KR100476018B1 - Terminal structure of otorhinolaryngology laser beam irradiator - Google Patents
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Abstract
본 발명은 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에 관한 것으로, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 배치된 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드에서 발생되는 접합열을 방열시키는 히트싱크에 접촉하는 히트싱크 접촉돌기와 이 접촉돌기에서 전열된 열을 접촉팁에 전달하는 접촉팁 결합부와 전원선을 관통시키는 통로를 구비한 전열부를 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드와 접촉팁 사이에 연결함으로써 히트싱크에서 방열되는 열을 이용하여 접촉팁을 가온시키도록 구성되어 있으므로 별도의 가열수단을 사용하지 않고 간단한 구조로 접촉팁을 가온시킬 수 있을 뿐만 아니라 접촉팁이 환자의 이비인후에 접촉되었을 때 환자에게 거부감을 주지 않을 뿐만 아니라 치료효과를 배가시킬 수 있다.The present invention relates to a laser light irradiation apparatus for treating an otorhinolaryngology, comprising: a heat sink contact protrusion contacting a heat sink for dissipating the heat of bonding generated in a pn junction laser semiconductor diode disposed at a lower end of a hollow cylindrical contact tip; By using the heat radiated from the heat sink by connecting the contact tip coupling part for transferring the heat transferred from the contact projection to the contact tip and the heat transfer part having a passage through the power line between the pn junction laser semiconductor diode and the contact tip. Because it is configured to warm the contact tip, it is possible to warm the contact tip with a simple structure without using a separate heating means, and it does not give the patient a feeling of rejection when the contact tip is in contact with the patient's ear throat. Can double.
Description
본 발명은 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 접촉팁이 가온되도록 구성된 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 관한 것이다.The present invention relates to a distal end structure of the laser light irradiation apparatus for treating an otorhinolaryngology, and more particularly, to a distal structure of the laser light irradiation apparatus for treating an otolaryngology configured to warm a contact tip.
저출력 에너지의 레이저광을 환자의 이비인후에 조사하여 이비인후 질환을 치료하는 이비인후 치료용 레이저광 조사장치는, 온/오프 스위치, 레이저광 강도 조절 버튼 및 시간표시부 등을 포함하는 조작부가 구비된 본체와, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 레이저 반도체 다이오드를 배치한 말단부와, 말단부의 하단부에 결합되며 본체와 레이저 반도체 다이오드를 연결하는 전원선이 내부를 관통하는 파지부로 구성되어 있다.A laser light irradiation apparatus for treating an otorhinolaryngology by irradiating a laser light of a low power energy to a patient's otolaryngology includes an on / off switch, a laser light intensity control button and a time display unit. The provided main body, a distal end disposed with the laser semiconductor diode at the lower end of the hollow cylindrical contact tip, and a gripping portion coupled to the lower end of the distal end and a power line connecting the main body and the laser semiconductor diode penetrate the inside.
작동시, 말단부의 접촉팁을 환자의 이비인후에 접촉시킨 후 본체의 조작부를 조작하여 전원선을 통해 레이저 반도체 다이오드에 소정의 전류를 인가하면, 저출력 에너지의 레이저광이 접촉팁의 중공 내부를 관통하여 환자의 이비인후에 조사된다.In operation, if the contact tip of the distal end contacts the patient's ear throat, and then manipulates the operation part of the main body to apply a predetermined current to the laser semiconductor diode through the power supply line, the laser beam of low output energy penetrates the hollow inside of the contact tip. The patient's ear throat is examined.
그러나, 이러한 종래의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부는 그 접촉팁이 단열되어 차가운 상태로 있으며, 따라서 접촉팁이 차가운 상태로 환자의 이비인후에 접촉하게 된다.However, the distal end of the conventional laser nose light irradiating apparatus for treating the otorhinolaryngology, the contact tip is insulated and cold, and thus the contact tip is in contact with the patient's ear throat in a cold state.
이렇게 환자의 이비인후에 차가운 상태의 접촉팁이 접촉하게 되면, 환자에게 거부감을 주게 된다.When the cold contact tip comes in contact with the patient's ear throat, the patient will be rejected.
본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 배치된 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드에서 발생되는 접합열을 방열시키는 히트싱크에 접촉하는 히트싱크 접촉돌기와 이 접촉돌기에서 전열된 열을 접촉팁에 전달하는 접촉팁 결합부와 전원선을 관통시키는 통로를 구비한 전열부를 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드와 접촉팁 사이에 연결함으로써 히트싱크에서 방열되는 열을 이용하여 접촉팁을 가온시키도록 구성된 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조를 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, and a heat sink contact protrusion and a contact protrusion contacting a heat sink for dissipating the heat of junction generated in a pn junction laser semiconductor diode disposed at a lower end of a hollow cylindrical contact tip. The contact tip using the heat radiated from the heat sink by connecting the contact tip coupling part for transferring the heat transferred from the contact tip to the contact tip and the heat transfer part having a passage through the power line between the pn junction laser semiconductor diode and the contact tip To provide a terminal structure of the laser light irradiation apparatus for treating the otolaryngology configured to warm the.
전술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조는, 온/오프 스위치, 레이저광 강도 조절 버튼 및 시간표시부 등을 포함하는 조작부가 구비된 본체와, 중공 원통형의 접촉팁의 하단부에 레이저 반도체 다이오드를 배치한 말단부와, 말단부의 하단부에 결합되며 본체와 레이저 반도체 다이오드를 연결하는 전원선이 내부를 관통하는 파지부로 구성된 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에 있어서, 상기 말단부(1)에 배치되는 레이저 반도체 다이오드(10)는, 리드선(12)이 관통하여 외부에 대향되게 돌출된 환형의 베이스(11) 내에 원형의 히트싱크(13)를 끼워맞추고 상기 히트싱크(13) 상에 반도체 장착부(14) 및 pn 접합형 반도체 소자(15)를 부착하고, 이 반도체 소자(15)와 리드선(12)을 전선(16)으로 연결한 다음, 반도체 소자(15)의 상부에 플라스틱 렌즈(17)를 씌운 구조이고, 상기 말단부(1)의 접촉팁(20)의 하부에는 전도성 재료로 만들어지며 하부 중앙에 히트싱크 접촉돌기(31)가 돌출 형성되어 있고 양측부에 접촉팁 결합부(33)가 형성된 단면 U자형의 전열부(30)가 체결되고, 상기 히트싱크 접촉돌기(31)와 접촉팁 결합부(33) 사이에는 상기 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 본체에 연결된 전원선(34)을 관통시키는 통로(35)가 형성된 것을 특징으로 한다.To achieve the object of the present invention described above, the distal end structure of the laser light irradiation apparatus for treating an otolaryngology of the present invention includes a main body provided with an operation unit including an on / off switch, a laser light intensity control button, a time display unit, and the like. Laser light for otolaryngology, comprising a distal end portion disposed with a laser semiconductor diode at the lower end of the hollow cylindrical contact tip, and a gripping portion coupled to the lower end of the hollow cylindrical portion and a power line connecting the main body and the laser semiconductor diode to penetrate the inside thereof. In the irradiation apparatus, the laser semiconductor diode 10 disposed at the distal end portion 1 has a circular heat sink 13 inserted into an annular base 11 through which the lead wire 12 penetrates and protrudes to face the outside. And attaching the semiconductor mounting portion 14 and the pn junction type semiconductor element 15 on the heat sink 13, and connecting the semiconductor element 15 and the lead wire 12 with an electric wire 16. , The plastic lens 17 is covered on the upper portion of the semiconductor device 15, and the lower portion of the contact tip 20 of the distal end 1 is made of a conductive material, and the heat sink contact protrusion 31 protrudes from the lower center thereof. And a heat transfer part 30 having a U-shaped cross section having a contact tip coupling part 33 formed at both sides thereof, and being fastened between the heat sink contact protrusion 31 and the contact tip coupling part 33. A passage 35 through which the power line 34 connected to the main body of the laser beam irradiation apparatus for treatment is formed is formed.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the distal end structure of the laser light irradiation apparatus for treating an otolaryngology of the present invention will be described with reference to the drawings.
본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에서는 레이저광을 발생시키는 레이저 반도체 다이오드로서 액상 성장으로 만든 비소화갈륨(Ga-As) 등의 반도체 소자를 pn 접합한 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드를 사용한다. 도 1에 도시된 바와 같이, pn 접합형 레이저 반도체 다이오드(10)는, 리드선(12)이 관통하여 외부에 대향되게 돌출된 환형의 베이스(11) 내에 원형의 히트싱크(13)를 끼워맞추고, 이 히트싱크(13) 상에 반도체 장착부(14) 및 반도체 소자(15)를 부착하고, 이 반도체 소자(15)와 리드선(12)을 전선(16)으로 연결한 다음, 반도체 소자(15)의 상부에 플라스틱 렌즈(17)를 씌운 구조로 되어 있다.In the laser light irradiation apparatus for treating otorhinolaryngology of the present invention, a pn junction type laser semiconductor diode in which pn junctions of semiconductor devices such as gallium arsenide (Ga-As) made by liquid growth is used as a laser semiconductor diode for generating laser light. do. As shown in FIG. 1, the pn junction laser semiconductor diode 10 fits a circular heat sink 13 into an annular base 11 through which the lead wire 12 penetrates and protrudes to the outside. The semiconductor mounting portion 14 and the semiconductor element 15 are attached to the heat sink 13, the semiconductor element 15 and the lead wire 12 are connected by the electric wire 16, and then the semiconductor element 15 It has a structure which covered the plastic lens 17 on the upper part.
이러한 레이저 반도체 다이오드(10)의 리드선(12)에 2.5Ｖ, 300 ~ 350㎃의 전류를 인가하면 파장이 650㎚이고 출력이 5㎽인 저출력 에너지의 레이저광이 조사된다. 또한, 이러한 pn 접합형 반도체 소자(15)는 그 접합부에서 열이 발생되어 온도가 상승하는데, 이러한 온도 상승을 방지하기 위하여 반도체 소자(15)의 하면에 히트싱크(13)를 밀접하게 설치하여 열을 다이오드의 외부로 방출하고 있다. 본 발명은 히트싱크(13)에서 방출되는 열을 이용하는 것이다.When a current of 2.5 mA and 300 to 350 mA is applied to the lead wire 12 of the laser semiconductor diode 10, a laser beam of low output energy having a wavelength of 650 nm and an output of 5 mA is irradiated. In addition, such a pn junction semiconductor element 15 generates heat at its junction and rises in temperature. In order to prevent such a temperature rise, the heat sink 13 is closely installed on the bottom surface of the semiconductor element 15 to prevent heat. Is emitted to the outside of the diode. The present invention utilizes heat released from the heat sink 13.
도 2는 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부의 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부(1)는, 중공 원통형의 접촉팁(20)의 하단부에 레이저 반도체 다이오드(10)를 배치하되, 레이저 반도체 다이오드(10)의 하면의 히트싱크(13)와 접촉팁(20)의 하부를 연결하는 단면 U자형 전열부(30)를 히트싱크(13)와 접촉팁(20) 사이에 설치한 것이다.Figure 2 is a cross-sectional view of the distal end of the laser light irradiation apparatus for treating the otolaryngology of the present invention. As shown in FIG. 2, the distal end 1 of the laser light irradiation apparatus for treating an otorhinolaryngology is disposed with the laser semiconductor diode 10 at the lower end of the hollow cylindrical contact tip 20, but the laser semiconductor diode 10. ) Is provided between the heat sink 13 and the contact tip 20 with a cross-section U-shaped heat transfer part 30 connecting the heat sink 13 at the bottom of the bottom surface and the lower portion of the contact tip 20.
전열부(30)는 알루미늄 등의 전도성 재료로 만들어지며 하부 중앙에 히트싱크 접촉돌기(31)가 돌출 형성되어 있고 양측부에 접촉팁 결합부(33)가 형성된 단면 U자 형상이다. 히트싱크 접촉돌기(31)와 접촉팁 결합부(33) 사이에는, 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 본체(미도시)에 연결된 전원선(34)을 관통시키는 통로(35)가 형성되어 있다. 전원선(34)은 통로(35)를 관통한 후 레이저 반도체 다이오드(10)의 리드선(12)에 연결된다.The heat transfer part 30 is made of a conductive material such as aluminum, and has a heat sink contact protrusion 31 protrudingly formed at the lower center thereof, and a U-shaped cross section in which contact tip coupling portions 33 are formed at both sides. Between the heat sink contact projection 31 and the contact tip engaging portion 33, a passage 35 through which a power line 34 connected to a main body (not shown) of the laser light irradiation apparatus for ENT treatment is formed. have. The power supply line 34 passes through the passage 35 and is connected to the lead wire 12 of the laser semiconductor diode 10.
접촉팁 결합부(33)는 접촉팁(20)의 하부에 체결되는데, 도 2에 도시된 바와 같이, 접촉팁(20)의 직경을 전열부(30)의 직경보다 작게 한 다음, 접촉팁 결합부(33)의 내주면에 암나사부(37)를 형성하고 접촉팁(20)의 하부 외주면에 수나사부(21)를 형성하여 접촉팁 결합부(33)의 수나사부(39)를 접촉팁(20)의 암나사부(21)에 체결하여 결합한다.The contact tip coupling portion 33 is fastened to the lower portion of the contact tip 20. As shown in FIG. 2, the diameter of the contact tip 20 is smaller than the diameter of the heat transfer part 30, and then the contact tip coupling. A female screw portion 37 is formed on the inner circumferential surface of the portion 33 and a male screw portion 21 is formed on the lower outer circumferential surface of the contact tip 20 to contact the male screw portion 39 of the contact tip coupling portion 33 with the contact tip 20. Fasten to the female threaded portion 21 of the coupling.
또한, 도시하지는 않았지만, 접촉팁(20)의 직경을 전열부(30)의 직경보다 크게 한 다음, 접촉팁 결합부(33)의 외주면에 수나사부를 형성하고 접촉팁(20)의 하부 내주면에 암나사부를 형성하여 접촉팁 결합부(33)의 수나사부를 접촉팁(20)의 암나사부에 체결하여 결합할 수도 있다.In addition, although not shown, the diameter of the contact tip 20 is made larger than the diameter of the heat transfer part 30, and then a male thread is formed on the outer circumferential surface of the contact tip coupling portion 33, and a female thread is provided on the lower inner circumferential surface of the contact tip 20. By forming a portion, the male screw portion of the contact tip coupling portion 33 may be coupled to the female screw portion of the contact tip 20.
변경적으로, 접촉팁 결합부(33)의 내주면 또는 외주면을 접촉팁(20)의 하부의 외주면 또는 내주면에 억지 끼워맞춤할 수 있다.Alternatively, the inner circumferential surface or outer circumferential surface of the contact tip coupling portion 33 may be fit to the outer circumferential surface or inner circumferential surface of the lower portion of the contact tip 20.
또한, 접촉팁(20)의 상단부에는 아크릴 소재로 만든 첨단부(23)가 설치될 수도 있다.In addition, a tip 23 made of acrylic material may be installed at the upper end of the contact tip 20.
작동시, 레이저 반도체 다이오드(10)에 2.5Ｖ, 300 ~ 350㎃의 전류를 인가하면 파장이 650㎚이고 출력이 5㎽인 저출력 에너지의 레이저광이 조사된다. 이때, pn 접합형 반도체 소자(15)의 접합부에서 발생된 열은 반도체 소자(15) 하면에 부착된 히트싱크(13)로 방출되는데, 히트싱크(13)에는 전도성 재료로 만들어진 단면 U자형 전열부(30)의 히트싱크 접촉돌기(31)가 접촉되어 있으므로 히트싱크(13)의 열이 히트싱크 접촉돌기(31)를 통해 양측부의 접촉팁 결합부(33)로 전달되고 접촉팁 결합부(33)로 전달된 열은 다시 접촉팁(20)의 하부로 전달되어 접촉팁(20)을 가온시키게 된다.In operation, when a current of 2.5 mA, 300-350 mA is applied to the laser semiconductor diode 10, a laser beam of low output energy having a wavelength of 650 nm and an output of 5 mA is irradiated. At this time, the heat generated at the junction of the pn junction semiconductor element 15 is discharged to the heat sink 13 attached to the bottom surface of the semiconductor element 15, the heat sink 13 is a U-shaped cross-section made of a conductive material Since the heat sink contact projection 31 of 30 is in contact with each other, heat of the heat sink 13 is transferred to the contact tip coupling portions 33 at both sides through the heat sink contact projection 31 and the contact tip coupling portions 33 are provided. Heat transmitted to) is transferred to the lower portion of the contact tip 20 again to warm the contact tip 20.
전술한 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조에 의하면, 중공 원통형의 접촉팁의 단하부에 배치된 pn 접합형 레이저 반도체 다이오드에서 발생되는 접합열을 이용하여 접촉팁을 가온시키므로 별도의 가열수단을 사용하지 않고 간단한 구조로 접촉팁을 가온시킬 수 있을 뿐만 아니라 접촉팁이 환자의 이비인후에 접촉되었을 때 환자에게 거부감을 주지 않을 뿐만 아니라 치료효과를 배가시킬 수 있다.According to the distal structure of the laser light irradiation apparatus for treating an otorhinolaryngology of the present invention described above, the contact tip is heated by using the bonding heat generated in the pn junction laser semiconductor diode disposed under the hollow cylindrical contact tip. Not only can the heating tip be heated in a simple structure without using a separate heating means, but the contact tip is not rejected to the patient when the tip is touched by the patient's otolaryngology and can double the therapeutic effect.
도 1은 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치에 사용되는 레이저 반도체 다이오드의 정면 사시도, 및1 is a front perspective view of a laser semiconductor diode used in a laser light irradiation apparatus for treating an otolaryngology of the present invention, and
도 2는 본 발명의 이비인후 치료용 레이저광 조사장치의 말단부 구조의 단면도이다.Figure 2 is a cross-sectional view of the distal end structure of the laser light irradiation apparatus for treating the otorhinolaryngology of the present invention.
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