KR100483458B1 - Effluent management apparatus and the method preventing abrupt pressure fluctuation - Google Patents
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Abstract
급격한 압력변동을 예방하는 폐가스처리장치 및 그 폐가스처리방법을 제공한다. 그 구성은 제1콘트롤러의 제어 동작에 따라 가스공급원으로부터 공정가스를 공급받아 소정의 반도체 제조공정을 실시하는 공정챔버로부터 배출되는 폐가스를 공급받아 소정의 온도로 가열하여 산화시키는 가열챔버를 구비한 폐가스처리장치에 있어서, 상기 가열챔버의 일측에 상기 가열챔버의 내부로 공정챔버로부터 배출되는 폐가스가 공급되기 전에 공정가스를 공급하여 가열챔버 내부를 선행 연소분위기로 만드는 선행연소수단을 구비하며, 이러한 구성에 의해 제1콘트롤러에 의해 공정챔버로 공정가스가 공급되는지 여부에 대한 신호가 제2콘트롤러로 전달되는 단계와; 상기 공정가스가 공급되기 전에 제2콘트롤러의 신호에 의해 제2유량제어기로 유로 개방신호를 전달함으로써 가열챔버로 소정량의 공정가스를 선행 공급하는 단계와; 상기 제2유량제어기에 의해 가열챔버로 공급된 공정가스를 선행 연소시키는 단계 및; 상기 연소분위기가 조성된 가열챔버로 공정챔버로부터 배출된 폐가스를 배기시켜 주연소과정을 실시하는 단계를 구비한다.Provided is a waste gas treatment apparatus and a waste gas treatment method for preventing sudden pressure fluctuations. The configuration is a waste gas having a heating chamber that receives a process gas from a gas supply source according to the control operation of the first controller, receives a waste gas discharged from a process chamber for performing a predetermined semiconductor manufacturing process, and heats it to a predetermined temperature to oxidize it. A processing apparatus comprising: a pre-combustion means for supplying a process gas to one side of the heating chamber before supplying the waste gas discharged from the process chamber into the heating chamber to make the inside of the heating chamber a pre-combustion atmosphere. Transmitting, by the first controller, a signal as to whether the process gas is supplied to the process chamber by the first controller; Prior supplying a predetermined amount of process gas to a heating chamber by transmitting a passage opening signal to a second flow controller by a signal of a second controller before the process gas is supplied; Pre-burning the process gas supplied to the heating chamber by the second flow controller; And exhausting the waste gas discharged from the process chamber to the heating chamber in which the combustion atmosphere is formed, and performing a main combustion process.
Description
본 발명은 급격한 압력변동을 예방하는 폐가스 처리장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소정의 반도체 제조공정 과정을 통해 공정챔버로부터 다량의 수소가 배출되기 전 수소를 가열용기의 내부에 미리 공급하여 예비 폭발을 유도함으로써 가열챔버 내부에 순간적인 압력상승과 폭발이 일어나는 것을 예방토록 하는 급격한 압력변동을 예방하는 폐가스 처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a waste gas treatment device that prevents sudden pressure fluctuations, and more particularly, preliminary explosion by supplying hydrogen to the inside of the heating vessel before a large amount of hydrogen is discharged from the process chamber through a predetermined semiconductor manufacturing process. The present invention relates to a waste gas treatment device for preventing sudden pressure fluctuations to prevent an instantaneous pressure rise and explosion inside the heating chamber.
일반적으로, 반도체 장비 예컨대, 화학기상증착장비 또는 확산장비 등에서는 주로 유독성 화확약품 및 화학가스등의 공정가스를 필요로 한다.In general, semiconductor equipment, such as chemical vapor deposition equipment or diffusion equipment mainly requires a process gas such as toxic chemicals and chemical gases.
상술한 공정가스가 공정챔버 내부에서 반응한 후 배출되는 폐가스는 유독성, 폭발성 및 부식성이 강하기 때문에 인체에 해를 가할 뿐만 아니라, 폐가스가 대기 중으로 배출될 경우에는 환경 오염을 유발시키게 되므로, 이러한 폐가스는 허용 농도 이하로 정화시켜 배출시켜야 한다.Since the waste gas discharged after the above-described process gas reacts inside the process chamber is not toxic, explosive and corrosive, it not only harms the human body but also causes environmental pollution when the waste gas is released into the atmosphere. Clean and discharge below acceptable concentrations.
이와 같은 폐가스의 정화에는 폐가스처리장치(일명 “스크러버”)가 사용되고 있으며, 그 폐가스처리장치에는 연소 방식과, 웨트 방식(wet type),그리고 흡착 방식, 촉매 방식 등이 있다.A waste gas treatment device (also called a “scrubber”) is used to purify such waste gas, and the waste gas treatment device includes a combustion method, a wet type, an adsorption method, a catalyst method, and the like.
종래의 폐가스처리장치는 효율성을 고려하여 히터의 가열에 의해 폐가스를 산화키도록 가열챔버를 지나게 한 후 웨트챔버를 지나게 하는 연소 방식과 웨트 방식을 병용한 것이 보편화되어 있다.Conventional waste gas treatment apparatuses are commonly used in combination with a combustion method and a wet method that pass through the heating chamber after passing the heating chamber to oxidize the waste gas by heating the heater in consideration of efficiency.
상술한 공정가스 중 폭발성가스에 속하는 것으로서 수소(H2)가 사용되어지는데, 상기 수소(H2)는 상온 상압에서는 안정하나 온도가 높아지면 산소와 급격히 반응하여 그 양이 줄어든다, 따라서, 고온의 용기에 다량의 수소를 유입시키면 초기에는 압력이 순간적으로 증가하다가 반응이 시작되면 압력이 다시 떨어지게 되는 데, 상술한 바와 같이 폐가스처리장치는 히터의 가열에 의해 폐가스를 산화시키는 가열산화방식을 이용하고 있어 이와 같은 경우 다량의 수소가 유입되면 그 순간 압력이 상승, 폭발하게 된다.Hydrogen (H2) is used as belonging to the explosive gas of the above-described process gas, but the hydrogen (H2) is stable at room temperature and normal pressure, but when the temperature increases, the amount of hydrogen (H2) reacts rapidly with oxygen and decreases, thus, in a high temperature container. When a large amount of hydrogen is introduced, the pressure initially increases and then the pressure drops again when the reaction starts. As described above, the waste gas treatment apparatus uses a heating oxidation method in which the waste gas is oxidized by heating the heater. In the same case, when a large amount of hydrogen is introduced, the pressure increases and explodes at that moment.
그와 같은 경우 고압의 압력이 공정챔버측으로 전달되어 반도체 제조장치에 악영향을 미치거나, 또는 상기 가열챔버와 연결되어 폐가스처리장치를 이루는 주변 장치에 악영향을 미치게 되는 문제점이 있다.In such a case, there is a problem that the high pressure is transmitted to the process chamber to adversely affect the semiconductor manufacturing apparatus, or to the peripheral apparatus which is connected to the heating chamber to form the waste gas treatment apparatus.
따라서, 본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 가열챔버의 내부로 공정챔버로부터 배출되는 다량의 가스 예컨대, 수소가스가 유입되기 전에 상기 가열챔버의 내부로 미리 가스를 유입시켜 예비 폭발을 일으킴으로써 다량의 가스가 유입되어 순간적인 압력 상승과 폭발을 예방할 수 있도록 하는 급격한 압력변동을 예방하는 폐가스 처리장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, an object of the present invention is to pre-gas inside the heating chamber before a large amount of gas discharged from the process chamber, for example hydrogen gas into the heating chamber; By providing a preliminary explosion by introducing a large amount of gas is to provide a waste gas treatment device that prevents sudden pressure fluctuations that can prevent a sudden increase in pressure and explosion.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 제1콘트롤러의 제어 동작에 따라 가스공급원으로부터 공정가스를 공급되어 소정의 반도체 처리 공정을 실시하는 공정챔버로부터 폐가스를 공급받아 소정의 온도로 가열하여 산화시키는 가열챔버를 구비한 폐가스처리장치에 있어서, 상기 가열챔버의 일측에 상기 가열챔버의 내부로 폐가스가 공급되기 전에 공정가스를 공급하여 연소시킴으로써 가열챔버 내부를 선행 연소분위기로 만드는 선행연소수단이 구비된 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, according to the present invention, a process gas is supplied from a gas supply source according to a control operation of a first controller, and waste gas is supplied from a process chamber for performing a predetermined semiconductor processing process, and heated to a predetermined temperature to be oxidized. In the waste gas treatment apparatus provided with a chamber, Before the waste gas is supplied to the inside of the heating chamber to one side of the heating chamber is provided with a pre-combustion means for making the interior of the heating chamber into a prior combustion atmosphere by supplying and combusting the process gas. It features.
상기 선행연소수단은 상기 제1콘트롤러와 연계되어 공정챔버로 공급되는 공정가스 공급시기를 체크하는 제2콘트롤러; 및 상기 제2콘트롤러로부터 신호를 전달받아 상기 공정챔버로부터 배출되는 폐가스가 가열챔버 내부로 유입되기 전에 유로를 개방하여 상기 가스공급원으로부터 소정량의 공정가스를 상기 가열챔버로 미리 공급하도록 하는 제2유량제어기를 포함한다. The precombustion means may include: a second controller connected to the first controller to check a process gas supply time to be supplied to the process chamber; And a second flow rate for receiving a signal from the second controller and opening a flow path before the waste gas discharged from the process chamber is introduced into the heating chamber to supply a predetermined amount of process gas from the gas supply source to the heating chamber in advance. It includes a controller.
상기 가열챔버를 통해 선행 연소된 가스가 배기되는 배기라인 상에는 연소된 가스상태를 감지하는 감지기를 추가로 포함한다. And a detector for detecting a burned gas state on an exhaust line through which the pre-burned gas is exhausted through the heating chamber.
상기 공정가스는 고온의 산화분위기에서 압력이 급격히 상승되어 폭발하는 수소(H2)이다.The process gas is hydrogen (H 2) that explodes due to a sharp rise in pressure in a high temperature oxidizing atmosphere.
상술한 구성에 의하여 제1콘트롤러에 의해 공정챔버로 공정가스가 공급되는지 여부에 대한 신호가 제2콘트롤러로 전달되는 단계와; 상기 공정가스가 공급되기 전에 제2콘트롤러의 신호에 의해 제2유량제어기로 유로 개방신호를 전달함으로써 가열챔버로 소정량의 공정가스를 선행 공급하는 단계와; 상기 제2유량제어기에 의해 가열챔버로 공급된 공정가스를 선행 연소시키는 단계 및; 상기 연소분위기가 조성된 가열챔버로 공정챔버로부터 배출된 폐가스를 배기시켜 주연소과정을 실시하는 단계를 거쳐 폐가스가 처리된다.Transmitting a signal to the second controller as to whether the process gas is supplied to the process chamber by the first controller by the above-described configuration; Prior supplying a predetermined amount of process gas to a heating chamber by transmitting a passage opening signal to a second flow controller by a signal of a second controller before the process gas is supplied; Pre-burning the process gas supplied to the heating chamber by the second flow controller; The waste gas is treated by performing a main combustion process by exhausting the waste gas discharged from the process chamber to the heating chamber in which the combustion atmosphere is formed.
상기 선행연소과정 및 주연소과정의 사이에는 그 선행 연소되어 배기되는 배기가스의 연소상태를 감지기를 통해 감지하는 단계; 및 상기 감지기를 통해 신호를 전달받은 제2콘트롤러가 정상상태인 경우 제2유량제어기로 유로 폐쇄신호를 전달함과 아울러 제1콘트롤러로 공정대기신호를 전달하고, 비정상상태인 경우 제1콘트롤러로 그 이상상태에 대한 신호를 전달하는 단계를 추가로 구비한다.Detecting a combustion state of the exhaust gas exhausted by the preceding combustion between the preceding combustion process and the main combustion process through a detector; And when the second controller receiving the signal through the detector is in a normal state, not only the channel closing signal is transmitted to the second flow controller but also a process standby signal is transmitted to the first controller, and when the second controller is abnormal, the second controller is transferred to the first controller. And transmitting a signal for an abnormal state.
이하, 첨부된 도면 도 1 및 도 2를 참조로 하여 본 발명의 일 실시 예에 의한 급격한 압력변동을 예방하는 폐가스처리장치의 구성 및 그 처리방법에 대해서 좀더 자세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, Figures 1 and 2 will be described in more detail with respect to the configuration and processing method of the waste gas treatment apparatus for preventing a sudden pressure fluctuation according to an embodiment of the present invention.
도 1에 도시된 바와 같이 반도체 제조공정을 실시하는 공정장비(1)로 공정챔버(2)가 있고, 상기 공정챔버(2)는 가스공급원(3)으로부터 소정의 공정가스를 공급받도록 구성된다.As shown in FIG. 1, a process chamber 2 is a process equipment 1 for performing a semiconductor manufacturing process, and the process chamber 2 is configured to receive a predetermined process gas from a gas supply source 3.
이때, 상기 공정가스의 공급은 제1콘트롤러(5)의 신호 동작에 따라 제1유량제어기(7)가 동작되어 상기 가스공급원(3)으로부터 공급되도록 구성된다.At this time, the supply of the process gas is configured such that the first flow controller 7 is operated in accordance with the signal operation of the first controller 5 to be supplied from the gas supply source 3.
한편, 상기 공정챔버(2)의 배기구는 소정의 공정을 통해 반응한 폐가스 또는 미반응가스가 배출되어 정화되도록 폐가스처리장치(100)가 연결된다.On the other hand, the exhaust port of the process chamber 2 is connected to the waste gas treatment apparatus 100 so that the waste gas or unreacted gas reacted through a predetermined process is discharged and purified.
상기 폐가스처리장치(100)는 일 예로 수용성가스용매를 공급하여 반도체제조장비로부터 공급되는 폐가스에 포함된 수용성가스를 제거하는 전처리수단(110)과, 상기 전처리수단(110)을 통해 미처리된 폐가스를 소정의 온도로 가열하여 산화시키는 건식처리수단(130)과, 상기 건식처리수단(130)을 통해 처리되지 않은 폐가스 및 미세 파우더를 공급받아 소정 용매를 분사하여 폐가스를 용해시키거나 슬러지 형태로 집진하는 습식처리수단(150)과, 상기 습식처리수단(150)을 통해서 유입되는 가스에 포함된 수분을 제거하는 수분제거수단(170)과, 상기 전처리수단(110), 습식처리수단(150), 수분제거수단(170)에 연결되어 처리된 파우더가 혼합된 용매를 수거하는 드레인수단(180)으로 구성된다.The waste gas treatment apparatus 100 may include, for example, a pretreatment means 110 for removing a water-soluble gas contained in waste gas supplied from a semiconductor manufacturing equipment by supplying a water-soluble gas solvent, and the untreated waste gas through the pretreatment means 110. Dry treatment means 130 for heating and oxidizing to a predetermined temperature and the waste gas and fine powder which are not processed through the dry treatment means 130 are sprayed with a predetermined solvent to dissolve the waste gas or to collect in the form of sludge Wet processing means 150, water removal means 170 for removing moisture contained in the gas flowing through the wet processing means 150, the pretreatment means 110, wet treatment means 150, water The drain means 180 is connected to the removal means 170 to collect the solvent mixed with the treated powder.
상기 건식처리수단(130)은 폐가스 및 상기 폐가스를 산화시키기 위한 공기를 수용시키는 소정의 공간을 형성하는 가열챔버(131)로 구성되는 것으로, 그 가열챔버(131)의 외주에는 소정의 온도로 가열되어 산화조건을 형성시키는 히터(133)가 설치된 것이다.The dry processing means 130 is composed of a heating chamber 131 that forms a predetermined space for accommodating the waste gas and air for oxidizing the waste gas, and is heated to a predetermined temperature on the outer circumference of the heating chamber 131. And a heater 133 is formed to form oxidation conditions.
상기 가열챔버(131)에는 상기 공정챔버(2)로부터 배기되는 다량의 폐가스(이하 수소(H2)를 예로 들어 설명함)가 유입되어 순간압력이 상승하여 폭발하는 것을 예방하도록 선행연소수단(200)이 설치된다.Preliminary combustion means 200 to prevent the explosion of the instantaneous pressure is increased by introducing a large amount of waste gas (hereinafter described as hydrogen (H2)) is exhausted from the process chamber 2 into the heating chamber 131 This is installed.
상기 선행연소수단(200)은 상기 공정챔버(2)로부터 폐가스가 배기되어 상기 가열챔버(131)의 내부로 유입되기 전에 가스공급원(3)으로부터 공정가스(이하 수소로 칭함)수소를 상기 가열챔버(131)에 미리 공급하여 상기 공정챔버(2)로부터 배기되는 다량의 수소가 유입되어 연소되기 이전에 선행연소과정을 거치도록 하기 위한 것으로서, 상기 제1콘트롤러(5)와 연계되어 공정챔버(2)로 공급되는 공정가스 공급 이전에 준비 신호를 받는 제2콘트롤러(210)와 상기 제2콘트롤러(210)로부터 신호를 전달받아 상기 공정챔버(2)로부터 배출되는 폐가스가 가열챔버(131) 내부로 유입되기 전에 상기 가스공급원(3)과 가열챔버(131)를 연결하는 유로(220)를 개방하여 상기 가스공급원(3)으로부터 소정량의 수소를 상기 가열챔버(131)로 미리 공급하도록 하는 제2유량제어기(230)로 구성된다.The pre-combustion means 200 converts the process gas (hereinafter referred to as hydrogen) hydrogen from the gas supply source 3 before the waste gas is exhausted from the process chamber 2 and flows into the heating chamber 131. The pre-supply to 131 to pass through a pre-combustion process before a large amount of hydrogen exhausted from the process chamber 2 is introduced and combusted, the process chamber (2) in conjunction with the first controller (5) The waste gas discharged from the process chamber 2 receives a signal from the second controller 210 and the second controller 210 that receive a preparation signal before the process gas is supplied to the inside of the heating chamber 131. A second opening for opening the flow path 220 connecting the gas supply source 3 and the heating chamber 131 to supply a predetermined amount of hydrogen from the gas supply source 3 to the heating chamber 131 before being introduced; Flow controller 230 It is sex.
감지기(250)는 정화되어 배출되는 가스에 수소가 포함되었는지 여부를 판별하여 수소 포함시에 이상상태에 대한 신호를 제2콘트롤러(210)로 전달하며, 그 신호를 전달받은 제2콘트롤러(210)는 제1콘트롤러(5)측으로 신호를 전달한다.The detector 250 determines whether hydrogen is included in the purified and discharged gas, and transmits a signal about an abnormal state to the second controller 210 when hydrogen is included, and receives the signal to the second controller 210. Transmits a signal to the first controller 5 side.
다음 도 2를 참조로 하여 본 발명의 일 실시 예에 의하여 급격한 압력변동을 예방하는 기능을 수행하며 폐가스가 처리되는 과정에 대해서 좀더 상세히 설명한다.Next, with reference to Figure 2 will be described in more detail with respect to the process of performing the function to prevent the sudden pressure fluctuations and waste gas treatment according to an embodiment of the present invention.
먼저, 제1콘트롤러(1)가 제2콘트롤러(210)로 반도체 공정 시작 여부(공정가스공급시작 여부)에 대한 신호를 전달(S10)한다.First, the first controller 1 transmits a signal to the second controller 210 as to whether the semiconductor process starts (process gas supply start) (S10).
그러면, 신호를 전달받은 제2콘트롤러(210)에서는 공정챔버(2)로 공정가스가 공급될 준비가 되었음을 인식하게 되어 제2유량제어기(230)에 동작신호를 출력하여 유로(220)를 개방시킴으로써 가스공급원(3)으로부터 소정량의 공정가스(수소)를 가열챔버(131) 내부로 선행 공급(S20)한다. Then, the second controller 210 receiving the signal recognizes that the process gas is ready to be supplied to the process chamber 2, and outputs an operation signal to the second flow controller 230 to open the flow path 220. A predetermined amount of process gas (hydrogen) is supplied from the gas supply source 3 into the heating chamber 131 in advance (S20).
다음 히터(133)의 가열조건에 의해 고온의 분위기로 유입된 수소가 연소(S30)되어 가열챔버(131) 내부를 연소분위기로 만든다.Next, hydrogen introduced into the high temperature atmosphere by the heating conditions of the heater 133 is burned (S30) to make the inside of the heating chamber 131 into a combustion atmosphere.
이때, 수소감지기(250)는 수소가 연소되어 배출되는 가스에 수소가 잔류되어 있는지 여부를 판별(S31)하여 수소가 포함되었을 경우 이상상태에 대한 신호를 제2콘트롤러(210)로 전달하고, 다시 상기 제2콘트롤러(210)는 제1콘트롤러(5)로 신호를 전달하여 공정챔버(2)의 메인 공정을 진행하지 않도록 한다.(S32)At this time, the hydrogen detector 250 determines whether hydrogen remains in the gas discharged by the combustion of hydrogen (S31), and when hydrogen is included, transmits a signal for an abnormal state to the second controller 210, and again. The second controller 210 transmits a signal to the first controller 5 so as not to proceed with the main process of the process chamber 2 (S32).
여기서, 수소가 포함되지 않았을 경우 그 신호를 제2콘트롤러(210)로 전달하여 제1콘트롤러(5)로 폐가스처리장치(100)가 준비되었음을 알림으로써 공정대기상태를 이루도록 함과 아울러 상기 제2콘트롤러(210)는 제2유량제어기(230)로 신호를 전달하여 유로(220)를 폐쇄시킨다.(S33)In this case, when hydrogen is not included, the signal is transmitted to the second controller 210 to notify the first controller 5 that the waste gas treatment apparatus 100 is ready, thereby achieving a process standby state, and the second controller. 210 transmits a signal to the second flow controller 230 to close the flow path 220 (S33).
이와 같이 가열챔버(131)의 내부가 미리 연소분위기가 만들어진 상태에서 공정챔버(2)로부터 소정의 반도체 제조공정을 거친 폐가스가 배기되어 가열챔버(131)의 내부로 유입되어 주 연소과정(S40)을 거친다.As described above, in the state in which the combustion chamber is made in the combustion atmosphere in advance, the waste gas that has passed through a predetermined semiconductor manufacturing process is exhausted from the process chamber 2 and flows into the heating chamber 131 to perform the main combustion process (S40). Go through
이때, 상기 가열챔버(131)로 다량의 수소를 포함하는 폐가스가 공정챔버(2)로부터 배기되어도 그 내부가 선행되어 연소분위기가 조성되었으므로 수소 발열 반응초기에 압력이 순간적으로 증가되는 것을 예방할 수 있다. At this time, even if the waste gas containing a large amount of hydrogen into the heating chamber 131 is exhausted from the process chamber (2), since the inside is preceded by a combustion atmosphere, the pressure may be prevented from increasing momentarily at the beginning of the hydrogen exothermic reaction. .
상술한 바와 같이 본 발명은 가열챔버의 내부에 폐가스가 공급되는 것에 앞서 연소가스를 미리 공급하여 선행연소과정을 실시하도록 함으로써 공정챔버로부터 배기되는 다량의 수소를 포함하는 폐가스가 가열챔버로 갑자기 유입되어 고온의 분위기에서 산소와 급격히 반응하여 순간 압력의 급격한 상승을 예방하는 이점이 있다.As described above, according to the present invention, the waste gas containing a large amount of hydrogen exhausted from the process chamber is suddenly introduced into the heating chamber by supplying combustion gas in advance to perform the preliminary combustion process before the waste gas is supplied into the heating chamber. It reacts rapidly with oxygen in a high temperature atmosphere and has an advantage of preventing a sudden increase in the instantaneous pressure.
그와 같이 순간압력의 급격한 상승을 예방함에 따라 공정챔버를 포함하는 반도체 제조장비 측으로 압력이 역류하여 고가의 반도체 제조장비를 파손시키는 것을 예방함과 아울러 가열챔버와 연계된 폐가스처리장치의 주변장치가 손상되는 것을 예방할 수 있다.As a result of the sudden rise of the instantaneous pressure, the pressure flows back to the semiconductor manufacturing equipment including the process chamber, thereby preventing damage to the expensive semiconductor manufacturing equipment, and the peripheral device of the waste gas treatment apparatus associated with the heating chamber is provided. It can prevent damage.
이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiments have been described. However, various modifications may be made without departing from the scope of the present invention. Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiments, but should be defined by the claims below and equivalents thereof.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 의한 폐가스처리장치의 구성을 도시한 도면,1 is a view showing the configuration of a waste gas treatment apparatus according to an embodiment of the present invention,
도 2는 상기 도 1의 구성에 의해 폐가스처리방법이 이루어지는 과정을 도시한 순서도이다.FIG. 2 is a flowchart illustrating a process of performing a waste gas treatment method according to the configuration of FIG. 1.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : 공정장비 2 : 공정챔버1: process equipment 2: process chamber
3 : 가스공급원 5 : 제1콘트롤러3: gas supply source 5: first controller
100 : 폐가스처리장치 110 : 전처리수단100: waste gas treatment device 110: pretreatment means
130 : 건식처리수단 131 : 가열챔버130: dry processing means 131: heating chamber
133 : 히터 200 : 선행연소수단133: heater 200: precombustion means
210 : 제2콘트롤러 230 : 제2유량제어기210: second controller 230: second flow controller
250 : 가스감지기250: gas detector
Claims (6)
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2003
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