KR100487714B1 - 전원공급에무관한저소비전력비트선전압클램프를갖는메모리소자 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (16)
- 적어도 하나의 플로팅 게이트 메모리 셀과;상기 메모리 셀에 연결되어, 어드레스를 수신하고 이 수신된 어드레스에 대응되는 메모리 셀을 선택하는 선택 수단과;감지 회로와;상기 감지 회로에 연결된 제1 단자, 상기 선택 수단에 연결된 제2 단자 및 접지 레일(ground rail)에 연결된 게이트 단자를 갖는 공핍형 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 선택 수단은, 상기 공핍형 전계 효과 트랜지스터의 제2 단자에 연결된 제1 단자, 상기 메모리 셀에 연결된 제2 단자 및 열 선택선에 연결된 게이트 단자를 갖는 열 선택 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 공핍형 전계 효과 트랜지스터는 NMOS 소자인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 감지 회로는 제2 입력을 더 포함하고,상기 메모리 소자는 상기 감지 회로의 제2 입력단에 연결된 제1 단자와 전원 공급 레일과 연결된 제2 단자를 갖는 부하 회로를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제4항에 있어서, 상기 부하 회로는 증가형 PMOS 소자이고, 상기 공핍형 트랜지스터는 NMOS 소자인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 제4항에 있어서, 상기 부하 회로는 증가형 NMOS 소자이고, 상기 공핍형 트랜지스터는 NMOS 소자인 것을 특징으로 하는 메모리 소자.
- 행과 열로 배열된 플로팅 게이트 메모리 셀로 이루어진 어레이와;상기 메모리 셀의 행 중 한 행을 선택하는 행 선택 수단과;상기 메모리 셀의 열 중 한 열을 선택하는 열 선택 수단과;선택된 메모리 셀에 저장된 데이터를 나타내는 데이터 신호를 제공하는 데이터 노드를 가지며, 전원 공급 단자와 상기 데이터 노드 사이에 연결된 부하 소자와, 상기 열 선택 수단을 통해 상기 데이터 노드와 상기 메모리 셀의 열 사이에 연결되며 접지 단자와 연결된 게이트 단자를 갖는 공핍형 트랜지스터를 갖는 회로와;상기 데이터 노드에 연결되어 이 노드의 데이터 신호를 감지하는 감지 증폭기를 포함하는 비휘발성 메모리 소자.
- 제7항에 있어서, 상기 열 선택 수단은 입력이 상기 메모리 셀의 열에 연결되고 출력이 상기 공핍형 트랜지스터에 연결되는 다대일(many-to-one) 멀티플렉서인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
- 제8항에 있어서, 상기 공핍형 트랜지스터는 NMOS 소자인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
- 제9항에 있어서, 상기 부하 소자는 PMOS 소자 또는 NMOS 소자인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
- 제7항에 있어서, 상기 메모리 셀의 열은 복수의 열 그룹으로 배열되고,상기 메모리 소자는 복수의 상기 회로와, 상기 열 그룹 중 하나를 선택하고 이 선택된 열 그룹을 상기 회로에 연결시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
- 제11항에 있어서, 상기 회로의 각각의 상기 부하 소자는 PMOS 소자 또는 NMOS 소자인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
- 제12항에 있어서, 상기 회로의 각각의 공핍형 트랜지스터는 NMOS 소자인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자.
- 적어도 하나의 열 선택선과;적어도 하나의 워드 선택선과;제1 단자, 접지 레일에 연결된 제2 단자 및 상기 적어도 하나의 워드 선택선에 연결된 게이트 단자를 갖는 적어도 하나의 플로팅 게이트 메모리 셀과;제1 단자, 상기 메모리 셀의 제1 단자에 연결된 제2 단자 및 상기 적어도 하나의 열 선택선에 연결된 게이트 단자를 갖는 열 선택 트랜지스터와;제1 단자, 상기 열 선택 트랜지스터의 제1 단자에 연결된 제2 단자 및 상기 접지 레일에 연결된 게이트 단자를 갖는 공핍형 트랜지스터와;전원 공급 레일과 연결된 제1 단자와, 상기 공핍형 트랜지스터의 제1 단자에 연결된 제2 단자를 갖는 부하 회로와;상기 공핍형 트랜지스터의 제1 단자에 연결된 감지 증폭기를 포함하는 반도체 메모리.
- 제14항에 있어서, 상기 공핍형 트랜지스터는 NMOS 소자이고, 상기 부하 회로는 증가형 PMOS 소자이며, 상기 PMOS 소자의 게이트 단자는 상기 접지 레일에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
- 제14항에 있어서, 상기 공핍형 트랜지스터는 NMOS 소자이고, 상기 부하 회로는 증가형 NMOS 소자이며, 상기 NMOS 소자의 게이트 단자는 상기 전원 공급 레일에 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
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