KR100403768B1 - Apparatus for removing static electricity of liquid crystal display panel - Google Patents

Apparatus for removing static electricity of liquid crystal display panel Download PDF

Info

Publication number
KR100403768B1
KR100403768B1 KR1019930004622A KR19930004622A KR100403768B1 KR 100403768 B1 KR100403768 B1 KR 100403768B1 KR 1019930004622 A KR1019930004622 A KR 1019930004622A KR 19930004622 A KR19930004622 A KR 19930004622A KR 100403768 B1 KR100403768 B1 KR 100403768B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
gate
supply voltage
liquid crystal
line
Prior art date
Application number
KR1019930004622A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
소회섭
Original Assignee
엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지.필립스 엘시디 주식회사 filed Critical 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority to KR1019930004622A priority Critical patent/KR100403768B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100403768B1 publication Critical patent/KR100403768B1/en

Links

Abstract

PURPOSE: An apparatus for removing static electricity of a liquid crystal display panel is provided to prevent insulation destruction caused by static electricity. CONSTITUTION: A plurality of shift registers(110), a gate driving circuit(120) and a display cell array having a plurality of thin film transistors are formed on a glass panel(100). The first and second power supply voltages(VDD,VSS) supplied to the gate driving circuit are connected to a shorting line(170) connected to a data line(160). The gate driving circuit includes gate driving switching elements, and an N channel switching element, and a P channel switching element which are serially connected to the gate driving switching elements. The input ports and output ports of the N channel and P channel switching elements are connected to a gate line(150). The drain electrode of the N channel switching element is connected to the first power supply voltage at a high level, and the drain electrode of the P channel switching element is connected to the second power supply voltage at a low level. The potential of the gate line is lower than or identical to the first power supply voltage and higher than or identical to the second power supply voltage in normal state.

Description

액정 패널의 정전기 제거 장치Static eliminator of liquid crystal panel

본 발명은 액정 패널(Liquid Crystal Panel)에 관한 것으로, 특히 액정 패널의 제조 공정 중 데이터라인과 디스플레이 셀어레이를 스위칭하는 스위칭소자의 전위차로 인하여 발생하는 정전기로 인해 스위칭소자가 파괴되는 현상을 방지하기 위한 액정 패널의 정전기 제거 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal panel, and in particular, to prevent the switching device from being destroyed due to static electricity generated due to the potential difference between the switching device for switching the data line and the display cell array during the manufacturing process of the liquid crystal panel. It relates to a static electricity removing device of the liquid crystal panel for.

일반적으로 폴리 실리콘 박막트랜지스터(poly Si TFT)를 응용한 AM(Active Matrix) 액정표시장치는 폴리 실리콘 박막트랜지스터가 갖는 높은 전하 이동도의 특성을 이용하여 도 1에 도시된 바와 같이, 다수의 시프트레지스터(10)와, 화상 신호를 구동할 게이트구동회로(12)와, 데이터구동회로(20)와, 다수의 박막트랜지스터(14)를 투명 유리기판(1) 상에 함께 제조한다.In general, an active matrix (AM) liquid crystal display device using a polysilicon thin film transistor (poly Si TFT) uses a high charge mobility characteristic of a polysilicon thin film transistor, as shown in FIG. (10), a gate driver circuit 12 for driving an image signal, a data driver circuit 20, and a plurality of thin film transistors 14 are fabricated on the transparent glass substrate 1 together.

여기서, 게이트라인(16)과 데이터라인(18)을 전기적으로 분리시키기 위하여 SiNx와 같은 게이트 절연막을 화학기상증착(PECVD) 방법을 이용하여 유리기판(1)의 전면에 형성한다.Here, in order to electrically separate the gate line 16 and the data line 18, a gate insulating film such as SiNx is formed on the entire surface of the glass substrate 1 using a chemical vapor deposition (PECVD) method.

이때, 절연기판 상에 폴리 실리콘 박막트랜지스터로 이루어진 디스플레이 셀어레이(14)를 제작하는 공정 및 액정주입 공정 등에서 발생하는 정전기는 주위환경이나 기판 이동상태에 따라 치명적인 게이트 절연파괴를 발생시킨다.At this time, the static electricity generated in the process of manufacturing the display cell array 14 made of the polysilicon thin film transistor and the liquid crystal injection process on the insulating substrate generates a fatal gate insulation breakdown according to the surrounding environment or the substrate moving state.

즉, 게이트라인(16)과 데이터라인(18) 사이가 상대적으로 불완전하거나 얇은 절연막 부위에서 정전기 방전이 발생되면 두 라인(16, 18)의 단락이 발생하며 이는 액정표시장치에 치명적인 결함으로 작용한다.That is, when the electrostatic discharge is generated at the relatively incomplete or thin insulating region between the gate line 16 and the data line 18, a short circuit occurs between the two lines 16 and 18, which is a fatal defect in the liquid crystal display. .

이러한 결함을 해소하기 위해 종래에는 도 2a에 도시한 바와 같이 데이터라인(16)과 게이트라인(18)에 단락선(25)을 형성한다.In order to solve such a defect, a short circuit 25 is formed in the data line 16 and the gate line 18 as shown in FIG. 2A.

이로써 디스플레이 셀어레이(14)의 공정 중에 정전기가 발생하더라도 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(18)사이의 전위가 동일하게 되어 공정중의 전극간 절연파괴 현상은 방지할 수 있다.As a result, even when static electricity is generated during the process of the display cell array 14, the potential between the gate line 16 and the data line 18 is the same, thereby preventing the breakdown between the electrodes during the process.

상기에서 단락선(25)이 없게 되면 도 3에 도시된 바와 같이 게이트전극(16)에서 정전기가 발생되면 정전기 전하가 방출될 수 있는 전류 통로가 없게 되어 게이트라인의 절연파괴가 발생한다.When there is no short circuit line 25, when static electricity is generated at the gate electrode 16, as shown in FIG. 3, there is no current path through which the electrostatic charge can be released, resulting in insulation breakdown of the gate line.

한편, 디스플레이 셀어레이(14)의 제조 공정이 완료되면 사진식각 공정으로 도 2b에 도시된 바와 같이 게이트라인(16)들 사이의 단락선(25)을 식각함으로써 유리기판(1)을 완성한다.Meanwhile, when the manufacturing process of the display cell array 14 is completed, the glass substrate 1 is completed by etching the short-circuit line 25 between the gate lines 16 by a photolithography process as shown in FIG. 2B.

이후, 액정주입을 위해 유리기판(1)과 대향기판을 합착한 후 액정공정이 완료되면 도 2b에 도시한 바와 같이 데이터라인(18)의 단락선(25)은 유리기판절단 공정으로 절단하여 액정 패널을 완성하게 된다.Then, after bonding the glass substrate 1 and the counter substrate for liquid crystal injection, when the liquid crystal process is completed, as shown in FIG. 2B, the short line 25 of the data line 18 is cut by the glass substrate cutting process. You will complete the panel.

그러나, 이와 같은 액정표시장치의 제조 공정은 디스플레이 셀어레이(14)의 제조 공정 중의 정전기에 대해서는 좋은 해결방안이 되나, 단락선(25)을 제거한 후실시하는 공정, 즉 액정주입을 위한 셀어레이 유리기판과 대향기판의 합착공정 및 기타 공정에서 발생되는 정전기에 대해서는 대응할 수 없는 문제점을 유발시켰다.However, such a manufacturing process of the liquid crystal display device is a good solution to the static electricity during the manufacturing process of the display cell array 14, but the process performed after removing the short circuit (25), that is, the cell array glass for liquid crystal injection The static electricity generated in the bonding process of the substrate and the opposing substrate and other processes caused an incompatible problem.

따라서, 본 발명의 목적은 게이트라인과 데이터라인이 단락되는 것을 방지하기 위하여 게이트구동회로로 인가되는 전원전압과 데이터라인의 단락선과 상호 연결한 후 전원전압을 게이트라인의 방전용 스위칭소자와 접속하여 게이트라인에서 발생되는 정전기를 스위칭소자를 통해 전원전압 또는 단락선으로 방전시킴으로써, 정전기로 인해 발생되는 절연파괴 현상을 방지할 수 있는 액정 패널의 정전기 제거장치를 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to interconnect the power supply voltage applied to the gate driving circuit and the short circuit line of the data line in order to prevent the gate line and the data line from being shorted and then connect the power supply voltage with the switching element for discharging the gate line. The present invention provides a static electricity removing device of a liquid crystal panel capable of preventing an insulation breakdown caused by static electricity by discharging static electricity generated from a gate line to a power supply voltage or a short circuit through a switching element.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 기술적 수단은, 디스플레이소자를 구동시키기 위한 게이트 및 데이터라인과 그 구동회로를 절연기판상에 형성하여 사용하는 액정 패널에 있어서: 제 1 전원전압과 제 2 전원전압 사이에 제 1 및 제 2 스위칭소자를 직렬 연결하고, 상기 제 1 및 제 2 전원전압을 정전기 방전용 단락선과 병렬 연결하여, 상기 스위칭소자의 공통접점에 접속된 게이트라인에서 생성되는 정전기를 상기 제 1 또는 제 2 스위칭소자의 전류통로를 통해 단락선으로 방전시키도록 구성한 것을 특징으로 한다.The technical means of the present invention for achieving the above object is a liquid crystal panel in which a gate and a data line for driving a display element and a driving circuit thereof are formed on an insulating substrate and used: a first power supply voltage and a second power supply voltage. First and second switching devices are connected in series between the first and second switching devices, and the first and second power supply voltages are connected in parallel with a short circuit line for electrostatic discharge, thereby preventing static electricity generated at a gate line connected to a common contact of the switching devices. It is characterized in that it is configured to discharge in a short line through the current path of the first or second switching element.

도 1은 일반적인 액정 패널 및 그 구동회로를 나타낸 도면이고,1 is a view showing a general liquid crystal panel and its driving circuit,

도 2a 및 도 2b는 액정 패널의 제조 중 발생하는 정전기 제거 장치를 나타낸 종래 도면이고,2A and 2B are conventional views showing an electrostatic removing device generated during the manufacture of a liquid crystal panel,

도 3은 도 2의 게이트구동회로를 나타낸 일례이고,3 is an example of the gate driving circuit of FIG. 2;

도 4는 본 발명에 적용된 액정 패널의 정전기 제거 방식을 설명하기 위해 도시한 도면이고,4 is a view for explaining a static elimination method of the liquid crystal panel applied to the present invention,

도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 정전기제거 회로를 나타낸 도면이고,5 is a view showing a static elimination circuit according to an embodiment of the present invention,

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 의한 정전기제거 회로를 나타낸 도면이고,6 is a view showing a static elimination circuit according to another embodiment of the present invention,

도 7은 본 발명의 또다른 실시예에 의한 정전기제거 회로를 나타낸 도면이다.7 is a view showing a static elimination circuit according to another embodiment of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

100: 유리기판 110: 시프트레지스터100: glass substrate 110: shift register

120: 게이트구동회로 130: 디스플레이 셀 어레이120: gate driving circuit 130: display cell array

150: 게이트라인 160: 데이터라인150: gate line 160: data line

170: 단락선170: short circuit

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 살펴보고자 한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 4는 본 발명에 의한 액정패널의 정전기 제거 장치를 도시한 것으로, 종래와 같이 다수의 시프트레지스터(110)와, 화상신호를 구동할 게이트구동회로(120)와, 다수의 박막트랜지스터로 이루어진 디스플레이 셀어레이(130)를 유리기판(100)상에 제조한다.4 is a view illustrating a static electricity removing device of a liquid crystal panel according to the present invention, and a display including a plurality of shift registers 110, a gate driver circuit 120 for driving an image signal, and a plurality of thin film transistors as in the related art. The cell array 130 is manufactured on the glass substrate 100.

여기서, 게이트라인(150)과 데이터라인(160)을 전기적으로 분리시키기 위하여 SiNx와 같은 게이트 절연막을 화학기상증착(PECVD) 방법으로 유리기판(100)의전면에 형성한다.Here, a gate insulating film such as SiNx is formed on the front surface of the glass substrate 100 by chemical vapor deposition (PECVD) to electrically separate the gate line 150 and the data line 160.

또한, 게이트구동회로(120)로 인가되는 제 1 및 제 2 전원전압(VDD, VSS)을 데이터라인(160)과 연결된 단락선(170)과 연결시켜 형성한다.In addition, the first and second power supply voltages VDD and VSS applied to the gate driving circuit 120 are connected to the short line 170 connected to the data line 160.

여기서, 게이트구동회로(120)내의 스위칭소자는 도 5에 도시한 바와 같이 게이트구동용 스위칭소자(P1, N1)와, 제 1 전원전압(VDD)과 제 2 전원전압(VSS) 사이에 N채널의 스위칭소자(TN1)와 P채널의 스위칭소자(TP1)를 직렬로 연결되고 스위칭소자(TN1, TP1)의 입력단과 출력단인 게이트전극 및 소오스전극은 게이트라인(150)과 연결된다.Here, as shown in FIG. 5, the switching element in the gate driving circuit 120 includes an N channel between the gate driving switching elements P1 and N1 and between the first power supply voltage VDD and the second power supply voltage VSS. The switching element TN1 and the switching element TP1 of the P-channel are connected in series, and the gate electrode and the source electrode which are the input terminal and the output terminal of the switching elements TN1 and TP1 are connected to the gate line 150.

즉, N채널 스위칭소자(TN1)의 드레인전극은 높은 전원전압(VDD)에, P채널 스위칭소자(TP1)의 드레인전극은 낮은 전원전압(VSS)에 연결시키며, 상기 N/P채널 스위칭소자의 소오스 및 게이트전극은 게이트라인(150)에 연결시킨다.That is, the drain electrode of the N-channel switching element TN1 is connected to the high power supply voltage VDD, and the drain electrode of the P-channel switching element TP1 is connected to the low power supply voltage VSS. The source and the gate electrode are connected to the gate line 150.

상기 게이트라인(150)의 전위는 정상적인 상태에서는 제 1 전원전압(VDD)보다 낮거나 같고, 제 2 전원전압(VSS)보다는 높거나 같게 된다.The potential of the gate line 150 is lower than or equal to the first power supply voltage VDD and higher than or equal to the second power supply voltage VSS in a normal state.

만약, 디스플레이 셀어레이(130)의 제조공정 중이나 액정공정 중에 정전기가 게이트라인(150)에 발생하면 게이트라인(150)의 전위는 변화하게 된다.If static electricity is generated in the gate line 150 during the manufacturing process of the display cell array 130 or during the liquid crystal process, the potential of the gate line 150 is changed.

이에 따라, 게이트라인(150)의 전위가 높게 되면, N채널 스위칭소자(TN1)가 동작하고 게이트라인(150)의 전위가 낮게 되면 P채널의 스위칭소자(TP1)가 동작하여 게이트라인(150)의 전하는 제 1 전원전압(VDD) 또는 제 2 전원전압(VSS)으로 흐른 후 데이터라인(160)의 단락선(170)을 통해 방출되어 정전기는 완전하게 제거되는 것이다.Accordingly, when the potential of the gate line 150 is high, the N-channel switching element TN1 operates, and when the potential of the gate line 150 is low, the P-channel switching element TP1 operates to operate the gate line 150. The charge is discharged through the short line 170 of the data line 160 after flowing to the first power supply voltage (VDD) or the second power supply voltage (VSS) to completely remove the static electricity.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예로서, N채널 스위칭소자(TN2)와 P채널 스위칭소자(TP2)를 도 5의 위치와 다르게 바꾼 것이며, P채널의 스위칭소자(TP2)의 게이트전극은 제 1 전원전압(VDD)에 연결되어 있고, N채널 스위칭소자(TN2)의 게이트전극은 제 2 전원전압(VSS)에 연결되어 있다.FIG. 6 illustrates a second embodiment of the present invention, in which the N-channel switching device TN2 and the P-channel switching device TP2 are changed from those of FIG. 5, and the gate electrode of the P-channel switching device TP2 is formed in the second embodiment. It is connected to the first power supply voltage VDD, and the gate electrode of the N-channel switching element TN2 is connected to the second power supply voltage VSS.

이에 따라, 게이트라인(150)의 전위가 높게 되면, P채널 스위칭소자(TP2)가 동작하고 게이트라인(150)의 전위가 낮게 되면 N채널의 스위칭소자(TN2)가 동작하여 게이트라인(150)의 전하는 제 1 전원전압(VDD) 또는 제 2 전원전압(VSS)으로 흐른 후 데이터라인(160)의 단락선(170)을 통해 방출되어 정전기는 완전하게 제거되는 것이다.Accordingly, when the potential of the gate line 150 is high, the P-channel switching element TP2 operates, and when the potential of the gate line 150 is low, the N-channel switching element TN2 operates to operate the gate line 150. The charge is discharged through the short line 170 of the data line 160 after flowing to the first power supply voltage (VDD) or the second power supply voltage (VSS) to completely remove the static electricity.

도 7은 동일한 채널(N채널)의 스위칭소자를 이용한 본 발명의 실시예로서, 제 1 스위칭소자(TN3)의 게이트전극은 게이트라인(150)에 연결되어 있고, 제 2 스위칭소자(TN4)의 게이트전극은 제 2 전원전압(VSS)에 연결되어 있다.FIG. 7 illustrates an embodiment of the present invention using switching elements of the same channel (N channel). The gate electrode of the first switching element TN3 is connected to the gate line 150, and the second switching element TN4 The gate electrode is connected to the second power supply voltage VSS.

이에 따라, 정상상태에서는 게이트라인(150)의 전압은 항상 제 1 전원전압(VDD)과 제 2 전원전압(VSS) 사이의 값을 가지게 되나, 게이트라인(150)의 전위가 높게 되면, 제 1 스위칭소자(TN3)가 동작하고 게이트라인(150)의 전위가 낮게 되면 제 2 스위칭소자(TN4)가 동작하여 게이트라인(150)의 전하는 제 1 전원전압(VDD) 또는 제 2 전원전압(VSS)으로 흐른 후 데이터라인(160)의 단락선(170)을 통해 방출되어 정전기는 완전하게 제거되는 것이다.Accordingly, in the normal state, the voltage of the gate line 150 always has a value between the first power supply voltage VDD and the second power supply voltage VSS, but when the potential of the gate line 150 becomes high, the first When the switching device TN3 operates and the potential of the gate line 150 is low, the second switching device TN4 operates to charge the gate line 150 with the first power supply voltage VDD or the second power supply voltage VSS. After the flow to the discharge line through the short circuit line 170 of the data line 160 is completely removed static electricity.

따라서, 본 발명에서의 단락선(170)은 LCD 공정이 완료된 후 유리판 절단 방법과 드라이 에칭으로서 제거하게 된다.Therefore, the short line 170 in the present invention is removed by the glass plate cutting method and dry etching after the LCD process is completed.

따라서, 본 발명에서는 방전용 단락선을 게이트구동회로의 전원전압과 연결시키기에 박막트랜지스터 공정과 액정공정 중에서 발생된 게이트라인의 정전기를 모두 방전시킬 수 있어 정전기에 의한 부품의 절연파괴 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, in the present invention, the static electricity of the gate line generated during the thin film transistor process and the liquid crystal process can be discharged by connecting the discharge short-circuit with the power supply voltage of the gate driving circuit, thereby preventing the breakdown of the component due to the static electricity. It can be effective.

Claims (2)

게이트 구동회로와 다수의 박막트랜지스터를 포함하는 액정표시장치에 있어서,In a liquid crystal display device comprising a gate driving circuit and a plurality of thin film transistors, 상기 게이트 구동회로는 게이트 버스라인과 전원전극간에 마련된 정전기 방전용 소자를 포함하고,The gate driving circuit includes an electrostatic discharge element provided between the gate bus line and the power electrode, 상기 전원전극은 단락선과 연결되는The power electrode is connected to a short line 것을 특징으로 하는 액정표시장치.Liquid crystal display device characterized in that. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 정전기 방전소자는 소오스와 게이트가 연결된 n 채널 및 p 채널 박막트랜지스터로 이루어지고,The electrostatic discharge device is composed of an n-channel and p-channel thin film transistor connected to a source and a gate, n채널 박막트랜지스터의 드레인 전극은 전원전극 중 VDD에, P채널 박막트랜지스터의 드레인 전극은 전원전극 중 VSS에 연결되고, 각각의 소오스/게이트 전극은 상기 게이트 버스라인에 연결되는 것The drain electrode of the n-channel thin film transistor is connected to VDD of the power supply electrode, the drain electrode of the p-channel thin film transistor is connected to the VSS of the power supply electrode, and each source / gate electrode is connected to the gate bus line. 을 특징으로 하는 액정표시장치.Liquid crystal display device characterized in that.
KR1019930004622A 1993-03-24 1993-03-24 Apparatus for removing static electricity of liquid crystal display panel KR100403768B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930004622A KR100403768B1 (en) 1993-03-24 1993-03-24 Apparatus for removing static electricity of liquid crystal display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930004622A KR100403768B1 (en) 1993-03-24 1993-03-24 Apparatus for removing static electricity of liquid crystal display panel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100403768B1 true KR100403768B1 (en) 2004-01-28

Family

ID=37422552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930004622A KR100403768B1 (en) 1993-03-24 1993-03-24 Apparatus for removing static electricity of liquid crystal display panel

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100403768B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040028390A (en) * 2002-09-30 2004-04-03 삼성전자주식회사 Liquid crystal display

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930004917A (en) * 1991-08-09 1993-03-23 데니스 에이치. 어얼벡 How to prevent stabilization in LCD switching element with stabilization element

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930004917A (en) * 1991-08-09 1993-03-23 데니스 에이치. 어얼벡 How to prevent stabilization in LCD switching element with stabilization element

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040028390A (en) * 2002-09-30 2004-04-03 삼성전자주식회사 Liquid crystal display

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0161050B1 (en) Thin film transistor protection circuit and display device
KR100235133B1 (en) A semiconductor device
US5926234A (en) Liquid crystal display device
US5233448A (en) Method of manufacturing a liquid crystal display panel including photoconductive electrostatic protection
US6345085B1 (en) Shift register
US5760855A (en) Active matrix type liquid crystal display panel having a guard ring electrically connected to the common electrode
KR910020633A (en) High performance active matrix display
US7420251B2 (en) Electrostatic discharge protection circuit and driving circuit for an LCD using the same
EP0075651B1 (en) Flat panel display devices
US11562997B2 (en) Electrostatic protection circuit, array substrate and display apparatus
JP2004078187A (en) Liquid crystal panel for preventing static electricity
US20020197776A1 (en) Thin-film transistor, liquid-crystal display device, and method of producing the same
US5473451A (en) Active matrix liquid crystal displays having diodes connected between second transistors and second data buses
KR100336827B1 (en) Liquid crystal display and fabricating method of substrate of the liquid crystal display
JP3111944B2 (en) Active matrix liquid crystal display
JP2579427B2 (en) Display device and display device driving method
JP3483608B2 (en) Liquid crystal display device
KR100403768B1 (en) Apparatus for removing static electricity of liquid crystal display panel
JP2000259099A (en) Active matrix substrate, electro-optical device, and manufacture of active matrix substrate
KR100331417B1 (en) Liquid crystal display device
JP2002099224A (en) Electrode substrate for display device and its inspection method
CN112997311B (en) Display panel
JP2005115049A (en) Active matrix substrate
JPH0792448A (en) Input protection circuit for liquid crystal display device
KR100194669B1 (en) Input Protection Circuits and Protection Devices