KR100375105B1 - Apparatus for analyzing for a disease and virus in using Photo diode - Google Patents
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Abstract
광 다이오드(Photo diode)를 실리콘 기판위에 형성시켜 유전물질(DNA 단편) 및 바이러스를 광 다이오드에 인가되는 광량을 통해 검출하여 분석할 수 있도록 하는 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치가 개시되어 있다. 광 다이오드에 구비된 매몰영역에 유전물질을 위치시킨다. 상기 유전물질에는 광출력부로부터 빛이 인가되고, 상기 광출력부로부터 유전물질에 인가되는 빛은 유전물질을 통과하여 n-type 실리콘층에 인가되고, 상기 n-type 실리콘층에 인가되는 빛의 량에 따라 광 다이오드를 통해 흐르는 전류의 량은 변하게 된다. 상기 n-type 실리콘층에 인가되는 빛의 양은 유전물질 및 바이러스의 반응유무에 따라 달라지며 그 결과 광 다이오드를 통해 흐르는 전류의 량이 다르므로 이를 특성검출부에서 비교분석하여 유전물질을 정확하게 분석할 수 있다.Disclosed is a disease and virus analysis apparatus using a photodiode, which forms a photodiode on a silicon substrate to detect and analyze a dielectric material (DNA fragment) and a virus through the amount of light applied to the photodiode. The dielectric material is positioned in the buried region provided in the photodiode. Light is applied to the dielectric material from the light output part, and light applied to the dielectric material from the light output part is applied to the n-type silicon layer through the dielectric material and is applied to the n-type silicon layer. The amount of current flowing through the photodiode varies with the amount. The amount of light applied to the n-type silicon layer depends on the presence or absence of a reaction between the dielectric material and the virus, and as a result, the amount of current flowing through the photodiode is different, so that the dielectric material can be accurately analyzed by comparing and analyzing it in the characteristic detection unit. .
Description
본 발명은 유전물질(DNA 단편) 및 바이러스 분석장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 다이오드(Photo diode)를 실리콘 기판위에 형성시켜 유전물질(DNA단편) 및 바이러스를 광 다이오드에 인가되는 광량을 통해 검출하여 분석할 수 있도록 하는 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치에 관한 것이다.The present invention relates to a dielectric material (DNA fragment) and a virus analysis device, and more particularly, by forming a photo diode on a silicon substrate through the amount of light applied to the dielectric material (DNA fragment) and virus to the photodiode. It relates to a disease and virus analysis device using a photodiode to detect and analyze.
최근에는 인류는 문명의 발달과 함께 각종 질병도 발달하여 질병과의 전쟁에 직면하여 있다. 각종 질병을 신속하게 검출 및 분석하기 위해서는 유전물질 또는 질병을 구성하는 바이러스를 검출하여 분석하는 것이 매우 효과적이다. 즉 각종 질병을 신속하고 정확하게 분석하여 치료하기 위해서는 질병을 구성하는 유전물질 및 바이러스를 정학하게 검출하여 분석하여야 한다. 종래에는 글래스 슬라이드(glass slide)의 위에 유전물질을 심은 뒤에 나타나는 형광 및 색깔로서 유전자 발현정도를 레이저 형광 스캐너(laser fluorescence scanner)로서 분석하여 장비 및 분석과정이 복잡한 불편함이 있다.In recent years, with the development of civilization, various diseases have also developed, confronting the war against diseases. In order to detect and analyze various diseases quickly, it is very effective to detect and analyze genetic material or viruses constituting the disease. In other words, in order to rapidly and accurately analyze and treat various diseases, genetic materials and viruses constituting the disease must be detected and analyzed precisely. Conventionally, there is a complex inconvenience in equipment and analysis process by analyzing the degree of gene expression as a laser fluorescence scanner as fluorescence and color appearing after planting a dielectric material on a glass slide.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 광 다이오드(Photo diode)를 실리콘 기판위에 형성시켜 유전물질(DNA 단편) 및 바이러스를 광 다이오드에 인가되는 광량을 통해 검출하여 신속하고 정확하게 분석할 수 있도록 하는 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve the above problems, an object of the present invention is to form a photodiode on a silicon substrate to reduce the amount of light applied to the dielectric material (DNA fragments) and viruses to the photodiode The present invention provides a disease and virus analysis device using a photodiode that can be detected and quickly and accurately analyzed.
도 1은 본 발명에 따른 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치에 사용되는 광 다이오드의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of a photodiode used in a disease and virus analysis device using a photodiode according to the present invention.
도 2는 본 발명에 따른 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.2 is a view schematically showing a disease and virus analysis device using a photodiode according to the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명 ><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>
10 : PC 20 : 광 다이오드 설치부10: PC 20: photodiode mounting portion
30 : 증폭부 40 : 출력선택부30: amplifier 40: output selector
50 : 특성검출부 60 : 신호검출부50: characteristic detection unit 60: signal detection unit
70 : 광 다이오드 86 : 유전물질70: photodiode 86: dielectric material
88 : 광출력부88: light output unit
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치를 제어하는 PC; 상기 PC에 접속되며, 다수개의 광 다이오드가 배치되는 광 다이오드 설치부와, 상기 광 다이오드 설치부의 각 광 다이오드로부터 인가되는 전류를 증폭시키는 증폭부 및 증폭부로부터 인가되는 전류를 전압으로 변환시켜 출력해주는 출력선택부로 구성되는 신호검출부; 상기 신호검출부의 광 다이오드에 위치된 유전물질에 빛을 인가하는 광출력부 그리고 상기 신호검출부로부터 인가되는 신호를 비교분석하여 유전물질의 특성을 검출하는 특성검출부로 이루어지는 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a PC for controlling a disease and virus analysis device using a photodiode; A photodiode installation unit connected to the PC and having a plurality of photodiodes disposed therein, an amplification unit amplifying current applied from each photodiode of the photodiode installation unit, and converting and outputting a current applied from the amplification unit into a voltage; A signal detector comprising an output selector; Disease and virus analysis using a photodiode comprising a light output unit for applying light to the dielectric material positioned in the photodiode of the signal detector and a signal detector for detecting the characteristics of the dielectric material by comparing the signal applied from the signal detector Provide the device.
상기 신호검출부의 광 다이오드는 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판위에 형성되는 에피택셜층인 n-type 실리콘층; 상기 n-type 실리콘층의 일측에 확산공정에 의해 형성되는 p+영역; 상기 p+영역에 일정한 거리를 두고 형성되는 n+영역; 상기 n-type 실리콘층의 표면에 형성되는 제1산화규소막층; 상기 제1산화규소막층에 p+영역과 n+영역을 관통하도록 만들어진 창에 형성되는 전극; 상기 전극과 제1산화규소막층의 표면에 형성되는 제2산화규소막층; 상기 제2산화규소막층의 표면에 형성되는 차단막; 상기 차단막의 표면에 형성되는 제3산화규소막층; 상기 p+영역과 n+영역의 사이에 제1산화규소막층의 일정 두께까지 식각하여 만들어진 매몰영역의 제1산화규소막층에 형성되는 질화규소막층의 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.The photodiode of the signal detector is a silicon substrate; An n-type silicon layer, which is an epitaxial layer formed on the silicon substrate; A p + region formed by a diffusion process on one side of the n-type silicon layer; An n + region formed at a predetermined distance from the p + region; A first silicon oxide film layer formed on a surface of the n-type silicon layer; An electrode formed in the first silicon oxide film layer so as to pass through a p + region and an n + region; A second silicon oxide film layer formed on a surface of the electrode and the first silicon oxide film layer; A blocking film formed on the surface of the second silicon oxide film layer; A third silicon oxide film layer formed on the surface of the blocking film; And having a structure of a silicon nitride film layer formed on the first silicon oxide film layer in the buried region, which is formed by etching a predetermined thickness of the first silicon oxide film layer between the p + region and the n + region.
본 발명에 의하면, 광 다이오드에 구비된 매몰영역에 유전물질을 위치시킨다. 상기 유전물질에는 광출력부로부터 빛이 인가되고, 상기 광출력부로부터 유전물질에 인가되는 빛은 유전물질을 통과하여 n-type 실리콘층에 인가되고, 상기 n-type 실리콘층에 인가되는 빛의 량에 따라 광 다이오드를 통해 흐르는 전류의 량은 변하게 된다. 상기 n-type 실리콘층에 인가되는 빛의 량에 따라 광 다이오드를 통해 흐르는 전류의 량이 다르므로 이를 특성검출부에서 비교분석하여 유전물질을 정확하게 분석할 수 있다.According to the present invention, the dielectric material is placed in the buried region provided in the photodiode. Light is applied to the dielectric material from the light output part, and light applied to the dielectric material from the light output part is applied to the n-type silicon layer through the dielectric material and is applied to the n-type silicon layer. The amount of current flowing through the photodiode varies with the amount. Since the amount of current flowing through the photodiode varies according to the amount of light applied to the n-type silicon layer, the dielectric material can be accurately analyzed by comparing and analyzing the same in the characteristic detection unit.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명에 따른 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치에 사용되는 광 다이오드의 단면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.1 is a cross-sectional view of a photodiode used in a disease and virus analysis device using a photodiode according to the present invention, Figure 2 is a schematic diagram showing a disease and virus analysis device using a photodiode according to the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
먼저, 본 발명인 광 다이오드를 이용한 질병 및 바이러스 분석장치는 퍼스널 컴퓨터인 PC(10)에 의해 제어되고, 상기 PC(10)에는 유전물질(86)의 특성에 해당하는 신호를 검출하는 신호검출부(60)가 접속되며, 상기 신호검출부(60)에는 신호검출부(60)로부터 인가되는 신호를 비교분석하여 유전물질의 특성을 검출한 후 PC(10)에 인가하는 특성검출부(50)가 접속된다. 상기 신호검출부(60)는 다수개의 광 다이오드(70)가 배치되는 광 다이오드 설치부(20)가 PC(10)에 접속되며, 상기 광 다이오드 설치부(20)의 각 광 다이오드(70)에는 광 다이오드(70)로부터 인가되는 전류를 증폭시키는 증폭부(30)가 접속되며, 상기 증폭부(30)에는 증폭부(30)로부터 인가되는 전류를 전압으로 변환시켜 특성검출부(50)로 출력해주는 출력선택부(40)가 접속되어 구성되며, 상기 광 다이오드 설치부(20), 증폭부(30) 및 출력선택부(40)로 구성되는 신호검출부(60)는 하나의 칩(IC)으로 형성된다.First, the disease and virus analysis device using the photodiode of the present invention is controlled by a personal computer (PC) 10, the PC 10 is a signal detector 60 for detecting a signal corresponding to the characteristics of the dielectric material (86) Is connected to the signal detection unit 60, and the characteristic detection unit 50 to detect the characteristics of the dielectric material by comparing the signal applied from the signal detection unit 60 to detect the characteristics of the dielectric material is connected to the signal detection unit 60. The signal detecting unit 60 is connected to the PC 10, the photodiode installation unit 20, a plurality of photodiode 70 is disposed, the photodiode 70 of the photodiode installation unit 20 An amplifier 30 for amplifying the current applied from the diode 70 is connected, and the amplifier 30 converts the current applied from the amplifier 30 into a voltage and outputs it to the characteristic detection unit 50. The selector 40 is connected and configured, and the signal detector 60 including the photodiode mounting unit 20, the amplifier 30, and the output selector 40 is formed of one chip IC. .
상기 신호검출부(60)의 광 다이오드(70)에는 광출력부(88)로부터 빛이 인가되며, 상기 광출력부(88)로부터 인가되는 빛은 광 다이오드(70)에 위치한 유전물질(86)에 인가된다. 상기 신호검출부(60)의 출력선택부(40)에 접속되는 특성검출부(50)는 신호검출부(60)로부터 인가되는 신호를 비교분석하여 유전물질(86)의 특성을 검출하여 PC(10)에 인가하게 된다.Light is applied from the light output unit 88 to the photodiode 70 of the signal detection unit 60, and the light applied from the light output unit 88 is applied to the dielectric material 86 located at the photodiode 70. Is approved. The characteristic detector 50, which is connected to the output selector 40 of the signal detector 60, compares and analyzes the signal applied from the signal detector 60 to detect the characteristics of the dielectric material 86 and transmit the same to the PC 10. Will be authorized.
상기 신호검출부(60)를 구성하는 광 다이오드(70)의 구조는 실리콘 기판(72)의 표면에 에피택셜층인 n-type 실리콘층(74)이 형성되고, 상기 n-type 실리콘층(74)의 일측에는 확산공정에 의해 p+영역이 형성되며, 상기 n-type 실리콘층(74)의 다른 일측에는 p+영역에 일정한 거리를 두고 n+영역이 형성된다. 상기 n-type 실리콘층(74)의 표면과, p+영역 및 n+영역의 표면에는 제1산화규소막층(76)이 형성되고, 상기 제1산화규소막층(76)에는 p+영역과 n+영역이 관통되도록 만들어진 창에 전극(80)이 형성된다. 상기 전극(80)과 제1산화규소막층(76)의 표면에는 제2산화규소막층(78)이 형성되고, 상기 산화규소막층(78)의 표면에는 차단막(82)이 형성되며, 상기 차단막(82)의 표면에는 제3산화규소막층(83)이 형성된다. 상기 전극(80) 및 차단막(82)은 금속으로 이루어지며 차단막(82)은 광출력부(88)로부터 인가되는 빛이 일정한 방향으로 인가되도록 하기 위하여 다른 영역은 차단하게 된다.In the structure of the photodiode 70 constituting the signal detection unit 60, an n-type silicon layer 74, which is an epitaxial layer, is formed on a surface of a silicon substrate 72, and the n-type silicon layer 74 is formed. One side of the p + region is formed by a diffusion process, the other side of the n-type silicon layer 74 is formed n + region at a predetermined distance to the p + region. The first silicon oxide film layer 76 is formed on the surface of the n-type silicon layer 74 and the surfaces of the p + region and the n + region, and the p + region and the n + region penetrate through the first silicon oxide film layer 76. The electrode 80 is formed in the window to be made. A second silicon oxide film layer 78 is formed on the surface of the electrode 80 and the first silicon oxide film layer 76, a blocking film 82 is formed on the surface of the silicon oxide film layer 78, and the blocking film ( The third silicon oxide film layer 83 is formed on the surface of 82. The electrode 80 and the blocking film 82 are made of metal, and the blocking film 82 blocks other areas so that light applied from the light output unit 88 is applied in a predetermined direction.
상기 p+영역과 n+영역의 사이에는 제1산화규소막층(76)의 일정 두께까지 식각하여 매몰영역이 형성되고, 상기 매몰영역의 제1산화규소막층(76)에 질화규소막층(84)이 형성된다. 상기 질화규소막(84)은 유전물질(86)의 점착률을 높이기 위해 형성된다.An buried region is formed by etching a predetermined thickness of the first silicon oxide film layer 76 between the p + region and the n + region, and a silicon nitride film layer 84 is formed on the first silicon oxide film layer 76 of the buried region. . The silicon nitride film 84 is formed to increase the adhesion of the dielectric material 86.
상기와 같은 구조를 갖는 광 다이오드(70)의 매몰영역에는 유전물질(86)이 위치되고, 상기 유전물질(86)에는 광출력부(88)로부터 빛이 인가된다. 상기 광출력부(88)로부터 유전물질(86)에 빛이 인가되면 유전물질(86)을 통과한 빛이 n-type 실리콘층(74)에 인가된다. 상기 n-type 실리콘층(74)에 빛이 인가되면 n-type 실리콘층(74)을 통해 전류가 흐르게 되고, 상기 n-type 실리콘층(74)을 통해 흐르는 전류량은 n-type 실리콘층(74)에 인가되는 빛의 량에 비례하게 된다. 상기 유전물질(86)을 통해 n-type 실리콘층(74)에 인가되는 빛의 량은 유전물질(86)에 따라 각각 다르며, 상기 유전물질(86)에 혈장 등의 유전물질(86)과 반응하는 물질을 주입하게 되면 유전물질(86)과의 반응유무에 따라 유전물질(86)을 통과하는 빛의 량이 변하게 되므로 유전물질(86)의 반응여부를 알 수 있다. 따라서 각 유전물질(86)에 따라 n-type 실리콘층(74)을 통해 흐르는 전류량도 다르므로 n-type 실리콘층(74)을 통해 흐르는 전류량을 측정하면 유전물질(86)의 반응유무를 분석할 수 있다. 상기 광 다이오드(70)는 광 다이오드 설치부(20)에 다수개가 설치되며, 각각의 광 다이오드(70)로부터 인가되는 전류의 크기는 미약하므로 증폭부(30)에서 증폭되어 출력선택부(40)에서 전압으로 변환된 후 특성검출부(50)에 인가된다. 상기 특성검출부(50)는 광 다이오드(70)로부터 증폭부(30) 및 출력선택부(40)를 통해 인가되는 전압 신호를 비교분석하여 PC(10)에 인가한다. 상기 PC(10)는 특성검출부(50)로부터 인가되는 데이터를 분석하여 유전물질(86)을 분석하게 된다.The dielectric material 86 is positioned in the buried region of the photodiode 70 having the above structure, and light is applied from the light output unit 88 to the dielectric material 86. When light is applied to the dielectric material 86 from the light output unit 88, light passing through the dielectric material 86 is applied to the n-type silicon layer 74. When light is applied to the n-type silicon layer 74, current flows through the n-type silicon layer 74, and the amount of current flowing through the n-type silicon layer 74 is n-type silicon layer 74. ) Is proportional to the amount of light applied. The amount of light applied to the n-type silicon layer 74 through the dielectric material 86 varies depending on the dielectric material 86, and reacts with the dielectric material 86 such as plasma to the dielectric material 86. When the material is injected, the amount of light passing through the dielectric material 86 changes depending on whether the dielectric material 86 reacts with the dielectric material 86, thereby determining whether the dielectric material 86 is reacted. Accordingly, since the amount of current flowing through the n-type silicon layer 74 is also different according to each dielectric material 86, the presence or absence of reaction of the dielectric material 86 can be analyzed by measuring the amount of current flowing through the n-type silicon layer 74. Can be. A plurality of photodiodes 70 are installed in the photodiode installation unit 20. Since the magnitude of the current applied from each photodiode 70 is weak, the photodiode 70 is amplified by the amplifier 30 to output the output selector 40. After converting to a voltage at is applied to the characteristic detection unit 50. The characteristic detector 50 compares and applies a voltage signal applied from the photodiode 70 through the amplifier 30 and the output selector 40 to the PC 10. The PC 10 analyzes the data applied from the characteristic detector 50 to analyze the dielectric material 86.
이상 설명에서 알 수 있는 바와같이, 본 발명은 광 다이오드에 구비된 매몰영역에 유전물질을 위치시킨다. 상기 유전물질에는 광출력부로부터 빛이 인가되고, 상기 광출력부로부터 유전물질에 인가되는 빛은 유전물질을 통과하여 n-type 실리콘층에 인가되고, 상기 n-type 실리콘층에 인가되는 빛의 량에 따라 광 다이오드를 통해 흐르는 전류의 량은 변하게 된다. 상기 n-type 실리콘층에 인가되는 빛의 량에 따라 광 다이오드를 통해 흐르는 전류의 량이 다르므로 이를 특성검출부에서 비교분석하여 유전물질을 정확하게 분석할 수 있다.As can be seen from the above description, the present invention places the dielectric material in the buried region provided in the photodiode. Light is applied to the dielectric material from the light output part, and light applied to the dielectric material from the light output part is applied to the n-type silicon layer through the dielectric material and is applied to the n-type silicon layer. The amount of current flowing through the photodiode varies with the amount. Since the amount of current flowing through the photodiode varies according to the amount of light applied to the n-type silicon layer, the dielectric material can be accurately analyzed by comparing and analyzing the same in the characteristic detection unit.
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100924174B1 (en) | 2007-07-10 | 2009-10-28 | 한국전자통신연구원 | Method of disease diagonosis and apparatus for disease diagnosis using photocurrent of amorphous silicon |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033995A1 (en) * | 1994-06-06 | 1995-12-14 | Gti | Method and kit for detecting antibodies |
| WO2000022425A1 (en) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Multi-array microsystem for chemical or biological analysis |
| KR20000029764A (en) * | 1996-08-02 | 2000-05-25 | 스타르크, 카르크 | Active substance screening process |
| WO2001069248A2 (en) * | 2000-03-15 | 2001-09-20 | Gil Zilber | An immunoassay diagnostic probe and its use |
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2000
- 2000-09-08 KR KR10-2000-0053483A patent/KR100375105B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995033995A1 (en) * | 1994-06-06 | 1995-12-14 | Gti | Method and kit for detecting antibodies |
| KR20000029764A (en) * | 1996-08-02 | 2000-05-25 | 스타르크, 카르크 | Active substance screening process |
| WO2000022425A1 (en) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Multi-array microsystem for chemical or biological analysis |
| WO2001069248A2 (en) * | 2000-03-15 | 2001-09-20 | Gil Zilber | An immunoassay diagnostic probe and its use |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100924174B1 (en) | 2007-07-10 | 2009-10-28 | 한국전자통신연구원 | Method of disease diagonosis and apparatus for disease diagnosis using photocurrent of amorphous silicon |
| US7662613B2 (en) | 2007-07-10 | 2010-02-16 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Disease diagnosis apparatus and method using photocurrent of amorphous silicon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020020363A (en) | 2002-03-15 |
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