KR100527676B1 - Wafer back polishing method for semiconductor device manufacturing - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 49
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09G1/00—Polishing compositions
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Abstract
본 발명은 연마휠에 의한 기계적 연마에 의하여 웨이퍼의 이면에 형성될 수 있는 스크래치를 화학적 연마에 의하여 제거하여 칩의 강도를 강화시키도록 하는 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for polishing a wafer back surface for manufacturing a semiconductor device to enhance the strength of a chip by removing scratches, which may be formed on the back surface of a wafer by mechanical polishing by a polishing wheel, by chemical polishing.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법은, FAB공정이 완료된 웨이퍼의 표면에 자착성 필름을 부착하는 필름부착단계; 표면에 자착성 필름이 부착된 웨이퍼의 이면을 연마휠을 사용하여 기계적 연마를 수행하는 기계적 연마단계; 기계적 연마가 수행된 웨이퍼의 이면을 연마액을 사용하여 연마하는 화학적 연마단계; 및 필름의 표면에 부착된 자착성 필름을 제거하는 필름제거단계;를 포함하여 이루어진다.Wafer back polishing method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the film adhesion step of attaching a self-adhesive film on the surface of the wafer is completed FAB process; A mechanical polishing step of performing mechanical polishing on the back surface of the wafer on which the self-adhesive film is attached to the surface by using a polishing wheel; A chemical polishing step of polishing the back surface of the wafer on which mechanical polishing is performed using a polishing liquid; And a film removing step of removing the self-adhesive film attached to the surface of the film.
따라서, 칩의 두께를 더 얇게 하면서도 오히려 외부충격에 대한 내파괴성은 더 증가하여 칩의 내구성이 더욱 향상되는 효과가 있으며, 그에 의하여 패키징(Packing) 후의 반도체장치의 크기를 보다 작게 줄이면서도 외력에 대한 칩의 내구성을 향상시키고, 반도체장치의 수율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, the thickness of the chip is made thinner, but the damage resistance against external impact is further increased, thereby increasing the durability of the chip, thereby reducing the size of the semiconductor device after packaging and reducing the size of the semiconductor device. There is an effect of improving the durability of the chip and improving the yield of the semiconductor device.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 연마휠에 의한 기계적 연마에 의하여 웨이퍼의 이면에 형성될 수 있는 스크래치를 화학적 연마에 의하여 제거하여 칩의 강도를 강화시키도록 하는 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for polishing a wafer back surface for manufacturing a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to a method for polishing a wafer back surface for manufacturing a semiconductor device in which scratches, which may be formed on the back surface of the wafer by mechanical polishing by a polishing wheel, are removed by chemical polishing to enhance the strength of the chip.
반도체장치의 제조에 사용되는 웨이퍼는 반도체장치의 제조를 위한 여러 공정들 즉, 산화공정, 포토리소그래피공정, 식각공정, 이온주입공정 등의 FAB공정들에 적용된 후, 후속의 EDS공정(EDS ; Electrical Die Sorting)을 거치게 되며, 여기에서는 웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩의 양, 불량품의 선별, 불량칩 중 수리(Repair)가능한 칩의 수리, FAB공정에서의 문제점을 조기에 피드-백(Feed-Back) 및 불량칩의 조기 제거로 조립(Assembly) 및 검사(Package Test)에서의 원가절감 등을 목적으로 한다.Wafers used in the manufacture of semiconductor devices are subjected to FAB processes such as oxidation processes, photolithography processes, etching processes, and ion implantation processes for manufacturing semiconductor devices, followed by subsequent EDS processes (EDS; Electrical). Die Sorting, where the quantity of each chip constituting the wafer, the selection of defective products, the repair of repairable chips among the defective chips, and the feed-back of the FAB process early And cost reduction in assembly and inspection by early removal of defective chips.
특히, EDS공정에서는 웨이퍼의 이면을 연마휠을 이용하여 연마하는 공정 이면연마공정이 포함되며, 웨이퍼의 이면연마는 칩의 두께를 얇게 하여 칩사이즈를 축소하므로써 조립을 용이하게 하도록 한다. 이 이면연마공정의 적절한 수행을 위하여는 웨이퍼 표면에의 비닐도포, 이면연마 및 비닐제거 등의 공정이 요구된다.Particularly, in the EDS process, a back polishing process of polishing the back surface of the wafer using a polishing wheel is included. The back polishing of the wafer facilitates assembly by reducing the chip size by reducing the thickness of the chip. In order to properly perform this backside polishing process, a process such as vinyl coating, backside polishing and vinyl removal on the wafer surface is required.
그러나, 종래의 이면연마공정에서의 이면연마방법에 의하면 우선 상기 FAB공정의 적용을 받은 웨이퍼의 표면의 보호를 위하여 웨이퍼의 표면에 자외선경화성 필름 등의 자착성 필름을 부착한 후, 금속실리콘으로 된 웨이퍼의 이면의 연마를 위하여 다이아몬드휠(Diamond wheel)과 같은 상용화된 연마휠을 적용시켜 기계적 연마를 수행한다. 이때, 다이아몬드휠이 회전하면서 웨이퍼의 이면을 연마하기 때문에 웨이퍼의 이면에는 도 1에 개략적으로 도시한 바와 같은 패턴의 스크래치(2)가 형성됨은 필연적이라 할 수 있다.However, according to the conventional back surface polishing method in the back surface polishing process, a self-adhesive film such as an ultraviolet curable film is attached to the surface of the wafer to protect the surface of the wafer subjected to the FAB process. Mechanical polishing is performed by applying a commercially available polishing wheel such as a diamond wheel to polish the back side of the wafer. In this case, since the diamond wheel rotates to polish the back surface of the wafer, it is inevitable that the scratch 2 having a pattern as schematically shown in FIG. 1 is formed on the back surface of the wafer.
이들 스크래치(2)들은 웨이퍼(1)를 칩으로 절단한 후에는 웨이퍼(1)에서의 당해 칩의 위치에 칩의 단축방향에 대하여 수직으로 형성되는 수직스크래치(3), 상기 칩의 단축방향에 대하여 소정의 각도로 경사지게 형성되는 경사스크래치(4) 및 상기 칩의 단축방향에 대하여 수평으로 형성되는 수평스크래치(5)로 대별될 수 있다.These scratches 2 are vertical scratches 3 formed perpendicular to the short axis direction of the chip at the position of the chip on the wafer 1 after cutting the wafer 1 into chips. It may be roughly divided into an inclined scratch 4 formed to be inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal scratch 5 formed horizontally with respect to the short axis direction of the chip.
상기한 수직스크래치(3), 경사스크래치(4) 및 수평스크래치(5) 등의 스크래치(2)들은 각각 정도의 차가 있기는 하나, 이들 스크래치(2)들은 외력에 대한 응력집중현상을 일으키므로써 실질적으로 칩의 강도를 저하시켜 칩에 가해지는 외력에 의하여 칩이 쉽게 파손되도록 하는 원인이 되었으며, 그에 따라 웨이퍼(1)의 이면연마의 연마두께에 대한 제한으로 작용하며, 칩의 외력에 대한 안정성을 저하시키고, 나아가 반도체장치의 수율을 저하시키는 문제점으로 작용하였다.Although the scratches 2, such as the vertical scratches 3, the inclined scratches 4, and the horizontal scratches 5, differ from each other by some degree, these scratches 2 cause stress concentration to the external force, thereby substantially As a result of lowering the strength of the chip to cause the chip to be easily broken by the external force applied to the chip, thereby acting as a limitation on the polishing thickness of the back grinding of the wafer (1), and the stability of the chip to the external force It lowered and further reduced the yield of a semiconductor device.
더욱이, 최근 반도체소자의 집적도가 증가함에 따라 웨이퍼(1) 상에 형성되는 칩사이즈도 증가하는 추세이며, 칩의 사이즈가 증가할 수록 외력에 대한 칩의 내구성이 약화되어 칩이 쉽게 파손되게 되는 문제점은 더욱 증가하는 추세에 있다.In addition, the chip size formed on the wafer 1 also increases with the recent increase in the degree of integration of semiconductor devices, and as the size of the chip increases, the durability of the chip against external force is weakened and the chip is easily broken. Is on the rise.
본 발명의 목적은 연마휠에 의한 기계적 연마에 의하여 형성되는 스크래치들을 제거하므로써 칩의 외력에 대한 안정성을 증가시킬 수 있는 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법을 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a wafer back polishing method for manufacturing a semiconductor device capable of increasing the stability of the chip against external forces by removing scratches formed by mechanical polishing by a polishing wheel.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법은, FAB공정이 완료된 웨이퍼의 표면에 자착성 필름을 부착하는 필름부착단계; 표면에 자착성 필름이 부착된 웨이퍼의 이면을 연마휠을 사용하여 기계적 연마를 수행하는 기계적 연마단계; 기계적 연마가 수행된 웨이퍼의 이면을 연마액을 사용하여 연마하는 화학적 연마단계; 및 필름의 표면에 부착된 자착성 필름을 제거하는 필름제거단계;를 포함하여 이루어진다.Wafer back polishing method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the film adhesion step of attaching a self-adhesive film on the surface of the wafer is completed FAB process; A mechanical polishing step of performing mechanical polishing on the back surface of the wafer on which the self-adhesive film is attached to the surface by using a polishing wheel; A chemical polishing step of polishing the back surface of the wafer on which mechanical polishing is performed using a polishing liquid; And a film removing step of removing the self-adhesive film attached to the surface of the film.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to specific embodiments of the present invention will be described in detail.
본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법은, 다이아몬드휠과 같은 연마휠에 의한 기계적 연마가 수행된 웨이퍼의 이면을 연마액으로 더 연마하는 것에 의한 화학적 연마를 더 수행하므로써 기계적 연마시에 형성된 스크래치를 화학적 연마에 의하여 제거시켜 스크래치에 의한 응력집중현상을 억제하므로써 외력에 대한 칩의 내구성을 향상시키는 것을 특징으로 한다.In the wafer backside polishing method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a scratch formed during mechanical polishing by further performing chemical polishing by further polishing the backside of the wafer on which the mechanical polishing by a polishing wheel such as a diamond wheel is performed with a polishing liquid It is characterized by improving the durability of the chip against the external force by removing by the chemical polishing to suppress the stress concentration phenomenon by the scratch.
따라서, 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 웨이퍼 이면연마방법에서는 종래의 이면연마방법과 마찬가지로 FAB공정이 완료된 웨이퍼의 표면에 자착성 필름을 부착하고, 계속해서 표면에 자착성 필름이 부착된 웨이퍼의 이면을 연마휠을 사용하여 기계적 연마를 수행하고, 기계적 연마가 수행된 웨이퍼의 이면을 연마액을 사용하여 연마한 후 필름의 표면에 부착된 자착성 필름을 제거하는 것으로 이루어짐을 특징으로 한다.Therefore, in the wafer backside polishing method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, the self-adhesive film is attached to the surface of the wafer on which the FAB process is completed, similarly to the conventional backside polishing method, and then the back side of the wafer with the self-adhesive film is attached to the surface Mechanical polishing is performed using a polishing wheel, and the back surface of the wafer on which mechanical polishing is performed is polished using a polishing liquid, and then the self-adhesive film attached to the surface of the film is removed.
상기에서 화학적 연마에 사용되는 연마액으로서는 금속 실리콘을 식각해낼 수 있는 것이면 사용이 가능하며, 바람직하게는 질산, 불산, 황산 및 인산을 혼합한 연마액이 사용될 수 있다. 여기에서 질산(농도 70중량%), 불산(농도 49중량%), 황산(농도 95.5중량%) 및 인산(농도 85중량%)들은 모두 상용적으로 구입하여 사용할 수 있는 것들로서, 상용적으로 제공되는 농도를 그대로 사용할 수 있다.As the polishing liquid to be used for chemical polishing in the above it can be used as long as it can etch metal silicon, preferably a polishing liquid mixed with nitric acid, hydrofluoric acid, sulfuric acid and phosphoric acid may be used. Here nitric acid (concentration 70% by weight), hydrofluoric acid (concentration 49% by weight), sulfuric acid (concentration 95.5% by weight) and phosphoric acid (concentration 85% by weight) are all commercially available and available commercially. The concentration to be used can be used as it is.
상기 연마액은 더욱 바람직하게는 질산 30 내지 45중량%, 불산 20 내지 35중량%, 황산 10 내지 20중량% 및 잔량으로서 인산을 포함하여 구성된다.The polishing liquid is more preferably comprised of 30 to 45% by weight of nitric acid, 20 to 35% by weight of hydrofluoric acid, 10 to 20% by weight of sulfuric acid and phosphoric acid as the balance.
상기에서 질산과 불산은 산화제로서 실질적으로 웨이퍼 중의 실리콘과 반응을 일으켜 실리콘원자를 산화시키는 기능을 하며, 황산은 산화보조제로서 그리고 인산은 첨가제로서 실리콘의 산화에 의한 연마의 선택비를 조절하는 수단으로 기능하는 것으로 이해되고 있다.Nitric acid and hydrofluoric acid are oxidants, which react with silicon in the wafer to oxidize silicon atoms, sulfuric acid as an oxidizing aid and phosphoric acid as an additive to control the selection ratio of polishing by oxidation of silicon. It is understood to function.
특히, 본 발명에서는 상기 연마액을 고속연마를 위한 연마액 조성물과 저속연마를 위한 연마액 조성물로 대별하여 선택적으로 사용하였으며, 상기 고속연마를 위한 연마액 조성물은 질산 40 내지 45중량%, 불산 20 내지 25중량%, 황산 10 내지 15중량% 및 잔량으로서 인산을 포함하여 구성되며, 또한 상기 저속연마를 위한 연마액 조성물은 질산 30 내지 35중량%, 불산 30 내지 35중량%, 황산 15 내지 20중량% 및 잔량으로서 인산을 포함하여 구성된다. 상기 고속연마를 위한 연마액 조성물은 금속 실리콘의 빠른 화학적 연마를 가능하게 하며, 실험적으로는 약 10초 이내에 통상의 스크래치의 깊이에 해당하는 20μm의 식각이 가능하기는 하나, 식각에 의하여 연마된 웨이퍼 이면이 거칠게 형성되는 것으로 나타났으며, 상기 저속연마를 위한 연마액 조성물은 상기 고속연마를 위한 연마액 조성물에 비하여 상대적으로 화학적 연마가 느리게 진행되어 통상의 스크래치의 깊이에 해당하는 20μm의 식각에 약 24초의 시간이 소요되나, 연마 후 연마된 웨이퍼 이면이 매끄럽게 형성되는 것으로 나타났다. 따라서, 작업자는 상기한 식각에 의한 연마속도와 연마 후의 웨이퍼의 이면의 매끄러운 정도를 고려하여 상기 고속연마를 위한 연마액 조성물과 상기 저속연마를 위한 연마액 조성물들 중에서 택일하여 사용하거나 또는 상기 연마액 조성물 중의 각 성분들의 조성비를 상기 범위내에서 적절히 조절하여 연마속도 및 연마면의 매끄러운 정도를 조절할 수 있다.In particular, in the present invention, the polishing liquid was selectively used as the polishing liquid composition for high-speed polishing and the polishing liquid composition for low-speed polishing, and the polishing liquid composition for the high-speed polishing was 40 to 45 wt% nitric acid and 20 hydrofluoric acid. To 25% by weight, sulfuric acid 10 to 15% by weight and the remaining amount comprises phosphoric acid, and the polishing liquid composition for low-speed polishing is 30 to 35% by weight nitric acid, 30 to 35% by weight hydrofluoric acid, 15 to 20% by weight sulfuric acid It comprises a phosphoric acid as% and remainder. The polishing liquid composition for high-speed polishing allows for rapid chemical polishing of metal silicon, and although experimentally capable of etching 20 μm corresponding to the depth of a normal scratch within about 10 seconds, the wafer polished by etching It was found that the back surface is roughly formed, and the polishing liquid composition for the low speed polishing has a relatively slow chemical polishing compared to the polishing liquid composition for the high speed polishing, so that approximately 20 μm of etching corresponds to the depth of a normal scratch. Although it takes 24 seconds, it appears that the polished wafer backside is formed smoothly after polishing. Therefore, the operator may use the polishing liquid composition for the high-speed polishing and the polishing liquid composition for the low-speed polishing in consideration of the polishing rate due to the etching and the smoothness of the back surface of the wafer after polishing, or the polishing liquid The composition ratio of each component in the composition can be adjusted appropriately within the above range to adjust the polishing rate and the smoothness of the polishing surface.
상기 화학적 연마는 바람직하게는 25 내지 35℃의 온도범위에서 진행될 수 있으며, 특히 바람직하게는 회전가능한 진공척에 웨이퍼의 이면이 상방으로 향하도록 고정시키고, 상기 웨이퍼가 고정된 진공척을 회전시키면서 본 발명에 따른 연마액을 분무하여 식각하는 매엽식의 스프레이 에칭에 의하여 수행될 수 있다.The chemical polishing may be preferably carried out at a temperature in the range of 25 to 35 ° C., particularly preferably fixed to the rotatable vacuum chuck so that the back side of the wafer is upward, and the wafer is fixed while rotating the vacuum chuck. It can be carried out by spray etching of a single-leaf type spraying and etching the polishing liquid according to the invention.
상기한 연마액에 의한 화학적 연마의 두께는 바람직하게는 20 내지 50μm의 범위 이내가 될 수 있다. 상기에서 화학적 연마의 두께가 20μm 미만으로 되는 경우에는 통상 20μm의 깊이를 갖는 스크래치들을 완전히 제거할 수 없게 되는 문제점이 있을 수 있으며, 반대로 50μm를 초과하는 경우에는 웨이퍼가 너무 많이 연마되어 웨이퍼 및 그로부터 수득되는 칩의 두께가 너무 얇아져서 오히려 칩을 약화시키는 문제점이 있을 수 있다.The thickness of the chemical polishing by the polishing liquid may be preferably in the range of 20 to 50 μm. In the case where the chemical polishing thickness is less than 20 μm, there may be a problem that it is impossible to completely remove the scratches having a depth of 20 μm, on the contrary, if the thickness exceeds 50 μm, the wafer is polished too much to obtain the wafer and therefrom. The thickness of the chip becomes too thin, there may be a problem that weakens the chip.
이하에서 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예들이 기술되어질 것이다.Hereinafter, preferred embodiments and comparative examples of the present invention will be described.
이하의 실시예들은 본 발명을 예증하기 위한 것으로서 본 발명의 범위를 국한시키는 것으로 이해되어져서는 안될 것이다.The following examples are intended to illustrate the invention and should not be understood as limiting the scope of the invention.
실시예들 및 비교예들Examples and Comparative Examples
통상의 FAB공정이 동일하게 진행되어 완료된 반도체장치 제조용 웨이퍼들을 통상의 웨이퍼이면연마방법에 따라 다이아몬드휠을 사용하여 기계적 연마를 수행하여 두께 300μm의 웨이퍼와 420μm의 두가지 종류의 웨이퍼들을 제조하고, 계속해서 300μm의 웨이퍼들 중의 일부의 웨이퍼들과 420μm의 웨이퍼들 중의 일부는 통상의 방법에 따라 다이싱(Dicing)을 수행하여 두께 300μm의 칩(비교예 1)과 두께 420μm의 칩(비교예 2)을 준비하고, 상기 300μm의 웨이퍼들 중의 일부의 웨이퍼들과 420μm의 웨이퍼들 중의 일부는 계속해서 본 발명에 따라 질산 33중량%, 불산 33중량%, 황산 17중량% 및 인산 17중량%의 비율로 혼합하여 제조된 본 발명에 따른 연마액 조성물을 30℃의 온도에서 매엽식 에칭장비인 오스트리아 국적 SEZ사의 스핀에처(Spin etcher)를 사용하여 스프레이 에칭을 수행하여 화학적 연마를 약 20μm의 식각이 수행되도록 더 식각하여 연마하여 280μm의 두께의 웨이퍼와 400μm의 두께의 웨이퍼를 준비한 후, 역시 통상의 방법에 따라 다이싱을 수행하여 두께 280μm의 칩(실시예 1)과 두께 400μm의 칩(실시예 2)을 준비하였다.After the FAB process is performed in the same way, the wafers for manufacturing a semiconductor device are mechanically polished using a diamond wheel according to the polishing method for the semiconductor wafer manufacturing process. Thus, two kinds of wafers having a thickness of 300 μm and 420 μm are manufactured. Some of the 300 μm wafers and some of the 420 μm wafers were subjected to dicing according to a conventional method to obtain chips having a thickness of 300 μm (Comparative Example 1) and chips having a thickness of 420 μm (Comparative Example 2). Prepared, some of the 300 μm wafers and some of the 420 μm wafers were subsequently mixed in a proportion of 33 wt% nitric acid, 33 wt% hydrofluoric acid, 17 wt% sulfuric acid and 17 wt% phosphoric acid according to the present invention. The polishing liquid composition according to the present invention prepared by using a single wafer type etching equipment Austria at a temperature of 30 ℃ Spray etching is performed using a spin etcher of the nationality SEZ, and the chemical polishing is further etched and polished so that an etching of about 20 μm is performed to prepare a wafer having a thickness of 280 μm and a wafer having a thickness of 400 μm. Dicing was carried out according to the method of 280 μm thick chip (Example 1) and 400 μm thick chip (Example 2).
상기에서 수득된 칩들 중 비교예들의 칩들의 이면에는 상기한 바와 같은 스크래치가 칩의 단축에 대한 각도에 따라 달리 형성되어 있기 때문에 칩의 단축을 기준으로 하여 칩의 단축에 대하여 90°의 각도로 형성되는 수직스크래치, 45°의 경사를 갖는 경사스크래치 및 0°의 경사를 갖는 수평스크래치로 구분하여 선택하였으며, 상기 실시예들은 이들 스크래치들을 화학적 연마에 의하여 없애버렸기 때문에 그대로 얻어진 칩들 중 임의의 칩을 선택하여 칩의 하방에서 칩의 양단을 지지하는 2점들과 칩의 상방에서 하방을 향하여 가압하는 1점에 의한 3점굽힘시험(3-Point Bending Test)를 수행하여 칩에 가해지는 외력에 의하여 칩이 파괴되는 내구성을 측정하고, 이를 표 1에 나타내었다.Since the scratches as described above are formed differently according to the angle with respect to the short axis of the chip, the chip is formed at an angle of 90 ° with respect to the short axis of the chip. Vertical scratches, inclined scratches having an inclination of 45 °, and horizontal scratches having an inclination of 0 ° were selected. The above embodiments select any of the chips obtained as they are because they are removed by chemical polishing. 3 point bending test is performed by two points supporting both ends of the chip at the bottom of the chip and one point pressurized downward from the top of the chip. The durability to break is measured and shown in Table 1.
상기한 실시예들을 종합한 결과, 본 발명에 따른 실시예들은 비록 대조되는 비교예들 보다 칩의 두께가 약 20μm 정도 더 얇아졌음에도 불구하고 비교예들 중 하중에 대한 내파괴성이 가장 우수한 수직스크래치의 내파괴성 보다 더 높은 내파괴성을 나타내고 있음을 확인할 수 있었다.As a result of the synthesis of the above embodiments, the embodiments according to the present invention, although the chip thickness was about 20 μm thinner than those of the comparative examples, the vertical scratch having the best fracture resistance against the load among the comparative examples. It was confirmed that the fracture resistance was higher than that of the fracture resistance.
따라서, 본 발명에 의하면 칩의 두께를 더 얇게 하면서도 오히려 외부충격에 대한 내파괴성은 더 증가하여 칩의 내구성이 더욱 향상되는 효과가 있으며, 그에 의하여 패키징(Packing) 후의 반도체장치의 크기를 보다 작게 줄이면서도 외력에 대한 칩의 내구성을 향상시키고, 반도체장치의 수율을 향상시키는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the thickness of the chip is made thinner, but the damage resistance against external impact is further increased, thereby increasing the durability of the chip, thereby reducing the size of the semiconductor device after packaging. In addition, it has the effect of improving the durability of the chip against external forces and improving the yield of the semiconductor device.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
도 1은 종래의 웨이퍼 이면연마방법에 의하여 연마된 웨이퍼의 이면에 형성될 수 있는 스크래치의 패턴을 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a view schematically showing a pattern of scratches that may be formed on the back surface of a wafer polished by a conventional wafer back surface polishing method.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of code for main part of drawing
1 : 웨이퍼 2 : 스크래치1: wafer 2: scratch
3 : 수직스크래치 4 : 경사스크래치3: vertical scratch 4: inclined scratch
5 : 수평스크래치5: horizontal scratch
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980032303A KR100527676B1 (en) | 1998-08-08 | 1998-08-08 | Wafer back polishing method for semiconductor device manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019980032303A KR100527676B1 (en) | 1998-08-08 | 1998-08-08 | Wafer back polishing method for semiconductor device manufacturing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20000013442A KR20000013442A (en) | 2000-03-06 |
| KR100527676B1 true KR100527676B1 (en) | 2006-02-01 |
Family
ID=19546773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019980032303A KR100527676B1 (en) | 1998-08-08 | 1998-08-08 | Wafer back polishing method for semiconductor device manufacturing |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100527676B1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148452A (en) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Sony Corp | Substrate surface protecting tape and substrate backside grinding method |
| JPH10106980A (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
-
1998
- 1998-08-08 KR KR1019980032303A patent/KR100527676B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08148452A (en) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Sony Corp | Substrate surface protecting tape and substrate backside grinding method |
| JPH10106980A (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-24 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20000013442A (en) | 2000-03-06 |
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