KR100451231B1 - 마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치 - Google Patents

마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치에 관한 것으로, 본 발명은 마이크로파에 의해 플라즈마화하면서 빛을 발생하도록 봉입물질을 구비한 전구와, 전구를 수용하여 마이크로파는 차단하면서 상기 전구에서 발광된 빛은 통과하는 공진기와, 양극부와 음극부 그리고 마그네트를 구비하여 음극부에 전류를 인가할 때 마이크로파를 발생하도록 케이싱의 내부에 장착하는 마그네트론과, 전류 인가시 작용공간에서 발생하는 열을 흡수한 후 방열하도록 서로 다른 종류의 도체 또는 반도체를 접속하여 마그네트론의 양극부에 부착하는 열전소자와, 열전소자에 전선으로 연결하여 그 열전소자에 전류를 흐르도록 인가하는 전압차 발생기를 포함함으로써, 무전극 조명 장치를 옥외에 설치할 때는 빗물이나 이물이 장치의 케이싱 내부로 유입하는 것을 방지할 수 있고, 옥내에 설치할 때는 팬 소음을 줄이거나 없애 이로 인한 불쾌감을 효과적으로 해소할 수 있다.

Description

마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치{COOLING APPARATUS FOR MAGNETRON AND PLASMA LIGHTING APPARATUS WITH THAT}
본 발명은 마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치에 관한 것으로, 특히 열전소자를 이용하여 마그네트론에서 발생하는 열을 냉각시킨 마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치에 관한 것이다.
알려진 바와 같이 전자렌지 또는 마이크로파를 이용한 조명장치에 사용하는 마그네트론은 전기 에너지를 마이크로파와 같은 고주파 에너지로 전환시키고, 생성된 고주파 에너지를 전자렌지의 조리실로 유도하여 음식물을 조리하거나 또는 조명장치의 공진기로 유도하여 전구속 발광물질을 여기시켜 빛을 발생하도록 하는 것이다.
이러한 마그네트론은 도 1에 도시한 바와 같이, 마이크로파를 발생하는 본체부(10)와, 본체부(10)의 일 측에 형성하여 전원을 입력받는 입력부(20)와, 본체부(10)의 타 측에 형성하여 그 본체부(10)에서 발생한 마이크로파를 장치으로 출력하는 출력부(30)로 구성하고 있다.
본체부(10)는 음극을 이루고 정중앙에 길이방향으로 설치하는 필라멘트(11)와, 양극을 이루고 필라멘트(11) 주변에 설치하는 다수 개의 베인(12) 및 그 베인(12)의 외측에 설치하여 고주파 에너지를 발생하도록 작용공간을 형성하는 원통형의 아노드 실린더(13)와, 작용공간에 자속을 인가하도록 아노드 실린더(13)의 상하 양측에 각각 설치하는 상부 마그네트(14A) 및 하부 마그네트(14B)와, 마그네트(14A)(14B)와 함께 자기 폐회로를 형성하는 상자극(15A) 및 하자극(15B) 그리고 요크상판(16A) 및 요크하판(16B)과, 필라멘트(11)에 전류를 인가하도록 입력부에 연결하는 센터 리드(17A) 및 사이드 리드(17B)와, 아노드 실린더(13)의 외주면과 요크하판(16B) 내주면 사이에 연결 설치하여 방열면적을 이루는 냉각핀(18)들로 이루어져 있다.
입력부(20)는 본체부(10)의 요크하판(16B) 저면에 장착하는 필터박스(21)와, 본체부(10)의 센터 리드(17A)와 사이드 리드(17B)에 각각 연결하여 마이크로파의 누설을 방지하는 복수개의 초크코일(22)과, 초크코일(22)에 연결하여 외부의 전원단자(미도시)와 전기적으로 연결하는 고압의 관통형 콘덴서(23)로 이루어져 있다.
출력부(30)는 아노드 실린더(13) 내부에서 발생한 고주파 에너지를 외부로 유도하는 안테나(31)와, 안테나(31)를 수용한 안테나 캡(32)으로 이루어져 있다.
도면중 미설명 부호인 19는 가스켓이다.
상기와 같은 종래 마그네트론은 다음과 같이 동작한다.
즉, 센터 리드(17A)와 사이드 리드(17B)를 통해 전류를 필라멘트(11)에 인가하면, 음극인 필라멘트(11)에서는 열전자를 방출하고, 이 열전자는 음극인 필라멘트(11)와 양극인 베인(12) 및 아노드 실린더 사이에 인가된 강한 전계와 자계에 의하여 고주파 에너지를 방출한다.
고주파 에너지는 안테나(31)를 통해 전자렌지나 조명 장치의 도파관으로 방사되는 한편 방사되지 못한 고주파 에너지는 열로 소실되면서 냉각핀(18)을 통해 외부로 방열된다.
여기서, 냉각핀(18)의 냉각효율을 높이기 위하여는 통상 마그네트론의 일 측에 냉각팬(18)을 장착하여 외부의 찬공기를 강제로 흡입하여 마그네트론에 불어주는 강제 공랭식 냉각장치를 주로 이용하고 있었다.
이러한 마그네트론의 강제 공랭식 냉각장치를 적용한 무전극 조명 장치는 도 2에 도시한 바와 같다.
이에 도시한 바와 같이 종래 무전극 조명 장치는, 케이싱(1)의 내부에 장착하여 마이크로파를 생성하는 마그네트론(M)과, 마그네트론(M)에 상용 교류전원을 고압으로 승압하여 공급하는 고압 발생기(3)와, 마그네트론(M)의 출구부에 연통하여 그 마그네트론(M)에서 생성한 마이크로파를 전달하는 도파관(4)과, 마이크로파 에너지에 의해 봉입한 물질이 여기(excited state)하여 플라즈마화 하면서 빛을 발생하는 전구(5)와, 도파관(4)과 전구(5)의 앞쪽에 씌워져 마이크로파는 차단하면서 빛은 통과하는 공진기(6)와, 공진기(6)를 수용하여 전구에서 발생하는 빛을 직진토록 집중 반사하는 반사경(7)과, 케이싱(1)의 일측에 구비하여 마그네트론(M)과 고압 발생기(3)를 냉각하는 냉각팬 조립체(8)로 구성되어 있다.
케이싱(1)은 후술할 냉각팬(8b)과 대응하는 하반부에 공기흡입구(1a)를 형성하고, 마그네트론(M)과 고압 발생기(3)에 각각 대응하는 케이싱(1)의 상반부에 공기배출구(1b)를 형성하여 이루어져 있다.
냉각팬 조립체(8)는 케이싱(1)의 내부에 장착한 팬 모터(8a)와, 팬 모터(8a)의 회전축에 결합하여 외부의 공기를 흡입하였다가 마그네트론(M)이나 고압발생기(3)로 불어주는 냉각팬(8b)으로 이루어져 있다.
도면중 미설명 부호인 9는 유전체 거울이다.
상기와 같은 종래 무전극 조명 장치는 다음과 같이 동작한다.
즉, 제어부에서 고압 발생기(3)에 구동신호를 입력하면, 고압 발생기(3)는 교류 전원을 승압하여 승압된 고압을 마그네트론(M)에 공급하고, 마그네트론(M)은 고압에 의해 발진하면서 매우 높은 주파수를 갖는 마이크로파를 생성하며, 이렇게 생성된 마이크로파는 도파관(4)을 통해 공진기(6) 내부로 방사하면서 전구(5) 내의 봉입된 물질을 방전하여 고유한 방출 스펙트럼을 가지는 빛을 발생하고, 이 빛은 반사경(7)과 유전체 거울(9)에 의해 전방으로 반사하면서 공간을 밝힌다.
이때, 마그네트론(M)에서는 전술한 바와 같이 고열이 발생하므로 이를 냉각하기 위하여 팬모터(8a)가 작동하여 냉각팬(8b)이 회전하고, 이와 함께 케이싱(1)의 공기흡입구(1a)를 통해 외부의 공기가 흡입하여 케이싱(1)의 내부를 통과하면서 마그네트론(M)과 고압 발생기(3)를 냉각한 후 공기배출구(1b)를 통해 배출하는 것이었다.
그러나, 상기한 바와 같은 종래의 공랭식 마그네트론을 무전극 조명 장치에 적용하는 경우에는 몇가지 문제점이 있다.
먼저, 무전극 조명 장치를 옥외에 설치하는 경우, 냉각팬(8b)의 구동시 그 흡입압에 의해 빗물 등이 케이싱(1)의 공기흡입구(1a)를 통해 케이싱(1)의 내부로 유입하여 각종 부품을 부식하거나 이로 인해 장치 전체를 파손할 우려가 있었다.
또, 무전극 조명 장치를 실내에 설치하는 경우, 냉각팬(8b)의 동작시 유동소음 또는 팬소음이 발생하여 사용자에게 불쾌감을 유발할 우려도 있었다.
본 발명은 상기와 같은 종래 공랭식 마그네트론과 그 마그네트론을 장착한 무전극 조명 장치가 가지는 문제점을 감안하여 안출한 것으로, 마그네트론의 냉각방식을 개선하여 무전극 조명 장치를 옥외에 설치하더라도 빗물 등이 스며들지 못하도록 하는 반면 옥내에 설치하는 경우 냉각장치로 인한 소음을 줄일 수 있는 마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치를 제공하려는데 본 발명의 목적이 있다.
도 1은 종래 마그네트론의 일례를 보인 종단면도.
도 2는 종래 마그네트론을 장착한 무전극 조명 장치의 일례를 보인 종단면도.
도 3은 본 발명 마그네트론의 냉각장치를 보인 종단면도.
도 4는 본 발명 마그네트론의 냉각장치에서 소자 장착판을 보인 평면도.
도 5는 본 발명 마그네트론의 냉각장치를 구비한 무전극 조명 장치의 일례를 보인 종단면도.
도 6은 본 발명 마그네트론의 냉각장치를 구비한 무전극 조명 장치의 변형예를 보인 종단면도.
** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 **
1 : 케이싱 1c : 냉각핀
1d : 공기통구 1e : 갓부
4 : 도파관 5 : 전구
6 : 공진기 7 : 반사경
10 : 본체부 11 : 필라멘트
12 : 베인 13 : 아노드 실린더
14A,14B : 마그네트 15A,15B : 상자극 및 하자극
16A,6B : 요크상판 및 요크하판 17A,17B : 센터리드, 사이드리드
19 : 가스켓 20 : 입력부
21 : 필터박스 22 : 초크코일
30 : 출력부 31 : 안테나나
32 : 안테나 캡 110 : 열전소자
120 : 소자 장착판 130 : 전압차 발생기
140 : 도선
본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 전류를 인가하면 열전자를 발생하는 음극부와, 음극부를 수용하는 작용공간을 구비하여 그 작용공간에서 음극부와 함께 고주파 에너지를 생성하는 양극부와, 작용공간에 자속을 인가하도록 그 작용공간을 사이에 두고 양쪽에 배치하는 복수 개의 마그네트와, 전류 인가시 작용공간에서 발생하는 열을 흡수한 후 방열하도록 서로 다른 종류의 도체 또는 반도체를 접속하여 양극부에 부착하는 열전소자와, 열전소자의 양극부 부착면에서는 흡열현상이 발생하는 반면 다른 쪽에서는 방열현상이 발생하도록 전압변환소자를 이용하여 상기 열전소자에 전류의 흐름을 유발하는 전압차 발생기를 포함한 마그네트론의 냉각장치를 제공한다.
또, 마이크로파에 의해 플라즈마화하면서 빛을 발생하도록 봉입물질을 구비한 전구와, 전구를 수용하여 마이크로파는 차단하면서 상기 전구에서 발광된 빛은 통과하는 공진기와, 양극부와 음극부 그리고 마그네트를 구비하여 음극부에 전류를 인가할 때 마이크로파를 발생하도록 케이싱의 내부에 장착하는 마그네트론과, 전류 인가시 작용공간에서 발생하는 열을 흡수한 후 방열하도록 서로 다른 종류의 도체 또는 반도체를 접속하여 양극부에 부착하는 열전소자와, 열전소자의 양극부 부착면에서는 흡열현상이 발생하는 반면 다른 쪽에서는 방열현상이 발생하도록 전압변환소자를 이용하여 상기 열전소자에 전류의 흐름을 유발하는 전압차 발생기를 포함한 마그네트론의 냉각장치를 제공한다.
이하, 본 발명에 의한 마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치를 첨부도면에 도시한 일실시예에 의거하여 상세하게 설명한다.
도 3은 본 발명 마그네트론의 냉각장치를 보인 종단면도이고, 도 4는 본 발명 마그네트론의 냉각장치에서 소자 장착판을 보인 평면도이며, 도 5는 본 발명 마그네트론의 냉각장치를 구비한 무전극 조명 장치의 일례를 보인 종단면도이고, 도 6은 본 발명 마그네트론의 냉각장치를 구비한 무전극 조명 장치의 변형예를 보인 종단면도이다.
이에 도시한 바와 같이 본 발명에 의한 마그네트론의 냉각장치는, 음극을 이루는 필라멘트(11)와 양극을 이루는 베인(12)을 수용하고 그 음극과 양극 사이에서 고주파 에너지를 발생하는 원통형의 아노드 실린더(13)를 구비한 본체부(10)와, 본체부(10)의 일 측에 설치하여 전원을 입력받는 입력부(20)와, 본체부(10)의 타 측에 형성하여 그 본체부(10)에서 발생한 마이크로파를 장치으로 출력하는 출력부(30)와, 본체부(10)의 아노드 실린더(13) 외주면에 부착하여 그 아노드 실린더(13)의 작용공간에서 발생하는 열을 방열하는 열전소자(110)를 포함한다.
여기서, 도 4에서와 같이 열전소자(110)는 효율을 높이기 위하여 평판형으로 형성됨에 따라 원통형인 아노드 실린더(13)의 외주면과 열전소자(110) 사이에는 그외측면이 평면인 소자 장착판(120)을 밀착 개재하는 것이 바람직하다.
또, 열전소자(110)는 서로 다른 종류의 도체 또는 반도체의 끝을 접속하여 상호간 전위에너지(potential energy) 차이에 따라 한쪽에서는 열을 흡수하고 다른 하나에서는 열을 방출하는 펠티에 효과(Peltier effect)를 이용한 소자를 적용하는 것이 바람직하다.
이를 위해, 열전소자(110)의 일 측에는 그 열전소자(110)에 전압차를 공급할 수 있는 전압차 발생기(130)를 배치하고, 전압차 발생기(130)의 양극을 열전소자(110)에 도선(140)으로 연결한다.
도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.
도면중 미설명 부호인 14A 및 14B는 마그네트, 15A 및 15B는 상자극 및 하자극, 16A 및 16B는 요크상판 및 요크하판, 17A 및 17B는 센터 리드 및 사이드 리드, 19는 가스켓, 21은 필터박스, 22는 초크코일, 31은 안테나, 32는 안테나 캡이다.
상기와 같은 본 발명 마그네트론의 냉각장치는 다음과 같은 작용효과를 갖는다.
즉, 센터 리드(17A)와 사이드 리드(17B)를 통해 전류를 필라멘트(11)에 인가하면, 음극인 필라멘트(11)에서는 열전자를 방출하고, 이 열전자는 음극인 필라멘(11)트와 양극인 베인(12) 및 아노드 실린더(13) 사이에 인가된 강한 전계와 자계에 의하여 고주파 에너지를 방출하는데, 이 고주파 에너지 중에서 방사되지 못한 일부는 열로 소실되어 마그네트론을 과열시키게 된다.
이때, 전압차 발생기(140)에 의해 열전소자(110)에 전류를 인가하면, 마그네트론의 아노드 실린더(13)에서 발생하는 열이 열전소자(110)를 통해 흡열되었다가 방열되면서 결국 마그네트론의 과열을 방지하게 되는 것이다.
이러한 마그네트론의 냉각장치를 무전극 조명 장치에 적용하는 일례는 도 4에 도시한 바와 같다.
이에 도시한 바와 같이 본 발명 무전극 조명 장치는, 케이싱(1)의 내부에 장착하여 마이크로파를 생성하는 마그네트론(M)과, 마그네트론(M)에 상용 교류전원을 고압으로 승압하여 공급하는 고압 발생기(3)와, 마그네트론(M)의 출구부에 연통하여 그 마그네트론(M)에서 생성한 마이크로파를 전달하는 도파관(4)과, 마이크로파 에너지에 의해 봉입한 물질이 여기(excited state)하여 플라즈마화 하면서 빛을 발생하는 전구(5)와, 도파관(4)과 전구(5)의 앞쪽에 씌워져 마이크로파는 차단하면서 빛은 통과하는 공진기(6)와, 공진기(6)를 수용하여 전구(5)에서 발생하는 빛을 직진토록 집중 반사하는 반사경(7)과, 마그네트론(M)에 부착하여 그 마그네트론(M)에서 발생하는 열을 흡수하여 방열하는 열전소자(110)와, 열전소자(110)에 도선(140)으로 연결하여 상기한 열전소자에 전류를 공급하도록 케이싱(1)의 내부에 장착하는 전압차 발생기(130)를 포함한다.
케이싱(1)은 밀폐형으로 형성하여 그 외표면에 다수 개의 냉각핀(1c)을 일체로 형성하거나 또는 별도로 제작하여 후조립으로 결합하여 형성한다.
또, 열전소자(110)에서 방열하는 열을 외부로 방출하도록 케이싱(1)의 일 측에 공기통구(1d)를 형성하고, 그 공기통구(1d)의 주변에 상기한 열전소자(110)를 통해 방열하는 열을 외부로 불어내기 위한 토출팬(150)을 장착할 수도 있다.
이 경우 공기통구(1d)는 무전극 조명 장치를 옥외에도 설치할 경우를 감안하여 빗물 등이 새어들지 못하도록 설치시 아랫면에 형성하는 것이 바람직하며, 또 안쪽면이나 바깥면에 갓부(1e)를 비스듬하게 돌출 형성하는 것도 바람직하다.
열전소자(110)는 서로 다른 종류의 도체 또는 반도체의 끝을 접속하여 상호간 전위에너지(potential energy) 차이에 따라 한쪽에서는 열을 흡수하고 다른 하나에서는 열을 방출하는 펠티에 효과(Peltier effect)를 이용한 소자를 적용하는 것이 바람직하다.
또, 열전소자(110)가 평판형으로 형성됨에 따라 원통형인 마그네트론(M)의 아노드 실린더(13) 외주면과 열전소자(110) 사이에는 그 외측면이 평면인 소자 장착판(120)을 밀착 개재하는 것이 바람직하다.전압차 발생기(130)는 열전소자의 양 측면 사이에 전류가 흐를 수 있도록 하는 예컨대, 단전원의 경우 중간을 복선으로 분선하고 그 중 한 쪽 전선에 전압변환소자를 설치하여 열전소자에 연결하는 양쪽 전선에 서로 다른 전압의 전류가 인가되도록 함으로써 전류의 흐름을 유발하도록 할 수 있다.
도면중 종래와 동일한 부분에 대하여는 동일한 부호를 부여하였다.
도면중 미설명 부호인 9는 유전체 거울이다.
본 발명 무전극 조명 장치는 다음과 같은 작용 효과를 갖는다.
즉, 마그네트론(M)에서 생성하는 마이크로파가 도파관(4)을 통해 공진기(6) 내부로 방사하고, 이 마이크로파에 의해 전구(5) 내의 봉입된 물질을 방전하여 고유한 방출 스펙트럼을 가지는 빛이 발생하며, 이 빛은 반사경(7)과 유전체 거울(9)에 의해 전방으로 반사하면서 공간을 밝힌다.
이때, 마그네트론(M)에서는 전술한 바와 같이 고열이 발생하나, 이 열은 열전소자(110)를 통해 케이싱(1)의 내부로 자연 방열되면서 상기한 마그네트론(M)이 냉각된다.
이렇게 하여, 본 발명 무전극 조명 장치를 옥외에 설치하는 경우에는 빗물이나 이물이 흘러 케이싱(1)의 내부로 유입하여 그 내부의 각종 부품을 파손할 우려가 있으나, 본 발명과 같이 마그네트론(M)에 열전소자(110)를 부착하여 마그네트론(M)에서 발생하는 열을 방열함에 따라 케이싱(1)을 밀폐형으로 형성할 수 있어 빗물이나 기타 이물이 케이싱(1)의 내부로 유입하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.
또, 열전소자(110)에서 방출하는 열을 더욱 효과적으로 방출하기 위하여 케이싱(1)에 공기통구(1c)를 형성하고 그 공기통구(1c)에 대응하도록 토출팬(150)을 구비하더라도 토출팬(150)이 케이싱(1)의 공기를 바깥쪽을 불어내므로 그만큼 빗물이 공기통구(1d)를 통해 유입할 여지를 줄일 수 있다.
또, 공기통구(1d)도 장치의 설치형태에 따라 항상 아랫면에 위치하도록 형성함과 아울러 그 공기통구(1d)의 외측이나 내측에 하향 경사진 갓부(1e)를 형성하게 되면 빗물이나 이물이 스며들 여지를 더욱 줄일 수 있다.
한편, 본 발명 무전극 조명 장치를 옥내에 설치하는 경우에는 소음을 줄여야 사용자가 쾌적함을 느낄 수 있는데, 도 5에서와 같이 별도의 팬을 사용하지 않고 열전소자(110)로 마그네트론(M)의 열을 방열함과 아울러 이 열은 케이싱(1)에 냉각팬(1c)을 장착하여 방출함으로써 조명 장치의 운전시 소음을 크게 줄일 수 있다.
또, 도 6에서와 같이 토출팬(150)을 사용하더라도 용량이 작은 팬을 사용할 수 있어 그만큼 장치 소음을 줄일 수 있다.
또, 도면에 도시하지는 않았으나, 열전소자의 방열측에 히트파이프의 일단을 연결함과 아울러 그 히트파이프의 타단을 케이싱에 연결하여 열전소자를 통해 방출되는 마그네트론의 발생열을 케이싱으로 전달함으로써 케이싱이 공기중에서 자연 냉각되도록 할 수도 있다.
이 경우 팬을 사용하지 않아 옥내에 설치할 때 소음을 더욱 줄일 수 있을 뿐만 아니라 케이싱에 공기통구를 형성하지 않아도 되므로 옥외에 설치할 때 빗물이나 이물이 유입하는 것을 방지할 수 있다.
또 한편, 전압차 발생기(130)는 케이싱(1)의 외부에도 장착할 수 있는데, 이 경우 도선(140)을 길게 연장하여 전압차 발생기(130)와 케이싱(1) 내부의 열전소자(110)를 연결함으로써 한 개의 전압차 발생기(130)에 여러 개의 조명 장치를 함께 연결할 수도 있고 각 조명 장치의 용량이나 무게를 줄일 수도 있다.
본 발명에 의한 마그네트론의 냉각장치 및 이를 구비한 무전극 조명 장치는, 열전소자를 이용하여 양극부에서 발생하는 열을 방출하도록 마그네트론을 구성함과 아울러 이 열전소자를 구비한 마그네트론을 장착하여 무전극 조명 장치를 구성함으로써, 무전극 조명 장치를 옥외에 설치할 때는 빗물이나 이물이 장치의 케이싱 내부로 유입하는 것을 방지할 수 있고, 옥내에 설치할 때는 팬 소음을 줄이거나 없애 이로 인한 불쾌감을 효과적으로 해소할 수 있다.

Claims (10)

  1. 전류를 인가하면 열전자를 발생하는 음극부와,
    음극부를 수용하는 작용공간을 구비하여 그 작용공간에서 음극부와 함께 고주파 에너지를 생성하는 양극부와,
    작용공간에 자속을 인가하도록 그 작용공간을 사이에 두고 양쪽에 배치하는 복수 개의 마그네트와,
    전류 인가시 작용공간에서 발생하는 열을 흡수한 후 방열하도록 서로 다른 종류의 도체 또는 반도체를 접속하여 양극부에 부착하는 열전소자와,
    열전소자의 양극부 부착면에서는 흡열현상이 발생하는 반면 다른 쪽에서는 방열현상이 발생하도록 전압변환소자를 이용하여 상기 열전소자에 전류의 흐름을 유발하는 전압차 발생기를 포함한 마그네트론의 냉각장치.
  2. 제1항에 있어서,
    양극부와 열전소자 사이에는 열전소자의 부착면을 평평하게 하도록 평면부를 갖는 소자 장착판을 개재한 것을 특징으로 하는 마그네트론의 냉각장치.
  3. 마이크로파에 의해 플라즈마화하면서 빛을 발생하도록 봉입물질을 구비한 전구와,
    전구를 수용하여 마이크로파는 차단하면서 상기 전구에서 발광된 빛은 통과하는 공진기와,
    양극부와 음극부 그리고 마그네트를 구비하여 음극부에 전류를 인가할 때 마이크로파를 발생하도록 케이싱의 내부에 장착하는 마그네트론과,
    전류 인가시 작용공간에서 발생하는 열을 흡수한 후 방열하도록 서로 다른 종류의 도체 또는 반도체를 접속하여 양극부에 부착하는 열전소자와,
    열전소자의 양극부 부착면에서는 흡열현상이 발생하는 반면 다른 쪽에서는 방열현상이 발생하도록 전압변환소자를 이용하여 상기 열전소자에 전류의 흐름을 유발하는 전압차 발생기를 포함한 마그네트론의 냉각장치.
  4. 제3항에 있어서,
    케이싱의 외표면에 냉각핀을 일체 또는 후조립으로 형성하는 것을 특징으로 하는 무전극 조명 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    케이싱에 공기통구를 형성하고, 열전소자에서 방열되는 열을 케이싱의 외부로 방출하도록 토출팬을 공기통구에 인접하여 설치하는 것을 특징으로 하는 무전극 조명 장치.
  6. 삭제
  7. 제3항에 있어서,
    열전소자는 그 방열면을 케이싱에 연결하는 히트파이프로 감아 열을 전달하도록 하는 것을 특징으로 하는 무전극 조명 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    전압차 발생기는 케이싱의 내부에 장착하는 것을 특징으로 하는 무전극 조명 장치.
  9. 제3항에 있어서,
    전압차 발생기는 케이싱의 외부에 장착하는 것을 특징으로 하는 무전극 조명 장치.
  10. 제3항에 있어서,
    마그네트론의 양극부와 열전소자 사이에는 열전소자의 부착면을 평평하게 하는 소자 장착용 부재를 개재한 것을 특징으로 하는 무전극 조명 장치.
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KR100831211B1 (ko) * 2007-01-18 2008-05-21 엘지전자 주식회사 마그네트론 및 이를 적용한 조명기기

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS575242A (en) * 1980-06-13 1982-01-12 Hitachi Ltd Magnetron
JPH03297034A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Hitachi Ltd マグネトロン
JP2000353495A (ja) * 1999-05-12 2000-12-19 Fusion Lighting Inc 高輝度マイクロ波ランプ
JP2003100224A (ja) * 2001-09-19 2003-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロン装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS575242A (en) * 1980-06-13 1982-01-12 Hitachi Ltd Magnetron
JPH03297034A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Hitachi Ltd マグネトロン
JP2000353495A (ja) * 1999-05-12 2000-12-19 Fusion Lighting Inc 高輝度マイクロ波ランプ
JP2003100224A (ja) * 2001-09-19 2003-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロン装置

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