KR100431316B1 - DRAM PACKAGE FOR FORMING 1Mx16 I/O DRAM AND 2Mx8 I/O DRAM BY USING ONLY ONE PACKAGE, ADDRESS LINE THEREOF, AND METHOD FOR CHANGING WIDTHS OF ADDRESS LINE AND DATA LINE - Google Patents
DRAM PACKAGE FOR FORMING 1Mx16 I/O DRAM AND 2Mx8 I/O DRAM BY USING ONLY ONE PACKAGE, ADDRESS LINE THEREOF, AND METHOD FOR CHANGING WIDTHS OF ADDRESS LINE AND DATA LINE Download PDFInfo
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Abstract
Description
본 발명은 디램 패키지 및 그의 어드레스라인 및 데이터라인폭 변화 방법에 관한 것으로, 특히, l메가 x 16 I/O 및 2메가 x 8 I/O 로 사용 가능한 디램 패키지 및 그의 어드레스라인 및 데이터라인폭 변화 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a DRAM package and a method of changing its address line and data line width, and more particularly, to a DRAM package capable of using 1 mega x 16 I / O and 2 mega x 8 I / O and a change of its address line and data line width. It is about a method.
1메가 x l6I/O 디램의 경우, 어드레스라인은 10개, 데이터라인이 16개이고, 2메가 x 8 I/O 디램의 경우, 어드레스라인은 11개, 데이터라인은 8개가 필요하다.In the case of a 1 mega x l6 I / O DRAM, there are 10 address lines and 16 data lines. In the case of a 2 mega x 8 I / O DRAM, 11 address lines and 8 data lines are required.
상기와 같은 디램은 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 기준에 따른 SOJ 패키지(Small Outline J-lead package)로 구성될 경우, l메가 x 16I/O의 경우 42또는 44개의 핀중 어드레스 핀은 12개, 데이터 핀은 16개를 구비하고, 2메가 x 8 I/O의 경우 28개의 핀중 어드레스핀은 12개, 데이터 핀은 8개를 구비한다.The DRAM is composed of a small outline J-lead package according to the Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standard. There are 16 data pins, and 12 of the 28 pins and 8 data pins of 2 pins for 2 mega x 8 I / O.
본 발명은 상기한 바와 같이, 1메가 x 16 I/O 디램의 경우, 어드레스라인은 10개, 데이터라인이 16개, 2메가 x 8 I/O 디램의 경우, 어드레스라인은 11개, 데이터라인은 8개라는 조건에 착안하여, 1 메가 x 16 I/O 디램 패키지로 2메가 x 8 I/O를 구현함으로써, 하나의 패키지로 1 메가 x 16 I/O 디램 및 2메가 x 8 I/O를 구현할 수 있는 디램 패키지 및 그의 어드레스라인 및 데이터라인 변화 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.As described above, in the case of a 1 mega x 16 I / O DRAM, 10 address lines, 16 data lines, and in the case of a 2 mega x 8 I / O DRAM, 11 address lines, a data line Is based on the condition of 8, implementing 2 mega x 8 I / O in a 1 mega x 16 I / O DRAM package, so that 1 mega x 16 I / O DRAM and 2 mega x 8 I / O in one package It is an object of the present invention to provide a DRAM package and a method of changing an address line and a data line thereof.
도 1 은 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 블럭도.1 is a block diagram for explaining an embodiment according to the present invention.
도 2 는 본 발명에 따른 실시예를 설명하기 위한 상세회로도.2 is a detailed circuit diagram for explaining an embodiment according to the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
Cl : 데이터라인 제어부 C2 : 어드레스라인 제어부Cl: data line control unit C2: address line control unit
TDI ∼ TD8 : PMOS 트랜지스터TDI to TD8: PMOS transistor
TA1 : NMOS 트랜지스터TA1: NMOS Transistor
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 제어신호 입력핀 1개, 어드레스 핀 n개, 데이터 핀 q개를 포함하는 디램 패키지에 있어서, 상기 제어신호 입력핀에 입력되는 신호에 따라 어드레스 핀 n-1개 및 데이터 핀 q개를 인에이블 시키거나 또는 어드레스 핀 n개 및 데이터 핀 q/2개를 인에이블 시키는 어드레스 및 데이터라인 폭 제어수단을 내부에 포함하는 것을 특징으로 하는 디램 패키지 및 그의 어드레스라인 및 데이터라인 변화 방법을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a DRAM package including one control signal input pin, n address pins, and q data pins, wherein the address pin n is based on a signal input to the control signal input pin. -A DRAM package and its address including internally address and data line width control means for enabling one and q data pins or for enabling n address pins and q / 2 data pins Provides a method for changing lines and data lines.
[실시예]EXAMPLE
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.
도 1은 본 실시예를 설명하기 위한 블록도이다.1 is a block diagram for explaining the present embodiment.
도 l에 도시된 바와 같은 어드레스 및 데이터라인폭 제어수단은, <표 1>과 같은 동작을 수행한다.The address and data line width control means as shown in FIG. 1 performs an operation as shown in Table 1.
<표 1>TABLE 1
즉, 본 실시예에 따르면, 제어신호의 로직레벨에 따라서, 어드레스라인의 폭과 데이터 라인의 폭이 각각 10개 및 16개, 또는 각각 11개 및 8개로 변하여, 디램의 종류를 1M x l6I/O 또는 2M x 8I/O로 결정한다.That is, according to the present embodiment, the width of the address line and the width of the data line are changed to 10 and 16, or 11 and 8, respectively, according to the logic level of the control signal, thereby changing the type of DRAM to 1M x l6I /. Determined by O or 2M x 8I / O.
도 2는 본 실시예에 따른 어드레스 및 데이터라인폭 제어수단의 상세 회로도이다.2 is a detailed circuit diagram of the address and data line width control means according to the present embodiment.
도 2에서 C1은 데이터라인 제어부, C2는 어드레스라인 제어부를 각각 나타낸 것이다.In FIG. 2, C1 represents a data line controller and C2 represents an address line controller.
도 2에 도시된 바와 같은 본 실시예에서는, 제어신호 입력단을 1메가 x 16I/O의 2개의 더미 어드레스핀중 하나인 A11핀으로 한다. 그러나 다른 실시예에서는 제어신호 입력단을 다른 더미 어드레스핀인 A10으로 할 수 있다.In this embodiment as shown in Fig. 2, the control signal input terminal is an A11 pin, which is one of two dummy address pins of 1 Mega x 16 I / O. However, in another embodiment, the control signal input terminal may be another dummy address pin A10.
또한, 더미 어드레스핀중 나머지 하나인 A10을, 상기 제어신호에 의해 동작되는 어드레스라인 제어부(C2)의 한 입력만으로 하여, 인에이블 또는 디스에이블시켜, 디램패키지의 어드레스라인폭을 10개 또는 11개로 변화시킨다. 그러나 다른 실시예에서는 상기 어드레스라인 제어부(C2)의 입력단을 다른 더미 어드레스핀인 A11 핀으로 할 수 있다.The A10, which is the other one of the dummy address pins, is enabled or disabled by using only one input of the address line control unit C2 operated by the control signal, and the address line width of the DRAM package is set to 10 or 11 pieces. Change. However, in another embodiment, the input terminal of the address line controller C2 may be another A11 pin, which is another dummy address pin.
아울러, 짝수(이하 Even 이라고 칭함) 데이터핀을 데이터라인 제어부(C1)의 입력단으로 하여, A11로부터의 제어신호에 따라 데이터 라인폭을 8개 또는 16개로 변화시킨다. 그러나, 다른 실시예에서는 홀수(Odd) 데이터핀을 상기 데이터라인 제어부(C1)의 입력단으로 할 수 있다.In addition, an even (hereinafter referred to as even) data pin is used as an input terminal of the data line controller C1 to change the data line width to eight or sixteen in accordance with the control signal from A11. However, in another embodiment, an odd odd data pin may be an input terminal of the data line controller C1.
본 실시예에서는 데이터라인 제어부(C1)가 도 2에 도시된 바와 같이, A11핀에 각각의 게이트가 연결되어있고, 소오스에 각각 Even 데이터핀이 연결된 8개의 PMOS 트랜지스터(TD1 내지 TD8)를 포함한다.In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the data line controller C1 includes eight PMOS transistors TD1 to TD8 having respective gates connected to the A11 pins and even data pins connected to the sources. .
또한, 어드레스라인 제어부(C2)는 A11핀에 그 게이트가 연결되어있고, A10핀에 그 소오스가 연결되어있는, 상기 데이터라인 제어부(C1)과 전기적으로 상보적 관계에 있는 NMOS 트랜지스터를 포함한다.In addition, the address line controller C2 includes an NMOS transistor electrically connected to the data line controller C1 having a gate connected to an A11 pin and a source thereof connected to an A10 pin.
따라서, 도 2에 도시된 회로는 <표 2>와 같은 동작을 수행한다.Therefore, the circuit shown in FIG. 2 performs the operation as shown in Table 2.
<표 2>TABLE 2
상기 <표 2>와 같은 동작은 데이터라인 제어부(C1)에 PMOS를 구비하고, 어드레스라인 제어부에 전기적으로 상보적인 NMOS를 구비하였으나, 다른 실시예에서는 제어부(C1, C2)에 각각 NMOS, PMOS를 구비하여, <표 3>과 같은 동작을 수행하는 디램 패키지를 구현할 수 있다.The operation shown in Table 2 includes a PMOS in the data line controller C1 and an NMOS electrically complementary to the address line controller. However, in another embodiment, the NMOS and the PMOS are respectively provided in the controller C1 and C2. In addition, the DRAM package for performing the operations as shown in Table 3 may be implemented.
<표 3>TABLE 3
이상에서와 같이, 본 발명에 따르면, 상기한 바와 같은 어드레스 및 데이터라인폭 제어수단을 1메가 x 16I/O 디램 패키지에 구비함으로써, 하나의 패키지로 1메가 x l6I/O 디램 및 2메가 x 8I/O 디램을 구현할 수 있다.As described above, according to the present invention, by providing the address and data line width control means as described above in a 1 mega x 16 I / O DRAM package, one mega x l6 I / O DRAM and 2 mega x 8 I in one package. / O DRAM can be implemented.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.Meanwhile, although specific embodiments of the present invention have been described and illustrated, modifications and variations can be made by those skilled in the art. Accordingly, the following claims are to be understood as including all modifications and variations as long as they fall within the true spirit and scope of the present invention.
Claims (8)
Priority Applications (2)
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KR1019970028448A KR100431316B1 (en) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | DRAM PACKAGE FOR FORMING 1Mx16 I/O DRAM AND 2Mx8 I/O DRAM BY USING ONLY ONE PACKAGE, ADDRESS LINE THEREOF, AND METHOD FOR CHANGING WIDTHS OF ADDRESS LINE AND DATA LINE |
US09/087,628 US20020021400A1 (en) | 1997-05-29 | 1998-05-29 | Liquid crystal displays |
Applications Claiming Priority (1)
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910001152A (en) * | 1989-06-24 | 1991-01-30 | 이수환 | Manufacturing method of cotton fabric having excellent durability |
KR940016226A (en) * | 1992-12-30 | 1994-07-22 | 김주용 | State control device using address pin |
KR940017051A (en) * | 1992-12-15 | 1994-07-25 | 이헌조 | Vibration absorber of motor |
US5608686A (en) * | 1994-08-12 | 1997-03-04 | Nec Corporation | Synchronous semiconductor memory device with low power consumption |
KR970029804A (en) * | 1995-11-06 | 1997-06-26 | 김주용 | DRAM |
KR0161307B1 (en) * | 1993-09-09 | 1999-02-01 | 세키자와 다다시 | Semiconductor memory device |
-
1997
- 1997-06-27 KR KR1019970028448A patent/KR100431316B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910001152A (en) * | 1989-06-24 | 1991-01-30 | 이수환 | Manufacturing method of cotton fabric having excellent durability |
KR940017051A (en) * | 1992-12-15 | 1994-07-25 | 이헌조 | Vibration absorber of motor |
KR940016226A (en) * | 1992-12-30 | 1994-07-22 | 김주용 | State control device using address pin |
KR0161307B1 (en) * | 1993-09-09 | 1999-02-01 | 세키자와 다다시 | Semiconductor memory device |
US5608686A (en) * | 1994-08-12 | 1997-03-04 | Nec Corporation | Synchronous semiconductor memory device with low power consumption |
KR970029804A (en) * | 1995-11-06 | 1997-06-26 | 김주용 | DRAM |
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