KR100537928B1 - Managing system and method of thickness data for semiconductor device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소정의 증착공정을 통해 반도체 기판 상에 물질층 패턴이 증착되고 상기 물질층 패턴을 연마 대상물으로 하는 화학기계적 연마 공정이 진행되는 과정에서 상기 연마 대상물의 두께 측정 과정을 간소화시킬 수 있는 반도체 소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템 및 방법에 관한 것으로서,The present invention is a semiconductor that can simplify the process of measuring the thickness of the polishing object during the process of depositing a material layer pattern on the semiconductor substrate through a predetermined deposition process and a chemical mechanical polishing process using the material layer pattern as the polishing object. As a system and method for sharing pattern thickness information of devices,

본 발명에 따른 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템은 증착 설비, CMP 설비 및 계측 설비와 소정의 통신연결관계를 맺은 상태에서, 상기 증착 설비에서의 증착 공정으로 형성된 패턴에 대하여 상기 계측 설비에 의해 측정된 두께 정보를 분류하여 자체 내의 해당 영역에 선택적으로 저장하는 패턴 두께 정보 DB와, 상기 패턴 두께 정보를 상기 패턴 두께 정보 DB의 필요 영역에 선택적으로 저장하거나 출력하는 DB 관리모듈과, 상기 DB 관리모듈과 소정의 통신관계를 형성하며, 상기 계측 설비에 의해 측정된 패턴 두께 정보를 상기 DB 관리모듈을 매개로 상기 패턴 두께 정보 DB에 선택적으로 저장하거나 저장된 패턴 두께 정보를 추출하여 상기 CMP 설비로 전달하는 역할을 수행하는 패턴 두께 정보 제어모듈을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The pattern thickness information sharing system of the semiconductor device according to the present invention is measured by the measurement equipment for the pattern formed by the deposition process in the deposition equipment in a predetermined communication connection relationship with the deposition equipment, the CMP equipment and the measurement equipment. A pattern thickness information DB for classifying the stored thickness information and selectively storing the pattern thickness information in a corresponding area within the DB, a DB management module for selectively storing or outputting the pattern thickness information in a required area of the pattern thickness information DB, and the DB management module And form a predetermined communication relationship, and selectively store the pattern thickness information measured by the measurement facility in the pattern thickness information DB through the DB management module or extract the stored pattern thickness information and transfer the pattern thickness information to the CMP facility. Characterized in that it comprises a pattern thickness information control module to perform a role.

Description

반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템 및 방법{Managing system and method of thickness data for semiconductor device} System and method for sharing pattern thickness information of semiconductor device {Managing system and method of thickness data for semiconductor device}

본 발명은 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소정의 증착 공정을 통해 반도체 기판 상에 물질층 패턴이 증착되고 상기 물질층 패턴을 연마 대상물으로 하는 화학기계적 연마 공정이 진행되는 과정에서 상기 연마 대상물의 두께 측정 과정을 간소화시킬 수 있는 반도체 소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a system and method for sharing pattern thickness information of a semiconductor device, and more particularly, to a chemical mechanical polishing process in which a material layer pattern is deposited on a semiconductor substrate through a predetermined deposition process, and the material layer pattern is a polishing object. The present invention relates to a system and method for sharing pattern thickness information of a semiconductor device capable of simplifying the thickness measurement process of the polishing object.

반도체소자의 고집적화가 진행됨에 따라 반도체소자의 설계 룰(rule)이 미세화되면서 모스(MOS) 트랜지스터의 소스/드레인의 사이즈 및 게이트 전극의 선폭과 금속 배선의 선폭이 축소되고 있다. 이와 같은 미세 선폭의 반도체 소자를 구현하기 위해 여러 가지 새로운 공정이 도입되었는데 그 중 하나가 화학기계적 연마(CMP : Chemical Mechanical Polishing) 공정이다. 화학기계적연마 공정은 특정의 물질층에 대해 표면을 평탄화시키는 방법으로서, 기계적 힘을 통해 연마하는 동시에 슬러리(slurry)를 통한 화학적 반응을 일으켜 반도체 기판 상의 특정의 물질층을 평탄화하는 방법이다. 이와 같은 화학기계적 연마 공정은 연마 두께의 정밀성 및 기판 전체에 대한 균일한 연마 수행 등의 장점을 갖춤에 따라, 최근 미세 선폭의 반도체소자 구현에 있어서 필수적인 공정이 되었다.As the integration of semiconductor devices increases, the design rules of semiconductor devices become finer, and thus the source / drain size of the MOS transistor, the line width of the gate electrode, and the line width of the metal wiring are reduced. Various new processes have been introduced to realize such fine line width semiconductor devices, and one of them is the chemical mechanical polishing (CMP) process. The chemical mechanical polishing process is a method of planarizing a surface for a specific layer of material, a method of polishing through mechanical force and chemical reaction through a slurry to planarize a specific layer of material on a semiconductor substrate. Such a chemical mechanical polishing process has the advantages of precision of polishing thickness and uniform polishing of the entire substrate, and has become an essential process in the implementation of semiconductor devices having a fine line width in recent years.

한편, 화학기계적 연마 공정이 적용되기 위해서는 반도체 기판 상에 소정의 연마 대상물이 존재하여야 한다. 상기 연마 대상물은 화학기상증착법 또는 물리기상증착법 등을 통하여 형성되는데, 구체적인 예로서 플러그를 형성하기 위해 소정의 비아홀을 포함한 기판 전면에 플러그용 금속층을 물리기상증착법으로 적층하는 경우 또는 금속 배선이 형성되어 있는 기판 상에 층간절연막을 증착하는 경우, 상기 플러그용 금속층과 층간절연막은 화학기계적연마 공정의 연마 대상물이 된다.Meanwhile, in order to apply the chemical mechanical polishing process, a predetermined polishing object must exist on the semiconductor substrate. The polishing object may be formed through chemical vapor deposition or physical vapor deposition. As a specific example, a metal layer for plugging is formed by physical vapor deposition or a metal wiring is formed on the entire surface of a substrate including a predetermined via hole to form a plug. When the interlayer insulating film is deposited on the substrate, the plug metal layer and the interlayer insulating film are the polishing targets of the chemical mechanical polishing process.

상기와 같이 소정의 증착 공정을 통한 연마 대상물의 적층이 완료되면 상기 연마 대상물을 소정 두께만큼 연마하는 화학기계적연마 공정이 진행되는 것이다.As described above, when lamination of the polishing object through a predetermined deposition process is completed, a chemical mechanical polishing process of polishing the polishing object by a predetermined thickness is performed.

상기의 증착 공정과 화학기계적연마 공정을 순차적으로 진행하는 과정을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다. The process of sequentially performing the deposition process and the chemical mechanical polishing process will be described in detail as follows.

전술한 바와 같이, 증착 공정은 화학기상증착법 또는 물리기상증착법 등을 통하여 소정의 물질층 즉, 연마 대상물을 반도체 기판 상에 증착하는 것으로서, 상기 증착 공정이 완료되면 증착된 연마 대상물의 두께가 기 설정된 두께와 일치하는지 여부를 확인하기 위해 그 두께를 소정의 계측 설비를 이용하여 측정한다. 측정된 두께가 기 설정된 즉, 목표된 두께와 일치하면 다음의 공정인 화학기계적 연마 공정으로 넘어가게 된다.As described above, the deposition process is to deposit a predetermined layer of material, that is, a polishing object, on a semiconductor substrate through chemical vapor deposition or physical vapor deposition. When the deposition process is completed, the thickness of the deposited polishing object is preset. The thickness is measured using a predetermined metrology facility in order to confirm whether it matches the thickness. If the measured thickness coincides with the predetermined thickness, that is, the target thickness, the process proceeds to the next process, chemical mechanical polishing.

여기서, 상기 증착 공정과 화학기계적 연마 공정은 각각 다른 설비에서 공정이 진행됨에 따라 증착 공정이 완료된 반도체 기판은 화학기계적 연마 공정을 수행하는 소정의 설비 즉, CMP 설비로 이동된다.Here, as the deposition process and the chemical mechanical polishing process are performed in different facilities, the semiconductor substrate on which the deposition process is completed is moved to a predetermined facility that performs the chemical mechanical polishing process, that is, the CMP facility.

CMP 설비로 이동된 반도체 기판은 화학기계적 연마 공정을 수행하기 전에 공정 대상인 연마 대상물의 정확한 두께를 측정하는 과정을 거친다. 화학기계적연마 공정을 진행하는데 있어 상기 연마 대상물의 정확한 두께는 필수적인 정보이다.The semiconductor substrate moved to the CMP facility is subjected to a process of measuring the exact thickness of the object to be polished before performing the chemical mechanical polishing process. Accurate thickness of the polishing object is essential information for the chemical mechanical polishing process.

CMP 설비는 상기의 연마 대상물의 두께 정보를 바탕으로 본격적인 화학기계적 연마 공정을 진행하게 된다. The CMP facility performs a full-scale chemical mechanical polishing process based on the thickness information of the polishing object.

이상 살펴본 바에 근거하면, 종래의 증착 공정 및 화학기계적 연마 공정의 수행에 있어 증착된 물질층 즉, 연마 대상물의 두께 측정 과정이 반복됨을 알 수 있다. Based on the above, it can be seen that the thickness measurement process of the deposited material layer, that is, the polishing object, is repeated in performing the conventional deposition process and the chemical mechanical polishing process.

물론, 상기 증착 공정 완료 후의 두께 측정 및 화학기계적연마 공정 수행 전의 두께 측정은 개별적으로 볼 때 각각의 단위 공정에 있어 필수적인 부분이라 할 수 있다. Of course, the thickness measurement after the completion of the deposition process and the thickness measurement before performing the chemical mechanical polishing process may be considered an essential part of each unit process.

그러나, 동일한 작업을 반복한다는 것은 전체 공정 흐름상 비효율적인 면이 다분하며, 대단위 물량으로 제조하는 반도체 산업의 특성상 이와 같은 반복적인 작업은 생산 원가에도 악영향을 끼치게 됨은 부인할 수 없다.However, repeating the same work is inefficient in the overall process flow, and due to the nature of the semiconductor industry that manufactures in large quantities, such repetitive work can not be denied the production cost.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 소정의 증착 공정을 통해 반도체 기판 상에 물질층 패턴이 증착되고 상기 물질층 패턴을 연마 대상물으로 하는 화학기계적 연마 공정이 진행되는 과정에서 상기 연마 대상물의 두께 측정 과정을 간소화시킬 수 있는 반도체 소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made to solve the above problems, the material layer pattern is deposited on the semiconductor substrate through a predetermined deposition process and the chemical mechanical polishing process of using the material layer pattern as the polishing target is in progress An object of the present invention is to provide a system and method for sharing pattern thickness information of a semiconductor device capable of simplifying a thickness measurement process of an object to be polished.

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템은 증착 설비, CMP 설비 및 계측 설비와 소정의 통신연결관계를 맺은 상태에서, 상기 증착 설비에서의 증착 공정으로 형성된 패턴에 대하여 상기 계측 설비에 의해 측정된 두께 정보를 로트 단위 및 웨이퍼에 대한 정보로 분류하여 자체 내의 해당 영역에 선택적으로 저장하는 패턴 두께 정보 DB와, 상기 패턴 두께 정보를 상기 패턴 두께 정보 DB의 필요 영역에 선택적으로 저장하거나 출력하는 DB 관리모듈과, 상기 DB 관리모듈과 RS232C 근거리 통신망을 통해 통신관계를 형성하며, 상기 계측 설비에 의해 측정된 패턴 두께 정보를 상기 DB 관리모듈을 매개로 상기 패턴 두께 정보 DB에 선택적으로 저장하거나 저장된 패턴 두께 정보를 추출하여 상기 CMP 설비로 전달하는 역할을 수행하는 패턴 두께 정보 제어모듈을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The pattern thickness information sharing system of the semiconductor device of the present invention for achieving the above object has a predetermined communication connection relationship with the deposition equipment, CMP equipment and measurement equipment, for the pattern formed by the deposition process in the deposition equipment A pattern thickness information DB for classifying the thickness information measured by the measurement facility into information on a lot unit and a wafer and selectively storing the thickness information in a corresponding region in the self; A DB management module that stores or outputs the data, and forms a communication relationship with the DB management module through an RS232C local area network, and transmits pattern thickness information measured by the measurement facility to the pattern thickness information DB through the DB management module. It selectively stores or extracts stored pattern thickness information and delivers it to the CMP facility. Characterized in that it comprises a pattern thickness information control module to perform.

본 발명의 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 방법은 증착 설비, CMP 설비 및 계측 설비와 소정의 통신연결관계를 맺은 상태에서 상기 증착 설비에서의 증착 공정이 완료되어 반도체 기판 상에 형성된 패턴의 두께 정보를 공유하는 방법에 있어서, 상기 계측 설비에 의해 측정된 패턴 두께 정보를 소정의 패턴 두께 정보 제어모듈의 제어 하에 해당 정보를 소정의 패턴 두께 정보 DB에 저장하는 단계;와, 상기 패턴 두께 정보 DB에 저장되어 있는 패턴 두께 정보를 상기 패턴 두께 정보 제어모듈을 매개로 상기 CMP 설비로 전달하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.In the method of sharing pattern thickness information of a semiconductor device of the present invention, the thickness information of a pattern formed on a semiconductor substrate is completed by the completion of the deposition process in the deposition facility in a predetermined communication connection relationship with the deposition facility, the CMP facility, and the measurement facility. A method of sharing, comprising: storing the pattern thickness information measured by the measurement facility under a control of a predetermined pattern thickness information control module and storing the corresponding information in a predetermined pattern thickness information DB; and storing the pattern thickness information in the pattern thickness information DB. And transmitting the pattern thickness information to the CMP facility through the pattern thickness information control module.

본 발명의 특징에 따르면, 증착 공정과 화학기계적 연마 공정의 연속적인 수행 과정에 있어서, 증착 공정 완료 후 증착 공정의 오류 여부를 판단하기 위해 측정되는 증착된 패턴의 두께 정보를 소정의 DB에 저장하고, 이를 상기 화학기계적 연마 공정시 필수적으로 요구되는 정보인 연마 대상물 즉, 증착된 패턴의 두께 정보로 활용함에 따라 증착 공정 및 화학기계적 연마 공정의 수행시 패턴 두께 정보를 측정하는 작업의 반복을 피할 수 있게 된다.According to a feature of the present invention, in the continuous process of the deposition process and the chemical mechanical polishing process, after the deposition process is completed to store the thickness information of the deposited pattern measured to determine whether the deposition process error in a predetermined DB and By using this as the polishing object, that is, information required for the chemical mechanical polishing process, that is, the thickness information of the deposited pattern, it is possible to avoid repetition of measuring the pattern thickness information during the deposition process and the chemical mechanical polishing process. Will be.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 반도체 소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템 및 방법을 상세히 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템의 블록 구성도이다.Hereinafter, a system and method for sharing pattern thickness information of a semiconductor device of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. 1 is a block diagram of a pattern thickness information sharing system of a semiconductor device according to the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템(100)은 크게 패턴 두께 정보 DB(110), DB 관리모듈(102) 및 패턴 두께 정보 제어모듈(101)의 조합으로 이루어진다. 이에 부가하여, 상기 패턴 두께 정보 제어모듈(101)과 인터페이스(interface)(124)를 매개로 연결되어 있는 계측 설비(122)가 구비된다. 한편, 상기 계측 설비(122)는 증착 설비(121) 및 CMP 설비(123)와 RS232C와 근거리 통신망을 통해 통신관계를 맺고 있다.As shown in FIG. 1, the pattern thickness information sharing system 100 of a semiconductor device according to the present invention is largely a combination of a pattern thickness information DB 110, a DB management module 102, and a pattern thickness information control module 101. Is done. In addition to this, there is provided a measurement facility 122 connected via the pattern thickness information control module 101 and an interface 124. Meanwhile, the measurement facility 122 establishes a communication relationship with the deposition facility 121 and the CMP facility 123 through a local area network with RS232C.

상기 패턴 두께 정보 DB(110)는 반도체 기판 상에 증착된 패턴 즉, 연마 대상물의 두께 정보를 저장하는 DB로서, 상기 증착 설비에서의 증착 공정으로 형성된 패턴에 대해 상기 계측 설비가 그 두께를 측정하고 측정된 두께 정보를 상기 패턴 두께 정보 제어모듈의 제어 하에 저장하는 DB이다. 상기 패턴 두께 정보 DB(110)의 세부적인 구성은 실제 반도체 제조 공정을 반영하여 로트 단위의 정보, 각각의 웨이퍼에 대한 정보 등으로 다양하게 세분화하여 적용시킬 수 있음은 물론이다.The pattern thickness information DB 110 is a DB storing a pattern deposited on a semiconductor substrate, that is, thickness information of a polishing target, and the measurement equipment measures the thickness of a pattern formed by a deposition process in the deposition equipment. DB for storing the measured thickness information under the control of the pattern thickness information control module. The detailed configuration of the pattern thickness information DB 110 may be variously divided into lots of information, information about each wafer, and the like, to reflect the actual semiconductor manufacturing process.

한편, 상기 DB 관리모듈(102)은 상술한 증착된 패턴의 두께 정보를 상기 패턴 두께 정보 DB(110)에 선택적으로 저장하거나, 저장되어 있는 패턴 두께 정보를 선택적으로 출력하는 역할을 수행한다.Meanwhile, the DB management module 102 selectively stores the thickness information of the deposited pattern in the pattern thickness information DB 110 or selectively outputs the stored pattern thickness information.

상기 패턴 두께 정보 제어모듈(101)은 상기 인터페이스(124)를 통하여 상기 증착 설비(121), CMP 설비(123) 및 계측 설비(122) 등이 양방향 의사소통을 가능하도록 하는 역할을 수행한다. 이 때, 상기 증착 설비(121), CMP 설비(123) 및 계측 설비(122)는 전술한 바와 같이 RS2332C와 같은 근거리 통신망을 통해 소정의 신호연결관계를 형성한다. 이와 같은 상태에서, 상기 패턴 두께 정보 제어모듈(101)은 상기 증착 설비에서의 증착 공정으로 형성된 패턴에 대하여 상기 계측 설비(122)가 측정한 두께 정보를 제어하여 상기 DB 관리모듈(102)을 매개로 하여 상기 패턴 두께 정보 DB(110)에 선택적으로 저장하도록 하는 역할을 수행한다. 또한, 상기 패턴 두께 정보 DB(110)에 저장되어 있는 정보를 선택적으로 추출하여 상기 CMP 설비(123)로 전달하여 화학기계적 연마 공정에 필수적으로 요구되는 패턴 두께 정보를 제공하여 화학기계적 연마 공정이 원활히 진행되도록 하는 역할을 수행한다.The pattern thickness information control module 101 enables the deposition facility 121, the CMP facility 123, the measurement facility 122, and the like to perform bidirectional communication through the interface 124. At this time, the deposition facility 121, the CMP facility 123 and the measurement facility 122 forms a predetermined signal connection relationship through a local area network such as RS2332C as described above. In this state, the pattern thickness information control module 101 controls the thickness information measured by the measurement facility 122 with respect to the pattern formed by the deposition process in the deposition facility to mediate the DB management module 102. In this case, the pattern thickness information DB 110 is selectively stored. In addition, by selectively extracting the information stored in the pattern thickness information DB 110 to transfer to the CMP facility 123 to provide the pattern thickness information required for the chemical mechanical polishing process smoothly the chemical mechanical polishing process It plays a role to make progress.

상기와 같은 구성을 갖는 본 발명의 시스템의 동작 설명을 하면 다음과 같다. 도 2는 본 발명에 따른 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.Referring to the operation of the system of the present invention having the configuration as described above is as follows. 2 is a flowchart illustrating a method for sharing pattern thickness information of a semiconductor device according to the present invention.

먼저, 도 2에 도시한 바와 같이 증착 공정을 통해 소정 두께로 증착된 패턴 즉, 연마 대상물에 대해 상기 계측 설비가 그 두께를 측정하면(S201, S202), 측정된 패턴 두께 정보는 본 발명의 패턴 두께 정보 공유 시스템으로 전달된다. 구체적으로, 계측 설비에서 측정된 패턴 두께 정보는 상기 패턴 두께 정보 제어모듈로 전달되고, 상기 패턴 두께 정보 제어모듈은 해당 정보를 상기 DB 관리모듈로 전달하여 상기 DB 관리모듈로 하여금 해당 정보를 분류하여 상기 패턴 두께 정보 DB에 선택적으로 저장하도록 한다(S203). 이상의 과정을 패턴 두께 정보 입력 과정이라 칭할 수 있다.First, as shown in FIG. 2, when the measurement facility measures the thickness of a pattern deposited to a predetermined thickness through a deposition process, that is, a polishing object (S201 and S202), the measured pattern thickness information is a pattern of the present invention. The thickness is transferred to the information sharing system. Specifically, the pattern thickness information measured at the measurement facility is transmitted to the pattern thickness information control module, and the pattern thickness information control module transmits the corresponding information to the DB management module to classify the information by the DB management module. Selectively storing the pattern thickness information in the DB (S203). The above process may be referred to as a pattern thickness information input process.

패턴 두께 정보 출력 과정은 상기의 과정을 반대로 수행함을 알 수 있다. 즉, 소정의 과정을 통해 상기 패턴 두께 정보 DB에 저장되어 있는 증착된 패턴의 두께 정보를 출력하기 위해 상기 패턴 두께 정보 제어모듈은 상기 DB 관리모듈을 매개로 하여 상기 패턴 두께 정보 DB에 저장되어 있는 특정의 정보를 선택적으로 출력하여 상기 CMP 설비로 전달한다(S204). CMP 설비로 전달된 증착된 패턴 즉, 연마 대상물의 두께 정보는 후속의 화학기계적 연마 공정 수행(S205)에 있어 기본적이고 필수적인 정보로 역할을 한다. It can be seen that the process of outputting the pattern thickness information reverses the above process. That is, the pattern thickness information control module is stored in the pattern thickness information DB via the DB management module to output thickness information of the deposited pattern stored in the pattern thickness information DB through a predetermined process. Specific information is selectively output and transmitted to the CMP facility (S204). The deposited pattern, that is, the thickness information of the polishing object transferred to the CMP facility serves as basic and essential information in the subsequent chemical mechanical polishing process (S205).

이와 같이, 본 발명에 따른 패턴 두께 정보 공유 시스템에 의하면 증착 공정과 화학기계적 연마 공정의 연속적인 수행 과정에 있어서, 증착 공정 완료 후 증착 공정의 오류 여부를 판단하기 위해 측정되는 증착된 패턴의 두께 정보를 소정의 DB에 저장하고, 이를 상기 화학기계적 연마 공정시 필수적으로 요구되는 정보인 연마 대상물 즉, 증착된 패턴의 두께 정보로 활용함에 따라 증착 공정 및 화학기계적 연마 공정의 수행시 패턴 두께 정보를 측정하는 작업의 반복을 피할 수 있게 된다.As described above, according to the pattern thickness information sharing system according to the present invention, in the continuous process of the deposition process and the chemical mechanical polishing process, the thickness information of the deposited pattern measured to determine whether the deposition process is error after completion of the deposition process. Is stored in a predetermined DB, and the pattern thickness information is measured when the deposition process and the chemical mechanical polishing process are performed as the polishing object, that is, information required for the chemical mechanical polishing process, that is, the deposited pattern thickness information. This can avoid repetitive work.

상술한 바와 같은 본 발명의 패턴 두께 정보 시스템 및 방법은 다음과 같은 효과가 있다. The pattern thickness information system and method of the present invention as described above has the following effects.

증착 설비, 계측 설비 및 CMP 설비가 공간적으로 이격되어 있음에도 불구하고 이들 설비들 사이를 소정의 통신연결관계로 맺게 하고 상기 증착 설비에서의 공정 결과인 증착된 패턴 두께 정보를 저장하고 저장된 정보를 상기 CMP 설비의 화학기계적 연마 공정에 활용함으로써 종래의 반복 작업을 피할 수 있게 되어 공정 효율을 제고할 수 있게 된다. Although the deposition equipment, the measurement equipment, and the CMP equipment are spaced apart from each other, they make a predetermined communication connection between these equipments, and store the deposited pattern thickness information which is the result of the process in the deposition equipment, and store the stored information in the CMP. By utilizing it in the chemical mechanical polishing process of the equipment it is possible to avoid the conventional repetitive work to improve the process efficiency.

도 1은 본 발명의 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템의 블록 구성도.1 is a block diagram of a pattern thickness information sharing system of a semiconductor device of the present invention;

도 2는 본 발명의 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 방법을 설명하기 위한 흐름도.2 is a flowchart illustrating a method for sharing pattern thickness information of a semiconductor device of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 설명>Description of the main parts of the drawing

100 : 패턴 두께 정보 공유 시스템100: pattern thickness information sharing system

101 : 패턴 두께 정보 제어모듈 102 : DB 관리모듈101: pattern thickness information control module 102: DB management module

110 : 패턴 두께 정보 DB 121 : 증착 설비110: pattern thickness information DB 121: deposition equipment

122 : 계측 설비 123 : CMP 설비122: measurement facility 123: CMP facility

124 : 인터페이스124: interface

Claims (2)

증착 설비, CMP 설비 및 계측 설비와 소정의 통신연결관계를 맺은 상태에서, 상기 증착 설비에서의 증착 공정으로 형성된 패턴에 대하여 상기 계측 설비에 의해 측정된 두께 정보를 로트 단위 및 웨이퍼에 대한 정보로 분류하여 자체 내의 해당 영역에 선택적으로 저장하는 패턴 두께 정보 DB;In the state of making a predetermined communication connection relationship with the deposition equipment, the CMP equipment, and the measurement equipment, the thickness information measured by the measurement equipment for the pattern formed by the deposition process in the deposition equipment is classified into the lot unit and the information about the wafer. A pattern thickness information DB for selectively storing in the corresponding region in the self; 상기 패턴 두께 정보를 상기 패턴 두께 정보 DB의 필요 영역에 선택적으로 저장하거나 출력하는 DB 관리모듈;A DB management module for selectively storing or outputting the pattern thickness information in a required area of the pattern thickness information DB; 상기 DB 관리모듈과 RS232C 근거리 통신망을 통해 통신관계를 형성하며, 상기 계측 설비에 의해 측정된 패턴 두께 정보를 상기 DB 관리모듈을 매개로 상기 패턴 두께 정보 DB에 선택적으로 저장하거나 저장된 패턴 두께 정보를 추출하여 상기 CMP 설비로 전달하는 역할을 수행하는 패턴 두께 정보 제어모듈을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 시스템.Form a communication relationship with the DB management module through an RS232C local area network, and selectively store the pattern thickness information measured by the measurement facility in the pattern thickness information DB through the DB management module or extract the stored pattern thickness information. Pattern thickness information sharing system for a semiconductor device, characterized in that it comprises a pattern thickness information control module that serves to deliver to the CMP facility. 증착 설비, CMP 설비 및 계측 설비와 소정의 통신연결관계를 맺은 상태에서 상기 증착 설비에서의 증착 공정이 완료되어 반도체 기판 상에 형성된 패턴의 두께 정보를 공유하는 방법에 있어서, Claims [1] A method of sharing a thickness information of a pattern formed on a semiconductor substrate by completing a deposition process in the deposition facility in a predetermined communication connection relationship with a deposition facility, a CMP facility, and a measurement facility. 상기 계측 설비에 의해 측정된 패턴 두께 정보를 소정의 패턴 두께 정보 제어모듈의 제어 하에 해당 정보를 소정의 패턴 두께 정보 DB에 저장하는 단계;Storing the pattern thickness information measured by the measurement facility in a predetermined pattern thickness information DB under the control of a predetermined pattern thickness information control module; 상기 패턴 두께 정보 DB에 저장되어 있는 패턴 두께 정보를 상기 패턴 두께 정보 제어모듈을 매개로 상기 CMP 설비로 전달하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 패턴 두께 정보 공유 방법.And transmitting the pattern thickness information stored in the pattern thickness information DB to the CMP facility through the pattern thickness information control module.
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