KR100528475B1 - Chemical Vapor Deposition Apparatus - Google Patents

Chemical Vapor Deposition Apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100528475B1
KR100528475B1 KR10-2003-0021471A KR20030021471A KR100528475B1 KR 100528475 B1 KR100528475 B1 KR 100528475B1 KR 20030021471 A KR20030021471 A KR 20030021471A KR 100528475 B1 KR100528475 B1 KR 100528475B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
vapor deposition
chemical vapor
deposition apparatus
chamber
Prior art date
Application number
KR10-2003-0021471A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20040087198A (en
Inventor
심경만
이태원
성순환
박재영
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR10-2003-0021471A priority Critical patent/KR100528475B1/en
Publication of KR20040087198A publication Critical patent/KR20040087198A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100528475B1 publication Critical patent/KR100528475B1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼에 박막을 증착하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 공정챔버와, 상기 공정챔버 내부에 설치되어 상기 웨이퍼가 안착되는 척과, 상기 척 둘레에 배치되며 제 1공정가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 고정관과 그리고, 상기 척 둘레에 배치되며, 제 2공정가스를 분사하고 분사부의 위치가 조절되는 이동관을 포함하되, 상기 이동관의 분사부 위치는 제 1부재와 제 2부재가 슬라이드 이동됨과 동시에, 위치설정장치에 의해 조절된다. 본 발명으로 인해 웨이퍼에 증착되는 박막을 균일하게 형성할 수 있다.The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus for depositing a thin film on a wafer, a process chamber, a chuck installed inside the process chamber, the wafer is seated, and at least one disposed around the chuck and spraying a first process gas And a fixed tube and a movable tube disposed around the chuck and configured to inject a second process gas and adjust the position of the injector, wherein the position of the injector of the movable tube is slid with the first member and the second member. It is controlled by the positioning device. According to the present invention, the thin film deposited on the wafer can be uniformly formed.

Description

화학 기상 증착 장치{Chemical Vapor Deposition Apparatus}Chemical Vapor Deposition Apparatus {Chemical Vapor Deposition Apparatus}

본 발명은 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 특히 고밀도 플라즈마(HDP : High Density Plasma)을 통하여 웨이퍼 표면에 균일한 박막을 갖도록 구현하는 화학 기상 증착 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus, and more particularly, to a chemical vapor deposition apparatus embodying a uniform thin film on a wafer surface through a high density plasma (HDP).

최근, 반도체 제조 기술의 급속한 발달에 따라 반도체 소자가 고집적화되고 있으며, 이로 인해 회로상의 금속 배선들의 선폭과 금속배선들 간의 간격이 점점 미세화되고 있는 추세이다.In recent years, with the rapid development of semiconductor manufacturing technology, semiconductor devices have been highly integrated, and as a result, line widths of metal wires on a circuit and gaps between metal wires have become smaller.

이러한 고밀도 집척회로는 화학 기상 증착(CVD : Chemical Vapor Deposition)방법을 이용하여 박막을 형성하는데, 한 개의 퍼니스(Furnace)를 이용하여 한번에 여러매의 웨이퍼를 처리하는 배치식(Batch Type) 설비와, 여러 개의 작은 챔버를 이용하여 한번에 웨이퍼를 한매씩 처리하는 매엽식(Single Type)이 있다.Such a high density collecting circuit forms a thin film using a chemical vapor deposition (CVD) method, a batch type facility that processes a plurality of wafers at a time by using one furnace, There is a single type that processes several wafers one at a time using several small chambers.

첨부된 도 1은 종래의 매엽식 반도체 챔버의 일부분을 도시한 간략 구조도로서, 내부에 피 적층체인 웨이퍼(1)를 가지는, 밀폐된 반응 용기의 매엽식 챔버(10)와, 상기 챔버 내로 인입되어 박막을 구현 가능하게 하는 소스물질과, 반응가스를 각각 저장하고 이를 챔버의 내부로 공급하는 소스물질 공급부(20) 및 상기 반응가스 공급부를 포함하여 구성된다.1 is a simplified structural diagram showing a part of a conventional single wafer semiconductor chamber, which has a single wafer 10 in a sealed reaction container having a wafer 1 stacked therein, and is drawn into the chamber. It comprises a source material to enable the thin film, and a source material supply unit 20 for storing and supplying the reaction gas into the chamber, respectively, and the reaction gas supply unit.

소스물질 공급부(20)는, 소스물질을 액상으로 저장하는 소스물질 저장장치(22)와, 상기 소스물질 저장장치(22)에 저장된 액상의 소스물질의 유량을 제어하는 액체유량조절기(24)와, 상기 액체유량조절기(24)로부터 유량이 제어된 액상의 소스물질을 기화하는 기화기(26)와, 상기 기화기를 통하여 기화된 소스물질을 챔버 내로 인입하여 확산 분사하는 소스가스 인젝터를 포함하는 구성을 가지고 있고, 또한 상기 반응가스 공급부(30)는 상기 소스가스와 반응하여 박막을 구현 가능하게 하는 반응가스를 챔버(10)내로 인입하여 확산 분사하는 반응가스 인젝터(34)를 포함하고 있다.The source material supply unit 20 includes a source material storage device 22 for storing the source material in the liquid phase, a liquid flow controller 24 for controlling the flow rate of the liquid source material stored in the source material storage device 22 and And a vaporizer 26 for vaporizing a liquid source material whose flow rate is controlled from the liquid flow controller 24, and a source gas injector for introducing and diffusing the vaporized source material into the chamber through the vaporizer. In addition, the reaction gas supply unit 30 includes a reaction gas injector 34 for injecting and diffusing the reaction gas into the chamber 10 to react with the source gas to enable a thin film.

또한, 밀폐된 반응 용기인 챔버(10)는, 웨이퍼(1)가 안착되는 척(12)와, 상기 척(12)에는 박막증착 속도 향상을 위해 웨이퍼(1)를 가열할 수 있는 히터(미도시)가 내장되며, 챔버(10)의 일측면에는 내부 대기를 배출하는 배출관(14)을 가지고 있다. 또한, 이러한 구조를 갖는 챔버(10)에 공급되는 반응가스 및 소스가스는, 각각 챔버(10)의 저면 일 측면에 치우치도록 위치하여 상부로 돌출된 소스가스 인젝터(28)와, 반응가스 인젝터(34)를 통하여 각각 공급된다.In addition, the chamber 10, which is a sealed reaction container, includes a chuck 12 on which the wafer 1 is seated, and a heater capable of heating the wafer 1 to the chuck 12 to improve a thin film deposition rate. Is embedded, and has a discharge pipe 14 for discharging the internal atmosphere on one side of the chamber 10. In addition, the reaction gas and the source gas supplied to the chamber 10 having such a structure are respectively positioned so as to be biased to one side of the bottom surface of the chamber 10 and protrude upwardly, and the reaction gas injector. Respectively supplied via 34.

이러한 일반적인 반도체 제조장치는, 소스물질 공급부(20)와 반응가스 공급부(30)를 통해 상기 챔버(10)의 내부로 반응가스 및 소스가스가 각각 공급되어 웨이퍼(1)상에 박막이 증착되는데, 이를 좀더 자세히 설명하면, 먼저 소스가스 공급부(20)에서는 액체 유량조절기(24)를 통하여, 소스물질 저장장치(22)에 저장된 액상의 소스물질의 유량이 제어되고, 이와 같이 유량이 제어된 액상의 소스물질은 기화기(26)로 인가된다.In the general semiconductor manufacturing apparatus, the reaction gas and the source gas are supplied into the chamber 10 through the source material supply unit 20 and the reaction gas supply unit 30 to deposit a thin film on the wafer 1. In more detail, first, in the source gas supply unit 20, the flow rate of the liquid source material stored in the source material storage device 22 is controlled through the liquid flow controller 24. The source material is applied to the vaporizer 26.

기화기(26)는, 액상의 소스물질을 기체상태로 기화하여 챔버(10)내에 인입하게 되는데, 통상 챔버(10)의 내부는, 일측면에 형성된 배출관(14)을 통하여 대기보다 낮은 압력 분위기로 제어되므로, 전술한 기체상의 소스물질은 수직 설치된 소스가스 인젝터(28)를 통해, 대기압 보다 낮은 압력을 가지는 챔버(10)의 내부 전 면적으로 확산되어 분사된다. 또한, 이와 동시에 반응가스 인젝터(28)를 통하여 챔버(10) 내부로 확산 분사되고, 상기 소스가스와 반응가스는 서로 화확반응을 일으켜 화합물을 생성하여 반응 생성물을 웨이퍼(1)의 표면에 박막으로 증착시키게 된다.The vaporizer 26 vaporizes a liquid source material into a gaseous state and introduces the gas into the chamber 10. The interior of the chamber 10 is generally in a pressure atmosphere lower than that of the atmosphere through the discharge pipe 14 formed on one side. Since it is controlled, the gaseous source material described above is diffused and sprayed into the entire interior of the chamber 10 having a pressure lower than atmospheric pressure through the vertically installed source gas injector 28. At the same time, the diffusion gas is injected into the chamber 10 through the reaction gas injector 28, and the source gas and the reaction gas react with each other to generate a compound to form a compound on the surface of the wafer 1 as a thin film. To be deposited.

그러나, 전술한 바와 같이 종래의 반응가스 인젝터(34)는, 공정의 특성상 세라믹(Ceramic)재질로 이루어지게 되는데, 이 재질의 특성상 제품 제작 중 고온 공정을 거치면서 일정비율로 수축을 하게 된다. However, as described above, the conventional reaction gas injector 34 is made of a ceramic material due to the characteristics of the process, and due to the characteristics of the material, it is contracted at a constant rate while undergoing a high temperature process during product manufacturing.

그러므로, 곡률을 갖는 관 형태의 반응가스 인젝터(34)는 수축정도가 일정하지 않기 때문에, 현재의 기술수준으로는 규격에서 벗어나는 인젝터를 사용하는 경우가 종종 발생하게 되며, 이러한 인젝터를 사용할 경우 인젝터의 끝부분인 분사부의 위치가 웨이퍼의 중심에서 벗어나게 되므로, 웨이퍼(1) 표면에 증착되는 박막의 두께가 일정하지 않게 되는 문제점이 있었다.Therefore, since the curvature of the reactive gas injector 34 having a curvature is not constant, the current technology level often causes an injector that is out of specification, and when such an injector is used, Since the position of the injection portion, which is the end portion, is out of the center of the wafer, there is a problem that the thickness of the thin film deposited on the surface of the wafer 1 is not constant.

본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼의 표면에 증착되는 박막을 균일한 두께를 갖도록 하는 화학 기상 증착 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a chemical vapor deposition apparatus having a uniform thickness of a thin film deposited on the surface of a wafer.

전술한 목적을 달성하기 위해 안출한 본 발명인 화학 기상 증착 장치는, 공정챔버와, 상기 공정챔버 내부에 설치되어 상기 웨이퍼가 안착되는 척과, 상기 척 둘레에 배치되며 제 1공정가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 고정관과 그리고, 상기 척 둘레에 배치되며, 제 2공정가스를 분사하고 분사부의 위치가 조절되는 이동관을 포함하므로써, 웨이퍼 표면에 증착되는 박막의 두께를 균일하도록 하여 본 발명의 목적을 달성할 수 있다.The chemical vapor deposition apparatus of the present invention devised to achieve the above object includes a process chamber, a chuck installed inside the process chamber, and at least one wafer disposed around the chuck and spraying a first process gas. The fixed tube and the moving tube disposed around the chuck, which injects the second process gas and adjusts the position of the injector, can achieve the object of the present invention by making the thickness of the thin film deposited on the wafer surface uniform. have.

상기 이동관은, 제 1부재와 제 2부재를 포함하되, 상기 제 1부재에는 돌기가 형성되고, 이와 대응되는 상기 제 2부재에는 상기 돌기를 안내하는 가이드부가 설치되어 제 1부재와 제 2부재가 슬라이드 이동 되는 것을 특징으로 한다.The moving tube includes a first member and a second member, wherein the first member is provided with protrusions, and the corresponding second member is provided with a guide part for guiding the protrusions so that the first member and the second member are provided. Characterized in that the slide is moved.

상기 화학 기상 증착 장치는, 상기 이동관의 위치를 조절하는 위치설정장치를 더 구비하고, 상기 위치설정장치는, 상기 공정챔버에 안착되는 아암과, 상기 아암과 연결되어 상기 이동관의 위치를 설정하는 조절부를 포함한다.The chemical vapor deposition apparatus further comprises a positioning device for adjusting the position of the moving tube, wherein the positioning device, the arm seated in the process chamber, the adjustment is connected to the arm to set the position of the moving tube Contains wealth.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 관한 화학 기상 증착 장치에 관해 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail with respect to the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention.

첨부된 도 2와 같이, 본 발명에 따른 화학 기상 증착 장치는, 크게 공정챔버(100), 웨이퍼(W)가 안착되는 척(130), 가스가 주입되는 고정관(140)과 이동관(200)을 가지고, 이 이동관(200)의 위치를 조절하는 위치설정장치(300)로 구성 된다.As shown in FIG. 2, the chemical vapor deposition apparatus according to the present invention includes a process chamber 100, a chuck 130 on which a wafer W is seated, a fixing tube 140 in which gas is injected, and a moving tube 200. It has a position setting device 300 for adjusting the position of the moving pipe (200).

먼저, 상기 공정챔버(100)는, 상부챔버(110)와 상부에 개방부(122)가 형성된 하부챔버(120)로 이루어지는데, 상기 개방부(122)를 덮는 상부챔버(110)는 크게 밸자히타(112)와 세라믹돔(114), RF코일(116)로 이루어져 있다.First, the process chamber 100 is composed of an upper chamber 110 and a lower chamber 120 having an opening 122 formed thereon. The upper chamber 110 covering the opening 122 has a large ball. The heater 112, the ceramic dome 114, and the RF coil 116 is composed of.

상기 밸자히타(112)는 공정챔버(100) 내부의 온도를 조절하기 위한 것이고, 상기 세라믹돔(114)은 내부에 온도가 외부로 방출되는 것을 방지하기 역할을 하며, 세라믹돔(114)과 밸자히타(112) 사이에 설치되는 RF코일(116)은 공정챔버(100) 내부공간에 HDP(고밀도 플라즈마)를 발생 유지시키도록 RF코일(116)이 감겨져 있다.The valve heater 112 is for controlling the temperature inside the process chamber 100, the ceramic dome 114 serves to prevent the temperature is released to the outside, the ceramic dome 114 and the ball In the RF coil 116 provided between the heaters 112, the RF coil 116 is wound around the process chamber 100 so as to generate and maintain HDP (high density plasma).

상기 하부챔버(120) 내부공간에는 웨이퍼(W)를 안착시키기 위한 척(130)이 마련된다.A chuck 130 for seating the wafer W is provided in the lower chamber 120.

또한, 상기 하부챔버(120) 일측벽에는 배출구(126)가 형성되며, 이 배출구(126)는 터보펌프(도시하지 않음)와 연결된다. 이 터보펌프는, 웨이퍼(W)에 박막을 증착시키는 공정이 진행될 수 있도록 공정챔버(100) 내부에 공기를 흡입하여 진공상태로 만드는 것이다.In addition, an outlet 126 is formed at one side wall of the lower chamber 120, and the outlet 126 is connected to a turbo pump (not shown). The turbopump sucks air into the process chamber 100 and makes it into a vacuum state so that a process of depositing a thin film on the wafer W can proceed.

한편, 상기 공정펌프(100) 내부로 고정관(140)이 설치되는데, 바람직하게는 하부챔버(120)의 바닥부(124)를 관통하여 상부를 향하도록 수직으로 형성되도록 하고, 분사구의 높이는 웨이퍼(W)가 안착되는 척(130)의 상부보다 높게 위치하도록 한다. 상기 고정관(140)은 복수개로 설치하는 것이 바람직하며, 이 고정관(140)은 유량이 조절된 액상의 물질을 기화하는 기화기(도시하지 않음)와 연결되어 있다.On the other hand, the fixed pipe 140 is installed into the process pump 100, preferably through the bottom portion 124 of the lower chamber 120 to be formed vertically to face upwards, the height of the injection hole is a wafer ( W) is positioned higher than the upper portion of the chuck 130 is seated. Preferably, the fixing tube 140 is installed in plural, and the fixing tube 140 is connected to a vaporizer (not shown) for vaporizing a liquid substance whose flow rate is controlled.

상기 이동관(200)은 복수개의 고정관(140)들과 같이 하부챔버(120)의 바닥부(124)를 관통하여 상부를 향하도록 수직으로 형성되고, 바람직하게는 고정관(140)들 사이에 배치되며, 제 1부재인 상단부재(210)와 제 2부재인 하단부재(220)로 구성된다.The moving tube 200 is formed vertically to penetrate upward through the bottom portion 124 of the lower chamber 120 like the plurality of fixing tubes 140, and is preferably disposed between the fixing tubes 140. The upper member 210 is the first member and the lower member 220 is the second member.

상기 하단부재(220)는, 상기 하부챔버(120)의 바닥부(124)와 인접한 높이까지 설치되고, 상기 상단부재(210)는 하단부재(220)와 연결되어 수직으로 형성되며, 세라믹돔(114)의 내측벽과 인접되도록 중단부에서 끝단까지는 굴곡부(211)를 갖도록 형성된다. 그리고, 분사부(217)를 갖는 끝단은 웨이퍼(W)를 향하도록 한다. 이때, 상기 분사부(217)는 웨이퍼(W)의 중심부와 동일한 중심위치에 놓이도록 하는 것이 가장 바람직하다.The lower member 220 is installed to a height adjacent to the bottom portion 124 of the lower chamber 120, the upper member 210 is connected to the lower member 220 is formed vertically, the ceramic dome ( It is formed to have a bent portion 211 from the stop portion to the end to be adjacent to the inner wall of 114. The end having the jetting portion 217 is directed toward the wafer (W). In this case, the injection unit 217 is most preferably positioned at the same center position as the center of the wafer (W).

이하, 첨부된 도 3은 도 2에 도시된 A의 확대 단면도로 써, 제 1부재와 제 2부재가 연결된 상태이고, 도 4는 도 3에 관한 하단부재의 평면도이며, 도 5는 도 3에 관한 상단부재의 저면도를 참조하여 본 발명에 따른 이동관의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다.3 is an enlarged cross-sectional view of A shown in FIG. 2, in which a first member and a second member are connected, FIG. 4 is a plan view of the lower member of FIG. 3, and FIG. 5 is shown in FIG. 3. With reference to the bottom view of the upper member related to the preferred embodiment of the moving tube according to the present invention.

상기 상단부재(210)는, 크게 굴곡부(211)와 플랜지(212), 몸체부(213), 분사부(217)를 갖는다.The upper member 210 has a bent portion 211, a flange 212, a body portion 213, and an injection portion 217.

상기 플랜지(212)는 상기 하단부재(220)에 형성된 플랜지(222)와 연결되는 것으로, 가이드부(215)가 형성된다.The flange 212 is to be connected to the flange 222 formed on the lower member 220, the guide portion 215 is formed.

또한, 상기 몸체부(213) 내부에는 길이방향으로 홀을 갖는 유로관(214)이 형성되며, 후술되는 유입관(221)과 동일한 직경을 갖도록 구성하는 것이 바람직하고, 상기 플랜지(212) 내부에는 절개홈(216)이 형성되며, 이 절개홈(216)은 상기 유로관(214)과 연장되어 형성된다.In addition, a flow path tube 214 having a hole in the longitudinal direction is formed in the body portion 213, preferably configured to have the same diameter as the inlet pipe 221 to be described later, the inside of the flange 212 An incision groove 216 is formed, and the incision groove 216 extends with the flow pipe 214.

하단부재(220)는, 길이방향으로 내부에 홀이 형성된 유입관(221)과 이 유입관(221)의 끝단에 형성된 플랜지(222)를 구비하는데, 상기 플랜지(222)와 상기 유입관(221)은 일체로 사출하여 성형하거나, 용접으로 형성될 수도 있다. 이때, 유입관(221)과 플랜지(222)의 중심부는 서로 어긋나도록 형성된다.The lower member 220 has an inlet tube 221 having a hole formed therein in the longitudinal direction and a flange 222 formed at an end of the inlet tube 221, wherein the flange 222 and the inlet tube 221 are provided. ) May be integrally injection molded, or may be formed by welding. At this time, the center of the inlet pipe 221 and the flange 222 is formed to be offset from each other.

또한, 상기 플랜지(222) 상면에는 요홈(223)이 형성되고, 플랜지(222) 내부에는 연결관(224)이 형성되는데, 상기 연결관(224)은 상기 유입관(221)과 동일한 중공부를 갖도록 형성되고, 상기 요홈(223)은 연결관(224)보다 큰 직경을 갖는다.In addition, the groove 223 is formed on the upper surface of the flange 222, the connection pipe 224 is formed inside the flange 222, the connection pipe 224 to have the same hollow portion as the inlet pipe 221. It is formed, the groove 223 has a larger diameter than the connecting pipe 224.

여기서, 상기 요홈(223)은 상기 플랜지(222)와 동일한 중심에 형성되고, 상기 연결관(224)은 유입관(221)과 연장되어 요홈(223)의 중심 위치까지 경사지도록 형성된다. 그리고, 상기 플랜지(222)의 상면에는 가이드부(215)와 대응되는 위치에 돌기(225)가 형성되고, 상기 가이드부(215)에 상기 돌기(225)가 삽입되어 슬라이드 이동되는 것이다.Here, the groove 223 is formed at the same center as the flange 222, the connection pipe 224 is formed to extend to the inlet pipe 221 to be inclined to the center position of the groove 223. The protrusion 225 is formed at a position corresponding to the guide portion 215 on the upper surface of the flange 222, and the protrusion 225 is inserted into the guide portion 215 to slide.

여기서, 상기 돌기(225)와 상기 연결관(224)은 하단부재(220)에 형성하고, 상기 가이드부(215)와 상기 유로관(214)은 상단부재(210)에 형성되는 것에 국한되지 않으며, 상기 하단부재(220)와 상기 상단부재(210)에 각각 형성되거나, 상반되도록 형성될 수도 있으며, 양측 부재에 모두 형성될 수도 있다.Here, the protrusion 225 and the connecting pipe 224 is formed in the lower member 220, the guide portion 215 and the flow pipe 214 is not limited to being formed in the upper member 210, and In addition, the lower member 220 and the upper member 210 may be formed respectively, or may be opposite to each other, or may be formed on both members.

한편, 상기 굴곡부(211)는 유로관(214)과 길이방향으로 연장되어 형성되고, 호의 형상을 갖을 수 있으며, 수평방향으로 절곡되어 형성될 수도 있다. On the other hand, the bent portion 211 is formed extending in the longitudinal direction with the flow path tube 214, may have an arc shape, may be formed bent in the horizontal direction.

또한, 상기 분사부(217)는 상기 굴곡부(211)와 연장되어 웨이퍼(W)가 놓여지는 방향으로 형성되어진다. 즉, 분사부(217)의 위치가 상기 웨이퍼(W)의 중심부 위치와 동일한 수직중심상에 배치되도록 형성하는 것이 바람직하다.In addition, the injection portion 217 extends with the bent portion 211 and is formed in a direction in which the wafer W is placed. That is, it is preferable to form the position of the ejection portion 217 to be disposed on the same vertical center as the position of the center of the wafer (W).

한편, 도 7은 본 발명에 관한 위치설정장치의 바람직한 실시예를 도시한 측단면도이다.7 is a side sectional view showing a preferred embodiment of the positioning device according to the present invention.

위치설정장치(300)는, 상기 이동관(200)의 위치를 조절하기 위한 것으로, 아암(310)과 조절부(320)를 포함한다.Positioning device 300, for adjusting the position of the moving tube 200, and includes an arm 310 and the adjusting unit 320.

상기 아암(310)은 하부챔버(120)의 개방부(122) 상면에 얹혀지는 것으로 써, 바람직하게는 적어도 두개 이상을 갖도록 한다. 이 아암(310) 상부에는 조절부(320)가 설치되는데, 상기 아암(310)들 사이에 지지부(311)를 결합하여 상기 지지부(311)에 조절부(320)가 설치되도록 하고, 아암(310)의 일측에는 이동관(200)의 몸체부(213)가 움직이지 않도록 고정할 수 있는 고정부(330)가 설치된다.The arm 310 is mounted on the upper surface of the opening 122 of the lower chamber 120, and preferably has at least two. The control unit 320 is installed on the upper portion of the arm 310, and the support unit 311 is coupled between the arms 310 so that the control unit 320 is installed on the support unit 311, and the arm 310 is installed. One side of the) is provided with a fixing portion 330 that can be fixed so that the body portion 213 of the moving tube 200 does not move.

상기 조절부(320)는, 삽입부(321)와 제 1로드부(322), 제 2로드부(323), 제 3로드부(324)를 구비하며, 상기 삽입부(321)는 이동관(200)의 분사부(217)가 삽입되는 것이고, 상기 제 1로드부(322)는 횡방향으로 이송되며, 상기 제 2로드부(323)는 종방향으로 이송되고, 상기 제 3로드부(324)는 수직방향으로 이송된다.The adjusting part 320 includes an inserting part 321, a first rod part 322, a second rod part 323, and a third rod part 324, and the insertion part 321 is a moving tube ( The injection portion 217 of the 200 is inserted, the first rod portion 322 is transferred in the transverse direction, the second rod portion 323 is transferred in the longitudinal direction, the third rod portion 324 ) Is conveyed in the vertical direction.

상기 제 1로드부(322), 제 2로드부(323), 제 3로드부(324)는 각각의 로드 스크류(S)를 포함하며, 움직임을 조절하는 손잡이(325)가 마련된다.The first rod part 322, the second rod part 323, and the third rod part 324 each include a rod screw S, and a handle 325 for adjusting a movement is provided.

이상과 같이 구성된 본 발명인 화학 기상 증착 장치에 관해 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.A preferred embodiment of the chemical vapor deposition apparatus of the present invention configured as described above is as follows.

먼저, 제 1부재(210)와 제 2부재(220)가 결합된 상태에서 위치설정장치(300)를 하부챔버(120)의 개방부(122)에 안착되도록 한다. 이때, 필요에 따라서는 각각의 아암(310)이 상기 개방부(122)에서 움직이지 않도록 일시적으로 고정을 하도록 한다.First, the positioning device 300 is seated on the opening 122 of the lower chamber 120 in a state in which the first member 210 and the second member 220 are coupled to each other. At this time, if necessary, each arm 310 is temporarily fixed so as not to move in the opening (122).

상기 아암(310)에 형성된 고정부(330)에 이동관(200)의 몸체부(213)를 삽입한 후, 분사부(217)는 조절부(320)에 배치된 삽입부(321)에 삽입되어 고정되도록 한다.After inserting the body portion 213 of the moving tube 200 into the fixing portion 330 formed on the arm 310, the injection portion 217 is inserted into the insertion portion 321 disposed on the adjusting portion 320 To be fixed.

상기 분사부(217)가 고정된 후, 각각의 로드 스크류(S)와 연결된 손잡이부(325)를 회전하여 제 1로드부(322)와 제 2로드부(323), 제 3로드부(324)가 각각 이송하므로 써, 분사부(217)의 위치를 설정할 수 있다.After the injection part 217 is fixed, the first rod part 322, the second rod part 323, and the third rod part 324 are rotated by rotating the handle part 325 connected to each rod screw S. FIG. ) Are transferred, so that the position of the injection section 217 can be set.

즉, "X", "Y", "Z"축 방향으로 각각 왕복 이송될 수 있는 위치설정장치(300)로 인해 이동관(200)의 분사부(217) 위치를 전ㆍ후ㆍ좌ㆍ우 그리고, 수직방향으로 이동될 수 있도록 하므로 써, 상기 분사부(217)가 웨이퍼(W)의 중심부에 위치되도록 하는 것이다.That is, the position of the injection part 217 of the moving tube 200 is moved forward, backward, left, right, and by the positioning device 300 which can be reciprocated in the directions of "X", "Y", and "Z" axes. In order to be able to move in the vertical direction, the injection portion 217 is to be located in the center of the wafer (W).

이동관(200)의 분사부(217) 위치가 웨이퍼(W)의 중심부와 동일한 수직 중심부에 놓이도록 위치가 설정되면, 상기 위치설정장치(300)를 제거한 후, 상부챔버(110)를 하부챔버(120)의 개방부(122)에 안착시킨다.When the position of the injection unit 217 of the moving tube 200 is set to be located at the same vertical center as the center of the wafer W, after removing the positioning device 300, the upper chamber 110 is lower chamber ( It seats in the opening 122 of 120.

이후, 웨이퍼(W)가 상기 척(130)의 상부에 안착된 후, 제 1공정가스와 제 2공정가스가 각각 분사되는 고정관(140)과 이동관(200)에 의해, 웨이퍼(W) 표면에 박막을 증착하게 된다.Subsequently, after the wafer W is seated on the chuck 130, the fixed tube 140 and the moving tube 200 are sprayed on the surface of the wafer W by the first process gas and the second process gas, respectively. The thin film is deposited.

이때, RF코일(116)에 전류가 인가되어 고밀도 플라즈마를 발생 유지시키고, 밸자히타(112)로 인해 공정챔버(100) 내부에 온도를 조절하게 된다.At this time, a current is applied to the RF coil 116 to generate and maintain a high-density plasma, and the temperature is controlled within the process chamber 100 due to the valve heater 112.

전술한 바와 같이, 이동관(200)이 슬라이드 이동 될 수 있도록 돌기(225)와 가이드부(215)를 갖는 제 1부재(210)와 제 2부재(220)로 구성되고, 상기 이동관(200)의 분사부(217) 위치를 조절할 수 있는 위치설정장치(300)로 인해 상기 분사부(217)의 위치를 웨이퍼(W)의 중심부와 동일한 수직 중심부에 놓이도록 하여 박막 증착시 웨이퍼(W) 표면에 균일한 두께를 갖는 화학 기상 증착 장치를 갖게 된다.As described above, the moving tube 200 is composed of a first member 210 and the second member 220 having a protrusion 225 and a guide portion 215 so that the slide can be moved, the movement of the tube 200 Due to the positioning device 300 that can adjust the position of the ejector 217, the position of the ejector 217 is positioned at the same vertical center as the center of the wafer W so that the surface of the ejector 217 is deposited on the surface of the wafer W during thin film deposition. There is a chemical vapor deposition apparatus having a uniform thickness.

상술한 바와 같이, 본 발명은 특정 실시예를 예로 들어서 설명하였을 뿐, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 본 발명의 개념을 이탈하지 않는 범위 내에서 여러가지 형태로 변형, 또는 변경 실시하는 것 또한, 본 발명의 개념에 포함되는 것은 물론이다.As described above, the present invention has been described by taking specific embodiments as an example, and the present invention is not limited thereto, and a person of ordinary skill in the art does not depart from the concept of the present invention. It is a matter of course that modifications or changes in various forms within the scope are also included in the concept of the present invention.

이상과 같이 본 발명인 반도체 제조장치로 인해 다음과 같은 효과를 기대할 수 있다.As described above, the following effects can be expected due to the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention.

첫 번째, 이동관은 각각의 돌기와 가이드부를 갖는 제 1부재와 제 2부재로 구성되어 일방향으로 슬라이드 이동되므로 써, 분사부의 위치를 조절할 수 있다.First, the moving tube is composed of a first member and a second member having a projection and a guide portion, so as to slide in one direction, the position of the injection portion can be adjusted.

두 번째, 웨이퍼에 박막을 증착하기 전에 공정챔버 내부에 조절부를 갖는 위치설정장치로 이동관의 분사부 위치를 웨이퍼의 중심부와 동일한 중심상에 놓이도록 조절할 수 있으므로, 박막의 증착 시 불균일하게 증착되는 문제점을 해결할 수 있다.Second, before the thin film is deposited on the wafer, the position of the moving part of the moving tube can be adjusted to be positioned at the same center as the center of the wafer with a positioning device having a control part inside the process chamber, so that the problem of uneven deposition during thin film deposition. Can be solved.

세 번째, 위치설정장치는 분사부가 놓여지는 삽입부를 조절하는 제 1로드부와 제 2로드부, 제 3로드부로 구성되어, "X", "Y", "Z"축 방향으로 분사부의 위치를 조절할 수 있다.Third, the positioning device is composed of a first rod portion, a second rod portion, and a third rod portion for adjusting the insertion portion in which the injection portion is placed, so as to position the injection portion in the "X", "Y", and "Z" axis directions. I can regulate it.

즉, 위치설정장치와 일방향으로 슬라이드 이동 가능한 이동관으로 인해, 분사부의 위치를 "X", "Y", "Z"축 방향으로 위치를 조절하여 웨이퍼의 중심부와 분사부의 중심부가 동일한 중심상에 위치되므로 써, 웨이퍼에 증착되는 박막을 균일하게 형성할 수 있다.That is, the position of the ejection portion is adjusted in the "X", "Y", and "Z" axial directions due to the movable tube which is slidably movable in one direction with the positioning device so that the center of the wafer and the center of the ejection portion are located on the same center Therefore, the thin film deposited on the wafer can be formed uniformly.

도 1은 종래의 매엽식 반도체 챔버의 일부분을 도시한 간략 구조도;1 is a simplified structural diagram showing a portion of a conventional single wafer semiconductor chamber;

도 2는 본 발명인 화학 기상 증착 장치를 도시한 단면도;2 is a cross-sectional view showing a chemical vapor deposition apparatus of the present invention;

도 3은 도 2에 도시된 A의 확대 단면도;3 is an enlarged cross-sectional view of A shown in FIG. 2;

도 4는 도 3에 관한 하단부재의 평면도;4 is a plan view of the lower member according to FIG. 3;

도 5는 도 3에 관한 상단부재의 저면도;5 is a bottom view of the upper member according to FIG. 3;

도 6은 본 발명에 따른 고정관이 슬라이드 이동 된 상태를 도시한 결합단면도;Figure 6 is a cross-sectional view showing a state in which the fixed tube slides in accordance with the present invention;

도 7은 본 발명에 관한 위치설정장치의 바람직한 실시예를 도시한 측단면도이다.Fig. 7 is a side sectional view showing a preferred embodiment of the positioning device according to the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100 : 공정챔버 110 : 상부챔버100: process chamber 110: upper chamber

112 : 밸자히터 114 : 세라믹돔112: ball heater 114: ceramic dome

116 : RF코일 120 : 하부챔버116: RF coil 120: lower chamber

122 : 개방부 124 : 바닥부122: opening 124: bottom

126 : 배출구 130 : 척126: outlet 130: chuck

140 : 고정관 200 : 이동관140: fixed tube 200: moving tube

210 : 상단부재, 제 1부재 211 : 굴곡부210: upper member, first member 211: bent portion

212, 222 : 플랜지 213 : 몸체부212, 222: flange 213: body part

214 : 유로관 215 : 가이드부214: Euro tube 215: Guide part

216 : 절개홈 217 : 분사부216: incision groove 217: injection part

220 : 하단부재, 제 2부재 221 : 유입관220: lower member, second member 221: inlet pipe

223 : 요홈 224 : 연결관223: groove 224: connector

225 : 돌기 300 : 위치설정장치225: projection 300: positioning device

310 : 아암 311 : 지지부310: arm 311: support part

320 : 조절부 321 : 삽입부320: control unit 321: insertion unit

322 : 제 1로드부 323 : 제 2로드부322: first rod 323: second rod

324 : 제 3로드부 325 : 손잡이부324: third rod portion 325: handle portion

330 : 고정부 W : 웨이퍼330 fixed part W: wafer

S : 로드스크류S: Road screw

Claims (3)

웨이퍼에 박막을 증착하는 화학 기상 증착 장치에 있어서,In the chemical vapor deposition apparatus for depositing a thin film on a wafer, 공정챔버와;A process chamber; 상기 공정챔버 내부에 설치되어 상기 웨이퍼가 안착되는 척과;A chuck installed in the process chamber to seat the wafer; 상기 척 둘레에 배치되며 제 1공정가스를 분사하는 적어도 하나의 고정관과; 그리고,At least one fixed tube disposed around the chuck and injecting a first process gas; And, 상기 척 둘레에 배치되며, 제 2공정가스를 분사하는 분사부를 구비하며, 상기 분사부가 상기 웨이퍼의 중심부와 동일한 수직 중심부에 놓이도록 그 위치가 수평적으로 슬라이드 이동 조절되는 이동관을 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a moving tube disposed around the chuck and having an injection unit for injecting a second process gas, the moving tube being horizontally slide-adjusted so that the injection unit is located at the same vertical center as the center of the wafer. Chemical vapor deposition apparatus. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 이동관은 제 1부재와 제 2부재를 포함하되,The moving tube includes a first member and a second member, 상기 제 1부재에는 상기 제 2부재와 마주보는 면에 돌기가 형성되고, 상기 제 2부재에는 상기 돌기의 이동을 안내하는 가이드부가 형성되어 상기 제 1부재는 상기 제 2부재에 대해 슬라이드 이동 되는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.The first member has a projection formed on the surface facing the second member, the second member is formed with a guide for guiding the movement of the projection is the first member is a slide movement relative to the second member Characterized in a chemical vapor deposition apparatus. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 화학 기상 증착 장치는, 상기 이동관의 위치를 조절하는 위치설정장치를 더 구비하고,The chemical vapor deposition apparatus further comprises a positioning device for adjusting the position of the moving tube, 상기 위치설정장치는,The positioning device, 상기 공정챔버에 안착되는 아암과;An arm seated in said process chamber; 상기 아암과 연결되어 상기 이동관의 위치를 설정하는 조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 기상 증착 장치.And a control unit connected to the arm to set the position of the moving tube.
KR10-2003-0021471A 2003-04-04 2003-04-04 Chemical Vapor Deposition Apparatus KR100528475B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0021471A KR100528475B1 (en) 2003-04-04 2003-04-04 Chemical Vapor Deposition Apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0021471A KR100528475B1 (en) 2003-04-04 2003-04-04 Chemical Vapor Deposition Apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040087198A KR20040087198A (en) 2004-10-13
KR100528475B1 true KR100528475B1 (en) 2005-11-15

Family

ID=37369406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0021471A KR100528475B1 (en) 2003-04-04 2003-04-04 Chemical Vapor Deposition Apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100528475B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014061979A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-24 Lg Siltron Inc. Gas flow controller for manufacturing high flatness wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014061979A1 (en) * 2012-10-15 2014-04-24 Lg Siltron Inc. Gas flow controller for manufacturing high flatness wafer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040087198A (en) 2004-10-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109913852B (en) Method and device for suppressing parasitic plasma on back surface of spray head
US7510624B2 (en) Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications
KR100614648B1 (en) Apparatus for treating substrates used in manufacturing semiconductor devices
KR100728401B1 (en) Shower head and film-forming device using the same
JP7171165B2 (en) Showerhead curtain gas method and showerhead gas curtain system for membrane profile adjustment
JP2870719B2 (en) Processing equipment
TWI570253B (en) Direct liquid deposition
KR20040106381A (en) Gas supply system and treatment system
KR100591762B1 (en) Deposition apparatus and deposition method
US20080064227A1 (en) Apparatus For Chemical Vapor Deposition and Method For Cleaning Injector Included in the Apparatus
KR100528475B1 (en) Chemical Vapor Deposition Apparatus
KR101548347B1 (en) Atomic layer depositon mathod used in manufacturing semiconductor device
KR20220043028A (en) Vaporizing system, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR20090051984A (en) Apparatus for treating a substrate
WO2020112923A1 (en) Throughput improvement with interval conditioning purging
US6966951B2 (en) Apparatus of manufacturing a semiconductor device
CN117461114A (en) Method for forming barrier layer
JP2021082127A (en) Gas supply system, plasma processing apparatus and control method for gas supply system
KR0136815Y1 (en) Apparatus for supplying evaporized solid source of wafer depositing system
KR100253271B1 (en) Lpcvd
KR20130074417A (en) Substrate process method
US6123776A (en) Gas delivering apparatus for chemical vapor deposition
KR20120011582A (en) Depositing apparatus having vaporizer and depositing method
KR20240093755A (en) Valve manifolds for semiconductor processing
KR20080066324A (en) Apparatus for supplying source and system for deopsing thin film having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee