KR100495020B1 - A transfer film for preparing dielectric substance layer of the plasma display panel - Google Patents

A transfer film for preparing dielectric substance layer of the plasma display panel Download PDF

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KR100495020B1 KR1020030090478A KR20030090478A KR100495020B1 KR 100495020 B1 KR100495020 B1 KR 100495020B1 KR 1020030090478 A KR1020030090478 A KR 1020030090478A KR 20030090478 A KR20030090478 A KR 20030090478A KR 100495020 B1 KR100495020 B1 KR 100495020B1
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우다가와다다히꼬
마스꼬히데아끼
단자와요시오
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제이에스알 가부시끼가이샤
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    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
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Abstract

본 발명은 막 두께가 큰 유전체층을 효율적으로 형성할 수 있는 신규한 형성 공정을 포함하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 제조 방법을 제공하는 것이다.The present invention provides a method of manufacturing a plasma display panel including a novel forming process capable of efficiently forming a dielectric layer having a large film thickness.

지지 필름 상에 형성된 막형성 재료층을, 전극이 고정된 유리 기판의 표면에 전사하고, 전사된 막형성 재료층을 소성함으로써, 상기 유리 기판의 표면에 유전체층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. And forming a dielectric layer on the surface of the glass substrate by transferring the film forming material layer formed on the support film to the surface of the glass substrate on which the electrode is fixed and firing the transferred film forming material layer. do.

Description

플라즈마 디스플레이 판넬의 유전체층 형성용 전사 필름{A Transfer Film For Preparing Dielectric Substance Layer of The Plasma Display Panel}A Transfer Film For Preparing Dielectric Substance Layer of The Plasma Display Panel}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 판넬의 제조 방법에 관한 것이며, 더욱 상세하게는, 유리 기판 상에 유전체층을 형성하기 위한 신규한 공정을 포함하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel, and more particularly, to a method for manufacturing a plasma display panel including a novel process for forming a dielectric layer on a glass substrate.

최근에, 평판상의 형광 표시체로서 플라즈마 디스플레이가 주목받고 있다. 도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 판넬 (이하 "PDP"라고도 한다)의 단면 형상을 나타낸 모식도이다. 이 도면에서, 기호 (1)과 (2)는 대향 배치된 유리 기판이고, (3)은 격벽이며, 이들 유리 기판 (1), 유리 기판 (2)와 격벽 (3)에 의해 셀이 구획 형성되어 있다. 기호 (4)는 유리 기판 (1)에 고정된 버스 전극이고, (5)는 유기 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극이며, (6)은 셀 내에 유지된 형광 물질이며, (7)은 버스 전극 (4)를 피복하도록 유리 기판 (1)의 표면에 형성된 유전체층이며, (8)은 예를 들면 산화마그네슘으로 이루어진 보호층이다. 유전체층 (7)은 유리 소결체에 의해 형성되며, 막 두께는 예를 들면 20 내지 50 ㎛이다.Recently, plasma displays have attracted attention as flat fluorescent displays. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel (hereinafter also referred to as "PDP"). In this figure, symbols (1) and (2) are oppositely arranged glass substrates, (3) are partition walls, and cells are partitioned by these glass substrates (1), glass substrates (2) and partition walls (3). It is. Symbol (4) is a bus electrode fixed to the glass substrate 1, (5) is an address electrode fixed to the organic substrate 2, (6) is a fluorescent substance retained in the cell, and (7) is a bus It is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 1 so that the electrode 4 may be covered, and (8) is a protective layer which consists of magnesium oxide, for example. The dielectric layer 7 is formed by a glass sintered body, and the film thickness is 20-50 micrometers, for example.

유전체층 (7)의 형성 방법으로서는 유리 분말을 포함하는 페이스트상 조성물을 제조하고, 이 페이스트상 조성물을 스크린 인쇄법에 의해 유리 기판 (1)의 표면에 도포하여 건조함으로써 막형성 재료층을 형성하고, 이어서 이 막형성 재료층을 소성함으로써 유기 물질을 제거하고 유리 분말을 소결시키는 방법이 알려져 있다.As the method for forming the dielectric layer 7, a paste-like composition containing glass powder is produced, and the film-forming material layer is formed by applying the paste-like composition to the surface of the glass substrate 1 by screen printing and drying. Subsequently, the method of removing an organic substance and baking a glass powder by baking this film forming material layer is known.

여기서, 유리 기판 (1) 상에 형성하는 막형성 재료층의 두께는 소성 공정에서의 유기 물질의 제거에 따른 막 두께의 눈 감량을 고려하여, 형성해야 할 유전체층(7)의 막 두께의 1.3 내지 1.5배 정도로 하는 것이 필요하며, 예를 들면 유전체층 (7)의 막 두께를 20 내지 50 ㎛로 하기 위해서는, 30 내지 70 ㎛ 정도 두께의 막형성 재료층을 형성할 필요가 있다.Here, the thickness of the film forming material layer formed on the glass substrate 1 is 1.3 to the film thickness of the dielectric layer 7 to be formed in consideration of the eye loss of the film thickness due to the removal of the organic material in the firing step. It is necessary to set it to about 1.5 times. For example, in order to make the film thickness of the dielectric layer 7 into 20-50 micrometers, it is necessary to form the film forming material layer about 30-70 micrometers thick.

한편, 상기 유리 분말을 포함하는 페이스트상 조성물을 스크린 인쇄법으로 도포하는 경우, 1회 도포 처리에 의해 형성되는 도막 두께는 15 내지 25 ㎛ 정도이다.On the other hand, when apply | coating the paste composition containing the said glass powder by the screen printing method, the coating film thickness formed by one coating process is about 15-25 micrometers.

이 때문에 막형성 재료층을 소정 두께로 하기 위해서는, 유리 기판의 표면에 대하여 상기 페이스트상 조성물을 복수회 (예를 들면 2 내지 5회)에 걸쳐 반복하여 도포할 필요가 있다.For this reason, in order to make a film forming material layer into a predetermined thickness, it is necessary to apply | coat repeatedly the said pasty composition with respect to the surface of a glass substrate several times (for example, 2 to 5 times).

(1) 스크린 인쇄법에 의해 복수회에 걸쳐 반복하여 페이스트상 조성물을 도포하는 조작 (다중 인쇄)은 번잡하여 작업성이 떨어진다. 또, 페이스트상 조성물을 도포할 때마다 구성 성분의 분산 상태를 확인해야할 필요가 있으며, 유리 분말의 침전 등 분산 불량이 생긴 경우에는 재분산 처리를 해야 한다. 따라서, 이와 같은 번잡한 도포 공정을 거쳐 유전체층을 형성하는 종래의 방법은 PDP의 제조 효율의 관점에서 문제가 있으며, 디스플레이 판넬의 대형화에 따라 특히 현저한 문제가 된다.(1) The operation (multi-printing) of repeatedly applying the paste composition by the screen printing method a plurality of times is complicated and inferior in workability. Moreover, it is necessary to confirm the dispersion state of a component every time apply | coating a pasty composition, and when dispersion defects, such as precipitation of a glass powder, arise, redispersion process must be performed. Therefore, the conventional method of forming the dielectric layer through such a complicated coating process is problematic in view of the production efficiency of the PDP, and becomes a particularly significant problem in accordance with the enlargement of the display panel.

(2) 스크린 인쇄법을 이용하는 다중 인쇄에 의해 막형성 재료층을 형성하는 경우에는, 이 막형성 재료층을 소성하여 형성된 유전체층이 균일한 막 두께 (예를 들면 공차±5% 이내)를 갖지 않게 된다. 이것은, 스크린 인쇄법에 의한 다중 인쇄에서는 유리 기판의 표면에 대하여 페이스트상 조성물을 균일하게 도포하기가 곤란하기 때문이며, 도포 면적 (판넬 사이즈)이 클수록, 또한 도포 회수가 많을수록 유전체층에 있어서 막 두께의 불균일 정도가 커진다. 따라서, 다중 인쇄에 의한 도포 공정을 거쳐 얻어진 판넬 재료 (상기 유전체층을 갖는 유리 기판)에는 그 면 내에서 막 두께의 불균일에 기인하여 유전 특성에 불균일이 생기고, 유전 특성의 불균일은 PDP에서 표시 결함 (휘도 얼룩)의 원인이 된다.(2) When the film forming material layer is formed by multiple printing using the screen printing method, the dielectric layer formed by firing the film forming material layer does not have a uniform film thickness (for example, within a tolerance of ± 5%). do. This is because it is difficult to uniformly apply the paste composition to the surface of the glass substrate in multiple printing by the screen printing method. The larger the coating area (panel size) and the higher the number of coatings, the more uniform the film thickness in the dielectric layer. The degree increases. Therefore, in the panel material (glass substrate having the dielectric layer) obtained through the coating process by multiple printing, nonuniformity occurs in the dielectric properties due to the nonuniformity of the film thickness in the plane, and the nonuniformity of the dielectric properties causes the display defect ( Brightness unevenness).

(3) 스크린 인쇄법에서는 스크린을 통과하는 페이스트상 조성물에 의해 미소량의 공기가 말려 들어가서 막형성 재료층 내에 기포로 잔류할 수도 있다. 그리하여 기포를 포함하는 막형성 재료층을 소성하면, 형성된 유전체층에는 핀홀 또는 크랙이 발생한다. 다시 (n+1)층째 도막 형성시에, n층째 도막이 스퀴지에 의해 손상받기 쉬우며, 이것에 기인하여 유전체층에 크랙이 발생할 수도 있다. 따라서, 핀홀 또는 크랙에 의해 절연성이 파괴된 유전체층은 소기의 유전 특성을 발휘할 수 없다.(3) In the screen printing method, a small amount of air may be rolled up by the paste composition passing through the screen, and may remain as bubbles in the film forming material layer. Thus, when the film-forming material layer containing bubbles is fired, pinholes or cracks are generated in the formed dielectric layer. When the (n + 1) th layer is formed again, the nth layer is susceptible to damage by squeegee, which may cause cracks in the dielectric layer. Therefore, the dielectric layer whose insulation is broken by pinholes or cracks cannot exhibit desired dielectric properties.

(4) 스크린 인쇄법에서는 스크린판의 메쉬 형상이 막형성 재료층의 표면에 전사될 수 있으며, 이와 같은 막형성 재료층을 소성하여 형성된 유전체층은 표면 평활성이 떨어지게 된다.(4) In the screen printing method, the mesh shape of the screen plate can be transferred to the surface of the film forming material layer, and the dielectric layer formed by firing the film forming material layer is inferior in surface smoothness.

본 발명은 이상과 같은 사정에 기초한 것으로, 본 발명의 제1 목적은 막 두께가 큰 유전체층을 효율적으로 형성할 수 있는 신규한 형성 공정을 포함하는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 제2 목적은 대형 판넬에 요구되는 유전체층을 효율적으로 형성할 수 있는 신규한 형성 공정을 포함하는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 제3 목적은 막 두께의 균일성이 우수한 유전체층을 갖는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 제4 목적은 핀홀이나 크랙 등의 결함이 없는 신뢰성이 높은 유전체층을 갖는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 제5 목적은 표면 평활성이 우수한 유전체층을 갖는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것이다. The present invention is based on the above circumstances, and a first object of the present invention is to provide a method for producing a PDP comprising a novel forming step capable of efficiently forming a dielectric layer having a large film thickness. It is a second object of the present invention to provide a method for producing a PDP comprising a novel forming process capable of efficiently forming a dielectric layer required for a large panel. It is a third object of the present invention to provide a method for producing a PDP having a dielectric layer having excellent uniformity in film thickness. A fourth object of the present invention is to provide a method for producing a PDP having a highly reliable dielectric layer free from defects such as pinholes and cracks. A fifth object of the present invention is to provide a method for producing a PDP having a dielectric layer having excellent surface smoothness.

본 발명의 PDP의 제조 방법은 지지 필름 상에 형성된 막형성 재료층을 전극이 고정된 유리 기판의 표면에 전사하고, 전사된 막형성 재료층을 소성함으로써, 상기 유리 기판의 표면에 유전체층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method for producing a PDP of the present invention, a dielectric layer is formed on the surface of the glass substrate by transferring the film forming material layer formed on the support film to the surface of the glass substrate on which the electrode is fixed and firing the transferred film forming material layer. It characterized by including a process.

또한, 본 발명의 PDP의 제조 방법은 유리 분말, 결착 수지 및 용제를 포함하는 페이스트상 조성물을 지지 필름 상에 도포하여 막형성 재료층을 형성하고, 지지 필름 상에 형성된 막형성 재료층을 전극이 고정된 유리 기판의 표면에 전사하고, 전사된 막형성 재료층을 소성함으로써, 상기 유리 기판의 표면에 유전체층을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in the method for producing a PDP of the present invention, a paste-like composition containing glass powder, a binder resin and a solvent is applied onto a support film to form a film forming material layer, and the electrode is formed on the support film. And a step of forming a dielectric layer on the surface of the glass substrate by transferring the surface of the fixed glass substrate and firing the transferred film-forming material layer.

본 발명의 PDP의 제조 방법에 있어서, 페이스트상 조성물을 롤 코터에 의해 도포하여 막형성 재료층을 지지 필름 상에 형성하는 것이 바람직하다. 또, 막형성 재료층의 두께가 10 내지 200 ㎛인 것이 바람직하다. 또한 막형성 재료층에 포함되는 유리 분말이 산화아연 60 내지 90 중량%, 산화붕소 5 내지 20 중량%, 산화규소 5 내지 20 중량%의 혼합물인 것이 바람직하다.In the manufacturing method of the PDP of this invention, it is preferable to apply | coat a paste composition with a roll coater, and to form a film forming material layer on a support film. Moreover, it is preferable that the thickness of a film forming material layer is 10-200 micrometers. In addition, it is preferable that the glass powder contained in a film forming material layer is a mixture of 60-90 weight% of zinc oxide, 5-20 weight% of boron oxide, and 5-20 weight% of silicon oxide.

본 발명의 제조 방법에 있어서, 소성에 의해 유전체층으로 되는 막형성 재료층은, 유리 분말을 포함하는 페이스트상 조성물을 강성을 갖는 유리 기판 상에 직접 도포하여 형성되는 것이 아니라, 가요성을 갖는 지지 필름 상에 도포함으로써 형성된다. 이 때문에 상기 페이스트상 조성물의 도포 방법으로서 롤 코터 등에 의한 도포 방법을 채용할 수 있으며, 이에 의해 막 두께가 크고, 동시에 막 두께의 균일성이 우수한 막형성 재료층 (예를 들면 100 ㎛ ±5 ㎛)을 지지 필름 상에 형성할 수 있게 된다. 그리고, 이렇게 형성된 막형성 재료층을 유리 기판의 표면에 대하여 일괄 전사하는 간단한 조작에 의해 상기 막형성 재료층을 유리 기판 상에 확실하게 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제조 방법에 의하면, 유전체층의 형성 공정에서의 공정 개선 (고효율화)을 도모할 수 있고, 동시에 형성된 유전체층의 품질 향상 (안정된 유전 특성의 발현)을 도모할 수 있다.In the manufacturing method of this invention, the film forming material layer used as a dielectric layer by baking is not formed by directly apply | coating the paste composition containing glass powder on a rigid glass substrate, but is a support film which has flexibility It is formed by apply | coating on. For this reason, as a coating method of the said paste composition, the coating method by a roll coater etc. can be employ | adopted, and by this, a film forming material layer with large film thickness and excellent uniformity of film thickness (for example, 100 micrometers +/- 5micrometer) ) Can be formed on the support film. And the film formation material layer can be reliably formed on a glass substrate by the simple operation which collectively transfers the film formation material layer thus formed with respect to the surface of a glass substrate. Therefore, according to the manufacturing method of the present invention, process improvement (high efficiency) can be achieved in the dielectric layer forming step, and quality improvement (expression of stable dielectric properties) of the dielectric layer formed at the same time can be achieved.

이하, 본 발명의 제조 방법에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 제조 방법에 있어서 전사 필름을 사용함에 의한 막형성 재료층의 전사 공정, 막형성 재료층의 소성 공정에 의해 유리 기판의 표면에 유전체층이 형성된다.Hereinafter, the manufacturing method of this invention is demonstrated in detail. In the manufacturing method of this invention, a dielectric layer is formed in the surface of a glass substrate by the transfer process of a film forming material layer by using a transfer film, and the baking process of a film forming material layer.

(1) 전사 필름(1) transfer film

본 발명의 제조 방법에 사용되는 전사 필름은, 지지 필름과 이 지지 필름 상에 형성된 막형성 재료층으로 구성된다.The transfer film used for the manufacturing method of this invention is comprised from a support film and the film formation material layer formed on this support film.

전사 필름을 구성하는 지지 필름은 내열성과 내용제성을 갖는 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로써, 롤 코터에 의해 페이스트상 조성물을 도포할 수 있으며, 막형성 재료층을 롤상으로 만 상태로 보존하고 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알콜, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 함불소 수지, 나일론, 셀룰로스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.It is preferable that the support film which comprises a transfer film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. Since the support film has flexibility, the paste-like composition can be applied by a roll coater, and the film-forming material layer can be stored and supplied only in a roll state. Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, cellulose, and the like. Can be mentioned. The thickness of a support film is 20-100 micrometers, for example.

전사 필름을 구성하는 막형성 재료층은 유리 분말, 결착 수지 및 용제를 필수 성분으로서 포함하는 페이스트상 조성물을 상기 지지 필름 상에 도포하고, 도막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다.The film forming material layer constituting the transfer film can be formed by applying a paste-like composition containing glass powder, a binder resin, and a solvent as essential components on the support film, and drying the coating film to remove some or all of the solvent. have.

페이스트상 조성물의 필수 성분인 유리 분말로서는 ① 산화아연, 산화붕소, 산화규소(ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, ② 산화납, 산화붕소, 산화규소(PbO-B 2O3-SiO2계)의 혼합물, ③ 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2 -Al2O3계)의 혼합물, ④ 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2 계)의 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 중, 산화아연을 주성분으로 하는 ZnO-B2O3-SiO2 계의 혼합물을 포함하는 페이스트상 조성물이 비교적 저온 조건 (500℃ 이하)에서 소성 처리할 수 있다는 점에서 바람직하다.Glass powders that are essential components of the pasty composition include (1) a mixture of zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based), (2) lead oxide, boron oxide, and silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 type ), ③ lead oxide, boron oxide, silicon oxide, a mixture of aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 type ), ④ lead oxide, zinc oxide, boron oxide, And a mixture of silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ). Among them, a paste-like composition containing a mixture of ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 system containing zinc oxide as a main component is preferable in that it can be calcined under relatively low temperature conditions (500 ° C. or lower).

페이스트상 조성물의 필수 성분인 결착 수지로서는 적당한 점착성을 가져서 유리 분말을 결착시킬 수 있으며, 막형성 재료층의 소성 처리 (400℃ 내지 500℃)에 의해 완전히 산화 제거할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들어 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트 등의 아크릴산 에스테르계 수지; 에틸셀룰로스, 니트로셀룰로스 등의 셀룰로스계 수지를 예시할 수 있다.The binder resin, which is an essential component of the paste composition, can have a suitable adhesiveness and bind the glass powder, and is not particularly limited as long as the binder resin can be completely oxidized and removed by baking (400 ° C to 500 ° C) of the film forming material layer. Acrylic ester resins such as polymethyl methacrylate and polybutyl methacrylate; Cellulose resins, such as ethyl cellulose and nitrocellulose, can be illustrated.

페이스트상 조성물의 필수 성분인 용제로서는 상기 페이스트상 조성물에 적당한 점성 (예를 들면 500 내지 10,000 cp)을 부여할 수 있고, 건조 처리에 의해 페이스트상 조성물에서 쉽게 증발 제거될 수 있는 것이 바람직하며, 예를 들어 테레빈유, 셀로솔브(에틸셀로솔브), 메틸셀로솔브, 테르피네올, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 벤질알콜, 락트산메틸, 락트산에틸 등을 적절하게 사용할 수 있다.As a solvent which is an essential component of the pasty composition, it is preferable to impart an appropriate viscosity (for example, 500 to 10,000 cp) to the pasty composition, and be easily evaporated and removed from the pasty composition by a drying treatment. For example, terebin oil, cellosolve (ethyl cellosolve), methyl cellosolve, terpineol, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, benzyl alcohol, methyl lactate, ethyl lactate and the like can be suitably used.

페이스트상 조성물에는 상기 필수 성분 이외에 분산제, 점착성 부여제, 가소제, 표면 장력 조정제, 안정제, 소포제 등의 각종 첨가제가 임의 성분으로서 포함될 수 있다. In addition to the above essential components, the paste composition may include various additives such as dispersants, tackifiers, plasticizers, surface tension regulators, stabilizers, antifoaming agents, and the like as optional components.

바람직한 페이스트상 조성물의 일례를 나타내면, 유리 분말로서 산화아연 60 내지 90 중량%, 산화붕소 5 내지 20 중량% 및 산화규소 5 내지 20 중량%로 이루어진 혼합물 100 중량부와, 폴리메틸메타크릴레이트 (결착 수지) 2 내지 10 중량부와 테르피네올 (용제) 10 내지 50 중량부를 필수 성분으로 포함하는 조성물을 들 수 있다.As an example of a preferred paste-like composition, 100 parts by weight of a mixture consisting of 60 to 90% by weight of zinc oxide, 5 to 20% by weight of boron oxide, and 5 to 20% by weight of silicon oxide as a glass powder, and polymethylmethacrylate (binder Resin) 2-10 weight part and 10-50 weight part of terpineol (solvents) as an essential component.

페이스트상 조성물을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는, 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 큰 (예를 들면 30 ㎛ 이상) 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 필요하며, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등이 바람직한 것으로 들 수 있다.As a method of apply | coating a paste composition on a support film, it is necessary to be able to form a coating film with a large film thickness (for example, 30 micrometers or more) excellent in the uniformity of film thickness efficiently, specifically, to a roll coater. The coating method by, the coating method by a doctor blade, the coating method by a curtain coater, the coating method by a wire coater, etc. are mentioned as a preferable thing.

또, 페이스트상 조성물이 도포되는 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 후술하는 전사 공정에서 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 실시할 수 있다.Moreover, it is preferable that the mold release process is given to the surface of the support film to which a paste composition is apply | coated. Thereby, peeling operation of a support film can be performed easily in the transfer process mentioned later.

도막의 건조 조건으로서는 예를 들어 50 내지 150℃에서 0.5 내지 30분간 건조하여, 건조 후 용제의 잔존 비율 (막형성 재료층 중의 함유율)은 통상 10 중량% 이내가 된다.As drying conditions of a coating film, it dries for 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, for example, and the residual ratio (content rate in a film forming material layer) of a solvent after drying becomes within 10 weight% normally.

상기와 같이하여 형성된 막형성 재료층의 두께는 유리 분말의 함유율, 판넬의 종류나 사이즈에 따라 달라지지만, 예를 들면 10 내지 200 ㎛, 바람직하게는 30 내지 100 ㎛이다. 두께가 10 ㎛ 미만인 경우에는, 최종적으로 형성된 유전체층의 막 두께가 과소하여 소기의 유전 특성을 확보할 수 없다. 통상, 이 두께가 30 내지 100 ㎛이면, 대형 판넬에 요구되는 유전체층의 막 두께를 충분히 확보할 수 있다.Although the thickness of the film formation material layer formed as mentioned above changes with content rate of a glass powder and the kind and size of a panel, it is 10-200 micrometers, Preferably it is 30-100 micrometers. If the thickness is less than 10 m, the film thickness of the finally formed dielectric layer is too small to ensure desired dielectric properties. Usually, when this thickness is 30-100 micrometers, the film thickness of the dielectric layer calculated | required for a large panel can fully be ensured.

또한, 전사 필름에서 막형성 재료층의 표면에 보호 필름층이 마련될 수도 있다. 이와 같은 보호 필름층으로서는 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알콜계 필름 등을 들 수 있다.In addition, a protective film layer may be provided on the surface of the film forming material layer in the transfer film. As such a protective film layer, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-type film, etc. are mentioned.

(2) 막형성 재료층의 전사 공정(2) Transfer process of film forming material layer

본 발명의 제조 방법은 이상과 같이 하여 제작된 전사 필름을 사용하여, 이 전사 필름을 구성하는 막형성 재료층을 전극이 고정된 유리 기판의 표면에 전사하는 점에 특징이 있는 것이다.The production method of the present invention is characterized by transferring the film-forming material layer constituting the transfer film to the surface of the glass substrate on which the electrode is fixed, using the transfer film produced as described above.

전사 공정의 한 예를 나타내면 아래와 같다. 필요에 따라 사용되는 전사 필름의 보호 필름층을 박리한 후, 유리 기판의 표면 (전극 고정면)에 막형성 재료층의 표면이 접하도록 전사 필름을 겹쳐 맞추고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등으로 열 압착한 후, 막형성 재료층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이렇게 하여, 유리 기판의 표면에 막형성 재료층이 전사되고 밀착된 상태로 된다. 여기서, 전사 조건으로는 예를 들어 가열 롤러의 표면 온도가 80 내지 100℃, 가열 롤러에 의한 롤 압력이 1 내지 5 ㎏/㎠, 가열 롤러의 이동 속도가 0.5 내지 10.0 m/분이다. 또한, 유리 기판은 예열되어도 좋으며, 예열 온도는 예를 들어 40 내지 60℃로 할 수 있다.An example of the transfer process is as follows. After peeling the protective film layer of the transfer film used as needed, the transfer film is superimposed so that the surface of a film formation material layer may contact the surface (electrode fixing surface) of a glass substrate, and heat this transfer film with a heating roller etc. After pressing, the support film is peeled off from the film forming material layer. In this way, the film forming material layer is transferred to and adhered to the surface of the glass substrate. Here, as transfer conditions, the surface temperature of a heating roller is 80-100 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm <2>, and the moving speed of a heating roller is 0.5-10.0 m / min, for example. In addition, the glass substrate may be preheated, and the preheating temperature can be 40-60 degreeC, for example.

(3) 막형성 재료층의 소성 공정(3) Firing Process of Film Forming Material Layer

유리 기판의 표면에 전사된 막형성 재료층을 소성한다. 구체적으로, 막형성 재료층이 형성된 유리 기판을 고온 분위기 하에 배치함으로써, 막형성 재료층 중에 함유되어 있는 유기 물질 (예를 들면 결착 수지, 잔존 용제, 각종 첨가제)이 분해 등에 의해 제거되고, 무기 물질인 유리 분말이 용융하여 소결한다. 이렇게 하여, 유리 기판 상에는 유리 소결체로 이루어진 유전체층이 형성된다. 여기서, 소성 온도는 막형성 재료층 중의 구성 물질에 따라 달라지지만 예를 들면 400 내지 500℃이다.The film forming material layer transferred to the surface of the glass substrate is fired. Specifically, by arranging the glass substrate on which the film forming material layer is formed under a high temperature atmosphere, organic substances (eg, binder resins, remaining solvents, various additives) contained in the film forming material layer are removed by decomposition or the like, and the inorganic material. Phosphorus glass powder melts and sinters. In this way, a dielectric layer made of a glass sintered body is formed on the glass substrate. Here, the firing temperature varies depending on the constituent materials in the film forming material layer, but is, for example, 400 to 500 ° C.

<실시예><Example>

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들로 제한되는 것은 아니다. 또한, 이하에서 "부"는 "중량부"를 나타낸다.Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited to these. In addition, "part" shows a "weight part" below.

<전사 필름의 제작 공정><Production process of transfer film>

유리 분말로서 산화아연 80 중량%, 산화붕소 10 중량%, 산화규소 10 중량%의 조성을 갖는 ZnO-B2O3-SiO2계 혼합물 100부와, 메타크릴산 (10 중량%)과 메타크릴산메틸 (90 중량%)과의 공중합체 (중량 평균 분자량: 100,000) (결착 수지) 30부와, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트 (점착성 부여제) 30부와 메틸셀로솔브 (용제) 60부를 혼련함으로써, 점도 5,000 cp의 페이스트상 조성물을 제조하였다.100 parts of a ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based mixture having a composition of 80 wt% zinc oxide, 10 wt% boron oxide, and 10 wt% silicon oxide as a glass powder, methacrylic acid (10 wt%) and methacrylic acid By kneading 30 parts of a copolymer with methyl (90% by weight) (weight average molecular weight: 100,000) (binder resin), 30 parts of ethylene glycol diacrylate (adhesive agent) and 60 parts of methyl cellosolve (solvent), A paste composition having a viscosity of 5,000 cp was prepared.

이어서, 상기 제조한 페이스트상 조성물을 롤 코터를 사용하여, 미리 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름으로 이루어진 지지 필름 (폭 200 ㎜, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 도포하여 도막을 형성하였다. 형성된 도막을 110℃에서 2분간 건조함으로써 용제를 완전히 제거하여, 두께 50 ㎛의 막형성 재료층이 지지 필름 상에 형성되어 이루어진 전사 필름을 제작하였다.Subsequently, the prepared paste-like composition was applied onto a support film (200 mm wide, 30 m long, 38 μm thick) made of a polyethylene terephthalate (PET) film previously released by using a roll coater to form a coating film. It was. The solvent was completely removed by drying the formed coating film at 110 degreeC for 2 minutes, and the transfer film in which the 50-micrometer-thick film formation material layer was formed on the support film was produced.

<막형성 재료층의 전사 공정><Transfer process of film forming material layer>

15 ㎝ (6 인치) 판넬용 유리 기판의 표면 (버스 전극의 고정면)에 막형성 재료층의 표면이 접하도록 전사 필름을 겹쳐 맞추고, 이 전사 필름을 가열 롤러에 의해 열압착하였다. 여기서, 압착 조건은 가열 롤러의 표면 온도를 120℃, 롤 압력을 4 ㎏/㎠, 가열 롤러의 이동 속도를 1 m/분으로 하였다. 열압착 처리를 종료한 후, 막형성 재료층에서 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 의해, 유리 기판의 표면에 막형성 재료층이 전사되어 밀착된 상태가 되었다. 이 막형성 재료층에 대하여 막 두께를 측정한 결과 50 ㎛±2 ㎛ 범위에 있었다.The transfer film was overlaid so that the surface of the film formation material layer might contact the surface (fixed surface of the bus electrode) of the glass substrate for 15 cm (6 inch) panels, and this transfer film was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, crimping | compression-bonding conditions made the surface temperature of a heating roller 120 degreeC, the roll pressure 4 kg / cm <2>, and the moving speed of a heating roller 1 m / min. After the thermocompression bonding was completed, the supporting film was peeled off from the film forming material layer. As a result, the film-forming material layer was transferred to and adhered to the surface of the glass substrate. The film thickness of the film-forming material layer was measured and found to be in the range of 50 µm ± 2 µm.

<막형성 재료층의 소성 공정><Firing Process of Film Forming Material Layer>

전사된 막형성 재료층을 실온에서 10℃/분의 승온 속도로 450℃까지 승온하고 450℃의 온도 분위기하에서 30분간 소성 처리함으로써 유리 기판의 표면에 유리 소결체로 이루어진 유전체층을 형성하였다. 이 유전체층의 막 두께를 측정한 결과 35 ㎛±1.5 ㎛ 범위에 있었고, 막 두께의 균일성이 우수하였다.The transferred film-forming material layer was heated to 450 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min at room temperature, and calcined for 30 minutes in a temperature atmosphere of 450 ° C. to form a dielectric layer made of glass sintered body on the surface of the glass substrate. As a result of measuring the film thickness of this dielectric layer, it was in the range of 35 µm ± 1.5 µm, and the film thickness was excellent in uniformity.

<유전체층의 성능 평가><Evaluation of Dielectric Layer>

이와 같이 하여, 유전체층을 갖는 유리 기판으로 이루어진 판넬 재료를 5대분 제작하였다. 형성된 유전체층에 대하여 단면과 표면을 주사형 전자현미경으로 관찰한 결과 모든 판넬 재료에서 형성된 유전체층에서 핀홀이나 크랙 등의 막 결함은 확인되지 않았다.In this way, five panel materials which consist of the glass substrate which has a dielectric layer were produced. As a result of observing the cross-section and surface of the formed dielectric layer with a scanning electron microscope, no film defects such as pinholes or cracks were found in the dielectric layers formed from all panel materials.

<비교예>Comparative Example

상기 실시예와 동일한 조성을 갖는 페이스트상 조성물을 제조하고, 스크린 인쇄법을 이용한 다중 인쇄법으로 유리 기판 (실시예에서 사용한 것과 동일한 기판) 상에 유리 페이스트를 도포하여 막형성 재료층을 형성하였다. 여기서, 1회 도포에 의한 건조막 두께는 15 내지 17 ㎛ 정도이고, 도포 회수는 3회로 하였다. 수득된 막형성 재료층에 대하여 막 두께를 측정한 결과 50 ㎛±5 ㎛ 범위에 있었다. 이어서, 상기 실시예와 동일하게 소성 처리를 실시하여, 유리 기판의 표면에 유전체층을 형성하였다. 이 유전체층의 막 두께를 측정한 결과 35 ㎛±4 ㎛ 범위에 있었고, 막 두께의 균일성이 떨어졌다. 이와 같이 하여, 유전체층을 갖는 유리 기판으로 이루어진 판넬 재료를 5대분 제작하였다. 형성된 유전체층에 대하여 단면과 표면을 주사형 전자현미경으로 관찰한 결과 60%(3대분)의 판넬 재료에 대해서 핀홀이나 크랙 등의 막 결함이 확인되었다.A paste-like composition having the same composition as in the above-described embodiment was prepared, and a glass paste was applied on a glass substrate (the same substrate used in the example) by a multiple printing method using a screen printing method to form a film forming material layer. Here, the dry film thickness by single coating is about 15-17 micrometers, and the application | coating frequency | count was made three times. The film thickness of the obtained film forming material layer was in the range of 50 µm ± 5 µm. Next, the baking process was performed similarly to the said Example, and the dielectric layer was formed in the surface of a glass substrate. As a result of measuring the film thickness of this dielectric layer, it was in the range of 35 µm ± 4 µm, and the uniformity of the film thickness was inferior. In this way, five panel materials which consist of the glass substrate which has a dielectric layer were produced. As a result of observing the cross-section and the surface of the formed dielectric layer with a scanning electron microscope, film defects such as pinholes and cracks were confirmed for 60% (three units) of panel material.

본 발명의 방법에 의하면, 막형성 재료층의 전사 공정을 포함하는 간단한 방법에 의해 막 두께가 큰 유전체층이라도 효율적으로 형성할 수 있고, 유전체층의 형성 공정에서 공정 개선이 도모되며, PDP의 제조 효율을 향상시킬 수 있다. According to the method of the present invention, even a dielectric layer having a large film thickness can be efficiently formed by a simple method including a transfer process of the film forming material layer, the process can be improved in the process of forming the dielectric layer, and the production efficiency of the PDP can be improved. Can be improved.

또, 본 발명의 방법에 의하면, 막 두께의 균일성 (막 두께 공차 5% 이내)을 유지하면서 막 두께가 큰 유전체층을 형성할 수 있고, 대형 판넬에 요구되는 유전체층도 효율적으로 형성할 수 있다.In addition, according to the method of the present invention, a dielectric layer having a large film thickness can be formed while maintaining uniformity of the film thickness (within the film thickness tolerance within 5%), and the dielectric layer required for a large panel can be efficiently formed.

또한, 본 발명의 방법에 의하면, 막 두께의 균일성과 표면 평활성이 우수하고, 핀홀이나 크랙 등의 결함이 없는 유전체층을 형성할 수 있다. 따라서, 이와 같은 신뢰성이 높은 유전체층에 의해 안정된 유전 특성이 발휘되며, 그 결과 본 발명의 방법에 의해 제조되는 PDP에 있어서 휘도 얼룩 등의 표시 결함이 발생하지 않는다. In addition, according to the method of the present invention, it is possible to form a dielectric layer having excellent film thickness uniformity and surface smoothness and free of defects such as pinholes and cracks. Therefore, stable dielectric properties are exhibited by such highly reliable dielectric layers, and as a result, display defects such as luminance unevenness do not occur in the PDP produced by the method of the present invention.

도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 판넬의 단면 형상을 나타낸 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 유리 기판 2 : 유리 기판1: glass substrate 2: glass substrate

3 : 격벽 4 : 버스 전극3: bulkhead 4: bus electrode

5 : 어드레스 전극 6 : 형광 물질5 address electrode 6 fluorescent material

7 : 유전체층 8 : 보호층7 dielectric layer 8 protective layer

Claims (4)

(i) 유리 분말, 아크릴산 에스테르 수지 및 용제를 포함하는 점도가 500 내지 10,000 cp인 페이스트상 조성물이, 표면에 이형 처리가 되어 있으며 가요성을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 지지 필름 상에 도포되고, 막 두께가 30 내지 200 ㎛의 막 형성 재료층이 형성된 전사 필름으로서, (i) A paste-like composition having a viscosity of 500 to 10,000 cp containing a glass powder, an acrylic acid ester resin and a solvent is applied onto a support film made of a polyethylene terephthalate film having a mold release treatment on the surface thereof and having flexibility, A transfer film having a film forming material layer having a film thickness of 30 to 200 μm, (ii) 상기 지지 필름 상에 형성된 막 형성 재료층은, 전극이 고정된 유리 기판의 표면에, 가열 롤러의 표면 온도가 80 내지 100℃, 가열 롤러에 의한 롤 압력이 1 내지 5kg/cm2, 가열 롤러의 이동 속도가 0.5 내지 10.0m/분의 조건으로 전사되기 위한 것이고,(ii) As for the film formation material layer formed on the said support film, the surface temperature of a heating roller is 80-100 degreeC, and the roll pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm <2> , on the surface of the glass substrate with which the electrode was fixed; The transfer speed of the heating roller is for transferring to the condition of 0.5 to 10.0 m / min, (iii) 전사된 막 형성 재료층은 소성되고, 상기 유리 기판의 표면에, 막 형성 재료층 중에 포함되는 유기 물질이 분해 제거된 유리 소결체로 이루어지는 유전체층이 형성되기 위한 것이며,(iii) the transferred film forming material layer is baked, and a dielectric layer made of a glass sintered body in which the organic substance contained in the film forming material layer is decomposed and removed is formed on the surface of the glass substrate, 상기 전사 필름을 이용하여 형성된 플라즈마 디스플레이 판넬에 형성되는 유전체층의 막 두께 공차가 ±5% 이내인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 유전체층 형성용 전사 필름.The film thickness tolerance of the dielectric layer formed on the plasma display panel formed using the transfer film is within ± 5%, the transfer film for forming a dielectric layer of the plasma display panel. 제1항에 있어서, 막 형성 재료층의 막 두께가 30 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 유전체층 형성용 전사 필름.2. The transfer film for forming a dielectric layer of a plasma display panel according to claim 1, wherein the film forming material layer has a thickness of 30 to 100 m. 제1항에 있어서, 막 형성 재료층에 포함되는 유리 분말이, 산화아연 60 내지 90중량%、산화붕소 5 내지 20중량%、산화규소 5 내지 20중량%의 혼합물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 유전체층 형성용 전사 필름.The plasma display panel according to claim 1, wherein the glass powder contained in the film forming material layer is a mixture of 60 to 90 wt% zinc oxide, 5 to 20 wt% boron oxide, and 5 to 20 wt% silicon oxide. Transfer film for dielectric layer formation. 제2항에 있어서, 막 형성 재료층에 포함되는 유리 분말이, 산화아연 60 내지 90중량%、산화붕소 5 내지 20중량%、산화규소 5 내지 20중량%의 혼합물인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 판넬의 유전체층 형성용 전사 필름.The plasma display panel according to claim 2, wherein the glass powder contained in the film forming material layer is a mixture of 60 to 90 wt% zinc oxide, 5 to 20 wt% boron oxide, and 5 to 20 wt% silicon oxide. Transfer film for dielectric layer formation.
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