KR100482163B1 - MASK and method for crystallizing Si using the same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 실리콘의 결정화 방법에 관한 것으로, 특히 그레인(grain)의 측면성장을 유도하는 방법(SLS : Sequential Lateral Solidification)에 사용되는 마스크의 구성과 이러한 마스크를 이용한 실리콘 결정화 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a crystallization method of silicon, and more particularly, to a structure of a mask used in a method of inducing lateral growth of grain (SLS: Sequential Lateral Solidification) and a silicon crystallization method using such a mask.
본 발명은 SLS 방법으로 실리콘을 결정화하기 위해 사용하는 마스크의 설계를 변형하여, 기존의 2샷 방식으로 형성한 결정 영역을 1샷만으로 결정화가 진행되도록 한다.The present invention modifies the design of the mask used for crystallizing silicon by the SLS method, so that crystallization proceeds with only one shot of the crystal region formed by the conventional two-shot method.
이때, 투과영역과 차단영역으로 구성된 마스크의 구성 중 차단영역의 폭(평면적으로 세로길이)은 (1 샷당 성장한 그레인의 길이-(마스크의 투과영역의 폭/2))*2로 설계한다.At this time, the width (planar length) of the blocking area among the masks composed of the transmitting area and the blocking area is designed as (the length of grain grown per shot-(width / 2 of the transmitting area of the mask)) * 2.
이와 같이 마스크를 구성하게 되면, 종래의 2샷방식에 비해 공정 시간을 대폭 절약할 수 있는 효과가 있다.If the mask is configured in this way, the process time can be significantly reduced compared to the conventional two-shot method.
Description
본 발명은 저온으로 폴리실리콘(poly silicon)을 형성하는 방법에 관한 것으로, 특히 그레인(grain)의 측면성장을 유도하는 결정화 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of forming polysilicon at low temperature, and more particularly to a crystallization method of inducing lateral growth of grain.
일반적으로, 실리콘은 결정상태에 따라 비정질 실리콘(amorphous silicon)과 결정질 실리콘(crystalline silicon)으로 나눌 수 있다.In general, silicon may be classified into amorphous silicon and crystalline silicon according to a crystalline state.
비정질 실리콘은 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하여, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정패널(liquid crystal panel)의 스위칭 소자(switching device)에 많이 사용한다.Amorphous silicon can be deposited at a low temperature to form a thin film, and is mainly used in switching devices of liquid crystal panels using glass having a low melting point as a substrate.
그러나, 상기 비정질 실리콘 박막은 액정패널 구동소자의 전기적 특성과 신뢰성 저하 및 표시소자 대면적화에 어려움이 있다.However, the amorphous silicon thin film has difficulty in deteriorating electrical characteristics and reliability of the liquid crystal panel driving device and increasing the display device large area.
대면적, 고정세 및 패널 영상구동회로, 일체형 랩탑컴퓨터(laptop computer), 벽걸이 TV용 액정표시소자의 상용화는 우수한 전기적 특성(예를 들면 높은 전계효과 이동도(30㎠/VS)와 고주파 동작특성 및 낮은 누설전류(leakage current))의 화소 구동소자를 요구하며 이는 고품위 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)의 응용을 요구하고 있다.Commercialization of large-area, high-definition and panel image driving circuits, integrated laptop computers and wall-mounted liquid crystal display devices has shown excellent electrical characteristics (for example, high field effect mobility (30 cm2 / VS) and high frequency operating characteristics). And low leakage current pixel driving devices, which require the application of high quality poly crystalline silicon.
특히, 다결정 실리콘 박막의 전기적 특성은 결정립(grain)의 크기에 큰 영향을 받는다. 즉, 결정립의 크기가 증가함에 따라 전계효과 이동도도 따라 증가한다.In particular, the electrical properties of the polycrystalline silicon thin film are greatly influenced by the grain size. That is, as the grain size increases, the field effect mobility also increases.
따라서, 이러한 점을 고려하여 실리콘을 단결정화 하는 방법이 큰 이슈로 떠오르고 있으며, 최근 들어 에너지원을 레이저로 하여 실리콘 결정의 측면성장을 유도하여 거대한 단결정 실리콘을 제조하는 SLS(sequential lateral solidification)(연속적인 측면 고상화라함.)기술이 국제특허 "WO 97/45827"과 한국 공개특허"2001-004129"에 제안되었다.Therefore, the method of single crystallization of silicon has become a big issue in consideration of this point, and recently, the sequential lateral solidification (SLS) (continuous sequential) of producing large single crystal silicon by inducing lateral growth of silicon crystals using an energy source as a laser. The aspect of solidification has been proposed in international patents "WO 97/45827" and Korean published patents "2001-004129".
상기 SLS 기술은 실리콘 그레인이 액상 실리콘과 고상 실리콘의 경계면에서 그 경계면에 대하여 수직 방향으로 성장한다는 사실을 이용한 것으로, 레이저 에너지의 크기와 레이저빔(laser beam)의 조사범위의 이동을 적절하게 조절하여 실리콘 그레인을 소정의 길이만큼 측면성장 시킴으로서 비정질 실리콘 박막을 결정화시키는 것이다.The SLS technology takes advantage of the fact that silicon grain grows in the direction perpendicular to the interface between the liquid silicon and the solid silicon, and appropriately controls the size of the laser energy and the shift of the irradiation range of the laser beam. By growing the silicon grain by a predetermined length, the amorphous silicon thin film is crystallized.
이러한 SLS기술을 실현하기 위한 SLS 장비는 이하, 도 1에 도시한 바와 같다.SLS equipment for realizing such an SLS technology is as shown in FIG. 1 below.
상기 SLS 장비(32)는 레이저 빔(34)을 발생하는 레이저 발생장치(36)와, 상기 레이저 발생장치를 통해 방출된 레이저 빔을 집속시키는 집속렌즈(40)와, 기판(44)에 레이저 빔을 나누어 조사시키는 마스크(38)와, 상기 마스크(38)의 상, 하부에 위치하여 상기 마스크를 통과한 레이저빔(34)을 일정한 비율로 축소하는 축소렌즈(42)로 구성된다.The SLS device 32 includes a laser generator 36 for generating a laser beam 34, a focusing lens 40 for focusing a laser beam emitted through the laser generator, and a laser beam on a substrate 44. And a mask 38 for irradiating and dividing the light, and a reduction lens 42 positioned above and below the mask 38 to reduce the laser beam 34 passing through the mask at a constant ratio.
상기 레이저빔 발생장치(36)는 광원에서 가공되지 않은 레이저빔을 방출시키고, 어테뉴에이터(미도시)를 통과시켜 레이저빔의 에너지 크기를 조절하고, 상기 집속렌즈(40)를 통해 레이저 빔(34)을 조사하게 된다.The laser beam generator 36 emits an unprocessed laser beam from a light source, passes through an attenuator (not shown) to adjust the energy of the laser beam, and the laser beam 34 through the focusing lens 40. ).
상기 마스크(38)에 대응되는 위치에는 비정질 실리콘 박막이 증착된 기판(44)이 고정된 X-Y스테이지(46)가 위치한다.The X-Y stage 46 to which the substrate 44 on which the amorphous silicon thin film is deposited is fixed is positioned at a position corresponding to the mask 38.
이때, 상기 기판(44)의 모든 영역을 결정화하기 위해서는 상기 X-Y스테이지(46)를 미소하게 이동하여 줌으로써 결정영역을 확대해 나가는 방법을 사용한다.At this time, in order to crystallize all the regions of the substrate 44, a method of enlarging the crystal regions by moving the X-Y stage 46 minutely is used.
전술한 구성에서, 상기 마스크(38)는 상기 레이저 빔을 통과시키는 투과영역(A)과, 레이저 빔을 차단하는 차단영역(B)으로 구분된다.In the above-described configuration, the mask 38 is divided into a transmission region A for passing the laser beam and a blocking region B for blocking the laser beam.
상기 차단영역(B)의 너비(투과영역 사이의 거리)는 그레인의 측면성장 길이를 결정한다.The width (distance between the transmission zones) of the blocking zone B determines the lateral growth length of the grains.
전술한 바와 같은 종래의 SLS 결정화 장비를 이용하여 실리콘을 결정화하는 방법을 알아본다.A method of crystallizing silicon using the conventional SLS crystallization equipment as described above will be described.
일반적으로, 결정질 실리콘은 상기 기판에 절연막인 버퍼층(buffer layer)(미도시)을 형성하고, 상기 버퍼층 상부에 비정질 선행 막을 증착 한 후에 이를 이용하여 형성한다. 상기 비정질 선행 막은 일반적으로 화학 기상증착법(CVD)등을 사용하여 기판에 증착하게 되며, 이는 박막 내에 수소를 많이 함유하고 있다.In general, crystalline silicon is formed by forming a buffer layer (not shown) which is an insulating film on the substrate, and using an amorphous predecessor film on the buffer layer. The amorphous preceding film is generally deposited on a substrate using chemical vapor deposition (CVD) or the like, which contains a lot of hydrogen in the thin film.
상기 수소는 열에 의해 박막을 이탈하는 특징이 있기 때문에, 상기 비정질 선행 막을 1차로 열처리하여 탈수소화 과정을 거치는 것이 필요하다.Since the hydrogen has a characteristic of leaving the thin film by heat, it is necessary to first heat-treat the amorphous preceding film to undergo a dehydrogenation process.
왜냐하면, 수소를 미리 제거하지 않은 경우에는 결정박막의 표면이 매우 거칠어져 전기적으로 특성이 좋지 않기 때문이다.This is because if the hydrogen is not removed in advance, the surface of the crystal thin film becomes very rough and its electrical characteristics are poor.
도 2는 탈수소화 과정을 거치고 일부분이 결정화된 비정질 실리콘(52)막이 형성된 기판(54)이다. FIG. 2 is a substrate 54 in which an amorphous silicon 52 film is formed by undergoing dehydrogenation and partially crystallized.
도시한 바와 같이, 레이저 빔을 이용한 결정화는 기판(54)의 전 면적을 동시에 결정화 할 수 없다. As shown, crystallization using a laser beam cannot simultaneously crystallize the entire area of the substrate 54.
왜냐하면, 레이저 빔의 빔폭과 마스크(도 1의 38)의 크기가 제한되어 있기 때문에 대면적으로 갈수록 상기 하나의 마스크(도 1의 38)를 여러번 정렬하고, 그 때마다 결정화 과정을 반복함으로써 결정화가 이루어진다.Because the beam width of the laser beam and the size of the mask (38 in FIG. 1) are limited, the crystallization is performed by aligning the single mask (38 in FIG. 1) many times in large areas and repeating the crystallization process each time. Is done.
이때, 상기 단일 마스크의 축소면적(C)만큼 결정화 된 영역을 한 블록이라 정의하면, 상기 한 블록내의 결정화 또한 다차(多次)의 레이저 빔 조사를 통해 이루어진다.In this case, if a region crystallized by the reduced area C of the single mask is defined as one block, crystallization in the one block is also performed through multiple laser beam irradiation.
도 3은 종래의 2샷 방식을 이용한 결정화 공정을 위한 마스크의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.3 is a plan view schematically illustrating a configuration of a mask for a crystallization process using a conventional two-shot method.
도시한 바와 같이, 마스크(60)에 패턴된 투과영역(G)과 차단영역(H)의 모양을 가로방향의 스트라이프 형태가 되도록 구성하여 결정화 공정을 진행한다.As shown, the crystallization process is performed by forming the transmissive region G and the blocking region H patterned on the mask 60 so as to have a stripe in the horizontal direction.
이때, 상기 투과영역(G)의 세로길이(즉, 빔 패턴의 너비)는 한번의 레이저 조사공정에 의해 성장하는 그레인의 최대성장 길이의 두 배의 길이보다 작은 길이를 가지도록 구성하고, 상기 차단영역(H)의 세로길이(빔 패턴의 간격)는 투과영역의 세로길이 보다 약간 작게 구성한다. In this case, the longitudinal length (ie, the width of the beam pattern) of the transmission region (G) is configured to have a length less than twice the maximum growth length of the grain growing by one laser irradiation process, the blocking The longitudinal length (interval of the beam pattern) of the region H is configured to be slightly smaller than the longitudinal length of the transmissive region.
이와 같이 하면, 1차 레이저빔을 조사하였을 경우, 용융영역에서는 비정질 실리콘층의 양측 계면에서 그레인이 각각 측면 성장하게 되고, 각 측면성장한 그레인(grain)의 바운더리(boundary)가 충돌하면서 성장이 멈추게 된다.In this case, when the primary laser beam is irradiated, grains are laterally grown at both interfaces of the amorphous silicon layer in the molten region, and growth is stopped while collisions of the boundary of grains grown at each side are collided. .
왜냐하면, 상기 빔 패턴의 너비가 한번의 레이저 조사 공정으로 이루어진 그레인의 최대성장길이의 두배 또는 그 이하의 길이가 된다면 투과영역에 대응한 부분에 핵생성 영역이 존재하지 않기 때문이다.This is because, if the width of the beam pattern is twice or less than the maximum growth length of the grain formed by one laser irradiation process, there is no nucleation region in the portion corresponding to the transmission region.
결정화 공정 중, 상기 마스크(60)를 통과하여 상기 축소렌즈(도 1의 42)에 의해 축소된 빔 패턴은 X축으로 움직이며 결정화를 진행한다. 이때 상기 이동경로는 상기 마스크(60)의 가로방향의 길이만큼 즉, 상기 렌즈에 의해 축소된 패턴의 가로길이 만큼 ㎜단위로 이동하며 결정화 공정을 진행한다.During the crystallization process, the beam pattern reduced by the reduction lens (42 in FIG. 1) passing through the mask 60 moves along the X axis to perform crystallization. At this time, the movement path is moved by the length in the transverse direction of the mask 60, that is, in the unit of mm by the width of the pattern reduced by the lens, and the crystallization process is performed.
따라서, 상기 마스크 또는 X-Y스테이지의 X 방향으로의 움직임의 범위가 커지므로 결정화를 위한 공정시간을 단축할 수 있다.Therefore, since the range of movement of the mask or the X-Y stage in the X direction is increased, the process time for crystallization can be shortened.
이하, 도 4a 내지 도 4d를 참조하여, 종래에 따른 결정화 방법을 상세히 설명한다.Hereinafter, the crystallization method according to the related art will be described in detail with reference to FIGS. 4A to 4D.
도 4a 내지 도 4d는 종래에 따른 폴리실리콘 결정화 공정을 도시한 공정 평면도이다.4A to 4D are process plan views illustrating a polysilicon crystallization process according to the related art.
먼저, 도 4a에 도시한 바와 같이, 마스크(60)를 기판(62)상에 위치시키고 1차 레이저빔 조사하여, 투명한 절연기판(62)에 증착된 비정질 실리콘막의 결정화를 진행한다.First, as shown in FIG. 4A, the mask 60 is positioned on the substrate 62 and irradiated with a first laser beam to crystallize the amorphous silicon film deposited on the transparent insulating substrate 62.
이때, 상기 마스크를 통한 빔패턴의 세로길이는 그레인의 최대 측면성장 길이(그레인의 길이)(D)의 두 배 또는 그 이하로 한다.At this time, the longitudinal length of the beam pattern through the mask is twice or less than the maximum lateral growth length (grain length) (D) of the grain.
결정화된 영역은 상기 마스크의 투과영역(도 3의 G)에 대응하는 부분이며, 마스크의 투과영역이 3개라고 가정한다면, 결정화 영역 또한 가로방향으로 소정의 길이를 가지는 3개의 결정영역(I,J,K)이 형성될 것이다. The crystallized region is a portion corresponding to the transmissive region (G in FIG. 3) of the mask, and assuming that the transmissive region of the mask is three, the three crystallized regions I, which have a predetermined length in the horizontal direction, are also assumed. J, K) will be formed.
이때, 결정영역(I,J,K)내에서의 결정화 상태를 설명하면, 상기 레이저를 통해 완전히 녹아버린 비정질 실리콘의 용액이 상기 녹지 않은 양측의 비정질 실리콘을 씨드(seed)로 하여, 평면적으로는 상부와 하부로 부터 그레인(66a, 66b)이 각각 자라게 되며, 상기 각 그레인의 바운더리가 도시한 바와 같이 점선(64)부근에서 만나게 된다.In this case, the crystallization state in the crystal regions (I, J, K) is described. A solution of amorphous silicon completely melted by the laser is used as the seed of both sides of the non-melted amorphous silicon. Grains 66a and 66b grow from the top and bottom, respectively, and the boundary of each grain meets near the dotted line 64 as shown.
이때, 열전도에 의해 마스크(100)의 차단영역(B)에 대응하는 일부 영역(a)까지 결정화가 진행된다.At this time, crystallization proceeds to the partial region a corresponding to the blocking region B of the mask 100 by thermal conduction.
도 4b에 도시한 바와 같이, 상기 1차 결정화가 완료되면, 상기 기판(62)이 놓여진 스테이지(미도시)를 상기 축소된 마스크 패턴(빔패턴)의 가로 길이(E)보다 작게 ㎜단위로 이동한 후, 2차 레이저빔을 조사하여 연속적으로 X축 방향으로의 결정화를 진행한다.As shown in FIG. 4B, when the primary crystallization is completed, the stage (not shown) on which the substrate 62 is placed is moved in units of mm smaller than the horizontal length E of the reduced mask pattern (beam pattern). After that, the secondary laser beam is irradiated to continuously crystallize in the X-axis direction.
다음으로, 도 4c에 도시한 바와 같이, X축 방향으로의 결정화가 모두 이루어 졌다면, 상기 마스크(60)가 움직일 경우에는 Y축으로, 상기 X-Y스테이지가 움직일 경우에는 -Y축으로 미소하게 이동한다. Next, as shown in FIG. 4C, if all the crystallization in the X-axis direction has been achieved, the mask 60 moves slightly to the Y axis when the mask 60 moves, and to the -Y axis when the XY stage moves. .
다음으로, 1차 결정화 공정이 끝난 부분을 처음으로 하여 다시 한번 가로방향으로 결정화를 진행하게 되는데, 이때 마스크(M)의 투과영역(A)은 상기 결정화된 영역(I,J,K)을 포함한 비정질 선행막에 대응하여 위치하게 된다.Next, the crystallization proceeds to the horizontal direction once again after the first crystallization process is completed, wherein the transmission region A of the mask M includes the crystallized regions I, J, and K. It is located in correspondence with the amorphous preceding film.
이와 같이 하면, 도 4d에 도시한 바와 같이, 상기 제 1 공정에 의해 결정화된 결정질 실리콘의 그레인이 연속하여 더욱 성장하게 된다. 즉, 상기 1차 공정시 결정화된 각 영역(도 4a의 I,J,K)의 그레인 충돌영역(64) 사이의 거리의 1/2에 해당하는 길이(65)를 가지는 그레인으로 다시 성장하게 된다.In this way, as shown in Fig. 4D, grains of crystalline silicon crystallized by the first process are further grown continuously. That is, it grows again into grain having a length 65 corresponding to 1/2 of the distance between the grain collision regions 64 of each region (I, J, K of FIG. 4A) crystallized in the first process. .
전술한 바와 같은 공정을 통해 종래의 2샷 방식(마스크에 대응하는 영역을 결정화 하기 위해 두 번의 레이저 조사공정을 필요로 하는 방식)으로 결정화를 진행할 수 있다.Through the process described above, the crystallization may be performed by a conventional two-shot method (a method requiring two laser irradiation processes to crystallize the region corresponding to the mask).
본 발명은 전술한 바와 같은 2샷 방식의 결정화 공정을 1샷 방식으로 하여 공정시간을 더욱 단축하기 위한 목적으로 제안된 것으로, 투과 영역과 차단영역으로 정의되는 마스크 패턴 중 상기 차단부의 폭을 (1 샷당 성장한 그레인의 길이(SLG)-마스크의 오픈부의 폭/2)*2로 설계하여 1샷의 레이저 빔 조사로 종래의 2 샷으로 결정화된 영역을 결정화한다.The present invention has been proposed for the purpose of further shortening the process time by using the two-shot crystallization process as described above as one-shot method, and the width of the blocking part among the mask patterns defined as the transmission area and the blocking area is defined as (1). The length of grain grown per shot (SLG) -width of the open portion of the mask / 2) * 2 is designed to crystallize the area crystallized into two conventional shots by laser beam irradiation of one shot.
이와 같은 마스크의 변형된 패턴과 이를 이용한 측면 성장 결정화 방법은 결정화 공정을 단축하여 수율을 개선할 수 있다. Such a modified pattern of the mask and the lateral growth crystallization method using the same may improve the yield by shortening the crystallization process.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 폴리실리콘 결정화 방법은Polysilicon crystallization method according to the present invention for achieving the object as described above
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 SLS 결정화방법을 아래의 실시예를 통해 상세히 설명한다.Hereinafter, an SLS crystallization method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
-- 실시예 --Example
도 5는 본 발명에 따른 측면성장 결정화 공정에 사용되는 마스크와 이에 따라 결정화된 다결정 실리콘층의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.FIG. 5 is a plan view schematically illustrating a configuration of a mask used in a lateral growth crystallization process and a crystallized polycrystalline silicon layer according to the present invention.
도시한 바와 같이, 마스크(100)를 크게 레이저빔을 투과시키는 투과영역(A)과, 레이저빔을 차단하는 차단영역(B)으로 구성한다.As shown in the drawing, the mask 100 is composed of a transmission region A for transmitting the laser beam largely and a blocking region B for blocking the laser beam.
상기 투과영역(A)의 폭이 L이라면, 차단영역(B)의 폭은 ((1샷당 그레인의 최대 성장 길이)-L/2)*2로 설계한다.If the width of the transmission region A is L, the width of the blocking region B is designed to be ((maximum growth length of grain per shot) -L / 2) * 2.
이때, 투과영역(A)에 대응하여 성장하는 그레인(102)의 최대 성장 길이(D)는 이에 대응하는 투과영역의 폭인 L/2 보다 조금 더 크게 성장하게 된다. (이는 조사된 레이저 빔의 열전도에 의한 것이다.) 이때, 더 크게 성장하는 길이를 α라 하자.At this time, the maximum growth length D of the grain 102 growing in correspondence with the transmission region A is slightly larger than L / 2, which is the width of the transmission region corresponding thereto. (This is due to the thermal conduction of the irradiated laser beam.) In this case, let the length of larger growth be α.
이때, α는 한 쪽의 그레인(102)에 대해 연장된 길이이므로 투과영역에 대응하여 성장한 양측의 그레인에서 연장된 길이를 합하면 2α가 된다.At this time, since α is an extended length with respect to one grain 102, the sum of the lengths extended from both grains growing in correspondence to the transmission region is 2α.
따라서, 상기 차단 영역(B)의 폭을 2α로 하면, 종래와는 달리 핵생성 영역이 발생하지 않고 상기 차단영역(B)에서는, 차단영역을 중심으로 상/하부의 투과영역(A)에 대응한 부분에서 성장한 그레인(102a,102b)들이 만나게 된다.Therefore, when the width of the blocking area B is 2α, unlike in the prior art, no nucleation area is generated, and the blocking area B corresponds to the upper / lower transmission area A around the blocking area. The grains 102a and 102b that grow in one portion meet.
따라서, 마스크(100) 패턴의 전체를 놓고 보면 1 샷으로 마스크에 대응하는 영역(물론 렌즈에 의해 축소된 영역임)이 핵 생성영역 없이 모두 결정화가 진행되는 결과를 얻을 수 있게 된다.Therefore, when looking at the entire pattern of the mask 100, it is possible to obtain a result in which the crystallization proceeds without the nucleation region in the region corresponding to the mask (of course, the region reduced by the lens) in one shot.
이하, 도 6a 내지 도 6c를 참조하여, 본 발명에 따른 마스크를 이용한 실리 결정화 공정을 설명한다.(6a는 설명의 편의상 단면도와 평면도를 동시에 사용한다.)6A to 6C, the silicic crystallization process using a mask according to the present invention will be described. (For the sake of convenience, 6A uses a cross-sectional view and a plan view.)
도 6a에 도시한 바와 같이, 기판(200)상에 질화 실리콘(SiNX)과 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하여 버퍼층(202)을 형성한다.As shown in FIG. 6A, one selected from the group of inorganic insulating materials including silicon nitride (SiN X ) and silicon oxide (SiO 2 ) is deposited on the substrate 200 to form a buffer layer 202.
다음으로 상기 버퍼층(202)의 상부에 비정질 선행막(204)을 형성한다.Next, an amorphous preceding film 204 is formed on the buffer layer 202.
연속하여, 비정질 선행막(204)의 상부에 투과영역(A)과 차단영역(B)으로 구성된 마스크(100)를 위치시킨다.Subsequently, a mask 100 composed of a transmission region A and a blocking region B is positioned on the amorphous preceding film 204.
도 6b에 도시한 바와 같이, 마스크(100)의 상부에서 레이저빔을 조사하면, 상기 비정질 선행막(204)중 마스크(100)에 대응한 영역이 결정층(206)이 된다.As shown in FIG. 6B, when the laser beam is irradiated from the upper portion of the mask 100, a region of the amorphous preceding film 204 corresponding to the mask 100 becomes a crystal layer 206.
이때, 마스크(100)의 투과영역(A)에 대응하여 양측으로 그레인(204a,204b)이 성장하게 되며, 세로 방향으로 이웃한 투과영역(A)에 대응하여 성장한 그레인(204b,206b)은 각각 차단부(B)로 연장 성장하여 서로 만나게 되면서 비로소 성장을 멈추게 된다.At this time, the grains 204a and 204b grow on both sides of the mask 100 to correspond to the transmissive region A, and the grains 204b and 206b grown to correspond to the transmissive regions A adjacent in the vertical direction are respectively. It grows to the blocking part (B) and meets each other until it stops growing.
따라서, 한번의 레이저 조사 공정으로 마스크(100)의 영역만큼의 결정영역이 발생하게 된다.Therefore, as much as the area of the mask 100 is generated in one laser irradiation process.
상기 마스크(100)에 대응한 영역의 비정질 선행막이 다결정 실리콘으로 결정화 되면 상기 마스크를 마스크의 가로 길이만큼(M) 또는 그 이하로 이동하는 공정을 진행한다.When the amorphous preceding film of the region corresponding to the mask 100 is crystallized from polycrystalline silicon, a process of moving the mask by the horizontal length (M) or less of the mask is performed.
도 6c에 도시한 바와 같이, 마스크를 가로 방향으로 이동하여 결정화 하는 공정이 기판의 가로방향에 대해 완료되면, 상기 마스크(100)를 마스크의 세로 길이만큼 세로축으로 이동한 후, 레이저를 조사하여 나머지 비정질 선행막(204)을 결정화 하는 공정을 진행한다.As shown in FIG. 6C, when the process of crystallizing by moving the mask in the horizontal direction is completed with respect to the horizontal direction of the substrate, the mask 100 is moved vertically by the length of the mask, and then irradiated with a laser to rest. The process of crystallizing the amorphous preceding film 204 is performed.
전술한 바와 같은 공정을 반복적으로 시행하여 도 6d에 도시한 바와 같이 기판(200)에 대해 비정질 선행막층을 모두 결정질 실리콘층(206)으로 형성할 수 있다.By repeatedly performing the above-described process, as shown in FIG. 6D, all of the amorphous preceding film layer may be formed of the crystalline silicon layer 206 with respect to the substrate 200.
전술한 바와 같은 공정을 통해 측면성장에 의한 결정화 공정을 진행할 수 있다. Through the process as described above it can proceed to the crystallization process by lateral growth.
따라서, 본 발명에 따른 결정화 방법으로 비정질 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화한다면, 종래의 2 샷 방식과 비교하여 공정 시간을 1/2로 줄일 수 있기 때문에 공정시간을 단축하여 수율을 개선하는 효과가 있다. Therefore, if the amorphous silicon is crystallized with polysilicon by the crystallization method according to the present invention, since the process time can be reduced to 1/2 compared with the conventional two-shot method, there is an effect of improving the yield by shortening the process time.
도 1은 SLS결정화 장비를 도시한 도면이고,1 is a view showing the SLS crystallization equipment,
도 2는 결정화가 일부 진행된 기판을 도시한 도면이고,2 is a view showing a substrate that is partially crystallized,
3은 종래의 SLS 결정화를 위한 마스크의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이고,3 is a plan view schematically showing the configuration of a mask for conventional SLS crystallization,
도 4a 내지 도 4d는 종래에 따른 결정화 공정을 도시한 공정 평면도이고,4A to 4D are process plan views illustrating a conventional crystallization process,
도 5는 본 발명에 따른 마스크와, 이를 이용하여 결정화한 결정층을 도시한 평면도이고,5 is a plan view showing a mask and a crystal layer crystallized using the mask according to the present invention,
도 6a 내지 도 6d는 본 발명에 따른 결정화 공정을 순서대로 도시한 공정도이다.6a to 6d are process diagrams showing the crystallization process according to the present invention in order.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100 : 마스크 패턴 102a,102b : 그레인100: mask pattern 102a, 102b: grain
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|---|---|---|---|---|
| KR19990023628A (en) * | 1997-08-12 | 1999-03-25 | 오카모토 세이시 | Manufacturing method and apparatus for polycrystalline semiconductor thin film |
| KR20000001170A (en) * | 1998-06-09 | 2000-01-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | Method for crystallizing a silicon thin film and method of forming thin film transistor using the same |
| KR20010004129A (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-15 | 구본준 | Laser annealing method |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR19990023628A (en) * | 1997-08-12 | 1999-03-25 | 오카모토 세이시 | Manufacturing method and apparatus for polycrystalline semiconductor thin film |
| KR20000001170A (en) * | 1998-06-09 | 2000-01-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | Method for crystallizing a silicon thin film and method of forming thin film transistor using the same |
| KR20010004129A (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-15 | 구본준 | Laser annealing method |
| JP2002217206A (en) * | 2000-11-20 | 2002-08-02 | Nec Corp | Thin-film transistor, manufacturing method for thin-film transistor and image input device using thin-film transistor |
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