KR100512617B1 - Cathod ray tube - Google Patents
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Abstract
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서 특히, 음극선관 전자총의 전극의 구조를 변경하여 해상도가 효과적으로 향상되도록 한 전자총을 포함하는 음극선관에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly, to a cathode ray tube including an electron gun in which a resolution of an electrode of a cathode ray tube electron gun is changed to effectively improve resolution.
본 발명에 따른 음극선관은 내면에 형광체 스크린이 형성된 패널과, 상기 패널과 결합되어 내부가 진공상태가 되도록 하는 펀넬과, 상기 펀넬에 장착되어 전자빔이 방출되는 전자총과, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 편향되도록 하는 편향요크와, 상기 전자빔의 색선별 작용을 하는 새도우 마스크가 포함되는 음극선관에 있어서, 상기 전자총의 전자빔이 방출되는 음극과, 전자빔의 양을 제어하는 제어전극과, 전자빔이 가속되도록 하는 가속전극과, 전자빔을 집속 및 가속되도록 하는 집속전극과, 양극이 포함되고, 상기 제어전극은 전자빔 통과공의 수평사이즈가 0.5mm~0.9mm으로 형성되고 수직사이즈는 0.2mm~0.5mm으로 형성되어 수평사이즈가 수직사이즈보다 큰 횡장형으로 형성되며, 상기 음극에서 방출된 전자빔은 수직방향으로 크로스오버가 형성되고, 수평방향으로는 크로스오버가 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.The cathode ray tube according to the present invention includes a panel having a phosphor screen formed on an inner surface thereof, a funnel coupled to the panel so that the inside thereof becomes a vacuum state, an electron gun mounted on the funnel, and emitting an electron beam, and an electron beam emitted from the electron gun. A cathode ray tube including a deflection yoke for deflecting, and a shadow mask for color-selecting the electron beam, the cathode ray tube including a cathode from which the electron beam of the electron gun is emitted, a control electrode for controlling the amount of the electron beam, and an electron beam to be accelerated An accelerating electrode, a focusing electrode for focusing and accelerating the electron beam, and an anode are included. The control electrode has a horizontal size of 0.5 mm to 0.9 mm and a vertical size of 0.2 mm to 0.5 mm. The horizontal size is formed in a horizontal shape larger than the vertical size, the electron beam emitted from the cathode crossover is formed in the vertical direction In the horizontal direction, no crossover is formed.
Description
본 발명은 음극선관에 관한 것으로서 특히, 음극선관 전자총의 전극의 구조를 변경하여 해상도가 효과적으로 향상되도록 한 전자총을 포함하는 음극선관에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cathode ray tube, and more particularly, to a cathode ray tube including an electron gun in which a resolution of an electrode of a cathode ray tube electron gun is changed to effectively improve resolution.
도 1은 종래의 음극선관 구조를 설명하는 도면이다.1 is a view for explaining a conventional cathode ray tube structure.
도 1을 참조하면, 종래의 음극선관은 전면유리인 패널(1)과, 상기 패널(1)과 결합되는 후면유리인 펀넬(2)이 결합되고 밀봉되어 그 내부가 진공상태로 유지되며 하나의 진공관을 이룬다. 상기 패널(1)의 내면에는 형광체 스크린(11)이 형성되고, 상기 형광체 스크린(11)에 대향하는 펀넬(2)의 목부분에는 전자총(8)이 설치된다.Referring to FIG. 1, a conventional cathode ray tube includes a panel 1, which is a front glass, and a funnel 2, which is a rear glass that is coupled to the panel 1, is coupled and sealed, and the inside thereof is maintained in a vacuum state. A vacuum tube is formed. A phosphor screen 11 is formed on the inner surface of the panel 1, and an electron gun 8 is installed on the neck of the funnel 2 facing the phosphor screen 11.
또한, 상기 형광체 스크린(11)과 소정의 간격으로 이격되어 전자빔의 색선별 작용을 하는 새도우 마스크(3)가 설치되며, 상기 새도우 마스크(3)는 마스크 프레임(4)과 결합되어 지지된다.In addition, a shadow mask 3 spaced apart from the phosphor screen 11 at predetermined intervals to perform color screening of the electron beam is installed, and the shadow mask 3 is coupled to and supported by the mask frame 4.
그리고, 상기 마스크 프레임(4)은 마스크 스프링(5)과 용접되어 결합되고, 상기 마스크 스프링(5)이 스터드 핀(6)과 결합함으로써 상기 패널(1)에 지지된다.The mask frame 4 is welded to the mask spring 5 and coupled thereto, and the mask spring 5 is supported on the panel 1 by engaging the stud pin 6.
또한, 상기 마스크 프레임(4)은 외부 자계에 의한 전자빔의 이동을 줄여주기 위해 자성체로 만들어진 인너쉴드(7)와 결합되어 음극선관 후방에서의 지자계의 영향을 줄이고 있다.In addition, the mask frame 4 is combined with an inner shield 7 made of a magnetic material to reduce the movement of the electron beam by an external magnetic field, thereby reducing the influence of the geomagnetic field behind the cathode ray tube.
한편, 상기 펀넬(2)의 목 부분에는 전자총(8)에서 방출된 전자빔이 한 점에서 수렴되도록 R,G,B 전자빔을 조정하기 위한 컨버젼스 퓨리티 보정용 마그네트(CPM)(10)가 설치되어 있고, 전자빔의 편향을 위한 편향요크(9)가 설치된다.On the other hand, a neck of the funnel 2 is provided with a convergence purity correction magnet (CPM) 10 for adjusting the R, G, B electron beams so that the electron beam emitted from the electron gun 8 converges at one point. A deflection yoke 9 is provided for deflection of the electron beam.
또한, 내부의 진공 상태에 따른 전면 글라스의 강화를 위하여 보강밴드(12)가 설치된다.In addition, the reinforcing band 12 is installed to strengthen the front glass according to the vacuum state inside.
상기한 바와 같이 구성된 음극선관의 작동을 설명하면, 전자총(8)에서 방출된 전자빔은 편향요크(9)에 의해서 수직 및 수평방향으로 편향되고, 편향된 전자빔은 새도우 마스크(3)의 빔 통과공을 통과하여 전면의 형광체 스크린(11)을 타격함으로써 소망하는 화상을 디스플레이하게 된다.Referring to the operation of the cathode ray tube configured as described above, the electron beam emitted from the electron gun 8 is deflected in the vertical and horizontal directions by the deflection yoke 9, and the deflected electron beam is directed to the beam passing hole of the shadow mask 3. By passing through and hitting the phosphor screen 11 on the front, a desired image is displayed.
도 2는 종래의 전자총을 설명하는 도면이다.2 is a view for explaining a conventional electron gun.
도 1과 도 2를 참조하면, 종래의 전자총(8)은 크게 삼극부와 주렌즈부로 구분할 수 있는데, 먼저 삼극부는 히터(20)가 내장되어 전자를 방출하는 음극(21)과, 상기 음극(21)에서 방출되는 전자빔의 양을 제어하는 제어전극(22)과, 상기 제어전극(22)을 통과한 전자빔이 가속되도록 하는 가속전극(23)으로 구성되고, 주렌즈부는 상기 전자빔이 집속 및 최종적으로 가속되도록 하는 집속전극(24)과, 양극(25) 으로 구성된다.1 and 2, the conventional electron gun 8 may be largely divided into a triode and a main lens unit. First, the triode may include a cathode 21 in which a heater 20 is embedded to emit electrons, and the cathode ( 21, and a control electrode 22 for controlling the amount of electron beam emitted from the light source, and an accelerating electrode 23 for accelerating the electron beam passing through the control electrode 22, and the main lens unit focuses and finally controls the electron beam. It consists of a focusing electrode 24 and an anode 25 to be accelerated to.
또한, 상기 전자총(8)은 상기 양극(25)과 결합되어 누설자계를 차폐하기 위한 실드컵(26)이 더 포함된다.In addition, the electron gun 8 further includes a shield cup 26 coupled to the anode 25 to shield the leakage magnetic field.
상기와 같이 구성된 종래의 전자총(8)은 각 전극에 소정의 전압이 인가됨에 따라 음극(21)으로 부터 R,G,B 세 전자빔이 방출되어 형광체 스크린(11)의 소정 위치를 타격하여 영상을 디스플레이하게 된다. 이때, 상기 편향요크(9)는 전자총(8)에서 방출된 전자빔이 적당히 편향되도록 한다.In the conventional electron gun 8 configured as described above, as a predetermined voltage is applied to each electrode, three electron beams of R, G, and B are emitted from the cathode 21 to strike an image of the phosphor screen 11 by hitting a predetermined position. Will be displayed. At this time, the deflection yoke 9 causes the electron beam emitted from the electron gun 8 to deflect properly.
상기 세 전자빔은 주렌즈의 스테이틱 컨버젼스(Static convergence) 작용에 의하여 형광체 스크린(11)의 중심에서 일치하게 되는데, 균일한 자계를 이용하여 세 전자빔을 형광체 스크린(11)의 주변으로 편향시키면, 형광체 스크린(11)까지의 거리의 차이에 의하여 세 전자빔은 형광체 스크린(11)에 못 미쳐 서로 일치하게 되고, 스크린 스크린(11)에서는 서로 어긋나게 되는 문제점이 있다.The three electron beams are matched at the center of the phosphor screen 11 by the static convergence action of the main lens. When the three electron beams are deflected around the phosphor screen 11 using a uniform magnetic field, the phosphors Due to the difference in distance to the screen 11, the three electron beams fall short of the phosphor screen 11 and coincide with each other, and the screen screen 11 has a problem that they are shifted from each other.
이러한 문제점을 별도의 회로없이 해결하기 위하여 셀프 컨버젼스(self-convergence)자계가 사용되고 있는데, 도 3에서 보는 바와 같이 상기 셀프 컨버젼스 자계는 수평방향으로는 핀쿠션(pin cushion)형 자계(HB)와, 수직방향으로는 배럴(barrel)형 자계(VB)로 구성된다.In order to solve this problem without a separate circuit, a self-convergence magnetic field is used. As shown in FIG. 3, the self-convergence magnetic field is vertically aligned with a pin cushion magnetic field (HB) in a horizontal direction. It consists of a barrel-type magnetic field VB in the direction.
그러나, 상기 셀프 컨버젼스 자계는 전자빔이 수직방향으로는 집속되도록 하고, 수평방향으로는 발산되도록 함으로써 형광체 스크린(11)에서 전자빔의 스폿을 왜곡시키게 된다. 즉, 도 4에서 보는 바와 같이 형광체 스크린(11)의 중앙에서는 전자빔의 스폿이 원형의 형상을 갖지만, 주변으로 갈수록 수직방향으로는 과집속되고 수평방향으로는 발산되어 고밀도의 횡장형 코어(core)와, 그 상하로 저밀도의 종장형 헤이즈(haze)가 발생된다.However, the self-converging magnetic field causes the electron beam to focus in the vertical direction and diverges in the horizontal direction, thereby distorting the spot of the electron beam on the phosphor screen 11. That is, as shown in FIG. 4, the spot of the electron beam has a circular shape in the center of the phosphor screen 11, but is over-focused in the vertical direction and diverged in the horizontal direction toward the periphery, so as to have a high-density horizontal core. And a long dense haze is generated above and below.
보다 상세히 설명하면, 전자빔은 수평방향과 수직방향에서 각각 크로스오버가 발생된 후 발산하다가 주렌즈에서 집속된다. 그리고, 편향요크(9)의 편향중심을 지나면서 수평방향으로 발산되고, 수직방향으로 집속되어 형광체 스크린(11)의 중심에서 대략 원형의 스폿을 형성한다. 그러나, 형광체 스크린(11)의 주변으로 갈수록 수직방향으로 과집속된다.In more detail, the electron beam diverges after the crossover occurs in the horizontal and vertical directions, respectively, and is focused on the main lens. Then, it is diverted in the horizontal direction while passing through the deflection center of the deflection yoke 9 and is focused in the vertical direction to form a substantially circular spot at the center of the phosphor screen 11. However, toward the periphery of the phosphor screen 11, it is overfocused in the vertical direction.
이러한 현상은 편향요크(9)의 강한 수직 집속력에 기인한 것으로써 특히, 대형 화면의 음극선관의 경우 또는 편향각이 큰 음극선관의 경우에 심화된다.This phenomenon is attributable to the strong vertical focusing force of the deflection yoke 9, especially in the case of a cathode ray tube of a large screen or a cathode ray tube having a large deflection angle.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 종래의 전자총은 도 5와 도 6에서 보는 바와 같이 제어전극(22)과 가속전극(23)에 슬롯(slot)을 형성하는 방법이 제시되었다.In order to solve such a problem, a conventional electron gun has been proposed to form slots in the control electrode 22 and the acceleration electrode 23 as shown in FIGS. 5 and 6.
도 5는 종래의 전자총의 제어전극을 설명하는 도면이다.5 is a view for explaining a control electrode of a conventional electron gun.
도 5의 (a)는 제어전극(22)을 가속전극(23)측에서 본 형상이고, (b)는 (a)도면에서 제어전극(22)의 A-A' 단면도이다.FIG. 5A is a view of the control electrode 22 seen from the acceleration electrode 23 side, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line A-A 'of the control electrode 22 in FIG.
도 5에서 보는 바와 같이 제어전극(22)은 전자빔 통과공(221)의 수평사이즈(G1H)와 수직사이즈(G1V)가 거의 동일하거나, 수평사이즈(G1H)가 수직사이즈(G1V)보다 약간 큰 횡장형의 형태로 형성되고, 전자빔 통과공(221)의 주변으로 종장형의 슬롯(222)이 형성된다. 그리고, 슬롯(222)의 깊이는 상기 제어전극(22)의 두께(T1)에서 전자빔 통과공(221) 주변의 두께(T11)을 뺀 값으로, 대략 제어전극(22) 두께(T1)의 50%정도가 된다.As shown in FIG. 5, the control electrode 22 has substantially the same horizontal size G1H and vertical size G1V of the electron beam through-hole 221, or the horizontal size G1H is slightly larger than the vertical size G1V. The elongated slot 222 is formed around the electron beam through hole 221. In addition, the depth of the slot 222 is a value obtained by subtracting the thickness T11 around the electron beam through hole 221 from the thickness T1 of the control electrode 22, and is approximately 50 of the thickness T1 of the control electrode 22. It is about%.
도 6는 종래의 전자총의 가속전극을 설명하는 도면이다.6 is a view for explaining an acceleration electrode of a conventional electron gun.
도 6의 (a)는 가속전극(23)을 제어전극(22)측에서 본 형상이고, (b)는 (a)도면에서 가속전극(23)의 A-A' 단면도이다.FIG. 6A is a view of the acceleration electrode 23 seen from the control electrode 22 side, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line A-A 'of the acceleration electrode 23 in FIG.
도 6에서 보는 바와 같이 가속전극(23)은 전자빔 통과공(231)이 대략 정사각형으로 수평사이즈(G2H)와 수직사이즈(G2V)가 비슷하거나, 수평사이즈(G2H)가 수직사이즈(G2V) 보다 다소 크게 형성된다. 또한, 전자빔 통과공(231) 주변으로 횡장형의 슬롯(232)이 형성된다. 경우에 따라 상기 가속전극(23)의 전자빔 통과공(231)은 원형으로 형성되는 경우도 있다.As shown in FIG. 6, the accelerating electrode 23 has an electron beam passing hole 231 substantially square, and the horizontal size G2H and the vertical size G2V are similar to each other, or the horizontal size G2H is somewhat smaller than the vertical size G2V. It is largely formed. In addition, a horizontal slot 232 is formed around the electron beam through hole 231. In some cases, the electron beam through hole 231 of the acceleration electrode 23 may be formed in a circular shape.
그리고, 슬롯(232)의 깊이는 상기 가속전극(23)의 두께(T2)에서 전자빔 통과공(231) 주변의 두께(T21)을 뺀 값으로, 대략 가속전극(23) 두께(T2)의 40%정도가 된다.In addition, the depth of the slot 232 is a value obtained by subtracting the thickness T21 around the electron beam through hole 231 from the thickness T2 of the acceleration electrode 23, and is approximately 40 of the thickness T2 of the acceleration electrode 23. It is about%.
도 7에는 종래의 전자총의 제어전극과 가속전극에 슬롯을 형성한 후 수평방향의 빔경과 수직방향의 빔경이 도시되어 있다.FIG. 7 illustrates a beam diameter in the horizontal direction and a beam diameter in the vertical direction after forming slots in the control electrode and the acceleration electrode of the conventional electron gun.
도 7에서 보는 바와 같이 제어전극(22)과 가속전극(23)에 슬롯을 형성하고, 특히, 가속전극(23)의 슬롯(232)을 깊게 형성할 경우 도 4에 비해 전자빔의 수직 집속력은 감소하나, 수평 발산력은 증가하는 현상이 발생된다.As shown in FIG. 7, when the slots are formed in the control electrode 22 and the acceleration electrode 23, and in particular, when the slot 232 of the acceleration electrode 23 is deeply formed, the vertical focusing force of the electron beam is lower than that in FIG. 4. It decreases, but the horizontal divergence force increases.
따라서, 수평 발산력의 증가로 수평 방향으로 발산각이 증가되고 주렌즈의 구면수차를 많이 받음으로써 형광체 스크린(11)의 중앙 및 주변에서 전자빔의 수평 사이즈가 증가하는 문제점이 발생된다.Therefore, the divergence angle is increased in the horizontal direction due to the increase in the horizontal divergence force and the spherical aberration of the main lens is increased, thereby causing a problem that the horizontal size of the electron beam increases in the center and the periphery of the phosphor screen 11.
상기한 문제점 때문에 종래의 전자총은 다이나믹 파라볼라(dynamic paravola)라는 별도의 다이나믹 전압을 인가하여 전자빔의 수평 사이즈와 수직 사이즈가 적당히 절충되어 나타나도록 하였다.Due to the above problems, the conventional electron gun is applied with a separate dynamic voltage called dynamic paravola so that the horizontal size and the vertical size of the electron beam are properly compromised.
일반적으로 전자총(8)의 설계 특성 중 형광체 스크린(11)에 형성되는 전자빔의 스폿 사이즈에 영향을 미치는 요소로써, 렌즈 배율, 공간전하 반발력, 그리고 주렌즈의 구면수차를 들 수 있다.In general, factors affecting the spot size of the electron beam formed on the phosphor screen 11 among the design characteristics of the electron gun 8 include lens magnification, space charge repulsion force, and spherical aberration of the main lens.
그 중 렌즈 배율로 인한 스폿 사이즈(Dx)의 영향은 기본적인 전압 조건과 초점 거리 및 전자총의 길이 등이 확정되어 있는 상황이라서 전자총에서 설계 요소로써 활용할 수 있는 부분이 적고 그 효과도 미미하다.Among them, the influence of spot size (Dx) due to lens magnification is a situation where the basic voltage condition, focal length, and length of the electron gun are determined, so there are few parts that can be used as a design element in the electron gun, and the effect is minimal.
공간전하 반발력에 의한 스폿 사이즈(Dst)의 영향은 전자빔 내의 전자간의 반발 및 충돌로 인하여 스폿 사이즈가 확대되는 현상으로써, 공간전하 반발력으로 인한 스폿 사이즈(Dst)의 확대를 줄이기 위해서는 전자빔이 진행하는 각도(이하, 발산각)가 크게 될 수 있도록 설계해 주는 것이 유리하다. 이는, 제어전극(22)의 전자빔 통과공(221)의 수직 크기(G1V) 및 수평 크기(G1H)를 축소함으로써 가능하다.The influence of the spot size (Dst) due to the space charge repulsion force is a phenomenon in which the spot size is enlarged due to the reaction and collision between electrons in the electron beam, and the angle at which the electron beam travels to reduce the enlargement of the spot size (Dst) due to the space charge repulsion force It is advantageous to design so that (the divergence angle) becomes large. This is possible by reducing the vertical size G1V and the horizontal size G1H of the electron beam passage hole 221 of the control electrode 22.
반면, 주렌즈의 구면수차 특성에 의한 스폿 사이즈(Dic)의 영향은 렌즈의 근축을 통과한 전자와 원축을 통과한 전자간의 초점 거리 차이로 인한 스폿 경(Dic) 확대되는 것을 말하는 것으로서 공간전하 반발력과는 반대로 전자빔이 주 렌즈로 입사하는 발산각이 작으면 형광체 스크린(11)에서 더 작은 스폿 사이즈을 구현할 수 있다.On the other hand, the influence of the spot size (Dic) due to the spherical aberration characteristics of the main lens refers to the expansion of the spot diameter due to the difference in focal length between the electrons passing through the paraxial axis of the lens and the electrons passing through the circular axis. In contrast, if the divergence angle at which the electron beam is incident on the main lens is small, a smaller spot size may be realized in the phosphor screen 11.
즉, 형광체 스크린(11)에서의 스폿 사이즈(Dt)는 일반적으로 아래의 수학식 1과 같이 상술한 세 가지 요소의 관계로 표현된다.That is, the spot size Dt in the phosphor screen 11 is generally expressed by the relation of the three elements described above as in Equation 1 below.
한편, 스폿 사이즈를 축소하기 위한 방법으로서 주렌즈의 크기를 확대하는 방법이 제시되었는데, 주렌즈의 크기를 확대하는 방법은 발산각이 큰 전자빔이 입사되어도 구면수차로 인한 스폿 사이즈가 확대되지 않고, 주렌즈를 통과한 후의 공간전하 반발력도 감소되어 형광체 스크린에서의 작은 스폿 사이즈 구현이 가능하게 된다는 것이다. 즉, 주렌즈의 크기를 확대하여 공간전하 반발력과 구면수차를 최소화하는 방법이 제시되었다.On the other hand, as a method for reducing the spot size, a method of enlarging the size of the main lens has been proposed. The method of enlarging the size of the main lens does not increase the spot size due to spherical aberration even when an electron beam having a large divergence angle is incident. The space charge repulsion after passing through the main lens is also reduced, enabling small spot sizes in the phosphor screen. In other words, a method of minimizing the space charge repulsion and spherical aberration by increasing the size of the main lens has been proposed.
그러나, 주렌즈의 크기를 소정 크기 이상 확대하는 것은 용이하지 않기 때문에 다른 대안으로서 주렌즈 외에 삼극부에서의 발산각을 확대시키는 구조가 필요하다.However, since it is not easy to enlarge the size of the main lens by more than a predetermined size, as a further alternative, a structure for enlarging the divergence angle at the triode in addition to the main lens is required.
삼극부에서의 발산각을 확대하기 위해서는 제어전극(22) 및 가속전극(23)에 형성된 전자빔 통과공(221)(231)의 크기가 축소되어야 하는데, 전자빔 통과공(221)(231)의 크기를 축소하는 것은 음극(21)의 수명저하로 직결되는 문제점이 발생된다.In order to enlarge the divergence angle at the triode, the size of the electron beam through holes 221 and 231 formed in the control electrode 22 and the acceleration electrode 23 should be reduced, and the sizes of the electron beam through holes 221 and 231 are reduced. Reducing the problem is a problem that is directly connected to the decrease in the life of the cathode (21).
이러한 문제점을 해결하기 위하여 상기 음극(21)을 수명저하가 적게 발생되는 함침형 캐소드로 대체하는 방안이 제안되었으나, 이는 코스트의 상승을 가져오는 문제점이 발생된다.In order to solve this problem, a method of replacing the cathode 21 with an impregnated cathode having a low lifespan is proposed, but this causes a problem of an increase in cost.
또한, 상기 전자빔 통과공(221)(231)의 크기를 축소하는 방법은 수명저하 외에 전자빔 통과공(221)(231)의 크기 축소로 인한 얼라인먼트 특성에 매우 큰 악영향을 일으키게 되어 수율의 저하를 가져오는 또 다른 문제점을 발생하게 된다.In addition, the method of reducing the size of the electron beam through holes (221, 231) has a very bad effect on the alignment characteristics due to the reduction of the size of the electron beam through holes (221, 231) in addition to reduced lifespan, resulting in a decrease in yield. Another problem comes up.
상기한 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 전자총의 전극의 구조를 변경하여 해상도가 효과적으로 향상되도록 한 전자총을 포함하는 음극선관을 제공하는 것을 목적으로 한다. In order to solve the above problems, an object of the present invention is to provide a cathode ray tube including an electron gun, which is effective in improving the resolution by changing the structure of the electrode of the electron gun.
또한, 본 발명은 다이나믹 전압을 인가하지 않아도 다이나믹 전압을 인가한 것 이상의 효과를 얻을 수 있는 전자총을 포함하는 음극선관을 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, an object of this invention is to provide the cathode ray tube containing the electron gun which can acquire the effect more than applying a dynamic voltage, without applying a dynamic voltage.
또한, 본 발명은 다이나믹 전압을 구현하기 위한 회로를 구비하지 않아도 되도록 함으로써 제조공정의 단순화와 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 전자총을 포함하는 음극선관을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a cathode ray tube including an electron gun that can simplify the manufacturing process and significantly reduce the cost by eliminating the need for a circuit for implementing a dynamic voltage.
본 발명에 따른 음극선관은 내면에 형광체 스크린이 형성된 패널과, 상기 패널과 결합되어 내부가 진공상태가 되도록 하는 펀넬과, 상기 펀넬에 장착되어 전자빔이 방출되는 전자총과, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 편향되도록 하는 편향요크와, 상기 전자빔의 색선별 작용을 하는 새도우 마스크가 포함되는 음극선관에 있어서, 상기 전자총의 전자빔이 방출되는 음극과, 전자빔의 양을 제어하는 제어전극과, 전자빔이 가속되도록 하는 가속전극과, 전자빔을 집속 및 가속되도록 하는 집속전극과, 양극이 포함되고, 상기 제어전극은 전자빔 통과공의 수평사이즈가 0.5mm~0.9mm으로 형성되고 수직사이즈는 0.2mm~0.5mm으로 형성되어 수평사이즈가 수직사이즈보다 큰 횡장형으로 형성되며, 상기 음극에서 방출된 전자빔은 수직방향으로 크로스오버가 형성되고, 수평방향으로는 크로스오버가 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.The cathode ray tube according to the present invention includes a panel having a phosphor screen formed on an inner surface thereof, a funnel coupled to the panel so that the inside thereof becomes a vacuum state, an electron gun mounted on the funnel, and emitting an electron beam, and an electron beam emitted from the electron gun. A cathode ray tube including a deflection yoke for deflecting, and a shadow mask for color-selecting the electron beam, the cathode ray tube including a cathode from which the electron beam of the electron gun is emitted, a control electrode for controlling the amount of the electron beam, and an electron beam to be accelerated An accelerating electrode, a focusing electrode for focusing and accelerating the electron beam, and an anode are included. The control electrode has a horizontal size of 0.5 mm to 0.9 mm and a vertical size of 0.2 mm to 0.5 mm. The horizontal size is formed in a horizontal shape larger than the vertical size, the electron beam emitted from the cathode crossover is formed in the vertical direction In the horizontal direction, no crossover is formed.
또한, 상기 제어전극과 가속전극의 간격을 GAP12라고 하고, 제어전극의 전자빔 통과공의 수직사이즈를 G1V라고 할 때, GAP12/G1V는 0.25≤GAP12/G1V≤0.9를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the gap between the control electrode and the acceleration electrode is called GAP12 and the vertical size of the electron beam through hole of the control electrode is called G1V, GAP12 / G1V satisfies 0.25 ≦ GAP12 / G1V ≦ 0.9.
또한, 상기 제어전극과 가속전극의 간격을 GAP12라고 하고, 제어전극의 전자빔 통과공의 수직사이즈를 G1V라고 할 때, GAP12/G1V는 0.4≤GAP12/G1V≤0.7을 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the gap between the control electrode and the acceleration electrode is called GAP12 and the vertical size of the electron beam through hole of the control electrode is called G1V, GAP12 / G1V satisfies 0.4 ≦ GAP12 / G1V ≦ 0.7.
또한, 상기 가속전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈를 G2H라고 하고, 수직사이즈를 G2V라고 할 때, G2V/G2H는 1.03≤G2V/G2H≤2.4를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the horizontal size of the electron beam through hole of the acceleration electrode is called G2H and the vertical size is called G2V, G2V / G2H is characterized by satisfying 1.03 ≦ G2V / G2H ≦ 2.4.
또한, 상기 가속전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈를 G2H라고 하고, 수직사이즈를 G2V라고 할 때, G2V/G2H는 1.6≤G2V/G2H≤2.2를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the horizontal size of the electron beam through hole of the acceleration electrode is called G2H and the vertical size is called G2V, G2V / G2H is characterized by satisfying 1.6 ≦ G2V / G2H ≦ 2.2.
또한, 상기 제어전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈를 G1H라고 하고, 가속전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈를 G2H라고 할 때, G1H/G2H는 1.05≤G1H/G2H≤1.4를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the horizontal size of the electron beam through hole of the control electrode is called G1H and the horizontal size of the electron beam through hole of the accelerator electrode is called G2H, G1H / G2H satisfies 1.05 ≦ G1H / G2H ≦ 1.4. .
또한, 상기 제어전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈를 G1H라고 하고, 가속전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈를 G2H라고 할 때, G1H/G2H는 1.1≤G1H/G2H≤1.35를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the horizontal size of the electron beam through hole of the control electrode is called G1H and the horizontal size of the electron beam through hole of the accelerator electrode is called G2H, G1H / G2H satisfies 1.1 ≦ G1H / G2H ≦ 1.35. .
또한, 상기 가속전극의 전자빔 통과공의 두께를 G2T1이라 하고, 상기 가속전극의 슬롯부의 깊이를 G2T2라고 할 때, G2T1/G2T2는 G2T1/G2T2≤0.5를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the thickness of the electron beam through hole of the acceleration electrode is called G2T1 and the depth of the slot portion of the acceleration electrode is called G2T2, G2T1 / G2T2 satisfies G2T1 / G2T2≤0.5.
또한, 상기 가속전극의 슬롯부의 형상은 원형의 형상인 것을 특징으로 한다.In addition, the slot portion of the acceleration electrode is characterized in that the circular shape.
또한, 상기 가속전극의 슬롯부의 형상은 팔각형의 형상인 것을 특징으로 한다.In addition, the shape of the slot portion of the acceleration electrode is characterized in that the octagonal shape.
또한, 상기 제어전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈는 0.6mm~0.8mm인 것을 특징으로 한다.In addition, the horizontal size of the electron beam through hole of the control electrode is characterized in that the 0.6mm ~ 0.8mm.
또한, 상기 제어전극의 전자빔 통과공의 수직사이즈는 0.3mm~0.4mm인 것을 특징으로 한다.In addition, the vertical size of the electron beam through hole of the control electrode is characterized in that 0.3mm ~ 0.4mm.
본 발명에 따른 음극선관은 내면에 형광체 스크린이 형성된 패널과, 상기 패널과 결합되어 내부가 진공상태가 되도록 하는 펀넬과, 상기 펀넬에 장착되어 전자빔이 방출되는 전자총과, 상기 전자총에서 방출된 전자빔이 편향되도록 하는 편향요크와, 상기 전자빔의 색선별 작용을 하는 새도우 마스크가 포함되는 음극선관에 있어서, 상기 전자총의 전자빔이 방출되는 음극과, 전자빔의 양을 제어하는 제어전극과, 전자빔이 가속되도록 하는 가속전극과, 전자빔을 집속 및 가속되도록 하는 집속전극과, 양극이 포함되고, 상기 제어전극은 전자빔 통과공의 수평사이즈가 수직사이즈보다 큰 횡장형으로 형성되며, 상기 가속전극은 상기 제어전극측으로 돌출된 돌출부가 형성되어 상기 돌출부에 전자빔 통과공이 형성되고, 상기 음극에서 방출된 전자빔은 수직방향으로 크로스오버가 형성되고, 수평방향으로는 크로스오버가 형성되지 않는 것을 특징으로 한다.The cathode ray tube according to the present invention includes a panel having a phosphor screen formed on an inner surface thereof, a funnel coupled to the panel so that the inside thereof becomes a vacuum state, an electron gun mounted on the funnel, and emitting an electron beam, and an electron beam emitted from the electron gun. A cathode ray tube including a deflection yoke for deflecting, and a shadow mask for color-selecting the electron beam, the cathode ray tube including a cathode from which the electron beam of the electron gun is emitted, a control electrode for controlling the amount of the electron beam, and an electron beam to be accelerated An acceleration electrode, a focusing electrode for focusing and accelerating the electron beam, and an anode, wherein the control electrode is formed in a horizontal shape in which the horizontal size of the electron beam passing hole is larger than the vertical size, and the acceleration electrode protrudes toward the control electrode side. The protrusion is formed to form an electron beam through hole in the protrusion, and the electron beam emitted from the cathode A straight direction to the cross-over is formed in the horizontal direction is characterized in that it does not form a cross-over.
또한, 상기 제어전극은 사각형상의 슬롯부가 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the control electrode is characterized in that the rectangular slot portion is formed.
또한, 상기 제어전극은 원형형상의 슬롯부가 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the control electrode is characterized in that the circular slot portion is formed.
또한, 상기 돌출부는 원형의 형상인 것을 특징으로 한다.In addition, the protrusion is characterized in that the circular shape.
또한, 상기 제어전극의 전자빔 통과공은 사각형상인 것을 특징으로 한다.In addition, the electron beam through hole of the control electrode is characterized in that the rectangular shape.
또한, 상기 제어전극은 전자빔 통과공의 수평사이즈가 0.5mm~0.9mm으로 형성되고 수직사이즈는 0.2mm~0.5mm으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the control electrode is characterized in that the horizontal size of the electron beam through hole is formed in 0.5mm ~ 0.9mm and the vertical size is formed in 0.2mm ~ 0.5mm.
또한, 상기 가속전극의 슬롯부의 깊이를 G2T2라고 하고, 전자빔 통과공의 두께를 G2T1이라고 할 때, G2T2/G2T1은 3.0≤G2T2/G2T1≤8.0을 만족하는 것을 특징으로 한다.In addition, when the depth of the slot portion of the acceleration electrode is called G2T2 and the thickness of the electron beam passing hole is called G2T1, G2T2 / G2T1 satisfies 3.0≤G2T2 / G2T1≤8.0.
또한, 상기 가속전극의 슬롯부의 깊이를 G2T2라고 하고, 전자빔 통과공의 두께를 G2T1이라고 할 때, G2T2/G2T1은 4.0≤G2T2/G2T1≤7.0을 만족하는 것을 특징으로 한다.In addition, when the depth of the slot portion of the acceleration electrode is called G2T2 and the thickness of the electron beam passing hole is called G2T1, G2T2 / G2T1 is characterized by satisfying 4.0≤G2T2 / G2T1≤7.0.
또한, 상기 가속전극의 전체두께를 G2T라고 하고, 슬롯부의 깊이를 G2T2라고 할 때, G2T2/G2T는 0.65≤G2T2/G2T≤0.9를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the total thickness of the acceleration electrode is called G2T and the depth of the slot is called G2T2, G2T2 / G2T is characterized by satisfying 0.65≤G2T2 / G2T≤0.9.
또한, 상기 가속전극의 전체두께를 G2T라고 하고, 슬롯부의 깊이를 G2T2라고 할 때, G2T2/G2T는 0.7≤G2T2/G2T≤0.8를 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the overall thickness of the acceleration electrode is referred to as G2T and the depth of the slot portion is referred to as G2T2, G2T2 / G2T is characterized by satisfying 0.7≤G2T2 / G2T≤0.8.
또한, 상기 가속전극의 전체두께를 G2T라고 하고, 전자빔 통과공의 두께를 G2T1이라고 할 때, G2T1/G2T는 0.05≤G2T1/G2T≤0.20을 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the overall thickness of the acceleration electrode is called G2T and the thickness of the electron beam passing hole is called G2T1, G2T1 / G2T satisfies 0.05 ≦ G2T1 / G2T ≦ 0.20.
또한, 상기 가속전극의 전체두께를 G2T라고 하고, 전자빔 통과공의 두께를 G2T1이라고 할 때, G2T1/G2T는 0.07≤G2T1/G2T≤0.18을 만족하는 것을 특징으로 한다.Further, when the overall thickness of the acceleration electrode is called G2T and the thickness of the electron beam passing hole is called G2T1, G2T1 / G2T is characterized by satisfying 0.07≤G2T1 / G2T≤0.18.
또한, 상기 제어전극은 전자빔 통과공의 수평사이즈가 0.6mm~0.8mm으로 형성되고 수직사이즈는 0.3mm~0.4mm으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the control electrode is characterized in that the horizontal size of the electron beam through hole is formed in 0.6mm ~ 0.8mm and the vertical size is formed in 0.3mm ~ 0.4mm.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 음극선관에 대해 상세히 설명하도록 한다.Hereinafter, a cathode ray tube according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 8은 본 발명에 따른 음극선관의 구조를 설명하는 도면이다.8 is a view for explaining the structure of a cathode ray tube according to the present invention.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 음극선관은 전면유리인 패널(1)과, 상기 패널(1)과 결합되는 후면유리인 펀넬(2)이 결합되고 밀봉되어 그 내부가 진공상태로 유지되며 하나의 진공관을 이룬다. 상기 패널(1)의 내면에는 형광체 스크린(11)이 형성되고 상기 형광체 스크린(11)에 대향하는 펀넬(2)의 목부분에는 전자총(80)이 설치된다.Referring to FIG. 8, the cathode ray tube according to the present invention is combined with a panel 1 which is a front glass and a funnel 2 which is a rear glass which is combined with the panel 1, and is sealed and the inside thereof is maintained in a vacuum state. It forms a vacuum tube. A phosphor screen 11 is formed on the inner surface of the panel 1, and an electron gun 80 is installed on the neck of the funnel 2 facing the phosphor screen 11.
또한, 상기 형광체 스크린(11)과 소정의 간격으로 이격되어 전자빔의 색선별 작용을 하는 새도우 마스크(3)가 설치되며, 상기 새도우 마스크(3)는 마스크 프레임(4)과 결합되어 지지된다.In addition, a shadow mask 3 spaced apart from the phosphor screen 11 at predetermined intervals to perform color screening of the electron beam is installed, and the shadow mask 3 is coupled to and supported by the mask frame 4.
그리고, 상기 마스크 프레임(4)은 마스크 스프링(5)과 용접되어 결합되고, 상기 마스크 스프링(5)이 스터드 핀(6)과 결합함으로써 상기 패널(1)에 지지된다.The mask frame 4 is welded to the mask spring 5 and coupled thereto, and the mask spring 5 is supported on the panel 1 by engaging the stud pin 6.
또한, 상기 마스크 프레임(4)은 외부 자계에 의한 전자빔의 이동을 줄여주기 위해 자성체로 만들어진 인너쉴드(7)와 결합되어 음극선관 후방에서의 지자계의 영향을 줄이고 있다.In addition, the mask frame 4 is combined with an inner shield 7 made of a magnetic material to reduce the movement of the electron beam by an external magnetic field, thereby reducing the influence of the geomagnetic field behind the cathode ray tube.
한편, 상기 펀넬(2)의 목 부분에는 전자총(80)에서 방출된 전자빔이 한 점에서 수렴되도록 R,G,B 전자빔을 조정하기 위한 컨버젼스 퓨리티 보정용 마그네트(CPM)(10)가 설치되어 있고, 전자빔의 편향을 위한 편향요크(9)가 설치된다. 또한, 내부의 진공 상태에 따른 전면 글라스의 강화를 위하여 보강밴드(12)가 설치된다.On the other hand, the neck portion of the funnel (2) is provided with a convergence purity correction magnet (CPM) 10 for adjusting the R, G, B electron beams so that the electron beam emitted from the electron gun 80 converges at one point, A deflection yoke 9 is provided for deflection of the electron beam. In addition, the reinforcing band 12 is installed to strengthen the front glass according to the vacuum state inside.
상기한 바와 같이 구성된 음극선관의 작동을 설명하면, 전자총(80)에서 방출된 전자빔은 편향요크(9)에 의해서 수직 및 수평방향으로 편향되고, 편향된 전자빔은 새도우 마스크(3)의 빔 통과공을 통과하여 전면의 형광체 스크린(11)을 타격함으로써 소망하는 화상을 디스플레이하게 된다.Referring to the operation of the cathode ray tube configured as described above, the electron beam emitted from the electron gun 80 is deflected in the vertical and horizontal directions by the deflection yoke 9, and the deflected electron beam passes through the beam passing hole of the shadow mask 3. By passing through and hitting the phosphor screen 11 on the front, a desired image is displayed.
도 9는 본 발명에 따른 음극선관의 전자총의 구조를 설명하는 도면이다.9 is a view for explaining the structure of the electron gun of the cathode ray tube according to the present invention.
도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 음극선관의 전자총(80)은 크게 삼극부와 주렌즈부로 구분할 수 있는데, 먼저 삼극부는 히터(30)가 내장되어 전자를 방출하는 음극(31)과, 상기 음극(31)에서 방출되는 전자빔의 양을 제어하는 제어전극(32)과, 상기 제어전극(32)을 통과한 전자빔이 가속되도록 하는 가속전극(33)이 포함되고, 주렌즈부는 상기 전자빔이 집속 및 최종적으로 가속되도록 하는 집속전극(34)과, 양극(35)이 포함된다. 또한, 상기 전자총(80)은 상기 양극(35)과 결합되어 누설자계를 차폐하기 위한 실드컵(36)이 더 포함된다.Referring to FIG. 9, the electron gun 80 of the cathode ray tube according to the present invention may be largely divided into a triode and a main lens unit. First, the triode may include a cathode 31 in which a heater 30 is embedded to emit electrons, and A control electrode 32 for controlling the amount of electron beam emitted from the cathode 31, and an acceleration electrode 33 for accelerating the electron beam passing through the control electrode 32, the main lens unit is focused on the electron beam And a focusing electrode 34 and an anode 35 for finally accelerating. In addition, the electron gun 80 further includes a shield cup 36 coupled to the anode 35 to shield the leakage magnetic field.
상기와 같은 전자총(80)은 각 전극에 소정의 전압이 인가됨에 따라 음극(31)으로 부터 R,G,B 세 전자빔이 방출되어 형광체 스크린(11)의 소정 위치를 타격하여 영상을 디스플레이하게 된다. 이때, 상기 편향요크(9)는 전자총(80)에서 방출된 전자빔이 적당히 편향되도록 한다.As the electron gun 80 applies a predetermined voltage to each electrode, three electron beams of R, G, and B are emitted from the cathode 31 to strike an image of the phosphor screen 11 to display an image. . At this time, the deflection yoke 9 causes the electron beam emitted from the electron gun 80 to deflect properly.
먼저, 본 발명에 따른 음극선관의 전자총의 제 1실시예를 설명한다.First, a first embodiment of an electron gun of a cathode ray tube according to the present invention will be described.
도 10은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총의 가속전극(33)측에서 바라본 제어전극(32)의 형상이고, 도 11은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총의 제어전극(32)측에서 바라본 가속전극(33)의 형상이다.10 is a shape of the control electrode 32 seen from the acceleration electrode 33 side of the electron gun in the cathode ray tube according to the present invention, Figure 11 is an acceleration viewed from the control electrode 32 side of the electron gun in the cathode ray tube according to the present invention. It is the shape of the electrode 33.
도 10과 도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총(80)의 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)은 수평사이즈(G1H)가 수직사이즈(G1V)가 큰 횡장형으로 형성되고, 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)은 대략 정사각형이나 원형 또는 수직사이즈(G2V)가 수평사이즈(G2H)보다 큰 종장형으로 형성된다.10 and 11, in the cathode ray tube according to the present invention, the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 of the electron gun 80 has a horizontal size (G1H) having a vertical size (G1V) with a large horizontal shape. The electron beam through hole 331 of the accelerating electrode 33 is formed to have an approximately square shape or an elongated shape in which the vertical size G2V is larger than the horizontal size G2H.
상기 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈(G1H)는 0.5mm~0.9mm이고, 수직사이즈(G1V)는 0.2mm~0.5mm인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게 상기 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈(G1H)는 0.6mm~0.8mm이고, 수직사이즈(G1V)는 0.3mm~0.4mm인 것이 좋다.The horizontal size G1H of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 is preferably 0.5 mm to 0.9 mm, and the vertical size G1V is 0.2 mm to 0.5 mm. More preferably, the horizontal size G1H of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 is 0.6 mm to 0.8 mm, and the vertical size G1V is 0.3 mm to 0.4 mm.
상기 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H)는 0.4mm~0.8mm이고, 수직사이즈(G2V)는 0.6mm~1.2mm인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게 상기 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H)는 0.5mm~0.7mm인 것이 좋다.The horizontal size G2H of the electron beam passage hole 331 of the acceleration electrode 33 is preferably 0.4 mm to 0.8 mm, and the vertical size G2V is 0.6 mm to 1.2 mm. More preferably, the horizontal size G2H of the electron beam passing hole 331 of the acceleration electrode 33 is 0.5 mm to 0.7 mm.
상기한 구성으로 이루어진 전자총(80)의 전자빔은 도 12에서 보는 바와 같이 수평방향으로는 크로스오버가 발생되지 않는 반면에 도 13에서 보는 바와 같이 수직방향으로는 크로스오버가 발생된다.In the electron beam of the electron gun 80 having the above-described configuration, crossover does not occur in the horizontal direction as shown in FIG. 12, while crossover occurs in the vertical direction as shown in FIG. 13.
보다 상세히 설명하면, 도 12에서 전자빔의 수평방향의 빔경을 보면 음극(31)에서 방출된 전자빔은 크게 전체적으로 보면 크로스오버 없이 진행하게 된다. 그러나, 자세히 살펴보면 음극(31)의 뒷편에 가상 크로스오버가 형성되고, 집속전극(34)이 위치한 부분에서 외곽 전자빔의 크로스오버가 발생하게 된다.In more detail, in the horizontal beam diameter of the electron beam in FIG. 12, the electron beam emitted from the cathode 31 is generally viewed without crossover. However, in detail, a virtual crossover is formed behind the cathode 31, and a crossover of the outer electron beam occurs at a portion where the focusing electrode 34 is located.
한편, 전자빔의 수직방향의 전자빔은 도 13에 도시된 바와 같이 제어전극(32)과 가속전극(33)의 인근에서 크로스오버가 발생되면서 진행하게 된다.On the other hand, the electron beam in the vertical direction of the electron beam proceeds as a crossover occurs in the vicinity of the control electrode 32 and the acceleration electrode 33 as shown in FIG.
이와 같이 본 발명은 전자빔이 수평방향으로는 크로스오버가 발생되지 않도록 하고 수직방향으로는 크로스오버가 발생되도록 하였다.As described above, the present invention prevents crossover from occurring in the horizontal direction of the electron beam and crossover occurs in the vertical direction.
따라서, 수평방향으로는 종래의 전자총의 전자빔과 동일한 빔경을 가질 수 있고 수직방향으로는 종래보다 작은 빔경을 가질 수 있어 스폿의 왜곡을 막고 스폿 사이즈를 최소화할 수 있다.Therefore, in the horizontal direction, it may have the same beam diameter as the electron beam of the conventional electron gun, and in the vertical direction, it may have a smaller beam diameter than the conventional one, thereby preventing spot distortion and minimizing the spot size.
도 14는 본 발명에 따른 음극선관의 전자빔의 빔경을 설명하는 도면이다.It is a figure explaining the beam diameter of the electron beam of the cathode ray tube which concerns on this invention.
도 14에서 보는 바와 같이 수평방향으로는 크로스오버가 발생없이 종래와 동일한 빔경을 가지게 되고, 수직방향으로는 형광체 스크린의 주변에서 헤이즈의 발생을 최소한으로 할 수 있다.As shown in FIG. 14, the cross beam does not occur in the horizontal direction and has the same beam diameter as in the prior art. In the vertical direction, haze generation can be minimized around the phosphor screen.
그러나, 도 12에서 설명한 바와 같이 전자빔의 수평방향의 빔경을 보면, 음극(31)에서 방출된 전자빔은 전체적으로 보면 크로스오버가 없으나, 자세히 살펴보면 음극(31)의 뒷편의 가상 크로스오버와, 외곽 전자빔의 크로스오버가 존재한다.However, as shown in FIG. 12, when looking at the beam diameter in the horizontal direction of the electron beam, the electron beam emitted from the cathode 31 has no crossover as a whole. In detail, the virtual crossover at the back of the cathode 31 and the outer electron beam There is a crossover.
상기 가상 크로스오버와 외곽 전자빔의 크로스오버의 차이로 인하여 스폿에 수평방향으로 약간의 헤이즈 현상이 발생되는데, 보다 바람직한 스폿 형성을 위해서 이러한 헤이즈 현상을 제거하는 것이 바람직하다.A slight haze phenomenon occurs horizontally in the spot due to the difference between the virtual crossover and the crossover of the outer electron beam, and it is preferable to remove such a haze phenomenon in order to form a more preferable spot.
도 15에서 보는 바와 같이 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)와, 외곽 전자빔에 의한 크로스오버(FLE)의 차이가 발생함에 따라 형광체 스크린의 주변부에서 수평방향의 헤이즈 현상이 발생되는데, 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)를 감소시킴으로써 헤이즈 현상을 최소화할 수 있다. 즉, 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 최소화하게 되면 보다 바람직한 전자빔 스폿을 구현할 수 있다.As shown in FIG. 15, a horizontal haze phenomenon occurs at the periphery of the phosphor screen as a difference between the focal length FLV due to the virtual crossover and the crossover FLE due to the outer electron beam occurs. The haze phenomenon can be minimized by reducing the focusing distance FLE due to the crossover. That is, when the difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover is minimized, a more preferable electron beam spot can be realized.
상기 전자총(80)의 경우 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이가 대략 300mm정도이다. In the case of the electron gun 80, the difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover is about 300 mm.
따라서, 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)를 감소시켜 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 300mm 이하로 함으로써 최상의 전자빔 스폿을 얻을 수 있다.Therefore, the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam is reduced, and the difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover is set to 300 mm or less, thereby providing the best electron beam spot. Can be obtained.
도 9 내지 도 11에서 제어전극(32)과 가속전극(33)의 간격을 GAP12라고 하고, 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수직사이즈를 G1V라고 할 때, GAP12/G1V를 조절함으로써 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 줄일 수 있다.In FIGS. 9 to 11, when the distance between the control electrode 32 and the acceleration electrode 33 is referred to as GAP12, and the vertical size of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 is referred to as G1V, GAP12 / G1V is adjusted. Accordingly, the difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover can be reduced.
도 16은 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수직사이즈 대비 제어전극(32)과 가속전극(33)의 간격 변화에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면이다.FIG. 16 is a view illustrating a difference in focusing distance according to a change in distance between the control electrode 32 and the acceleration electrode 33 compared to the vertical size of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32.
도 16에서 보는 바와 같이 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수직사이즈 대비 제어전극(32)과 가속전극(33)의 간격, 즉 GAP12/G1V가 0.9이하 일 경우 집속거리의 차이가 감소되는 것을 알 수 있다. 대략적으로 GAP12/G1V가 0.9일 때 G1V는 0.35mm이고, GAP12는 0.32mm정도 된다. 다시말해서 GAP12/G1V의 값이 작으면 작을수록 집속거리의 차이가 감소되어 바람직한 스폿을 얻을 수 있다.As shown in FIG. 16, when the distance between the control electrode 32 and the acceleration electrode 33, that is, the GAP12 / G1V is 0.9 or less, compared to the vertical size of the electron beam passage hole 321 of the control electrode 32, the difference in focusing distance is different. It can be seen that the decrease. When GAP12 / G1V is 0.9, G1V is 0.35mm and GAP12 is about 0.32mm. In other words, the smaller the value of GAP12 / G1V, the smaller the difference in focusing distance, so that a desirable spot can be obtained.
다만, GAP12/G1V가 0.25이하가 될 경우, 제어전극(32)과 가속전극(33)의 간격 즉 GAP12가 너무 작아져서 제어전극(32)과 가속전극(33) 사이에 방전이 발생될 수 있다.However, when the GAP12 / G1V is 0.25 or less, the gap between the control electrode 32 and the acceleration electrode 33, that is, the GAP12 is too small, and a discharge may occur between the control electrode 32 and the acceleration electrode 33. .
따라서, 상기 GAP12/G1V는 0.25≤GAP12/G1V≤0.9를 만족하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게, 제어전극(32)과 가속전극(33) 사이의 방전 가능성 및 스폿 사이즈의 최적화를 고려하면 상기 GAP12/G1V는 0.4≤GAP12/G1V≤0.7를 만족하는 것이 바람직하다.Accordingly, the GAP12 / G1V preferably satisfies 0.25 ≦ GAP12 / G1V ≦ 0.9. More preferably, the GAP12 / G1V satisfies 0.4 ≦ GAP12 / G1V ≦ 0.7 in consideration of the possibility of discharge and the spot size between the control electrode 32 and the acceleration electrode 33.
또한, 도 11에서 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈를 G2H라고 하고, 수직사이즈를 G2V라고 할 때, 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H) 대비 수직사이즈(G2V) 즉, G2V/G2H를 조절함으로써 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 줄일 수 있다.In addition, in FIG. 11, when the horizontal size of the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33 is referred to as G2H and the vertical size is G2V, the horizontal size (G2H) of the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33 as shown in FIG. By adjusting the vertical size G2V, that is, G2V / G2H, the difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover can be reduced.
도 17은 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H) 대비 수직사이즈(G2V)의 변화에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면이다.FIG. 17 is a view for explaining a difference in focusing distance according to the change in the vertical size G2V compared to the horizontal size G2H of the electron beam passage hole 331 of the acceleration electrode 33.
도 17에서 보는 바와 같이 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H) 대비 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수직사이즈(G2V), 즉 G2V/G2H가 1.03 이상이 되는 경우에 집속거리의 차이가 감소되는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 17, the vertical size G2V of the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33, that is, G2V / G2H is 1.03 compared to the horizontal size G2H of the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33. In the case of abnormality, it can be seen that the difference in focusing distance is reduced.
다시말해서 G2V/G2H의 값이 클수록 집속거리의 차이가 감소되어 바람직한 스폿을 얻을 수 있다.In other words, as the value of G2V / G2H increases, the difference in focusing distance is reduced, so that a desirable spot can be obtained.
다만, G2V/G2H가 2.4보다 클 경우, 형광체 스크린의 주변에서 좌우 비대칭의 콤마(Coma) 특성이 나타나기 때문에 G2V/G2H가 2.4이하가 되는 것이 바람직하다.However, when G2V / G2H is larger than 2.4, it is preferable that G2V / G2H is 2.4 or less because coma characteristics of left and right asymmetry appear around the phosphor screen.
따라서, 상기 G2V/G2H는 1.03≤G2V/G2H≤2.4를 만족하는 것이 바람직하다.Accordingly, the G2V / G2H preferably satisfies 1.03 ≦ G2V / G2H ≦ 2.4.
보다 바람직하게, 상기 콤마 특성 발생 가능성 및 스폿 사이즈의 최적화를 고려하면 상기 G2V/G2H는 1.6≤G2V/G2H≤2.2를 만족하는 것이 바람직하다.More preferably, the G2V / G2H satisfies 1.6 ≦ G2V / G2H ≦ 2.2 in consideration of the possibility of occurrence of the comma characteristic and the optimization of the spot size.
또한, 도 10과 도 11에서 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈를 G1H라고 하고, 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈를 G2H라고 할 때, 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H) 대비 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈(G1H) 즉, G1H/G2H를 조절함으로써 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 줄일 수 있다.10 and 11, the horizontal size of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 is referred to as G1H, and the horizontal size of the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33 is referred to as G2H. By adjusting the horizontal size G1H of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32, that is, G1H / G2H, to the crossover of the outer electron beam, compared to the horizontal size G2H of the electron beam through hole 331 of the electrode 33. The difference between the focusing distance FLE and the focusing distance FLV due to the virtual crossover can be reduced.
도 18은 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H) 대비 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈(G1H)의 변화에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면이다.18 illustrates a difference in focusing distance according to a change in the horizontal size G1H of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 compared to the horizontal size G2H of the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33. It is a figure.
도 18에서 보는 바와 같이 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H) 대비 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈(G1H), 즉 G1H/G2H가 1.05 이상이 되는 경우에 집속거리의 차이가 감소되는 것을 알 수 있다.As shown in FIG. 18, the horizontal size G1H of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32, that is, G1H / G2H is 1.05 compared to the horizontal size G2H of the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33. In the case of abnormality, it can be seen that the difference in focusing distance is reduced.
다시말해서 G1H/G2H의 값이 클수록 집속거리의 차이가 감소되어 바람직한 스폿을 얻을 수 있다.In other words, as the value of G1H / G2H increases, the difference in focusing distance is reduced, so that a desirable spot can be obtained.
다만, G1H/G2H가 1.4보다 클 경우, 전자빔이 가속전극(32)에 충돌할 수 있는 때문에 G1H/G2H가 1.4이하가 되는 것이 바람직하다.However, when G1H / G2H is larger than 1.4, it is preferable that G1H / G2H is 1.4 or less because the electron beam may collide with the acceleration electrode 32.
따라서, 상기 G1H/G2H는 1.05≤G1H/G2H≤1.4를 만족하는 것이 바람직하다.Therefore, it is preferable that G1H / G2H satisfies 1.05 ≦ G1H / G2H ≦ 1.4.
보다 바람직하게, 상기 전자빔의 충돌 가능성 및 스폿 사이즈의 최적화를 고려하면 상기 G1H/G2H는 1.1≤G1H/G2H≤1.35를 만족하는 것이 바람직하다.More preferably, considering the possibility of collision of the electron beam and optimization of the spot size, the G1H / G2H preferably satisfies 1.1 ≦ G1H / G2H ≦ 1.35.
상기와 같은 구성을 포함하는 본 발명에 따른 음극선관의 전자총은 최적의 스폿을 구현할 수 있다.The electron gun of the cathode ray tube according to the present invention including the above configuration can implement the optimum spot.
도 19는 삼극부에서의 전자빔의 형상을 설명하는 도면이고, 도 20은 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)과 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)을 설명하는 도면이다.FIG. 19 is a view for explaining the shape of the electron beam in the triode, and FIG. 20 is a view for explaining the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 and the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33.
상기 실시예에서 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평 사이즈가 수직 사이즈보다 큰 횡장형으로 구성하고, 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)을 대략 직사각형, 원형, 또는 종장형으로 구성함으로써 전자빔의 형상이 대각측 부분이 돌출된 형상으로 형성된다. 이러한 돌출된 형상을 화면의 스폿에 악영향을 미치게 되는데, 상기 문제점을 해결하기 위하여 가속전극(33)의 전자빔 통과공의 두께와 슬롯부의 깊이를 조절한다.In the above embodiment, the horizontal size of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 is configured to have a horizontal shape larger than the vertical size, and the electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33 is approximately rectangular, circular, or longitudinal. By forming in a long shape, the shape of the electron beam is formed into a shape in which the diagonal portions protrude. This protruding shape adversely affects the spot of the screen, and in order to solve the problem, the thickness of the electron beam through hole of the acceleration electrode 33 and the depth of the slot portion are adjusted.
상기 가속전극(33)의 전자빔 통과공의 두께를 G2T1이라고 하고, 슬롯부의 깊이를 G2T2라고 하면, 상기 슬롯부의 깊이(G2T2) 대비 전자빔 통과공의 두께(G2T1)이 0.5보다 작도록 구성한다. 즉, G2T1/G2T2≤0.5를 만족하도록 하는 것이 바람직하다. 더불어, 슬롯부의 형상을 원형 또는 팔각형의 형태로 함으로써 최적의 스폿이 구현될 수 있다. When the thickness of the electron beam passing hole of the acceleration electrode 33 is called G2T1 and the depth of the slot part is called G2T2, the thickness G2T1 of the electron beam passing hole is smaller than 0.5 compared to the depth G2T2 of the slot part. That is, it is preferable to satisfy G2T1 / G2T2≤0.5. In addition, an optimal spot can be realized by making the shape of the slot portion circular or octagonal.
다음으로 본 발명에 따른 음극선관의 전자총의 제 2실시예를 설명한다.Next, a second embodiment of the electron gun of the cathode ray tube according to the present invention will be described.
도 21의 (a)는 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총(80)의 가속전극(33)측에서 바라본 제어전극(32)의 형상이고, 도 21의 (b)는 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 형상이다.Figure 21 (a) is a shape of the control electrode 32 viewed from the acceleration electrode 33 side of the electron gun 80 in the cathode ray tube according to the present invention, Figure 21 (b) is an electron beam of the control electrode 32 It is the shape of the through hole 321.
도 22는 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총(80)의 제어전극(32)측에서 바라본 가속전극(33)의 형상이고, 도 23은 본 발명에 따른 음극선관에서 가속전극(33)의 단면의 형상이다.22 is a shape of the acceleration electrode 33 viewed from the control electrode 32 side of the electron gun 80 in the cathode ray tube according to the present invention, Figure 23 is a cross-sectional view of the acceleration electrode 33 in the cathode ray tube according to the present invention Shape.
도 21내지 도 23을 참조하여 설명하면, 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총(80)의 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)은 수평사이즈(G1H)가 수직사이즈(G1V)가 큰 횡장형으로 형성된다.21 to 23, in the cathode ray tube according to the present invention, the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 of the electron gun 80 has a horizontal size G1H horizontally larger than a vertical size G1V. It is formed in an elongate shape.
상기 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈(G1H)는 0.5mm~0.9mm이고, 수직사이즈(G1V)는 0.2mm~0.5mm인 것이 바람직하다.The horizontal size G1H of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 is preferably 0.5 mm to 0.9 mm, and the vertical size G1V is 0.2 mm to 0.5 mm.
보다 바람직하게 상기 제어전극(32)의 전자빔 통과공(321)의 수평사이즈(G1H)는 0.6mm~0.8mm이고, 수직사이즈(G1V)는 0.3mm~0.4mm인 것이 좋다.More preferably, the horizontal size G1H of the electron beam through hole 321 of the control electrode 32 is 0.6 mm to 0.8 mm, and the vertical size G1V is 0.3 mm to 0.4 mm.
상기 가속전극(33)은 바람직하게 사각형상의 슬롯부(332)와, 원형의 돌출부(333)와, 사각형상의 전자빔 통과공(331)이 형성된다.The acceleration electrode 33 is preferably formed with a rectangular slot portion 332, a circular protrusion 333, and a rectangular electron beam through hole 331.
제 1실시예와 특히 구별되는 부분중의 하나가 도 23에서 보는 바와 같이 원형의 돌출부(333)가 구비되는 점이다.One of the parts that is particularly distinguished from the first embodiment is that a circular protrusion 333 is provided as shown in FIG.
상기 가속전극(33)의 슬롯부(332)는 대략 원형의 형상으로 형성되는 것도 가능하며, 전자빔 통과공(331)도 대략 원형의 형상으로 형성될 수 있다.The slot 332 of the acceleration electrode 33 may be formed in a substantially circular shape, and the electron beam through hole 331 may also be formed in a substantially circular shape.
여기서, 상기 가속전극(33)의 전체 두께를 G2T, 전자빔 통과공(331)의 두께를 G2T1, 슬롯부(332)의 깊이를 G2T2라고 정의한다.Here, the overall thickness of the acceleration electrode 33 is defined as G2T, the thickness of the electron beam through hole 331 is G2T1, and the depth of the slot 332 is defined as G2T2.
상기 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)은 대략 정사각형이나 원형 또는 수직사이즈(G2V)가 수평사이즈(G2H)보다 큰 종장형으로 형성될 수 있다.The electron beam through hole 331 of the acceleration electrode 33 may be formed in an approximately square, circular or vertical shape in which the vertical size G2V is larger than the horizontal size G2H.
상기 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H)는 0.4mm~0.8mm이고, 수직사이즈(G2V)는 0.6mm~1.2mm인 것이 바람직하다.The horizontal size G2H of the electron beam passage hole 331 of the acceleration electrode 33 is preferably 0.4 mm to 0.8 mm, and the vertical size G2V is 0.6 mm to 1.2 mm.
보다 바람직하게 상기 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 수평사이즈(G2H)는 0.5mm~0.7mm인 것이 좋다.More preferably, the horizontal size G2H of the electron beam passing hole 331 of the acceleration electrode 33 is 0.5 mm to 0.7 mm.
상기한 구성으로 이루어진 본 발명에 따른 음극선관의 전자총의 제 2실시예는 도 12에서 설명한 바와 같이 수평방향으로는 크로스오버가 발생되지 않는 반면에 도 13에서 보는 바와 같이 수직방향으로는 크로스오버가 발생된다.In the second embodiment of the electron gun of the cathode ray tube according to the present invention having the above configuration, as shown in FIG. 12, no crossover occurs in the horizontal direction, whereas in the vertical direction as shown in FIG. Is generated.
따라서, 도 14에서 설명한 바와 같이 수평방향으로는 크로스오버가 발생없이 종래와 동일한 빔경을 가지게 되고, 수직방향으로는 형광체 스크린의 주변에서 헤이즈의 발생을 최소한으로 할 수 있다.Therefore, as described with reference to FIG. 14, the cross beam does not occur in the horizontal direction and has the same beam diameter as in the prior art, and in the vertical direction, haze generation can be minimized around the phosphor screen.
그러나, 도 12에서 설명한 바와 같이 전자빔의 수평방향의 빔경을 보면, 음극(31)에서 방출된 전자빔은 전체적으로 보면 크로스오버가 없으나, 자세히 살펴보면 음극(31)의 뒷편의 가상 크로스오버와, 외곽 전자빔의 크로스오버가 존재한다.However, as shown in FIG. 12, when looking at the beam diameter in the horizontal direction of the electron beam, the electron beam emitted from the cathode 31 has no crossover as a whole. In detail, the virtual crossover at the back of the cathode 31 and the outer electron beam There is a crossover.
상기 가상 크로스오버와 외곽 전자빔의 크로스오버의 차이로 인하여 스폿에 수평방향으로 약간의 헤이즈 현상이 발생되는데, 보다 바람직한 스폿 형성을 위해서 이러한 헤이즈 현상을 제거하는 것이 바람직하다.A slight haze phenomenon occurs horizontally in the spot due to the difference between the virtual crossover and the crossover of the outer electron beam, and it is preferable to remove such a haze phenomenon in order to form a more preferable spot.
도 15에서 설명한 바와 같이 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)와, 외곽 전자빔에 의한 크로스오버(FLE)의 차이가 발생함에 따라 형광체 스크린의 주변부에서 수평방향의 헤이즈 현상이 발생되는데, 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)를 감소시킴으로써 헤이즈 현상을 최소화할 수 있다.As described with reference to FIG. 15, a horizontal haze phenomenon occurs at the periphery of the phosphor screen as a difference between the focal length FLV due to the virtual crossover and the crossover FLE due to the outer electron beam occurs. The haze phenomenon can be minimized by reducing the focusing distance FLE due to the crossover.
즉, 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 최소화하게 되면 보다 바람직한 전자빔 스폿을 구현할 수 있다.That is, when the difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover is minimized, a more preferable electron beam spot can be realized.
상기 전자총(80)의 경우 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이가 대략 300mm정도이다. In the case of the electron gun 80, the difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover is about 300 mm.
따라서, 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)를 증가시켜 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 300mm 이하로 함으로써 최상의 전자빔 스폿을 얻을 수 있다.Therefore, by increasing the focusing distance FLV due to the virtual crossover, the difference between the focusing distance FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focusing distance FLV due to the virtual crossover is 300 mm or less to obtain the best electron beam spot. Can be.
도 23에서 정의한 바와 같이 상기 가속전극(33)의 전체 두께를 G2T, 전자빔 통과공(331)의 두께를 G2T1, 슬롯부(332)의 깊이를 G2T2라고 하면, 상기 G2T, G2T1 및 G2T2를 조절함으로써 외곽 전자빔의 크로스오버에 의한 집속거리(FLE)와 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)의 차이를 줄일 수 있다.As defined in FIG. 23, when the overall thickness of the acceleration electrode 33 is G2T, the thickness of the electron beam through hole 331 is G2T1, and the depth of the slot portion 332 is G2T2, by adjusting the G2T, G2T1, and G2T2 The difference between the focal length FLE due to the crossover of the outer electron beam and the focal length FLV due to the virtual crossover can be reduced.
도 24는 가속전극(33)의 슬롯부(332)의 깊이를 G2T2와 전자빔 통과공(331)의 두께를 G2T1의 비에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면이다.FIG. 24 is a view illustrating a difference in focusing distance according to the ratio of the depth of the slot portion 332 of the acceleration electrode 33 to the thickness of the G2T2 and the electron beam through hole 331 to G2T1.
도 24에서 보는 바와 같이 가속전극(33)의 전자빔 통과공(331)의 두께(G2T1) 대비 가속전극(33)의 슬롯부(332)의 깊이(G2T2)의 값, 즉 G2T2/G2T1이 증가할수록 집속거리의 차이는 증가하게 된다.As shown in FIG. 24, the value of the depth G2T2 of the slot portion 332 of the acceleration electrode 33, that is, G2T2 / G2T1 increases with respect to the thickness G2T1 of the electron beam passage hole 331 of the acceleration electrode 33. The difference in focusing distance will increase.
다시 말해서 G2T2/G2T1의 값이 작으면 작을수록 집속거리의 차이가 감소되어 바람직한 스폿을 얻을 수 있다.In other words, the smaller the value of G2T2 / G2T1 is, the smaller the difference in focusing distance is, thereby obtaining a desirable spot.
다만, 전자빔 통과공(331)의 두께(G2T1)를 크게 형성하는것은 제조공정상 어렵기 때문에 G2T2/G2T1가 3.0이상인 것이 바람직하고, 바람직한 스폿을 고려하면 G2T2/G2T1가 8.0이하인 것이 바람직하다.However, since it is difficult to form a large thickness G2T1 of the electron beam through hole 331 in the manufacturing process, it is preferable that G2T2 / G2T1 is 3.0 or more, and considering the preferable spot, G2T2 / G2T1 is preferably 8.0 or less.
보다 바람직하게, 전자빔 통과공(331)의 두께(G2T1)를 형성하는 공정 및 스폿 사이즈 모두를 고려하는 경우 상기 G2T2/G2T1는 4.0≤G2T2/G2T1≤7.0 를 만족하는 것이 바람직하다.More preferably, when considering both the process for forming the thickness G2T1 of the electron beam passing hole 331 and the spot size, the G2T2 / G2T1 preferably satisfies 4.0 ≦ G2T2 / G2T1 ≦ 7.0.
도 25는 가속전극(33)의 전체 두께(G2T) 대비 슬롯부(332)의 깊이(G2T2)의 변화에 따른 집속거리의 차를 설명하는 도면이다.FIG. 25 is a diagram illustrating a difference in focusing distance according to a change in the depth G2T2 of the slot 332 relative to the total thickness G2T of the acceleration electrode 33.
도 25에서 보는 바와 같이 가속전극(33)의 전체 두께(G2T) 대비 슬롯부(332)의 깊이(G2T2)의 비 즉, G2T2/G2T가 증가할수록 집속거리의 차이는 감소하게 된다.As shown in FIG. 25, as the ratio of the depth G2T2 of the slot portion 332 to the total thickness G2T of the acceleration electrode 33, that is, G2T2 / G2T increases, the difference in focusing distance decreases.
다시 말해서 G2T2/G2T의 값이 증가할수록 집속거리의 차이가 감소되어 바람직한 스폿을 얻을 수 있다.In other words, as the value of G2T2 / G2T increases, the difference in focusing distance decreases to obtain a desirable spot.
다만, 가속전극(33)의 슬롯부(332)의 깊이(G2T2)를 크게 형성하는것은 제조공정상 어렵기 때문에 G2T2/G2T이 0.9이하인 것이 바람직하고, 바람직한 스폿을 고려하면 G2T2/G2T가 0.65이상인 것이 바람직하다.However, since it is difficult for the manufacturing process to increase the depth G2T2 of the slot 332 of the acceleration electrode 33, it is preferable that G2T2 / G2T is 0.9 or less, and considering the preferable spot, G2T2 / G2T is 0.65 or more. desirable.
보다 바람직하게, 전자빔 통과공(331)의 슬롯부(332)의 깊이(G2T2)를 형성하는 공정 및 스폿 사이즈 모두를 고려하는 경우 상기 G2T2/G2T는 0.7≤G2T2/G2T≤0.8 을 만족하는 것이 바람직하다.More preferably, the G2T2 / G2T satisfies 0.7 ≦ G2T2 / G2T ≦ 0.8 when considering both the process for forming the depth G2T2 of the slot 332 of the electron beam passing hole 331 and the spot size. Do.
도 26은 가속전극(33)의 전체 두께(G2T) 대비 전자빔 통과공(331)의 두께(G2T1)의 변화에 따른 집속거리의 차를 설명하는 도면이다.FIG. 26 is a diagram illustrating a difference in focusing distance according to a change in the thickness G2T1 of the electron beam through hole 331 compared to the total thickness G2T of the acceleration electrode 33.
도 26에서 보는 바와 같이 가속전극(33)의 전체 두께(G2T) 대비 전자빔 통과공(331)의 두께(G2T1)의 비 즉, G2T1/G2T가 증가할수록 집속거리의 차이는 감소하게 된다.As shown in FIG. 26, as the ratio of the thickness G2T1 of the electron beam through hole 331 to the total thickness G2T of the accelerating electrode 33, that is, G2T1 / G2T increases, the difference in focusing distance decreases.
다시 말해서 G2T1/G2T의 값이 증가할수록 집속거리의 차이가 감소되어 바람직한 스폿을 얻을 수 있다.In other words, as the value of G2T1 / G2T increases, the difference in focusing distance decreases to obtain a desirable spot.
다만, 전자빔 통과공(331)의 두께(G2T1)를 형성하는 것은 제조공정을 고려하면 G2T1/G2T이 0.05이상인 것이 바람직하고, 바람직한 스폿을 고려하면 G2T1/G2T가 0.20이하인 것이 바람직하다.However, the thickness G2T1 of the electron beam passing hole 331 is preferably G2T1 / G2T of 0.05 or more in consideration of a manufacturing process, and G2T1 / G2T of 0.20 or less in consideration of a preferable spot.
보다 바람직하게, 전자빔 통과공(331)의 두께(G2T1)를 형성하는 공정 및 스폿 사이즈 모두를 고려하는 경우 상기 G2T1/G2T는 0.07≤G2T1/G2T≤0.18 을 만족하는 것이 바람직하다.More preferably, when considering both the process for forming the thickness G2T1 of the electron beam through hole 331 and the spot size, the G2T1 / G2T preferably satisfies 0.07 ≦ G2T1 / G2T ≦ 0.18.
본 발명은 전자총의 전극의 구조를 변경하여 해상도가 효과적으로 향상되도록 한 전자총을 포함하는 음극선관을 제공할 수 있다.The present invention can provide a cathode ray tube including an electron gun in which the resolution of the electron gun is changed to effectively improve the resolution.
또한, 본 발명은 다이나믹 전압을 인가하지 않아도 다이나믹 전압을 인가한 것 이상의 효과를 얻을 수 있는 전자총을 포함하는 음극선관을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a cathode ray tube including an electron gun that can obtain an effect more than applying the dynamic voltage without applying the dynamic voltage.
또한, 본 발명은 다이나믹 전압을 구현하기 위한 회로를 구비하지 않아도 되도록 함으로써 제조공정의 단순화와 비용을 획기적으로 줄일 수 있는 전자총을 포함하는 음극선관을 제공할 수 있다.In addition, the present invention can provide a cathode ray tube including an electron gun that can simplify the manufacturing process and significantly reduce the cost by eliminating the need to provide a circuit for implementing a dynamic voltage.
도 1은 종래의 음극선관 구조를 설명하는 도면.1 is a view for explaining a conventional cathode ray tube structure.
도 2는 종래의 전자총을 설명하는 도면.2 is a view for explaining a conventional electron gun.
도 3은 셀프 컨버젼스 자계를 설명하는 도면.3 illustrates a self-convergence magnetic field.
도 4는 형광체 스크린 중심과 주변의 전자빔 스폿을 설명하는 도면.4 is a diagram illustrating electron beam spots around the center and the phosphor screen.
도 5는 종래의 전자총의 제어전극을 설명하는 도면.5 is a view for explaining a control electrode of a conventional electron gun.
도 6는 종래의 전자총의 가속전극을 설명하는 도면.6 is a view for explaining an acceleration electrode of a conventional electron gun.
도 7은 종래의 전자총의 제어전극과 가속전극에 슬롯을 형성한 후 수평방향의 빔경과 수직방향의 빔경이 도시된 도면.7 is a view illustrating a beam diameter in a horizontal direction and a beam diameter in a vertical direction after forming slots in a control electrode and an acceleration electrode of a conventional electron gun.
도 8은 본 발명에 따른 음극선관의 구조를 설명하는 도면.8 is a view for explaining the structure of a cathode ray tube according to the present invention.
도 9는 본 발명에 따른 음극선관의 전자총의 구조를 설명하는 도면.9 is a view for explaining the structure of the electron gun of the cathode ray tube according to the present invention.
도 10은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총의 가속전극측에서 바라본 제어전극의 형상을 설명하는 도면.10 is a view for explaining the shape of the control electrode seen from the acceleration electrode side of the electron gun in the cathode ray tube according to the present invention.
도 11은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총의 제어전극측에서 바라본 가속전극의 형상을 설명하는 도면.11 is a view for explaining the shape of the acceleration electrode viewed from the control electrode side of the electron gun in the cathode ray tube according to the present invention.
도 12는 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총이 수평방향으로 크로스오버가 발생되지 않은 것을 설명하는 도면.12 is a view for explaining that the electron gun is not crossover in the horizontal direction in the cathode ray tube according to the present invention.
도 13은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총이 수직방향으로 크로스오버가 발생되는 것을 설명하는 도면.13 is a view for explaining that the electron gun crossover occurs in the vertical direction in the cathode ray tube according to the present invention.
도 14는 본 발명에 따른 음극선관의 전자빔의 빔경을 설명하는 도면.14 is a view for explaining the beam diameter of the electron beam of the cathode ray tube according to the present invention.
도 15는 본 발명에 따른 음극선관에서 가상 크로스오버에 의한 집속거리(FLV)와, 외곽 전자빔에 의한 크로스오버(FLE)의 차이를 설명하는 도면.15 is a view for explaining the difference between the focusing distance (FLV) by the virtual crossover and the crossover (FLE) by the outer electron beam in the cathode ray tube according to the present invention.
도 16은 본 발명에 따른 음극선관에서 제어전극의 전자빔 통과공의 수직사이즈 대비 제어전극과 가속전극의 간격 변화에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면.16 is a view illustrating a difference in focusing distance according to a change in distance between a control electrode and an acceleration electrode compared to a vertical size of an electron beam through hole of a control electrode in a cathode ray tube according to the present invention.
도 17은 본 발명에 따른 음극선관에서 가속전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈 대비 수직사이즈의 변화에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면.17 is a view for explaining the difference in focusing distance according to the change in the vertical size compared to the horizontal size of the electron beam through hole of the acceleration electrode in the cathode ray tube according to the present invention.
도 18은 본 발명에 따른 음극선관에서 가속전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈 대비 제어전극의 전자빔 통과공의 수평사이즈의 변화에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면.18 is a view for explaining a difference in focusing distance according to the change in the horizontal size of the electron beam through hole of the control electrode compared to the horizontal size of the electron beam through hole of the acceleration electrode in the cathode ray tube according to the present invention.
도 19는 본 발명에 따른 음극선관의 삼극부에서의 전자빔의 형상을 설명하는 도면.Fig. 19 is a diagram for explaining the shape of an electron beam at the three pole portions of the cathode ray tube according to the present invention.
도 20은 본 발명에 따른 음극선관에서 제어전극의 전자빔 통과공과 가속전극의 전자빔 통과공을 설명하는 도면.20 is a view for explaining the electron beam through hole of the control electrode and the electron beam through hole of the acceleration electrode in the cathode ray tube according to the present invention.
도 21은 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총의 제어전극을 설명하는 도면.21 is a view for explaining a control electrode of the electron gun in the cathode ray tube according to the present invention.
도 22는 본 발명에 따른 음극선관에서 전자총의 가속전극을 설명하는 도면.22 is a view for explaining the acceleration electrode of the electron gun in the cathode ray tube according to the present invention.
도 23은 본 발명에 따른 음극선관에서 가속전극의 단면의 형상을 설명하는 도면.23 is a view for explaining the shape of the cross section of the acceleration electrode in the cathode ray tube according to the present invention.
도 24는 본 발명에 따른 음극선관에서 가속전극의 슬롯부의 깊이와 전자빔 통과공의 두께의 비에 따른 집속거리의 차이를 설명하는 도면.24 is a view for explaining a difference in focusing distance according to the ratio of the depth of the slot portion of the acceleration electrode and the thickness of the electron beam through hole in the cathode ray tube according to the present invention.
도 25는 본 발명에 따른 음극선관에서 가속전극의 전체 두께 대비 슬롯부의 깊이의 변화에 따른 집속거리의 차를 설명하는 도면.25 is a view for explaining a difference in focusing distance according to the change in the depth of the slot portion relative to the total thickness of the acceleration electrode in the cathode ray tube according to the present invention.
도 26은 본 발명에 따른 음극선관에서 가속전극의 전체 두께 대비 전자빔 통과공의 두께의 변화에 따른 집속거리의 차를 설명하는 도면.FIG. 26 is a view for explaining a difference in focusing distance according to a change in thickness of an electron beam through hole compared to the total thickness of an acceleration electrode in a cathode ray tube according to the present invention; FIG.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>
1 ; 패널 2 ; 펀넬One ; Panel 2; Funnel
3 ; 새도우 마스크 4 ; 마스크 프레임3; Shadow mask 4; Mask frame
5 ; 마스크 스프링 6 ; 스터드 핀5; Mask spring 6; Stud pins
7 ; 인너쉴드 8 ; 전자총7; Inner shield 8; Electron gun
9 ; 편향요크 10 ; CPM9; Deflection yoke 10; CPM
11 ; 형광체 스크린 12 ; 보강밴드11; Phosphor screen 12; Reinforcement band
20 ; 히터 21 ; 음극20; Heater 21; cathode
22 ; 제어전극 23 ; 가속전극22; Control electrode 23; Acceleration Electrode
24 ; 집속전극 25 ; 양극24; Focusing electrode 25; anode
26 ; 실드컵 30 ; 히터26; Shield cup 30; heater
31 ; 음극 32 ; 제어전극31; Cathode 32; Control electrode
33 ; 가속전극 34 ; 집속전극33; Acceleration electrode 34; Focusing electrode
35 ; 양극 36 ; 실드컵35; Anode 36; Shield Cup
80 ; 전자총 221 ; 제어전극의 전자빔 통과공80; Electron gun 221; Electron beam through hole of control electrode
222 ; 제어전극의 슬롯 231 ; 가속전극의 전자빔 통과공222; Slot 231 of the control electrode; Electron beam through hole of acceleration electrode
232 ; 가속전극의 슬롯 321 ; 제어전극의 전자빔 통과공232; Slot 321 of the acceleration electrode; Electron beam through hole of control electrode
322 ; 제어전극의 슬롯 331 ; 가속전극의 전자빔 통과공322; Slot 331 of the control electrode; Electron beam through hole of acceleration electrode
332 ; 가속전극의 슬롯 333 ; 돌출부332; Slot 333 of the acceleration electrode; projection part
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