KR100356928B1 - A circuit board having protection against electrostatic discharge - Google Patents

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내셔널 세미콘덕터 코포레이션
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    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
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Abstract

본 발명은 정전기 방전에 대하여 보호를 갖는 회로보드를 기재하고 있다. 보드는 기판 상에 형성된 다수의 상호접속 트래이스와 도전성 접지판을 포함하며, 상호접속 트래이스와 접지판 사이에는 갭이 형성되어 있다. 저항성의 정전기 방전 보호재는 접지판과 상호접속 트래이스 사이의 갭을 브리지 하도록 배치되어서, 정전기 방전 보호재가 소정의 한계전압보다 작은 전압에서는 접지판으로부터 상호접속 트래이스를 전기적으로 절연하며, 한계전압보다 큰 전압에서는 도전판과 상호접속 트래이스 사이에서 전기접속을 확립하도록 한다. 회로보드를 제조하는 방법은 상호접속 트래이스와 접지판을 형성하는 단계를 포함하는데, 상기 접지판과 상호접속 트래이스 사이에는 갭이 형성되어 있다. 저항성의 정전기 방전 보호재는 정전기 방전에 대한 보호를 위하여 상기 접지판과 트래이스 사이의 갭 내에 존재한다. 패키지는 상술된 회로보드를 포함하며 그런 패키지를 제조하는 과정은 또한 여기에 기재되어 있다.The present invention describes a circuit board having protection against electrostatic discharge. The board includes a plurality of interconnect traces and a conductive ground plate formed on the substrate, with a gap formed between the interconnect traces and the ground plate. The resistive electrostatic discharge protection material is arranged to bridge the gap between the ground plate and the interconnect trace, so that the electrostatic discharge protection material electrically insulates the interconnect trace from the ground plate at a voltage less than the predetermined limit voltage, At higher voltages, an electrical connection is established between the conductive plate and the interconnect trace. A method of manufacturing a circuit board includes forming an interconnect trace and a ground plate, with a gap formed between the ground plate and the interconnect trace. Resistive electrostatic discharge protection material is present in the gap between the ground plate and the trace for protection against electrostatic discharge. The package includes the circuit board described above and the process of manufacturing such a package is also described herein.

Description

정전기 방전 보호를 갖는 회로보드{A CIRCUIT BOARD HAVING PROTECTION AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGE}Circuit board with electrostatic discharge protection {A CIRCUIT BOARD HAVING PROTECTION AGAINST ELECTROSTATIC DISCHARGE}

본 발명은 일반적으로는, 패키지된 집적회로에서 사용하기 위한 회로보드에 관한 것이다. 특히, 이것은 정전기 방전(ESD) 보호를 갖는 회로보드에 관한 것으로 정전기 방전 (ESD) 의 경우, 집적회로 단선의 가능성을 감소할 수 있다.The present invention generally relates to circuit boards for use in packaged integrated circuits. In particular, this relates to a circuit board having electrostatic discharge (ESD) protection and in the case of electrostatic discharge (ESD) can reduce the possibility of integrated circuit disconnection.

자연발생적이며, 필연적인 현상인 ESD 는 수천 volt 를 초과할 수 있는 고전압 및 고전류 서지(Surge)를 유도하는 것으로 알려져 있다. 임의의 집적회로 보호장치가 없을 경우, 전류 서지 혹은 과전압은 집적회로를 통과할 수도 있어서, 집적회로 단선 혹은 전자 장애, 예를 들어 메모리 손실 혹은 전송 데이터의 손실등의 하드웨어 손실을 발생한다. 금속 산화 반도체 (MOS) 혹은 비슷한 기술을 사용하여 제조된 집적회로가, ESD 에 의해서 사용할 수 없게 되는 집적회로의 일예로서 고려될 수도 있다. 당업자에게 잘 알려져 있는 것처럼, 금속 산화 반도체 (MOS) 장치는 일반적으로 게이트 구조를 사용하는데, 이것은 이산화실리콘으로부터 전형적으로 형성된 절연박막층을 포함한다. ESD 로 기인된 것일 수도 있는 과전압 하에서는, 박막 게이트 절연층은, 예를 들어, 0.35 마이크론 프로세스에 대한 약 10 volt 전위로 유전파괴의 손상이 있을 수도 있어서, 게이트는 단선되며 전체 장치를 작동할 수 없게 된다. 집적회로 공정 기술은 낮은 전류밀도하에서 작동하도록 더 작은 형태의 크기로 이동되고 있기 때문에, 그런 손상을 발생시키기에 필요한 에너지는 훨씬 더 감소되고 있다.Naturally occurring and inevitable ESD is known to induce high voltage and high current surges that can exceed thousands of volts. In the absence of any integrated circuit protection devices, current surges or overvoltages may pass through the integrated circuit, resulting in hardware losses such as integrated circuit breaks or electronic failures, such as memory loss or loss of transmission data. Integrated circuits fabricated using metal oxide semiconductor (MOS) or similar techniques may be considered as an example of integrated circuits that become unavailable by ESD. As is well known to those skilled in the art, metal oxide semiconductor (MOS) devices generally use a gate structure, which includes an insulating thin film typically formed from silicon dioxide. Under overvoltage, which may be due to ESD, the thin film gate insulating layer may have dielectric breakdown damage, for example, at about 10 volt potential for a 0.35 micron process, such that the gate is broken and the entire device is inoperable. do. Because integrated circuit processing technology is being moved to smaller sizes to operate at lower current densities, the energy required to generate such damage is even more reduced.

일반적으로는 과전압, 특히, ESD 에 의한 과전압에 대하여 집적회로를 보호하기 위한 노력으로, 제작자들은 다양한 회로 보호장치를 칩설계에 일체화 하고 있다. 예를 들어, 회로 보호장치와 일체화되어 있는 종래의 집적회로 패키지 설계는 Diaz 등에 의해 미국 특허 4,928,199 호에 개시되어 있다. 이 설계에서는, 집적회로는 접지전압과 접속되어 있으며, 접지판으로서 작용하는, 금속성 캐비티 커버에 의해서 보호되는 다이를 포함한다. 이 회로 보호장치, 예를 들어 유리층은, 본딩와이어와 접촉되도록 캐비티 커버의 내부면 상에 배치되어서, 다이 상의 본딩 패드를 리드 프레임 상의 리드에 접속시킨다.In general, in an effort to protect integrated circuits against overvoltages, particularly overvoltages by ESD, manufacturers have integrated various circuit protection devices into chip designs. For example, a conventional integrated circuit package design integrated with a circuit protection device is disclosed in US Pat. No. 4,928,199 by Diaz et al. In this design, the integrated circuit includes a die connected to a ground voltage and protected by a metallic cavity cover, which acts as a ground plate. This circuit protection device, for example a glass layer, is disposed on the inner surface of the cavity cover in contact with the bonding wires to connect the bonding pads on the die to the leads on the lead frame.

정상 작동 모드에서는, 상기 회로 보호장치는 높은 저항을 갖는다. 그러나, 단락전압 서지에 응답하여, 비교적 짧은 단락 주기에서의 회로 보호장치는 높은 저항 상태에서 낮은 저항 상태로 변환된다. 단락전압 서지가 종료된 직후, 회로 보호장치는 원래의 높은 저항 상태로 다시 복귀된다.In the normal operating mode, the circuit protection device has a high resistance. However, in response to a short-circuit voltage surge, the circuit protection device in the relatively short short-circuit period is switched from the high resistance state to the low resistance state. Immediately after the short-circuit surge ends, the circuit protection returns to its original high resistance state.

상술된 종래의 집적회로 패키지 설계에서, 외부 회로로부터 발생되어서 집적회로 패키지로 입력된 전압 서지는, 회로 보호장치와 접속되어 있는 본딩 와이어를 통과한다. 전압서지에 응답하여, 회로 보호장치는 높은 저항 상태에서 낮은 저항 상태로 변환되며, 전압서지를 접지판 캐비티 커버로 유도한다. 이러한 방법에서, 회로 보호장치는 외부회로에서 발생된 전압서지로부터 발생될 수도 있는 단선으로부터 다이를 보호한다. 비록 이 설계가 전압서지로부터 다이를 보호한다고 할지라도, 이것은 수 개의 단점을 제공한다. 따라서, 패키지 설계 등을 제조하기 위한 효과적인 방법을 사용하여 적절한 ESD 보호를 제공하는 개선된 집적회로 패키지 설계가 요구되고 있다.In the conventional integrated circuit package design described above, the voltage surge generated from the external circuit and input into the integrated circuit package passes through a bonding wire connected to the circuit protection device. In response to the voltage surge, the circuit protection device transitions from a high resistance state to a low resistance state and directs the voltage surge to the ground plate cavity cover. In this way, the circuit protection device protects the die from disconnection that may be generated from voltage surges generated in external circuits. Although this design protects the die from voltage surges, this presents several disadvantages. Accordingly, there is a need for improved integrated circuit package designs that provide adequate ESD protection using effective methods for manufacturing package designs and the like.

도 1 은 ESD 보호재와 일체화 되어 있는, 본 발명의 일 실시예에 따르는 패키지된 집적회로의 평면도이다.1 is a plan view of a packaged integrated circuit according to one embodiment of the present invention, which is integrated with an ESD protective material.

도 2 는 도 1 에 도시된 패키지의 단면도의 측단면도이다.FIG. 2 is a side cross-sectional view of the cross section of the package shown in FIG. 1. FIG.

도 3 은 본 발명의 일 실시예에 따르는 ESD 보호재와 일체화 되어 있는 집적회로를 패키지하는 과정의 플로우차트이다.3 is a flowchart of a process of packaging an integrated circuit integrated with an ESD protection material according to an embodiment of the present invention.

도 4 는 도 3 에 설명된 것처럼, 단계 110 의 한 실행을 설명하는 플로우 차트로서, 도 1 및 도 2 에 도시된 갭 내부에 ESD 보호재를 제공하는 또다른 방법을 보여주는 도면이다.FIG. 4 is a flow chart illustrating one implementation of step 110, as described in FIG. 3, showing another method of providing an ESD protective material within the gaps shown in FIGS.

도 5 는 ESD 보호재와 일체화 되어 있는, 본 발명의 다른 실시예에 따르는 패키지된 집적회로의 평면도이다.5 is a plan view of a packaged integrated circuit according to another embodiment of the present invention integrated with an ESD protective material.

* 도면의주요부분에대한부호의설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawing

20 : 패키지된 집적회로 26 : 상호접속 금속 트래이스20: packaged integrated circuit 26: interconnect metal trace

32 : 상호접속 와이어 34 : 리드32 interconnect wire 34 lead

36 : PCB 바탕 기판 38 : PCB36: PCB base substrate 38: PCB

본 발명에 따라서 상기 목적과 다른 목적을 얻기 위하여, 정전기 방전에 대하여 보호를 갖는 회로보드가 설명된다. 본 발명의 제 1 실시예에서, 회로보드는 상기 기판 상에 형성된 도전성 접지판과 다수의 상호접속 트래이스(trace)를 포함하며, 상기 상호 트래이스와 접지판 사이에는 갭이 형성되어 있다. 저항성의 정전기 방전 보호재는 접지판과 상호 트래이스 사이의 갭을 브리지 (bridge) 하도록 배치된다. 정전기 방전 보호재는 소정의 한계전압 아래의 전압에서 접지판과 상호접속 트래이스를 전기적으로 절연하며, 한계전압 보다 큰 전압에서는 상호접속 트래이스와 도전판 사이에서 전기접속을 확립한다.According to the present invention, a circuit board having protection against electrostatic discharge is described in order to attain a purpose different from the above object. In a first embodiment of the invention, a circuit board includes a conductive ground plate formed on the substrate and a plurality of interconnect traces, with a gap formed between the interconnect traces and the ground plate. The resistive electrostatic discharge protection material is arranged to bridge the gap between the ground plate and the mutual trace. The electrostatic discharge protection material electrically insulates the ground plate and the interconnect trace at a voltage below a predetermined limit voltage, and establishes an electrical connection between the interconnect trace and the conductive plate at a voltage above the limit voltage.

본 발명의 다른 실시예에서, 상술된 회로보드를 포함하는 패키지된 반도체 장치가 또한 설명된다. 패키지된 반도체 장치는 회로보드에 부착된 다이와, 상기 다이 상의 본드 패드를 관련된 트래이스에 전기적으로 접속하기 위한 다수의 본딩 와이어와, 리드 프레임과, 다이, 회로보드, 본딩와이어 및 리드 프레임의 적어도 일부분을 캡슐화하기 위한 캡슐재료를 포함한다.In another embodiment of the present invention, a packaged semiconductor device including the circuit board described above is also described. A packaged semiconductor device includes a die attached to a circuit board, a plurality of bonding wires for electrically connecting the bond pads on the die to an associated trace, a lead frame, at least a portion of the die, the circuit board, the bonding wire, and the lead frame. It includes a capsule material for encapsulating.

본 발명의 또다른 실시예에서, 정전기 방전 보호를 갖는 회로보드를 제조하기 위한 방법이 또한 설명될 것이다. 이 방법은 상기 기판보드 상에 상호접속 트래이스와 접지판을 형성하는 단계를 구비하며, 상기 접지판과 상호접속 트래이스 사이에는 갭이 형성되도록한다. 저항성의 정전기 방전 보호재가 접지판과 트래이스 사이의 갭에 배치된다. 정전기 방전 보호는 소정의 한계전압 아래의 전압에서는 접지판과 트래이스를 전기적으로 절연하며, 상기 한계전압 보다 큰 전압에서는 트래이스와 도전판 사이에서 전기접속을 확립한다. 한 실시예에서, 접지판과 트래이스 사이의 갭 내의 정전기 방전 보호재을 배치하는 단계는 상기 갭 내에 정전기 방전 보호재의 폴리머 용액을 배치시키는 단계와, 갭 내의 폴리머 용액을 경화시키는 단계를 포함한다.In another embodiment of the present invention, a method for manufacturing a circuit board having electrostatic discharge protection will also be described. The method includes forming an interconnect trace and a ground plate on the substrate board, such that a gap is formed between the ground plate and the interconnect trace. A resistive electrostatic discharge protective material is disposed in the gap between the ground plate and the trace. Electrostatic discharge protection electrically insulates the ground plate and the trace at voltages below a predetermined threshold voltage, and establishes an electrical connection between the trace and the conductive plate at voltages above the threshold voltage. In one embodiment, disposing the electrostatic discharge protective material in the gap between the ground plate and the trace includes disposing a polymer solution of the electrostatic discharge protective material in the gap and curing the polymer solution in the gap.

상술된 패키지를 형성하기 위하여, 상기 방법은 또한 기판보드 상에 다수의 본드 패드를 갖는 다이를 장착하는 단계와, 본딩 와이어의 제 1 세트를 사용하여 기판보드 상의 적절한 트래이스에 다이를 전기적으로 접속하는 단계를 더 포함할 수도 있다. 각 본딩 와이어는 관련된 본딩 패드와 결합된 제 1 단과, 관련된 상호접속 트래이스에 결합된 제 2 단을 갖는다. 상호접속 트래이스중 선택된 수 개의 트래이스는 리드 프레임의 관련된 리드에 전기적으로 접속된다. 다이, 본딩 와이어 및 리드의 일부분을 캡슐화하여 리드의 일부분이 노출된 보호 패키지를 제공하도록하여, 외부 회로와 다이의 전기 접속을 용이하게 한다.In order to form the package described above, the method also includes mounting a die having a plurality of bond pads on the substrate board, and electrically connecting the die to an appropriate trace on the substrate board using a first set of bonding wires. It may further comprise the step of. Each bonding wire has a first end coupled with an associated bonding pad and a second end coupled with an associated interconnect trace. Several selected ones of the interconnect traces are electrically connected to the associated leads of the lead frame. A portion of the die, bonding wire and leads are encapsulated to provide a protective package with portions of the leads exposed, thereby facilitating electrical connection of the die with external circuitry.

본 발명의 이들 장점 및 다른 장점은 다음의 상세한 설명과 도면의 다양한 특징을 연구함으로서 뚜렷하게 될 것이다.These and other advantages of the present invention will become apparent upon studying the following detailed description and various features of the drawings.

본 발명은 인쇄회로보드 (PCBs) 에 관한 것으로서, 이것은 정전기 방전 (ESD) 에 의해서 발생될 수도 있는 전압서지로부터 집적회로를 보호하기 위하여 정전기 방전 (ESD) 보호 장치와 일체화되어 있다. 또한, 새로운 인쇄회로보드(PCBs) 을 포함하는 집적회로 패키지를 제조하기 위한 과정이 또한 설명된다. 다음의 설명에서, 다수의 특정한 설명은 본 발명의 전반적인 이해를 위하여 제공되는 것이다. 그러나, 당업자에게 있어서, 본 발명이 이들 특정한 설명과는 다르게 실행될 수도 있다는 것은 자명할 것이다. 또한, 공지된 과정은 본 발명만을 명료하게 설명하기 위하여 설명하지 않을 것이다.The present invention relates to printed circuit boards (PCBs), which are integrated with an electrostatic discharge (ESD) protection device to protect the integrated circuit from voltage surges that may be generated by electrostatic discharge (ESD). In addition, a process for manufacturing an integrated circuit package including new printed circuit boards (PCBs) is also described. In the following description, numerous specific details are provided for the overall understanding of the present invention. However, it will be apparent to one skilled in the art that the present invention may be practiced otherwise than with these specific details. In addition, well-known processes will not be described for the sake of clarity.

도 1 에 대하여, 본 발명에 따르는 ESD 보호 장치와 일체화된 PCB 를 포함하는 패키지된 집적회로 설계의 일 실시예가 도시되어 있다. 패키지된 집적회로 (20) 는, 리드 프레임과 결합된 PCB 바탕 기판 (36) 을 포함한다. 이후에 상세하게 설명될 PCB (38) 는 한 세트의 상호접속 와이어 (32) 에 의해서 리드 (34) 에 접속되는데, 즉, 상호접속 와이어 (32) 는 일단에서 한 세트의 상호접속 금속 트래이스 (26) 에 접속되며, 타단에서 관련된 리드 (34) 혹은 대응하는 리드에 접속된다. 다음으로, 리드 (34) 는 전형적인 외부 회로 (도시되지 않음) 에 접속된다. 당업자에게 공지되어 있는 것처럼, 패키지 (20) 는 PCB (38) 상의 소자, 상호접속 와이어 (32) 및 리드의 일부분 (34) 을 캡슐화하도록 배열된다.1, an embodiment of a packaged integrated circuit design including a PCB integrated with an ESD protection device in accordance with the present invention is shown. The packaged integrated circuit 20 includes a PCB backing substrate 36 coupled with a lead frame. The PCB 38, which will be described in detail later, is connected to the lead 34 by a set of interconnect wires 32, ie, the interconnect wire 32 is connected at one end to a set of interconnect metal traces ( And connected to the associated lead 34 or corresponding lead at the other end. Next, the leads 34 are connected to typical external circuits (not shown). As is known to those skilled in the art, the package 20 is arranged to encapsulate a portion 34 of the device, interconnect wire 32 and leads on the PCB 38.

본 발명의 일 실시예에서, PCB (38) 은 방전판 (30) 의 외부에 배치된 도전성 상호접속 금속성 트래이스 (26) 의 네트워크를 갖는다. 상호접속 금속성 트래이스 (26) 는 갭 (44) 만큼 방전판 (30) 으로부터 분리되어 있다. 도 1 에 도시된 것처럼, 방전판 (30) 은 상호접속 금속성 트래이스 (26) 중 하나와 접속되며, 상기 트래이스는, 상호접속 와이어 (32) 중 하나와 리드(34) 중 하나를 경유하여 접지전압 (50) 에 접속된다. ESD 보호재 (28) 는 갭 (44) 을 실질적으로 채우거나 혹은 커버하며, 이것은 방전판 (30) 의 길이를 연장할 수도 있다. 갭(44) 내에 있는 ESD 보호재 (28) 는 상호접속 금속 트래이스 (26) 및 방전판 (30) 양자와 물리적으로 접촉된다. 일반적으로 전류감지회로를 포함하는 다이 (22) 는 기판 (36) 상의 임의의 적절한 위치에, 방전판 (30) 의 개구 내에 혹은 그 양자에 배치될 수도 있다. 다이 (22) 는 전형적으로 다수의 본드 패드 (46) 를 포함하며, 이것은 한 세트의 본딩 와이어 (24) 를 경유하여 대응하는 상호접속 금속 트래이스 (26) 에 접속된다.In one embodiment of the present invention, the PCB 38 has a network of conductive interconnect metallic traces 26 disposed outside of the discharge plate 30. The interconnect metallic traces 26 are separated from the discharge plate 30 by the gap 44. As shown in FIG. 1, the discharge plate 30 is connected with one of the interconnect metallic traces 26, which is via one of the interconnect wires 32 and one of the leads 34. It is connected to the ground voltage 50. The ESD protection material 28 substantially fills or covers the gap 44, which may extend the length of the discharge plate 30. The ESD protection material 28 in the gap 44 is in physical contact with both the interconnect metal trace 26 and the discharge plate 30. In general, the die 22 including the current sensing circuit may be disposed in the opening of the discharge plate 30 or in any suitable position on the substrate 36. The die 22 typically includes a plurality of bond pads 46, which are connected to the corresponding interconnect metal traces 26 via a set of bonding wires 24.

도 2 에 대하여, 패키지 (20) 의 단면도는 본 발명의 일 실시예에서 다양한 구성요소를 좀 더 잘 설명하도록 도시되어 있다. 리드 프레임 (42) 은 다수의 리드 (34) 를 포함한다. PCB (38) 는 리드 프레임 패들 (40) 과 같은 적절한 지지체에 탑재된다. 상호접속 와이어 (32), 상호접속 금속 트래이스 (26) 및 본딩 와이어 (24), 본드 패드 (46), ESD 보호재 (28), 갭 (44) 및 다이 (22) 는 도 1 에 도시된 것과 실질적으로 동일한 구조로 나타나 있다. 임의의 실시예에서, 갭 (44) 은 상호접속 금속 트래이스 (26) 와 방전판 (30) 사이의 채널 영역 혹은 컷 (cut) 으로서 나타나 있다. ESD 보호재 (28) 는 갭 (44) 을 실질적으로 채워서, 상호접속 금속 트래이스 (26) 및 방전판 (30) 양자와 좋은 전기접속을 형성한다.2, a cross-sectional view of package 20 is shown to better describe the various components in one embodiment of the present invention. Lead frame 42 includes a number of leads 34. PCB 38 is mounted to a suitable support, such as lead frame paddle 40. Interconnect wire 32, interconnect metal traces 26 and bonding wires 24, bond pads 46, ESD protection material 28, gaps 44 and dies 22 are as shown in FIG. It is shown in substantially the same structure. In some embodiments, the gap 44 is shown as a channel region or cut between the interconnect metal traces 26 and the discharge plate 30. The ESD protection material 28 substantially fills the gap 44 to form a good electrical connection with both the interconnect metal trace 26 and the discharge plate 30.

ESD 보호재 (28) 의 소정의 한계전압을 초과하거나 혹은 동일한 전압서지가 특정 리드 (34) 로부터 집적회로 패키지 (20) 로 입력될 때, 이것은 PCB (38) 상의 관련 트래이스 (26) 에 유도된다. 이 전압서지에 응답하여, 트래이스 (26) 에 전기적으로 접속된, ESD 보호재 (28) 는 일반적으로 높은 저항 상태에서 낮은 저항상태로 변환된다. 낮은 저항상태에 있는 ESD 보호재 (28) 는 전압서지를 방전판 (30) 으로 유도하여, 전압서지가 접지로 션트 (shunt) 되게 한다. 이 방법에서, ESD 보호재 (28) 는 ESD 에 의한 단선의 가능성으로부터 다이 (22) 의 감지 회로 구성성분을 보호한다. 단락 전압서지가 종료되자마자, ESD 보호재 (28) 는 고저항의 정상 상태로 다시 회복된다.When a voltage surge exceeding or equaling a predetermined threshold voltage of the ESD protective material 28 is input from the specific lead 34 into the integrated circuit package 20, it is induced in the associated trace 26 on the PCB 38. . In response to this voltage surge, the ESD protection material 28, which is electrically connected to the trace 26, generally transitions from a high resistance state to a low resistance state. The ESD protection material 28 in the low resistance state induces a voltage surge to the discharge plate 30, causing the voltage surge to shunt to ground. In this way, the ESD protection material 28 protects the sensing circuit components of the die 22 from the possibility of disconnection by ESD. As soon as the short-circuit voltage surge ends, the ESD protection material 28 returns to the normal state of high resistance.

도 5 에 대하여, 도 1 및 도 2 에서 도시된 것처럼, 패키지 (20) 가 단일 칩 모듈 조립품을 도시하고 있다고 할지라도, 본 발명은 단일 다이 구성으로 한정되지 않는다. 더 자세히 말하자면, 상술된 단일 다이 구성은 본 발명에 따르는 패키지된 집적 회로 설계의 간단성과 종래 기술 이상의 장점을 설명하기 위한 예로서 사용된다. 사실, 상술된 본 발명은 다중칩 모듈 조립품에도 동일하게 적용된다.5, although the package 20 shows a single chip module assembly, as shown in FIGS. 1 and 2, the present invention is not limited to a single die configuration. More specifically, the single die configuration described above is used as an example to illustrate the simplicity of the packaged integrated circuit design according to the present invention and the advantages over the prior art. In fact, the invention described above applies equally to multichip module assemblies.

비슷하게, 본 발명에서 설명된 것과 같은 PCB (38) 는 패키지된 집적회로만으로 제한되지 않는다. 이것은 다양한 전기적 구성성분을 갖는 대중적인 PCBs 와 같은, 다른 전기 장치와도 효과적으로 일체화될 수도 있다. PCB (38) 는 일반적으로 기판보드 (36) 상에 배치되며, 이것은 당업자에게는 공지된 기술이다. 리드 (34), 와이어 (32) 및 본딩 와이어 (24), 본드 패드 (46), 상호접속 금속 트래이스 (26), 방전판 (30)(이상, 모두 도 1 에 도시됨)과 리드 프레임 (42) 및 리드 프레임 패들 (40) (도 2 에 양자가 도시됨) 은 당업자에게는 공지되어 있는 재료로부터 구성될 수도 있다. 다이 (22) 는 일반적으로 칩, 집적회로 혹은 전압서지에 감응하는 회로를 포함할 수도 있는 임의의 전기 장치에 관한 것이다.Similarly, the PCB 38 as described in the present invention is not limited to only packaged integrated circuits. It may also be effectively integrated with other electrical devices, such as popular PCBs with various electrical components. PCB 38 is generally disposed on substrate board 36, which is a technique known to those skilled in the art. Leads 34, wires 32 and bonding wires 24, bond pads 46, interconnect metal traces 26, discharge plates 30 (above, all shown in FIG. 1) and lead frames ( 42 and lead frame paddle 40 (both shown in FIG. 2) may be constructed from materials known to those skilled in the art. Die 22 generally relates to any electrical device that may include a chip, an integrated circuit, or a circuit that is sensitive to voltage surges.

도 1 에 도시된 것과 같이, 방전판 (30) 은 접지된 도전판으로서 작용할 수도 있다. 그러나, 본 발명의 다른 실시예에서, 다양한 다른 장치가 접지된 도전판으로서 사용될 수 있다. 그런 장치의 예들은 다이 부착 영역, 도전판 혹은, 실질적 링형상의 금속 트래이스와 같은 임의의 기하학의 금속 트래이스를 포함한다. 본 발명은 또한 단일 접지된 도전판으로 제한되지 않으며, 본 발명은 다수의 판들을 포함할 수 있다는 것은 당업자에게는 자명한 일일 것이다. 또한, 방전판 (30) 과 같이, 도전판에 접지전압을 접속하는 것은 도 1 에 도시된 것, 즉 상호접속 금속성 트래이스 (26), 와이어 (32) 및 리드 (34) 중 하나를 경유하는 것과 같은 구성으로 제한되지 않는다. 물론, 그런 접지전압의 접속은 당업자에게 공지된 임의의 방법으로 실행될 수 있다.As shown in FIG. 1, the discharge plate 30 may serve as a grounded conductive plate. However, in other embodiments of the present invention, various other devices may be used as the grounded conductive plate. Examples of such devices include metal traces of any geometry, such as die attach regions, conductive plates, or substantially ring shaped metal traces. It will be apparent to one skilled in the art that the present invention is also not limited to a single grounded conductive plate, and that the present invention may include multiple plates. Also, like the discharge plate 30, connecting the ground voltage to the conductive plate is shown in FIG. 1, that is, via one of the interconnect metallic traces 26, the wires 32 and the leads 34. It is not limited to such a configuration. Of course, the connection of such a ground voltage can be performed by any method known to those skilled in the art.

갭 (44) 은 일반적으로 상호접속 금속성 트래이스와 도전판 사이의 공간에 의해서 정의된다. 이것은 다양한 다른 형태와 크기를 가질 수도 있다. 몇 개의 갭 형태의 예들로는 기판 상의 단순히 텅빈 공간 혹은 금속화 공간 상에서 홈형, 오목형 혹은 채널형 영역을 포함한다. 그 취지를 설명하기 위하여, 도 2 는 본 발명의 일 실시예를 보여주는데, 여기서 갭은 상호접속 금속성 트래이스 (26) 와 방전판 (30) 사이의 채널 영역 혹은 컷일 수도 있다. 비록 갭의 폭이 임의의 적절한 크기일지라도, 갭 깊이를 초과하지 않는 갭을 갖는 것이 바람직하다. 그 갭 깊이의 크기는 일반적으로 약 0.5 mils 내지 약 5 mils 사이의 영역에 있을 수도 있다. 갭 폭의 크기는 일반적으로 약 0.25 내지 약 5 mils 의 범위에 있을 수도 있으며, 바람직하게는 0.5 내지 약 1.5 mils 의 범위에 있고, 더 바람직하게는 약 1 mils 일 수도 있다.The gap 44 is generally defined by the space between the interconnect metallic trace and the conductive plate. It may have a variety of different shapes and sizes. Some gap shaped examples include grooved, concave or channelized regions on simply empty or metallized spaces on a substrate. To illustrate, FIG. 2 shows one embodiment of the present invention, where the gap may be a channel region or cut between the interconnect metallic trace 26 and the discharge plate 30. Although the width of the gap is any suitable size, it is desirable to have a gap that does not exceed the gap depth. The size of the gap depth may generally be in an area between about 0.5 mils and about 5 mils. The size of the gap width may generally be in the range of about 0.25 to about 5 mils, preferably in the range of 0.5 to about 1.5 mils, and more preferably about 1 mils.

ESD 보호재 (28) 는, 소정의 한계전압에서 전기를 충분하게 유도할 수 있는, 임의의 적절한 저항성의 전류 감지 재료를 포함한다. 그러나, ESD 보호재 (28) 는 바람직하게는 폴리머를 포함하며, 이것은 본 발명에서 고형 스트립 혹은 용액의 형태로 사용될 수도 있다. 예를 들어, 캘리포니아의 프레몬트 (Fremot) 의 Surg X 사의 Surg XTM으로 불리는 폴리머 스트립이 예이다.ESD protection material 28 includes any suitable resistive current sensing material capable of sufficiently inducing electricity at a predetermined threshold voltage. However, ESD protective material 28 preferably comprises a polymer, which may be used in the form of a solid strip or solution in the present invention. An example is a polymer strip called Surg X from Surg X of Fremot, California.

폴리머 용액 혹은 스트립 등의 임의의 형태의 ESD 보호재 (18) 의 충분한 양이, 상호접속 금속 트래이스 및 도전성 판 사이에서 고체 접속이 확립되도록 갭 사이에 배치시키며, 소정의 한계전압에서 그것을 션트 (shunt)하는 전압서지를 접지로 효과적으로 유도한다. 그러나, 본 발명의 실시예에서, 기판상의 텅빈 공간은 갭으로서 작용하는 곳에서, 이것은 갭에 부착하는 폴리머 스트립을 갖는 것이 바람직한데, 예를 들어, 폴리머 스트립이, 갭에 부착하도록 돕는 부착 바킹(backing) 을 가질 수도 있다. 부가적으로, 본 발명의 실시예에서, 홈형, 채널형 혹은 오목형 영역이 갭으로서 작용하며, 이것은 상술된 방법에 의해 폴리머 용액을 사용하는 것이 바람직하다.Sufficient amount of ESD protection material 18 in any form, such as a polymer solution or strip, is placed between the gaps so that a solid connection is established between the interconnect metal traces and the conductive plate and shunts it at a predetermined threshold voltage. ) Effectively induces a voltage surge to ground. However, in an embodiment of the present invention, where the empty space on the substrate acts as a gap, it is desirable to have a polymer strip that adheres to the gap, e.g. backing). In addition, in the embodiment of the present invention, the grooved, channeled or concave region acts as a gap, which preferably uses a polymer solution by the method described above.

정상적인 저항성 ESD 보호재 (28) 를 실질적 도전성 재료로 변환하기 위하여 요구되는 한계전압은 특정한 시스템의 사용에 따라서 크게 변화될 수도 있다. 예를 들어, 약 10 내지 약 500 volt 범위의 한계전압이 가장 통상적인 패키징 장치에서 사용될 것이다. 약 10 내지 약 100 volt 범위의 한계전압이 바람직하며, 좀 더 바람직하게는 약 10 내지 약 50 volt 범위이다.The threshold voltage required to convert a normal resistive ESD protection material 28 into a substantially conductive material may vary greatly depending on the use of a particular system. For example, threshold voltages in the range of about 10 to about 500 volts will be used in most conventional packaging devices. Threshold voltages in the range of about 10 to about 100 volts are preferred, and more preferably in the range of about 10 to about 50 volts.

도 3 에 대하여, 본 발명에 따르는 ESD 보호재와 일체화되어 있는 패키징 구조물을 사용하여 집적회로를 패키징하기 위한 방법 (100) 이 설명될 것이다. 단계 102 에서는, 금속화용 기판을 제조하기에 필요한 임의의 선행 제조 단계, 즉 기판을 미리 열처리하는 등의 단계가 실행된다. 단계 104 에서는, 금속화가 기판 상에 형성되어서 상호접속 트래이스와 방전판의 네트워크를 형성한다. 본 발명의 일 실시예에서, 트래이스의 네트워크는 다이 부착 영역이 기판의 중심 근처 혹은 거의 중심에 형성되는 방식으로 배열될 수도 있다. 상기 트래이스와 방전판의 형성은 당업자에게 공지된 종래의 형성 방법에 의해서 수행되며, 일 실시예에서는 기판 상에 직접 금속화를 인쇄하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 다이 부착 영역은 기판의 거의 중심에 있는 단순히 텅빈 영역이다.3, a method 100 for packaging an integrated circuit using a packaging structure integrated with an ESD protective material according to the present invention will be described. In step 102, any preceding manufacturing steps necessary for manufacturing the substrate for metallization, i.e., pre-heating the substrate, are performed. In step 104, metallization is formed on the substrate to form a network of interconnect traces and discharge plates. In one embodiment of the invention, the network of traces may be arranged in such a way that the die attach region is formed near or near the center of the substrate. The formation of the traces and discharge plates is carried out by conventional forming methods known to those skilled in the art, and in one embodiment include printing the metallization directly on the substrate. In one embodiment, the die attach region is simply an empty region near the center of the substrate.

단계 106 에서는, 트래이스와 방전판 사이의 갭은 공지되어 있는 임의의 방법으로 형성된다. 일 실시예에서, 갭은, 기판 상에 금속화가 인쇄된 후에 그 금속화를 커팅(cutting)함으로서 형성된다. 금속화의 커팅은 당업자에게 공지된 임의의 방법에 의해서 수행될 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에서는, 이것은 종래의 리소그래피 기술에 의해서 금속화를 에칭하는 단계를 포함한다. 또다른 실시예에서, 트래이스와 방전판은, 갭에 의해서 분리되도록 단계 104 에서의 적절한 위치에 인쇄된다. 그런 배열에서, 분리 갭 형성 단계는 요구되지 않는다. 또다른 실시예에서, 본 발명의 단계 104 및 106 은 기판보드의 도전층, 예를 들어 금속화를 에칭함으로서 수행될 수도 있어서, 상호접속 트래이스, 방전판 및 갭의 네트워크를 형성한다. 이 실시예에서의 기판보드는 적층구조를 포함할 수도 있다.In step 106, the gap between the trace and the discharge plate is formed by any known method. In one embodiment, the gap is formed by cutting the metallization after the metallization is printed on the substrate. Cutting of the metallization may be performed by any method known to those skilled in the art, and in one embodiment of the present invention, this includes etching the metallization by conventional lithographic techniques. In another embodiment, the traces and discharge plates are printed in appropriate locations in step 104 to be separated by a gap. In such an arrangement, a separation gap forming step is not required. In another embodiment, steps 104 and 106 of the present invention may be performed by etching the conductive layer of the substrate board, for example metallization, to form a network of interconnect traces, discharge plates, and gaps. The substrate board in this embodiment may include a laminated structure.

단계 108 에서, ESD 보호재는 갭 내에 배치된다. 이것은 당업자에 의해서 사용되는 다양한 방법에 의해서 수행된다. 예를 들어, 일 실시예에서, ESD 보호 테이프는 상호접속 금속성 트래이스와 방전판 사이의 갭에 적용된다. 선택적으로, 갭 상의 ESD 보호재를 스크린 인쇄 혹은 변화 인쇄에 의하거나 혹은 갭 상의 노즐을 통하여 용액 형태로 ESD 보호재를 분배함으로서 배치시킬 수도 있다. 상이한 갭 형상을 갖는 ESD 보호재의 상이한 형태는 상기에서 자세하게 설명된다. 본 발명의 실시예에서, 폴리머 용액은 ESD 보호재로서 바람직하며, 갭 크기는 궁극적으로 존재하거나 혹은 배치된 ESD 보호재의 양을 규정할 수도 있다. 이미 설명한 것처럼, 갭 내에 제공된 ESD 보호재의 양은 충분하여서 상호접속 금속성 트래이스와 도전성판 사이의 신뢰성 있는 고체 접촉을 용이하게 하며 소정의 한계 전압을 초과하거나 혹은 동일한 전압서지를 충분히 유도한다. 이렇게 하여 상기에서, 다수의 작업가능 갭의 폭은 상세하게 설명되었다. 특정한 ESD 재료를 위한 방전전압은 갭 폭을 제어함으로서 상당히 정확하게 제어할 수 있다는 것이 뚜렷하게 되었으며, 이것은 종래의 기구를 사용하여 실행하기가 쉽다.In step 108, the ESD protection material is placed in the gap. This is done by various methods used by those skilled in the art. For example, in one embodiment, an ESD protection tape is applied to the gap between the interconnect metallic trace and the discharge plate. Alternatively, the ESD protection material on the gap may be placed by screen printing or change printing or by dispensing the ESD protection material in solution form through a nozzle on the gap. Different forms of ESD protective materials having different gap shapes are described in detail above. In an embodiment of the invention, the polymer solution is preferred as an ESD protective material, and the gap size may ultimately define the amount of ESD protective material that is present or disposed. As already explained, the amount of ESD protective material provided in the gap is sufficient to facilitate reliable solid contact between the interconnect metallic trace and the conductive plate and to sufficiently induce a voltage surge above or below a predetermined limit voltage. In this way, in the above, the width of the plurality of workable gaps has been described in detail. It has become clear that the discharge voltage for a particular ESD material can be controlled fairly accurately by controlling the gap width, which is easy to implement using conventional instruments.

단계 110 에서, 패키지는 당업자에게 공지된 종래의 단계에 따라서 조립된다. 이들 단계는 예를 들어, 관련된 다이 부착 영역 상에 다수의 본드 패드를 갖는 하나 이상의 다이를 장착하는 단계와, 일단에서는 다이의 관련된 본딩 패드와 타단에서는 관련된 상호접속 금속 트래이스를 본딩 와이어 세트와 접속하는 단계와, 리드 프레임 패들 상에 PCB 를 장착하는 단계와, 일단에서 관련 상호접속 금속트래이스와 타단에서 리드 프레임상의 관련된 리드에 상호접속 와이어 세트를 접속하는 단계와, 상기 패키지의 일부, 예를 들어 PCB 상의 소자들, 상호접속 와이어, 리드의 일부분을 캡슐화하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 이들 단계의 대부분은 펜실바니아의 윌로우 그로베 (Willow Grove) 의 Kulicke & Soffa 사의 Kulicke & Soffa Model 6990 등의 Multi Chip Module Die Attach System 으로 수행될 수도 있다. 과정 100 은 단계 112 에서 종료되며, 이것은 당업자에게 공지되어 있는 과거의 조립 단계를 일반적으로 포함한다.In step 110, the package is assembled according to conventional steps known to those skilled in the art. These steps include, for example, mounting one or more dies with multiple bond pads on associated die attach regions, and at one end the associated bonding pads of the die and the associated interconnect metal traces at the other end with the bonding wire set. Mounting a PCB on a lead frame paddle, connecting an interconnect wire set to an associated interconnect metal trace at one end and an associated lead on the lead frame at the other end, and a portion of the package, e.g. Encapsulating elements on the PCB, portions of interconnect wires, leads. In one embodiment, most of these steps may be performed with a Multi Chip Module Die Attach System, such as Kulicke & Soffa Model 6990 from Kulicke & Soffa of Willow Grove, PA. Process 100 ends at step 112, which generally includes past assembly steps known to those skilled in the art.

도 4 에 대하여, 이것은 본 발명의 일 실시예에서 단계 110 의 변형이다. 도 3 에 도시된 단계 110 은 갭 내에 ESD 보호재를 제공하는 단계에 관한 것이다. 도 4 에서, 본 발명의 단계 110 은 단계 120 에서 시작된다. 단계 122 에서, 폴리머 용액 형태의 ESD 보호재는 상호접속 금속 트래이스와 도전성판 사이의 갭에 배치된다. 단계 124 에서, 폴리머 용액을 경화시키는데, 이것은 폴리머 재료의 열처리가 일반적으로 포함된다. 경화온도는 폴리머 용액이 저온 혹은 고온의 폴리머인지에 의존된다. 폴리머 용액을 경화시키는 것은 일반적으로 약 100 및 약 500 ℃ 사이의 온도에서 수행되며, 바람직하게는 약 100 및 약 200℃ 사이에서 수행되고, 좀 더 바람직하게는 약 100 및 약 150℃ 사이의 온도에서 수행된다. 단계 126 에서, 단계 110 은 종료되며, 본 발명의 과정의 일 실시예는 도 3 에 설명될 것처럼 연속될 수도 있다.4, this is a variation of step 110 in one embodiment of the present invention. Step 110 shown in FIG. 3 relates to providing an ESD protective material in the gap. In FIG. 4, step 110 of the present invention begins at step 120. In step 122, an ESD protective material in the form of a polymer solution is disposed in the gap between the interconnect metal trace and the conductive plate. In step 124, the polymer solution is cured, which generally includes heat treatment of the polymer material. The curing temperature depends on whether the polymer solution is a low temperature or high temperature polymer. Curing the polymer solution is generally carried out at a temperature between about 100 and about 500 ° C., preferably between about 100 and about 200 ° C., and more preferably at a temperature between about 100 and about 150 ° C. Is performed. In step 126, step 110 ends, and one embodiment of the process of the present invention may continue as described in FIG.

본 발명은, 패키지 설계 등을 제조하기 위한 효과적인 방법을 사용하여 적절한 ESD 보호를 제공하는 개선된 집적회로 패키지 설계를 제공한다.The present invention provides an improved integrated circuit package design that provides adequate ESD protection using effective methods for manufacturing package designs and the like.

본 발명은 몇 개의 바람직한 실시예로 설명되기는 하였으나, 본 발명의 정신의 영역 내에는, 변경, 치환 및 그와 동등한 것이 있을 수도 있다. 또한 본 발명의 방법과 장치를 실행하는 또다른 많은 방법이 있으며, 예를 들어 ESD 에 대한 본 발명의 보호는 전압서지의 원인이 되는 다른 소오스가 있는 다른 응용에도 효과적일 것이다. 그러므로 다음의 청구항은 본 발명의 정신과 영역내에서 그런 변형, 치환 및 동등한 것을 포함하는 것으로 해석된다.Although the invention has been described in some preferred embodiments, there may be variations, substitutions, and equivalents within the scope of the spirit of the invention. There are also many other ways of implementing the methods and apparatus of the present invention, for example the protection of the present invention against ESD will be effective in other applications where there are other sources of voltage surges. Therefore, the following claims are intended to cover such modifications, substitutions, and equivalents within the spirit and scope of the invention.

Claims (5)

정전기 방전 (ESD) 에 대하여 보호를 갖는 회로보드에 있어서,A circuit board having protection against electrostatic discharge (ESD), 다이를 지지하는 기판과,A substrate supporting the die, 상기 기판 상에 형성된 다수의 상호접속 트래이스와,A plurality of interconnect traces formed on the substrate, 상기 기판 상에 형성되어 상기 상호접속 트래이스와 실질적으로 동일 평면상에 있는 도전성의 접지판으로서, 상기 상호접속 트래이스와 접지판 사이에 갭이 형성되도록 배열된 도전성 접지판과,A conductive ground plate formed on the substrate and substantially coplanar with the interconnect trace, the conductive ground plate arranged to form a gap between the interconnect trace and the ground plate; 상기 상호접속 트래이스 또는 도전성 접지판을 커버하지 않고 동일평면상에서 상기 접지판과 상호접속 트래이스 사이의 갭을 브리지 하도록 배치된 저항성의 정전기 방전 (ESD) 보호재를 구비하고,A resistive electrostatic discharge (ESD) protective material disposed to bridge the gap between the ground plate and the interconnect trace on the same plane without covering the interconnect trace or the conductive ground plate, 상기 정전기 방전 보호재는 소정의 한계전압 보다 아래의 전압에서는 접지판과 상호접속 트래이스를 전기적으로 절연시키며, 한계전압 보다 큰 전압에서는 상기 도전판과 상기 상호접속 트래이스 사이에서 전기접속이 확립되도록 배열되어 있는 정전기 방전 보호재를 구비하는 것을 특징으로 하는 회로보드.The electrostatic discharge protection material electrically insulates the ground plate and the interconnect trace at a voltage below a predetermined threshold voltage, and at a voltage above the threshold voltage, the electrical connection is established between the conductive plate and the interconnect trace. A circuit board comprising an electrostatic discharge protection material. 제 1 항에 있어서, 접지전압에 접속하기에 적절한 다이 부착 영역을 더 구비하며, 상기 ESD 보호재는 상기 트래이스와 상기 다이 부착 영역 사이에 있는 것을 특징으로 하는 회로보드.2. The circuit board of claim 1, further comprising a die attach region suitable for connection to a ground voltage, wherein the ESD protection material is between the trace and the die attach region. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 다이 부착 영역을 더 구비하며, 상기 도전판은 상기 다이 부착 영역 주위에 실질적으로 링 형상의 금속 트래이스의 형태를 얻는 것을 특징으로 하는 회로보드.2. The circuit board of claim 1, further comprising a die attach region on the substrate, wherein the conductive plate obtains a substantially ring-shaped metal trace around the die attach region. 제 1 항에 있어서, 상기 ESD 보호재는 스트립 형태의 폴리머 테이프인 것을 특징으로 하는 회로보드.The circuit board of claim 1, wherein the ESD protection material is a strip-shaped polymer tape. 제 1 항에 있어서, 상기 소정의 한계전압은 약 10 내지 약 500 volt 의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 회로보드.2. The circuit board of claim 1, wherein the predetermined threshold voltage is in a range of about 10 to about 500 volts.
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