KR100503043B1 - Strobe control appaparus wherein triger signal is effectively used - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 카메라의 스트로브 제어 장치는 전압 공급부, 출력 스위치(IGBT), 수광 소자(P-TR), 캐페시터(C3), 스위치(Q1), 및 최종 제어 회로를 포함한다. 전압 공급부는 스트로브 램프(XE)에 구동 전압을 인가한다. 출력 스위치(IGBT)는, 스트로브 램프(XE)의 음극과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 제1 논리 상태이면 턴 온(turn on)되어 스트로브 램프(XE)를 온(on)시키고, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 제1 논리 상태와 반대 논리 상태인 제2 논리 상태이면 턴 오프(turn off)되어 스트로브 램프(XE)를 오프(off)시킨다. 수광 소자(P-TR)는 그 일단에 직류 전압(VDD)이 인가되고 피사체로부터 반사되는 빛의 밝기에 비례하여 자신의 저항값이 낮아진다. 캐페시터(C3)는 수광 소자(P-TR)의 타단과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어 충전 및 방전을 수행한다. 상기 스위치(Q1)는, 상기 캐페시터(C3)와 병렬 연결되어, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제2 논리 상태이면 턴 온되어 상기 캐페시터(C3)의 충전을 방지한다. 상기 최종 제어 회로는, 상기 캐페시터(C3)의 충전 전압이 기준 전압 이상이면, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제1 논리 상태임에도 불구하고 출력 스위치(IGBT)를 턴 오프(turn off)시킨다.The strobe control apparatus of the camera according to the present invention includes a voltage supply part, an output switch IGBT, a light receiving element P-TR, a capacitor C3, a switch Q1, and a final control circuit. The voltage supply unit applies a driving voltage to the strobe lamp XE. The output switch IGBT is connected between the negative pole of the strobe lamp XE and the terminal of the ground voltage GND, and is turned on when the external trigger signal TRIG is in the first logic state so that the strobe lamp ( The XE is turned on and is turned off when the external trigger signal TRIG is in a second logic state that is opposite to the first logic state to turn off the strobe lamp XE. The light receiving element P-TR is applied with a DC voltage VDD at one end thereof, and has its resistance lower in proportion to the brightness of light reflected from the subject. The capacitor C3 is connected between the other end of the light receiving element P-TR and the terminal of the ground voltage GND to perform charging and discharging. The switch Q1 is connected in parallel with the capacitor C3 and is turned on when the external trigger signal TRIG is in the second logic state to prevent the capacitor C3 from being charged. When the charging voltage of the capacitor C3 is equal to or greater than the reference voltage, the final control circuit turns off the output switch IGBT even though the external trigger signal TRIG is in the first logic state.

Description

외부적 트리거 신호가 효과적으로 사용된 스트로브 제어 장치{Strobe control appaparus wherein triger signal is effectively used}Strobe control appaparus where triger signal is effectively used

본 발명은, 카메라의 스트로브 제어 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 카메라의 스트로브 램프를 온(On)시켜서 피사체에 조사하고 상기 피사체로의 조광량에 따라 상기 스트로브 램프를 오프(Off)시키는 스트로브 제어 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus for controlling a strobe of a camera, and more particularly, a strobe for illuminating a subject by turning on the strobe lamp of the camera and turning off the strobe lamp according to the amount of illumination to the subject. It relates to a control device.

통상적인 스트로브 제어 장치 예를 들어, 미국 특허 제6,535,692호의 스트로브 제어 장치에 의하면, 스트로브 램프가 온(On)되기 전부터 동작하는 수광 소자로부터의 전기적 에너지가 축적되어 작용하므로, 제어의 정밀도가 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 수광 소자만의 동작에 기인하여 스트로브 램프의 동작이 제어되므로 회로 소자들이 많이 사용되는 문제점이 있다. Conventional strobe control device For example, according to the strobe control device of US Patent No. 6,535,692, since the electrical energy from the light-receiving element that operates before the strobe lamp is turned on and accumulates, the problem of inferior control accuracy have. In addition, since the operation of the strobe lamp is controlled due to the operation of only the light receiving element, there is a problem that many circuit elements are used.

본 발명은, 상기와 같은 문제점들을 개선하기 위하여 창안된 것으로서, 수광 소자와 함께 외부적 트리거 신호를 효과적으로 사용함으로써, 회로 소자들의 개수를 줄이고, 스트로브 램프가 온(On)되는 시점에서부터 수광 소자로부터의 전기적 에너지가 축적되게 하여 제어의 정밀도를 높일 수 있는 스트로브 제어 장치를 제공하는 것이다.The present invention was devised to solve the above problems, and by effectively using an external trigger signal together with the light receiving element, the number of circuit elements is reduced, and from the time when the strobe lamp is turned on from the light receiving element. It is to provide a strobe control device capable of accumulating electrical energy to increase the precision of control.

상기 목적을 이루기 위한 본 발명은, 카메라의 스트로브 램프(XE)를 온(On)시켜서 피사체에 조사하고 상기 피사체로의 조광량에 따라 상기 스트로브 램프(XE)를 오프(Off)시키는 스트로브 제어 장치로서, 전압 공급부, 출력 스위치(IGBT), 수광 소자(P-TR), 캐페시터(C3), 스위치(Q1), 및 최종 제어 회로를 포함한다. The present invention for achieving the above object is a strobe control device for turning on the strobe lamp (XE) of the camera to irradiate the subject and to turn off the strobe lamp (XE) in accordance with the amount of illumination to the subject And a voltage supply unit, an output switch IGBT, a light receiving element P-TR, a capacitor C3, a switch Q1, and a final control circuit.

상기 전압 공급부는 상기 스트로브 램프(XE)에 구동 전압을 인가한다. 상기 출력 스위치(IGBT)는, 상기 스트로브 램프(XE)의 음극과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 제1 논리 상태이면 턴 온(turn on)되어 상기 스트로브 램프(XE)를 온(on)시키고, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제1 논리 상태와 반대 논리 상태인 제2 논리 상태이면 턴 오프(turn off)되어 상기 스트로브 램프(XE)를 오프(off)시킨다. 상기 수광 소자(P-TR)는 그 일단에 직류 전압(VDD)이 인가되고 상기 피사체로부터 반사되는 빛의 밝기에 비례하여 자신의 저항값이 낮아진다. 상기 캐페시터(C3)는 상기 수광 소자(P-TR)의 타단과 상기 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어 충전 및 방전을 수행한다. 상기 스위치(Q1)는, 상기 캐페시터(C3)와 병렬 연결되어, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제2 논리 상태이면 턴 온되어 상기 캐페시터(C3)의 충전을 방지한다. 상기 최종 제어 회로는, 상기 캐페시터(C3)의 충전 전압이 기준 전압 이상이면, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제1 논리 상태임에도 불구하고 상기 출력 스위치(IGBT)를 턴 오프(turn off)시킨다.The voltage supply unit applies a driving voltage to the strobe lamp XE. The output switch IGBT is connected between the cathode of the strobe lamp XE and the terminal of the ground voltage GND, and is turned on when the external trigger signal TRIG is in a first logic state. When the strobe lamp XE is turned on and the external trigger signal TRIG is in a second logic state that is opposite to the first logic state, the strobe lamp XE is turned off to turn off the strobe lamp XE. Off. The light receiving element P-TR is applied with a DC voltage VDD at one end thereof, and has its resistance lower in proportion to the brightness of light reflected from the subject. The capacitor C3 is connected between the other end of the light receiving element P-TR and the terminal of the ground voltage GND to perform charging and discharging. The switch Q1 is connected in parallel with the capacitor C3 and is turned on when the external trigger signal TRIG is in the second logic state to prevent charging of the capacitor C3. The final control circuit turns off the output switch IGBT even if the external trigger signal TRIG is in the first logic state when the charging voltage of the capacitor C3 is equal to or greater than a reference voltage. Let's do it.

본 발명의 상기 스트로브 제어 장치에 의하면, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 출력 스위치(IGBT) 및 상기 스위치(Q1)의 동작에 개입되어 상기 수광 소자(P-TR)와 함께 효과적으로 사용됨으로써, 회로 소자들의 개수가 줄고, 스트로브 램프(XE)가 온(On)되는 시점에서부터 상기 수광 소자(P-TR)로부터의 전기적 에너지가 축적되어 제어의 정밀도가 높아질 수 있다.According to the strobe control device of the present invention, the external trigger signal (TRIG) is effectively used together with the light receiving element (P-TR) by being involved in the operation of the output switch (IGBT) and the switch (Q1), The number of circuit elements may be reduced, and electrical energy may be accumulated from the light receiving element P-TR from the time point at which the strobe lamp XE is turned on, thereby increasing control accuracy.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 상세히 설명된다.Hereinafter, preferred embodiments according to the present invention will be described in detail.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 스트로브 제어 장치는, 카메라의 스트로브 램프(XE)를 온(On)시켜서 피사체에 조사하고 피사체로의 조광량에 따라 스트로브 램프(XE)를 오프(Off)시키는 것으로서, 전압 공급부, 출력 스위치(IGBT), 수광 소자(P-TR), 제3 캐페시터(C3), 스위치로서의 PNP형 제1 양극성(bipolar) 트랜지스터(Q1), 트리거부(TRG), 및 최종 제어 회로를 포함한다. Referring to FIG. 1, the strobe control apparatus according to an embodiment of the present invention turns on the strobe lamp XE of the camera to illuminate the subject and turns off the strobe lamp XE according to the amount of illumination to the subject. (Off), the voltage supply unit, the output switch (IGBT), the light receiving element (P-TR), the third capacitor (C3), the PNP type first bipolar transistor (Q1) as the switch, the trigger unit (TRG) , And final control circuitry.

전압 공급부는 스트로브 램프(XE)에 구동 전압을 인가한다. 출력 스위치(IGBT)는, 스트로브 램프(XE)의 음극과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 높은 논리 상태이면 턴 온(turn on)되어 스트로브 램프(XE)를 온(on)시키고, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 낮은 논리 상태이면 턴 오프(turn off)되어 스트로브 램프(XE)를 오프(off)시킨다. 수광 소자(P-TR)는 그 일단에 직류 전압(VDD)이 인가되고 피사체로부터 반사되는 빛의 밝기에 비례하여 자신의 저항값이 낮아진다. 제3 캐페시터(C3)는 수광 소자(P-TR)의 타단과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어 충전 및 방전을 수행한다. PNP형 제1 양극성 트랜지스터(Q1)는, 제3 캐페시터(C3)와 병렬 연결되어, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제2 논리 상태이면 턴 온되어 제3 캐페시터(C3)의 충전을 방지한다. 상기 최종 제어 회로는, 제3 캐페시터(C3)의 충전 전압이 기준 전압 이상이면, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 높은 논리 상태임에도 불구하고 출력 스위치(IGBT)를 턴 오프(turn off)시킨다.The voltage supply unit applies a driving voltage to the strobe lamp XE. The output switch IGBT is connected between the negative pole of the strobe lamp XE and the terminal of the ground voltage GND, and is turned on when the external trigger signal TRIG is in a high logic state, and the strobe lamp XE is turned on. ) Is turned on and is turned off when the external trigger signal TRIG is in a low logic state to turn off the strobe lamp XE. The light receiving element P-TR is applied with a DC voltage VDD at one end thereof, and has its resistance lower in proportion to the brightness of light reflected from the subject. The third capacitor C3 is connected between the other end of the light receiving element P-TR and the terminal of the ground voltage GND to perform charging and discharging. The PNP type first bipolar transistor Q1 is connected in parallel with the third capacitor C3, and is turned on when the external trigger signal TRIG is in the second logic state to prevent charging of the third capacitor C3. . When the charging voltage of the third capacitor C3 is equal to or greater than the reference voltage, the final control circuit turns off the output switch IGBT even though the external trigger signal TRIG is in a high logic state.

이에 따라, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 출력 스위치(IGBT) 및 PNP형 제1 양극성 트랜지스터(Q1)의 동작에 개입되어 수광 소자(P-TR)와 함께 효과적으로 사용됨으로써, 회로 소자들의 개수가 줄고, 스트로브 램프(XE)가 온(On)되는 시점에서부터 상기 수광 소자(P-TR)로부터의 전기적 에너지가 축적되어 제어의 정밀도가 높아질 수 있다.Accordingly, the external trigger signal TRIG is effectively used together with the light receiving element P-TR through the operation of the output switch IGBT and the PNP type first bipolar transistor Q1, thereby reducing the number of circuit elements. When the strobe lamp XE is turned on, electrical energy from the light receiving element P-TR is accumulated, thereby increasing the accuracy of the control.

스트로브 램프(XE)로서 크세논(xenon) 램프가 사용된다. 서로 동기된 펄스들은 크세논 램프(XE)의 양극, 트리거 전극, 및 음극에 주기적으로 인가된다. 크세논 램프(XE)의 양극에 인가되는 펄스들의 전압은 트리거 전극에 인가되는 펄스들의 전압보다 낮고 음극에 인가되는 펄스들의 전압보다 높다.As the strobe lamp XE, xenon lamps are used. Pulses synchronized with each other are periodically applied to the anode, trigger electrode, and cathode of the xenon lamp XE. The voltage of the pulses applied to the anode of the xenon lamp XE is lower than the voltage of the pulses applied to the trigger electrode and higher than the voltage of the pulses applied to the cathode.

상기 전압 공급부는 발진부(GEN), 반파 정류기로서의 다이오드(D1), 제1 저항기(R1), 승압부(C1,T1), 및 제2 캐페시터(C2)를 포함한다. 외부적 발진 제어 신호(OSC)가 높은 논리 상태인 동안에만 동작하는 발진부(GEN)는, 통상적으로 사용되는 2.4 내지 6 볼트(V)의 직류 전압(VBATT)을 교류 전압으로 변환하여 300 볼트(V)로 승압시킨다. 다이오드(D1)는, 그 출력 단자가 크세논 램프(XE)의 양극에 연결되어, 발진부(GEN)로부터의 교류 전압을 반파 정류하여 정극성의 펄스들을 출력한다. 제1 저항기(R1)는, 다이오드(D1)의 출력 단자와 크세논 램프(XE)의 음극 사이에 연결되어, 다이오드(D1)로부터의 정극성의 펄스들의 전압을 낮추어 크세논 램프(XE)의 음극에 인가한다. 제1 캐페시터(C1)와 변압기(T1)를 포함한 승압부(C1,T1)는, 크세논 램프(XE)의 음극과 트리거 전극 사이에 연결되어, 반파 정류기(D1)로부터의 정극성의 펄스들의 전압을 높여서 크세논 램프(XE)의 트리거 전극에 인가한다. 승압부(C1,T1)의 제1 캐페시터(C1)는, 그 일단이 제1 저항기(R1)에 연결되어, 제1 저항기(R1)로부터의 전기 에너지를 축적한다. 승압부(C1,T1)의 변압기(T1)는, 제1 캐페시터(C1)의 타단과 크세논 램프(XE)의 트리거 전극 사이에 연결되어, 제1 캐페시터(C1)로부터의 전압을 3.5 킬로-볼트(KV)로 높여서 크세논 램프(XE)의 트리거 전극에 인가한다. 제2 캐페시터(C2)는 크세논 램프(XE)의 양극과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어 전기 에너지를 축적하고 노이즈를 제거한다.The voltage supply part includes an oscillator part GEN, a diode D1 as a half-wave rectifier, a first resistor R1, a booster part C1 and T1, and a second capacitor C2. The oscillator GEN, which operates only while the external oscillation control signal OSC is in a high logic state, converts a DC voltage VBATT of 2.4 to 6 volts (V), which is commonly used, into an alternating voltage, and then converts the voltage into 300 volts (V). Step up). The diode D1 has its output terminal connected to the anode of the xenon lamp XE, and half-wave rectifies the AC voltage from the oscillation section GEN to output the positive pulses. The first resistor R1 is connected between the output terminal of the diode D1 and the cathode of the xenon lamp XE to lower the voltage of the positive pulses from the diode D1 and apply it to the cathode of the xenon lamp XE. do. The boosting units C1 and T1 including the first capacitor C1 and the transformer T1 are connected between the negative electrode of the xenon lamp XE and the trigger electrode, so that the voltage of the positive pulses from the half-wave rectifier D1 can be obtained. It raises and applies to the trigger electrode of xenon lamp XE. One end of the first capacitor C1 of the boosting units C1 and T1 is connected to the first resistor R1 to accumulate electrical energy from the first resistor R1. The transformer T1 of the boosting units C1 and T1 is connected between the other end of the first capacitor C1 and the trigger electrode of the xenon lamp XE, so that the voltage from the first capacitor C1 is 3.5 kilo-volts. Raised to (KV) and applied to the trigger electrode of the xenon lamp (XE). The second capacitor C2 is connected between the anode of the xenon lamp XE and the terminal of the ground voltage GND to accumulate electrical energy and remove noise.

트리거부(TRG)는, 외부적 트리거 신호(TRIG)의 높은 논리 상태의 전압에 의하여 출력 스위치(IGBT)가 턴 온(turn on)되도록 외부적 트리거 신호(TRIG)의 높은 논리 상태의 전압을 높인다.The trigger unit TRG increases the voltage of the high logic state of the external trigger signal TRIG such that the output switch IGBT is turned on by the voltage of the high logic state of the external trigger signal TRIG. .

출력 스위치(IGBT)로서 NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(Insulated gate bipolar transistor)가 사용된다. NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터 (IGBT)의 컬렉터는 스트로브 램프(XE)의 음극에 연결된다. NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 에미터는 접지 전압(GND)의 단자에 연결된다. NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 게이트는 트리거부(TRG) 및 최종 제어 회로의 출력 단자들에 연결된다.As an output switch (IGBT), an NPN type gate-insulated-bipolar transistor is used. The collector of the NPN type gate-insulation-bipolar-transistor (IGBT) is connected to the cathode of the strobe lamp (XE). The emitter of the NPN type gate-insulation-bipolar-transistor (IGBT) is connected to the terminal of the ground voltage (GND). The gate of the NPN type gate-insulation-bipolar-transistor IGBT is connected to the trigger portion TRG and the output terminals of the final control circuit.

수광 소자(P-TR)로서 포토-트랜지스터가 사용된다. 이 포토-트랜지스터(P-TR)의 컬렉터는 상기 전원 전압(VDD)의 단자에 연결된다. 포토-트랜지스터(P-TR)의 에미터와 접지 전압(GND)의 단자 사이에 제3 캐페시터(C3)가 연결된다. 포토-트랜지스터(P-TR)의 베이스에서 발생되는 전류의 양은 피사체로부터 반사되는 빛의 밝기에 비례한다.A photo-transistor is used as the light receiving element P-TR. The collector of this photo-transistor P-TR is connected to the terminal of the power supply voltage VDD. The third capacitor C3 is connected between the emitter of the photo-transistor P-TR and the terminal of the ground voltage GND. The amount of current generated at the base of the photo-transistor P-TR is proportional to the brightness of light reflected from the subject.

상기 최종 제어 회로는 비교기(COMP), NPN형 제2 양극성 트랜지스터(Q2) 및 NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)를 포함한다. 비교기(COMP)의 부극성 입력 단자(-)는 포토-트랜지스터(P-TR)의 에미터에 연결된다. 비교기(COMP)의 정극성 입력 단자(+)에는 기준 전압이 인가된다. 비교기(COMP)의 출력 단자는 NPN형 제2 양극성 트랜지스터(Q2)의 베이스에 연결된다. NPN형 제2 양극성 트랜지스터(Q2)의 에미터는 접지 전압(GND)의 단자에 연결된다. NPN형 제2 양극성 트랜지스터(Q2)의 컬렉터는 NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결된다. NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)의 에미터는 접지 전압(GND)의 단자에 연결된다. NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)의 컬렉터는 NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 베이스 및 트리거부(TRG)의 출력 단자에 연결된다.The final control circuit includes a comparator COMP, an NPN type second bipolar transistor Q2, and an NPN type third bipolar transistor Q3. The negative input terminal (-) of the comparator COMP is connected to the emitter of the photo-transistor P-TR. A reference voltage is applied to the positive input terminal (+) of the comparator COMP. The output terminal of the comparator COMP is connected to the base of the NPN type second bipolar transistor Q2. The emitter of the NPN type second bipolar transistor Q2 is connected to the terminal of the ground voltage GND. The collector of the NPN type second bipolar transistor Q2 is connected to the base of the NPN type third bipolar transistor Q3. The emitter of the NPN type third bipolar transistor Q3 is connected to the terminal of the ground voltage GND. The collector of the NPN type third bipolar transistor Q3 is connected to the base of the NPN type gate-insulation-bipolar transistor IGBT and the output terminal of the trigger portion TRG.

도 1 및 2를 참조하여 도 1의 장치의 동작을 설명하면 다음과 같다. 도 2에서 참조 부호 OSC는 발진부(GEN)에 입력되는 발진 제어 신호를, VC2는 제2 캐페시터(C2)의 충전 전압을, TRIG는 출력 스위치(IGBT) 및 PNP형 제1 양극성 트랜지스터(Q1)의 동작에 개입되는 외부적 트리거 신호를, VC는 도 1의 c점의 전압을, Va는 도 1의 a점의 전압을, 그리고 Vb는 도 1의 b점의 전압을 각각 가리킨다.The operation of the apparatus of FIG. 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2 as follows. In FIG. 2, reference numeral OSC denotes an oscillation control signal input to the oscillator GEN, V C2 denotes a charging voltage of the second capacitor C2, and TRIG denotes an output switch IGBT and a PNP type first bipolar transistor Q1. The external trigger signal involved in the operation of V C denotes the voltage at point c in FIG. 1, Va denotes the voltage at point a in FIG. 1, and V b denotes the voltage at point b in FIG. 1.

발진 제어 신호(OSC)가 높은 논리 전압(VH1)의 상태인 t1~t2 시간에 있어서, 발진부(GEN)는 300 볼트(V)의 정현파 교류 전압을 출력하고, 다이오드(D1)는 발진부(GEN)로부터의 교류 전압을 반파 정류하여 정극성의 펄스들을 출력한다. 이에 따라, 제2 캐페시터(C2)는 다이오드(D1)로부터의 전기 에너지를 축적하고, 크세논 램프(XE)의 각 전극에는 구동 전압이 인가된다. 하지만, 트리거 신호(TRIG)가 접지 전압(GND)인 낮은 논리 전압의 상태이므로, 트리거부(TRG)로부터 제8 저항기(R8)를 통하여 낮은 논리 전압이 출력되어, NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT) 및 크세논 램프(XE)가 오프(off)된다.In the time t1 to t2 when the oscillation control signal OSC is in the state of the high logic voltage V H1 , the oscillator GEN outputs a sine wave AC voltage of 300 volts (V), and the diode D1 is the oscillator GEN. A half-wave rectified AC voltage from) outputs positive pulses. Accordingly, the second capacitor C2 accumulates electrical energy from the diode D1, and a driving voltage is applied to each electrode of the xenon lamp XE. However, since the trigger signal TRIG is in the state of a low logic voltage of the ground voltage GND, a low logic voltage is output from the trigger section TRG through the eighth resistor R8, so that the NPN gate-insulation-bipolar- Transistor IGBT and xenon lamp XE are off.

한편, 트리거 신호(TRIG)가 접지 전압(GND)인 낮은 논리 전압의 상태인 시간(t1~t3, t7~t10)에서는, PNP형 제1 양극성 트랜지스터(Q1)가 온(on)되므로, 포토-트랜지스터(P-TR)의 동작에 의하여 a 점에 인가되는 전기 에너지가 PNP형 제1 양극성 트랜지스터(Q1)를 통하여 바이패스(bypass)된다. 이에 따라, 제3 캐페시터(C3)에 전기 에너지가 축적되지 않으므로, 스트로브 램프(XE)가 온(On)되기 전에 포토-트랜지스터(P-TR)로부터의 전기적 에너지가 축적됨을 방지할 수 있다. 또한, 비교기(COMP)의 음극 입력 단자에 기준 전압보다 낮은 전압이 인가되므로, 비교기(COMP)로부터 높은 논리 전압이 출력되어, NPN형 제2 양극성 트랜지스터(Q2)가 턴-온(turn on)되고, NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)가 턴-오프(turn off)된다. 하지만, 트리거부(TRG)로부터 제8 저항기(R8)를 통하여 낮은 논리 전압이 출력되므로, NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT) 및 크세논 램프(XE)는 오프(off)된다. On the other hand, at the times t1 to t3 and t7 to t10 when the trigger signal TRIG is in the state of the low logic voltage at which the ground voltage GND is, the PNP type first bipolar transistor Q1 is turned on. Electrical energy applied to point a by the operation of the transistor P-TR is bypassed through the PNP type first bipolar transistor Q1. Accordingly, since electrical energy is not accumulated in the third capacitor C3, electrical energy from the photo-transistor P-TR may be prevented from being accumulated before the strobe lamp XE is turned on. In addition, since a voltage lower than the reference voltage is applied to the negative input terminal of the comparator COMP, a high logic voltage is output from the comparator COMP so that the NPN type second bipolar transistor Q2 is turned on. The NPN type third bipolar transistor Q3 is turned off. However, since a low logic voltage is output from the trigger portion TRG through the eighth resistor R8, the NPN type gate-insulation-bipolar transistor IGBT and the xenon lamp XE are turned off.

t2~t3 시간에서는 제2 캐페시터(C2)가 만충전되어, 크세논 램프(XE)의 양극에 구동 전압이 인가된다.In time t2-t3, the 2nd capacitor C2 is fully charged and a drive voltage is applied to the anode of xenon lamp XE.

다음에, 트리거 신호(TRIG)가 높은 논리 전압(VH3)의 상태로 전환되는 t3 시점에서는, PNP형 제1 양극성 트랜지스터(Q1)가 오프(off)되므로, 포토-트랜지스터(P-TR)의 동작에 의하여 a 점에 인가되는 전기 에너지가 제3 캐페시터(C3)에 축적되기 시작한다. 여기서, 비교기(COMP)의 음극 입력 단자에 인가되는 제3 캐페시터(C3)의 충전 전압이 기준 전압보다 낮으므로, 비교기(COMP)로부터 높은 논리 전압이 출력되어, NPN형 제2 양극성 트랜지스터(Q2)가 턴-온(turn on)되고, NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)가 턴-오프(turn off)된다. 또한, 트리거부(TRG)로부터 제8 저항기(R8)를 통하여 높은 논리 전압이 출력되므로, NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT) 및 크세논 램프(XE)는 온(on)된다.Next, at the time t3 at which the trigger signal TRIG is switched to the state of the high logic voltage V H3 , the PNP type first bipolar transistor Q1 is turned off, so that the photo-transistor P-TR is turned off. By operation, electric energy applied to point a begins to accumulate in the third capacitor C3. Here, since the charging voltage of the third capacitor C3 applied to the negative input terminal of the comparator COMP is lower than the reference voltage, a high logic voltage is output from the comparator COMP, so that the NPN type second bipolar transistor Q2 is output. Is turned on, and the NPN type third bipolar transistor Q3 is turned off. In addition, since a high logic voltage is output from the trigger portion TRG through the eighth resistor R8, the NPN type gate-insulation-bipolar-transistor IGBT and the xenon lamp XE are turned on.

다음에, 피사체로부터 반사되는 빛의 휘도가 높아서 t4 시점에서 제3 캐페시터(C3)의 충전 전압(Va 참조)이 기준 전압(VREF)보다 높아진 경우, t4 시점으로부터 비교기(COMP)로부터 낮은 논리 전압(Vb 참조)이 출력되어, NPN형 제2 양극성 트랜지스터(Q2)가 턴-오프(turn off)되고, NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)가 턴-온(turn on)된다. 이에 따라, 트리거부(TRG)로부터 제8 저항기(R8)를 통하여 흐르는 전류가 NPN형 제3 양극성 트랜지스터(Q3)로 바이패스(bypass)되므로, 트리거 신호(TRIG)가 높은 논리 전압(VH3)의 상태임에도 불구하고, NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 게이트에 낮은 논리 전압이 인가된다(Vc 참조). 이에 따라, NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)가 오프(off)되므로, 크세논 램프(XE)도 오프(off)된다.Next, when the brightness of light reflected from the subject is high and the charging voltage Va of the third capacitor C3 becomes higher than the reference voltage V REF at time t4, the logic voltage lower from the comparator COMP from time t4. (See Vb) is output, the NPN type second bipolar transistor Q2 is turned off, and the NPN type third bipolar transistor Q3 is turned on. As a result, the current flowing from the trigger unit TRG through the eighth resistor R8 is bypassed to the NPN type third bipolar transistor Q3, so that the trigger signal TRIG has a high logic voltage V H3 . In spite of the state of, a low logic voltage is applied to the gate of the NPN type gate-insulation-bipolar-transistor (IGBT) (see Vc). Accordingly, since the NPN type gate-insulation-bipolar transistor IGBT is turned off, the xenon lamp XE is also turned off.

따라서, 크세논 램프(XE)가 온(off)되는 시간(t3~t4, t3~t5, 또는 t3~t6)은 피사체로부터 반사되는 빛의 휘도 즉, 피사체로의 조광량에 반비례한다.Accordingly, the time t3 to t4, t3 to t5, or t3 to t6 when the xenon lamp XE is turned off is inversely proportional to the brightness of the light reflected from the subject, that is, the amount of dimming to the subject.

트리거 신호(TRIG)가 낮은 논리 전압(GND)의 상태로 전환되는 t7 시점 이후의 동작에 대해서는 이미 설명된 바와 같다. The operation after the time point t7 when the trigger signal TRIG is switched to the state of the low logic voltage GND is as described above.

이상 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 스트로브 제어 장치에 의하면, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT) 및 제1 양극성 트랜지스터(Q1)의 동작에 개입되어 포토-트랜지스터(P-TR)와 함께 효과적으로 사용된다. 이에 따라, 회로 소자들의 개수가 줄어들고, 크세논 램프(XE)가 온(On)되는 시점에서부터 포토-트랜지스터(P-TR)로부터의 전기적 에너지가 축적되어 제어의 정밀도가 높아질 수 있다. As described above, according to the strobe control device according to the present invention, the external trigger signal (TRIG) is involved in the operation of the gate-insulation-bipolar transistor (IGBT) and the first bipolar transistor (Q1) photo-transistor Used effectively with (P-TR). Accordingly, the number of circuit elements is reduced, and electrical energy from the photo-transistor P-TR is accumulated from the time point when the xenon lamp XE is on, so that the precision of the control can be increased.

본 발명은, 상기 실시예에 한정되지 않고, 청구범위에서 정의된 발명의 사상 및 범위 내에서 당업자에 의하여 변형 및 개량될 수 있다.The present invention is not limited to the above embodiments, but may be modified and improved by those skilled in the art within the spirit and scope of the invention as defined in the claims.

도 1은 본 발명에 따른 스트로브 제어 장치의 구성을 보여주는 도면이다.1 is a view showing the configuration of a strobe control device according to the present invention.

도 2는 도 1의 장치의 동작을 보여주는 타이밍도이다.2 is a timing diagram illustrating operation of the apparatus of FIG. 1.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

XE...스트로브 램프, GND...접지 전압,XE ... strobe lamp, GND ... ground voltage,

TRIG...트리거 신호, IGBT...게이트-절연-양극성-트랜지스터,TRIG ... trigger signal, IGBT ... gate-isolated-bipolar-transistor,

P-TR...포토-트랜지스터, VBATT, VDD...직류 전압,P-TR ... photo-transistor, VBATT, VDD ... DC voltage,

OSC...발진 제어 신호, P-TR...포토-트랜지스터,OSC ... oscillation control signal, P-TR ... photo-transistor,

GEN...발진부, TRG...트리거부,GEN ... oscillator, TRG ... trigger,

C1 내지 C4...캐페시터, Q1 내지 Q3...트랜지스터,C1 to C4 ... capacitor, Q1 to Q3 ... transistor,

T1...변압기, COMP...비교기.T1 ... transformer, COMP ... comparator.

Claims (10)

카메라의 스트로브 램프(XE)를 온(On)시켜서 피사체에 조사하고 상기 피사체로의 조광량에 따라 상기 스트로브 램프(XE)를 오프(Off)시키는 스트로브 제어 장치에 있어서, In the strobe control device to turn on the strobe lamp (XE) of the camera to irradiate the subject and to turn off the strobe lamp (XE) in accordance with the amount of illumination to the subject, 상기 스트로브 램프(XE)에 구동 전압을 인가하는 전압 공급부;A voltage supply unit applying a driving voltage to the strobe lamp XE; 상기 스트로브 램프(XE)의 음극과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어, 외부적 트리거 신호(TRIG)가 제1 논리 상태이면 턴 온(turn on)되어 상기 스트로브 램프(XE)를 온(on)시키고, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제1 논리 상태와 반대 논리 상태인 제2 논리 상태이면 턴 오프(turn off)되어 상기 스트로브 램프(XE)를 오프(off)시키는 출력 스위치(IGBT);It is connected between the cathode of the strobe lamp (XE) and the terminal of the ground voltage (GND), when the external trigger signal (TRIG) is a first logic state is turned on (turn on) to turn on the strobe lamp (XE) ( an output switch to turn off the strobe lamp XE when the external trigger signal TRIG is in a second logic state that is opposite to the first logic state. IGBT); 그 일단에 직류 전압(VDD)이 인가되고 상기 피사체로부터 반사되는 빛의 밝기에 비례하여 자신의 저항값이 낮아지는 수광 소자(P-TR);A light receiving element (P-TR) having a DC voltage (VDD) applied to one end thereof and having a lower resistance value in proportion to the brightness of light reflected from the subject; 상기 수광 소자(P-TR)의 타단과 상기 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어 충전 및 방전을 수행하는 캐페시터(C3);A capacitor C3 connected between the other end of the light receiving element P-TR and a terminal of the ground voltage GND to perform charging and discharging; 상기 캐페시터(C3)와 병렬 연결되어, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제2 논리 상태이면 턴 온되어 상기 캐페시터(C3)의 충전을 방지하는 스위치(Q1); 및A switch (Q1) connected in parallel with the capacitor (C3) to turn on when the external trigger signal (TRIG) is in the second logic state to prevent charging of the capacitor (C3); And 상기 캐페시터(C3)의 충전 전압이 기준 전압 이상이면, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)가 상기 제1 논리 상태임에도 불구하고 상기 출력 스위치(IGBT)를 턴 오프(turn off)시키는 최종 제어 회로를 포함한 스트로브 제어 장치.And a final control circuit for turning off the output switch IGBT even if the external trigger signal TRIG is in the first logic state when the charging voltage of the capacitor C3 is equal to or greater than a reference voltage. Strobe control device. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 스트로브 램프(XE)가 크세논(xenon) 램프이고,The strobe lamp XE is a xenon lamp, 서로 동기된 펄스들이 상기 크세논 램프(XE)의 양극, 트리거 전극, 및 음극에 주기적으로 인가되며,Pulses synchronized with each other are periodically applied to the anode, trigger electrode, and cathode of the xenon lamp XE, 상기 크세논 램프(XE)의 양극에 인가되는 펄스들의 전압이 상기 트리거 전극에 인가되는 펄스들의 전압보다 낮고 상기 음극에 인가되는 펄스들의 전압보다 높은 스트로브 제어 장치.The strobe control device having a voltage of the pulses applied to the anode of the xenon lamp (XE) is lower than the voltage of the pulses applied to the trigger electrode and higher than the voltage of the pulses applied to the cathode. 제2항에 있어서, 상기 전압 공급부가,The method of claim 2, wherein the voltage supply unit, 통상적으로 사용되는 직류 전압(VBATT)을 교류 전압으로 변환하여 승압시키는 발진부(GEN);An oscillation unit GEN for converting a DC voltage VBATT, which is commonly used, into an AC voltage and then boosting it; 그 출력 단자가 상기 크세논 램프(XE)의 양극에 연결되어, 상기 발진부(GEN)로부터의 교류 전압을 반파 정류하여 정극성의 펄스들을 출력하는 반파 정류기(D1); A half-wave rectifier (D1) whose output terminal is connected to the anode of the xenon lamp (XE), and half-wave rectifies the AC voltage from the oscillator (GEN) to output positive pulses; 상기 반파 정류기(D1)의 출력 단자와 상기 크세논 램프(XE)의 음극 사이에 연결되어, 상기 반파 정류기(D1)로부터의 정극성의 펄스들의 전압을 낮추어 상기 크세논 램프(XE)의 음극에 인가하는 저항기(R1); 및 A resistor connected between the output terminal of the half-wave rectifier D1 and the cathode of the xenon lamp XE to lower the voltage of the positive pulses from the half-wave rectifier D1 to apply to the cathode of the xenon lamp XE. (R1); And 상기 크세논 램프(XE)의 음극과 트리거 전극 사이에 연결되어, 상기 반파 정류기(D1)로부터의 정극성의 펄스들의 전압을 높여서 상기 크세논 램프(XE)의 트리거 전극에 인가하는 승압부를 포함한 스트로브 제어 장치.And a booster connected between the negative electrode of the xenon lamp (XE) and the trigger electrode to increase the voltage of the positive pulses from the half-wave rectifier (D1) and apply the voltage to the trigger electrode of the xenon lamp (XE). 제3항에 있어서, 상기 전압 공급부의 승압부가,The voltage boosting unit of claim 3, 그 일단이 상기 저항기(R1)에 연결되어, 상기 저항기(R1)로부터의 전기 에너지를 축적하는 캐페시터(C1); 및A capacitor C1, one end of which is connected to the resistor R1 to accumulate electrical energy from the resistor R1; And 상기 캐페시터(C1)의 타단과 상기 크세논 램프(XE)의 트리거 전극 사이에 연결되어, 상기 캐페시터(C1)로부터의 전압을 높여서 상기 크세논 램프(XE)의 트리거 전극에 인가하는 변압기(T1)를 포함한 스트로브 제어 장치.A transformer (T1) connected between the other end of the capacitor (C1) and the trigger electrode of the xenon lamp (XE) to increase the voltage from the capacitor (C1) and apply it to the trigger electrode of the xenon lamp (XE). Strobe control device. 제4항에 있어서, 상기 전압 공급부가,The method of claim 4, wherein the voltage supply unit, 상기 크세논 램프(XE)의 양극과 접지 전압(GND)의 단자 사이에 연결되어 전기 에너지를 축적하고 노이즈를 제거하는 캐페시터(C2)를 더 포함한 스트로브 제어 장치.And a capacitor (C2) connected between the anode of the xenon lamp (XE) and the terminal of the ground voltage (GND) to accumulate electrical energy and remove noise. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 논리 상태가 높은 논리 상태이고, 상기 제2 논리 상태가 낮은 논리 상태인 스트로브 제어 장치.The strobe control device wherein the first logic state is a high logic state and the second logic state is a low logic state. 제6항에 있어서, The method of claim 6, 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)의 높은 논리 상태의 전압에 의하여 상기 출력 스위치(IGBT)가 턴 온(turn on)되도록 상기 외부적 트리거 신호(TRIG)의 높은 논리 상태의 전압을 높이는 트리거부(TRG)를 더 포함한 스트로브 제어 장치.Trigger unit TRG for increasing the voltage of the high logic state of the external trigger signal (TRIG) so that the output switch (IGBT) is turned on by the voltage of the high logic state of the external trigger signal (TRIG) Strobe control device further including). 제7항에 있어서, The method of claim 7, wherein 상기 출력 스위치(IGBT)가 NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(Insulated gate bipolar transistor)이고,The output switch (IGBT) is an NPN type gate-insulated-bipolar transistor. 상기 NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 컬렉터가 상기 스트로브 램프(XE)의 음극에 연결되며,The collector of the NPN type gate-insulation-bipolar transistor (IGBT) is connected to the cathode of the strobe lamp (XE), 상기 NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 에미터가 상기 접지 전압(GND)의 단자에 연결되고,An emitter of the NPN type gate-insulation-bipolar transistor (IGBT) is connected to a terminal of the ground voltage (GND), 상기 NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 게이트가 상기 트리거부(TRG) 및 최종 제어 회로의 출력 단자들에 연결되는 스트로브 제어 장치.And a gate of the NPN type gate-insulation-bipolar transistor (IGBT) is connected to the trigger portion (TRG) and output terminals of the final control circuit. 제8항에 있어서, The method of claim 8, 상기 수광 소자(P-TR)가 포토-트랜지스터이고,The light receiving element P-TR is a photo-transistor, 상기 포토-트랜지스터(P-TR)의 컬렉터가 상기 전원 전압(VDD)의 단자에 연결되며, The collector of the photo-transistor P-TR is connected to the terminal of the power supply voltage VDD, 상기 포토-트랜지스터(P-TR)의 에미터와 상기 접지 전압(GND)의 단자 사이에 상기 캐페시터(C3)가 연결되고,The capacitor C3 is connected between the emitter of the photo-transistor P-TR and the terminal of the ground voltage GND, 상기 포토-트랜지스터(P-TR)의 베이스에서 발생되는 전류의 양이 상기 피사체로부터 반사되는 빛의 밝기에 비례한 스트로브 제어 장치.The strobe control device in which the amount of current generated at the base of the photo-transistor (P-TR) is proportional to the brightness of light reflected from the subject. 제9항에 있어서, The method of claim 9, 상기 최종 제어 회로가 비교기(COMP) 및 두 개의 NPN형 양극성 트랜지스터들(Q2,Q3)을 포함하고,The final control circuit comprises a comparator (COMP) and two NPN type bipolar transistors (Q2, Q3), 상기 비교기(COMP)의 부극성 입력 단자(-)가 상기 포토-트랜지스터(P-TR)의 에미터에 연결되며, The negative input terminal (-) of the comparator COMP is connected to the emitter of the photo-transistor P-TR, 상기 비교기(COMP)의 정극성 입력 단자(+)에 기준 전압이 인가되고,A reference voltage is applied to the positive input terminal (+) of the comparator COMP, 상기 비교기(COMP)의 출력 단자가 상기 한 NPN형 양극성 트랜지스터(Q2)의 베이스에 연결되며,The output terminal of the comparator COMP is connected to the base of the NPN bipolar transistor Q2, 상기 한 NPN형 양극성 트랜지스터(Q2)의 에미터가 상기 접지 전압(GND)의 단자에 연결되고,An emitter of the NPN bipolar transistor Q2 is connected to a terminal of the ground voltage GND, 상기 한 NPN형 양극성 트랜지스터(Q2)의 컬렉터가 상기 또다른 NPN형 양극성 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결되며,The collector of the one NPN bipolar transistor Q2 is connected to the base of the another NPN bipolar transistor Q3, 상기 또다른 NPN형 양극성 트랜지스터(Q3)의 에미터가 상기 접지 전압(GND)의 단자에 연결되고, The emitter of the another NPN type bipolar transistor Q3 is connected to the terminal of the ground voltage GND, 상기 또다른 NPN형 양극성 트랜지스터(Q3)의 컬렉터가 상기 NPN형 게이트-절연-양극성-트랜지스터(IGBT)의 베이스 및 상기 트리거부(TRG)의 출력 단자에 연결되는 스트로브 제어 장치.And a collector of the another NPN type bipolar transistor (Q3) is connected to the base of the NPN type gate-insulation-bipolar transistor (IGBT) and the output terminal of the trigger portion (TRG).
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