KR100477388B1 - Heater block for Wafer-process - Google Patents
Heater block for Wafer-process Download PDFInfo
- Publication number
- KR100477388B1 KR100477388B1 KR10-2002-0050609A KR20020050609A KR100477388B1 KR 100477388 B1 KR100477388 B1 KR 100477388B1 KR 20020050609 A KR20020050609 A KR 20020050609A KR 100477388 B1 KR100477388 B1 KR 100477388B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heater block
- wafer
- heater
- chamber
- block
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
Abstract
본 발명은 히터블록에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 표면 처리된 웨이퍼 공정용 히터블록에 관한 것이다. The present invention relates to a heater block, and more particularly to a heater block for a surface treatment wafer process.
일반적으로 웨이퍼 공정용 챔버 내에서는 여러 가지 가스와 열이 이용되고 있으며, 이러한 열과 가스는 히터블록의 외표면에 스트레스를 유발하고 이로 인해 상기 히터블록의 표면은 균열과 식각, 부식 등의 문제점이 발생하고 있다.In general, various gases and heat are used in the chamber for wafer processing, and the heat and gas cause stress on the outer surface of the heater block, which causes problems such as cracking, etching, and corrosion on the surface of the heater block. Doing.
이러한 문제점은 반도체 제조에 있어서 효율성을 떨어뜨릴 뿐 아니라 유지/보수에 별도의 시간과 비용을 발생시키고 있으며, 아울러 반도체 소자의 신뢰성을 감소시키는 원인이 되기도 한다.This problem not only reduces efficiency in semiconductor manufacturing, but also incurs extra time and cost in maintenance and repair, and also causes a decrease in reliability of semiconductor devices.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 방안으로서, 상기 히터블록의 외표면에 코팅을 통한 표면처리를 수행하는데, 이처럼 외표면이 코팅처리된 히터블록을 사용할 경우 챔버내에서 이루어지는 화학반응에 영향을 받지 않기 때문에 반도체 제조공정에 있어서 효율성을 극대화할 수 있음은 물론이고, 그 제조물인 반도체의 신뢰성을 더욱 높일 수 있는 장점을 동반하고 있다.The present invention is to solve the above problems, the surface treatment by coating the outer surface of the heater block, the outer surface is coated when the heater block is used to affect the chemical reaction in the chamber Because it does not receive, it is possible to maximize the efficiency in the semiconductor manufacturing process, and also has the advantage of further increasing the reliability of the semiconductor that is manufactured.
Description
본 발명은 반도체 제조에 있어 웨이퍼 공정에서 사용되는 히터블록에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표면 처리된 상기 히터블록에 관한 것이다.The present invention relates to a heater block used in a wafer process in semiconductor manufacturing, and more particularly to the heater block surface-treated.
최근 과학기술이 발전함에 따라 새로운 물질의 개발 및 처리를 가능하게 하는 신소재 분야도 급속도로 발전하고 있는 추세이며, 이러한 신소재 분야의 개발 성과물은 반도체산업의 비약적인 발전 원동력이 되고 있다.Recently, with the development of science and technology, the new material field, which enables the development and processing of new materials, is also rapidly developing, and the development results of this new material field are driving the rapid development of the semiconductor industry.
반도체 소자란, 통상 기판인 웨이퍼(Wafer)의 상면에 수 차례에 걸친 박막의 증착 및 이의 패터닝(Patterning) 등의 처리공정을 통해 구현되는 고밀도 집적회로(LSI:Large Scale Integration)로서, 이러한 박막 증착 및 패터닝 등의 공정은 챔버(Chamber)형 프로세스 모듈(Process Module) 내에서 이루어지는 것이 일반적이다.A semiconductor device is a high-scale integrated circuit (LSI: Large Scale Integration) implemented through a process of depositing a plurality of thin films on the upper surface of a wafer, which is a substrate, and patterning thereof. And a process such as patterning is generally performed in a chamber type process module.
이에 챔버형 프로세스 모듈은 목적하는 공정에 따라 다양한 형태를 가질 수 있지만, 그 구성에 있어서 다수의 공통요소를 가지고 있는 바, 일례로 상단이 돔(Dome) 형상을 가지는 챔버를 포함하는 반도체 제조용 프로세스 모듈에 대하여 설명한다.The chamber-type process module may have a variety of forms according to the desired process, but has a plurality of common elements in the configuration, for example, a process module for semiconductor manufacturing including a chamber having an upper dome shape, for example. It demonstrates.
도 1은 일반적인 챔버형 프로세스 모듈의 개략 단면도로서, 크게 내부에 밀폐된 반응영역을 정의하고, 상기 반응영역 내로 인입되는 웨이퍼(1)의 상면에 박막을 증착하거나 또는 기(旣) 증착된 박막을 패터닝하는 등 직접적인 웨이퍼 처리공정이 진행되는 챔버(chamber)(20)와, 이러한 챔버(20)에서 진행되는 처리공정에 필요한 소스(source) 및 반응물질을 저장하며, 이를 챔버(20)로 공급하는 소스 및 반응물질저장장치(40)로 구분될 수 있다.1 is a schematic cross-sectional view of a general chamber type process module, which defines a reaction region enclosed therein largely, and deposits a thin film on the upper surface of the wafer 1 introduced into the reaction region, or a previously deposited thin film. It stores a chamber (20) where a direct wafer processing process, such as patterning, and the source and reactants necessary for the processing process performed in the chamber 20, and supplies it to the chamber (20) Source and reactant storage device 40 can be divided into.
이에 챔버(20)는 소스 및 반응물질저장장치(40)에 연결되는 유입관(22)과, 내부의 기체물질을 배출하는 배출관(24) 및 이의 말단에 설치되는 펌프(P) 등의 감압수단을 포함하고 있으며, 특히 챔버(20)의 내부에는 상부에 웨이퍼(1)의 지지를 위해 히터(32)를 포함하는 히터블록(30)이 실장되어 있다.The chamber 20 is a pressure reducing means such as an inlet pipe 22 connected to the source and the reactant storage device 40, a discharge pipe 24 for discharging the gaseous material therein and a pump (P) installed at the end thereof. In particular, a heater block 30 including a heater 32 is mounted on the inside of the chamber 20 to support the wafer 1 thereon.
따라서 외부로부터 웨이퍼(1)가 로딩(loading)되어 서셉터 상면에 안착된 후 챔버(20)가 밀폐되면, 배출관(24)의 말단에 부설된 펌프(P) 등의 감압수단을 통해 챔버(20) 내부를 고유 환경으로 조성하고, 이어 유입관(22)을 통해 챔버(20) 내로 공급되는 소스 및 반응물질의 화학반응을 통해 웨이퍼(1)를 처리한다.Therefore, when the chamber 20 is sealed after the wafer 1 is loaded from the outside and seated on the upper surface of the susceptor, the chamber 20 is decompressed through a decompression means such as a pump P installed at the end of the discharge tube 24. The wafer 1 is processed through chemical reaction of a source and a reactant supplied into the chamber 20 through the inlet pipe 22.
이때 전술한 소스 및 반응물질저장장치(40)로부터 유입관(22)을 통해 챔버(20)로 공급되는 기체물질은, 통상 챔버(20) 내부에 설치되는 인젝터(26)에 의하여 반응영역 전(全) 면적으로 고르게 확산되는 바, 비록 도면에는 웨이퍼(1)의 직상부에서 그 하단으로 기체물질을 분사하는 탑 플로우(top flow) 방식의 인젝터가 도시되어 있지만, 목적에 따라 샤워헤드(shower head) 또는 사이드 플로우(side flow) 방식의 인젝터 등이 사용될 수도 있다.At this time, the gaseous material supplied from the above-described source and reactant storage device 40 to the chamber 20 through the inlet pipe 22, is usually before the reaction zone by the injector 26 installed inside the chamber 20 ( Evenly spreading over the area, although the figure shows a top flow injector that injects the gaseous material from the upper portion of the wafer 1 to the lower portion thereof, the shower head is used depending on the purpose. ) Or a side flow injector or the like may be used.
한편 전술한 구성을 가지는 챔버(20)에 설치되어 웨이퍼(1)를 지지 및 가열하는 히터블록(30)에 대해 좀 더 상세히 설명하면, 이는 챔버(20) 내부에서 진행되는 반도체 제조공정 중 웨이퍼(1)를 안정적으로 지지하는 테이블(table) 역할을 함과 동시에, 보다 균일하고 신뢰성 있는 공정 진행을 위해 그 내부에는 고온으로 발열하는 히터(heater)(32)를 포함하고 있다.Meanwhile, the heater block 30 installed in the chamber 20 having the above-described configuration to support and heat the wafer 1 will be described in more detail. In addition to serving as a table for stably supporting 1), the heater 32 includes a heater 32 that generates heat at a high temperature for a more uniform and reliable process.
이에 상기 히터블록(30)은 도 2의 도시와 같이, 발열체인 히터(32)의 외부를 감싸는 절연체(34)와, 상기 절연체(34)를 감싸는 외도체(36)로 구성되는 바, 상기 외도체(36)의 재질로는 내열성이 큰 물질이 사용될 필요가 있는데, 통상 타(他) 금속에 비해 비교적 저렴한 가격을 가지고 있어 구성비용을 절감할 수 있는 니켈, 크롬, 티타늄, 철(nickel, iron, chromium, iron) 등과, 상기 재질의 합금물질인 인코넬(inconnel)과 같은 금속 재질이 사용되어 왔다. The heater block 30 is composed of an insulator 34 surrounding the outside of the heater 32, which is a heating element, and an outer conductor 36 surrounding the insulator 34, as shown in FIG. As a material of the sieve 36, a material having a high heat resistance needs to be used. Nickel, chromium, titanium, iron (nickel, iron), which has a relatively low price compared to other metals, can reduce the construction cost. , chromium, iron) and the like, and a metal material such as Inconnel, which is an alloy material of the material, has been used.
그러나 상기 니켈, 크롬, 티타늄, 철 또는 인코넬 등으로 이루어진 보통의 히터블록은, 공정에 따라 상기 히터(32)에서 전달되는 수백 ℃의 고온 환경과, 플루오르(Fluorine), 염소(Chlorine), 산소(oxygen) 등의 가스를 이용한 화학반응 공정에 의해 표면이 식각 또는 부식되는 현상이 발생하고 있는 실정이다.However, the ordinary heater block made of nickel, chromium, titanium, iron, or inconel, etc., according to the process, a high temperature environment of several hundred ℃ delivered from the heater 32, fluorine (Fluorine), chlorine (Chlorine), oxygen ( The surface is etched or corroded by a chemical reaction process using a gas such as oxygen).
이에 AlN (Aluminum Nitride) 재질이 사용되기도 하나, 이는 비싼 가격에 의해 반도체 제조비용을 증가시키는 단점을 가지고 있다.AlN (Aluminum Nitride) is also used, but this has the disadvantage of increasing the semiconductor manufacturing cost due to the high price.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 챔버 내의 다양한 환경에서 히터블록의 손상을 최소화할 수 있는 방법을 제시한다. The present invention has been made to solve the above problems, and proposes a method of minimizing damage of the heater block in various environments in the chamber.
또한 상기 히터블록 손상의 최소화를 통해 빈번한 교체와 유지 보수에 드는 비용의 절감 효과를 도출하는 것을 또 다른 목적으로 한다.In addition, another object of the present invention is to derive a reduction in the cost of frequent replacement and maintenance through minimizing damage to the heater block.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 반도체 제조공정 중 웨이퍼공정을 수행하는 챔버내의 히터를 내장하고 있는 금속재질의 히터블록에 있어서, 상기 히터블록은 외표면에 산화알루미늄(Al2O3) 또는 산화이트륨(Y2O3), 알루미늄나이트라이드(AlN : Aluminum Nitride) 중 적어도 하나 이상의 재료를 이용하여 코팅되는 보호막이 형성되는 히터블록을 제안한다.In order to achieve the above object, the present invention is a heater block made of a metal material containing a heater in the chamber for performing a wafer process of the semiconductor manufacturing process, the heater block is aluminum oxide (Al 2 O 3 on the outer surface) Or a heater block having a protective film coated with at least one of yttrium oxide (Y 2 O 3 ) and aluminum nitride (AlN).
이때 상기 코팅된 박막층의 두께는 바람직하게는 200 마이크로미터(㎛) 이하인 것을 또 다른 특징으로 한다.또한 본 발명은, 내부에 히터가 실장된 웨이퍼 공정용 히터블록으로서, 상기 히터블록은 외표면에 보호막이 형성되며, 상기 보호막은 플라즈마 코팅 스프레이 방법 또는 화학기상증착방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정용 히터블록을 제안한다.In this case, the thickness of the coated thin film layer is preferably 200 micrometers (μm) or less. In another aspect, the present invention is a heater block for a wafer process in which a heater is mounted therein, and the heater block is formed on an outer surface thereof. A protective film is formed, and the protective film proposes a heater block for a wafer process, which is formed by a plasma coating spray method or a chemical vapor deposition method.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 웨이퍼 공정용 히터블록에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a heater block for a wafer process according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 따른 히터블록을 채용한 웨이퍼 공정용 챔버의 개략 단면도로서, 상기 외도체(36)의 외표면에 코팅층(50)이 형성되어 있는 바, 상기 코팅의 재질은 산화알루미늄(Al2O3) 또는 산화이트륨(Y2O3), 알루미늄나이트라이드(AlN) 등을 이용하며, 상기한 재료들을 조합하여 다중 코팅하거나 또는 하나의 재질로 구성된 코팅막을 형성할 수 있다.3 is a schematic cross-sectional view of a wafer processing chamber employing a heater block according to the present invention, wherein a coating layer 50 is formed on an outer surface of the outer conductor 36, and the material of the coating is aluminum oxide (Al). 2 O 3 ) or yttrium oxide (Y 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), or the like may be used, and the above materials may be combined to form a multi-coating or a coating film composed of one material.
상기한 히터블록(30)의 코팅방법으로는 여러 가지가 사용될 수 있는데, 예를 들어 플라즈마 스프레이 코팅법(Plasma Spray Coating), 화학증착방법인 CVD(chemical Vaper Deposition) 등이 사용될 수 있다.Various coating methods may be used as the coating method of the heater block 30. For example, plasma spray coating, chemical vapor deposition (CVD), or the like may be used.
여기서 상기한 플라즈마 스프레이 코팅방법에 대해 간략하게 설명하면, 일례로 불활성가스(예, Ar)로부터 생성되는 플라즈마에 분말형태의 피막재료를 투입하여 순간적으로 용융시키고, 이와 동시에 플라즈마의 흐름을 고속으로 하여 피 코팅체를 향하도록 한다. 따라서 완전 용융된 분말용사재를 고속으로 피 코팅체에 밀착시켜 표면으로 피막을 형성시키는 코팅 방법이다. Here, the plasma spray coating method described above will be briefly described. For example, a powder-like coating material is added to a plasma generated from an inert gas (for example, Ar) to instantaneously melt, and at the same time, the plasma flow is made at a high speed. Aim the coating target. Therefore, it is a coating method of forming a film on the surface by closely contacting the molten powder spray material to the coating target at high speed.
이때 상기 용사재로써는 금속, 비금속, 세라믹(주로 금속화합물 탄화물) 도성(陶性)합금(cermet) 등으로 광범위하고, 탁월한 내마모성, 내열성, 내식성, 전기전도차폐성, 전파복사성, 육성 및 초경 등의 우수한 코팅 피막을 얻을 수 있으며, 용사시 가공물의 표면온도가 150℃ 이내로 제어되기 때문에 거의 모든 모재에 코팅이 가능한 방법이다.At this time, the thermal spraying material is a metal, non-metal, ceramic (mainly metal compound carbide) conductive alloy (cermet), such as a wide range, excellent wear resistance, heat resistance, corrosion resistance, electrical shielding, radio wave radiation, growth and carbide, etc. It is possible to obtain an excellent coating film, and because the surface temperature of the workpiece during spraying is controlled within 150 ° C, it is a method that can be coated on almost all base materials.
또 다른 방법인 화학기상증착(CVD) 방법은 통상의 반도체 제조공정에 있어서 널리 사용되는 방법이므로 상기 기술에 대해서는 설명하지 않는다.The chemical vapor deposition (CVD) method, which is another method, is widely used in a conventional semiconductor manufacturing process, and thus the description thereof will not be described.
상기한 방법 등을 이용하여 상기 히터블록(30)에 코팅을 수행하게 되는바, 상기 코팅의 두께는 약 200㎛ 이하가 적당하며, 필요에 의해 상기한 두께는 조절이 가능함은 당연하다.The coating is performed on the heater block 30 using the above method, and the thickness of the coating is suitably about 200 μm or less, and the thickness can be adjusted as necessary.
상기와 같이 설명한 본 발명에 따른 히터블록은 여러 가지 화학 반응이 수행되는 웨이퍼 공정용 챔버내 에서 열 또는 화학가스 등에 의해 히터블록이 식각, 부식되거나 또는 스트레스에 의해 균열이 생기는 등의 현상을 방지하여 주기 때문에 유지/보수비용의 절감과 아울러 반도체 생산성을 증대시키는 장점이 있다.As described above, the heater block according to the present invention prevents a phenomenon in which the heater block is etched, corroded, or cracked due to stress by heat or chemical gas, etc., in a wafer processing chamber in which various chemical reactions are performed. Because of the cycle, it has the advantage of reducing the maintenance cost and increasing the semiconductor productivity.
또한 상기한 효과에 의해 반도체 소자의 신뢰성을 더욱 증대시킬 수 있음은 당연하다 하겠다.In addition, it is a matter of course that the reliability of the semiconductor device can be further increased by the above effects.
도 1은 일반적인 챔버형 프로세스 모듈의 개략 단면도1 is a schematic cross-sectional view of a typical chambered process module
도 2는 상기 도 1에서 도시된 히터블록에 대한 개략 단면도2 is a schematic cross-sectional view of the heater block shown in FIG.
도 3은 본 발명에 따른 히터블록을 도시한 개략 단면도3 is a schematic cross-sectional view showing a heater block according to the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>
1 : 웨이퍼 20 : 챔버1: wafer 20: chamber
22 : 유입관 24 : 배출관22: inlet pipe 24: discharge pipe
26 : 인젝터 30 : 히터블록26: injector 30: heater block
32 : 히터 34 : 절연체32: heater 34: insulator
36 : 외도체 40 : 반응물질저장장치36: outer conductor 40: reactant storage device
50 : 코팅층 P : 펌프50: coating layer P: pump
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0050609A KR100477388B1 (en) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | Heater block for Wafer-process |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0050609A KR100477388B1 (en) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | Heater block for Wafer-process |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040018689A KR20040018689A (en) | 2004-03-04 |
| KR100477388B1 true KR100477388B1 (en) | 2005-03-17 |
Family
ID=37323904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2002-0050609A KR100477388B1 (en) | 2002-08-26 | 2002-08-26 | Heater block for Wafer-process |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100477388B1 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100839928B1 (en) * | 2006-10-24 | 2008-06-20 | (주)티티에스 | Heater formed with aluminum coating layer thereon and manufacturing method thereof |
| KR101106060B1 (en) * | 2009-02-17 | 2012-01-18 | 주식회사 삼안 | Mesh rope untwisting prevention type plantation roll for river engineering |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950021341A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-26 | 가나까와 지히로 | Ceramic Heater with Electrostatic Chuck |
| KR19980015741A (en) * | 1996-08-23 | 1998-05-25 | 김광호 | Sputtering device for semiconductor devices |
| JP2001298020A (en) * | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Nhk Spring Co Ltd | Ceramic heater and film forming/processing device |
| KR20020067640A (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-23 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | Diamond-coated member |
| KR100425031B1 (en) * | 2001-12-20 | 2004-03-30 | 주성엔지니어링(주) | Wafer pedestal heater |
-
2002
- 2002-08-26 KR KR10-2002-0050609A patent/KR100477388B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR950021341A (en) * | 1993-12-27 | 1995-07-26 | 가나까와 지히로 | Ceramic Heater with Electrostatic Chuck |
| KR19980015741A (en) * | 1996-08-23 | 1998-05-25 | 김광호 | Sputtering device for semiconductor devices |
| JP2001298020A (en) * | 2000-04-18 | 2001-10-26 | Nhk Spring Co Ltd | Ceramic heater and film forming/processing device |
| KR20020067640A (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-23 | 니뽄 가이시 가부시키가이샤 | Diamond-coated member |
| KR100425031B1 (en) * | 2001-12-20 | 2004-03-30 | 주성엔지니어링(주) | Wafer pedestal heater |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040018689A (en) | 2004-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100882758B1 (en) | Cerium oxide containing ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment | |
| US5456757A (en) | Susceptor for vapor deposition | |
| US6620520B2 (en) | Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof | |
| US7605086B2 (en) | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof | |
| JP4358509B2 (en) | Diamond coating on reaction chamber wall and method for producing the same | |
| JP4608159B2 (en) | Corrosion resistant member of semiconductor processing apparatus and method for manufacturing the same | |
| KR20020033441A (en) | Semiconductor substrate-supporting apparatus | |
| KR20040101330A (en) | Low contamination components for semiconductor processing apparatus and methods for making components | |
| US20030180556A1 (en) | Corrosive-resistant coating over aluminum substrates for use in plasma deposition and etch environments | |
| KR100477388B1 (en) | Heater block for Wafer-process | |
| US20230039670A1 (en) | Mixed metal baseplates for improved thermal expansion matching with thermal oxide spraycoat | |
| KR101030433B1 (en) | Chemical vapor deposition apparatus which consists of chamber shield and Method for fabricating chamber shield | |
| JPH11131236A (en) | Corrosion resistant member and its production | |
| US20230073259A1 (en) | High temperature substrate support with heat spreader | |
| EP0629716B1 (en) | Susceptor for vapor deposition | |
| KR100690300B1 (en) | Heating appatatus of processing chamber for semi-conductor production | |
| JP2023539146A (en) | Anodic oxidation of metal matrix composite semiconductor processing chamber components | |
| KR20220046622A (en) | Processing apparatus and film formation method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130111 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131204 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150204 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160303 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170309 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180807 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190104 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200102 Year of fee payment: 16 |