KR100524861B1 - Mask frame for cathode ray tube - Google Patents
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Abstract
본 발명은 음극선관용 마스크 프레임에 관한 것으로, 특히, 틴트 패널을 적용 시 글라스 투과율 감소에 따른 휘도 저하를 방지하기 위해 스크린 폭을 증가시키는 경우 방향 전환 시 지자계의 영향으로 퓨리티 여유도의 감소를 가져오는데 이를 개선하기 위하여 상기 마스크 프레임의 대각 축단부의 높이를 종래 보다 높게 함으로써 지자계에 의한 전자빔 이동량을 감소시켜 방향 전환 시의 퓨리티 여유도를 증가시키고, 또한, 패널 틴트화로 인해 생기는 휘도 저하 개선을 막기 위해 스크린 형광체 폭을 증가시키더라도 자계 변화에 의한 빔 이동량을 줄임으로써 색순도 불량을 막을 수 있도록 한 것이다.The present invention relates to a mask frame for a cathode ray tube, and in particular, when the screen width is increased in order to prevent a decrease in luminance due to a decrease in glass transmittance when a tint panel is applied, the purity margin is reduced due to the influence of a geomagnetic field when the direction is changed. In order to improve this, the height of the diagonal end of the mask frame is higher than that of the prior art, thereby reducing the amount of electron beam movement due to the geomagnetic field, thereby increasing the purity margin at the time of changing the direction, and also preventing the improvement of luminance deterioration caused by panel tinting. Even if the screen phosphor width is increased, it is possible to prevent color purity defects by reducing the amount of beam movement due to the change of the magnetic field.
Description
본 발명은 음극선관용 마스크 프레임에 관한 것으로, 특히, 틴트 패널을 적용 시 글라스 투과율 감소에 따른 휘도 저하를 방지하기 위해 스크린 폭을 증가시키는 경우, 방향 전환 시 지자계의 영향으로 퓨리티 여유도의 감소를 가져오는데 이를 개선하기 위하여 상기 마스크 프레임의 대각축 단부의 높이를 종래 보다 높게 하여 지자계에 의한 전자빔 이동량을 감소시켜 방향 전환 시의 퓨리티 여유도를 증가시키는 음극선관용 마스크 프레임에 관한 것이다.The present invention relates to a mask frame for a cathode ray tube, and in particular, in the case of increasing the screen width in order to prevent a decrease in brightness due to a decrease in glass transmittance when applying a tint panel, a decrease in purity margin due to the influence of a geomagnetic field during the change of direction. The present invention relates to a mask frame for a cathode ray tube, in which a height of a diagonal axis end of the mask frame is made higher than in the prior art, thereby reducing the amount of electron beam movement caused by the geomagnetic field, thereby increasing the purity margin at the time of change of direction.
일반적으로, 컬러 음극선관은, 도 1에 도시된 바와 같이, 패널(3)이라고 하는 전면 유리와 펀넬(4)이라고 하는 후면 유리가 결합되어 고진공으로 밀폐되어 있다.In general, as shown in FIG. 1, the color cathode ray tube is sealed by a high vacuum by combining a front glass called the panel 3 and a rear glass called the funnel 4.
그리고, 그 내부 공간에는 상기 패널(3)의 내측면에 도포되어 소정의 발광체 역할을 하는 형광체 스크린(1)과, 이 형광체 스크린(1)을 발광시키는 전자빔(11R)(11G)(11B)이 방출되는 전자총(9)과, 상기 전자총(9)에서 발생된 전자빔(11R)(11G)(11B)이 상기 형광체 스크린(1)의 소정 부위에 안착될 수 있도록 선별해주는 새도우 마스크(5)와, 상기 새도우 마스크(5)를 고정/지지하는 마스크 프레임(7)과, 상기 마스크 프레임(7) 어셈블리를 상기 패널(3)에 결합시켜주는 탄성지지체(23) 및 스터드 핀(2)과, 상기 펀넬(4)의 넥크부(8)측의 내측면에 장착되어 상기 전자빔(11R) (11G) (11B)을 발생시키는 전자총(9)과, 상기 전자총(9)에서 발생된 전자빔(11R)(11G)(11B)을 소정의 방향으로 편향시키는 편향 요크(10)를 포함하여 구성되어 있다. In the interior space, a phosphor screen 1 applied to the inner surface of the panel 3 to serve as a predetermined light emitter, and electron beams 11R, 11G and 11B for emitting the phosphor screen 1 are provided. A shadow mask 5 for selecting the emitted electron gun 9 and the electron beams 11R, 11G and 11B generated by the electron gun 9 to be seated on a predetermined portion of the phosphor screen 1; A mask frame 7 for fixing / supporting the shadow mask 5, an elastic support 23 and a stud pin 2 for coupling the mask frame 7 assembly to the panel 3, and the funnel An electron gun 9 mounted on the inner side of the neck portion 8 side of (4) to generate the electron beams 11R, 11G and 11B, and an electron beam 11R and 11G generated by the electron gun 9. ) And a deflection yoke 10 for deflecting 11B in a predetermined direction.
상기 전자총(9)으로부터 방출된 3색 전자빔(11R)(11G)(11B)은 펀넬(4)의 외측에 장착된 편향 요크(10)에 의하여 편향되고, 상기 새도우 마스크(5)를 관통하여 상기 형광체 스크린(1)에 도포된 3색 형광체(1R)(1G)(1B)에 각각 도달하도록 구성된다.The three-color electron beams 11R, 11G and 11B emitted from the electron gun 9 are deflected by a deflection yoke 10 mounted on the outside of the funnel 4 and penetrates the shadow mask 5 so as to pass through the shadow mask 5. It is configured to reach each of the three-color phosphors 1R (1G) 1B applied to the phosphor screen 1.
도 2 는 전자총(9)에서 방출된 3색 전자빔(11R)(11G)(11B)이 상기 새도우 마스크(5)의 주면(22)에 형성된 전자빔 통과공(12)을 통과하여 상기 형광체 스크린(1)에 도포된 3색 형광체(1R)(1G)(1B)에 도달하는 과정을 나타낸 개략 사시도이다.2 shows a three-color electron beam 11R, 11G, 11B emitted from an electron gun 9 passing through an electron beam passing hole 12 formed in the main surface 22 of the shadow mask 5 so that the phosphor screen 1 Is a schematic perspective view showing a process of reaching the three-color phosphor (1R) (1G) (1B).
상기 새도우 마스크(5)는 형광체 스크린(1)의 형상에 대응되는 형상의 곡면으로 형성되며 그 표면에 다수개의 전자빔 통과공(12)이 형성된 주면(22)과, 이 주면(22)의 주변부에서 수직 방향으로 절곡된 스커트부(6)를 포함하여 구성된다.The shadow mask 5 is formed of a curved surface having a shape corresponding to the shape of the phosphor screen 1, and includes a main surface 22 having a plurality of electron beam through holes 12 formed therein, and a peripheral portion of the main surface 22. The skirt portion 6 is bent in the vertical direction.
상기 새도우 마스크(5)는 상기 스커트부(6)가 상기 마스크 프레임(7)과 용접되어 결합되고, 또한 상기 마스크 프레임(7)에 결합된 탄성지지체(23)가 상기 패널(3)의 내측에 설치된 스터드 핀(2)에 결합되는 것에 의해 상기 패널(3)의 내측에 지지된다.In the shadow mask 5, the skirt part 6 is welded to the mask frame 7, and an elastic support 23 coupled to the mask frame 7 is provided inside the panel 3. It is supported inside the panel 3 by being coupled to the installed stud pins 2.
도 4a 는 새도우 마스크(5)와 마스크 프레임(7)이 결합된 상태를 보여주는 평면도이고, 도 4b 는 새도우 마스크(5)가 형광체 스크린(1)과 대향한 곡면으로 된 주면(22)에 다수개의 전자빔 통과 구멍(12)이 설치되고, 상기 마스크 프레임(7)의 측벽부(13)에 마스크의 스커트부(6)가 접하여 용접된 구형 모양의 마스크 프레임(7)을 나타낸 단면도이다.FIG. 4A is a plan view showing a state in which the shadow mask 5 and the mask frame 7 are coupled, and FIG. 4B shows a plurality of surfaces on the main surface 22 in which the shadow mask 5 is curved to face the phosphor screen 1. It is sectional drawing which showed the spherical mask frame 7 in which the electron beam passage hole 12 was provided, and the skirt part 6 of the mask contacted and welded to the side wall part 13 of the said mask frame 7.
또한, 상기 마스크 프레임(7)은, 도 5a, 5b, 5c 에 도시된 바와 같이, 관축(Z축)에 따라 직립하여 형성되고, 상기 새도우 마스크(5)의 스커트부(6)가 접하여 용접되는 측벽부(13)를 갖도록 형성된다.5A, 5B, and 5C, the mask frame 7 is formed upright along the tube axis (Z axis), and the skirt portion 6 of the shadow mask 5 is in contact with and welded to the mask frame 7. It is formed to have a side wall portion 13.
그리고, 상기 전자총(9)으로부터 방출된 전자빔(11R)(11G)(11B)의 일부는 상기 새도우 마스크 구멍(12)을 통하여 스크린 형광체(1)에 도달하지만 대부분의 전자빔(11R)(11G)(11B)은 상기 새도우 마스크(5)에 충돌한다.A portion of the electron beams 11R, 11G, 11B emitted from the electron gun 9 reach the screen phosphor 1 through the shadow mask hole 12, but most of the electron beams 11R, 11G ( 11B) impinges on the shadow mask 5.
따라서, 상기 새도우 마스크(5)는 그 자체가 발열하게 되고, 이 가열된 새도우 마스크(5)의 열은 상기 마스크와 접촉하고 있는 마스크 프레임(7)에 전달되고, 이 마스크 프레임(7)에 전달된 열은 상기 마스크 프레임(7)과 결합된 탄성 지지체(23) 및 스터드 핀(2)에 전달되어, 상기 새도우 마스크(5)에서 발생되는 열을 상기 음극선관의 외부로 방출함으로써 상기 새도우 마스크(5)의 팽창에 의한 전자빔의 안착성능이 떨어지고, 색순도 열화가 일어나는 것을 방지하게 된다.Thus, the shadow mask 5 itself generates heat, and the heat of the heated shadow mask 5 is transmitted to the mask frame 7 which is in contact with the mask, and to the mask frame 7. The heat is transferred to the elastic support 23 and the stud pin 2 coupled to the mask frame 7 to release the heat generated by the shadow mask 5 to the outside of the cathode ray tube. The deposition performance of the electron beam is reduced by the expansion of 5), and the color purity deterioration is prevented from occurring.
또한, 상기 마스크 프레임(7)은 상기한 열의 전달 기능 뿐만 아니라, 상기 마스크 스커트부(6)와 결합되어 상기 새도우 마스크(5)를 고정시키고, 외부 충격에 의한 새도우 마스크(5)의 변형을 방지한다.In addition, the mask frame 7 is coupled to the mask skirt 6 to fix the shadow mask 5 as well as the heat transfer function described above, and prevents deformation of the shadow mask 5 due to external impact. do.
한편, 상기 패널(3) 외면의 곡률 반경이 무한대이거나 거의 평탄한 경우 패널(3)의 내면 곡률 반경은 외면 곡률보다 작게 형성된다.On the other hand, when the radius of curvature of the outer surface of the panel 3 is infinite or almost flat, the inner radius of curvature of the panel 3 is smaller than the outer curvature.
또한, 상기 패널(3)의 내면 곡률 반경에 따라 형성되는 상기 새도우 마스크(5)의 곡률(Rd)(Rh)(Rv)은 상기 새도우 마스크(5)의 기계적 강도를 높이기 위해 상기 패널(3)의 내면 곡률 (Rd')(Rh')(Rv')보다 같거나 작아져야 하며, 단축 방향 곡률 반경(Rv)보다도 장축 방향의 곡률 반경(Rh)을 작게 하고, 단축 방향의 곡률 반경(Rv)보다 대각 방향의 곡률 반경(Rd)을 작게 하는 것이 마스크에 기계적 강도를 높이는데 효과적이라는 것이 알려져 있다.In addition, the curvature Rd (Rh) (Rv) of the shadow mask 5 formed according to the radius of curvature of the inner surface of the panel 3 may increase the mechanical strength of the shadow mask 5. It should be equal to or smaller than the inner surface curvature Rd '(Rh') (Rv '), and make the radius of curvature Rh of the major axis smaller than the minor axis radius of curvature Rv, and the radius of curvature Rv of the minor axis direction. It is known that reducing the diagonal radius of curvature Rd is effective in increasing the mechanical strength of the mask.
그리고, 마스크 프레임(7)의 장축단(Th), 단축단(Tv), 및 대각축단(Td)의 높이(h)(v)(d)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 그 곡률(Rh)(Rv)(Rd)을 상기 패널(3)의 내면 곡률(Rh')(Rv')(Rd')과 거의 같게 가져가므로 상기 마스크 프레임(7)의 단축단의 높이(v)가 장축단의 높이(h)과 대각축단의 높이(d)보다 높게 되어 있고, 대각축단의 높이(d)가 제일 낮게 되어 있다.The height h (v) (d) of the long axis end Th, the short axis end Tv, and the diagonal axis end Td of the mask frame 7 has its curvature ( Rh) (Rv) (Rd) is brought about equal to the inner curvature Rh '(Rv') (Rd ') of the panel 3, so that the height v of the short end of the mask frame 7 is The height h of the long shaft end and the height d of the diagonal shaft end are higher, and the height d of the diagonal shaft end is the lowest.
한편, 상기 패널(3) 외면의 곡률 반경이 무한대이거나 거의 평탄한 컬러 음극선관의 패널(3)은 외부 반사에 의한 콘트라스트 품위 저하를 막고, 형광체 스크린(1)의 색순도를 올리기 위해 상기 패널(3) 표면에 코팅을 적용한다.On the other hand, the panel 3 of the color cathode ray tube of which the radius of curvature of the outer surface of the panel 3 is infinite or almost flat prevents the deterioration of the contrast quality due to external reflection and increases the color purity of the phosphor screen 1. Apply the coating to the surface.
그러나, 상기 패널(3) 외면 중심에 일정한 양의 코팅액을 주입하고 상기 패널(3)을 회전시켜 패널 전면에 코팅액이 도포되도록 하지만 패널의 전체 면적을 균일하게 도포하는 것이 불가능하여 컬러 음극선관의 휘도를 불균일하게 만들 뿐만 아니라 많은 불량을 발생시킨다.However, a certain amount of coating liquid is injected into the center of the outer surface of the panel 3 and the panel 3 is rotated so that the coating liquid is applied to the front surface of the panel. Not only makes it uneven, but also generates many defects.
또한, 코팅 후에 소성로를 통과시켜 막 강도를 높이는 공정을 거치지만 원하는 막 강도 만큼의 강도를 얻기가 어려우며, 막 강도를 높이기 위해서는 고가의 코팅액을 사용해야만 하는 문제점이 있었다. In addition, after the coating is passed through a kiln to increase the film strength, it is difficult to obtain the strength as much as the desired film strength, and there is a problem in that an expensive coating liquid must be used to increase the film strength.
이러한 문제점을 개선하기 위해 상기 패널(3)을 틴트화(광투과율 51%) 함으로써 코팅액을 사용하지 않아도 되므로 재료비를 절감할 수 있고, 코팅 불량으로 인한 불량율 감소가 가능하여 생산성을 향상시킬 수 있다.In order to improve this problem, the panel 3 can be tinted (light transmittance of 51%), thereby eliminating the use of the coating solution, thereby reducing the material cost, and reducing the defect rate due to poor coating, thereby improving productivity.
그러나, 상기 패널(3)을 틴트화 할 경우 패널(3)의 주변부로 갈수록 광투과율이 급격하게 떨어진다.However, when the panel 3 is tinted, the light transmittance drops sharply toward the periphery of the panel 3.
그 이유는, 도 7에 도시된 바와 같이, 예를 들어 상기 패널(3)의 중앙부 두께(16)(Tc)가 12.5mm이고 패널(3)의 웨지부 두께(14)(Tco)가 패널(3)의 중앙부 두께(16)(Tc) 보다 220% 큰 27.5mm이고, 주변부의 형광체 스크린(1)의 폭이 185㎛ 일 때(표 1 참조), 상기 패널(3)의 외면에 코팅액을 도포할 경우, 상기 패널(3)의 중앙부의 광투과율은 54.41%이고, 패널(3)의 주변부의 광투과율은 46.5% 정도로서 패널(3)의 주변부에 약 5% 정도의 광투과율 저하가 발생된다.The reason is that, as shown in FIG. 7, for example, the center thickness 16 (Tc) of the panel 3 is 12.5 mm and the wedge thickness 14 (Tco) of the panel 3 is the panel ( The coating liquid is applied to the outer surface of the panel 3 when the width of the phosphor screen 1 at the periphery is 185 μm, which is 220% larger than the center thickness 16 (Tc) of 3) and the width of the phosphor screen 1 is 185 μm. In this case, the light transmittance at the center of the panel 3 is 54.41%, the light transmittance at the periphery of the panel 3 is about 46.5%, and a light transmittance decrease of about 5% occurs at the periphery of the panel 3.
그러나, 상기 패널(3)을 틴트화 할 경우에는, 패널 중앙부와 웨지부 두께(16)(Tc)(14)(Tco) 차이로 인해 패널 센터부(16)(Tc)의 광투과율은 51.15% 로서 상기 코팅 제품과 거의 동일하나, 웨지부(14)(Tco)의 광투과율이 25.56% 정도까지 떨어져 상기 패널(3)의 표면에 코팅을 했을 경우보다 웨지부(14)(Tco)의 광투과율이 45% 정도 떨어지므로 웨지부(14)(Tco)의 휘도 저하를 발생시켜 상기 패널(3)의 코팅 시 보다 15fl 정도의 코너 휘도 저하를 발생시킨다.However, when the panel 3 is tinted, the light transmittance of the panel center portion 16 (Tc) is 51.15% due to the difference between the panel center portion and the wedge portion thickness 16 (Tc) 14 (Tco). The light transmittance of the wedge portion 14 (Tco) is almost the same as that of the coated product, but the light transmittance of the wedge portion 14 (Tco) is lower than that of the coating of the surface of the panel 3 by 25.56%. Since the 45% fall, the brightness of the wedge portion 14 (Tco) is lowered and the corner brightness is lowered by about 15 fl than when the panel 3 is coated.
따라서, 컬러 음극선관 화면의 색순도 균일성의 지표인 웨지부 B/U 값이 저하된다.(표2 참조)Therefore, the wedge portion B / U value, which is an index of color purity uniformity of the color cathode ray tube screen, is lowered (see Table 2).
그러므로, 패널(3)의 웨지부(14)(Tco) 휘도를 증가시키기 위해서는 웨지부(14)(Tco)의 형광체 스크린 폭(Bd)을 현재보다 24% 정도 증가시켜야 한다(표 3 참조).Therefore, in order to increase the brightness of the wedge portion 14 (Tco) of the panel 3, the phosphor screen width Bd of the wedge portion 14 (Tco) must be increased by about 24% from the present (see Table 3).
그러나, 도 3에 도시된 형광체 스크린 폭(Gs)을 증가 시킬 경우에는, 지자계 및 방향전환 시 전자빔(11R)(11G)(11B)이 형광체(1R)(1G)(1B)를 발광시킬 퓨리티 여유도(도 3 참조)가 줄어들어 컬러 음극선관의 색순도 불량이 야기된다.However, if the phosphor screen width Gs shown in Fig. 3 is increased, the purity of the electron beams 11R, 11G, and 11B will cause the phosphors 1R, 1G, and 1B to emit light when the geomagnetic field and the direction change. The margin (see FIG. 3) is reduced, resulting in poor color purity of the color cathode ray tube.
또한, 상기 패널(3) 내면의 웨지부 두께를 감소시킴으로써 광투과율 감소를 개선할 수 있으나, 상기 새도우 마스크(5)의 곡률(Rd)(Rv)(Rh)은 패널 내면의 곡률(Rd')(Rv')(Rh')과 유사하게 가야하므로 패널 내면 곡률 증가 시 마스크 주면(22)의 곡률이 증가하여 충격 시 마스크 변형이 발생하며, 하울링에 의한 기계적 강도 저하를 초래하여 색순도를 떨어뜨리는 문제점을 갖게 된다.In addition, although the light transmittance decrease can be improved by reducing the thickness of the wedge portion of the inner surface of the panel 3, the curvature Rd (Rv) (Rh) of the shadow mask 5 is the curvature Rd 'of the inner surface of the panel. Since it must go similarly to (Rv ') (Rh'), when the curvature of the inner surface of the panel increases, the curvature of the mask main surface 22 increases, which causes mask deformation during impact, and causes the mechanical strength to be degraded by the howling to reduce color purity. Will have
다시 말하면, 상기 패널(3) 외면의 곡률 반경이 무한대이거나 거의 평탄한 컬러 음극선관의 패널(3)에서 틴트화 할 경우, 상기 패널(3)의 중앙부 두께(16) (Tc)와 웨지부 두께(14)(Tco) 차이로 인해 패널(3)을 코팅할 경우보다 웨지부(14)(Tco)의 광투과율이 약 20% 저하됨으로 인해 화면의 중앙부 대비 웨지부 휘도차이가 15 fl 정도 저하되는 현상을 개선하기 위해 상기 패널(3)의 웨지부 형광체 스크린 폭(Gs)의 사이즈를 24% 증가시켜야 하므로 블랙 스트라이프(Bd)의 폭은 반대로 감소한다.In other words, when tinting in the panel 3 of the color cathode ray tube with an infinite curvature radius of the outer surface of the panel 3 is almost infinite, the thickness of the center portion 16 (Tc) of the panel 3 and the wedge portion thickness ( 14) Due to the difference in Tco, the light transmittance of the wedge portion 14 (Tco) is reduced by about 20% compared to when the panel 3 is coated, so that the difference in luminance of the wedge portion is reduced by about 15 fl from the center of the screen. Since the size of the wedge portion phosphor screen width Gs of the panel 3 must be increased by 24% to improve the width, the width of the black stripe Bd decreases inversely.
그로 인해, 지자계 및 방향 전환 시 상기 전자빔(11R)(11G)(11B)이 35㎛ 정도 이동을 하기 때문에 블랙 스트라이프(Bd)의 폭 감소 시, 도 3에 도시된 바와 같이, 전자빔 랜딩의 퓨리티 여유도가 줄어들어 색 어긋남이 발생하기 쉽다.Therefore, when the width of the black stripe Bd is reduced because the electron beams 11R, 11G, and 11B move about 35 μm when changing the geomagnetic field and direction, as shown in FIG. 3, the purity of the electron beam landings. The margin decreases, and color shifting tends to occur.
따라서, 이에 대응하기 위해서는, 지자계 및 방향전환 시 이동하는 전자빔의 이동량을 줄여야만 한다.Therefore, in order to cope with this, the amount of movement of the moving electron beam in the geomagnetic field and the direction change must be reduced.
일반적으로, 전자빔의 이동량을 줄이기 위해서는 인너 쉴드(미도시) 재질을 변경하여 전자빔의 이동량을 줄이거나 인너 쉴드(미도시)의 형상을 바꾸어 전자빔 이동량을 줄이게 된다.In general, in order to reduce the amount of movement of the electron beam, the inner shield (not shown) is changed to reduce the amount of movement of the electron beam, or the shape of the inner shield (not shown) is used to reduce the amount of electron beam movement.
그러나, 재질을 변경할 경우 부품 단가가 상승하며, 인너 쉴드 형상 변경 시 전자빔의 절대량을 축소하기가 쉽지 않다.However, when the material is changed, the unit cost increases, and when the inner shield shape is changed, it is not easy to reduce the absolute amount of the electron beam.
한편, 종래의 음극선관은, 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 지자계 변화 및 방향 전환시 전자빔(11R)(11G)(11B)이 편향 자계에 의해 패널(3)을 통과할 경우 인너 쉴드(15)에 의해 지자계에 의한 전자빔의 영향을 감소시켜 주나, 상기 새도우 마스크(3)의 주면(22)에 형성된 전자빔 통과공(12)을 통과한 전자빔(30)의 경우 자계에 완전히 노출되어 있어 패널(3)의 중심과 마스크 중심(C)사이의 거리(17)와 마스크 프레임(5)의 대각축 단부와 패널 내면까지의 거리(18)가 클수록 전자빔(11R)(11G)(11B)이 자계에 민감하게 반응하여 그 편향량이 커지는 문제점이 있었다.Meanwhile, as shown in FIGS. 7 and 8, the conventional cathode ray tube is inner when the electron beams 11R, 11G, and 11B pass through the panel 3 by the deflection magnetic field when the geomagnetic field changes and changes direction. The shield 15 reduces the influence of the electron beam due to the geomagnetic field, but in the case of the electron beam 30 passing through the electron beam passing hole 12 formed in the main surface 22 of the shadow mask 3, it is completely exposed to the magnetic field. The larger the distance 17 between the center of the panel 3 and the mask center C and the distance 18 between the diagonal axis end of the mask frame 5 and the inner surface of the panel, the larger the electron beams 11R, 11G, and 11B. ) Is sensitive to the magnetic field and the deflection amount increases.
미설명 부호 19는 마스크 프레임(5)의 대각축 단부와 스크린 까지의 거리이다.Reference numeral 19 is a distance from the diagonal axis end of the mask frame 5 to the screen.
상기한 바를 고려하여 안출한 본 발명의 목적은 상기 마스크 프레임의 대각 축단부의 높이를 종래 보다 높게 하여 지자계에 의한 전자빔 이동량을 감소시켜 방향 전환 시의 퓨리티 여유도를 증가시키는 음극선관용 마스크 프레임을 제공하는 데에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention devised in view of the above is to provide a mask frame for a cathode ray tube that increases the height of the diagonal axis end of the mask frame higher than conventionally, thereby reducing the amount of electron beam movement caused by the geomagnetic field, thereby increasing the purity margin upon redirection. It's there.
상기한 바와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 그 외면의 곡률 반경이 무한대이거나 거의 평탄한 패널과, 상기 패널의 후면에 장착되는 펀넬과, 상기 패널 내면에 일정한 간격을 두고 배치된 다수개의 전자빔 통과 구멍을 구비하는 새도우 마스크와, 상기 새도우 마스크를 지지해주는 마스크 프레임을 포함하는 컬러 음극선관에 있어서, 마스크 프레임의 대각부 높이를 d, 장축단부의 높이를 h, 단축단부의 높이를 v라고 할때 하기의 식 d/v ≥ 0.9, d/h ≥ 0.9 을 만족하는 것을 특징으로 하는 컬러 음극선관이 제공된다.In order to achieve the object of the present invention as described above, the outer radius of the curvature of the panel is infinite or almost flat, the funnel mounted on the back of the panel, and the plurality of electron beams arranged at regular intervals on the inner surface of the panel passing A color cathode ray tube comprising a shadow mask having a hole and a mask frame for supporting the shadow mask, wherein the diagonal height of the mask frame is d, the height of the major axis end is h, and the height of the minor axis is v. A color cathode ray tube is provided, which satisfies the following expressions d / v ≧ 0.9 and d / h ≧ 0.9.
또한, 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 그 외면의 곡률 반경이 무한대이거나 거의 평탄한 패널과, 상기 패널의 후면에 장착되는 펀넬과, 상기 패널 내면에 일정한 간격을 두고 배치된 다수개의 전자빔 통과 구멍을 구비하는 새도우 마스크와, 상기 새도우 마스크를 지지해주는 마스크 프레임을 포함하는 컬러 음극선관에 있어서, 마스크 프레임의 대각부 높이를 d, 장축단부의 높이를 h, 단축단부의 높이를 v라고 할 때, 식 d≥h, d≥v 을 만족하는 것을 특징으로 하는 컬러 음극선관이 제공된다.In addition, in order to achieve the object of the present invention, a panel having an infinite curvature radius of its outer surface or almost flat, a funnel mounted on the back of the panel, and a plurality of electron beam through holes disposed at regular intervals on the inner surface of the panel. In a color cathode ray tube including a shadow mask provided and a mask frame for supporting the shadow mask, when the height of the diagonal portion of the mask frame is d, the height of the major axis end is h, and the height of the minor axis is v, A color cathode ray tube is provided, which satisfies d≥h and d≥v.
이하, 본 발명 컬러 음극선관을 첨부도면에 의거하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the color cathode ray tube of the present invention will be described in detail based on the accompanying drawings.
일반적으로, 패널(3)에서 외면 곡률이 무한대이거나 거의 평탄한 컬러 음극선관의 패널(3)의 두께는, 도 9에 도시된 바와 같이, 방폭 특성을 고려하여 패널(3)의 중앙부보다 단축(Tv), 장축(Th) 및 대각축(Td)의 순서로 높게 되어 있다.In general, the thickness of the panel 3 of the color cathode ray tube in which the outer surface curvature is infinite or almost flat in the panel 3 is shorter than the central portion of the panel 3 in consideration of the explosion-proof characteristic (Tv), as shown in FIG. 9. ), The long axis Th, and the diagonal axis Td.
그러므로, 도 10과 같이 상기 패널(3)의 내면은 단축부 곡률 반경(Rv')이 장축부 곡률 반경(Rh')보다 크며, 장축부 곡률 반경(Rh')은 대각부 곡률 반경(Rd') 보다 크다.Therefore, as shown in FIG. 10, the inner surface of the panel 3 has a short axis radius of curvature Rv 'greater than the long axis radius of curvature Rh', and the long axis radius of curvature Rh 'is a diagonal radius of curvature Rd'. Greater than)
일반적으로, 형광체 스크린(1)과 대향한 새도우 마스크(5) 본체의 주면(22)은 패널(3)의 내면 곡률을 따라 형성되지만, 외부 충격에 대응하여 마스크 강도를 높이기 위해서는 일반적으로 상기 패널(3) 내면 곡률(Rd')(Rv')(Rh')보다는 상기 새도우 마스크(5)본체의 주면(22)의 장축, 단축 그리고 대각축의 곡률(Rd)(Rv)(Rh)을 작게 하는 것이 좋은 것으로 알려져 있다.In general, the main surface 22 of the main body of the shadow mask 5 facing the phosphor screen 1 is formed along the curvature of the inner surface of the panel 3, but in order to increase the mask strength in response to external impact, the panel ( 3) The curvature Rd (Rv) (Rh) of the major axis, short axis and diagonal axis of the main surface 22 of the shadow mask 5 main body is smaller than the internal curvature Rd '(Rv') (Rh '). It is known to be good.
특히, 마스크 대각부 곡률 반경(Rd)은 상기 패널(3)의 내면 곡률(Rd')보다 곡률 반경을 더욱 작게 하는 것이 바람직하다.In particular, the mask diagonal radius of curvature Rd is preferably smaller than the inner curvature Rd 'of the panel 3.
그러므로, 도 11과 같이 패널(3) 내면 중앙부에서 상기 새도우 마스크(5)의 곡률은 마스크 중심(C)으로부터 대각 방향으로는 Rd의 곡선을 이루고 그 크기는 Rd1이고, 장축 방향으로는 Rh의 곡률을 이루고 그 크기는 Rh1이며, 단축 방향으로는 Rv의 곡률을 이루고 그 크기는 Rv1이다.Therefore, as shown in FIG. 11, the curvature of the shadow mask 5 at the center of the inner surface of the panel 3 forms a curve of Rd in the diagonal direction from the mask center C, the size of which is Rd1, and the curvature of Rh in the major axis direction. The size is Rh1, the curvature of Rv in the short axis direction, and the size is Rv1.
그리고, 상기한 바에 대응되는 마스크 프레임(7)의 측벽부(13)의 대각축단 높이는 d이고, 장축단 높이는 h이고, 단축단 높이는 v이다.The height of the diagonal axis end of the side wall portion 13 of the mask frame 7 corresponding to the above is d, the height of the major axis is h, and the height of the short axis is v.
또한, 도 12 및 도 13에서와 같이, 패널(3) 내면과 마스크 프레임(7) 사이의 대각축단 간격(18)(Dd)이 장축단의 간격(Dh)과 단축단의 간격(Dv) 보다 크므로 도 13과 같이 전자빔이 편향 요크에 의해 편향 중심(20)에서 편향되고 패널(3)의 대각축의 마스크 구멍(12)을 통과하여 마스크 프레임(70)의 대각축 단부와 일정한 거리(19)를 두고 패널 내면 형광체 스크린에 도달하기 때문에 도 14와 같이 프레임 대각축 단부의 높이(d)를 높이는 것이 가능하다.12 and 13, the diagonal axis end gap 18 (Dd) between the inner surface of the panel 3 and the mask frame 7 is larger than the gap Dh of the major axis end and the distance Dv of the short axis end. As shown in FIG. 13, the electron beam is deflected by the deflection yoke at the deflection center 20 and passes through the mask hole 12 of the diagonal axis of the panel 3 so as to have a constant distance 19 from the diagonal axis end of the mask frame 70. Since the screen reaches the phosphor screen inside the panel, it is possible to increase the height d of the frame diagonal axis end as shown in FIG.
상기 실험을 통하여 마스크 프레임(7)의 대각축단 높이(d)가 장축단의 높이(h) 및 단축단의 높이(v)와 하기 식을 만족할 때 효과가 나타남을 알 수 있었다.Through the above experiment, it can be seen that the effect is obtained when the height d of the diagonal axis of the mask frame 7 satisfies the height h of the major axis and the height v of the short axis.
즉, 표 4에 도시된 바와 같이, 상기 패널(3)의 웨지부와 마스크 프레임(70) 사이의 간격을 감소시키면, 방향 전환 시 지자계 변화에 의한 전자빔의 이동량이 감소함을 알 수 있다.That is, as shown in Table 4, if the distance between the wedge portion of the panel 3 and the mask frame 70 is reduced, it can be seen that the amount of movement of the electron beam due to the change of the magnetic field during the direction change.
이것을 식으로 정리하면 다음과 같다. This can be summarized as follows.
d/v ≥ 0.9, d/h ≥ 0.9 ---------------------------- (1)d / v ≥ 0.9, d / h ≥ 0.9 ---------------------------- (1)
더욱 바람직하게는 현장에서 제작되고 있는 컬러 음극선관의 설계 특성을 고려하여 도 15에 나타난 것처럼 하기의 식을 만족한다.More preferably, the following equation is satisfied as shown in FIG. 15 in consideration of design characteristics of the color cathode ray tube manufactured in the field.
d≥h, d≥v ---------------------------------------- (2)d≥h, d≥v ---------------------------------------- (2)
도 15는 본 발명의 음극선관용 마스크 프레임(70)을 나타낸 사시도이며, 상기 도 15는 대각축단의 높이(d)가 장축단의 높이(h) 및 단축단의 높이(v) 보다 높은 형상을 가지고 있음을 나타내고 있다.15 is a perspective view showing a mask frame 70 for a cathode ray tube of the present invention, Figure 15 is a height (d) of the diagonal axis end has a shape higher than the height (h) of the long axis end and the height (v) of the short axis end. It is present.
그리고, 상기 식 (1)에서 장축단의 높이(h)와 단축단의 높이(v)의 관계는 다음 식(3) 또는 식(4) 어느 쪽을 만족해도 상관없다.In the above formula (1), the relationship between the height h of the long axis end and the height v of the short axis end may satisfy either the following formula (3) or formula (4).
v ≥ h ------------------------------------------- (3)v ≥ h ------------------------------------------- (3)
h ≥ v ------------------------------------------- (4)h ≥ v ------------------------------------------- (4)
한편, 도 16 및 17은 상기 마스크 프레임(70)의 장변축 및 단변축의 측면부의 형상을 도시한 측면도이다. 도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 상기 마스크 프레임(70)의 장변축 및 단변축의 측단면부의 형상은 그 중심을 기준으로 좌우 대칭으로 형성되고, 그 중심을 기준으로 그 측면부 형상은 좌/우측에 적어도 하나 이상의 변곡점(IP : Inflection Point)을 갖으며, 그 측면의 절반의 형상은 그 높이가 측단부로부터 그 중심에 이르기까지 점차 감소하다가 증가하는 형상을 갖도록 형성된다.16 and 17 are side views illustrating the shape of the side portions of the long side axis and the short side axis of the mask frame 70. As shown in FIGS. 16 and 17, the shape of the side cross-sections of the long side axis and the short side axis of the mask frame 70 is formed symmetrically with respect to the center thereof, and the shape of the side portion thereof based on the center thereof is left / right. It has at least one inflection point (IP) on its right side, and the shape of half of its side is formed such that its height gradually decreases from the side end to its center and then increases.
그리고, 도 16에 있어서, 장변축의 절반의 길이를 L이라 할 때, 상기 변곡점의 위치 IP는 상기 장변축의 중심으로부터 측단부 방향으로 L/2 ≤ IP ≤ 4L/5 인 곳에 위치하게 된다. 이때, 상기 IP 의 위치는 그 실시예로서 상기 장변축의 중심으로부터 측단부 방향으로 상기 길이 L의 약 63.5%에 해당하는 위치에 존재하도록 한다.In FIG. 16, when the length of half of the long axis is L, the position IP of the inflection point is located at a location L / 2 ≦ IP ≦ 4L / 5 from the center of the long axis. At this time, the position of the IP is to exist at a position corresponding to about 63.5% of the length L in the direction of the side end portion from the center of the long axis as an embodiment.
또한, 도 17에 있어서도, 역시 단변축의 절반의 길이를 S라 할 때, 상기 변곡점의 위치 IP는 상기 단변축의 중심으로부터 측단부 방향으로 S/2 ≤ IP ≤ 4S/5인 곳에 위치하게 된다. 이때, 상기 IP 의 위치는 그 실시예로서 상기 단변축의 중심으로부터 측단부 방향으로 상기 길이 L의 약 52.5%에 해당하는 위치에 존재한다.Also in FIG. 17, when the length of half of the short axis is S, the position IP of the inflection point is located at a position S / 2 ≦ IP ≦ 4S / 5 from the center of the short axis to the side end portion. At this time, the position of the IP is located at a position corresponding to about 52.5% of the length L in the direction of the side end portion from the center of the short axis as an embodiment.
한편, 본 발명의 발명자는 상기 식 (1)의 범위를 제조 공정상의 용이함과 수율 향상의 효과를 고려하여 바람직한 범위를 다음 식 (5)를 제시하였다.On the other hand, the inventor of the present invention proposed the following formula (5) in the range of the formula (1) in consideration of the effects of ease of production process and yield improvement.
0.9 ≤ d/v ≤ 1.15, 0.95 ≤ d/h ≤ 1.2 -------------- (5)0.9 ≤ d / v ≤ 1.15, 0.95 ≤ d / h ≤ 1.2 -------------- (5)
즉, 상기 마스크 프레임(70)의 장변축 및 단변축의 상기와 같은 형상으로서 형성함으로써, 상기 마스크 프레임(70)의 경량화를 이룰수 있게 되고, 그 체적이 감소함으로 인하여 열변형을 발생시키는 마스크 프레임(70)의 체적이 줄어들게 되어 Doming 현상에 대처하는 성능이 향상되고, 또한 상기 경량화로 인해 그 자중이 감소하므로 Drop 성능 시험 등에 있어서 유리한 장점을 갖게 된다.That is, by forming the mask frame 70 as the long and short axis of the shape as described above, it is possible to reduce the weight of the mask frame 70, the mask frame 70 for generating thermal deformation due to the decrease in the volume As the volume decreases, the performance of coping with the doming phenomenon is improved, and the weight thereof decreases, and thus the weight thereof is reduced, which is advantageous in the drop performance test.
상기와 같은 본 발명의 일 실시예가 도 18에 나타나 있다. 도 18은 그 중앙부 두께가 12.5mm, 대각 웨지부의 두께가 24.25mm 인 틴트화 패널(3)을 도시하고 있다.One embodiment of the present invention as described above is shown in FIG. FIG. 18 shows a tinted panel 3 having a center thickness of 12.5 mm and a diagonal wedge portion of 24.25 mm.
도 18에서 상기 패널(3)의 내면 중앙부에서 마스크 중심(C)에 대한 주면(22)의 대각부(Rd)에서 관축(Z축) 방향으로 높이(Rd)가 22.2mm이고, 마스크 프레임(7)의 대각부 축단부 높이가 54.8mm인 경우에, 상기 패널(3)의 웨지부의 내측면과 마스크 프레임(7) 대각축단 연결부(24)까지의 간격은 25.95mm이므로 상기 마스크 프레임(7)의 대각 축단부 높이를 현재의 54.8mm에서 80.75mm 까지 높이는 것이 가능하다.In FIG. 18, the height Rd is 22.2 mm in the direction of the tube axis (Z axis) from the diagonal portion Rd of the main surface 22 with respect to the mask center C at the center of the inner surface of the panel 3, and the mask frame 7. In the case where the height of the diagonal end of the diagonal portion is 54.8 mm, the distance between the inner surface of the wedge portion of the panel 3 and the diagonal axis end connecting portion 24 of the mask frame 7 is 25.95 mm, so that the height of the mask frame 7 It is possible to increase the diagonal shaft end height from the current 54.8mm to 80.75mm.
하지만, 음극선관은 전자빔(21)이 편향 코일(10)에 의하여 일정한 편향각을 가지고 편향되므로, 상기 마스크 프레임(7)에 의한 전자빔 간섭을 막기 위해서는 도 19와 같이 프레임의 대각 축단부 높이를 현재보다 17mm 까지만 올리는 것이 바람직하다.However, in the cathode ray tube, since the electron beam 21 is deflected by the deflection coil 10 with a certain deflection angle, the height of the diagonal shaft end of the frame is increased as shown in FIG. 19 to prevent the electron beam interference by the mask frame 7. It is preferable to raise only 17mm.
본 발명은 패널과 마스크 프레임간의 간격이 큼으로 인해 발생하는 마스크를 통과한 전자빔이 패널 내면 스크린 형광체 유효부에 도달하기전 자계 노출에 의해 발생하는 전자빔의 이동을 인너쉴드의 재료 변경이나 형상 변경 없이도, 마스크 프레임의 대각 축단부 높이(d)를 장축단(h)과 단축단(v) 높이 보다 높게 함으로서, 도 15에 도시된 바와 같이, 즉, 프레임의 장축단 높이(h)와 단축단 높이(v) 보다 낮은 대각 축단부 높이(d)를 장축단과 단축단 높이 보다 17mm 높게 하였을 경우, 전자빔의 이동량을 6㎛ 이상 감소시켜 방향 여유도를 7도 정도 개선할 수 있다 (표 5 참조). According to the present invention, the electron beam generated by the magnetic field exposure before the electron beam passing through the mask, which is generated due to the large gap between the panel and the mask frame, reaches the screen phosphor effective portion inside the panel, without changing the material or the shape of the inner shield. By making the height d of the diagonal axis end portion of the mask frame higher than the height of the major axis h and the minor axis v, as shown in FIG. 15, that is, the height of the major axis h and the height of the minor axis of the mask frame are shown. (v) When the lower diagonal shaft end height d is 17 mm higher than the major and short axis heights, the amount of electron beam movement can be reduced by 6 µm or more to improve the directional margin by about 7 degrees (see Table 5).
또한, 패널 틴트화로 인해 생기는 휘도 저하 개선을 막기 위해 스크린 형광체 폭을 증가하더라도 자계 변화에 의한 빔 이동량을 줄여 색순도 불량을 막을 수 있다.In addition, even if the screen phosphor width is increased to prevent improvement in luminance caused by panel tinting, the color shift can be prevented by reducing the amount of beam movement caused by the magnetic field change.
도 1 은 종래의 음극선관의 구성을 나타낸 횡단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional cathode ray tube.
도 2 는 종래의 음극선관의 전자총에서 방출되는 전자빔이 마스크를 통과하여 형광체 스크린에 도달하는 것을 나타낸 개략 사시도이다.2 is a schematic perspective view showing that an electron beam emitted from an electron gun of a conventional cathode ray tube passes through a mask and reaches a phosphor screen.
도 3 은 종래의 음극선관에서 전자빔이 형광면에 안착되는 것과 그에 따른 퓨리티 여유도를 나타낸 개략도이다.Figure 3 is a schematic diagram showing the electron beam is seated on the fluorescent surface in the conventional cathode ray tube and thus the purity margin.
도 4a 는 종래의 음극선관의 새도우 마스크와 마스크 프레임이 결합된 상태를 나타내는 평면도이다.4A is a plan view illustrating a state in which a shadow mask and a mask frame of a conventional cathode ray tube are coupled.
도 4b 는 도 4a의 횡단면도이다.4B is a cross sectional view of FIG. 4A.
도 5a 는 종래의 음극선관의 마스크 프레임의 구성을 나타낸 평면도이다.Fig. 5A is a plan view showing the structure of a mask frame of a conventional cathode ray tube.
도 5b 는 도 5a의 종단면도이다.5B is a longitudinal cross-sectional view of FIG. 5A.
도 5c 는 도 5a의 횡단면도이다.5C is a cross-sectional view of FIG. 5A.
도 6 은 음극선관의 마스크 프레임의 장축(X), 단축(Y) 및 대각부 높이의 차이를 나타낸 그래프이다.6 is a graph showing the difference between the major axis (X), minor axis (Y) and diagonal portion height of the mask frame of the cathode ray tube.
도 7 은 종래의 음극선관에서 전자빔이 편향중심에서 편향되고 섀도우 마스크를 통과하여 패널의 형광체 스크린에 도달하는 과정을 도식화 한 개략도이다.7 is a schematic diagram illustrating a process of electron beam deflecting at the center of deflection and passing through a shadow mask to a phosphor screen of a panel in a conventional cathode ray tube.
도 8 은 종래의 음극선관에서 지자계에 의한 전자빔의 이동 방향을 나타낸 개략도이다.8 is a schematic diagram showing a moving direction of an electron beam by a geomagnetic field in a conventional cathode ray tube.
도 9 는 종래의 음극선관의 패널의 장축(X), 단축(Y) 및 대각부의 두께를 나타낸 그래프이다.9 is a graph showing thicknesses of the long axis X, the short axis Y, and the diagonal portion of a panel of a conventional cathode ray tube.
도 10 은 종래의 음극선관에서 패널의 장축(X), 단축(Y) 및 대각부에서의 내면 곡률과 새도우 마스크의 주면 곡률과의 차이를 나타낸 개략도이다.10 is a schematic diagram showing the difference between the inner curvature of the long axis (X), the short axis (Y) and the diagonal portion of the panel in the conventional cathode ray tube and the principal surface curvature of the shadow mask.
도 11 은 종래의 음극선관에서 새도우 마스크의 주면 곡률에 따른 마스크 프레임의 장축(X), 단축(Y) 및 대각부 축단 높이를 나타낸 그래프이다.11 is a graph showing the major axis (X), minor axis (Y) and diagonal axis end height of the mask frame according to the curvature of the main surface of the shadow mask in the conventional cathode ray tube.
도 12 는 종래의 음극선관에서 패널의 장축(X), 단축(Y) 및 대각부에서 패널과 마스크 프레임 간의 간격 차이를 나타낸 그래프이다.12 is a graph showing the difference between the panel and the mask frame in the long axis (X), short axis (Y) and the diagonal portion of the panel in the conventional cathode ray tube.
도 13 는 본 발명 음극선관의 마스크 프레임의 대각 축단부 높이를 높이는 것이 가능함을 나타낸 예시도이다.13 is an exemplary view showing that the height of the diagonal shaft end portion of the mask frame of the cathode ray tube of the present invention can be increased.
도 14 는 본 발명의 마스크 주면 곡률에 따른 마스크 프레임의 장축(X), 단축(Y) 및 대각부 축단 높이를 나타낸 그래프이다.14 is a graph showing the major axis (X), minor axis (Y) and diagonal axis end height of the mask frame according to the curvature of the mask main surface of the present invention.
도 15 는 본 발명이 적용된 음극선관의 마스크 프레임을 도시한 사시도이다.15 is a perspective view showing a mask frame of a cathode ray tube to which the present invention is applied.
도 16 은 도 15 의 마스크 프레임의 장변축의 측면부의 형상을 도시한 측면도이다. FIG. 16 is a side view illustrating the shape of a side portion of the long axis of the mask frame of FIG. 15. FIG.
도 17 은 도 15 의 마스크 프레임의 단변축의 측면부의 형상을 도시한 측면도이다. FIG. 17 is a side view illustrating the shape of a side portion of the short axis of the mask frame of FIG. 15. FIG.
도 18은 본 발명이 적용된 음극선관의 마스크 프레임을 도시한 개략 단면도이다.18 is a schematic cross-sectional view showing a mask frame of a cathode ray tube to which the present invention is applied.
도 19 는 도 15 의 마스크 프레임의 대각 축단부 높이가 17mm로 제한되는 이유를 도시한 그래프이다.19 is a graph showing the reason why the height of the diagonal shaft end portion of the mask frame of FIG. 15 is limited to 17 mm.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)(Explanation of symbols for the main parts of the drawing)
1 : 형광체 스크린 3 : 패널1: phosphor screen 3: panel
4 : 펀넬 5 : 새도우 마스크4: funnel 5: shadow mask
70 : 마스크 프레임 d : 마스크 프레임의 대각부 높이70: mask frame d: diagonal height of the mask frame
h : 마스크 프레임의 장축단부의 높이h: height of major axis of mask frame
v : 마스크 프레임의 단축단부의 높이v: height of short end of mask frame
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2003
- 2003-01-09 KR KR10-2003-0001371A patent/KR100524861B1/en not_active IP Right Cessation
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