KR100444028B1 - Fabricating method of Ag-AgCl electrode - Google Patents
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Abstract
본 발명은 염소 가스를 플라즈마 상태로 은과 반응시켜 미세구조를 갖는 은-염화은 전극 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 은-염화은 전극 제조방법은 절연기판 상에 은을 소정두께 증착하여 은 박막층을 형성하는 단계와, 상기 은 박막층을 염소 플라즈마와 반응시켜 염화은층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of manufacturing a silver-silver chloride electrode having a microstructure by reacting chlorine gas with silver in a plasma state, and the method of manufacturing a silver-silver chloride electrode according to the present invention deposits a predetermined thickness of silver on an insulating substrate to form a silver thin film layer. And forming the silver chloride layer by reacting the silver thin film layer with chlorine plasma.
또한, 본 발명은 반도체 공정과 호환되기 때문에 전극의 크기를 수 ㎛ 정도의 미세한 크기로 재현성 있게 제작이 가능하며, 종래의 전기화학적 전착이나 고온 열처리가 필요치 않기 때문에 공정이 간단하며, 대량 생산이 가능한 장점을 가진다.In addition, since the present invention is compatible with the semiconductor process, the size of the electrode can be reproducibly produced in a fine size of several micrometers, and the process is simple and does not require conventional electrochemical electrodeposition or high temperature heat treatment. Has an advantage.
Description
본 발명은 은-염화은 전극 제조 방법에 관한 것으로, 특히 염소 가스를 플라즈마 상태로 은과 반응시켜 미세구조를 갖는 은-염화은 전극 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a silver-silver chloride electrode, and more particularly to a method for producing a silver-silver chloride electrode having a microstructure by reacting chlorine gas with silver in a plasma state.
화학전지의 기전력 또는 전극전위를 측정할 때, 사용되는 단극전위(單極電位)가 일정하여 기준이 될 수 있는 전극을 기준전극이라 한다.When measuring the electromotive force or the electrode potential of a chemical cell, the electrode that can be used as a reference because of the constant monopolar potential (한다 電位) used is referred to as a reference electrode.
기준전극으로서 갖추어야 할 조건으로, 가역전극전위로서 넌스트(Nernst) 평형 이론식을 따라야 하며 또한, 웬만큼 전류가 전극 표면에 유출 또는 유입해도 자기 자신은 항상 일정한 전위값을 유지하는 비분극 특성(non-polarizable)을 가져야 한다. 그리고, 온도 변화에 따른 전위변화가 적어야 하며 일정한 온도에서 일정한 전위값을 나타내어야 한다. 마지막으로 액간전위차(Liquid Junction Potential)가 가능한 적어야 한다.As a reference electrode, it is necessary to follow the Nernst equilibrium equation as the reversible electrode potential, and also to maintain a constant potential value even when current flows out or flows into the electrode surface. polarizable). And, the potential change according to the temperature change should be small and show a constant potential value at a constant temperature. Finally, the liquid junction potential should be as small as possible.
현재 사용되고 있는 기준전극으로는 포화 카로멜 전극(Saturated Calomel Electrode, SCE), 표준 수화 전극(Normal Hydrogen Electrode, NHE), 소결 은-염화은 전극(Sintered Ag-AgCl electrode) 전극이 있다.Currently used reference electrodes include a saturated calomel electrode (SCE), a standard hydride electrode (Normal Hydrogen Electrode (NHE)), and a sintered Ag-AgCl electrode electrode.
하지만 이러한 전극들은 그 구조상 크기가 상당히 크기 때문에 크기가 수십 ㎛정도인 바이오 센서나 생체에 삽입되어 응용되는 분야에는 적용하기가 힘들다.However, since these electrodes are considerably large in size, they are difficult to be applied to a biosensor having a size of several tens of micrometers or an application inserted into a living body.
한편, 생체 내에는 일정한 농도의 염소 음이온(Cl-)이 존재하기 때문에 은-염화은을 기준전극으로 사용 가능하며 또 근전도를 측정하는 전극으로도 사용이 가능하다.On the other hand, since a certain concentration of chlorine anion (Cl − ) is present in the living body, silver-silver chloride may be used as a reference electrode and may also be used as an electrode for measuring electromyography.
은-염화은 기준전극을 제작하는 방법에는 여러 가지가 있다. 첫째로 화학용액에 Ag 금속을 담궈 전기화학적으로 염화은을 형성하는 방법이 있다. 이 방법은 완성된 은 전극에 염화은을 제작하는 추가 공정이 필요하며 또 제작 후 세척과정을 거쳐야하는 번거로움이 있다. 둘째로, 은 금속 위에 염화은 분말을 고르게 분포시킨 후 고온에서 소결(sintering) 처리하는 방법이 있다. 하지만 이 방법 또한 전극제작 후 고온의 추가 공정이 필요하고 전극의 크기가 수십 ㎛ 정도로 작아졌을 때 재현성 있게 원하는 크기의 전극을 제작하기 곤란하다는 문제점을 가지고 있다.There are several ways to fabricate silver-silver chloride reference electrodes. First, there is a method of forming silver chloride electrochemically by dipping Ag metal in a chemical solution. This method requires an additional process of producing silver chloride on the finished silver electrode and is cumbersome to undergo post-fabrication cleaning. Second, there is a method of evenly distributing the silver chloride powder on the silver metal and then sintering at a high temperature. However, this method also has a problem in that it is difficult to produce an electrode of a desired size reproducibly when the electrode needs a high temperature additional process after fabrication and the electrode size is reduced to about several tens of micrometers.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 염소 가스를 플라즈마 상태로 은과 반응시켜 미세구조를 갖는 은-염화은 전극 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a silver-silver chloride electrode manufacturing method having a fine structure by reacting chlorine gas with silver in a plasma state.
도 1a 내지 1c는 본 발명의 은-염화은 전극 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a silver-silver chloride electrode of the present invention.
도 2a는 본 발명의 은-염화은의 AEM 측정 결과를 나타낸 것.Figure 2a shows the results of AEM measurement of silver-silver chloride of the present invention.
도 2b는 알드리히사의 은-염화은의 AEM 측정 결과를 나타낸 것.Figure 2b shows the results of the AEM measurement of silver-silver chloride of Aldrich.
도 3은 본 발명의 은-염화은 전극의 XRD 결과를 도시한 것Figure 3 shows the XRD results of the silver-silver chloride electrode of the present invention
도 4는 본 발명의 은-염화은 전극과 알드리히사의 은-염화은 전극의 전위차 실험에 대한 모식도.Figure 4 is a schematic diagram of the potential difference experiment of the silver-silver chloride electrode and Aldrich's silver-silver chloride electrode of the present invention.
도 5는 본 발명의 은-염화은 전극과 알드리히사의 은-염화은 전극의 전위차 실험 결과를 나타낸 것.Figure 5 shows the potential difference experiment results of the silver-silver chloride electrode of the present invention and the silver-silver chloride electrode of Aldrich.
도 6은 RF 파워 변화에 따른 염화은의 두께 변화를 나타낸 것.Figure 6 shows the change in the thickness of the silver chloride according to the RF power change.
도 7은 반응시간에 따른 염화은의 두께 변화를 나타낸 것.Figure 7 shows the thickness change of the silver chloride with the reaction time.
도 8은 유량 변화에 따른 염화은의 두께 변화를 나타낸 것.Figure 8 shows the change in the thickness of the silver chloride according to the flow rate change.
도 9는 압력 변화에 따른 염화은의 두께 변화를 나타낸 것.Figure 9 shows the change in the thickness of the silver chloride according to the pressure change.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
101 : 절연기판 102 : 은 박막층101: insulating substrate 102: silver thin film layer
103 : 염화은 층103: silver chloride layer
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 은-염화은 전극 제조방법은 절연기판 상에 은을 소정두께 증착하여 은 박막층을 형성하는 단계와, 상기 은 박막층을 염소 플라즈마와 반응시켜 염화은층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.Silver-silver chloride electrode manufacturing method of the present invention for achieving the above object is a step of forming a silver thin film layer by depositing a predetermined thickness of silver on an insulating substrate, and forming the silver chloride layer by reacting the silver thin film layer with chlorine plasma Characterized in that comprises a step.
본 발명에 따른 은-염화은 전극 제조방법은 수십 ㎛ 정도의 미세 전극을 형성할 수 있으며, 전기화학적 전착이나 열처리 과정이 요구되지 않는 특징이 있다.The silver-silver chloride electrode manufacturing method according to the present invention can form a fine electrode of several tens of micrometers, there is a feature that does not require electrochemical electrodeposition or heat treatment process.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 은-염화은 전극 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of preparing a silver-silver chloride electrode of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1a 내지 1c는 본 발명의 은-염화은 전극 제조방법을 설명하기 위한 공정단면도이다.1A to 1C are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a silver-silver chloride electrode of the present invention.
먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 실리콘과 같은 절연기판(101) 상에 스퍼터링(sputtering)법을 이용하여 은(102)을 소정두께 증착한다. 그 두께는 4000∼6000Å 정도가 바람직하다.First, as shown in FIG. 1A, silver 102 is deposited to a predetermined thickness on an insulating substrate 101 such as silicon by sputtering. The thickness is preferably about 4000 to 6000 mm.
이어, 도 1b에 도시한 바와 같이, 상기 은(102)이 증착된 기판을 플라즈마 형성이 가능한 체임버(도시하지 않음) 내에 장착시킨 후, 소정의 조건을 가하여 염소 플라즈마를 형성시킨다. 여기서, 상기 염소 플라즈마를 형성시키기 위해, 80∼120mW의 RF(Radio Frequency) 파워, 50∼150sccm의 염소(Cl)가스 유량, 80∼120mTorr의 압력의 조건을 가한다.Subsequently, as shown in FIG. 1B, the substrate on which the silver 102 is deposited is mounted in a chamber (not shown) capable of plasma formation, and then a chlorine plasma is formed under predetermined conditions. In order to form the chlorine plasma, RF (Radio Frequency) power of 80 to 120mW, chlorine (Cl) gas flow rate of 50 to 150sccm, pressure of 80 to 120mTorr is applied.
상기 형성된 염소 플라즈마는 기판 상에 형성되어 있는 은(102)과 반응하여 염화은을 생성하게 된다. 상기의 염소 플라즈마와 기판 상의 은의 반응은 4∼6분 정도 진행시킨다.The formed chlorine plasma reacts with silver 102 formed on the substrate to produce silver chloride. The reaction between the chlorine plasma and silver on the substrate proceeds for about 4 to 6 minutes.
도 1c에 도시한 바와 같이, 상기와 같은 염소 플라즈마와 은의 반응에 의해기판 상의 은 위에 염화은 층(103)이 형성된다.As shown in FIG. 1C, a silver chloride layer 103 is formed on silver on the substrate by the reaction of chlorine plasma and silver as described above.
이상에 의해 제조된 은-염화은 전극이 기준전극으로서의 물성을 만족하는지에 대해 다음과 같은 방법을 통해 확인한다.The silver-silver chloride electrode prepared by the above is confirmed by the following method as to whether the electrode satisfies the physical properties as a reference electrode.
첫째, 염소 플라즈마와 은의 반응에 의해 염화은이 생성되었는지 확인하기 위해 상기 염화은 층의 염소 농도를 오우거 전자분광법(Auger Electron Spectroscopy, 이하 AEM)을 이용하여 기존의 은-염화은 전극과 비교 측정한다.First, in order to confirm that silver chloride is generated by the reaction of chlorine plasma and silver, the chlorine concentration of the silver chloride layer is measured by comparison with a conventional silver-silver chloride electrode using Auger Electron Spectroscopy (AEM).
참고로, 상기 AEM은 전자빔을 고체 표면에 조사하여, 오우거(auger) 과정에 의해서 고체표면에서 방출되는 2차 전자(secondary electron)의 운동에너지를 분석하여 성분원소를 확인하는 정량분석법이다.For reference, the AEM is a quantitative analysis method for identifying elemental components by analyzing an kinetic energy of secondary electrons emitted from a solid surface by an auger process by irradiating an electron beam to a solid surface.
실험에 사용된 시편은 본 발명의 은-염화은 제조방법에 의해 제조된 은-염화은과 현재 상용으로 판매되는 은-염화은 전극, 정확히는 알드리히(Aldrich)社의 은-염화은을 사용한다.The test specimens used were silver-silver chloride produced by the silver-silver chloride manufacturing method of the present invention and silver-silver chloride electrodes currently commercially available, specifically silver-silver chloride of Aldrich.
준비된 두 시편을 분당 60Å씩 벗기면서 각 층에 포함된 은(Ag) 원자와 염소(Cl) 원자의 상대농도를 AEM을 통해 측정한다. 그 결과를 도 2a 및 2b에 도시하였다.Peel off the two prepared specimens at 60Å / min and measure the relative concentration of silver (Ag) and chlorine (Cl) atoms in each layer by AEM. The results are shown in Figures 2a and 2b.
도 2a는 본 발명의 은-염화은의 AEM 측정 결과이고, 도 2b는 알드리히사의 은-염화은의 AEM 측정 결과이다.2A is a result of AEM measurement of silver-silver chloride of the present invention, and FIG. 2B is a result of AEM measurement of silver-silver chloride of Aldrich.
도 2a에 도시한 바와 같이, 표면에서는 약 염소 원자가 20%, 은 원자가 80% 정도로 측정됨을 알 수 있다. 그리고, 약 22분이 경과할 때까지 10% 이상의 염소원자가 존재하고 있으며, 그 이후에는 염소원자가 존재하지 않는다. 따라서, 약 1400Å 정도의 두께까지 염소원자가 은 박막 안으로 들어가 존재함을 알 수 있다.As shown in Figure 2a, it can be seen that on the surface is measured about 20% about chlorine atoms, 80% silver atoms. In addition, 10 minutes or more of chlorine atoms exist until about 22 minutes have elapsed, and thereafter, no chlorine atoms exist. Therefore, it can be seen that chlorine atoms are present in the silver thin film to a thickness of about 1400 kPa.
이와 같은 결과는 도 2b의 알드리히사의 은-염화은 측정결과에 비교하여 볼 때, 염소 대 은의 농도비는 비슷한 양상을 보이며 농도분포 프로파일은 알드리히사의 전극보다 안정된 형태를 갖는다.This result shows that the concentration ratio of chlorine to silver is similar to that of Aldrich's silver-silver chloride measurement of FIG.
본 발명의 제조방법에 의해 제조된 은-염화은 전극의 물성 측정의 두 번째 방법으로서 X 선 회절분석(X-Ray Diffraction)을 실시한다.Silver-silver chloride prepared by the production method of the present invention is subjected to X-ray diffraction (X-Ray Diffraction) as a second method of measuring the physical properties of the electrode.
상기 AEM 분석에 의해 은 박막층에 염소 원자가 존재하는 것을 확인하였으나, 상기 염소원자가 은과 반응하였는지 확인해 볼 필요가 있다. 즉, 염화은의 생성 여부를 확인하는 정성분석법이 X 선 회절분석법이다.The AEM analysis confirmed the presence of chlorine atoms in the silver thin film layer, but it is necessary to confirm whether the chlorine atoms reacted with silver. That is, the qualitative analysis method for confirming the formation of silver chloride is X-ray diffraction analysis.
X 선 회절분석시, 소스(source)로서 Cu-Kα1 선을 이용하여 본 발명에 의해 제조된 은-염화은 전극 시편에 조사하여 회절된 결과를 표준물질의 데이터 파일과 대조해서(JCPDS 카드 이용) 물질을 구별할 수 있다.In the X-ray diffraction analysis, the silver-silver chloride electrode specimen prepared by the present invention using Cu-Kα1 as a source was irradiated on the silver diffraction electrode sample to compare the diffraction result with the data file of the standard material (using JCPDS card). Can be distinguished.
도 3은 본 발명의 은-염화은 전극의 XRD 결과를 도시한 것으로서, 도 3에 도시한 바와 같이, 2θ의 값이 27.8°, 32.2°, 46.2°, 54.8°, 57.5°, 67.5°등에서 보강간섭이 일어나며, 이는 JCPDS 카드의 데이터와 일치한다.Figure 3 shows the XRD results of the silver-silver chloride electrode of the present invention, as shown in Figure 3, 2θ values of constructive interference at 27.8 °, 32.2 °, 46.2 °, 54.8 °, 57.5 °, 67.5 °, etc. This happens, which is consistent with the data on the JCPDS card.
가장 큰 값을 보이는 피크가 약 32.5°에서 나타나는 것을 볼 수 있으며, 28°, 38°, 47°, 68°, 69°에서도 피크가 측정된다. 69°에서의 피크는 기판으로 사용된 실리콘이 노출되어서 나타난 것이며, 38°의 피크는 Ag에 해당하는 2θ값임을 실험을 통해 확인된다. 따라서, 32.5θ, 47θ, 68θ의 피크는 XRD 결과 염화은이 형성되어 있음을 보여준다.It can be seen that the peak with the largest value appears at about 32.5 °, and the peak is also measured at 28 °, 38 °, 47 °, 68 °, and 69 °. The peak at 69 ° is due to the exposure of the silicon used as the substrate, and the peak at 38 ° is confirmed by the experiment that it is a 2θ value corresponding to Ag. Thus, the peaks of 32.5θ, 47θ, and 68θ show that silver chloride is formed as a result of XRD.
마지막으로, 본 발명에 의해 제조된 은-염화은 전극과 상용으로 시판되고 있는 은-염화은 기준전극과의 전위차를 측정함으로써 본 발명의 전극이 기준전극으로 사용될 수 있는지 확인한다.Finally, it is checked whether the electrode of the present invention can be used as a reference electrode by measuring the potential difference with the silver-silver chloride reference electrode which is commercially available with the silver-silver chloride electrode prepared by the present invention.
이 실험은 도 4에 도시한 바와 같이, KCl 포화용액에 알드리히사에서 제작한 은-염화은 기준전극(402)과 본 발명의 은-염화은 전극(401)을 동시에 담근 후, 전압계로 알드리히사의 은-염화은 전극(402)을 기준전극으로 하여 본 발명의 은-염화은 전극(401)의 전위를 측정한다.As shown in FIG. 4, the silver-silver chloride reference electrode 402 and the silver-silver chloride electrode 401 of the present invention were simultaneously immersed in a saturated KCl solution and manufactured by Aldrich Corporation, followed by Aldrich Corporation using a voltmeter. The potential of the silver-silver chloride electrode 401 of the present invention is measured using the silver-silver chloride electrode 402 as a reference electrode.
측정 결과는 도 5에 도시한 바와 같다.The measurement result is as shown in FIG.
상기 두 시편을 KCl 용액에 넣은 순간에는 -11.3mV의 전위가 측정되는데, 이는 알드리히사의 기준전극(402)이 담겨져 있는 4M의 KCl과 외부 전해 수용액 4.1M의 농도차에 의한 액간 전위차(liquid junction potential)이며 이는 소정의 계산에 의한 결과치와 일치하며 이후, 약 7분이 경과할 때까지 큰 변화 없이 유지된다.When the two specimens were placed in a KCl solution, a potential of -11.3 mV was measured, which was caused by the difference in concentration between 4M of KCl containing Aldrich's reference electrode 402 and 4.1M of external electrolytic solution. junction potential), which is consistent with the results of some calculations and then remains unchanged until about 7 minutes have elapsed.
참고로, 상기 액간 전위차는 용액의 농도차와 이온의 이동속도차에 의한 두 액 사이의 전위차를 말하는 것이다.For reference, the potential difference between liquids refers to a potential difference between two liquids due to a difference in concentration of a solution and a difference in a moving speed of ions.
7분 이후에는 전위가 -150mV로 감소하여 일정하게 유지된다. 이는 KCl 포화용액에서는 Cl-이온의 농도가 매우 높기 때문에 본 발명의 은-염화은 전극(401)의 염화은이 AgCl2 -의 형태로 이온화되어 녹았기 때문이다. 하지만 본 발명의 전극이 적용될 생체 내에서는 Cl-이온의 농도가 크지 않기 때문에 오랜 시간 사용이 가능하다.After 7 minutes the potential decreases to -150mV and remains constant. This is because the silver chloride in the silver chloride electrode 401 of the present invention is ionized and dissolved in the form of AgCl 2 - because the concentration of Cl − ions is very high in saturated KCl solution. However, since the concentration of Cl − ions is not large in a living body to which the electrode of the present invention is applied, it may be used for a long time.
이상과 같은 세 가지의 물성 측정 결과, 본 발명에 의해 제조된 은-염화은 전극은 기준전극으로서 적용될 수 있음이 확인된다.As a result of measuring the three physical properties as described above, it is confirmed that the silver-silver chloride electrode prepared according to the present invention can be applied as a reference electrode.
한편, 본 발명의 은-염화은 전극 제조방법은 종래의 전기화학적 제조방법과는 달리 염화은의 두께를 제어할 수 있다.On the other hand, the silver-silver chloride electrode manufacturing method of the present invention can control the thickness of the silver chloride, unlike the conventional electrochemical manufacturing method.
염화은의 두께 제어는 염소 플라즈마 즉, 염소 이온의 운동에너지를 제어함으로써 가능한데, 염소 이온의 운동에너지는 RF 파워, 염소 가스 유량, 압력, 반응시간 등의 영향을 받는다.The thickness control of silver chloride is possible by controlling kinetic energy of chlorine plasma, that is, chlorine ions. The kinetic energy of chlorine ions is influenced by RF power, chlorine gas flow rate, pressure, reaction time and the like.
즉, 염소 이온의 운동에너지가 클수록 후막(thick film)의 염화은을 형성할 수 있다.That is, as the kinetic energy of chlorine ions increases, silver chloride of a thick film may be formed.
본 발명에 있어서는 상기 염소 이온의 운동에너지에 영향을 미치는 인자를 조절함으로써 염화은의 두께를 변화시켰다.In the present invention, the thickness of the silver chloride was changed by adjusting a factor influencing the kinetic energy of the chlorine ion.
도 6 내지 도 9는 각각 RF 파워, 반응시간, 유량, 압력변화에 따른 염화은의 두께 변화를 도시한 것이다.6 to 9 show changes in the thickness of silver chloride according to RF power, reaction time, flow rate, and pressure change, respectively.
도 6 내지 도 9에 도시한 바와 같이, 염화은 두께는 염소 이온의 운동에너지에 영향을 미치는 각각의 인자의 변화에 따라 선형적으로 증가함을 알 수 있다.6 to 9, it can be seen that the silver chloride thickness increases linearly with the change of each factor affecting the kinetic energy of chlorine ions.
즉, 상기 4개의 인자 중 3개의 인자를 일정한 조건으로 설정한 다음, 1개의 인자를 조절함으로써 염화은의 정확한 두께 제어가 가능한 것이다.That is, by setting three factors of the four factors in a certain condition, and then by adjusting one factor it is possible to control the thickness of the silver chloride.
도 6 내지 도 9의 실험조건은 다음과 같다.6 to 9 are as follows.
도 6의 경우에는 염소가스의 유량을 100sccm, 반응시간 120초, 압력100mTorr이고, 도 7의 경우에는 RF 파워를 100W, 유량 100sccm, 압력이 100mTorr이고, 도 8의 경우에는 RF 파워를 100W, 반응시간 120초, 압력 100mTorr이며, 도 9의 경우에는 RF 파워가 100W, 반응시간 120초, 염소가스의 유량이 100sccm이다.In the case of FIG. 6, the flow rate of chlorine gas is 100 sccm, the reaction time is 120 seconds, and the pressure is 100 mTorr. In FIG. 7, the RF power is 100 W, the flow rate is 100 sccm, the pressure is 100 mTorr. The time is 120 seconds and the pressure is 100 mTorr. In the case of FIG. 9, the RF power is 100 W, the reaction time is 120 seconds, and the flow rate of the chlorine gas is 100 sccm.
상기와 같은 본 발명의 은-염화은 전극 제조방법은 다음과 같은 효과가 있다.The silver-silver chloride electrode manufacturing method of the present invention as described above has the following effects.
반도체 공정을 이용하여 제조하기 때문에 수십 ㎛ 정도의 크기를 갖는 미세한 형태의 은-염화은 전극을 제작할 수 있어 생체 내에 적용이 가능하다. 또한, 종래의 전기화학적 전착이나 고온 열처리를 이용하지 않기 때문에 공정의 간소화를 구현할 수 있다.Since it is manufactured using a semiconductor process, a fine silver-silver chloride electrode having a size of about several tens of micrometers can be manufactured, and thus it can be applied in vivo. In addition, since the conventional electrochemical electrodeposition or high temperature heat treatment are not used, the process can be simplified.
그리고, 염소 플라즈마가 형성되어 있는 체임버 내에서 동시에 다수의 은-염화은을 제작할 수 있기 때문에 대량 생산이 수월한 장점이 있다.In addition, since a large number of silver-silver chlorides can be produced at the same time in a chamber in which chlorine plasma is formed, mass production is easy.
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|---|---|---|---|---|
| KR20230170347A (en) | 2022-06-10 | 2023-12-19 | 국방과학연구소 | Ag/agcl electrode having a sufficient thickness of agcl coating layer and low resistance value, manufacturing method thereof, manufacturing apparatus thereof, and underwater electric field sensor using the same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59190649A (en) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Terumo Corp | Reference electrode |
| JPH03246459A (en) * | 1990-02-26 | 1991-11-01 | Omron Corp | Reference electrode |
| JPH09292361A (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Nec Corp | Method for manufacturing reference electrode |
-
2002
- 2002-01-18 KR KR10-2002-0002926A patent/KR100444028B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59190649A (en) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Terumo Corp | Reference electrode |
| JPH03246459A (en) * | 1990-02-26 | 1991-11-01 | Omron Corp | Reference electrode |
| JPH09292361A (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Nec Corp | Method for manufacturing reference electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20030035735A (en) | 2003-05-09 |
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