KR100499866B1 - 요철모양의 금형을 이용한 ｍｃｐ 제작 방법 및 장치 - Google Patents

요철모양의 금형을 이용한 ｍｃｐ 제작 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마이크로 채널 플레이트(Micro-channel Plate: MCP) 제작 방법 및 MCP 제작용 금형장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 요철모양의 MCP 제작용 금형장치와, 이를 이용하여 성형된 요철모양의 기판에 이차전자 방출물질을 도포하여 적층함으로써 저렴하고 간단한 공정으로 MCP를 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 요철 모양의 금형을 이용한 MCP 제작 방법에 있어서, 편평한 제 1기판을 요철 모양의 금형위에 위치시키는 단계; 제 1기판에 압력을 가하여 제 1기판의 양면이 요철모양을 갖도록 하는 단계; 요철모양의 제 1기판과 편평한 제 2기판 각각의 양표면에 이차전자 방출 물질을 도포하는 단계: 및 이차전자 방출 물질이 도포된 요철모양의 제 1기판과 편평한 제 2기판을 번갈아 적층하여 마이크로 채널을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명은 보다 용이하게 대면적의 MCP를 제작할 수 있고, MCP의 제작 단가를 절감시키는 효과를 제공한다.

Description

요철모양의 금형을 이용한 ＭＣＰ 제작 방법 및 장치{A Method and an Apparatus for Fabricating Micro-channel Plate Using Corrugated Molds}
본 발명은 마이크로 채널 플레이트(Micro-channel Plate: MCP) 제작 방법 및 MCP 제작용 금형장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 요철모양의 MCP 제작용 금형장치와, 이를 이용하여 성형된 요철모양의 기판에 이차전자 방출물질을 도포하여 적층함으로써 저렴하고 간단한 공정으로 MCP를 제작하는 방법에 관한 것이다.
MCP는 다수의 마이크로 채널들이 수직방향으로 배열된 판 형상의 전자부품으로 각 마이크로 채널들은 입력 전자의 수를 증폭시키는 역할을 하기 때문에 전자증폭이 필요한 전자장치에 많이 사용되고 있다. MCP는 광증폭 튜브(Photomultiplier Tube)와 이미지 증폭 튜브(Image-intensifier Tube)와 같은 고이득 검출기에서 증폭장치 역할을 하며, 나이트 비젼 시스템(Night Vision System), 레이저 위성 조준 시스템 (Laser Satellite Ranging System), 소프트 엑스레이 천체망원경, 행성 탐사용 스펙트로미터(spectrometer)와 같은 광학 제품, 고속 오실로스코프(oscilloscope), 엑스레이 이미지 증폭기 등과 같은 매우 다양한 분야에서 사용된다.
도 1a는 통상적인 MCP의 구조를 나타낸다. MCP는 일반적으로 104~107 개의 수직방향으로 배열된 마이크로 채널(11)을 갖으며, 마이크로 채널의 지름은 10~100μm이고, 길이는 지름의 40~100배 정도이다. 최근에는 마이크로 채널의 지름이 수μm에 불과한 MCP도 출시되고 있다. 마이크로 채널(11)은 플랜지(12)에 의해 고정되며, 전극(13)이 마이크로 채널(11)의 양단면에 설치되어 있다. 전극(13)에는 이차 전자의 가속을 위하여 약 1000 V 정도의 전압이 가해지며, 이 때 마이크로 채널(11)을 통하여 흐르는 전류는 수 μA 정도이다.
MCP의 전자 증폭 원리를 살펴보면 다음과 같다. MCP의 마이크로 채널(11)로 들어온 높은 에너지의 초기 일차 전자가 마이크로 채널(11) 벽에 코팅된 이차전자 방출 물질에 부딪치게 되면, 에너지가 높아진 이차전자 방출 물질 내부의 전자들이 마이크로 채널(11)로 방출되게 된다. 이때 방출된 이차 전자들은 일차 전자에 비하여 낮은 에너지를 가지며, 마이크로 채널(11) 벽에 충돌할 때까지 마이크로 채널(11) 내부에 걸려진 전기장에 의하여 가속되고, 이로 인하여 운동 에너지가 높아진 각각의 전자들은 다시 마이크로 채널(11) 벽에 부딪쳐 이차 전자 방출 현상을 일으키게 된다.
이러한 일련의 전자 충돌 및 방출 과정은 모든 전자들이 마이크로 채널(11)을 빠져나갈 때까지 연속적으로 일어나기 때문에 전자의 수는 마이크로 채널(11)의 길이방향을 따라 기하급수적으로 증가하며 마이크로 채널(11)의 출구에서는 초기 일차 전자보다 104배 이상의 많은 전자들이 빠져나가게 된다.
도 1b는 종래의 MCP 제작 공정을 나타낸다. 먼저, 튜브 형상의 유리(17)와 원통형 코어(Core) 유리(16)를 결합하여 유리 섬유를 만들고 열을 가하여 연성을 높인 후, 여러 번의 인발(drawing) 공정을 통하여 유리 섬유의 직경을 감소시킨다. 다음에, 직경이 작아진 유리 섬유들을 쌓아 다발을 만든 후 결합시켜 하나의 MCP 소재를 만든다. 제작된 MCP 소재를 수직 방향에 대해 0~10°정도의 경사 각을 갖고 40 ~ 100 배정도의 직경 대 길이 비를 갖도록 절단한 후, 코어 유리(16)를 식각(etching)하여 마이크로 채널(11)을 형성한다. 코어 유리(16)와 튜브 형상의 유리(17)는 식각에 관한 화학적인 특성이 달라, 식각 공정시 코어 유리(16)는 식각되어 제거되는 반면, 튜브 형상의 유리(17)는 그대로 남아 마이크로 채널(11)이 형성된다. 마지막으로, 마이크로 채널(11)을 플랜지(12)로 고정하고 마이크로 채널(11)의 양단면에 전극(13)을 설치한 후, 수소 분위기에서 환원과정을 통하여 마이크로 채널(11) 벽의 저항 값을 조절하면 MCP의 제작이 완료된다.
상술한 바와 같은 공정으로 제작되는 MCP는 유리섬유의 인발 공정시 균일한 직경감소가 요구되고, 유리섬유 다발의 결합시 중앙부근에서 과도한 온도상승이 발생하기 때문에 가격이 높고 대면적 MCP 제작이 어려운 단점을 가지고 있다.
이러한 단점을 극복하기 위하여, 미국 특허 제 5,565,729호는 채널 모양이 새겨진 로울러를 사용하여 MCP를 제작하는 방법을 제시한다. 먼저, 채널 모양이 새겨진 로울러에 필름을 통과시켜 필름에 채널 모양을 만든 후 이를 연속적으로 원통에 감는다. 다음으로 원통에 감긴 필름을 결합시키고 반지름 방향으로 마이크로 채널의 길이와 같은 폭으로 절단한 후, 마이크로 채널 내에 이차 전자 방출 물질을 코팅함으로써 MCP를 제작한다. 그러나, 이 방법은 마이크로 채널이 이미 형성된 상태에서 마이크로 채널 지름의 40~100배 정도의 길이를 갖는 긴 마이크로 채널 내부에 이차전자 방출 물질을 코팅하여야 하므로, 고정밀의 코팅공정으로 인하여 제작 단가가 상승되는 문제점을 가지고 있다.
한편, 미국 특허 제 5,997,713호에는 실리콘 에칭 공정을 이용한 MCP 제작 방법이 제시되어 있다. 그러나, 이 발명은 대면적 실리콘 웨이퍼(wafer)의 제작이 어렵기 때문에 대면적 MCP를 제작할 수 없는 문제점을 가지고 있다.
또한, 미국 특허 제 6,0456,77호에는 아노다이징(anodizing)을 이용한 MCP 제작방법이 제시되어 있다. 이 방법에 의하면, 아노다이징을 이용하여 금속 표면을 산화시킬 때 산화물에 지름 5~500 nm의 마이크로 채널을 30 nm 간격으로 형성하고, 산화막의 두께를 증가시켜 MCP를 제작한다. 그러나, 이 발명 역시 미국 특허 제 5,565,729호와 마찬가지로 고정밀의 이차전자 방출 물질 코팅공정이 요구되기 때문에 코팅 공정에서 제작단가가 상승하는 문제점을 가지고 있다.
전술한 바와 같이, 종래의 MCP 제작 방법은 마이크로 채널의 제작공정에 대하여 새로운 방법만을 제시하고 있을 뿐, 마이크로 채널 벽에 이차전자 방출 물질을 코팅할 수 있는 저가의 코팅 공정을 제시하지 않고 있기 때문에 대면적의 저가형 MCP를 제작하기가 어렵다. 따라서, 이를 해결하기 위해서는 마이크로 채널 제작공정과 이차전자 방출 물질 코팅 공정을 함께 고려한 MCP 제작방법의 개발이 필요하다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 이차전자 방출물질이 코팅된 대면적의 MCP를 저렴한 가격으로 제작할 수 있는 MCP 제작방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 본 발명에 따른 MCP 제작 방법에 적합한 요철모양의 MCP 제작용 금형장치를 제공하는 데 있다.
본 발명은 요철 모양의 금형을 이용한 MCP 제작 방법에 있어서, 편평한 제 1기판을 요철 모양의 금형위에 위치시키는 단계; 제 1기판에 압력을 가하여 제 1기판의 양면이 요철모양을 갖도록 하는 단계; 요철모양의 제 1기판과 편평한 제 2기판 각각의 양표면에 이차전자 방출 물질을 도포하는 단계: 및 이차전자 방출 물질이 도포된 요철모양의 제 1기판과 편평한 제 2기판을 번갈아 적층하여 마이크로 채널을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이차전자 방출 물질을 도포하기 전에 요철모양의 제 1기판과 편평한 제 2기판 각각의 양표면에 전기 전도체 물질을 도포하여 이차전자 방출물질에 전자공급이 원활히 이루어지도록 할 수 있다.
본 발명은 다른 형태로서, 요철 모양의 금형을 이용한 MCP 제작 방법에 있어서, 편평한 기판을 요철 모양의 금형위에 위치시키는 단계; 기판에 압력을 가하여 기판의 한쪽 면이 요철모양을 갖도록 하는 단계; 한쪽 면이 요철모양인 기판의 양표면에 이차전자 방출 물질을 도포하는 단계: 및 이차전자 방출 물질이 도포된 기판을 적층하여 마이크로 채널을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다. 이차전자 방출 물질을 도포하기 전에 한쪽 면이 요철모양인 기판의 양표면에 전기 전도체 물질을 도포하여 이차전자 방출물질에 전자 공급이 원활히 이루어지도록 할 수 있다.
본 발명에 따른 MCP 제작용 금형 장치로서, 제 1박판; 제 1박판보다 높이가 낮은 제 2박판; 및 제 1박판과 제 2박판을 결합하여 고정시키는 결합고정수단을 포함하며, 제 1박판과 제 2박판은 교대로 배열되어 요철모양을 형성하고, 제 2박판은 요철모양에 의해 형성된 골짜기 부분에 진공이 가해질 수 있도록 공기통로를 갖는 MCP 제작용 금형장치가 제공된다.
이하에서는 본 발명의 바람직한 실시 예들을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 MCP 제작용 금형장치의 일 실시예를 나타내는 도면이다.
본 발명에 따른 MCP 제작용 금형장치는 높이가 다른 두 종류의 박판(101,102), 블록(103), 볼트(104), 너트(105)로 이루어진다. 높은 높이의 박판 (101)과 낮은 높이의 박판 (102)을 번갈아 배열한 후, 블록(103)과 볼트 (104) 및 너트(105)와 같이 압축력을 가할 수 있는 기구를 사용하여 고정시키면 요철 모양의 금형장치가 제작된다.
박판(101,102)은 스테인리스강이나 구리 등 다양한 재료가 사용될 수 있으며 두께는 제작할 마이크로채널의 크기에 따라 수십μm에서 수백μm 크기를 갖는다. 높은 높이의 박판(101)과 낮은 높이의 박판(102)의 높이 차도 마이크로 채널의 크기에 따라 수십μm에서 수백μm 크기를 갖는다. 블록(103)과 볼트(104) 및 너트(105)는 반복 배열된 박판(101,102)을 고정시키기 위한 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 블록(103)과 볼트(104) 및 너트(105) 이외의 다양한 고정기구를 사용하여 박판(101,102)을 고정시킬 수 있음을 알 것이다.
제작된 금형의 골짜기 부분(106)은 후술하는 MCP 제작공정 중 진공을 가할 수 있어야 하므로 공기가 빠져나갈 수 있는 통로가 필요하다. 공기가 빠져 나갈 수 있는 통로를 형성하는 방법으로, 낮은 높이의 박판(102) 일부를 잘라내는 방법, 다공성 재료로 제작된 박판을 이용하는 방법, 박판의 일부나 전부를 거칠게 처리하는 방법 등이 있다.
도 3a는 낮은 높이의 박판(102) 일부를 잘라내는 방법에 의해 형성된 금형장치를 나타낸다. 낮은 높이의 박판 (102)의 상부에 미세한 틈(105)이 형성되고, 두 종류의 박판(101,102)을 관통하는 홀(106)이 미세한 틈(105)과 연결된다. MCP 제작공정 중에 진공을 가하면 틈(105)과 홀(106)을 통하여 금형장치의 골짜기 부분(106)의 공기가 빠져나가게 된다.
도 3b는 다공성 재료로 제작된 낮은 높이의 박판 (102)을 사용하여 형성된 금형장치를 나타낸다. 다공성 재료로서 폼(foam), 또는 금속 파우더나 세라믹 파우더와 같이 다양한 형태의 파우더(powder)를 사용한 소결체 등이 사용된다. MCP 제작공정 중에 진공을 가하면 다공성 재료의 다수의 구멍을 통하여 금형장치의 골짜기 부분(106)의 공기가 빠져나가게 된다.
도 3c는 낮은 높이의 박판(102)의 일부를 거칠게 처리하여 형성된 금형장치를 나타낸다. 낮은 높이의 박판(102)의 상부를 거칠게 처리하여 긁힘부분(107)을 형성한다. MCP 제작공정 중에 진공을 가하면 긁힘부분(107)을 통하여 금형의 골짜기 부분(106)의 공기가 빠져나가게 된다.
이하에서는 전술한 MCP 제작용 금형장치를 이용하여 MCP를 제작하는 방법을 설명한다.
[실시예 1]
도 4a와 같이 제 1기판(111)을 두 종류의 박판(101,102)을 이용하여 제작된 금형장치 위에 위치시킨다. 제 1기판(111)으로는 엔지니어링 플라스틱과 같은 고분자물질 판이나 유리판이 사용된다. 제 1기판(111) 아래에 위치한 금형의 골짜기 (106) 부분에 공기 통로를 통해 진공을 가하고 제 1기판(111)의 윗면에는 압축된 공기를 이용하여 압력을 가한다. 이때, 도 4b와 같이 히터(112)와 팬(113)을 사용하여 제 1기판(111)에 열을 가하여 변형이 쉽게 일어나도록 한다. 이후 제 1기판(111)을 냉각시키면 요철 모양의 제 1기판(111a)이 형성된다. 공기 통로를 통해 진공대신 압력을 가하여 요철 모양의 제 1기판(111a)을 금형장치로부터 분리한다.
형성된 요철모양의 제 1기판 (111a)과 편평한 제 2기판(114)의 표면에, 도 4c와 같이 이차전자 방출 물질을 도포하여 이차전자 방출 물질 코팅 층(115)을 형성한다. 제 2기판(114)도 제 1기판(111)과 동일한 물질의 기판이다. 이차전자 방출 물질로는 SiO2, MgO, Al2O3,ZnO, CaO, SrO, LaO3, MgF2 , CaF2, LiF 등이 사용된다. 이차전자 방출 물질을 코팅하는 방법의 한 예로서 졸젤법 (Sol-gel)이 사용된다. 졸젤법을 사용하면 이차전자 방출 물질을 고분자물질 판이 견딜 수 있는 낮은 온도에서 용이하게 코팅할 수 있다. 유리판은 높은 온도에서도 이차전자 방출 물질을 도포할 수 있기 때문에, 졸젤법외에 화학기상 증착법(Chemical Vapor Deposition) 등 고분자물질 판에 비해 다양한 방법으로 이차전자 방출 물질을 도포할 수 있다.
도 4d와 같이, 이차전자 방출 물질(115)이 도포된 요철모양의 제 1기판 (111a)과 편평한 제 2기판(114)을 번갈아 적층한 후, 소정의 경화 사이클을 이용하여 이차전자 방출 물질을 경화시킨다. 그러면 적층된 기판(111a,114)이 결합되어 이차전자 방출 물질(115)이 코팅된 다수의 마이크로 채널(116)을 갖는 MCP 소재가 제작된다. 이와 같이 제작된 MCP소재를 요구되는 마이크로 채널(116)의 길이가 되도록 절단한다. 절단하는 길이는 통상 마이크로 채널(116) 직경의 40-100배이며, 적층된 기판(111a,114)을 소정의 각도로 기울여서 절단한다. 기판을 기울여 절단하면 마이크로 채널(116)의 각도가 형성되어 이차전자방출이 보다 용이해진다.
한편, 이차전자 방출 물질 코팅층(115) 표면의 전기 저항을 조절할 필요가 있다. 마이크로 채널(116)의 전자 증폭과정에서 방출된 다수의 이차전자들로 인하여 이차전자 방출 물질 코팅층(115) 표면의 전자들이 고갈되게 된다. 따라서, 전자 증폭과정을 반복하기 위해서는 이차전자 방출 물질 코팅층(115) 표면에 다시 전자들을 공급해 주어야 한다. 전자 공급은 전자 증폭과정을 마친 후, 다음 증폭과정 전까지의 시간 내에 이루어져야 한다. 이차전자 방출 물질 코팅층(115) 표면이 적절한 전기저항 값을 갖도록 조절하면 전자공급이 원활히 이루어질 수 있다. 이러한 방법의 한 예로서 이차전자 방출 물질 코팅시 이차전자 방출 물질 성분에 PbO를 포함시킨 후, 저항 조절 공정에서 PbO를 수소(H2) 분위기 속에서 환원시켜 환원되는 양에 따라 저항을 조절하는 방법이 있다.
이차전자 방출 물질 코팅층(115)의 전기저항 값을 조절한 후, MCP의 양 절단면에 전극을 설치하면 MCP의 제작이 완료된다.
[실시예 2]
도 5a와 같이 기판(111)을 MCP 제작용 금형장치 위에 위치시킨 후, 기판(111)위에 평판(121)을 위치시킨다. 기판(111)으로는 엔지니어링 플라스틱과 같은 고분자 물질 판이나 유리판이 사용된다. 기판(111) 아래에 위치한 금형의 골짜기 (106) 부분에 공기 통로를 통해 진공을 가하고, 도 5b와 같이 히터 (112)와 팬 (113)을 사용하여 기판(111)을 녹인 후, 공압 또는 유압으로 평판(121)에 압력을 가하면 금형의 골짜기 부분(106)에 용융상태의 기판(111) 재료가 채워진다. 이 후 기판(111)을 냉각시키면 한쪽면이 요철 모양인 기판 (111b)이 형성된다. 공기 통로를 통해 진공대신 압력을 가하여 요철 모양의 기판(111b)을 금형으로부터 분리한다.
형성된 요철모양의 기판(111b)의 표면에, 도 5c와 같이 이차전자 방출 물질 을 도포하여 이차전자 방출 물질 코팅층(115)을 형성한다. 이차전자 방출 물질로는 SiO2, MgO, Al2O3,ZnO, CaO, SrO, LaO3, MgF2, CaF 2, LiF 등이 사용된다.
도 5d와 같이, 이차전자 방출 물질이 도포된 요철모양의 기판 (111b)을 적층한 후, 소정의 경화 사이클을 이용하여 이차전자 방출 물질을 경화시킨다. 그러면 적층된 기판(111b)이 결합되어 이차전자 방출 물질이 코팅된 다수의 마이크로 채널(116)을 갖는 MCP 소재가 제작된다. 본 실시예에 따른 요철모양의 기판(111b)은 실시예 1에서의 요철모양의 기판(111a)과 달리 한쪽 면이 편평하기 때문에, 양면이 편평한 다른 기판을 사용하여 번갈아 적층할 필요가 없다. 이와 같이 제작된 MCP소재를 요구되는 마이크로 채널(116)의 길이가 되도록 절단한다. 절단하는 길이는 통상 마이크로 채널(116) 직경의 40-100배이며, 적층된 기판(111a,114)을 소정의 각도로 기울여서 절단한다.
이차전자 방출 물질 코팅층(115)의 전기저항 값을 조절한 후, MCP의 양 절단면에 전극을 설치하면 MCP의 제작이 완료된다.
[실시예 3]
실시예 1에서와 같이 이차전자 방출 물질 코팅층(115)의 전기 저항을 조절하는 대신에, 이차전자 방출 물질 코팅층(115) 밑에 전기 전도체층(131)을 두어 이차전자 방출 물질 코팅층(115)에 전자를 공급할 수 있다. 실시예 1에서와 같은 방법으로 형성된 요철 모양의 제 1기판(111a)과 편평한 제 2기판(114)에, 도 6a에서와 같이 전기 전도체 물질을 코팅하여 전기 전도체 층(131)을 형성한 후, 그 위에 이차전자 방출 물질을 도포하여 이차전자 방출 물질 코팅층(115)를 형성한다.
전기 전도체 물질로는 금속, ITO(Indium Tin oxide)와 같이 전도성을 가지는 물질이 사용되고, 이차전자 방출 물질로는 SiO2, MgO, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, LaO3, MgF2, CaF2, LiF 등이 사용된다.
도 6b에서와 같이, 전기 전도체 물질과 이차전자 방출 물질이 도포된 요철모양의 제 1기판 (111a)과 편평한 제 2기판(114)을 번갈아 적층한 후, 소정의 경화 사이클을 이용하여 이차전자 방출 물질을 경화시킨다. 그러면, 적층된 기판(111a,114)이 결합되어 다수의 마이크로 채널(116)을 갖는 MCP 소재가 제작된다. 이와 같이 제작된 MCP소재를 요구되는 마이크로 채널(116)의 길이가 되도록 절단한다. 절단하는 길이는 통상 마이크로 채널(116) 직경의 40-100배이며, 적층된 기판(111a,114)을 소정의 각도로 기울여서 절단한다. MCP의 양 절단면에 전극을 설치하면 MCP의 제작이 완료된다.
[실시예 4]
실시예 2에서와 같이 이차전자 방출 물질 코팅층(115)의 전기 저항을 조절하는 대신에, 이차전자 방출 물질 코팅층(115) 밑에 전기 전도체층(131)을 두어 이차전자 방출 물질 코팅층(115)에 전자를 공급할 수 있다. 실시예 2와 같은 방법으로 형성된 요철 모양의 기판(111b) 표면에 도 7a에서와 같이 전기 전도체 물질을 코팅하여 전기 전도체 층(131)을 형성한 후, 그 위에 이차전자 방출 물질을 도포하여 이차전자 방출 물질 코팅층(115)를 형성한다.
전기 전도체 물질로는 금속, ITO(Indium Tin oxide)와 같이 전도성을 갖는 물질이 사용되고, 이차전자 방출 물질로는 SiO2, MgO, Al2O3,ZnO, CaO, SrO, LaO3, MgF2, CaF2, LiF 등이 사용된다.
도 7b에서와 같이, 전기 전도체 물질과 이차전자 방출 물질이 도포된 요철모양의 기판 (111b)을 적층한 후, 소정의 경화 사이클을 이용하여 이차전자 방출 물질을 경화시킨다. 그러면 적층된 기판(111b)이 결합되어 다수의 마이크로 채널(116)을 갖는 MCP 소재가 제작된다. 이와 같이 제작된 MCP소재를 요구되는 마이크로 채널(116)의 길이가 되도록 절단한다. 절단하는 길이는 통상 마이크로 채널(116) 직경의 40-100배이며, 적층된 기판(111a,114)을 소정의 각도로 기울여서 절단한다. MCP의 양 절단면에 전극을 설치하면 MCP의 제작이 완료된다.
요철 금형을 이용한 MCP 제작 방법의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 이러한 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
본 발명은 요철 모양의 MCP 제작용 금형장치를 이용하여, 요철모양을 갖는 기판에 이차전자 방출 물질을 포함하는 코팅 물질을 도포한 후 기판을 적층함으로써 보다 용이하게 대면적의 MCP를 제작할 수 있고, MCP의 제작 단가를 절감시키는 효과를 제공한다.
도 1a는 통상적인 MCP의 측면 단면도;
도 1b는 종래의 MCP 제작 공정을 나타내는 도면;
도 2는 본 발명에 따른 MCP 제작용 금형 장치의 개략도;
도 3a 내지 도 3c는 본 발명에 따른 MCP 제작용 금형장치의 실시예를 나타내는 도면;
도 4a 내지 도 4d는 본 발명에 따른 MCP 제작방법의 제 1실시예를 나타내는 도면;
도 5a 내지 도 5d는 본 발명에 따른 MCP 제작방법의 제 2실시예를 나타내는 도면;
도 6a 내지 도 6b는 본 발명에 따른 MCP 제작방법의 제 3실시예를 나타내는 도면; 및
도 7a 내지 도 7b는 본 발명에 따른 MCP 제작방법의 제 4실시예를 나타내는 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
101, 102: 박판 111, 114: 기판
111a, 111b: 요철모양의 기판 115: 이차전자 방출물질 코팅층
116: 마이크로 채널 131: 전기 전도체층

Claims (15)

  1. 요철 모양의 금형을 이용한 MCP(Micro-channel Plate) 제작 방법에 있어서,
    (a) 편평한 제 1기판을 상기 요철 모양의 금형 위에 위치시키는 단계;
    (b) 상기 제 1기판에 열을 가하며, 상기 제 1기판의 하면에는 진공을 가하고 상면에는 압력을 가하여 상기 제 1기판의 양면이 요철모양을 갖도록 하는 단계;
    (c) 상기 요철모양의 제 1기판과 편평한 제 2기판 각각의 양표면에 이차전자 방출 물질을 도포하는 단계: 및
    (d) 상기 이차전자 방출 물질이 도포된 상기 요철모양의 제 1기판과 상기 제 2기판을 번갈아 적층하여 마이크로 채널을 형성하는 단계를 포함하는 MCP 제작 방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 이차전자 방출 물질 코팅시 상기 이차전자 방출 물질 성분에 PbO를 포함시킨 후, PbO를 수소(H2) 분위기에서 환원시켜 환원되는 양에 따라 상기 이차전자 방출 물질의 저항을 조절하는 단계를 포함하는 MCP 제작 방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 (b)단계와 (c)단계 사이에 상기 요철모양의 제 1기판과 상기 편평한 제 2기판 각각의 양표면에 전기 전도체 물질을 도포하는 단계를 더 포함하는 MCP 제작 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 번갈아 적층된 기판을 소정의 각도로 기울여 소정의 마이크로 채널 길이로 절단하는 단계를 더 포함하는 MCP 제작 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 이차전자 방출물질은 SiO2, MgO, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, LaO3, MgF2, CaF2, LiF 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 MCP 제작 방법.
  6. 요철 모양의 금형을 이용한 MCP(Micro Channel Plate) 제작 방법에 있어서,
    (a) 편평한 기판을 상기 요철 모양의 금형위에 위치시키는 단계;
    (b) 상기 기판에 열을 가하여 녹이고, 상기 기판의 하면에는 진공을 가하고 상면에는 압력을 가하여 상기 하면이 요철모양을 갖도록 하는 단계;
    (c) 상기 하면이 요철모양인 기판의 양표면에 이차전자 방출 물질을 도포하는 단계: 및
    (d) 이차전자 방출 물질이 도포된 상기 기판을 적층하여 마이크로 채널을 형성하는 단계를 포함하는 MCP 제작 방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 이차전자 방출 물질 코팅시 상기 이차전자 방출 물질 성분에 PbO를 포함시킨 후, PbO를 수소(H2) 분위기에서 환원시켜 환원되는 양에 따라 상기 이차전자 방출 물질의 저항을 조절하는 단계를 포함하는 MCP 제작 방법.
  8. 제 6항에 있어서, 상기 (b)단계와 (c)단계 사이에 상기 한쪽 면이 요철모양인 기판의 양표면에 전기 전도체 물질을 도포하는 단계를 더 포함하는 MCP 제작 방법.
  9. 제 6항에 있어서, 상기 적층된 기판을 소정의 각도로 기울여 소정의 마이크로 채널 길이로 절단하는 단계를 더 포함하는 MCP 제작 방법.
  10. 제 6항에 있어서, 상기 이차전자 방출물질은 SiO2, MgO, Al2O3, ZnO, CaO, SrO, LaO3, MgF2, CaF2, LiF로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 MCP 제작 방법.
  11. 제 1박판;
    상기 제 1박판보다 높이가 낮은 제 2박판; 및
    상기 제 1박판과 상기 제 2박판을 결합하여 고정시키는 결합고정수단을 포함하며, 상기 제 1박판과 상기 제 2박판은 교대로 배열되어 요철모양을 형성하고, 상기 제 2박판은 요철모양에 의해 형성된 골짜기 부분에 진공이 가해질 수 있도록 공기 통로가 형성된 MCP 제작용 금형장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 제 2박판은 다공성 재료인 MCP 제작용 금형장치.
  13. 제 11항에 있어서, 상기 제 2박판의 골짜기 부분 접합 부위가 거칠게 처리되어 긁힘자국이 형성된 MCP 제작용 금형장치.
  14. 제 11항에 있어서, 상기 제 2박판의 골짜기 부분 접합 부위에 미세한 틈이 형성되고, 상기 미세한 틈과 연결되어 상기 제 1박판과 상기 제 2박판을 관통하는 홀(hole)이 형성된 MCP 제작용 금형장치.
  15. 제 11항에 있어서, 상기 결합고정수단은 교대로 배열된 상기 제 1박판과 상기 제 2박판의 양끝면에 접합된 블록과, 교대로 배열된 상기 제 1박판과 상기 제 2박판 및 상기 블록을 관통하여 체결된 볼트 및 너트로 이루어지는 MCP 제작용 금형장치.
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