당한 관계가 없다.The relationship between the gas pressure and the surface roughness by the etching method of the ZnSe polycrystal substrate according to the present invention is shown in FIG. 3. At equilibrium gas pressure, different conditions are changed as each experiment is performed, and the results are recorded in the plot. As can be appreciated from FIG. 3, there is no significant relationship between gas pressure and surface roughness.

2. 고주파(RF) 전력과 표면 조도 사이의 관계2. Relationship between high frequency (RF) power and surface roughness

도 4는 고주파(RF) 전력과 표면 조도 사이의 관계를 나타낸 도표이다. 도 4로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 0.45W/㎠의 고주파 전력 부근에서 가장 바람직한 조도가 수득될 수 있다.4 is a diagram showing the relationship between high frequency (RF) power and surface roughness. As can be appreciated from FIG. 4, the most preferable illuminance can be obtained in the vicinity of the high frequency power of 0.45 W / cm 2.

3. BCl3 유량과 표면 조도 사이의 관계3. Relationship between BCl 3 flow rate and surface roughness

도 5는 BCl3 유량과 표면 조도 사이의 관계를 나타낸 도표이다. 도 5로부터 이해할 수 있는 바와 같이, BCl3 유량과 표면 조도 사이의 의존관계는 매우 작다.5 is a graph showing the relationship between BCl 3 flow rate and surface roughness. As can be appreciated from FIG. 5, the dependency between the BCl 3 flow rate and the surface roughness is very small.

4. 압력과 표면 균일성 사이의 관계4. Relationship between pressure and surface uniformity

이어서, 압력과 표면 균일성 사이의 관계를 설명한다. 도 6은 압력과 표면 균일성 사이의 관계를 나타낸 것이다. 도 6으로부터 이해할 수 있는 바와 같이, 압력이 낮을수록 표면 균일성이 우수해진다. 그러나, 0.5Pa 이하의 저압 영역에서는, 플라스마(plasma)가 안정적으로 생성되지 않으며, 에칭을 수행할 수 없을 수도 있다.Next, the relationship between pressure and surface uniformity will be described. 6 shows the relationship between pressure and surface uniformity. As can be understood from FIG. 6, the lower the pressure, the better the surface uniformity. However, in the low pressure region of 0.5 Pa or less, plasma is not stably generated and etching may not be performed.

BCl3 기체에 의해 생성될 것으로 예상되는 2차 생성물의 낮은 증기압에 의해 평활하게 에칭된 표면이 수득될 수 있다는 사실을 알 수 있다. 각 생성물의 비점은, ZnCl2이 753℃, Se2Cl2는 130℃이며, SeCl4는 305℃이다. 한편, 메탄 가스를 사용하여 에칭을 수행하는 경우 생성될 것으로 예상되는 2차 생성물인, (CH3)2Zn의 비점은 44℃이며, (CH3)2Se는 55℃이다.It can be seen that a smoothly etched surface can be obtained by the low vapor pressure of the secondary product expected to be produced by the BCl 3 gas. The boiling point of each product is ZnCl 2 of 753 ° C, Se 2 Cl 2 of 130 ° C, and SeCl 4 of 305 ° C. On the other hand, the boiling point of (CH 3 ) 2 Zn, a secondary product expected to be produced when etching is performed using methane gas, is 44 ° C, and (CH 3 ) 2 Se is 55 ° C.

본원에 기재된 양태는 모든 양태중 하나의 예이므로, 이로써 본 발명의 범주가 한정되지 않음을 이해해야 한다. 본 발명의 범주는 상술한 설명에 의해서가 아니라, 본 발명의 특허청구의 범위의 범주에 의해 명시되며, 본 발명의 특허청구의 범위의 균등물 및 이의 범주내의 모든 개질을 포함하기 위한 것이다.It is to be understood that the embodiments described herein are examples of one of all embodiments and thus are not intended to limit the scope of the invention. It is intended that the scope of the invention be defined not by the foregoing description, but by the scope of the claims of the present invention, and include equivalents of the claims of the present invention and all modifications within the scope thereof.

본 발명의 ZnSe 다결정의 에칭방법에 따라, 탄화수소 그룹을 함유하지 않는 염소계 기체를 사용하는 반응성 에칭 방법에 의해 ZnSe 다결정 기판이 에칭되므로, 증기압이 낮은 2차 생성물이 생성된다. 다결정 기판의 표면은 균일한 2차 생성물로 피복되고, 본 2차 생성물을 스퍼터링에 의해 제거함으로써 평활한 에칭 표면이 수득된다.
According to the etching method of the ZnSe polycrystal of the present invention, the ZnSe polycrystalline substrate is etched by the reactive etching method using a chlorine-based gas containing no hydrocarbon group, thereby producing a secondary product having a low vapor pressure. The surface of the polycrystalline substrate is covered with a uniform secondary product, and a smooth etch surface is obtained by removing the secondary product by sputtering.

Claims (11)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete Zn과 H2Se를 사용하여 ZnSe 다결정체를 합성하는 단계 및Synthesizing a ZnSe polycrystal using Zn and H 2 Se, and 이와 같이 합성된 ZnSe 다결정체로부터 잘라낸 ZnSe 다결정 기판을, 탄화수소 그룹을 포함하지 않는 염소계 기체를 사용하여, 반응성 이온 에칭법(reactive ion etching)으로 기체 압력 0.5 내지 1Pa에서 에칭하는 단계를 포함하는, ZnSe 다결정체의 이산화탄소 기체 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법.ZnSe polycrystalline substrates cut out from the ZnSe polycrystals thus synthesized are etched at a gas pressure of 0.5 to 1 Pa by reactive ion etching using a chlorine-based gas containing no hydrocarbon group. A method for producing a diffractive optical component for polycrystalline carbon dioxide gas laser. 제7항에 있어서, 염소계 기체가 BCl3 기체를 포함함을 특징으로 하는, ZnSe 다결정체의 이산화탄소 기체 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법.The method of manufacturing a diffractive optical component for a carbon dioxide gas laser of ZnSe polycrystals according to claim 7, wherein the chlorine-based gas comprises BCl 3 gas. 제7항에 있어서, 불활성 기체 또는 ZnSe와 반응하지 않는 기체를 염소계 기체에 혼합하여 실시함을 특징으로 하는, ZnSe 다결정체의 이산화탄소 기체 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법.The method of manufacturing a diffractive optical component for a carbon dioxide gas laser of ZnSe polycrystals according to claim 7, wherein the inert gas or the gas which does not react with ZnSe is mixed with a chlorine-based gas. 제9항에 있어서, 불활성 기체가 Ar을 포함함을 특징으로 하는, ZnSe 다결정체의 이산화탄소 기체 레이저용 회절형 광학부품의 제조방법.10. The method of manufacturing a diffractive optical component for a carbon dioxide gas laser of ZnSe polycrystals according to claim 9, wherein the inert gas contains Ar. 삭제delete
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