KR100508082B1 - Polishing apparatus - Google Patents

Polishing apparatus Download PDF

Info

Publication number
KR100508082B1
KR100508082B1 KR1019970058338A KR19970058338A KR100508082B1 KR 100508082 B1 KR100508082 B1 KR 100508082B1 KR 1019970058338 A KR1019970058338 A KR 1019970058338A KR 19970058338 A KR19970058338 A KR 19970058338A KR 100508082 B1 KR100508082 B1 KR 100508082B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polishing
wafer
polishing pad
unit
slurry
Prior art date
Application number
KR1019970058338A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR19990038553A (en
Inventor
김현수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1019970058338A priority Critical patent/KR100508082B1/en
Publication of KR19990038553A publication Critical patent/KR19990038553A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100508082B1 publication Critical patent/KR100508082B1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping

Abstract

본 발명은 웨이퍼의 에지에서의 폴리싱패드 변형을 방지하여 폴리싱의 균일성을 향상시키도록 한 폴리싱장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing apparatus for preventing polishing pad deformation at the edge of a wafer to improve the uniformity of polishing.

본 발명의 목적은 폴리싱 설비의 구조를 변경하여 웨이퍼의 폴리싱을 균일하게 실시할 수 있도록 한 폴리싱장치를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a polishing apparatus capable of uniformly polishing a wafer by changing the structure of the polishing facility.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 폴리싱장치는 폴리싱할 웨이퍼를 상부면에 지지함과 아울러 수평회전시키는 폴리싱테이블; 상기 웨이퍼를 폴리싱하는 폴리싱패드부; 상기 폴리싱패드부를 상기 폴리싱테이블의 상측에 위치시킴과 아울러 회전시키는 폴리싱패드회전부; 그리고 상기 웨이퍼의 표면에 폴리싱용 슬러리를 공급하는 노즐을 갖는 슬러리공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.The polishing apparatus according to the present invention for achieving the above object is a polishing table for supporting the wafer to be polished on the upper surface and the horizontal rotation; A polishing pad unit for polishing the wafer; A polishing pad rotating unit which rotates the polishing pad unit at an upper side of the polishing table; And a slurry supply part having a nozzle for supplying a polishing slurry to the surface of the wafer.

Description

폴리싱장치{Polishing apparatus}Polishing apparatus

본 발명은 웨이퍼폴리싱장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 에지에서의 폴리싱패드 변형을 방지하여 폴리싱의 균일성을 향상시키도록 한 폴리싱장치에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly, to a polishing apparatus for preventing polishing pad deformation at an edge of a wafer to improve uniformity of polishing.

일반적으로 널리 알려진 바와 같이, DRAM 과 같은 반도체소자의 고집적화에 따라 반도체소자를 구성하는 단위소자의 디자인룰(design rule)도 점차 까다로워지고 있다. 반도체소자의 고집적화가 진행될수록 반도체소자의 제조공정도 복잡하게 변하는데 그 중에서 가장 문제시되는 것이 포토공정이다.As is generally known, as the integration of semiconductor devices such as DRAMs increases, the design rules of unit devices constituting the semiconductor devices are becoming increasingly difficult. As the integration of semiconductor devices increases, the manufacturing process of semiconductor devices also becomes more complicated. Among them, the photo process is the most problematic.

상기 포토공정의 마진(margin)을 크게 유지하면서 미세 패턴을 정확하게 형성하기 위해서는 무엇보다도 포커스 마진을 확보하여야 하는데, 이는 감광막을 코팅할 하지막의 단차에 크게 의존할 수 밖에 없기 때문이다.In order to precisely form a fine pattern while maintaining a large margin of the photo process, a focus margin must be secured first of all, since it is highly dependent on the step of the underlying film to be coated with the photoresist film.

그래서, DRAM 의 경우, 메모리셀부와 주변부 사이의 표면단차가 단면구조상 불가피하게 발생하기 마련인데 이를 극복하고 원하는 포토공정의 마진을 확보하기 위해 하지막의 평탄화를 이루지 않으면 안된다. 평탄화방법으로는 SOG 나 BPSG 등을 상기 하지막에 증착한 다음 에치백(etch back)을 실시하는 방법이 있다. 이 방법은 웨이퍼의 전면에 증착된 막의 원하는 평탄화율을 얻기 위해 고온의 리플로우공정을 에치백의 후속공정으로 실시하여야 하는데 이는 바람직하지 않게도 웨이퍼에 발생하는 힛 버짓(heat budget)의 증가를 가져왔다.Therefore, in the case of DRAM, the surface step between the memory cell portion and the peripheral portion inevitably occurs due to the cross-sectional structure, and the base film must be planarized to overcome this and to secure a desired photo process margin. As a planarization method, there is a method in which SOG, BPSG, and the like are deposited on the base film and then etched back. This method requires a high temperature reflow process to follow the etch back to achieve the desired planarization rate of the film deposited on the front of the wafer, which undesirably increases the heat budget generated on the wafer. .

이를 극복하기 위해 화학적, 물리적인 반응을 통하여 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 CMP(chemical mechanical polishing) 기술이 새롭게 개발되었다. CMP 기술은 1970 년대말 IBM 사에서 처음 사용하였고 1988 년 NEC 사에서 1Mb 트렌치 커패시터에 응용하였으며, 1993 년 Intel 사에서 팬티엄 마이크로프로세서의 제조과정에 이용하였다.In order to overcome this, a chemical mechanical polishing (CMP) technique has been newly developed to planarize a wafer surface through chemical and physical reactions. CMP technology was first used by IBM in the late 1970s, applied to 1Mb trench capacitors by NEC in 1988, and was used by Intel in 1993 to manufacture Pentium microprocessors.

도 1 은 종래 기술에 의한 CMP 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a CMP apparatus according to the prior art.

도 1 에 도시된 바와 같이, 수평 회전운동 가능한 폴리싱테이블(11)의 상부면에 폴리싱용 폴리싱패드(13)가 설치되고, 폴리싱테이블(11)의 상측으로 일정 거리를 두고 위치하며 수평회전 운동 가능한 웨이퍼캐리어(15)가 설치되어 있고, 폴리싱패드(13)의 상부면으로부터 상측으로 일정 거리를 두고 슬러리공급부의 노즐(17)이 위치하고 있다.As shown in FIG. 1, a polishing pad 13 for polishing is installed on an upper surface of the polishing table 11 capable of horizontal rotational movement, positioned at a predetermined distance above the polishing table 11, and capable of horizontal rotational movement. The wafer carrier 15 is provided, and the nozzle 17 of the slurry supply part is located at a predetermined distance upward from the upper surface of the polishing pad 13.

이와 같이 구성된 종래의 CMP 장치를 이용한 평탄화방법을 살펴보면, 먼저 폴리싱테이블(11)로부터 상측으로 일정 거리를 두고 웨이퍼캐리어(15)가 위치하고 있는 상태에서 웨이퍼(1)를 접착테이프(3)에 의해 웨이퍼캐리어(15)의 저면부에 접착시켜 놓는다. 이때, 폴리싱할 웨이퍼(1)의 표면이 폴리싱용 폴리싱패드(13)를 대향하여야 한다.Looking at the planarization method using the conventional CMP apparatus configured as described above, first, the wafer 1 is bonded by the adhesive tape 3 while the wafer carrier 15 is positioned at a predetermined distance upward from the polishing table 11. It adheres to the bottom face of the carrier 15. At this time, the surface of the wafer 1 to be polished should face the polishing pad 13 for polishing.

이어서, 폴리싱테이블(11)의 회전축 구동부(도시 안됨)를 구동시켜 폴리싱테이블(11)의 수직축(11a)을 일정 방향, 예를 들어 시계방향으로 수평회전시키고 또한 웨이퍼캐리어(15)의 회전축 구동부(도시 안됨)를 구동시켜 웨이퍼캐리어(15)의 수직축(15a)을 일정 방향, 예를 들어 시계방향으로 회전시킨다.Subsequently, the rotary shaft drive unit (not shown) of the polishing table 11 is driven to horizontally rotate the vertical axis 11a of the polishing table 11 in a predetermined direction, for example, a clockwise direction, and also rotate the rotary shaft drive unit of the wafer carrier 15 ( (Not shown) to rotate the vertical axis 15a of the wafer carrier 15 in a certain direction, for example clockwise.

이후, 웨이퍼(1)를 일정 압력으로 폴리싱패드(13)에 접촉할 때까지 웨이퍼캐리어(15)를 하향 이동시키고, 이와 아울러 노즐(17)을 통하여 일정 유량의 폴리싱용 슬러리(18)를 폴리싱패드(13)로 계속 공급시킨다. 따라서, 웨이퍼(1)의 폴리싱할 표면이 화학적, 물리적으로 폴리싱되면서 평탄화된다.Thereafter, the wafer carrier 15 is moved downward until the wafer 1 contacts the polishing pad 13 at a predetermined pressure, and the polishing slurry 18 at a constant flow rate is transferred to the polishing pad through the nozzle 17. Continue to (13). Thus, the surface to be polished of the wafer 1 is planarized while being chemically and physically polished.

한편, CMP 기술에서는 연마속도(removal rate)와 평탄화도가 중요한데 이는 CMP 장치의 공정조건, 폴리싱용 슬러리 종류, 폴리싱패드 등에 결정된다. 평탄화를 실시할 때, 폴리싱용 슬러리의 PH 나 이온농도 등이 화학적인 영향을 준다. 상기 슬러리로는 크게 금속막용과 산화막용의 2 종류가 있으며 이들의 PH 가 금속막용인 경우 산성이고, 산화막용인 경우 알칼리성이다.On the other hand, in the CMP technology, the removal rate and flatness are important, which are determined by the process conditions of the CMP apparatus, the type of slurry for polishing, and the polishing pad. When the planarization is carried out, the PH, ion concentration, and the like of the polishing slurry have a chemical effect. There are two types of the slurry, one for metal film and one for oxide film, and their pH is acidic for metal film and alkaline for oxide film.

그러나, 종래의 CMP 장치에서는 웨이퍼(1)의 전면 전체가 폴리싱패드(13)의 표면에 동시 접촉하면서 폴리싱되므로 웨이퍼(1)의 전면 전체가 양호한 균일성(uniformity)을 유지할 수 없었다.However, in the conventional CMP apparatus, the entire front surface of the wafer 1 is polished while simultaneously being in contact with the surface of the polishing pad 13, so that the entire front surface of the wafer 1 cannot maintain good uniformity.

또한, 폴리싱이 진행되는 동안 웨이퍼(1)가 웨이퍼캐리어(15)에 의해 일정한 압력을 받으므로 웨이퍼(1)의 에지(dege)에 접촉하는 영역에서는 폴리싱패드(13)의융모(asperity)가 눌러지지만 웨이퍼(1)의 에지에 이웃한 영역에서는 폴리싱패드(13)의 융모가 눌러지지 않는다. 이와 같이, 웨이퍼(1)와의 접촉 여부에 따른 압력차에 의해 웨이퍼(1)의 에지에서 폴리싱패드(13)의 변형이 발생하여 웨이퍼(1)의 에지가 웨이퍼의 다른 영역보다 많이 폴리싱되었다.In addition, since the wafer 1 is subjected to a constant pressure by the wafer carrier 15 during polishing, the asperity of the polishing pad 13 is pressed in an area in contact with the edge of the wafer 1. However, the villi of the polishing pad 13 are not pressed in the region adjacent to the edge of the wafer 1. As described above, deformation of the polishing pad 13 occurs at the edge of the wafer 1 due to the pressure difference depending on whether the wafer 1 is in contact with the wafer 1 so that the edge of the wafer 1 is polished more than other areas of the wafer.

그리고, 폴리싱 설비 자체의 사이즈가 크므로 이를 설치하는데 많은 공간이 많이 소요되었다.And, since the size of the polishing facility itself is large, a lot of space was required to install it.

따라서, 본 발명의 목적은 폴리싱 설비의 구조를 변경하여 웨이퍼의 폴리싱을 균일하게 실시할 수 있도록 한 폴리싱장치를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a polishing apparatus capable of uniformly polishing a wafer by changing the structure of the polishing facility.

이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 폴리싱장치는폴리싱할 웨이퍼를 상부면에 지지함과 아울러 수평회전시키는 폴리싱테이블;상기 웨이퍼를 폴리싱하는 폴리싱패드부;상기 폴리싱패드부를 상기 폴리싱테이블의 상측에 위치시킴과 아울러 회전시키는 폴리싱패드회전부; 그리고상기 웨이퍼의 표면에 폴리싱용 슬러리를 공급하는 노즐을 갖는 슬러리공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다.According to one aspect of the present invention, a polishing apparatus includes a polishing table configured to support a wafer to be polished on an upper surface thereof and to horizontally rotate the polishing table; a polishing pad unit to polish the wafer; and a polishing pad unit to an upper side of the polishing table. Polishing pad rotating part for positioning and rotating; And It characterized in that it comprises a slurry supply unit having a nozzle for supplying a polishing slurry to the surface of the wafer.

따라서, 본 발명은 롤러형 폴리싱패드부를 웨이퍼의 상측에 위치시켜 웨이퍼에지에서의 폴리싱패드의 변형을 방지하고, 또한 폴리싱패드조절부를 이용하여 폴리싱패드의 융모를 복구하여 폴리시의 균일성을 향상시킨다.Accordingly, the present invention prevents deformation of the polishing pad on the wafer edge by placing the roller-type polishing pad portion on the upper side of the wafer, and also restores the viscous of the polishing pad by using the polishing pad adjusting portion to improve the uniformity of the polish.

이하, 본 발명에 의한 폴리싱장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a polishing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2a 및 도 2b 는 본 발명에 의한 폴리싱장치의 작동상태를 나타낸 정면도 및 측면도이다.2A and 2B are front and side views showing an operating state of the polishing apparatus according to the present invention.

도 2a 및 도 2b 에 도시된 바와 같이, 폴리싱장치에서는 폴리싱테이블(21)이 수평 회전운동 가능하도록 설치되어 있고, 폴리싱테이블(21)의 상부면 요홈부(22)에 웨이퍼(1)를 진공흡착 가능하도록 폴리싱테이블(21)의 내부에 진공라인(도시 안됨)이 설치되어 있고, 롤러형 폴리싱패드부(23)가 웨이퍼(1)의 상측에서 폴리싱하기 위해 수직회전하며 일측방향으로 전진 가능하도록 설치되어 있고, 폴리싱패드조절부(25)가 폴리싱패드(23)의 융모 복구를 위해 이동부인 레일(27)을 따라 폴리싱패드부(23)의 상측에서 길이방향으로 수평 왕복이동 가능하도록 설치되어 있다. 여기서, 폴리싱패드부(23)의 외주면에 폴리싱패드(23a)가 부착되어 있다.As shown in Figs. 2A and 2B, in the polishing apparatus, the polishing table 21 is installed so as to be capable of horizontal rotational movement, and the wafer 1 is vacuum-adsorbed to the upper groove 22 of the polishing table 21. A vacuum line (not shown) is provided inside the polishing table 21 so that the roller-type polishing pad portion 23 is vertically rotated to be polished from the upper side of the wafer 1 and is installed to be able to move forward in one direction. The polishing pad adjusting unit 25 is installed to horizontally reciprocate in the longitudinal direction from the upper side of the polishing pad unit 23 along the rail 27 as the moving unit for restoring villi of the polishing pad 23. Here, the polishing pad 23a is attached to the outer circumferential surface of the polishing pad portion 23.

이와 같이 구성된 폴리싱장치를 이용하여 웨이퍼를 폴리싱하는 방법을 설명하면, 먼저, 폴리싱할 웨이퍼(1)를 폴리싱테이블(21)의 상부면 요홈부(22)에 놓고 나서 폴리싱테이블(21) 내의 진공라인(도시 안됨)을 이용하여 진공흡착한다. 이때, 웨이퍼(1)의 단차진 표면이 상측을 향한다.Referring to a method of polishing a wafer using the polishing apparatus configured as described above, first, the wafer 1 to be polished is placed in the upper groove 22 of the polishing table 21, and then the vacuum line in the polishing table 21 is used. Vacuum suction using (not shown). At this time, the stepped surface of the wafer 1 faces upward.

이후, 폴리싱테이블(21)의 회전축 구동부(도시 안됨)를 구동시켜 폴리싱테이블(21)의 회전축, 예를 들어 시계방향으로 수평 회전시키고 또한, 폴리싱패드회전부(도시 안됨)를 구동시켜 롤러형 폴리싱패드부(23)의 회전축을 수직회전시키면서 폴리싱패드부(23)를 웨이퍼(1)의 상부면에 대해 일측 방향으로 정속 전진시킨다.Subsequently, the rotating shaft driving unit (not shown) of the polishing table 21 is driven to rotate the rotating shaft of the polishing table 21, for example, clockwise, and the polishing pad rotating unit (not shown) is driven to drive the roller polishing pad. The polishing pad portion 23 is moved at a constant speed in one direction with respect to the upper surface of the wafer 1 while vertically rotating the rotating shaft of the portion 23.

이와 아울러, 슬러리공급부의 노즐(17)을 통하여 일정 유량의 폴리싱용 슬러리(18)를 웨이퍼(1)로 계속 공급시킨다. 여기서, 슬러리(18)는 실리카계 슬러리, 알루미나계 슬러리, CeO2 또는 Fe(CN)x 계열의 슬러리 및 SiC 계 슬러리 등 세라믹 입자가 함유된 슬러리이다.In addition, the polishing slurry 18 at a constant flow rate is continuously supplied to the wafer 1 through the nozzle 17 of the slurry supply unit. Here, the slurry 18 is a silica slurry, alumina slurry, CeO2 Or a slurry containing ceramic particles such as a Fe (CN) x-based slurry and a SiC-based slurry.

한편, 웨이퍼(1)의 폴리싱이 진행되는 동안 폴리싱패드조절부(25)가 이동부인 레일(27)을 따라 폴리싱패드(23a)의 상측부에 접촉하면서 좌우 수평이동하여 폴리싱패드(23)의 기 눌러진 융모를 양호한 상태로 복구한다. 물론, 폴리싱의 전후에도 폴리싱패드(23)의 융모를 복구시켜 주는 것이 바람직하다.Meanwhile, while polishing of the wafer 1 is performed, the polishing pad control unit 25 is horizontally moved left and right while contacting the upper side of the polishing pad 23a along the rail 27, which is a moving unit, so that the polishing pad 23 can be moved. Restore the pressed villi to good condition. Of course, it is preferable to restore the villi of the polishing pad 23 before and after polishing.

따라서, 폴리싱패드(23a)가 웨이퍼(1)의 상부면 전체를 동시에 접촉하지 않고 일정 면적씩 폴리싱하여 폴리싱의 균일성을 향상시킨다. 또한, 폴리싱패드(23a)가 웨이퍼(1)의 상부에 위치하고 있기 때문에 종래와 같이, 웨이퍼에 눌러진 폴리싱패드의 가장자리와, 이에 인접하여 웨이퍼에 의해 눌러지지 않은 폴리싱패드의 영역 사이의 압력차가 발생하는 것을 근본적으로 방지하여 웨이퍼의 가장자리가 많이 폴리싱되는 것을 방지할 수 있다.Accordingly, the polishing pad 23a polishes the entire upper surface of the wafer 1 by a predetermined area without simultaneously contacting the entire surface of the wafer 1 to improve the uniformity of polishing. In addition, since the polishing pad 23a is located on the upper portion of the wafer 1, a pressure difference occurs between the edge of the polishing pad pressed against the wafer and the area of the polishing pad adjacent to the wafer that is not pressed by the wafer as in the related art. It is essentially prevented from doing so that the edge of the wafer can be prevented from much polishing.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 폴리싱장치는 롤러형 폴리싱패드부를 웨이퍼의 상측에 위치시켜 웨이퍼의 폴리싱을 위해 폴리싱패드부를 수직회전시키면서 전진 이동시키고 또한 폴리싱패드의 융모 복구를 위해 폴리싱패드조절부를 이용하여 폴리싱패드를 접촉시킨다.As described above, in the polishing apparatus according to the present invention, the roller-type polishing pad portion is positioned on the upper side of the wafer to move forward while vertically rotating the polishing pad portion for polishing the wafer, and the polishing pad adjusting portion for repairing the villi of the polishing pad. Contact the polishing pad.

따라서, 본 발명은 폴리싱한 웨이퍼의 균일성을 향상시켜 DRAM 과 같은 고집적 반도체소자의 큰 하지막 단차에 영향을 받지 않고 포토공정에서의 공정마진을 확보할 수 있다.Therefore, the present invention can improve the uniformity of the polished wafer, thereby securing the process margin in the photo process without being affected by the large underlayer step of the highly integrated semiconductor device such as DRAM.

한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.On the other hand, the present invention is not limited to the contents described in the drawings and detailed description, it is obvious to those skilled in the art that various modifications can be made without departing from the spirit of the invention. .

도 1 은 종래 기술에 의한 CMP 장치를 개략적으로 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view schematically showing a CMP apparatus according to the prior art.

도 2a 및 도 2b 는 본 발명에 의한 폴리싱장치의 작동상태를 나타낸 정면도 및 측면도.2a and 2b is a front view and a side view showing an operating state of the polishing apparatus according to the present invention.

<도면의주요부분에대한부호의설명>Explanation of symbols on the main parts of the drawing

1: 웨이퍼 3: 접착테이프 1: wafer 3: adhesive tape

11: 폴리싱테이블 13: 폴리싱패드 11: Polishing table 13: Polishing pad

15: 웨이퍼캐리어 17: 노즐 15: wafer carrier 17: nozzle

21: 폴리싱테이블 23: 폴리싱패드부 21: polishing table 23: polishing pad portion

23a: 폴리싱패드 25: 폴리싱패드조절부 23a: polishing pad 25: polishing pad adjustment unit

27: 레일27: rail

Claims (4)

폴리싱할 웨이퍼를 상부면에 지지함과 아울러 수평회전시키는 폴리싱테이블;A polishing table for horizontally rotating the wafer to be polished on an upper surface thereof; 상기 웨이퍼를 폴리싱하는 폴리싱패드가 외주면에 설치되어 상기 웨이퍼의 소정 영역씩 폴리싱하면서 전진하는 롤러형 폴리싱패드부;A roller-type polishing pad unit which is provided on the outer circumferential surface of the polishing pad for polishing the wafer and moves forward while polishing a predetermined area of the wafer; 상기 폴리싱패드의 융모를 복구하도록 상기 폴리싱패드와 접촉하는 그리고 상기 폴리싱패드부의 길이방향으로 이동가능한 폴리싱패드조절부;A polishing pad adjusting portion which is in contact with the polishing pad and movable in the longitudinal direction of the polishing pad portion to restore the villi of the polishing pad; 상기 폴리싱패드부를 상기 폴리싱테이블의 상측과 위치시킴과 아울러 회전시키는 폴리싱패드회전부; 그리고A polishing pad rotating unit which rotates the polishing pad unit with an upper side of the polishing table; And 상기 웨이퍼의 표면에 폴리싱용 슬러리를 공급하는 노즐을 갖는 슬러리공급부를 포함하는 폴리싱장치.And a slurry supply unit having a nozzle for supplying a polishing slurry to the surface of the wafer. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 폴리싱패드조절부를 상기 폴리싱패드부의 길이방향으로 이동가능하도록 이동부가 설치된 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.And a moving unit installed to move the polishing pad control unit in the longitudinal direction of the polishing pad unit. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 이동부가 레일을 따라 상기 폴리싱패드조절부를 이동시키는 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.And the moving unit moves the polishing pad control unit along a rail. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 폴리싱테이블의 상부면에 상기 웨이퍼를 진공흡착 하여 지지하도록 상기 폴리싱테이블의 내부에 진공라인이 형성된 것을 특징으로 하는 폴리싱장치.And a vacuum line is formed inside the polishing table to support the wafer by vacuum suction on the upper surface of the polishing table.
KR1019970058338A 1997-11-06 1997-11-06 Polishing apparatus KR100508082B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970058338A KR100508082B1 (en) 1997-11-06 1997-11-06 Polishing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019970058338A KR100508082B1 (en) 1997-11-06 1997-11-06 Polishing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19990038553A KR19990038553A (en) 1999-06-05
KR100508082B1 true KR100508082B1 (en) 2005-11-08

Family

ID=37305850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970058338A KR100508082B1 (en) 1997-11-06 1997-11-06 Polishing apparatus

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100508082B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020151801A (en) * 2019-03-19 2020-09-24 キオクシア株式会社 Polishing device and polishing method

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950975A (en) * 1995-08-07 1997-02-18 Samsung Electron Co Ltd Wafer grinding device
KR970023802A (en) * 1995-10-23 1997-05-30 윌리엄 이. 힐러 Device for integrating pad conditioner and wafer carrier for chemical-mechanical polishing applications
JPH09174429A (en) * 1995-12-22 1997-07-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0950975A (en) * 1995-08-07 1997-02-18 Samsung Electron Co Ltd Wafer grinding device
KR970013078A (en) * 1995-08-07 1997-03-29 김광호 Wafer polishing equipment
KR100189970B1 (en) * 1995-08-07 1999-06-01 윤종용 A polishing apparatus for semiconductor wafer
KR970023802A (en) * 1995-10-23 1997-05-30 윌리엄 이. 힐러 Device for integrating pad conditioner and wafer carrier for chemical-mechanical polishing applications
JPH09174429A (en) * 1995-12-22 1997-07-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd Wafer polishing device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020151801A (en) * 2019-03-19 2020-09-24 キオクシア株式会社 Polishing device and polishing method
JP7317532B2 (en) 2019-03-19 2023-07-31 キオクシア株式会社 Polishing device and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
KR19990038553A (en) 1999-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6238271B1 (en) Methods and apparatus for improved polishing of workpieces
EP0874390B1 (en) Polishing method
US5558563A (en) Method and apparatus for uniform polishing of a substrate
TW471994B (en) System and method for controlled polishing and planarization of semiconductor wafers
KR100549055B1 (en) Retaining ring for chemical-mechanical polishing head, polishing apparatus, slurry cycle system, and method
JPH10249710A (en) Abrasive pad with eccentric groove for cmp
KR20010052820A (en) A technique for chemical mechanical polishing silicon
EP1077790A1 (en) A carrier head with a retaining ring for a chemical mechanical polishing system
US6336842B1 (en) Rotary machining apparatus
US20070145013A1 (en) Method for polishing workpiece, polishing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JPH09254024A (en) Device and method chemically mechanical polishing semiconductor wafer
KR100508082B1 (en) Polishing apparatus
US6478977B1 (en) Polishing method and apparatus
US6221773B1 (en) Method for working semiconductor wafer
JP2001237206A (en) Flattening method
JPH0911117A (en) Flattening method and apparatus
JPH11285962A (en) Polishing pad, polishing device and method
JP3099002B1 (en) Two-step chemical mechanical polishing method
JPH09225820A (en) Polishing device
JP3528501B2 (en) Semiconductor manufacturing method
US20230021149A1 (en) Chemical-mechanical planarization pad and methods of use
US7166013B2 (en) Polishing apparatus and method for producing semiconductors using the apparatus
KR100494145B1 (en) Method for polishing the semiconductor wafer by Chemical Mechanical Polishing device
EP1308243B1 (en) Polishing method
KR100392239B1 (en) Grinding method of grinding device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee