KR100532996B1

KR100532996B1 - Field emission device with bridge type spacer

Info

Publication number: KR100532996B1
Application number: KR10-2003-0027118A
Authority: KR
Inventors: 문성학
Original assignee: 엘지전자 주식회사
Priority date: 2003-04-29
Filing date: 2003-04-29
Publication date: 2005-12-02
Also published as: KR20040092800A

Abstract

본 발명은 브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자에 관한 것으로, 특히 스페이서 구조를 변경하여 스페이서가 장착되는 영역의 하판 전극들이 스페이서의 브릿지 형상 하부에 위치하도록 하는 것으로 스페이서에 가해지는 압력이 하판 전극들에 전달되지 않도록 한 브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자에 관한 것이다. 종래 전계방출 소자는 스페이서가 하판 전극들 상부에 직접 위치되거나 버퍼층을 형성한 후 그 상부에 위치되기 때문에 스페이서에 전달되는 외부 압력이 고스란히 하판 전극들에 전달되며, 이러한 물리적인 힘의 전달에 의해 하판 전극들이 쇼트되거나 오픈되어 소자의 신뢰성이 대단히 취약해지는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 상하부 전극 및 전계방출 구조물이 형성된 캐소드 하판과; 상기 캐소드 하판 상에 하부 전극과 평행하게 이격하여 장착되며 교차되는 하판 전극들의 위치에 해당하는 소정 영역이 제거된 스페이서를 포함하는 전계방출 소자를 제공함으로써 스페이서에 의한 압력이 하판 전극들에 영향을 주지 않도록 하여 하판 전극들 간의 쇼트나 오픈을 방지하고 소자의 신뢰성을 높이는 효과가 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission device having a bridge-type spacer. In particular, the bottom electrode of the region where the spacer is mounted is changed under the bridge shape by changing the spacer structure so that the pressure applied to the spacer is lower than the bottom electrode. The present invention relates to a field emission device having a bridge-shaped spacer that is not transmitted to the field. In the conventional field emission device, since the spacer is positioned directly on the lower plate electrodes or after the buffer layer is formed thereon, the external pressure transmitted to the spacer is transmitted to the lower plate electrodes, and the lower plate is transferred by the physical force. Since the electrodes are shorted or opened, there is a problem that the reliability of the device is very weak. In view of the above problems, the present invention provides a cathode lower plate including upper and lower electrodes and a field emission structure; The field emission device includes a spacer mounted on the cathode lower plate and spaced apart from the lower electrode in parallel with the lower electrode to remove the predetermined region corresponding to the position of the lower electrode, so that the pressure caused by the spacer does not affect the lower electrode. In order to prevent shorts or openings between the lower electrodes, the reliability of the device can be improved.

Description

Field emission device with bridge type spacer {FIELD EMISSION DEVICE WITH BRIDGE TYPE SPACER}

본 발명은 브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자에 관한 것으로, 특히 스페이서 구조를 변경하여 스페이서가 장착되는 영역의 하판 전극들이 스페이서의 브릿지 형상 하부에 위치하도록 하는 것으로 스페이서에 가해지는 압력이 하판 전극들에 전달되지 않도록 한 브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a field emission device having a bridge-type spacer. In particular, the bottom electrode of the region where the spacer is mounted is changed under the bridge shape by changing the spacer structure so that the pressure applied to the spacer is lower than the bottom electrode. The present invention relates to a field emission device having a bridge-shaped spacer that is not transmitted to the field.

일반적으로 전계방출 소자는 형광체 및 애노드 전극을 가지는 애노드 상판과 전계방출 구조물을 구비한 캐소드 하판이 접합되는 구조를 가지며, 상기 두개의 판을 접합하여 그 이격 거리가 1~2mm가 되도록 한 후 그 내부를 진공상태로 밀봉한다. 상기 상판과 하판 사이의 거리를 물리적으로 유지하도록 그 사이에 형성되는 물질이 스페이서이며, 이를 별도로 제조하여 상기 캐소드 하판 상에 위치시킨 후 그 상부에 상판을 접합하게 된다. In general, the field emission device has a structure in which an anode top plate having a phosphor and an anode electrode and a cathode bottom plate having a field emission structure are bonded to each other, and the two plates are bonded to each other to have a separation distance of 1 to 2 mm therein. Sealed in a vacuum. The material formed therebetween so as to physically maintain the distance between the upper plate and the lower plate is a spacer, which is manufactured separately, placed on the cathode lower plate, and then bonded to the upper plate.

상기 애노드 전극에는 일반적으로 방출된 전자를 형광체에 여기시키기 위한 고전압이 인가되는데, 고전계 및 내부의 오염상태나 기구적인 구성에 의해 아킹(arcing)이 발생하기 쉬우며, 상기 스페이서에 전하가 축적되어 이상 발광하기 쉽다. Generally, a high voltage is applied to the anode to excite the emitted electrons to the phosphor, and arcing is likely to occur due to a high electric field and an internal contamination state or mechanical configuration, and charges are accumulated in the spacer. It is easy to emit light.

즉, 에미터에 의해 전자가 방출되면 방출된 전자가 형광체를 여기시키는 것과 동시에 스페이서와 충돌하여 이차전자를 방출시키므로, 스페이서가 이상 발광 하거나 방출계수가 1보다 크게되어 빔이 왜곡될 수 있으며, 스페이서 표면에 충전되어 부분적인 전계 배치가 달라지게 된다. That is, when electrons are emitted by the emitter, the emitted electrons excite the phosphor and collide with the spacers to emit secondary electrons. Therefore, the spacer emits abnormal light or the emission coefficient is greater than 1, and the beam may be distorted. Charged to the surface, the partial electric field arrangement will be different.

다음의 도면들을 참조하여 전계발광 소자의 구조 및 동작을 좀더 상세히 설명하도록 한다. The structure and operation of the electroluminescent device will be described in more detail with reference to the following drawings.

도1은 일반적인 전계방출 디스플레이의 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이 하판유리(1)의 상부 일부에 각각 이격되어 위치하는 절연층(2)에 의해 픽셀영역이 정의되며, 그 픽셀영역에 위치하는 캐소드 전극(3), 그 캐소드 전극(3)과 절연층(2) 상에 위치하는 게이트전극(4)을 포함하여 하판이 구성되며, 그 캐소드 전극(3)으로 부터 방출된 전자가 인가되는 형광체층(6), 그 형광체층(6)의 상부에 위치하는 애노드전극(7) 및 상판유리(8)를 포함하여 상판이 구성되며, 상기 상판유리(8)와 하판유리(1)의 사이에는 스페이서(5)가 위치하여 그 상판과 하판의 이격거리를 유지하며, 상하판을 지지하게 된다.FIG. 1 is a cross-sectional view of a general field emission display, in which a pixel region is defined by an insulating layer 2 spaced apart from an upper portion of the lower pane 1, and a cathode located in the pixel region. The lower plate is composed of the electrode 3, the cathode electrode 3 and the gate electrode 4 positioned on the insulating layer 2, and a phosphor layer to which electrons emitted from the cathode electrode 3 are applied. (6), an upper plate is formed, including an anode electrode 7 and an upper plate glass 8 positioned above the phosphor layer 6, and a spacer is formed between the upper plate glass 8 and the lower plate glass 1; (5) is located to maintain the distance between the upper plate and the lower plate, and to support the upper and lower plates.

상기 스페이서(5)는 전계발광 디스플레이의 측면 뿐만 아니라 중앙부에도 다수개로 위치하여 상하판의 간격이 유지될 수 있도록 한다.The spacer 5 is located in the center portion as well as the side of the electroluminescent display so that the gap between the upper and lower plates can be maintained.

이와 같은 구성에서 캐소드전극(2)과 게이트전극(4) 사이에 전계를 형성시키면 그 전압차에 의해 방출되는 전자가 고전압이 인가되는 애노드전극(7)에 의해 형성된 전계에 끌려 형광체층(6)을 여기시킴으로써, 발광하게 된다. In such a configuration, when an electric field is formed between the cathode electrode 2 and the gate electrode 4, the electrons emitted by the voltage difference are attracted to the electric field formed by the anode electrode 7 to which a high voltage is applied. By excitation, light emission occurs.

상기 캐소드전극(4)은 스캔전극이라고도 하며, 상기 스페이서(5)와는 평행하게 위치한다.The cathode electrode 4 is also referred to as a scan electrode and is located in parallel with the spacer 5.

상기 스페이서(5)는 캐소드전극(2)과 애노드전극(7)의 사이거리를 일정하게 유지시켜 주는 역할을 한다.The spacer 5 serves to maintain a constant distance between the cathode electrode 2 and the anode electrode 7.

또한, 상기 캐소드전극(2)에서 방출된 전자의 일부는 상기 형광체층(6)에 도달하지 않고, 스페이서(5)에 충전되며, 다시 스페이서(5)를 구성하는 물질에 의해 이차로 전자를 방출시켜 전자빔이 왜곡되거나 아킹현상의 원인이된다. In addition, some of the electrons emitted from the cathode electrode 2 do not reach the phosphor layer 6, are charged in the spacer 5, and again emit electrons by the material constituting the spacer 5. This causes the electron beam to be distorted or arcing.

도2는 일반적인 전계방출 디스플레이의 구조도로서, 이에 도시한 바와 같이 상기 캐소드전극(2)에 스캔전압을 인가하는 스캔전극(SCAN)과, 게이트전극(4)에 데이터전압을 인가하는 데이터전극(DATA)과, 애노드전극(7)에 고전압을 인가하는 고전압단자(9)를 포함하여 구성된다. 2 is a structural diagram of a general field emission display, as shown in FIG. 2, a scan electrode SCAN for applying a scan voltage to the cathode electrode 2 and a data electrode DATA for applying a data voltage to the gate electrode 4. And a high voltage terminal 9 for applying a high voltage to the anode electrode 7.

상기 구성에서 스캔전극(SCAN)과 데이터전극(DATA)에 인가되는 전압에 의해 각 픽셀의 구동순서가 정해진다.In this configuration, the driving order of each pixel is determined by the voltage applied to the scan electrode SCAN and the data electrode DATA.

종래 전계방출 디스플레이에서는 애노드 전극 패드와 공통적으로 연결되는 고전압단자(9)에 고전압을 인가하고, 상기 스캔전극(SCAN)에 순차적인 신호를 제공하면서 데이터전극(DATA)에 인가되는 신호에 따라 스캔전극(SCAN) 신호에 의해 선택된 스캔전극라인과 연결된 전계발광 소자를 구동하여 화면을 표시하게 된다. In the conventional field emission display, a high voltage is applied to a high voltage terminal 9 commonly connected to an anode electrode pad, and a scan electrode is provided according to a signal applied to the data electrode DATA while providing a sequential signal to the scan electrode SCAN. The screen is displayed by driving the electroluminescent element connected to the scan electrode line selected by the (SCAN) signal.

도 3은 MIM(금속-절연체-금속)형 전계방출소자의 스페이서 구조를 좀더 상세히 나타낸 단면도로서, 스페이서의 형성 위치를 보다 상세히 나타낸 것이다.3 is a cross-sectional view showing in detail the spacer structure of the MIM (metal-insulator-metal) type field emission device, and shows the formation position of the spacer in more detail.

도시한 바와 같이 하판 유리(20) 상부에 하부전극(스캔전극)(21), 절연층(22), 상부전극(데이터전극)(23)을 포함하는 적층으로 전계 방출 구조물을 형성하고, 그 상부에 스페이서 접지전극(35)을 형성한 후 그 상부에 별도로 형성된 스페이서 구조물을 위치시킨다. 그리고, 그 상부에 형광체(50) 및 애노드 전극(60)을 포함하는 상판을 접합한 후, 프릿(frit) 등의 밀봉 구조물(40)로 외부를 밀봉한 다음 내부를 진공 상태가 되도록 한다. As illustrated, a field emission structure is formed by stacking a lower electrode (scan electrode) 21, an insulating layer 22, and an upper electrode (data electrode) 23 on the lower glass 20, and the upper portion thereof. After the spacer ground electrode 35 is formed in the spacer structure formed separately thereon. Then, the upper plate including the phosphor 50 and the anode electrode 60 is bonded to the upper portion, and the outside is sealed with a sealing structure 40 such as a frit, and then the inside is vacuumed.

따라서 도시한 화살표와 같은 압력을 상기 스페이서(30) 및 상기 스페이서가 장착된 부분의 상하판이 지지해야 한다. 상기 스페이서(30)는 외부에서 힘을 받을 때 하판의 상하부 전극들(21, 23)을 누르게 되고, 이로인해 가장 근접한 상부전극(23) 간의 쇼트(Short)가 발생하거나 상부전극(23)과 하부전극(21)이 쇼트될 수 있다.Therefore, the spacer 30 and the upper and lower plates of the portion on which the spacer is mounted must be supported by the pressure shown in the arrow. When the spacer 30 receives an external force, the spacer 30 presses the upper and lower electrodes 21 and 23 of the lower plate, thereby causing a short between the closest upper electrodes 23 or generating a short between the upper electrodes 23 and the lower electrodes. The electrode 21 may be shorted.

도 4는 상기 하판의 전극 부분들이 스페이서의 접촉에 의해 손상된 경우를 보인 것이다. 도시된 바와 같이, 외부의 압력에 의해 스페이서(30)가 상부전극(23)에 물리적인 압력을 가하면 상기 절연층(22)이 손상되어 상부전극(23)과 하부전극(21)이 쇼트될 수 있다. 4 illustrates a case where the electrode portions of the lower plate are damaged by the contact of the spacers. As illustrated, when the spacer 30 exerts a physical pressure on the upper electrode 23 by an external pressure, the insulating layer 22 may be damaged and the upper electrode 23 and the lower electrode 21 may be shorted. have.

상기 스페이서(30)는 외부에서 삽입하는 것이므로 정확하게 수직으로 삽입되지 않는 경우가 발생하고, 이 경우, 소정의 각도를 가지는 스페이서(30)가 하판 전극 부분들(21,23)을 누르게 되면 상부전극(23), 절연층(22), 하부전극(23)에 쉽게 크랙(crack)이 발생한다. 또는, 스페이서(30)의 날카로운 부분이 하단부 전극들(23,21)까지 침범하여 쇼트가 발생하거나 스페이서(30)하부의 도전성 물질(스페이서 접지전극(35), 혹은 최상부 전극)에 의해 스페이서(30)전체가 인접한 상부전극(23)들을 대량으로 쇼트시킬 수 있다.Since the spacer 30 is inserted from the outside, it may not be inserted vertically correctly. In this case, when the spacer 30 having a predetermined angle presses the lower electrode portions 21 and 23, the upper electrode ( 23, cracks easily occur in the insulating layer 22 and the lower electrode 23. Alternatively, a short portion of the spacer 30 may invade the lower electrodes 23 and 21 to generate a short, or the spacer 30 may be formed by a conductive material (the spacer ground electrode 35 or the uppermost electrode) under the spacer 30. The whole can short-circuit the adjacent upper electrodes 23 in large quantities.

따라서, 종래와 같이 스페이서(30)를 하판 전극들(23, 21) 상부에 직접 형성하거나, 혹은 버퍼층을 형성한 후 그 상부에 형성한다 할지라도 스페이서(30)에 가해지는 외부 압력은 하판 전극들(23, 21)에 전달되고, 그로인해 각종 쇼트나 오픈(open)이 발생한다. 이 경우 화면이 정상적으로 출력되지 않는다.Therefore, even if the spacer 30 is directly formed on the lower electrodes 23 and 21 or the buffer layer is formed on the upper portion after forming the buffer layer as in the related art, the external pressure applied to the spacer 30 is lower than the lower electrodes. (23, 21), which causes various shorts and open. In this case, the screen does not display properly.

상기한 바와 같이 종래 전계방출 소자는 스페이서가 하판 전극들 상부에 직접 위치되거나 버퍼층을 형성한 후 그 상부에 위치되기 때문에 스페이서에 전달되는 외부 압력이 고스란히 하판 전극들에 전달되며, 이러한 물리적인 힘의 전달에 의해 하판 전극들이 쇼트되거나 오픈되어 소자의 신뢰성이 대단히 취약해지는 문제점이 있었다.As described above, in the conventional field emission device, since the spacer is positioned directly above the lower electrodes or after the buffer layer is formed, the external pressure transmitted to the spacer is transmitted to the lower electrodes, and the physical force of the The lower electrodes are shorted or opened by the transfer, and thus the reliability of the device is very weak.

이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 스페이서의 구조를 변경하여 스페이서가 장착될 경우 하판 전극 부분에 해당하는 스페이서 부분을 브릿지 형태로 제거하여 스페이서가 직접 접촉하는 부분이 기판으로 한정되도록 하고, 전극 부분과는 접촉하지 않도록 하는 것으로 스페이서에 가해지는 압력이 하판 전극 부분들에 전혀 영향을 주지 않도록 하는 브릿지형 스페이서를 구비한 전계방출 소자를 제공하는데 그 목적이 있다. In view of the above problems, the present invention changes the structure of the spacer so that when the spacer is mounted, the spacer portion corresponding to the lower electrode portion is removed in the form of a bridge so that the portion in which the spacer directly contacts is limited to the substrate. It is an object of the present invention to provide a field emission device having a bridge-type spacer such that the pressure applied to the spacer does not affect the lower electrode portions at all by preventing contact.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 상하부 전극 및 전계방출 구조물이 형성된 캐소드 하판과; 상기 캐소드 하판 상에 하부 전극과 평행하게 이격하여 장착되며 교차되는 하판 전극들의 위치에 해당하는 소정 영역이 제거된 스페이서를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention for achieving the above object is a cathode lower plate and the upper and lower electrodes and the field emission structure formed; The spacer may be spaced apart from the lower electrode on the cathode lower plate and include a spacer in which a predetermined region corresponding to the position of the lower plate electrodes is removed.

상기 스페이서의 제거된 일부는 반원, 삼각형, 사각형, 또는 다각형 모양이며, 그 제거된 부분의 높이는 상기 스페이서와 교차되는 캐소드 하판의 전극 높이보다 높은 것을 특징으로 한다.The removed portion of the spacer is semi-circular, triangular, square, or polygonal in shape, and the height of the removed portion is higher than the electrode height of the cathode lower plate intersecting the spacer.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention configured as described above will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 발명의 구체적인 구조를 보이는 일 실시예의 평면도로서, 도시한 바와 같이 스페이서(30)가 세그먼트형임을 알 수 있고, 종래의 세그먼트형 스페이서를 적용한 경우와 유사함을 알 수 있다. Figure 5 is a plan view of an embodiment showing a specific structure of the present invention, as shown, it can be seen that the spacer 30 is a segment type, and similar to the case of applying a conventional segmented spacer.

상기 세그먼트형 스페이서(30)는 하판의 하부전극(21)과 평행하게 형성되고, 다수의 상부전극(23)들을 지나도록 배치된다.The segmented spacer 30 is formed in parallel with the lower electrode 21 of the lower plate and is disposed to pass through the plurality of upper electrodes 23.

즉, 종래 방법과 동일한 과정으로 스페이서(30)를 장착하면 되고, 별도의 부가적인 공정이 필요하지 않으므로 대단히 용이하게 기존 공정에 적용할 수 있다. That is, the spacer 30 may be mounted in the same process as the conventional method, and since the additional process is not required, it may be very easily applied to the existing process.

도 6은 도 5에 도시된 점선 영역(A)의 단면도를 나타낸 것으로 이를 통해 본 발명 일실시예의 구조를 좀더 명확히 설명하도록 한다.FIG. 6 is a cross-sectional view of the dotted line area A shown in FIG. 5 to more clearly describe the structure of the embodiment of the present invention.

먼저, 케소드 하판 상에 형성된 상부전극(데이터 전극)(23)은 케소드 하판 상에 형성되는 전극들의 가장 높은 부분이며, 일반적인 스페이서 장착으로 인해 가장 손상 받는 부위가 된다. 따라서, 본 발명 일 실시예에 따른 스페이서(30)는 도시한 바와 같이 상기 상부전극(23)이 지나는 영역에 해당하는 일부를 제거한 형태를 가지게 된다. 본 실시예에서는 반원형으로 스페이서 하부의 일부를 제거하여 소정의 브릿지 형태를 가지도록 한다. 상기 스페이서(30)에서 제거되는 부분은 하판 전극(상부전극)이 지나는 부분이므로 규칙적인 형태를 가지게 된다. First, the upper electrode (data electrode) 23 formed on the cathode lower plate is the highest portion of the electrodes formed on the cathode lower plate, and becomes the most damaged portion due to the general spacer mounting. Therefore, the spacer 30 according to the exemplary embodiment of the present invention has a form in which a part corresponding to the region through which the upper electrode 23 passes is removed. In this embodiment, a portion of the lower portion of the spacer is removed in a semicircular shape to have a predetermined bridge shape. Since the portion removed from the spacer 30 passes through the lower electrode (upper electrode), it has a regular shape.

스페이서(30)는 외부에서 제조된 후 캐소드 하판에 적용되는 것이므로 외부 스페이서 제조 공정에서 균일한 소정의 구조를 가지도록 형성하면 되고, 이러한 스페이서 구조를 형성할 수 있다는 것은 당 업자에게 명백하다.Since the spacer 30 is manufactured on the outside and then applied to the cathode lower plate, it is apparent to those skilled in the art that the spacer 30 may be formed to have a uniform predetermined structure in the external spacer manufacturing process.

또한, 스페이서(30)에 축적될 수 있는 전하를 방전시키기 위하여 스페이서(30)는 하단 부분에 스페이서 접지(33)를 형성할 수 있으며, 상기 스페이서(30)가 장착될 부분에 동일한 방향으로 스페이서 접지전극(35)을 형성할 수 있다. 이 경우, 상기 스페이서 접지전극(35)은 하판 전극들 중 상부전극(23)을 가로질러 형성되고, 그 상부에 스페이서(30)가 장착되지만, 실질적으로 압력이 가해지는 부분은 상부전극(23)이 아닌 전극 없는 캐소드 하판이므로 하판 전극들에 영향을 주지 않는다.In addition, in order to discharge charges that may accumulate in the spacer 30, the spacer 30 may form a spacer ground 33 at a lower portion thereof, and the spacer ground may be formed in the same direction on the portion where the spacer 30 is to be mounted. The electrode 35 can be formed. In this case, the spacer ground electrode 35 is formed across the upper electrode 23 among the lower electrodes, and the spacer 30 is mounted on the upper electrode 23, but the portion to which the pressure is substantially applied is the upper electrode 23. This does not affect the bottom electrodes because it is a cathode bottom plate without electrodes.

도 7은 본 발명의 다른 실시예로서, 세그먼트형 스페이서가 아닌 립(rib)형 스페이서에 본 발명의 구조를 형성하여 이를 캐소드 하판에 적용한 평면도이다.FIG. 7 is a plan view of another embodiment of the present invention, in which a structure of the present invention is formed in a rib spacer, not a segment spacer, and applied to a cathode lower plate.

도시한 형상도 본 발명에 따른 이점을 얻기에는 충분하고, 장착할 스페이서(30)의 수가 작기 때문에 설치가 용이하지만 형성되는 스페이서(30)에 의해 패널이 내부적으로 분할되므로, 분할된 각 영역의 진공도가 상이해지는 문제(챔버 효과:chamber effect)가 생기게 된다. 이는 본 발명에 대한 특별한 문제점이 아니라 립형 스페이서(30) 장착의 일반적인 문제라는 것에 주의한다.The illustrated shape is also sufficient to obtain the advantages according to the present invention, and because the number of spacers 30 to be mounted is small, installation is easy, but since the panel is internally divided by the spacers 30 formed, the degree of vacuum of each divided region is There is a problem of different (chamber effect). Note that this is not a particular problem with the present invention but a general problem of mounting the lip spacer 30.

도 8은 본 발명에서 적용할 수 있는 스페이서 형상들의 간단한 실시예들을 나열한 것이다. 본 발명에서는 하판 전극들에 해당하는 부분이 제거된 형태의 스페이서(30)를 적용하기 때문에 적용되는 브릿지 형태는 다양한 형상을 가질 수 있다. 8 lists simple embodiments of spacer shapes applicable to the present invention. In the present invention, since the spacer 30 having the portion corresponding to the lower electrodes is removed, the bridge shape to be applied may have various shapes.

도시된 바와 같이 반원형(a), 사각형(b), 삼각형(c)을 비롯한 다각형 등으로 구성될 수 있다는 것에 유의한다. Note that as shown, it may be composed of a semicircle (a), a rectangle (b), a polygon including a triangle (c), and the like.

전술한 바와 같이 본 발명의 스페이서 구조물을 이용하면 스페이서가 캐소드 하판의 전극들과 이격되기 때문에 물리적인 영향이 거의 없게된다. 따라서, 전극들 간의 쇼트나 오픈으로 인한 불량을 막을 수 있다. As described above, using the spacer structure of the present invention, since the spacer is spaced apart from the electrodes of the cathode lower plate, there is little physical effect. Therefore, it is possible to prevent a defect due to a short or open between the electrodes.

상기한 바와 같이 본 발명 브릿지형 스페이를 구비한 전계방출 소자는 스페이서의 구조를 변경하여 스페이서가 장착될 경우 하판 전극 부분에 해당하는 스페이서 부분을 브릿지 형태로 제거하여 스페이서가 전극 부분과는 접촉하지 않도록 함으로써 스페이서에 가해지는 압력이 하판 전극 부분들에 전혀 영향을 주지 않도록 하여 하판 전극들 간의 쇼트나 오픈을 방지하고 소자의 신뢰성을 높이는 효과가 있다. As described above, the field emission device having the bridge type spacer according to the present invention changes the structure of the spacer so that when the spacer is mounted, the spacer portion corresponding to the lower electrode portion is removed in the form of a bridge so that the spacer does not come into contact with the electrode portion. As a result, the pressure applied to the spacer does not affect the lower electrode portions at all, thereby preventing shorts or openings between the lower electrode and increasing the reliability of the device.

도1은 일반적인 전계방출 소자의 단면도.1 is a cross-sectional view of a general field emission device.

도2는 일반적인 전계방출 소자의 평면도.2 is a plan view of a general field emission device.

도3은 종래 전계방출 소자의 압력을 나타낸 단면도.Figure 3 is a cross-sectional view showing the pressure of the conventional field emission device.

도4는 도 3의 결과 발생하는 하판 전극의 파손을 보이는 단면도.4 is a cross-sectional view showing breakage of the lower plate electrode resulting from FIG.

도5은 본 발명의 간략한 구조를 보이는 평면도.5 is a plan view showing a simplified structure of the present invention.

도6은 본 발명의 간략한 구성을 보이는 단면도.6 is a cross-sectional view showing a simplified configuration of the present invention.

도7은 본 발명의 다른 구조를 보이는 평면도.7 is a plan view showing another structure of the present invention.

도8은 본 발명에 사용되는 스페이서 구조의 실시예들을 보이는 사시도.Figure 8 is a perspective view showing embodiments of the spacer structure used in the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

20:하판유리 21:하부전극20: lower glass 21: lower electrode

22:절연층 23:상부전극22: insulating layer 23: upper electrode

30:스페이서 33:스페이서 전극30: spacer 33: spacer electrode

35:스페이서 접지전극 40:밀봉구조물35: spacer ground electrode 40: sealing structure

50:형광체 60:애노드 전극50: phosphor 60: anode electrode

70:상판유리70: glass top

Claims

A cathode lower plate on which upper and lower electrodes and a field emission structure are formed;

And a spacer mounted on the cathode lower plate and spaced apart from the lower electrode in parallel with the lower electrode, the spacer having a predetermined region corresponding to the position of the lower plate electrodes being crossed.

2. The field emission device as claimed in claim 1, wherein a spacer ground electrode is further disposed below the spacer.

The bridge-shaped spacer of claim 1, wherein the removed portion of the spacer has a semicircle, triangle, square, or polygonal shape, and the height of the removed portion is higher than an electrode height of a cathode lower plate intersecting the spacer. Field-emitting device provided.

2. The field emission device as claimed in claim 1, wherein the spacers are segmented.