KR100469157B1 - 유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이 - Google Patents

유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이에 관한 것으로, 각각 다른 주변물질의 성분종류 및 성분크기에 따라 상이한 유전율을 센싱하여 주변물질의 성분을 전기적 성분으로 분리 및 분석할 수 있도록 하는 기술을 개시한다.
본 발명의 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이는 센싱 캐패시터 및 스위칭 소자로 구성되는 유전율 감지 센서를 복수개의 로오 및 컬럼 형태를 갖는 센싱 셀 어레이 형태로 바이오 센서 칩에 배치하여, 각각 다른 특성을 띠는 주변물질의 성분 및 성분의 크기에 따라 상이한 유전율을 센싱하여 전기적 성분으로 분리 및 분석한다.
따라서, 본 발명은 바이오 센서, 혼합물 성분 분석 센서 또는 피부 인식 센서 등에 적용되어 주변 물질의 성분을 정량적으로 분석할 수 있도록 하는 효과를 제공한다.

Description

유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이{Dielectric constant detecting sensor and sensing cell array using the same}
본 발명은 유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이에 관한 것으로, 각각 다른 주변물질의 성분종류 및 성분크기에 따라 상이한 유전율을 센싱하여 주변물질의 성분을 전기적 성분으로 분리 및 분석할 수 있도록 하는 기술이다.
도 1은 일반적인 캐패시터의 정전 용량을 설명하기 위한 도면이다.
캐패시터는 제 1전극(1)과 제 2전극(2)을 구비하고, 제 1전극(1)과 제 2전극(2) 사이의 거리 d와 캐패시터의 면적 S에 따라 상이한 유전 상수 ε를 갖게 된다. 즉, 정전용량 C=εS/d(여기서, S는 캐패시터의 면적, d는 두 전극 사이의 거리)가 된다.
따라서, 정전용량 C는 유전상수 ε와 캐패시터의 면적 S에 비례하고, 두 전극 사이의 거리 d와 반비례한다.
도 2는 상술된 캐패시터의 전압 전달 특성을 설명하기 위한 도면이다.
구동 플레이트 라인 PL과 접지전압단 사이에 구비된 두개의 캐패시터의 정전용량을 각각 C1,C2라 하고, 두개의 캐패시터 사이의 노드 전압을 Vs라 한다. 그리고, 두 캐패시터에 걸리는 구동 전압을 구동 플레이트 전압 V_PL이라 한다.
이때, 노드 전압 Vs={C1/(C1+C2)}*V_PL이 된다.
여기서, 노드 전압 Vs는 정전용량 C1에 비례하고, 정전용량 C2에 반비례하는 함수이다.
또한, 도 3은 유전상수 ε가 주변물질의 성분 종류 및 크기에 따라 각각 다른 특성을 나타내고 있음을 보여준다.
한편, 사람의 질병을 검진하기 위해서 혈액 속의 성분을 분석하는 센싱 방법, 혼합물 성분을 분석하는 센싱 방법 또는 피부 인식을 위한 센싱 방법이 이용된다. 하지만, 상술된 센싱 방법들은 주로 물리적 분석방법이나 화학적인 성분 분석 방법에 의존하고 있는 실정이다. 따라서, 테스트를 위해 많은 장비 및 비용이 필요할 뿐만 아니라, 테스트를 위한 시간이 오래 걸리게 되어 단시간 안에 다양한 주변 물질의 성분을 분석할 수 없게 되는 문제점이 있다.
따라서, 단시간에 다양한 주변물질의 성분을 분석하기 위하여 상술된 캐패시터의 유전율이 주변물질의 종류 및 크기에 따라 다름을 이용하여 주변 물질의 성분을 정량적으로 분석하는 방법의 필요성이 점점 커지게 되었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 각각 다른 주변물질의 성분종류 및 성분크기에 따라 상이한 유전율을 센싱하여 주변물질의 성분을 전기적 성분으로 분석할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.
도 1은 일반적인 캐패시터의 정전 용량을 설명하기 위한 도면.
도 2는 일반적인 캐패시터의 전압 전달 특성을 설명하기 위한 도면.
도 3은 주변물질의 성분에 따른 유전율 분류 특성 분석표.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서 및 이를 이용한 센싱 셀 어레이의 개념도.
도 6은 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 구성도.
도 7a는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 단면 구성도.
도 7b는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 평면 구성도.
도 8은 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 센싱 홀 유형을 설명하기 위한 도면.
도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 센싱 홀 크기에 따른 유전율 변화를 설명하기 위한 도면.
도 10 및 도 11은 본 발명에 따른 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이를 나타내는 도면.
도 12는 본 발명의 센싱 비트라인과 기준전압의 관계를 나타내는 도면.
도 13은 본 발명의 센싱 홀 크기에 따른 성분 분석표.
도 14는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이의 리드시 동작 타이밍도.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 유전율 감지 센서는, 게이트 단자가 워드라인과 연결되고, 드레인 단자가 센싱 비트라인과 연결된 트랜지스터 소자; 제 1전극이 센싱 플레이트라인과 연결되고, 제 2전극이 트랜지스터 소자의 소스 단자와 연결되는 센싱 캐패시터; 및 제 1전극과 제 2전극 사이에 형성되어 제 1전극 및 제 2전극 사이의 거리 및 면적에 대응하여 주변물질의 성분 크기 및 양을 분류하는 센싱 홀을 구비하고, 센싱 홀에 노출된 주변물질에서 검출되는 정전용량에 따라 서로 다른 유전율을 센싱하여 트랜지스터 소자를 통해 출력되는 센싱 전압이 서로 다른 값을 갖게 됨을 특징으로 한다.본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이는, 각각 평행하게 배치되는 복수개의 워드라인 및 복수개의 센싱 플레이트라인; 복수개의 워드라인 및 복수개의 센싱 플레이트라인과 수직으로 배치되는 복수개의 센싱 비트라인; 복수개의 워드라인 복수개의 센싱 플레이트라인과 복수개의 센싱 비트라인의 교차 영역에 연결되어, 서로 다르게 설정된 캐패시터의 두 전극 사이의 거리 및 면적에 대응하여 센싱 홀에 노출된 주변 물질에 따라 각각 서로 다른 유전율을 센싱하는 복수개의 유전율 감지 센서; 및 복수개의 센싱 비트라인에 연결된 복수개의 센스앰프를 구비함을 특징으로 한다.이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 4는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이의 개념도를 나타낸다.
먼저, 복수개의 유전율 감지 센서를 N개의 컬럼과 M개의 로오로 이루어진 센싱 셀 어레이에 배치하고, 센싱 셀 어레이로 이루어진 바이오 센서 칩을 패키지 혹은 웨이퍼 레벨에서 준비한다.
그리고, 주변 물질로 이루어진 성분 측정 데이타들을 각각의 유전율 감지 센서에 노출시킨다. 이후에, 유전율 감지 센서의 셀 어레이에서 각각의 성분 측정 데이타들을 측정하고, 혈액 성분 분석 수단을 이용하여 측정된 주변 물질의 성분을 전기적으로 분석한다. 여기서, 주변 물질로써는 혈액, 가스 또는 기타 용액이 사용될 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 센싱 셀 어레이의 패키지 및 센싱 시스템의 구성도를 나타낸다.
센싱 시스템은 유전율 감지 센서(4)를 센싱 패키지(5)에 마련하고, 연결선(3)을 통해 유전율 감지 센서(4)와 센싱 패키지(5)를 연결한다. 혈액성분 분석 수단(8)의 상부에는 연결 보드(Board)(7)가 형성되고, 연결 리드(lead)(6)를 통해 센싱 패키지(5)와 연결된다.
따라서, 유전율 감지 센서(4)로부터 센싱된 주변물질의 성분 데이타가 연결 리드(6) 및 연결 보드(7)를 통해 혈액 성분 분석 수단(8)으로 출력되고, 혈액 성분 분석 수단(8)은 측정된 주변물질의 성분 데이타를 전기적 성분으로 분리하여 주변물질의 성분을 정량적으로 분석할 수 있게 된다.
도 6은 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 기본적인 구성을 나타낸다.
본 발명은 하나의 스위칭 소자 T와 하나의 센싱 캐패시터 S_C를 구비한다.
여기서, 스위칭 소자 T는 NMOS트랜지스터로 이루어진다. 그리고, NMOS트랜지스터의 한쪽 드레인 단자는 센싱 비트라인 S_BL과 연결되고, 게이트 단자는 워드라인 WL과 연결되며, 소스 단자는 센싱 캐패시터 S_C의 제 2전극과 연결된다. 또한, 센싱 캐패시터 S_C의 제 1전극은 센싱 플레이트 라인 S_PL에 연결된다.
따라서, 센싱 캐패시터 S_C의 정전용량에 따라서 센싱 비트라인 S_BL의 센싱 전압이 상이하게 검출된다.
도 7a 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 단면 구성도이도, 도 7b는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 평면 구성도이다.
본 발명의 NMOS트랜지스터의 한쪽 드레인 단자(10)는 콘택라인(13)을 통해 센싱 비트라인(16)에 연결된다. NMOS트랜지스터의 게이트 단자(12)는 워드라인(15)과 연결되며, 소스 단자(11)는 콘택라인(14)을 통해 센싱 캐패시터의 제 2전극(18)과 연결된다. 센싱 캐패시터의 제 1전극은 센싱 플레이트 라인 S_PL과 연결된다. 또한, 센싱 캐패시터의 제 1전극(17)과 제 2전극(18) 사이에는 두 전극간의 거리와 센싱전극의 면적에 대응하는 센싱 홀(20)이 형성된다.
또한, 전체 소자들은 옥사이드 보호층(19)에 의해 절연된다.
이러한 구성을 갖는 본 발명의 유전율 감지 센서는, 제 1전극(17)과 제 2전근(18)간의 거리와 센싱 전극의 면적에 따라 센싱 홀(20)이 형성되고, 센싱 홀(20)에 센싱하기 위한 주변 물질의 성분이 노출되도록 한다.
도 8은 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 센싱 홀(20) 유형을 설명하기 위한 도면이다.
센싱 홀(20)은 제 1전극(17)과 제 2전극(18)의 거리 d에 따른 변수를 횡방향으로 설정하고, 제 1전극(17)과 제 2전극(18)의 면적 S에 따른 변수를 종방향으로 설정한다. 따라서, 두 전극간의 거리에 따라 주변물질의 성분 크기를 분류할 수 있고, 두 전극간의 면적에 따라 주변물질의 크기에 해당하는 성분들의 양을 정량적으로 분석할 수 있게 된다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명에 따른 유전율 감지 센서의 센싱 홀 크기에 따른 유전율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 9a와 같이 제 1전극(17)과 제 2전극(18) 사이의 거리가 가까운 경우, 센싱 홀(20)의 크기가 작기 때문에 주변 물질(21)의 성분 크기가 센싱 홀(20)보다 큰 성분들은 센싱 홀(20) 안쪽으로 침투할 수 없다. 따라서, 센싱 홀(20)에 노출된 주변물질의 유전상수 ε를 센싱하여, 작은 크기의 성분만 주변물질의 특성으로 나타낼 수 있게 된다.
반면에, 도 9b와 같이 제 1전극(17)과 제 2전극(18) 사이의 거리가 먼 경우, 센싱 홀(20)의 크기가 크기 때문에 주변 물질(21)의 성분 크기가 센싱 홀(20)보다 작은 성분들이 모두 센싱 홀(20) 안쪽으로 침투하게 된다. 따라서, 센싱 홀(20)에 노출된 주변물질의 유전상수 ε를 센싱하여, 크기가 큰 성분들도 주변물질의 특성으로 나타낼 수 있게 된다.
도 10은 본 발명에 따른 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이를 나타낸다.
유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이는, 로오 방향으로 복수개의 워드라인 WL_1~WL_m과 복수개의 센싱 플레이트라인 S_PL_1~S_PL_m이 평행하게 배치된다. 그리고, 컬럼 방향으로는 복수개의 워드라인 WL_1~WL_m 및 복수개의 센싱 플레이트라인 S_PL_1~S_PL_m과 수직으로 복수개의 센싱 비트라인 S_BL1~S_BLn이 배치된다.
서로 교차되는 복수개의 워드라인 WL_1~WL_m과 복수개의 센싱 플레이트라인 S_PL_1~S_PL_m 및 복수개의 센싱 비트라인 S_BL1~S_BLn 사이에는 복수개의 유전율 감지 센서(30)가 구비된다.
하나의 유전율 감지 센서(30)는 하나의 스위칭 소자 T와 하나의 센싱 캐패시터 S_C를 구비한다.
여기서, 스위칭 소자 T의 드레인 단자는 센싱 비트라인 S_BL과 연결되고, 소스 단자는 센싱 캐패시터 S_C의 제 2전극과 연결되며, 게이트 단자는 워드라인 WL과 연결된다. 그리고, 센싱 캐패시터 S_C의 제 1전극은 센싱 플레이트라인 S_PL과 연결된다.
또한, 복수개의 센싱 비트라인 S_BL1~S_BLn은 이와 일대일 대응되는 복수개의 센스앰프 SA1~SAn와 연결된다. 복수개의 센스앰프 SA1~SAn는 이와 대응되는 복수개의 기준전압 REF_1~REF_n 및 센스앰프 인에이블 신호 SEN가 입력되고, 센스 앰프 출력신호 SA_OUT가 출력된다. 여기서, 각각의 기준전압 REF_1~REF_n은 각각 서로 다른 기준전압 값을 갖는다.
즉, 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이의 각각의 컬럼들은 다른 레벨의 기준전압 REF_1~REF_n에 의해 혈액 성분의 특성이 다양하게 분리 및 분석되도록 한다.
이러한 구성을 갖는 본 발명은, 워드라인 WL이 인에이블 되면 스위칭 소자 T가 턴온되어 센싱 캐패시터 S_C의 정전용량에 따라 센싱된 전압이 센싱 비트라인 S_BL으로 출력된다.
센스앰프 SA는 센스앰프 인에이블 신호 SEN에 따라 센싱 비트라인 S_BL으로부터 인가되는 센싱 전압을 증폭하여 센스앰프 출력신호 SA_OUT를 출력한다. 그리고, 센스앰프 SA는 서로 다른 기준전압 REF에 따라 서로 다른 센스앰프 출력신호 SA_OUT를 출력한다.
따라서, 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이의 전체적인 각 로오와 각 컬럼들은 각각 다른 성분의 특성을 얻게 된다.
도 11은 본 발명의 유전율 감지 센서의 센싱 셀 어레이에 관한 다른 실시예이다.
본 발명의 센싱 셀 어레이는 도 10의 구성에 비해 하나의 센싱 비트라인 S_BL에 복수개의 센스앰프 SA1~SAm가 연결되는 것이 상이하다. 하나의 센싱 비트라인 S_BL에 복수개의 센스앰프 SA1~SAm가 연결되고, 각각의 센스앰프 SA1~SAm에 이와 대응되는 복수개의 서로 다른 기준전압 REF_1~REF_m이 입력된다.
그리고, 복수개의 센스앰프 SA1~SAm에서 각각 출력되는 복수개의 센스앰프 출력신호 SA_OUT는 인코더(40,41)에 출력되어 주변 물질의 성분 분석을 위해 인코딩된다.
도 12는 본 발명의 센싱 비트라인 S_BL과 기준전압 REF 레벨과의 관계를 설명하기 위한 도면이다.
복수개의 센싱 비트라인 S_BL1~S_BLm은 스위칭 트랜지스터 T를 통해 센싱 캐패시터 S_C로부터 센싱된 복수개의 센싱 전압 레벨을 발생하게 된다.
복수개의 센싱 비트라인 S_BL1~S_BLm으로부터 인가된 복수개의 센싱 전압 레벨과 각각 서로 다른 기준전압 REF_1~REF_m의 레벨을 비교함으로써 센싱된 주변물질의 성분이 어느 기준전압 레벨 REF_1~REF_m에 해당하는지 판단할 수 있게 된다.
이상에서와 같이 센싱 셀 어레이의 각각의 센싱 출력값에 따라 도 13에서와 같이 유전율 감지 센서의 주변 물질의 성분 분석표를 얻을 수 있게 된다.
여기서, 복수개의 센싱 플레이트라인 S_PL과 복수개의 센싱 비트라인 S_BL 사이에 구비된 센싱 홀(20)은 그 크기에 따른 함수로 표현될 수 있다. 또한, 센싱 비트라인 S_BL에서 센싱된 전압과 서로 다른 기준전압 REF의 비교에 따라 주변물질의 성분이 각각 분리된다.
따라서, 전체 유전율 감지 센서의 센싱 셀 어레이는 주변 물질의 각각 다른 특성을 분리하여 분석할 수 있게 된다.
도 14는 본 발명의 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이의 리드 동작시 동작 타이밍도이다.
먼저, t1 구간의 진입시 워드라인 WL, 센싱 플레이트라인 S_PL, 센싱 비트라인 S_BL 및 기준전압 REF이 활성화된다. 따라서, 센싱 캐패시터 S_C로부터 센싱된 서로 다른 센싱전압 값은 센싱 비트라인 S_BL을 통해 각각 센스앰프 SA에 출력된다. 다음에, 센스앰프 SA는 센싱 비트라인 S_BL을 통해 입력된 센싱 전압값과 기준전압 REF를 비교하여 증폭하게 된다.
이후에, t2 구간의 진입시 센스앰프 인에이블 신호 SEN가 활성화되면 센스앰프 SA에서 센싱된 서로 다른 센싱 전압값을 각각 증폭하여 센스앰프 출력신호 SA_OUT가 출력된다.
따라서, 혈액 성분 분석 수단은 센싱 셀 어레이로부터 출력된 각각의 센스앰프 출력신호 SA_OUT를 분석하여 주변 물질의 성분을 분석할 수 있게 된다.
다음에, t2 구간 이후에 t3 구간에 진입하면, 워드라인 WL, 센싱 플레이트라인 S_PL, 센싱 비트라인 S_BL 및 기준전압 REF이 비활성화 되고, 센스 앰프 인에이블 신호 SEN가 디스에이블되어 동작을 멈추게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 센싱 셀 어레이를 통해 빠른 시간 안에 주변 물질의 다양한 성분을 동시에 분석할 수 있도록 한다. 즉, 바이오 센서, 혼합물 성분 분석 센서, 피부 인식 센서에 적용되어 다양한 주변 물질의 성분을 나노 세컨드의 시간 레벨에서 분석할 수 있게 된다.
또한, 센싱 셀 어레이의 칩 사이즈가 작기 때문에 테스트를 위한 샘플의 시료를 절약할 수 있도록 하는 효과를 제공한다.

Claims (14)

  1. 게이트 단자가 워드라인과 연결되고, 드레인 단자가 센싱 비트라인과 연결된 트랜지스터 소자;
    제 1전극이 센싱 플레이트라인과 연결되고, 제 2전극이 상기 트랜지스터 소자의 소스 단자와 연결되는 센싱 캐패시터; 및
    상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성되어 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극 사이의 거리 및 면적에 대응하여 주변물질의 성분 크기 및 양을 분류하는 센싱 홀을 구비하고,
    상기 센싱 홀에 노출된 상기 주변물질에서 검출되는 정전용량에 따라 서로 다른 유전율을 센싱하여 상기 트랜지스터 소자를 통해 출력되는 센싱 전압이 서로 다른 값을 갖게 됨을 특징으로 하는 유전율 감지 센서.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 트랜지스터 소자 및 상기 센싱 비트라인의 상부에 형성되어 소자들을 절연시키는 옥사이드 보호층을 더 구비함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서.
  4. 삭제
  5. 각각 평행하게 배치되는 복수개의 워드라인 및 복수개의 센싱 플레이트라인;
    상기 복수개의 워드라인 및 복수개의 센싱 플레이트라인과 수직으로 배치되는 복수개의 센싱 비트라인;
    상기 복수개의 워드라인 상기 복수개의 센싱 플레이트라인과 상기 복수개의 센싱 비트라인의 교차 영역에 연결되어, 서로 다르게 설정된 캐패시터의 두 전극 사이의 거리 및 면적에 대응하여 센싱 홀에 노출된 주변 물질에 따라 각각 서로 다른 유전율을 센싱하는 복수개의 유전율 감지 센서; 및
    상기 복수개의 센싱 비트라인에 연결된 복수개의 센스앰프를 구비함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 복수개의 유전율 감지 센서는
    동일한 센싱 비트라인과 연결된 적어도 하나 이상의 유전율 감지 센서들을 구비함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
  7. 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 복수개의 유전율 감지 센서는
    게이트 단자가 워드라인과 연결되고, 드레인 단자가 상기 센싱 비트라인과 연결된 트랜지스터 소자; 및
    제 1전극이 상기 센싱 플레이트라인과 연결되고, 제 2전극이 상기 트랜지스터 소자의 소스 단자와 연결되는 센싱 캐패시터; 및
    상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성되어 상기 제 1전극 및 상기 제 2전극 사이의 거리 및 면적에 대응하여 주변물질의 성분 크기 및 양을 분류하는 센싱 홀을 구비하고,
    상기 센싱 홀에 노출된 상기 주변물질에서 검출되는 정전용량에 따라 서로 다른 유전율을 센싱하여 상기 트랜지스터 소자를 통해 출력되는 센싱 전압이 서로 다른 값을 갖게 됨을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 트랜지스터 소자 및 상기 센싱 비트라인의 상부에 형성되어 소자들을 절연시키는 옥사이드 보호층을 더 구비함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
  10. 삭제
  11. 제 5 항에 있어서, 상기 복수개의 센스앰프는
    상기 복수개의 센스 비트라인과 일대일 대응으로 연결되고, 센스앰프 인에이블 신호와 각각 서로 다른 기준전압이 입력되어 상기 복수개의 센싱 비트라인에 인가된 센싱 전압을 증폭하여 센스앰프 출력신호를 출력함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
  12. 제 5 항에 있어서, 상기 복수개의 센스앰프는
    동일한 센싱 비트라인과 연결된 적어도 하나 이상의 센스앰프를 구비하고, 상기 센스앰프는 센스앰프 인에이블 신호와 각각 서로 다른 기준전압이 입력되어 상기 동일한 센싱 비트라인에 인가된 센싱전압을 증폭하여 복수개의 센스앰프 출력신호를 출력함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수개의 센스앰프 출력신호를 인코딩하여 상기 센싱전압을 분석하는 인코더를 더 구비함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
  14. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수개의 센스앰프로부터 출력되는 복수개의 센스앰프 출력신호를 분석하여 각각 상이한 성분을 갖는 주변 물질의 성분을 분석하는 성분 분석 수단을 더 구비함을 특징으로 하는 유전율 감지 센서를 이용한 센싱 셀 어레이.
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