KR100530722B1 - 액티브 매트릭스형 표시장치 - Google Patents

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KR100530722B1
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요시이가쯔마사
하야시유조
헤비구찌히로유끼
야마구찌마사히꼬
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알프스 덴키 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 본 발명은 화소 전극이 콘택트 홀을 통해 TFT 와 도통되도록 한 액티브 매트릭스형 표시 장치에 관한 것으로, 콘택트 홀에 기인하는 무아레의 발생을 방지할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
(해결 수단) TFT (130) 의 드레인 전극 (117) 에 주사선 (126) 측으로 돌출된 돌출부 (117a) 를 형성하고, 이 돌출부 (117a) 의 상방에 콘택트 홀 (121,122) 을 형성한다. 이 때, 콘택트 홀 (121,122) 을 주사선 (126) 을 따르도록 배치한다. 그리고, 대향 기판측에 형성한 컬러 필터의 차광층 (142S) 에 의해 콘택트 홀 (121,122) 이 평면에서 봤을 때 마스킹되도록 한다.

Description

액티브 매트릭스형 표시 장치{ACTIVE MATRIX TYPE DISPLAY}
본 발명은 외광 반사를 이용하여 표시하는 반사형 표시 장치에 사용하기에 적합한 액티브 매트릭스형 표시 장치에 관한 것이다.
표시 디바이스 분야에서는 높은 표시 품질이 얻어지는 액티브 매트릭스형 표시 장치가 널리 사용되고 있다. 이 표시 장치는 다수의 화소 전극의 하나하나에 스위칭 소자가 형성되어 있어 확실한 스위칭에 의해 대형화, 고정세화 등의 특성을 쉽게 얻을 수 있게 되어 있다.
최근, 소비 전력의 저감이 강하게 요구되고 있고, 화소의 영역을 될 수 있는 한 크게 하여 표시의 밝기를 향상시키는 것이 요망되고 있다. 그래서, 액티브 매트릭스 기판 전체면에 후막의 절연막을 형성하고, 이 절연막 위에 반사형 화소 전극을 형성한 것이 실용화되었다. 이렇게 절연막 위에 화소 전극을 탑재하는 구조의 것에서는 절연막 하층에 배치된 주사선이나 신호선 등과 상층에 배치된 화소 전극 사이에서 전기적인 단락을 일으키지 않기 때문에, 이들 배선에 오버랩시키듯이 넓은 면적에서 화소 전극을 형성시킬 수 있게 된다. 그럼으로써, 박막 트랜지스터 (Thin Film Trangistor, 이하 TFT 라고 함) 등의 스위칭 소자나 주사선, 신호선이 형성된 영역 이외를 모두 표시에 기여하는 화소 영역으로 할 수 있고, 개구율을 높여 밝은 표시를 얻을 수 있다.
그런데, 상기 기술한 바와 같이 화소 전극을 절연막 위에 탑재한 구조의 것에서는, TFT 의 소스 전극과 반사 전극의 접속은 절연막을 막두께 방향으로 관통하는 콘택트 홀을 통해 행해진다. 이러한 콘택트 홀은 화소 피치마다 배열되어 있고, 다수의 콘택트 홀의 패턴을 반복하여 패터닝할 때에, 이들 사이에 미소한 어긋남을 일으키는 경우가 있다. 그러나, 반사형 표시 장치에서는 콘택트 홀의 형상을 따르도록 형성된 반사 전극의 우묵한 부분에 의해 광산란을 일으키기 때문에, 이 광산란에 의해 무아레를 일으켜 시인성을 저하시킬 우려가 있었다.
또 종래 반사 전극을 요철면으로 하여 확산 반사면으로 한 구조의 반사형 액정 표시 장치가 실용화되고 있지만, 반사 전극을 확산 반사면으로 한 경우, 상기 콘택트 홀의 형상을 따르도록 형성된 반사 전극의 우묵한 부분의 영향으로 무아레 표시가 강조되어버릴 우려가 있었다.
본 발명은 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 콘택트 홀에 기인하는 무아레의 발생을 방지하도록 한, 액티브 매트릭스형 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 액티브 매트릭스형 표시 장치는 복수의 주사선과, 상기 주사선에 교차하여 형성된 복수의 신호선과, 상기 주사선과 상기 신호선의 교차부 근방에 형성된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자와 통하는 콘택트 홀이 형성되어 상기 주사선과 신호선과 스위칭 소자를 피복하는 절연층과, 상기 절연층 위에 형성되어 상기 콘택트 홀을 통해 상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속되는 화소 전극을 갖는 액티브 매트릭스 기판과, 상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극을 갖는 대향 기판과, 상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 사이에 유지된 광 변조층을 구비하고, 상기 콘택트 홀은 평면에서 봤을 때 마스킹된 것을 특징으로 하고 있다.
본 구성에 따르면 콘택트 홀이 평면에서 봤을 때 마스킹되어 있기 때문에, 콘택트 홀의 배열에 기인하는 무아레의 발생을 방지할 수 있다.
특히 화소 전극이 확산 반사 전극으로 구성되는 반사형 표시 장치에서는 콘택트 홀부에서의 큰 산란에 의해 무아레에 의한 시인성의 저하가 현저해질 우려가 있지만, 상기 기술한 바와 같이 콘택트 홀로부터의 반사광을 차폐함으로써, 무아레가 없는 고품질의 표시를 얻을 수 있다. 또 상기 확산 반사 전극은 예컨대 상기 절연층 위에 형성된 광 확산용 오목부 위에 형성되고, 상기 오목부와 합치하는 형상을 갖는 화소 전극으로 구성된다.
또한, 상기 콘택트 홀은 상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 중 어느 하나에 형성된 차광층에 의해 평면에서 봤을 때 마스킹되도록 해도 된다. 구체적으로는 상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 중 어느 하나에 컬러 필터층이 형성되고, 상기 컬러 필터층은 상기 화소 전극에 대응하는 위치에 복수의 컬러 필터가 배치됨과 동시에, 인접하는 컬러 필터 사이에 상기 차광층이 배치되도록 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 컬러 표시가 가능해진다.
또한, 상기 콘택트 홀은 상기 주사선 또는 신호선의 길이 방향으로 복수개 배열되어 형성되는 것이 바람직하다. 본 구성에 따르면 복수 형성된 콘택트 홀에 의해 화소 전극과 스위칭 소자의 접속 저항을 저감할 수 있다. 또한, 하나의 콘택트 홀에서 화소 전극과 스위칭 소자 사이에 접속 불량이 발생되어도 다른 콘택트 홀에 의해 도통을 취할 수 있어 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 이들 콘택트 홀이 주사선 또는 신호선의 길이 방향을 따라 배열되어 있으므로, 예컨대 콘택트 홀을 주사선 또는 신호선을 따르도록 형성된 차광층 등에 의해 평면에서 봤을 때 마스킹하도록 한 경우, 콘택트 홀을 주사선 또는 신호선에 수직 방향으로 배열하여 형성하는 경우보다 차광층 등에 의해 마스킹되는 화소 전극의 면적이 작아져 개구율을 크게 할 수 있다.
또한, 상기 스위칭 소자를 상기 주사선으로부터 연장 돌출된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 위에 상기 신호선으로부터 연장 돌출되어 형성된 소스 전극과, 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 상기 콘택트 홀을 통해 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터로 구성해도 된다. 이 때, 상기 드레인 전극에, 상기 드레인 전극의 상기 게이트 전극 위에 위치하는 부분에서 상기 주사선측 또는 상기 신호선측으로 연장된 돌출부를 형성하고, 상기 콘택트 홀을 상기 돌출부와 통하도록 형성하는 것이 바람직하다.
본 구성에 따르면 주사선측 또는 상기 신호선측으로 돌출된 돌출부에 콘택트 홀을 형성하였으므로, 예컨대 콘택트 홀을 주사선 또는 신호선을 따르도록 형성된 차광층 등에 의해 평면에서 봤을 때 마스킹하도록 한 경우, 이러한 차광층 등에 의해 마스킹되는 화소 전극의 면적이 작아져 개구율을 크게 할 수 있다. 이 때, 주사선 또는 상기 신호선에 근접하게 배치되는 것이 돌출부뿐이므로, 드레인 전극과 주사선 또는 신호선 사이의 용량 결합에 의해 전기 특성이 크게 손상되는 경우는 없다.
[발명의 실시 형태]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태로서의 액티브 매트릭스 표시 장치의 일례인 반사형 액정 표시 장치에 대해 설명한다. 또 종래의 기술과 동일한 부위에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 일부 생략한다. 또한 다음의 모든 도면에 대해서는 도면을 보기 쉽게 하기 위해 각 구성 요소의 막두께나 치수의 비율 등은 적절히 다르게 하였다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태의 반사형 액정 표시 장치는 본체인 액정 패널 (100) 과, 이 액정 패널 (100) 의 전면에 배치된 프런트 라이트 (200) 를 구비하여 구성되어 있다.
액정 패널 (100) 은 도 2 에 나타내는 바와 같이, 액티브 매트릭스 기판 (110) 과, 대향 기판 (140) 과, 기판 (110,140) 사이에 유지되는 광 변조층으로서의 액정층 (150) 을 구비하여 구성되어 있다.
액티브 매트릭스 기판 (110) 은 도 1 에 나타내는 바와 같이, 유리나 플라스틱 등으로 이루어지는 기판 본체 (111) 위에, 각각 행 방향 (x 축 방향), 열 방향 (y 축 방향) 으로 각각 복수의 주사선 (126), 신호선 (125) 이 전기적으로 절연되어 형성되고, 각 주사선 (126), 신호선 (125) 의 교차부 근방에 TFT (130; 스위칭 소자) 가 형성되어 있다. 이하, 기판 (110) 위에서, 화소 전극 (120) 이 형성되는 영역, TFT (130) 가 형성되는 영역, 주사선 (116) 및 신호선 (115) 이 형성되는 영역을 각각 화소 영역, 소자 영역, 배선 영역이라고 한다.
본 실시 형태의 TFT (130) 는 역(逆) 스태거형의 구조를 갖고, 본체가 되는 기판 (111) 의 최하층부로부터 차례로 게이트 전극 (112), 게이트 절연막 (113), 반도체층 (114,115), 소스 전극 (116) 및 드레인 전극 (117) 이 형성되어 있다. 즉, 주사선 (126) 의 일부가 연장 돌출되어 게이트 전극 (112) 이 형성되고, 이것을 덮은 게이트 절연층 (3) 위에 게이트 전극 (2) 을 평면에서 봤을 때 걸치듯이 아일랜드 형상의 반도체층 (114) 이 형성되고, 이 반도체층 (114) 의 양단측의 일방에 반도체층 (115) 을 통해 소스 전극 (116) 이, 타방에 반도체층 (115) 을 통해 드레인 전극 (117) 이 형성되어 있다.
기판 (111) 에는 유리 이외에, 폴리염화비닐, 폴리에스테르, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지류나 천연 수지 등의 절연 기판을 사용할 수 있다. 또한 그 이외에도 스테인리스 강판 등의 도전성 기판에 절연층을 형성하고, 이 절연층 위에 각종 배선이나 소자 등을 형성해도 된다.
게이트 전극 (112) 은 알루미늄 (Al), 몰리브덴 (Mo), 텅스텐 (W), 탄탈 (Ta), 티탄 (Ti), 구리 (Cu), 크롬 (Cr) 등의 금속 또는 이들 금속을 1 종류 이상 함유한 Mo-W 등의 합금으로 이루어지고, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 행 방향으로 배치되는 주사선 (126) 과 일체로 형성되어 있다.
게이트 절연층 (113) 은 산화 규소 (SiOx) 나 질화 규소 (SiNy) 등의 규소계 절연막으로 이루어지고, 주사선 (126) 및 게이트 전극 (112) 을 덮도록 기판 (111) 전체면에 형성되어 있다.
반도체층 (114) 은 불순물 도핑이 행해지지 않는 어모퍼스 규소 (a-Si) 등으로 이루어지는 i 형 반도체층이고, 게이트 절연층 (113) 을 통해 게이트 전극 (112) 과 대향하는 영역이 채널 영역으로 구성된다.
소스 전극 (116) 및 드레인 전극 (117) 은 Al, Mo, W, Ta, Ti, Cu, Cr 등의 금속 및 이들 금속을 1 종류 이상 함유한 합금으로 이루어지고, i 형 반도체층 (114) 위에 채널 영역을 사이에 두도록 대향하여 형성되어 있다. 또한, 소스 전극 (116) 은 열 방향으로 배치되는 신호선 (125) 으로부터 연장 돌출되어 형성되어 있다. 또 도 1 에 나타내는 바와 같이, 드레인 전극 (117) 에는 드레인 전극 (117) 의 게이트 전극 (112) 위에 위치하는 부분에서 주사선 (126) 측으로 연장되는 돌출부 (117a) 가 형성되어 있다.
또 i 형 반도체층 (114) 과 소스 전극 (116) 및 드레인 전극 (117) 사이에서 양호한 오믹 접촉을 얻기 위해, i 형 반도체층 (114) 과 각 전극 (116,117) 사이에는 인 (P) 등의 V 족 원소를 고농도로 도핑한 n 형 반도체층 (115) 이 형성되어 있다.
또한, 기판 (111) 위에는 절연층 (118,119) 이 적층되고, 또한 이 절연층 (119) 위에 Al 이나 Ag 등의 높은 반사율의 금속 재료로 이루어지는 화소 전극 (120; 확산 반사 전극) 이 형성되어 있다.
화소 전극 (120) 은 유기 절연층 (119) 위에 매트릭스 형상으로 복수개 형성되고, 본 실시 형태에서는 주사선 (126) 과 신호선 (125) 에 의해 구획된 영역에 대응시켜 하나씩 형성되어 있다. 그리고, 이 화소 전극 (120) 은 그 단변이 주사선 (126) 및 신호선 (125) 을 따르도록 배치되어 있고, TFT (130) 및 주사선 (126), 신호선 (125) 을 제외하고 기판 (111) 의 거의 모든 영역을 화소 영역으로 하도록 되어 있다.
절연층은 질화 규소 (SiNy) 등의 규소계 절연막으로 이루어지는 무기 절연층 (118) 과, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 벤조시클로부텐 폴리머 (BCB) 등으로 이루어지는 유기 절연층 (119) 과의 이층 구조로 되어 있고, TFT (130) 의 보호 기능을 강화하게 되어 있다. 이 유기 절연층 (119) 은 기판 (111) 위에 비교적 두껍게 적층되고, 화소 전극 (120) 과 TFT (130) 및 배선 (126,125) 의 절연을 확실하게 하여 화소 전극 (120) 과의 사이에 큰 기생 용량이 발생되는 것을 방지함과 동시에, 후막의 유기 절연층 (119) 에 의해 TFT (130) 나 배선 (126,125) 에 의해 형성된 기판 (111) 의 단차 구조가 평탄화되도록 되어 있다.
또한 이들 절연층 (118,119) 에는 드레인 전극 (117) 과 통하는 콘택트 홀 (121,122) 이 형성되어 있고, 이들 콘택트 홀 (121,122) 에 형성된 도전부 (120a) 를 통해 유기 절연층 (119) 위에 형성된 화소 전극 (120) 과, 절연층 (118) 하층에 배치된 드레인 전극 (117) 이 전기적으로 접속되어 있다. 이 콘택트 홀 (121,122) 은 주사선 (126) 에 근접한 드레인 전극 (117) 의 돌출부 (117a) 와 통하도록 형성되고, 화소 전극 (120) 의 단부에 주사선 (126) 을 따르도록 두 개 나열되어 배치되어 있다. 그럼으로써, 후술할 차광층 (142S) 에 의해 마스킹되는 화소 전극 (120) 의 면적이 작아지도록 구성되어 있다. 또 본 구성에서는 두 개의 콘택트 홀 (121,122) 을 통해 화소 전극 (120) 과 TFT (130) 사이의 확실한 도통을 얻도록 하고 있으나, 이러한 콘택트 홀은 하나 또는 셋 이상이어도 무방하다.
그런데, 상기 유기 절연층 (119) 표면에는 화소 영역에 대응하는 위치에, 전사형을 유기 절연층 (119) 표면에 압착하는 등의 방법으로 형성된 복수의 오목부가 형성되어 있다. 이 유기 절연층 (119) 표면에 형성된 오목부는 화소 전극 (120) 에 소정 표면 형상 (오목부 (120g)) 을 부여하고, 화소 전극 (120) 에 형성된 오목부 (120g) 에 의해 액정 패널 (100) 에 입사된 빛은 일부 산란되어 보다 넓은 관찰 범위에서 보다 밝은 표시가 얻어지도록 되어 있다.
이 오목부 (120g) 의 내면은 구면 형상으로 형성되고, 화소 전극 (120) 에 소정 각도 (예컨대 30°) 로 입사된 빛의 확산 반사광의 휘도 분포가 그 정반사 각도를 중심으로 하여 대략 대칭이 되도록 되어 있다. 구체적으로는 오목부 (120g) 의 내면의 경사각 θg 는 －18°∼ ＋18°의 범위로 설정되어 있다. 또한, 인접하는 오목부 (120g) 의 피치는 랜덤하게 되도록 배치되어 있고, 오목부 (120g) 의 배열에 기인하는 무아레의 발생을 방지할 수 있게 되어 있다.
또 제조 용이성 관점에서 오목부 (120g) 의 직경은 5㎛ ∼ 100㎛ 로 설정되어 있다. 또한 오목부 (120g) 의 깊이는 0.1㎛ ∼ 3㎛ 의 범위로 구성되어 있다. 그 이유는 오목부 (120g) 의 깊이가 0.1㎛ 에 미치지 못하는 경우에는 반사광의 확산 효과를 충분히 얻을 수 없고, 또한 깊이가 3㎛ 를 초과하는 경우에는 상기 내면의 경사각의 조건을 만족시키기 위해 오목부 (120g) 의 피치를 넓혀야만 하기 때문에 무아레를 발생시킬 우려가 있기 때문이다.
여기서,「오목부 (120g) 의 깊이」란 오목부 (120g) 가 형성되어 있지 않은 부분의 화소 전극 (120) 의 표면에서 오목부 (120g) 의 저부까지의 거리를 말하고,「인접하는 오목부 (120g) 의 피치」란 평면에서 봤을 때에 원형 형상을 갖는 오목부 (120g) 의 중심간 거리를 말한다. 또한「오목부 (120g) 내면의 경사각」이란 도 5 에 나타내는 바와 같이, 오목부 (120g) 내면의 임의의 장소에서 0.5㎛ 폭의 미소한 범위를 취하였을 때에, 그 미소 범위내에서의 경사면의 수평면 (기판 (111) 표면) 에 대한 각도 θg 를 말한다. 이 각도 θg 의 플러스 마이너스는 오목부 (120g) 가 형성되어 있지 않은 부분의 화소 전극 (120) 의 표면에 세운 법선에 대해, 예컨대 도 5 에서의 우측 경사면을 플러스, 좌측 경사면을 마이너스라 정의한다.
도 6 은 상기 기술한 바와 같이 구성된 화소 전극 (120) 의 반사 특성을 나타내는 도면으로서, 기판 표면 S 에 대해 30°의 입사각으로 외광을 조사하고, 시각을 기판 표면 S 에 대한 정반사 방향인 30°위치를 중심으로 하여 기판 표면 S 의 법선 방향에 대해 0°위치 (수선 위치) 에서 60°위치까지 틀었을 때의 수광각 θ와 밝기 (반사율) 의 관계를 나타내고 있다. 본 실시 형태의 화소 전극 (120) 에서는 반사광은 정반사 방향인 반사 각도 30°위치를 중심으로 하여 ±10°범위에서 대략 일정해졌고, 이 범위에서 균일한 밝은 표시를 얻을 수 있게 되었다.
그리고, 상기 기술한 바와 같이 구성된 기판 (111) 위에는 추가로 화소 전극 (120) 및 유기 절연층 (119) 을 덮도록 러빙 등의 소정 배향 처리가 실시된 폴리이미드 등으로 이루어지는 배향막 (123) 이 형성되어 있다.
한편, 대향 기판 (140) 은 컬러 필터 어레이 기판으로 구성되고, 유리나 플라스틱 등으로 이루어지는 투광성 기판 본체 (141) 위에, 도 2 에 나타내는 바와 같은 컬러 필터층 (142) 이 형성되어 있다.
이 컬러 필터층 (142) 은 도 8 에 나타내는 바와 같이, 각각 적 (R), 녹 (G), 청 (B) 의 파장의 빛을 투과하는 컬러 필터 (142R,142G,142B) 가 주기적으로 배열된 구성으로 되어 있고, 각 컬러 필터 (142R,142G,142B) 는 각 화소 전극 (120) 에 대향하는 위치에 형성되어 있다.
또한, 상기 컬러 필터층 (142) 에서, 컬러 필터 (142R,142G,142B) 가 형성되어 있지 않은 영역에는 차광층 (142S) 이 형성되어 있다. 이 차광층 (142S) 은 도 1 에 나타내는 바와 같이, 평면에서 봤을 때에 콘택트 홀 (121,122) 이 배치되는 화소 전극 (120) 의 상단부를 덮도록 스트라이프 형상으로 형성되어 있어 콘택트 홀 (121,122) 의 도전층 (120a) 에서 산란된 빛을 차광하도록 되어 있다.
그리고, 상기 기술한 컬러 필터층 (142) 위에는 ITO 또는 IZO 등의 투명한 대향 전극 (143; 공통 전극) 이 형성되고, 또한 기판 (140) 의 적어도 표시 영역에 대응하는 위치에 소정 배향 처리가 실시된 폴리이미드 등으로 이루어지는 배향막 (144) 이 형성되어 있다.
그리고, 상기 기술한 바와 같이 구성된 기판 (110,140) 은 스페이서 (도시 생략) 에 의해 서로 일정하게 이간된 상태로 유지됨과 동시에, 기판 주변부에 직사각형 틀 형상으로 도포된 열경화성 실링재 (도시 생략) 에 의해 접착되어 있다. 그리고, 기판 (110,140) 및 실링재에 의해 밀폐된 공간에 액정이 봉입되어 광 변조층으로서의 액정층 (150) 이 형성되어 액정 패널 (100) 이 구성되어 있다.
프런트 라이트 (200) 는 도 3 에 나타내는 바와 같이, 액정 패널 (100) 에 대향하여 형성된 아크릴계 수지 등의 투명 부재로 이루어지는 평판 형상의 도광체 (220) 와, 이 도광체 (220) 의 측단면에 배치된 아크릴계 수지 등의 투명 부재로 이루어지는 사각 기둥 형상의 중간 도광체 (212) 와, 이 중간 도광체 (212) 의 길이 방향의 일단면에 배치된 LED (Light Emitting Diode) 등으로 이루어지는 발광 소자 (211) 를 구비하여 구성되어 있다.
중간 도광체 (212) 는 공기층을 통해 도광체 (220) 에 대략 평행하게 배치되어 있고, 이 공기층과 도광체 (212) 의 경계면에 얕게 입사된 빛을 전반사시켜 도광체 (212) 내를 전파시키도록 되어 있다. 또한, 도광체 (212) 내에 전파된 빛을 도광체 (220) 를 향해 출사시키기 위해, 도광체 (212) 의 도광체 (220) 와 반대측 면에는 도시하지 않은 쐐기 형상의 홈이 형성되고, 이 홈에 Al 또는 Ag 등의 광 반사성이 높은 금속 박막이 형성되어 있다.
도 7 에 나타내는 바와 같이, 도광체 (220) 는 공기층을 통해 액정 패널 (100) 의 표시면에 대략 평행하게 배치되어 중간 도광체 (212) 와 대향하는 측단면이 빛의 입사면 (220a) 으로 되고, 액정 패널 (100) 에 대향하는 면 (하면) 이 빛의 출사면 (220b) 으로서 구성되어 있다. 또한, 입사면 (220a) 으로부터 입사된 빛을 출사면 (220b) 측으로 향해 낙사시키기 위해 도광체 (220) 의 상면 (액정 패널 (100) 과 반대측 면) 에는 프리즘 형상의 홈 (221) 이 스트라이프 형상으로 형성되어 있다.
이 홈 (221) 은 도 7 에 나타내는 바와 같이, 한쌍의 경사면 (221a,221b) 으로 이루어지는 쐐기 형상을 갖고, 완경사면 (221a) 의 기준면 N 에 대한 각도 θ1 은 예컨대 1°이상 10°이하의 범위로 설정되어 있다. 이는 예컨대 θ1 이 1°미만인 경우에는 프런트 라이트 (200) 의 평균 휘도가 저하되고, θ1 이 10°보다 크면 출사 광량이 출사면 (220b) 내에서 불균일해지기 때문이다. 또한, 급경사면 (221b) 의 기준면 N 에 대한 각도 θ2 는 예컨대 41°이상 45°이하의 범위로 설정되어 있어 급경사면 (221b) 에 의해 반사된 빛의 전파 방향과 출사면 (220b) 의 법선 방향의 어긋남이 적어지도록 되어 있다.
또한, 홈 (221) 의 급경사면 (221b) 의 폭 (홈 (221) 의 연재 방향에 수직인 방향의 폭) 은 입사면 (220a) 에서 떨어진 위치에서의 홈 (221) 일수록 넓게 구성되어 있고, 광량이 저하되기 쉬운 입사면 (220a) 에서 떨어진 위치에서의 출사광량이 증가하도록 되어 있다. 구체적인 일례로서 입사면 (220a) 에 가장 가까운 위치에 위치하는 홈 (221) 의 급경사면 (221b) 의 폭을 1.0 으로 하였을 때, 입사면 (220a) 에서 가장 떨어진 위치 (즉, 입사면 (220a) 과 대향하는 도광체 (220) 의 단면 부근) 에서의 홈 (221) 의 급경사면 (221b) 의 폭이 1.1 이상 1.5 이하가 되도록 구성되어 있다.
또한, 도 8 에 나타내는 바와 같이, 홈 (221) 의 연재 방향은 액정 패널의 화소 (120A) 의 배열 방향 (x 축 방향) 에 대해 소정 각도 α만큼 경사져 있어 홈 (221) 과 화소 (120A) 의 간섭에 의한 무아레의 발생을 방지하도록 되어 있다. 이 경사 각도 α는 0°보다 크고 15°이하의 범위로 되도록 구성되고, 6.5°이상 8.5°이하로 하는 것이 바람직하다. 또한 홈 (221) 의 피치 (P1) 는 화소 피치 (P0) 보다 작게 구성되어 있고, 홈 (221) 의 피치 (P1) 를 주기로 하는 조명 불균일이 화소 (120A) 내에서 평준화되어 관찰자에게 인식되지 않도록 되어 있다. 특히 홈 (221) 의 피치 (P1) 와 화소 피치 (P0) 가 0.5P0 ＜ P1 ＜ 0.75P0 의 관계를 만족하도록 구성하는 것이 바람직하다.
또 도 3, 도 7 에 나타내는 바와 같이 중간 도광체 (212) 와 도광체 (220) 는 내면에 Al 이나 Ag 등의 높은 반사율의 금속 박막 (213a) 이 형성된 케이스 형상의 케이스체 (213) 에 의해 일체로 고정되어 있는 것이 바람직하다.
따라서, 본 실시 형태의 반사형 액정 표시 장치에 따르면 콘택트 홀 (121,122) 이 차광층 (142S) 에 의해 평면에서 봤을 때 마스킹되어 있으므로, 콘택트 홀 (121,122) 의 배열에 기인하는 무아레의 발생을 방지할 수 있다. 특히, 상기 기술한 바와 같은 확산 반사 전극 (120) 을 사용한 반사형 표시 장치에서는 콘택트 홀 (121,122) 근방에 형성되는 화소 전극 (120) 의 오목부 (120g) 에 의해 큰 광산란이 발생되어 강한 무아레가 관찰될 우려가 있지만, 차광층 (142S) 에 의해 이러한 광산란을 차폐함으로써 무아레가 두드러지지 않는 고품질의 표시를 얻을 수 있다.
또한, 주사선 (126) 에 근접하게 배치된 돌출부 (117a) 에 콘택트 홀 (121,122) 을 형성하고 있기 때문에, 차광층 (142S) 에 의해 마스킹되는 화소 전극 (120) 의 면적을 작게 할 수 있다. 그럼으로써, 개구율을 높여 밝은 표시를 얻을 수 있다. 이 때, 주사선 (126) 에 근접하게 배치되는 것이 돌출부 (117a) 뿐이므로, 드레인 전극 (117) 과 주사선 (126) 사이의 용량 결합에 의해 전기 특성이 크게 손상되는 경우는 없다.
다음에, 본 발명의 제 1 변형예에 대해 도 9 를 참조하여 설명한다.
본 변형예에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치는 상기 실시 형태의 TFT (130) 의 드레인 전극 (117) 의 형상을 직사각형 형상으로 한 것으로, 그 밖의 구성에 대해서는 상기 실시 형태와 동일하므로 설명을 생략한다.
따라서, 본 변형예에서도 상기 제 1 실시 형태와 동일하게 무아레가 두드러지지 않는 고품질의 표시를 얻을 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 2 변형예에 대해 도 10 ∼ 도 12 를 참조하여 설명한다. 도 10 은 본 변형예에 관한 액정 패널에서의 화소 전극 상의 하나의 오목부를 나타내는 사시도이고, 도 11 은 본 오목부를 y 축과 평행한 면에서 자른 Y 단면도이고, 도 12 는 그 반사 특성을 나타내는 도면이다.
본 변형예에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치는 상기 실시 형태의 액정 패널 (100) 에서의 화소 전극 (120) 의 오목부 (120g) 의 내면 형상을 변형한 것으로, 화소 전극 (120) 에 소정 각도 (예컨대 30°) 로 입사된 빛의 확산 반사광의 휘도 분포가 그 정반사 각도를 중심으로 하여 비대칭이 되도록 구성되어 있다.
구체적으로는 본 오목부 (120g) 는 곡률이 작은 제 1 곡면과 곡률이 큰 제 2 곡면으로 구성되고, 제 1 곡면 및 제 2 곡면은 각각 도 11 에 나타내는 Y 단면에 있어서, 오목부 (120g) 의 일방의 주변부 (S1) 로부터 최심점 D 에 이르는 제 1 곡선 A 와, 제 1 곡선 A 에 완만하게 연속적으로 오목부 (120g) 의 최심점 D 로부터 타방의 주변부 S2 에 이르는 제 2 곡선 B 로 나타내는 형상을 갖고 있다.
이 최심점 D 는 오목부 (120g) 의 중심 0 에서 y 방향측으로 어긋난 위치에 있고, 기판 (111) 의 수평면에 대한 제 1 곡선 A 의 경사각 및 제 2 곡선 B 의 경사각의 절대값의 평균값은 각각 1°∼ 89°, 0.5°∼ 88°의 각 범위에서 불규칙하게 분산되어 설정되고, 제 1 곡선 A 의 경사각의 평균값은 제 2 곡선 B 의 것에 비해 크게 되어 있다. 또한, 최대 경사각을 나타내는 제 1 곡선 A 의 주변부 S1 에서의 경사각 δa 는 각 오목부 (120g) 에서 대략 4°∼ 35°의 범위내에서 불규칙하게 분산되어 있다. 그럼으로써, 각 오목부 (120g) 의 깊이 d 는 0.25㎛ ∼ 3㎛ 의 범위내에서 불규칙하게 분산되어 구성되어 있다.
도 12 는 상기 기술한 바와 같이 구성된 화소 전극 (120) 의 반사 특성을 나타내는 도면으로서, 기판 표면 S 에 대해 상기 y 방향측으로부터 입사각 30°로 외광을 조사하고, 시각을 기판 표면 S 에 대한 정반사 방향인 30°위치를 중심으로 하여 기판 표면 S 의 법선 방향에 대해 0°위치 (수선 위치) 에서 60°위치까지 틀었을 때의 수광각 θ와 밝기 (반사율) 의 관계를 나타내고 있다. 또 도 12 에서는 비교를 위해 상기 실시 형태에서 사용한 구면 형상의 오목부 (120g) 를 갖는 화소 전극 (120) 에서의 수광각과 반사율의 관계 (도 6 참조) 를 점선으로 병기하고 있다.
도 12 에 나타내는 바와 같이 본 변형예의 화소 전극 (120) 에서는 y 방향측으로부터 30°각도로 액정 패널에 입사된 빛의 반사광은 정반사 방향인 반사 각도 30°보다 작은 각도 (20°부근) 에 있어서 상기 제 1 실시 형태의 것보다 휘도가 커지고, 반대로 반사 각도 30°보다 큰 각도 (40°부근) 에 있어서 상기 제 1 실시 형태의 것보다 휘도가 작게 되어 있다. 요컨대 오목부 (120g) 의 최심점 D 가 오목부 (120g) 의 중심 0 에서 y 방향측으로 어긋나 있으므로, 제 2 곡면에서 반사되는 빛의 비율이 제 1 곡면에서 반사되는 것보다 커져 y 방향측의 반사 표시가 보다 밝게 되어 있다.
그리고, 그 밖의 구성에 대해서는 상기 실시 형태와 동일하므로 설명을 생략한다.
따라서, 본 변형예에서도 상기 실시 형태와 동일한 효과가 얻어지는 것 이외에, 화소 전극 (120) 의 오목부 (120g) 를 구성하는 제 1 곡면과 제 2 곡면을 최심점 D 에 관해 비대칭으로 구성하여 반사광에 지향성을 갖게 하고 있어 특정한 관찰 방향의 표시의 밝기를 높여 반사광을 유효하게 이용할 수 있다.
다음에, 본 발명의 제 3 변형예에 대해 도 13 ∼ 도 16 을 참조하여 설명한다. 도 13 은 본 변형예에 관한 액정 패널에서의 화소 전극 상의 하나의 오목부를 나타내는 사시도이고, 도 14, 도 15 는 각각 본 오목부를 y 축, x 축과 평행한 면에서 자른 단면도이고, 도 16 은 그 반사 특성을 나타내는 도면이다.
본 변형예에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치는 상기 실시 형태의 액정 패널 (100) 에서의 화소 전극 (120) 의 오목부 (120g) 의 내면 형상을 변형한 것으로, 상기 제 1 변형예와 동일하게 반사광에 지향성을 갖도록 되어 있다.
구체적으로는 본 오목부 (120g) 는 상기 제 2 변형예와 동일하게, 곡률이 작은 제 1 곡면과 곡률이 큰 제 2 곡면으로 구성되고, 제 1 곡면 및 제 2 곡면은 각각 도 14 에 나타내는 Y 단면에서, 오목부 (120g) 의 일방의 주변부 S1 로부터 최심점 D 에 이르는 제 1 곡선 A' 와 제 1 곡선 A' 에 완만하게 연속적으로 오목부 (120g) 의 최심점 D 에서 타방의 주변부 S2 에 이르는 제 2 곡선 B' 로 나타나는 형상을 갖고 있다.
이 최심점 D 는 오목부 (120g) 의 중심 0 에서 y 방향으로 어긋난 위치에 있고, 기판 표면 S 에 대한 제 1 곡선 A' 의 경사각 및 제 2 곡선 B' 의 경사각의 절대값의 평균값은 각각 2°∼ 90°, 1°∼ 89°의 각 범위에서 불규칙하게 분산되어 설정되고, 제 1 곡선 A' 의 경사각의 평균값은 제 2 곡선 B' 의 것에 비해 커져 있다. 또한, 최대 경사각을 나타내는 제 1 곡선 A' 의 주변부 S1 에서의 경사각 δa 는 각 오목부 (120g) 에 있어서 대략 4°∼ 35°범위내에서 불규칙하게 분산되어 있다. 그럼으로써, 각 오목부 (120g) 의 깊이 d 는 0.25㎛ ∼ 3㎛ 의 범위내에서 불규칙하게 분산되어 구성되어 있다.
한편, 제 1 곡면 및 제 2 곡면은 모두 도 15 에 나타내는 X 단면에 있어서 중심 0 에 대해 대략 좌우 대칭인 형상을 하고 있다. 이 X 단면의 형상은 최심점 D 의 주변에 있어서 곡률이 큰 (즉, 직선에 가까운 완만한) 곡선 E 로 되어 있고, 그 기판 표면 S 에 대한 경사각의 절대값은 대략 10°이하로 구성되어 있다. 또한, 심형 곡선 F, G 의 기판 표면 S 에 대한 경사각의 절대값은 예컨대 2°∼ 9°범위내에서 불규칙하게 분산되어 구성되어 있다. 또한, 최심점 D 의 깊이 d 는 0.1㎛ ∼ 3㎛ 범위내에서 불규칙하게 분산되어 구성되어 있다.
도 16 은 상기 기술한 바와 같이 구성된 화소 전극 (120) 의 반사 특성을 나타내는 도면으로서, 기판 표면 S 에 대해 상기 y 방향측으로부터 입사각 30°로 외광을 조사하고, 시각을 기판 표면 S 에 대한 정반사 방향인 30°위치를 중심으로 하여 기판 표면 S 의 법선 방향에 대해 0°위치 (수선 위치) 에서 60°위치까지 틀었을 때의 수광각 θ와 밝기 (반사율) 의 관계를 나타내고 있다. 또 도 16 에서는 비교를 위해 상기 실시 형태에서 사용한 구면 형상의 오목부 (120g) 를 갖는 화소 전극 (120) 에서의 수광각과 반사율의 관계 (도 6 참조) 를 점선으로 병기하고 있다.
본 변형예의 화소 전극 (120) 에서는 y 방향측으로부터 30°각도로 액정 패널에 입사된 빛의 반사광은 정반사 방향인 반사 각도 30°부근으로부터 이보다 작은 각도 (20°부근) 에 있어서, 상기 제 1 실시 형태의 것보다 휘도가 커져 있다. 요컨대 오목부 (120g) 의 최심점 D 가 오목부 (120g) 의 중심 0 에서 y 방향으로 어긋나 있기 때문에, 제 2 곡면에서 반사되는 빛의 비율이 제 1 곡면에서 반사되는 것보다 커져 y 방향과 반대측의 반사 표시가 보다 밝게 되어 있다. 또한 오목부 (120g) 의 최심점 D 근방이 완만한 곡면으로 되어 있기 때문에, 정반사 방향의 반사율도 높아져 있다.
그리고, 그 이외의 구성에 대해서는 상기 실시 형태와 동일하므로 설명을 생략한다.
따라서, 본 변형예에서도 상기 실시 형태와 동일한 효과가 얻어지는 것 이외에, 특정한 관찰 방향의 표시의 밝기를 높여 반사광을 유효하게 이용할 수 있다.
또 본 발명은 상기 기술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
예컨대 상기 TFT (130) 는 역 스태거형의 구조에 한정되지 않고, 정 스태거형 TFT 일 수도 있다. 또한, 스위칭 소자는 TFT 에 한정되지 않고, 메탈층간에 절연층을 사이에 두고 이루어지는 MIM (Metal Insulator Metal) 구조의 다이오드일 수도 있다.
또한 콘택트 홀은 주사선이 아니라 신호선의 연재 방향으로 형성되어 있어도 되고, 이 경우 콘택트 홀은 신호선측을 따른 마스킹 수단에 의해 평면에서 봤을 때 마스킹된다.
또한, 컬러 필터층 (142) 이 형성되는 기판은 대향 기판 (140) 측에 한정되지 않고, 액티브 매트릭스 기판 (110) 측에 컬러 필터층 (142) 을 형성해도 된다. 이에 수반하여 차광층 (142S) 은 액티브 매트릭스 기판 (110) 과 대향 기판 (140) 중 어느 하나에 형성되게 된다. 물론, 컬러 필터 (142R,142G,142B) 와 차광층 (142S) 을 각각의 기판에 형성해도 된다.
또한, 상기 기술한 실시 형태에서는 차광층 (142S) 을 스트라이프 형상으로 형성하고 있으나, 컬러 필터 (142R,142G,142B) 의 주위를 에워싸듯이 격자 형상으로 형성하거나, 콘택트 홀 (121,122) 이 형성된 위치에만 도트 형상으로 형성할 수도 있다.
또한 상기 실시 형태에서는 액티브 매트릭스형 표시 장치의 예로서 반사형 액정 표시 장치에 대해 설명하였으나, 예컨대 상기 실시 형태의 구성에 있어서, 확산 반사 전극 (120) 을 80㎚ 이상의 후막으로 하고, 이 전극 (120) 의 중앙부에 개구부 (개구율은 화소 면적에 대해 10% ∼ 30% 정도) 를 형성한 소위 반투과 반사형 액정 장치로 할 수도 있다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면 콘택트 홀이 평면에서 봤을 때 마스킹되어 있기 때문에, 콘택트 홀의 배열에 기인하는 무아레의 발생을 방지할 수 있다. 특히, 화소 전극이 확산 반사 전극으로서 구성되는 반사형 표시 장치에서는 콘택트 홀부에서의 큰 산란에 의해 무아레에 의한 시인성 저하가 현저해질 우려가 있으나, 상기 기술한 바와 같이 콘택트 홀로부터의 반사광을 차폐함으로써, 무아레가 없는 고품질의 표시를 얻을 수 있다.
또한, 화소 전극과 스위칭 소자를 복수의 콘택트 홀을 통해 전기적으로 접속시키도록 함으로써, 화소 전극과 스위칭 소자의 접속 저항을 저감할 수 있는 것 이외에, 하나의 콘택트 홀에서 화소 전극과 스위칭 소자 사이에 접속 불량이 발생되어도 다른 콘택트 홀에 의해 도통을 취할 수 있어 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
이 때, 복수의 콘택트 홀을 주사선의 길이 방향을 따르도록 배치함으로써, 예컨대 콘택트 홀을 주사선을 따르도록 형성된 차광층 등에 의해 평면에서 봤을 때마스킹하도록 한 경우, 콘택트 홀을 주사선에 수직 방향으로 배열하여 형성하는 경우보다 차광층 등에 의해 마스킹되는 화소 전극의 면적이 작아져 개구율을 크게 할 수 있다.
또한, 스위칭 소자를 박막 트랜지스터로서 구성하고, 드레인 전극에 평면에서 봤을 때 드레인 전극의 게이트 전극 상에 위치하는 부분에서 주사선측으로 연장된 돌출부를 형성하고, 콘택트 홀을 이 돌출부와 통하도록 형성시킴으로써, 예컨대 콘택트 홀을 주사선을 따르도록 형성된 차광층 등에 의해 평면에서 봤을 때 마스킹하도록 한 경우에, 이러한 차광층 등에 의해 마스킹되는 화소 전극의 면적이 작아져 개구율을 크게 할 수 있다. 이 때, 주사선에 근접하게 배치되는 것이 돌출부뿐이므로, 드레인 전극과 주사선 사이의 용량 결합에 의해 전기 특성이 크게 손상되는 경우는 없다.
도 1 은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 액정 패널의 평면도로서, 액티브 매트릭스 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판측에서 본 상태를 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 액정 패널의 전체 구성을 나타내는 단면도로서, 도 1 의 II-II' 단면을 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치의 전체 구성을 나타내는 사시도이다.
도 4 는 본 발명의 일 실시 형태에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 액티브 매트릭스 기판의 화소 전극의 사시도이다.
도 5 는 본 발명의 일 실시 형태의 화소 전극의 구성을 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 6 은 본 발명의 일 실시 형태의 화소 전극에 의한 반사 특성을 나타내는 도면이다.
도 7 은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 프런트 라이트의 부분 단면도이다.
도 8 은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 액정 패널의 평면도로서, 대향 기판을 프런트 라이트측에서 본 상태를 나타내는 도면이다.
도 9 는 본 발명의 제 1 변형예에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 액티브 매트릭스 기판의 요부를 확대하여 나타내는 평면도이다.
도 10 은 본 발명의 제 2 변형예에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 액티브 매트릭스 기판의 화소 전극의 사시도이다.
도 11 은 본 발명의 제 2 변형예의 화소 전극의 구성을 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 12 는 본 발명의 제 2 변형예의 화소 전극에 의한 반사 특성을 나타내는 도면이다.
도 13 은 본 발명의 제 3 변형예에 관한 액티브 매트릭스형 표시 장치를 구성하는 액티브 매트릭스 기판의 화소 전극의 사시도이다.
도 14 는 본 발명의 제 3 변형예의 화소 전극의 구성을 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 15 는 본 발명의 제 3 변형예의 화소 전극의 구성을 설명하기 위한 확대 단면도이다.
도 16 은 본 발명의 제 3 변형예의 화소 전극에 의한 반사 특성을 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110: 액티브 매트릭스 기판 112: 게이트 전극
113: 게이트 절연층 116: 소스 전극
117: 드레인 전극 117a: 돌출부
119: 유기 절연층 (절연층) 120: 화소 전극 (확산 반사 전극)
120g: 오목부 121,122: 콘택트 홀
125: 신호선 126: 주사선
130: TFT (스위칭 소자) 140: 대향 기판
142: 컬러 필터층 142R,142G,142B: 컬러 필터
142S: 차광층 143: 대향 전극
150: 액정층 (광 변조층)

Claims (7)

  1. 복수의 주사선과, 상기 주사선에 교차하여 형성된 복수의 신호선과, 상기 주사선과 상기 신호선의 교차부 근방에 형성된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자와 통하는 콘택트 홀이 형성되어 상기 주사선과 신호선과 스위칭 소자를 피복하는 절연층과, 상기 절연층 위에 형성되어 상기 콘택트 홀을 통해 상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속되는 화소 전극을 갖는 액티브 매트릭스 기판과,
    상기 화소 전극에 대향하는 대향 전극을 갖는 대향 기판과,
    상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 사이에 유지된 광 변조층을 구비하고,
    상기 콘택트 홀은 평면에서 봤을 때 마스킹되며,
    상기 스위칭 소자가 상기 주사선으로부터 연장 돌출된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 위에 형성된 게이트 절연층과, 상기 게이트 절연층 위에 상기 신호선으로부터 연장 돌출되어 형성된 소스 전극과, 상기 게이트 절연층 위에 형성되어 상기 콘택트 홀을 통해 상기 화소 전극에 전기적으로 접속된 드레인 전극을 갖는 박막 트랜지스터로 구성되고,
    상기 드레인 전극에, 상기 드레인 전극의 상기 게이트 전극 위에 위치하는 부분에서 상기 주사선측 또는 상기 신호선측으로 연장된 돌출부가 형성되고, 상기 콘택트 홀이 상기 돌출부와 통하도록 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소 전극이 확산 반사 전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 확산 반사 전극은 상기 절연층 위에 형성된 광 확산용 오목부 위에 형성되고, 상기 오목부와 합치하는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 중 어느 하나에 상기 콘택트 홀을 평면에서 봤을 때 마스킹하는 차광층이 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 액티브 매트릭스 기판과 상기 대향 기판 중 어느 하나에 컬러 필터층 및 상기 콘택트 홀을 평면에서 봤을 때 마스킹하는 차광층이 형성되고,
    상기 컬러 필터층은 상기 화소 전극에 대응하는 위치에 복수의 컬러 필터가 배치되어 이루어지고, 상기 차광층은 인접하는 컬러 필터 사이에 배치된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 콘택트 홀이 상기 주사선 또는 상기 신호선의 길이 방향으로 복수개 배열되어 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 표시 장치.
  7. 삭제
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