KR100401532B1 - Apparatus and method for long cycle test of wafer - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An apparatus and method for long cycle test of a wafer are provided to be capable of identifying a fail address. CONSTITUTION: A long cycle test apparatus includes a memory part(20), an address defining part(40), an address selecting part(50) for selecting an input address and outputting the input address, a fail address storing part(60), a fail address comparing part(70), a data generating part(80), a data defining part(90), a storing part(100). The memory part outputs an address and data according to command of a test control part(10). The address defining part determines an input address generated by an address generating part(30) and test execution range.

Description

웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치 및 방법Wafer Long Cycle Testing Apparatus and Method

본 발명은 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치 및 방법에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼 상태에서 롱 사이클 테스트(long cycle test)를 실시하여 패일(fail) 어드레스를 확인하기 위한 어드레스 테스트 장치 및 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a long cycle test apparatus and method for wafers, and more particularly, to an address test apparatus and method for verifying a fail address by performing a long cycle test in a wafer state.

일반적으로 패키지에서의 주 패일(fail)은 번인(burn-in) 후 롱 사이클 테스트에 관련된 패일로 나타나서 롱 사이클 테스트를 위해서는 저가 및 패일 어드레스의 리페어가 가능한지를 해석하는 리페어 분석을 위한 장치가 필요하다.In general, the primary fail in a package appears as a failure related to long cycle testing after burn-in, so long cycle testing requires a device for repair analysis that interprets whether low cost and fail address repairs are possible. .

여기서 롱 사이클 테스트란 저속 테스트에서 패일 어드레스를 기억하는 마스크로 추가 패일 비트를 찾는 알고리즘이 없는 상태에서도 테스트가 가능하고 기존의 패일 메모리없이 테스트가 가능한 것이다. 즉 마스크 메모리를 이용하여 프리테스트에서 패일된 어드레스 정보를 읽어들여서 패일 어드레스 마스크 기능을 통하여 패일 어드레스의 발생을 간과한(skip) 후 롱 사이클 테스트를 수행하는 것이다. 이러한경우, 전체적인 패일 메모리가 없더라도 패일 비트 어드레스를 저장한 후 프리테스트에서의 패일 데이타와 혼합하여 리페어 분석을 한번더 수행하면 롱 사이클에 대한 테스트의 리페어가 가능하다.In this case, the long cycle test is a mask that stores a fail address in a low speed test and can be tested without an algorithm for finding an additional fail bit and without a conventional fail memory. That is, a long cycle test is performed after reading the failed address information in the pretest using a mask memory and skipping generation of the fail address through the fail address mask function. In this case, even if there is no overall fail memory, the repair of the test for a long cycle is possible by performing the repair analysis once more by storing the fail bit address and mixing the fail data in the pretest.

한편, 16메가 이상의 고밀도 디램에서는 번인 후 롱 사이클 테스트에 대한 패일을 스크린(screen)하기 위해서는 웨이퍼 상태에서 롱 사이클 테스트 및 리페어 분석을 수행해야 한다.On the other hand, in high-density DRAMs of 16 megabytes or more, long cycle tests and repair analysis must be performed in the wafer state in order to screen the fail for the long cycle test after burn-in.

그러나, 상기와 같은 경우에는 리페어 분석을 위해서는 고밀도 소자의 갯수와 거의 같은 갯수의 패일 메모리가 필요하게 되므로써, 고가의 장비가 사용되고 시간이 많이 걸리는 롱 사이클 테스트를 웨이퍼 상태에서 수행하는 것은 사실상 불가능한 문제점이 존재하였다.In this case, however, the repair analysis requires almost the same number of fail memories as the number of high-density devices, so it is virtually impossible to perform long-cycle tests in the state of wafers that require expensive equipment and take time. Existed.

본 발명은 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 프리테스트 후 생성되는 메모리 리페어 데이타 파일을 읽어들인 후 패일된 어드레스를 저장하는 마스크 메모리를 이용하여 웨이퍼 상태에서 패일 어드레스를 점검하기 위한 롱 사이클테스트를 실시할 수 있는 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치 및 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and a long cycle test is performed to check a fail address in a wafer state by using a mask memory that reads a memory repair data file generated after a pretest and stores the failed address. It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for testing a long cycle of a wafer.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치의 블럭도.1 is a block diagram of a long cycle test apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention.

*도면의주요부분에대한부호의설명** Explanation of symbols on the main parts of the drawings *

10: 테스트 제어부 20: 메모리부10: test control unit 20: memory unit

30: 어드레스 발생부 40: 어드레스 한정부30: address generator 40: address limiter

50: 어드레스 선택 수단 60: 패일 어드레스 저장 수단50: address selection means 60: fail address storage means

61: 패일 마스크 메모리 70: 어드레스 비교부61: fail mask memory 70: address comparison section

80: 데이타 발생부 90: 데이타 한정부80: data generator 90: data limiter

100: 저장부100: storage unit

상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치는 롱 사이클 테스트를 하기 위한 어드레스를 지정하여 테스트를 실시할 것을 명령하는 테스트 제어부와, 상기 테스트 제어부의 명령에 의거하여 이미 저장하고 있는 어드레스 및 데이타를 출력하는 메모리부와, 상기 메모리부로부터 전달된 어드레스를 롱 사이클 테스트를 실시 할 수 있도록 발생시키는 어드레스 발생부와, 상기 어드레스 발생부로부터 입력된 어드레스들 중에 롱 사이클 테스트를 실시할 어드레스의 범위를 결정하는 어드레스 한정부와, 상기 어드레스 한정부로부터 입력된 어드레스들을 선택하여 출력하는 어드레스 선택 수단과, 프리테스트 후 웨이퍼상태에서 패일이 발생된 어드레스를 저장하는 패일 어드레스 저장 수단과, 상기 어드레스 선택 수단 및 상기 패일 어드레스 저장 수단으로부터 입력된 어드레스들을 비교 판단하여 판단 결과 일치되지 않는 어드레스만을 출력하는 패일 어드레스 비교부와, 상기 어드레스 발생부로부터 입력된 어드레스에 상기 메모리부로부터 입력된 데이타를 저장후 읽을 수 있도록 발생시키는 데이타 발생부와, 상기 데이타 발생부로부터 발생된 데이타들의 읽을 범위를 한정하는 데이타 한정부와, 상기 패일 어드레스 비교부와 상기 데이타 한정부로부터 입력된 어드레스와 데이타들을 억세스하여 확인할 수 있도록 저장하는 저장부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a long cycle test apparatus for a wafer of the present invention has already been stored based on a command of the test control unit which instructs to perform a test by designating an address for a long cycle test. A long cycle test is performed among a memory unit for outputting the address and data being executed, an address generator for generating a long cycle test of the address transmitted from the memory unit, and an address input from the address generator. An address defining unit for determining a range of addresses to be performed, an address selecting unit for selecting and outputting addresses input from the address limiting unit, a fail address storing unit for storing an address where a fail is generated in a wafer state after pretesting; The address selection A fail address comparison unit which compares and judges the addresses inputted from the means and the fail address storing means, and outputs only addresses that do not match, and stores and reads data input from the memory unit at an address input from the address generator; A data generating unit for generating the data, a data defining unit for defining a reading range of the data generated from the data generating unit, and an address and data inputted from the fail address comparing unit and the data defining unit so as to be accessed. It characterized in that it comprises a storage unit for storing.

[실시예]EXAMPLE

이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention with reference to Figure 1 as follows.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치의 블럭도를 도시한 것이다.1 is a block diagram of a long cycle test apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치는 테스트 제어부(10)의 명령에 의거하여 이미 저장하고 있는 어드레스 및 데이타를 테스트 할 수 있도록 전달하는 메모리부(30)와, 메모리부(20)로부터 전달된 어드레스가 어드레스 발생부(30)에 의하여 테스트 할 수 있도록 발생되어 입력되면 발생된 어드레스들 중 테스트를 실시할 어드레스의 범위를 결정하는 어드레스 한정부(40)와, 패일이 발생된 어드레스를 저장하는 패일 어드레스 저장 수단(60)과, 어드레스 한정부(40)로부터 출력된 어드레스들 중 어드레스 선택 수단(50)에 의하여 선택되어 입력된 어드레스 및 패일 어드레스 저장 수단(60)로부터 입력된 어드레스들을 비교 판단하여 판단 결과 일치되지 않는 어드레스만을 출력하는 패일 어드레스 비교부(70)와, 어드레스 발생부(30)로부터 입력된 어드레스에 메모리부(20)로부터 입력된 데이타를 저장후 읽을 수 있도록 발생시키는 데이타 발생부(80)와, 데이타 발생부(80)로부터 발생된 데이타들의 읽을 범위를 한정하는 데이타 한정부(90)와, 패일 어드레스 비교부(70)로부터 입력된 어드레스와 데이타 한정부(90)로부터 입력된 데이타들을 억세스하여 확인 할 수 있도록 저장하는 저장부(100)를 포함한다.Referring to FIG. 1, a long cycle test apparatus for a wafer according to an embodiment of the present invention may include a memory unit 30 and a memory unit 30 configured to transfer an address and data that are already stored, based on a command of the test controller 10, to be tested. 20 is generated to be tested by the address generator 30 and inputted, the address defining unit 40 determines a range of addresses to be tested among the generated addresses, and a fail is generated. A fail address storing means 60 for storing an address and an address selected and input by the address selecting means 50 among the addresses output from the address defining unit 40 and an address input from the fail address storing means 60; From the fail address comparison unit 70 and the address generator 30 that output only the addresses that do not match. A data generator 80 for storing and reading the data input from the memory unit 20 at the input address, and a data defining unit 90 for limiting the reading range of the data generated from the data generator 80; And a storage unit 100 which stores the address inputted from the fail address comparing unit 70 and the data inputted from the data defining unit 90 to be accessed and confirmed.

상기 어드레스 한정부(40)는 어드레스 발생부(30)로부터 입력된 X어드레스의 롱 사이클 테스트를 실시하기 위한 범위를 한정하여 어드레스 선택 수단(50)으로 출력하는 제 1 어드레스 한정 유닛(41)과, 또한 어드레스 발생부(30)로부터 입력된Y어드레스의 롱 사이클 테스트를 실시하기 위한 범위를 한정하여 어드레스 선택 수단(50)으로 출력하는 제 2 어드레스 한정 유닛(42)을 구비한다.The address limiting unit 40 includes a first address limiting unit 41 for limiting a range for performing a long cycle test of the X address input from the address generating unit 30 and outputting it to the address selecting means 50; A second address limiting unit 42 for limiting the range for performing the long cycle test of the Y address input from the address generating section 30 and outputting it to the address selecting means 50 is provided.

상기 테스트 제어부(10)는 메모리부(20)에 저장된 X어드레스 및 Y어드레스들의 패일 상태를 점검하기 위한 롱 사이클 테스트를 실시하도록 메모리부(20)에 명령을 한다.The test control unit 10 instructs the memory unit 20 to perform a long cycle test for checking a fail state of the X addresses and the Y addresses stored in the memory unit 20.

상기 테스트 제어부(10)에 의해 상기 메모리부(20)는 테스트 제어부(10)부로부터 전달된 X어드레스 및 Y어드레스의 롱 사이클 테스트 실시 명령에 의거하여 저장하고 있는 X어드레스 및 Y어드레스를 어드레스 발생부(30)로 출력하며, 또한 저장된 데이타를 데이타 발생부(80)로 출력한다.By the test control unit 10, the memory unit 20 stores the X address and the Y address stored in accordance with the instruction for executing the long cycle test of the X address and the Y address transmitted from the test control unit 10. And outputs the stored data to the data generator 80.

상기 어드레스 발생부(30)는 메모리부(20)로부터 입력된 X어드레스 및 Y어드레스를 롱 사이클 테스트를 실시할 수 있도록 발생시켜 어드레스 한정부(40)로 출력한다. 상기 어드레스 한정부(40)는 어드레스 발생부(30)로부터 입력된 X어드레스의 롱 사이클 테스트를 실시하기 위한 범위를 제 1 어드레스 한정 유닛(41)을 통해 한정하고, Y어드레스의 롱 사이클 테스트를 실시하기 위한 범위를 제 2 어드레스 한정 유닛(42)을 통해 실시한다.The address generator 30 generates the X addresses and the Y addresses input from the memory unit 20 so as to perform a long cycle test, and outputs them to the address defining unit 40. The address limiter 40 limits the range for performing the long cycle test of the X address input from the address generator 30 through the first address limiting unit 41 and performs the long cycle test of the Y address. The range for carrying out is carried out through the second address limiting unit 42.

상기 어드레스 선택 수단(50)은 어드레스 한정부(40)로부터 입력된 X어드레스 및 Y어드레스를 선태하는 멀티플렉서(Multiplexer)(51)를 구비하여 선택된 어드레스를 패일 어드레스 비교부(70)로 출력한다.The address selecting means 50 includes a multiplexer 51 for selecting the X address and the Y address input from the address defining unit 40 and outputs the selected address to the fail address comparison unit 70.

상기 패일 어드레스 저장 수단(60)은 프리테스트 후 생성되는 메모리 리페어 데이타 파일을 읽어들인 후 웨이퍼상태에서 패일된 어드레스를 저장하는 패일 마스크 메모리(61)를 구비하며, 저장된 패일 어드레스를 롱 사이클 테스트시 패일 어드레스 비교부(70)로 출력한다.The fail address storing means 60 includes a fail mask memory 61 which reads a memory repair data file generated after a pretest and stores the failed address in a wafer state. The address comparison unit 70 outputs the result.

상기 어드레스 비교부(70)는 어드레스 선택 수단(50)에 의하여 선택되어 입력된 어드레스와 패일 어드레스 저장 수단(60)로부터 입력된 패일 어드레스를 비교 판단하며, 판단 결과 일치되는 어드레스는 패일 어드레스로 판단하여 출력하지 않고 일치되지 않는 패일되지 않은 어드레스만을 저장부(100)로 출력한다.The address comparison unit 70 compares and determines the address selected and selected by the address selecting means 50 and the fail address input from the fail address storing means 60. Only the non-failed addresses that do not match and do not match are output to the storage unit 100.

상기 데이타 발생부(80)는 어드레스 발생부(30)로부터 입력된 어드레스에 메모리부(20)로부터 입력된 데이타를 저장후 읽을 수 있도록 발생시켜 데이타 한정부(90)로 출력한다.The data generator 80 generates the data input from the memory 20 at the address input from the address generator 30 so that the data can be stored and read, and outputs the data to the data limiter 90.

상기 데이타 한정부(90)는 데이타 발생부(80)로부터 입력된 데이타들의 읽기 위한 범위를 결정하여 저장부(100)로 출력한다.The data defining unit 90 determines a range for reading data input from the data generating unit 80 and outputs the read range to the storage unit 100.

상기 저장부(100)는 어드레스 비교부(70)로부터 입력된 어드레스를 저장하며, 또한 데이타 한정부(90)로부터 입력된 데이타를 저장한다.The storage unit 100 stores the address input from the address comparison unit 70, and also stores the data input from the data defining unit 90.

따라서, 이와 같이 어드레스 비교부(70)를 이용하여 패일 어드레스를 판단하고, 저장부(100)에는 패일되지 않은 어드레스 및 데이타들만을 저장하고, 저장부(100)에 저장된 어드레스 및 데이타들을 억세스하여 확인하므로써, 패일된 어드레스와 패일되지 않은 어드레스들을 알수 있으며, 또한 저장부(100)에 패일되지 않은 어드레스만을 저장시켜 확인하므로써, 롱 사이클 테스트에 소요되는 시간을 단축시킨다.Therefore, the fail address is determined using the address comparison unit 70 as described above, the storage unit 100 stores only the unfailed addresses and data, and accesses and confirms the addresses and data stored in the storage unit 100. As a result, the failed and unfailed addresses can be known, and by storing and confirming only the unfailed address in the storage unit 100, the time required for the long cycle test can be shortened.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치 및 방법은 패일되지 않은 어드레스만을 테스트하므로써, 웨이퍼상에서 롱 사이클 테스트시 시간을 절약할 수 있으며, 또한 비용을 절감할 수 있는 탁월한 효과를 제공한다.As described above, the long cycle test apparatus and method of the wafer of the present invention can save time in long cycle testing on the wafer by providing only an unfailed address, and provide an excellent effect of reducing the cost. .

Claims (4)

롱 사이클 테스트를 하기 위한 어드레스를 지정하여 테스트를 실시할 것을 명령하는 테스트 제어부와, 상기 테스트 제어부의 명령에 의거하여 이미 저장하고 있는 어드레스 및 데이타를 출력하는 메모리부와, 상기 메모리부로부터 전달된 어드레스를 롱 사이클 테스트를 실시 할 수 있도록 발생시키는 어드레스 발생부와, 상기 어드레스 발생부로부터 입력된 어드레스들 중에 롱 사이클 테스트를 실시할 어드레스의 범위를 결정하는 어드레스 한정부와, 상기 어드레스 한정부로부터 입력된 어드레스들을 선택하여 출력하는 어드레스 선택 수단과, 프리테스트 후 웨이퍼상태에서 패일이 발생된 어드레스를 저장하는 패일 어드레스 저장 수단과, 상기 어드레스 선택 수단 및 상기 패일 어드레스 저장 수단으로부터 입력된 어드레스들을 비교 판단하여 판단 결과 일치되지 않는 어드레스만을 출력하는 패일 어드레스 비교부와, 상기 어드레스 발생부로부터 입력된 어드레스에 상기 메모리부로부터 입력된 데이타를 저장후 읽을 수 있도록 발생시키는 데이타 발생부와, 상기 데이타 발생부로부터 발생된 데이타들의 읽을 범위를 한정하는 데이타 한정부와, 상기 패일 어드레스 비교부와 상기 데이타 한정부로부터 입력된 어드레스와 데이타들을 억세스하여 확인 할 수 있도록 저장하는 저장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치.A test control unit for instructing a test to be specified by specifying an address for long cycle testing, a memory unit for outputting an address and data already stored according to the command of the test control unit, and an address transferred from the memory unit An address generator for generating a long cycle test; an address limiter for determining a range of addresses to be subjected to a long cycle test among the addresses inputted from the address generator; An address selection means for selecting and outputting addresses, a fail address storage means for storing an address where a fail is generated in a wafer state after pretesting, and comparing and determining addresses inputted from the address selection means and the fail address storage means. As a result, a fail address comparison unit for outputting only addresses that do not match, a data generator for generating data read from the memory unit at the address input from the address generator, and generating the read data; A long cycle test of a wafer, comprising: a data defining unit defining a reading range of the data; and a storing unit storing and storing the fail address comparison unit and the address and data inputted from the data defining unit. Device. 제 1 항에 있어서, 상기 어드레스 한정부는 상기 어드레스 발생부로부터 입력된 X어드레스의 롱 사이클 테스트를 실시하기 위한 범위를 한정하여 상기 어드레스 선택 수단으로 출력하는 제 1 어드레스 한정 유닛과, 상기 어드레스 발생부로부터 입력된 Y어드레스의 롱 사이클 테스트를 실시하기 위한 범위를 한정하여 상기 어드레스 선택 수단으로 출력하는 제 2 어드레스 한정 유닛을 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치.The first address limiting unit according to claim 1, wherein the address limiting unit defines a range for performing a long cycle test of the X address inputted from the address generating unit and outputs to the address selecting unit the first address limiting unit; And a second address limiting unit for limiting a range for performing a long cycle test of the input Y address and outputting the address to the address selecting means. 제 1 항에 있어서, 상기 어드레스 선택 수단은 상기 어드레스 한정부로부터 입력된 어드레스를 선택하는 멀티플렉서를 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 장치.The wafer long cycle test apparatus according to claim 1, wherein said address selecting means includes a multiplexer for selecting an address inputted from said address limiting unit. 어드레스들의 패일 상태를 점검하기 위한 롱 사이클 테스트를 실시하도록 명령을 하는 단계와, 롱 사이클 테스트 실시 명령에 의거하여 저장하고 있는 어드레스를 출력하며, 또한 저장된 데이타를 출력하는 단계와, 입력된 어드레스를 롱 사이클 테스트를 실시할 수 있도록 발생시키는 단계와, 롱 사이클 테스트를 실시하기 위하여 어드레스의 범위를 한정하는 단계와, X어드레스 및 Y어드레스를 선택하여 출력하는 단계와, 프리테스트 후 생성된 웨이퍼상태에서 패일되어 저장된 어드레스를 출력하는 단계와, 패일 어드레스는 판단하여 출력하지 않고 패일되지 않은 어드레스만을 출력하는 단계와, 입력된 데이타를 저장후 읽을 수 있도록 발생시켜 출력하는 단계와, 입력된 데이타들의 읽기 위한 범위를 결정하여 출력하는 단계와, 패일 되지 않은 어드레스를 저장하며, 또한 데이타를 저장하는 단계와, 저장된 패일되지 않은 어드레스를 억세스하여 확인하므로써, 패일 어드레스를 판단하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 롱 사이클 테스트 방법.Instructing a long cycle test to check a fail state of the addresses, outputting an address stored based on the long cycle test execution command, and outputting the stored data; Generating a cycle test, defining a range of addresses to perform a long cycle test, selecting and outputting an X address and a Y address, and failing in a wafer state generated after the pretest. Outputting the stored address, outputting only the unfailed address without determining and outputting the fail address, generating and outputting the input data so that the input data can be stored and read, and a range for reading the input data. And outputting the unpaid ad And storing the data, and storing the data, and determining the fail address by accessing and confirming the stored unfailed address.
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