KR100416724B1 - 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 이에스피아이 시스템 및이를 이용한 미세소자의 변형측정방법 - Google Patents

고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 이에스피아이 시스템 및이를 이용한 미세소자의 변형측정방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 ESPI 시스템(Electronic Speckle Pattern Interferometry System) 에 관한 것으로, 레이저를 이용한 비파괴 측정법의 하나인 ESPI 시스템을 이용하여 미세소자의 열변형을 측정하고자 두 개 이상의 렌즈를 이용하여 광학계의 배율을 확대하는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템 및 이를 이용한 미세소자의 변형측정방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면 미세소자인 시편의 열변형을 측정하는 데 있어서, 고배율렌즈와 줌렌즈를 시편과 CCD 카메라 사이에 일렬로 배열하여 상호간의 위치를 조절함으로써 대상체의 크기를 확대하거나 축소할 수 있으며, 줌렌즈를 이용하여 초점을 정밀하게 맞춤으로써 최적 분해능 거리를 결정하게 된다. 또한 CCD 카메라 앞에는 경통이 부착되어 있어 외부 빛에 의한 간섭을 최소화하며, 줌렌즈에는 조리개가 설치되어 있어 시편 표면의 굴곡상태에 상관없이 초점거리를 결정할 수 있다. 따라서, 본 발명은 비파괴, 실시간적으로 미세소자의 열변형을 마이크로미터 이하의 단위까지 정밀하게 측정할 수 있는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템 및 이를 이용한 미세소자의 변형측정방법을 제공한다.

Description

고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 이에스피아이 시스템 및 이를 이용한 미세소자의 변형측정방법{ESPI system using high magnifying power lens and zoom lens and method of measuring deformation of microelement}
본 발명은 ESPI 시스템(Electronic Speckle Pattern Interferometry System) 에 관한 것으로, 레이저를 이용한 비파괴 측정법의 하나인 ESPI 시스템을 이용하여 미세소자의 열변형을 측정하고자 두 개 이상의 렌즈를 이용하여 광학계의 배율을 확대하는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템 및 이를 이용한 미세소자의 변형측정방법에 관한 것이다.
미세소자, 예를 들면 플립칩 패키지(flip chip package), 실리콘 칩, PCB등의 변형정도(특히, 열변형)를 측정할 필요가 있는 경우가 많다. 그러나, 종래의 측정방법으로는 미세소자의 변형정도를 측정할 수 없거나 측정하기 어려웠다.
한편, 주로 자동차, 항공기 등 벌크 구조물에서 발생하는 변형을 측정하기 위해 ESPI 시스템을 사용하고 있었다. 이 ESPI 시스템(Electronic Speckle Pattern Interferometry System) 은 레이저를 대상체의 표면에 조사할 때 나타나는 스페클 무늬를 이용하여 대상체의 변위를 측정하는 것으로, 변형하지 않은 상태에서 발생하는 스페클 형태와 변형된 상태에서 발생하는 스페클 형태를 차감할 때 형성되는 프린지(fringe)를 분석하여 대상체의 미세변위를 측정하는 장치이다.
도1은 일반적인 종래의 ESPI 시스템의 광학계를 나타내는 개념도이다.
도1을 참조하면, 일반적인 ESPI 시스템은 레이저빔 출력을 위한 레이저광원(1)과, 레이저광원(1)으로부터 나온 빔(beam)을 대상빔(object beam)과 참조빔(reference beam)으로 분리하는 빔스플리터(beam splitter, 2)와, 대상빔을 대상체(M)로 유도하는 반사경(3)과, 대상빔을 확산시키는 빔확산기(4)와, 대상체(M)에서 산란된 산란광을 결상시키는 렌즈(5)와, 참조빔을 유도하는 반사경(6, 7)과, 참조빔의 크기를 확대시키는 빔확산기(8)와, 대상체(M)의 스페클(speckle) 크기를 결정해 주는 애퍼처(aperture, 9)와, 대상빔과 참조빔의 간섭파를 만들기 위해 두 빔을 모아주는 빔스플리터(10)와, 대상체(M)에 대한 간섭 스페클 영상을 감지하는 CCD 카메라(11)와, CCD 카메라(11)에서 공급된 영상 정보로부터 대상체(M)의 변형정보를 산출해 내는 신호처리부(12)로 구성된다.
이러한 구성을 가진 ESPI 시스템의 광학계의 작동을 간략하게 설명하면 다음과 같다.
레이저광원(1)으로부터 조사된 레이저광은 빔스플리터(2)에서 대상빔과 참조빔으로 나뉜다. 대상빔은 반사경(3)을 통해 빔확산기(4)로 공급되어 확산된 후 대상체(M)에 조사되고, 대상체(M)에서 산란되는 산란광이 렌즈(5)로 결상된다. 참조빔은 반사경(6, 7)을 통해 빔확산기(8)로 공급되어 확산되고, 확산된 빔은 애퍼처(9)에서 퍼져 빔스플리터(10)에서 대상빔과 참조빔이 모아지며, 대상체(M)표면에서의 산란광을 렌즈(5)가 결상시킬 때 상호간섭이 일어난다. 이에 따라 CCD 카메라(11)에 맺히는 대상체(M) 표면의 스페클 영상이 전기신호로 변환되어 대상체(M)의 변형정보로서 신호처리부(12)에 공급된다. 이와 같은 변형정보는 변형하지 않은 상태에서 발생하는 스페클 형태와 변형된 상태에서 발생하는 스페클 형태를 차감할 때 형성되는 프린지로 나타나게 된다.
이러한 종래의 ESPI 시스템만으로는 주로 자동차, 항공기 등 벌크 구조물에서 발생하는 변형을 측정할 수 있을 뿐, 다른 변형측정장치와 마찬가지로 미세소자, 예를 들면 플립칩 패키지(flip chip package), 실리콘 칩, PCB등의 변형정도(특히, 열변형)를 측정할 수 없는 문제점이 있었다.
이와 같이, 종래의 ESPI 시스템은 대상체(M)에 산란되는 산란광을 결상시키는 렌즈(5)가 하나뿐이었기 때문에 미세소자에 적용될 수 있을 만큼의 고배율화를 이루지 못하였다. 또한 고배율렌즈를 쓴다 하더라도 최적 분해능 거리 결정에 어려움이 있어 초점을 정확하게 맞추기가 힘들었다. 또한 외부 빛에 의한 간섭 현상을 막기가 힘들었으며, 대상체의 표면에 굴곡이 있을 경우 표면 상태에 따라 초점거리를 정확히 결정하는 것이 어려워 분해능 변화를 완충할 수 없다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여, 미세소자의 열변형을 측정할 수 있는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템을 제공함을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은, 대상체 앞에 고배율렌즈와 줌렌즈를 일렬로 배열하여 대상체를 원하는 크기로 확대 또는 축소할 수 있으며, 초점거리를 조정하여 분해능 거리 결정을 최적화할 수 있는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템을 제공함을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 외부 빛에 의한 간섭을 최소화할 수 있고, 소량의 빛만을 흡수하여 굴곡된 표면의 분해능 변화를 완충할 수 있는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템을 제공함을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템을 이용하여 미세소자의 변형을 측정하는 방법을 제공함을 목적으로 한다.
도1은 일반적인 ESPI 시스템의 광학계를 나타내는 개념도.
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템의 면외변위 측정장치의 개념도.
도3은 도2의 고배율렌즈와 줌렌즈의 배열을 나타내는 개념도.
도4는 본 발명의 또다른 일실시예에 따른 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템의 면내변위 측정장치의 개념도.
도5는 본 발명에 따른 ESPI 시스템을 이용하여 열변형을 측정할 시편인 플립칩 패키지의 평면 사진.
도6a 내지 도6d는 도4의 면내변위 측정장치를 이용하여 시편의 x축 방향의 열변형을 색으로 표시한 그래프.
도7은 측정 데이터를 3차원 형상으로 재구성한 그림.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
15 : 시편 20 : 레이저광원
22 : 빔스플리터 24 : 제1반사경
26 : 제1빔확산기 28 : 고배율렌즈
30 : 줌렌즈 32 : 줌조절장치
34 : 편광필터 36 : 상필터
38 : 제2빔확산기 40 : CCD 카메라
42 : 경통
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위하여, 레이저광을 대상빔과 참조빔으로 분배하여 대상체에 조사시키고 대상체 표면에서 산란된 광의 간섭 스페클 영상을 프린지로 분석하여 대상체의 변형을 해석하는 장치에 있어서, 대상체 앞에 위치하여 대상체의 크기를 확대하는 고배율렌즈와; 고배율렌즈와 일렬로 배열되며 고배율렌즈에서 받아들인 상의 초점과 크기를 조절하는 줌렌즈와; 줌렌즈의 뒤에 위치하여 대상체에 반사된 빛을 받아들이는 CCD 카메라;를 포함하는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템을 제공한다.
또한, 본 발명은 CCD 카메라는, 외부 빛에 의한 간섭을 최소화하기 위한 경통을 포함하는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템을 제공한다.
또한, 본 발명은 줌렌즈는, 원하는 소량의 빛만을 받아들일 수 있도록 하여 대상체의 표면의 굴곡 상태와 상관 없이 열변형을 측정할 수 있도록 하는 조리개를포함하는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템을 제공한다.
또한, 본 발명은 고배율렌즈와, 고배율렌즈와 일렬로 배열된 줌렌즈를 포함하는 ESPI 시스템을 이용하여 미세소자의 변형을 측정하는 방법으로, ESPI 시스템을 측정할 수 있는 상태를 준비하는 예비준비단계와, 고배율렌즈를 이용하여 대상체의 크기를 확대하는 단계와, 줌렌즈를 이용하여 고배율렌즈에서 받아들인 상의 초점과 크기를 조절하는 단계와, 초점이 맞은 상태에서 대상체의 변형을 CCD 카메라를 이용하여 촬영하는 단계를 포함하는 ESPI 시스템을 이용한 미세소자의 변형측정방법을 제공한다.
본 발명에 의한 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템은 비접촉, 비파괴, 실시간 전면측정 등의 많은 장점을 가지고 있기 때문에, ESPI 시스템을 개선하므로 전자부품 등과 같은 미세소자의 변형정도를 측정하는데 응용될 수 있다는 생각에서 발명된 것이다.
본 발명에 의한 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템은 레이저를 대상체의 표면에 조사할 때 나타나는 스페클 무늬를 이용하여 대상체의 미소변위를 측정하는 장치로서, 측정법에 의해 분류하면 면외변위(out of-plane) 측정장치와 면내변위(in-plane) 측정장치로 나눌 수 있다.
면외변위 측정장치는 레이저가 조사방향인 z축의 변형을 측정하기 위한 것이고, 면내변위 측정장치는 레이저 조사방향에 수직방향인 x축과 y축의 변형을 측정하는 것이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템의 일실시예를 상세하게 설명한다.
실시예1: 면외변위 측정장치
도2는 본 발명의 일실시예에 따른 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템의 면외변위 측정장치의 개념도를, 도3은 도2의 고배율렌즈와 줌렌즈의 배열을 나타내는 개념도를 나타낸다.
도2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템에서 면외변위 측정장치는 레이저광원(20), 빔스플리터(22), 제1반사경(24), 제1빔확산기(26), 고배율렌즈(28), 줌렌즈(30), 편광필터(34), 상필터(36), 제2빔확산기(38) 및 CCD 카메라(40)를 포함한다.
레이저광원(20)은 시편(15)에 조사될 레이저를 출력하는 부분이다.
빔스플리터(22)는 조사된 레이저를 대상빔(object beam)과 참조빔(reference beam)으로 분배시킨다. 대상빔은 시편(15)으로 보내지는 빔이고, 참조빔은 CCD로 보내지는 빔이다.
제1반사경(24)은 대상빔의 경로를 꺾어 대상빔이 시편(15)에 유도되게 한다.
제1빔확산기(26)는 제1반사경(24)에 의해 반사된 대상빔을 시편(15)에 확산시켜 준다.
시편(15)에서 산란된 광은 렌즈에 결상되는데, 렌즈는 시편(15)과 CCD 카메라(40) 사이에 두 개가 일렬로 배열된다. 그 하나는 고배율렌즈(28)이고, 다른 하나는 줌렌즈(30)이다.
도3을 참조하면, 고배율렌즈(28)는 시편(15) 앞에 놓이는 대물렌즈로서, 상의 크기를 원하는 크기로 확대 또는 축소시키기 위해 사용한다. 미세소자의 열변형에 따른 미소변위를 측정하기 위해서는 고배율렌즈(28)로 상의 크기를 확대시킬 필요가 있기 때문이다. 고배율렌즈(28)는 최대배율 10배의 초점거리가 원거리로 고정된 원거리 초점렌즈를 쓴다.
줌렌즈(30)는 고배율화로 인해 나타나는 최적 분해능거리 결정의 어려움을 해결하기 위하여 사용하는 렌즈로서, 최대배율 2배의 렌즈이며, 줌렌즈(30)를 사용하면 초점을 정교하게 맞출 수 있다. 예를 들어 20배의 배율을 하나의 렌즈로 얻으려 한다면 초점을 맞추기가 다소 어려우나, 10배 ×2배의 렌즈 두 개를 사용한다면 보다 쉽게 초점을 맞출 수가 있다.
상의 크기는 고배율렌즈(28)와 줌렌즈(30)를 일렬로 배열하여 상호간의 위치를 조절함으로써 확대하거나 축소할 수 있다. 예를 들어 줌렌즈(30)의 위치를 고정시킨 채로 고배율렌즈(28)를 시편(15)에 가까이 이동시킬 경우에는 상이 확대되고, 시편(15)에서 멀리 이동시키면 상이 축소된다. 고정시키는 렌즈를 반대로도 할 수 있는데, 고배율렌즈(28)를 고정시키고 줌렌즈(30)를 이동할 경우에도 같은 효과가 발생한다.
줌렌즈(30)에는 조리개(32)가 설치되어 있다. 시편(15)의 표면에 굴곡이 있는 경우에는 굴곡 표면의 분해능을 완충해 줄 수 있어야 한다. 조리개(32)는 빛의 양을 조절하여 원하는 소량의 빛만을 흡수함으로써, 시야의 폭을 줄이고 간섭광을줄여 시편(15) 표면의 굴곡상태와 상관없이 시편(15)의 열변형을 측정할 수 있게 한다.
다시 도2를 참조하면, 빔스플리터(22)에서 분배된 참조빔은 편광필터(34), 상필터(36), 제2빔확산기(38)를 통해 CCD 카메라(40)로 들어간다.
편광필터(34)는 빛의 양을 조절하고 광차를 최소화한다.
상필터(36)는 스페클 무늬를 얻을 때 최적의 이미지를 만들기 위해 스페클 무늬로부터 얻은 위상도(phase map)의 최적 상변환(phase transformation)에 사용된다.
CCD 카메라(40)는 시편(15)에서 산란된 레이저광이 고배율렌즈(28)와 줌렌즈(30)에 결상되어 상호간섭이 일어날 때 시편(15)에 대한 스페클 무늬를 감지하는 부분이다.
다시 도3을 참조하면, CCD 카메라(40)에는 경통(42)이 부착되어 있는데, 경통(42)은 외부 빛에 의한 간섭을 최소화하기 위해 CCD 카메라(40) 앞에 부착한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템에서 면외변위 측정장치의 작동에 대해 간략하게 설명한다.
도2를 참조하면, 레이저광원(20)에서 조사된 레이저광은 빔스플리터(22)에서 대상빔과 참조빔으로 분배되고, 대상빔은 제1반사경(24)을 통해 경로를 꺾어 빔확산기(26)를 통해 확산되어 시편(15)에 유도된다. 시편(15)에서 산란된 광은 고배율렌즈(28)와 줌렌즈(30)에 결상된다.
참조빔은 편광필터(34)와 상필터(36)를 지나 제2빔확산기(38)에서 확산되어대상빔과 모아지며, 시편(15) 표면에서의 산란광을 렌즈들(28, 30)이 결상시킬 때 상호간섭이 일어나 스페클 영상이 CCD 카메라(40)에 맺히게 된다.
실시예2: 면내변위 측정장치
도4는 본 발명의 일실시예에 따른 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템의 면내변위 측정장치의 개념도를 나타낸다.
도4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템에서 면내변위 측정장치는 면외변위 측정장치와 구성은 거의 동일하며, 빔스플리터(22)에서 대상빔이 두 개로 분배되며, 두 개의 대상빔 중 하나가 참조빔의 역할을 하게 된다. 그리고, 또하나의 대상빔의 경로를 꺾어 시편(15)에 유도하기 위한 제2반사경(37)이 추가되어 있다.
이상,도면을 참조하여 실시예1과 실시예2에서 각각 면외변위 측정장치와 면내변위 측정장치로 나누어 본 발명에 따른 ESPI시스템을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다.
특히, 상기 실시예1과 실시예2에서는 각 구성요소들의 배치만을 설명하였으나, 상기 구성요소들을 하나의 물품에 패키징하여 제작할 수 있음은 당업자라면 당연히 알 수 있다. 이러한 패키징 기술들은 특허공보(예를 들면 특 1996-96호)에 기재되어 있는 ESPI 시스템의 광학장치들에 이미 기재되어 있다.
실험실시예
도5는 다른 부품에 붙일 수 있게 된 마이크로 회로편인 플립칩 패키지의 평면 사진이다. 도5의 플립칩 패키지(이하, 시편(15)라 함)를 진공열챔버에 집어넣고 열변형을 시킨 후 본 발명에 따른 ESPI 시스템(특히, 면내변위 측정장치)을 이용하여 열변형을 측정하였다.
열변형장치인 진공열챔버는 ESPI 시스템에서 조사되는 레이저가 출입할 수 있도록 광학창이 달려 있고, 가열로 인해 열대류가 생겨 빛이 왜곡되는 현상을 막을 수 있도록 내부가 진공으로 되어있다. 진공열챔버의 열변형 시작온도를 25℃, 마침온도를 125℃로 설정하고 일정한 속도로 시편(15)을 가열하였다. 가열된 시편(15)의 열변형은 본 발명에 따른 ESPI 시스템을 사용하여 5℃ 간격으로 측정하여 변위를 합산했다.
상기 실험을 위해 ESPI 시스템의 각 구성요소들을 각각의 위치에 설치하고, 레이저광원(20)의 레이저를 시편(15)에 조사하였다. ESPI 시스템을 측정할 수 있는 상태에서 고배율렌즈(28)를 이용하여 대상체의 크기를 확대하고, 줌렌즈(30)를 이용하여 고배율렌즈에서 받아들인 상의 초점과 크기를 조절하였다. 초점이 맞은 상태에서 시편(15)의 변형을 CCD 카메라(40)를 이용하여 촬영하고, 촬영결과를 컴퓨터를 이용하여 분석하였다.
도6a 내지 도6d는 상기 열변형 실험에 따라 면내변위 측정장치를 이용하여 각각 50℃, 75℃, 100℃, 125℃에서 시편의 x축 방향의 열변형을 분석하여 색으로 표시한 그래프이다. x축과 y축은 각각 시편의 x축과 y축 방향의 위치를 의미하며온도에 따른 변형 정도의 차이가 그래프 왼쪽의 색깔별 변형량에 표시된 바와 같이 그래프상에 표시되어 있다. 변화가 많이 일어난 것은 그만큼 온도변화에 따라 시편의 변위가 많이 일어남을 의미한다.
이와 같은 식으로 시편을 회전시켜 y축 방향의 열변형도 측정하고, 또한 면외변위 측정장치를 이용하여 z축 방향의 열변형도 측정하여, 이들을 믹싱하면 3차원 이미지의 도출도 가능하다. 도7은 이와 같이 측정한 데이터를 3차원 형상으로 재구성한 그림이다. 3차원 형상 그래프는 x축, y축이 각각 시편의 위치를 의미하며, z축은 그 위치에서의 시편의 변형량을 의미한다. 이와 같은 방법으로 미세소자의 열변형을 마이크로미터 이하 단위까지 정밀하게 측정할 수 있었다.
이와 같이 플립칩 패키지의 열변형의 측정을 통해 열사이클시 나타나는 응력집중을 확인할 수 있었고, 나아가 국소부의 파괴 취약부를 검출하는 데 응용될 수 있을 것으로 예상한다.
본 발명에 의하면, 기존의 대형재료의 열변형 측정에 사용되던 ESPI 시스템에 두 개의 렌즈를 장치함으로써 기존의 방법으로는 측정이 불가능하던 미세소자의 열변형을 비파괴, 실시간적으로 마이크로미터 이하 단위까지 정밀하게 측정할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 대상체 앞에 고배율렌즈와 줌렌즈를 일렬로 배열하여 대상체를 원하는 크기로 확대 또는 축소할 수 있으며, 초점거리를 조정하여 분해능 거리 결정을 최적화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, CCD 카메라 앞에 부착된 경통을 통해 외부 빛에 의한 간섭을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면 줌렌즈에 설치된 조리개를 통해 소량의 빛만을 흡수하여 굴곡된 표면의 분해능 변화를 완충할 수 있다.

Claims (4)

  1. 레이저광을 대상빔과 참조빔으로 분배하여 대상체에 조사시키고 상기 대상체 표면에서 산란된 광의 간섭 스페클 영상을 프린지로 분석하여 대상체의 변형을 해석하는 장치에 있어서,
    상기 대상체 앞에 위치하여 상기 대상체의 크기를 확대하는 고배율렌즈와;
    상기 고배율렌즈와 일렬로 배열되어 상기 고배율렌즈에서 받아들인 상의 초점과 크기를 조절하며, 원하는 소량의 빛만을 받아들일 수 있도록 하여 상기 대상체의 표면의 굴곡 상태와 상관없이 열변형을 측정할 수 있도록 하는 조리개를 갖는 줌렌즈와;
    상기 줌렌즈의 뒤에 위치하여 대상체에 반사된 빛을 받아들이며, 외부 빛에 의한 간섭을 최소화하기 위한 경통을 갖는 CCD 카메라;를 포함하는 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 ESPI 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 고배율렌즈와 상기 고배율렌즈와 일렬로 배열된 줌렌즈를 포함하는 ESPI 시스템을 이용하여 미세소자의 변형을 측정하는 방법으로,
    상기 ESPI 시스템을 측정할 수 있는 상태를 준비하는 예비준비단계와,
    상기 고배율렌즈를 이용하여 대상체의 크기를 확대하는 단계와,
    상기 줌렌즈를 이용하여 상기 고배율렌즈에서 받아들인 상의 초점과 크기를 조절하는 단계와,
    초점이 맞은 상태에서 대상체의 변형을 상기 CCD 카메라를 이용하여 촬영하는 단계를 포함하는 ESPI 시스템을 이용한 미세소자의 변형측정방법.
KR10-2001-0025611A 2001-05-10 2001-05-10 고배율렌즈와 줌렌즈를 이용한 이에스피아이 시스템 및이를 이용한 미세소자의 변형측정방법 KR100416724B1 (ko)

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