KR100332951B1 - Apparatus for supplying quantitative chemical in semiconductor facilities - Google Patents
Apparatus for supplying quantitative chemical in semiconductor facilities Download PDFInfo
- Publication number
- KR100332951B1 KR100332951B1 KR1019990032978A KR19990032978A KR100332951B1 KR 100332951 B1 KR100332951 B1 KR 100332951B1 KR 1019990032978 A KR1019990032978 A KR 1019990032978A KR 19990032978 A KR19990032978 A KR 19990032978A KR 100332951 B1 KR100332951 B1 KR 100332951B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical
- valve
- discharge
- pressure
- diaphragm pump
- Prior art date
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910019093 NaOCl Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003326 Quality management system Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000855 fungicidal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000417 fungicide Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000813 microbial effect Effects 0.000 description 1
- 210000003097 mucus Anatomy 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Reciprocating Pumps (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치에 관한 것으로서, 다이어프램펌프를 적용한 것이다. 그 구성은, 직선왕복 운동하는 이송로드에 의해 신축되는 다이어프램이 내장된 다이어프램펌프와, 상기 다이어프램펌프의 하부에 연결된 흡입관을 통해 케미컬이 유입될 수 있도록 개폐되는 흡입밸브와, 상기 다이어프램펌프의 상부에 연결된 토출관을 통해 케미컬이 배출될 수 있도록 개폐되는 토출밸브로 구성된 케미컬 공급장치에 있어서, 그 배관 내의 압력이 부압 상태일 때 외부공기를 인입하여 흐름을 차단하고, 상기 압력이 대기압 이상일 때 외부로부터 밀폐함으로써 일정량의 케미컬을 공급하기 위한 정량제어밸브가 상기 토출밸브의 연결블럭 상부에 일체로 설치된 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a chemical metering device for semiconductor equipment, to which a diaphragm pump is applied. The configuration includes a diaphragm pump having a diaphragm built in and contracted by a linear reciprocating transfer rod, a suction valve opened and closed to allow a chemical to flow through a suction pipe connected to a lower portion of the diaphragm pump, and an upper portion of the diaphragm pump. In the chemical supply device consisting of a discharge valve that is opened and closed to discharge the chemical through the discharge pipe connected, in the external pressure when the pressure in the pipe is a negative pressure to block the flow, when the pressure is above atmospheric pressure from the outside A closed-quantity control valve for supplying a certain amount of chemical by sealing is integrally installed on the upper part of the connection block of the discharge valve.
따라서, 본 발명에 의하면 사이펀 현상으로 인하여 케미컬이 과다 투입되는 것을 방지할 수 있고, 케미컬의 외부 유출이 발생하지 않게 하여 장치의 신뢰성 및 안전성을 도모할 수 있는 효과를 갖는다.Therefore, according to the present invention, it is possible to prevent the chemicals from being excessively introduced due to the siphon phenomenon, and to prevent the external leakage of the chemicals from occurring, thereby achieving the reliability and safety of the apparatus.
Description
본 발명은 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치에 관한 것으로, 특히 다이어프램펌프에 의해 케미컬을 이송시키는 장치에 있어서, 사이펀 현상으로 인하여 액체가 과다 투입되는 것을 방지할 수 있게 한 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical metering device for semiconductor equipment, and more particularly to a device for transferring chemicals by a diaphragm pump, to a chemical metering device for semiconductor equipment that prevents excessive liquid injection due to a siphon phenomenon. It is about.
일반적으로, 다이어프램펌프(Diaphragm Pump ; 격막펌프)는 펌프막의 상하운동에 의해서 액체의 흡상(吸上), 배출 작용을 하는 형식의 펌프를 지칭하는 것으로, 액체를 토출시키기 위한 구조를 필요로 하는 분야에 광범위하게 적용할 수 있으며, 반도체 분야에서는 냉각수 수질관리시스템 등의 냉각수조 내에 소정량의 케미컬을 공급하기 위한 장치로 사용할 수 있다.In general, a diaphragm pump (diaphragm pump) refers to a pump of a type that sucks and discharges liquid by vertical movement of the pump membrane, and requires a structure for discharging liquid. It can be applied to a wide range of applications, and in the semiconductor field, it can be used as an apparatus for supplying a predetermined amount of chemical into a cooling water tank such as a cooling water quality management system.
상기에서 언급한 바와 같이, 냉각수조 등에는 장시간 물이 고여있는 상태로 방치되어 수조 내에서 슬라임(Slime), 스케일(Scale), 커로젼(Corrosion)(이상, 악취성 점액토, 물때, 부식녹 등과 같은 오염물질의 형태를 의미함.)이 형성될 수 있고, 이러한 오염현상을 방지하기 위해서는 상기 수조내에 미생물 살균제(NaOCl 등), 부식 방지제(S-1030 등), 슬라임 방지제(F-511 등) 등의 케미컬을 정기적으로 일정 비율 공급하여야 할 필요가 있다.As mentioned above, the cooling water tank is left in a state of standing water for a long time, so that slimes, scales, erosions (above, odorous mucus, scale, and rust) are kept in the tank. And the like.) To form a contaminant, a microbial fungicide (NaOCl, etc.), a corrosion inhibitor (S-1030, etc.), a slime inhibitor (F-511, etc.) may be formed in the tank. It is necessary to supply chemicals such as) at regular intervals.
냉각수의 수질관리는, 동절기에는 냉각수 자체 온도의 저하로 냉각팬의 가동 대수가 감소하여 비산량이 적어지므로 케미컬 농도가 장시간 유지되어 소량 케미컬을 투입하여도 무방하나, 하절기에는 냉각수 온도가 쉽게 상승하여 냉각팬의 가동 대수 및 사용시간이 증대됨에 따라 비산량도 많아지므로 케미컬의 투입량이 증가하게 된다.The water quality management of the cooling water is reduced in the number of cooling fans due to the decrease in the temperature of the cooling water itself in winter so that the amount of scattering is reduced. Therefore, a small amount of chemical may be maintained for a long time. As the number of operating fans and the usage time of the fan increase, the amount of scattering increases, so that the amount of chemical input increases.
이러한 변화에 따라 냉각수에 대한 일정 비율의 케미컬 농도를 유지하기 위하여, 통상 주 1회 냉각수를 샘플링하고 분석한 후 그 분석 결과를 토대로 하여 다이어프램펌프의 가동시간을 조절(예컨대, 5분 가동시 1리터의 케미컬을 공급함.)함으로써 공급되는 케미컬의 농도를 일정하게 유지하는 방식이 사용되고 있다.In order to maintain a constant chemical concentration of the cooling water according to this change, the cooling water is sampled and analyzed once a week, and then the operating time of the diaphragm pump is adjusted based on the analysis result (for example, 1 liter at 5 minutes of operation). By supplying chemicals.) A method of maintaining a constant chemical concentration is used.
그러므로 다이어프램펌프에 의한 케미컬 정량공급의 정상화는 냉각수 수질 관리에 있어서 대단히 중요한 영향을 미치게 되고, 케미컬의 과다 투입시에는 냉각수 수질 변화로 인한 피해가 각종 관련설비에 미칠 수 있으며, 이 경우에 냉각수의 폐수화에 의한 처리 비용이 증가하게 되는 문제점이 발생한다.Therefore, the normalization of chemical quantity supply by diaphragm pump has a very important influence on the cooling water quality management, and the damage caused by the change of the cooling water quality can be affected to various related equipments when the chemical is excessively charged, in which case the cooling water wastewater There is a problem that the processing cost due to the increase in costs.
또한, 상기 다이어프램펌프는 그 구조상 가동 정지된 후에 사이펀 현상이 발생하는 문제점이 있으므로 이에 대한 대응책이 강구되어야 하고, 대형수조의 특성상 대부분이 지하에 매설되는 형태를 이루므로 수질 관리를 위한 케미컬 공급장치는 수조의 상부에 설치될 수 밖에 없어 그 배관을 하향 설치하여야 하는 것이다.In addition, since the diaphragm pump has a problem in that a siphon phenomenon occurs after the operation is stopped due to its structure, a countermeasure must be taken. Due to the characteristics of a large tank, most of the diaphragm pumps are buried underground, so the chemical supply device for water quality management is It must be installed in the upper part of the tank, so the pipe should be installed downward.
하향 배관구조와 사이펀 현상은 상호 불가분의 관계로서, 펌핑이 시작되어 일정시간 가동 후 정지되었을 때 내부 기압의 차이로 인하여 케미컬은 상기 케미컬 공급장치 내에 저장된 케미컬이 소진될 때까지 지속적으로 투입되므로 케미컬의 정량공급이 이루어지지 못하는 문제점이 발생한다.The downward piping structure and the siphon phenomenon are inseparable from each other. When the pump starts and stops after a certain period of time, due to the difference in the internal air pressure, the chemical is continuously added until the chemical stored in the chemical supply device is exhausted. There is a problem that cannot be supplied.
여기서, 사이펀(Siphon) 현상이란, 최고점의 압력이 대기압 이하로 유지되어 액체를 일단 높은 곳에 끌어 올려놓고 이것을 낮은 곳으로 옮기기 위하여 사용하는 유체가 충만된 대략 역U자형태의 관에서 발생할 수 있는 현상으로, 펌프와 수조를 연결하는 토출관 내의 기압이 대기압보다 낮아짐으로써 펌프의 가동 정지 후에도 유체의 유동이 지속되는 것을 의미한다.In this case, the siphon phenomenon is a phenomenon that may occur in a substantially inverted U-shaped tube filled with a fluid that is used to pull the liquid to a high place and move it to a low place because the pressure at the highest point is kept below atmospheric pressure. In other words, the air pressure in the discharge pipe connecting the pump and the water tank is lower than atmospheric pressure, which means that the flow of the fluid is maintained even after the pump is stopped.
도1 내지 도3은 종래 기술에 따른 반도체 설비용 케미컬 공급장치를 단면 도시한 것으로, 도1은 다이어프램(12)이 압축되면서 흡입밸브(20)를 통해 펌프본체(11)의 공간부(16)로 케미컬이 흡입되는 상태, 도2는 다이어프램(12)이 펌프본체(11)의 공간부(16)를 압축시키면서 흡입밸브(20)는 폐쇄하고 토출밸브(30)는 개방하여 토출관(34) 쪽으로 케미컬을 배출시키는 상태, 도3은 도2의 상태에서 펌프 작동이 정지되었을 때 사이펀 현상에 의해 흡입 및 토출밸브(20)(30)가 동시에 개방되어 케미컬이 유출되는 상태를 각각 나타낸 것이며, 그 기본 구조에 대한 설명은 본 발명의 실시예에서병행하여 상세히 설명하기로 한다.1 to 3 are cross-sectional views showing a chemical supply device for a semiconductor device according to the prior art, Figure 1 is a space 16 of the pump body 11 through the suction valve 20 while the diaphragm 12 is compressed. 2, the diaphragm 12 compresses the space 16 of the pump body 11 while the suction valve 20 is closed and the discharge valve 30 is opened to discharge the discharge pipe 34. 3 shows the state in which the inlet and outlet valves 20 and 30 are simultaneously opened by the siphon phenomenon when the pump is stopped in the state of FIG. Description of the basic structure will be described in detail in parallel in the embodiment of the present invention.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 다이어프램펌프에 의해 케미컬을 이송시키는 장치에 있어서, 사이펀 현상으로 인하여 케미컬이 과다 투입되는 것을 방지할 수 있고, 케미컬의 외부 유출이 발생하지 않게 하여 장치의 신뢰성 및 안전성을 도모할 수 있는 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the conventional problems as described above, in the apparatus for transferring the chemical by the diaphragm pump, it is possible to prevent the excessive introduction of the chemical due to the siphon phenomenon, the outflow of the chemical occurs The purpose of the present invention is to provide a chemical metering and supplying device for semiconductor equipment that can improve the reliability and safety of the device.
도1 내지 도3은 종래 기술에 따른 반도체 설비용 케미컬 공급장치를 도시한 것으로,1 to 3 show a chemical supply device for a semiconductor device according to the prior art,
도1은 다이어프램이 압축되면서 흡입밸브를 통해 펌프본체의 공간부로 케미컬이 흡입되는 상태의 단면도이고,1 is a cross-sectional view of the state where the chemical is sucked into the space of the pump body through the suction valve while the diaphragm is compressed,
도2는 다이어프램이 펌프본체의 공간부를 압축시키면서 흡입밸브는 폐쇄하고 토출밸브는 개방하여 토출관 쪽으로 케미컬을 배출시키는 상태의 단면도이며,2 is a cross-sectional view of a state in which the diaphragm compresses the space portion of the pump body and the suction valve is closed and the discharge valve is opened to discharge the chemical toward the discharge tube.
도3은 도2의 상태에서 펌프 작동이 정지되었을 때 사이펀 현상에 의해 흡입 및 토출밸브가 동시에 개방되어 케미컬이 유출되는 상태의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a state in which the suction and discharge valves are simultaneously opened by the siphon phenomenon when the pump operation is stopped in the state of FIG.
도4 내지 도6은 본 발명에 따른 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치를 도시한 것으로,4 to 6 illustrate a chemical metering device for semiconductor equipment according to the present invention,
도4는 다이어프램이 압축되면서 흡입밸브를 통해 펌프본체의 공간부로 케미컬이 흡입되는 상태의 단면도이고,4 is a cross-sectional view of a state where the chemical is sucked into the space of the pump body through the suction valve while the diaphragm is compressed,
도5는 다이어프램이 펌프본체의 공간부를 압축시키면서 흡입밸브는 폐쇄하고토출밸브는 개방함과 동시에 그 압력에 의해 정량제어밸브가 폐쇄된 채로 토출관 쪽으로 케미컬을 배출시키는 상태의 단면도이며,5 is a cross-sectional view of a state in which the diaphragm compresses the space portion of the pump main body while the intake valve is closed and the discharge valve is opened and at the same time, the chemical is discharged toward the discharge pipe with the quantitative control valve closed by the pressure.
도6은 도5의 상태에서 펌프 작동이 정지되었을 때 사이펀 현상에 의해 토출관이 부압을 유지하여 정량제어밸브가 개방됨으로써 흡입 및 토출밸브가 동시에 폐쇄되어 케미컬 유출을 차단할 수 있도록 된 상태의 단면도이다.6 is a cross-sectional view of a state in which the discharge pipe maintains a negative pressure due to the siphon phenomenon when the pump operation is stopped in the state of FIG. .
도7a 및 도7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치를 도시한 것으로,7A and 7B illustrate a chemical metering device for semiconductor equipment according to another embodiment of the present invention.
도7a는 다이어프램펌프가 가동되면서 그 토출관 내부의 압력이 대기압 이상을 유지하여 정량제어밸브가 폐쇄된 상태의 단면도이고,FIG. 7A is a cross-sectional view of a state in which the diaphragm pump is operated and the pressure inside the discharge tube maintains the atmospheric pressure higher than the fixed quantity control valve;
도7b는 다이어프램펌프가 가동 정지되면서 그 토출관 내부의 압력이 부압을 유지하여 정량제어밸브가 개방됨으로써 다이어프램펌프의 흡입 및 토출밸브가 동시에 폐쇄되어 상기 토출관을 통한 케미컬 유출을 차단할 수 있도록 된 상태의 단면도이다.7B is a state in which the pressure inside the discharge tube maintains a negative pressure while the diaphragm pump is stopped, and the quantity control valve is opened, thereby simultaneously closing the suction and discharge valves of the diaphragm pump to block chemical outflow through the discharge pipe. It is a cross section of.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing
1 ; 유체관 10 ; 다이어프램펌프One ; Fluid tube 10; Diaphragm pump
11 ; 펌프본체 12 ; 다이어프램11; Pump body 12; Diaphragm
13 ; 이송로드 14 ; 펌프블럭13; Feed rod 14; Pump block
15 ; 관통구 16 ; 공간부15; Through hole 16; Space
20 ; 흡입밸브 21, 31, 41 ; 밸브몸체20; Intake valves 21, 31, 41; Valve body
22, 32, 42 ; 볼 23, 33, 43 ; 메쉬22, 32, 42; Balls 23, 33, 43; Mesh
24 ; 흡입관 30 ; 토출밸브24; Suction pipe 30; Discharge valve
34, 46 ; 토출관 40 ; 정량제어밸브34, 46; Discharge tube 40; Quantitative control valve
44 ; 흡기관 45 ; 연결블럭44; Intake pipe 45; Connection block
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치는 직선왕복 운동하는 이송로드에 의해 신축되는 다이어프램이 내장된 다이어프램펌프와, 상기 다이어프램펌프의 하부에 연결된 흡입관을 통해 케미컬이 유입될 수 있도록 개폐되는 흡입밸브와, 상기 다이어프램펌프의 상부에 연결된 토출관을 통해 케미컬이 배출될 수 있도록 개폐되는 그리고 밸브몸체와 연결블럭으로 이루어진 토출밸브로 구성된 케미컬 공급장치에 있어서, 상기 토출관 내의 압력이 부압 상태일 때 외부공기를 인입하여 케미컬의 흐름을 차단하고, 상기 압력이 대기압 이상일 때 외부로부터 공기의 인입이 이루어지지 않도록 밀폐함으로써 일정량의 케미컬을 공급하기 위한 정량제어밸브가 상기 토출밸브의 밸브몸체에 형성된 토출관으로 통하는 상기 연결블럭의 상부에 일체로 설치된다.Chemical quantitative supply device for semiconductor equipment according to the present invention for achieving the above object is a diaphragm pump with a built-in diaphragm stretched by a transfer rod for a linear reciprocating movement, and the chemical inflow through the suction pipe connected to the lower portion of the diaphragm pump A chemical supply device comprising a suction valve opened and closed so as to be opened and closed, and a discharge valve opened and closed to discharge the chemical through a discharge pipe connected to an upper portion of the diaphragm pump, and comprising a valve body and a connecting block, wherein When the pressure is under negative pressure, the external air is drawn in to block the flow of the chemical, and when the pressure is above atmospheric pressure, the quantitative control valve for supplying a certain amount of chemical is sealed by preventing the inflow of air from the outside. It is integrally installed on the upper portion of the connection block to the discharge pipe formed in the valve body of the discharge valve.
상기 정량제어밸브의 밸브몸체 내에는 압력 정도에 따른 상하 유동에 의해 개폐 가능하도록 볼이 설치되고, 상기 볼의 이탈을 방지하기 위한 메쉬가 설치되며, 상기 정량제어밸브의 밸브몸체 외측으로는 외부공기와 통하는 흡기관이 형성된 것을 특징으로 한다.A ball is installed in the valve body of the metered control valve so as to be opened and closed by vertical flow according to the pressure level, and a mesh is installed to prevent the ball from being separated, and the outside air is outside the valve body of the metered control valve. Characterized in that the intake pipe is formed to communicate with.
한편, 상기 정량제어밸브는 외부의 냉각수 수조와 통하는 배관 상에 설치된 것을 특징으로 한다.On the other hand, the metered control valve is characterized in that installed on the pipe communicating with the external cooling water tank.
이하, 본 발명의 구체적인 일 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도4 내지 도6은 본 발명에 따른 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치를 단면 도시한 것으로, 도4는 다이어프램(12)이 압축되면서 흡입밸브(20)를 통해 펌프본체(11)의 공간부(16)로 케미컬이 흡입되는 상태, 도5는 다이어프램(12)이 펌프본체(11)의 공간부(16)를 압축시키면서 흡입밸브(20)는 폐쇄하고 토출밸브(30)는 개방함과 동시에 그 압력에 의해 정량제어밸브(40)가 폐쇄된 채로 토출관(46) 쪽으로 케미컬을 배출시키는 상태, 도6은 도5의 상태에서 펌프 작동이 정지되었을 때 사이펀 현상에 의해 토출관(46)이 부압을 유지하여 정량제어밸브(40)가 개방됨으로써 흡입 및 토출밸브(20)(30)가 동시에 폐쇄되어 케미컬 유출을 차단할 수 있도록 된 상태를 각각 나타낸 것이다.4 to 6 are cross-sectional views showing a chemical metering device for semiconductor equipment according to the present invention, and FIG. 4 shows a space portion 16 of the pump body 11 through the suction valve 20 while the diaphragm 12 is compressed. 5 is a state in which the chemical is sucked, Figure 5 shows that the diaphragm 12 compresses the space 16 of the pump body 11, the intake valve 20 is closed and the discharge valve 30 is opened and the pressure Discharges the chemical toward the discharge tube 46 while the fixed-quantity control valve 40 is closed, and FIG. 6 shows that the discharge tube 46 receives negative pressure due to the siphon phenomenon when the pump operation is stopped in the state of FIG. By holding the quantitative control valve 40 is opened, the suction and discharge valves 20 and 30 are simultaneously closed to show a state in which the chemical outflow can be blocked.
상기 도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치는 직선왕복 운동하는 이송로드(13)에 의해 신축되는 다이어프램(12)이 내장된 다이어프램펌프(10)와, 상기 다이어프램펌프(10)의 하부에연결된 흡입관(24)을 통해 케미컬이 유입될 수 있도록 개폐되는 흡입밸브(20)와, 상기 다이어프램펌프(10)의 상부에 연결된 토출관(46)을 통해 케미컬이 배출될 수 있도록 개폐되는 토출밸브(30)와, 상기 토출관(46) 내의 압력이 부압(-압력) 상태일 때 외부공기를 인입하여 흐름을 차단하고 상기 압력이 대기압 이상(+압력)일 때 외부로부터 밀폐함으로써 일정량의 케미컬을 공급하기 위한 정량제어밸브(40)로 구성되어 있다.As shown in the drawings, the chemical metering device for semiconductor equipment according to the present invention is a diaphragm pump 10, the diaphragm 12 is built in and contracted by a transfer rod 13 reciprocating linearly, and the diaphragm pump The chemical may be discharged through the suction valve 20 which is opened and closed so that the chemical is introduced through the suction pipe 24 connected to the lower part of the 10, and the discharge pipe 46 connected to the upper portion of the diaphragm pump 10. Discharge valve 30 which is opened and closed so that the air flows in when the pressure in the discharge pipe 46 is negative pressure (-pressure) to block the flow, and is sealed from the outside when the pressure is above atmospheric pressure (+ pressure). It is composed of a fixed amount control valve 40 for supplying a predetermined amount of chemical.
여기서, 종래 기술의 구조는 본 발명과 동일한 기술적 구성에 한하여 동일 부호를 부여하였음을 밝혀 둔다.Here, the structure of the prior art is given the same reference numerals only in the same technical configuration as the present invention.
상기 정량제어밸브(40)는 상기 다이어프램펌프(10)의 토출밸브(30) 상부 외측에 마련되어 토출관(46)으로 통하는 연결블럭(45)과 일체로 형성되고, 상기 정량제어밸브의 밸브몸체(41) 내에는 압력 정도에 따른 상하 유동에 의해 개폐 가능하도록 볼(42)이 설치되고, 상기 볼(42)의 이탈을 방지하기 위한 메쉬(43)가 설치되며, 상기 밸브몸체(41)의 외측으로는 외부공기와 통하는 흡기관(44)이 형성되어 있다. 상기 메쉬(43)는 내화학성의 금속망 형태이므로 케미컬의 유출입이 자유롭게 이루어질 수 있다.The metering control valve 40 is formed on the upper side of the discharge valve 30 of the diaphragm pump 10 and integrally formed with a connection block 45 to the discharge pipe 46, the valve body of the metering control valve ( The ball 42 is installed in the 41 so as to be opened and closed by vertical flow according to the degree of pressure, and a mesh 43 for preventing the ball 42 from being separated is installed, and the outside of the valve body 41. An intake pipe 44 communicating with the outside air is formed. Since the mesh 43 is in the form of a metal mesh, chemicals may flow in and out freely.
상기 정량제어밸브(40)와 관련하여, 상기 흡입밸브(20) 및 토출밸브(30)의 구조는 도면 상에서 그 부호를 달리하였을 뿐, 동일한 구성이며, 구체적인 구조에 대해서는 상기한 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 및 상기 도면을 참조하면 쉽게 이해할 수 있으므로 중복 설명을 생략하기로한다.With respect to the metering control valve 40, the structure of the intake valve 20 and the discharge valve 30 is the same configuration, the reference numerals are different on the drawings, and the specific structure is described in the main part of the drawings. Referring to the description of the reference numerals and the above drawings, it will be easily understood, so redundant description will be omitted.
또한, 상기 다이어프램펌프(10)는 중앙부에 관통구(15)가 형성된 펌프블럭(14)에 고정되고, 그 사이에 상기 다이어프램(12)이 개재되며, 상기 다이어프램(12)은 관통구(15)를 통하여 이송로드(13)과 연결된 것이다.In addition, the diaphragm pump 10 is fixed to a pump block 14 having a through hole 15 formed at a central portion thereof, and the diaphragm 12 is interposed therebetween, and the diaphragm 12 has a through hole 15. It is connected with the transfer rod 13 through.
한편, 도7a 및 도7b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치를 단면 도시한 것으로, 상기 정량제어밸브(40)는 외부의 냉각수 수조와 통하는 배관 상에 설치될 수 있다.On the other hand, Figure 7a and 7b is a cross-sectional view showing a chemical metering device for semiconductor equipment according to another embodiment of the present invention, the metering control valve 40 may be installed on the pipe communicating with the external cooling water tank. .
즉, 도7a는 다이어프램펌프(미도시)가 가동되면서 그 토출관, 즉, 유체관(1) 내부의 압력이 대기압 이상을 유지하여 정량제어밸브(40)가 폐쇄된 상태, 상기 도7b는 다이어프램펌프가 가동 정지되면서 그 유체관(1) 내부의 압력이 부압을 유지하여 정량제어밸브(40)가 개방됨으로써 다이어프램펌프의 흡입 및 토출밸브(미도시)가 동시에 폐쇄되어 상기 유체관(1)을 통한 케미컬 유출을 차단할 수 있도록 된 상태를 각각 나타낸 것이다.That is, FIG. 7A is a state in which the diaphragm pump (not shown) is operated and the discharge tube, that is, the pressure inside the fluid tube 1 is maintained at or above atmospheric pressure, so that the metering control valve 40 is closed. As the pump stops operating, the pressure inside the fluid pipe 1 maintains a negative pressure so that the metering control valve 40 is opened, thereby simultaneously closing the intake and discharge valves (not shown) of the diaphragm pump to close the fluid pipe 1. Each state is shown to be able to block the chemical spill through.
상기 실시예는 다이어프램펌프(10)와 냉각수 수조의 이격거리가 큰 경우에 이를 연결하는 유체관(1)의 일측 상부에 적합한 형태로 볼 수 있다.The embodiment can be seen in a form suitable for the upper side of the one side of the fluid pipe (1) connecting the diaphragm pump 10 and when the separation distance between the cooling water tank is large.
이상에서 기술한 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 설비용 케미컬 정량공급장치에 의하면, 다이어프램펌프에 의해 케미컬을 이송시키는 장치에 있어서, 상기 다이어프램펌프의 외측에 정량제어밸브를 설치하여 배관 내의 압력이 대기압을 유지할 수 있게 함으로써 사이펀 현상으로 인한 케미컬의 과다 투입을 방지할 수 있고, 케미컬의 외부 유출이 발생하지 않게 하여 장치의 신뢰성 및 안전성을 도모할 수 있는 효과가 있다.According to the chemical metering device for semiconductor equipment according to the present invention as described above, in the device for transferring the chemical by the diaphragm pump, a pressure control valve is provided outside the diaphragm pump so that the pressure in the pipe is reduced to atmospheric pressure. By maintaining it, it is possible to prevent the excessive input of the chemical due to the siphon phenomenon, and to prevent the outflow of the chemical to occur, there is an effect that can improve the reliability and safety of the device.
이상의 설명에서와 같이 본 발명은 하나의 바람직한 구체예에 대해서만 기술하였으나, 상기의 구체예를 바탕으로 한 본 발명의 기술사상 범위 내에서의 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 또한, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.As described above, the present invention has been described for only one preferred embodiment, but it is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the technical spirit of the present invention based on the above embodiments. It is natural that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990032978A KR100332951B1 (en) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | Apparatus for supplying quantitative chemical in semiconductor facilities |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990032978A KR100332951B1 (en) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | Apparatus for supplying quantitative chemical in semiconductor facilities |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010017463A KR20010017463A (en) | 2001-03-05 |
| KR100332951B1 true KR100332951B1 (en) | 2002-04-20 |
Family
ID=19606863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990032978A KR100332951B1 (en) | 1999-08-11 | 1999-08-11 | Apparatus for supplying quantitative chemical in semiconductor facilities |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100332951B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101118296B1 (en) * | 2004-12-22 | 2012-03-20 | 주식회사 포스코 | Structure of pump for preventing siphon phenomenon |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853686A (en) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Z Kogyo:Kk | Fluid pressure drive type constant quantity pump |
| JPH05326405A (en) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor manufacturing apparatus |
| KR970014114A (en) * | 1995-08-24 | 1997-03-29 | 배순훈 | METHOD FOR CONTROLLING MODE CONVERTING FOR COMPOSTION TYPE VIDEO REPRODUCING SYSTEM |
| JPH1164341A (en) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Hitachi Ltd | Chemical analyzing apparatus |
| JPH1187295A (en) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate-processing system |
-
1999
- 1999-08-11 KR KR1019990032978A patent/KR100332951B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5853686A (en) * | 1981-09-25 | 1983-03-30 | Z Kogyo:Kk | Fluid pressure drive type constant quantity pump |
| JPH05326405A (en) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Fuji Electric Co Ltd | Semiconductor manufacturing apparatus |
| KR970014114A (en) * | 1995-08-24 | 1997-03-29 | 배순훈 | METHOD FOR CONTROLLING MODE CONVERTING FOR COMPOSTION TYPE VIDEO REPRODUCING SYSTEM |
| JPH1164341A (en) * | 1997-08-20 | 1999-03-05 | Hitachi Ltd | Chemical analyzing apparatus |
| JPH1187295A (en) * | 1997-09-03 | 1999-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate-processing system |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101118296B1 (en) * | 2004-12-22 | 2012-03-20 | 주식회사 포스코 | Structure of pump for preventing siphon phenomenon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010017463A (en) | 2001-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR0120732B1 (en) | Automatic air pressure pump | |
| KR100210224B1 (en) | Diaphragm pump | |
| CA2204917C (en) | A vented metering pump | |
| US9797120B1 (en) | Anti-air lock negative and/or vacuum pressure air admittance connector | |
| US4257748A (en) | Flow indicator for positive displacement pump | |
| US6513542B1 (en) | Liquid supply or drain pipe equipped with a leakage detector | |
| US5213586A (en) | Vent check valve | |
| US3883275A (en) | Modular pump assembly | |
| US5498138A (en) | Sampling pump having a fluid motor pressure regulator | |
| US5980736A (en) | Apparatus and process for processing rain and/or surface water | |
| KR100332951B1 (en) | Apparatus for supplying quantitative chemical in semiconductor facilities | |
| US4599047A (en) | Chemical feed pump flow indicator | |
| KR20140002105A (en) | Pipe cleaning apparatus | |
| US7387502B1 (en) | Method and apparatus for elimination of gases in pump feed/injection equipment | |
| KR100831999B1 (en) | A pressure tank | |
| US5674055A (en) | Piston sealing arrangement for a sampling pump system | |
| KR20010076831A (en) | Recharger for fabricating semiconductor | |
| US6024113A (en) | Method of preventing external contamination in multiple tank fluid systems | |
| US3418940A (en) | Fluid material transfer apparatus | |
| US2524966A (en) | Chlorinating unit | |
| RU2293881C2 (en) | Device for batching fluid | |
| CN219299597U (en) | Recovery device for mechanical seal sealing water of condensate pump | |
| US5447193A (en) | Apparatus for injecting a volume of liquid into a liquid-conducting system | |
| KR20040032290A (en) | Pulsation absorbing device and pump with the device | |
| CN219245109U (en) | Automatic sampling device for wastewater online automatic monitoring equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070327 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |