KR100323693B1 - method for fabricating microstructures - Google Patents
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Abstract
마이크로머시닝(micromachining) 공정을 이용하여 높은 종횡비를 갖는 미세 구조물을 제조하는 방법에 관한 것으로, 절연층이 형성된 기판상에 사진 묘화 공정 및 식각 공정으로 소정 형상을 갖는 희생층을 형성하고, 희생층의 일부분이 노출되도록 희생층 및 절연층상에 소정 형상을 갖는 씨드층을 형성한다. 그리고, 노출된 희생층상에 후막 감광막을 도포하여 마스크 정렬기 등으로 노광 및 현상하여 도금틀을 형성하고, 씨드층상에 금속층을 선택적으로 도금한 후, 희생층 및 도금틀을 동시에 제거하여 움직이는 금속 구조물을 릴리즈시켜 미세 구조물을 완성한다. 그러므로, 높은 종횡비를 가지고, 양산성 및 제조 원가를 절감하며, 단순화할 수 있는 미세 구조물을 제작할 수 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a microstructure having a high aspect ratio using a micromachining process, wherein a sacrificial layer having a predetermined shape is formed on a substrate on which an insulating layer is formed by a photo drawing process and an etching process, A seed layer having a predetermined shape is formed on the sacrificial layer and the insulating layer so that a portion thereof is exposed. Then, a thick film photoresist is applied on the exposed sacrificial layer to expose and develop with a mask aligner or the like to form a plating frame, selectively plate a metal layer on the seed layer, and then simultaneously remove the sacrificial layer and the plating frame to move the metal structure. Release to complete the microstructure. Therefore, it is possible to manufacture microstructures having a high aspect ratio, reducing mass productivity and manufacturing cost, and simplifying.
Description
본 발명은 마이크로머시닝(micromachining) 공정을 이용하여 높은 종횡비를 갖는 미세 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing microstructures having a high aspect ratio using a micromachining process.
최근 반도체 일관 공정에 기반한 미세 구조물(microstructures)제작 기술의 발전으로, 유용한 각종 센서 및 액튜에이터, 광학 부품, 고주파(radio frequency)부품 등이 초소형으로 실리콘 등의 기판상에 집적된 형태로 제작되고 있다.Recently, with the development of microstructures manufacturing technology based on semiconductor integrated process, various kinds of useful sensors and actuators, optical components, radio frequency components, etc. are manufactured in a compact form on a substrate such as silicon.
이때, 미세 구조물의 제작 방식은 크게 두 가지로 나뉘어질 수 있다.At this time, the manufacturing method of the microstructure can be largely divided into two.
첫 번째 방법은 기판을 습식 식각 또는 깊은 실리콘 반응성 이온 식각(deep silicon reactive ion etch) 등의 기술과 양극 접합(anodic bonding) 등의 기술을 조합하여 3차원 구조물을 만드는 벌크 마이크로머시닝(bulk micromachining) 방법이고, 두 번째 방법은 수 마이크로미터 정도의 두께를 갖는 다결정 실리콘과 같은 반도체나 금속을 희생층 위에 증착하고 형상한 후, 그 희생층을 식각 선택도를 이용하여 제거함으로써, 움직일 수 있는 미세 구조물을 구현하는 표면 마이크로머시닝(surface micromachining) 방법이다.The first method is a bulk micromachining method that combines a substrate such as wet etching or deep silicon reactive ion etch with techniques such as anodic bonding to create a three-dimensional structure. The second method is to deposit and shape a semiconductor or metal such as polycrystalline silicon having a thickness of several micrometers on the sacrificial layer, and then remove the sacrificial layer using etch selectivity to remove the movable microstructure. Surface micromachining method to implement.
그러나, 다결정 실리콘과 같은 반도체를 미세 구조물의 재료로 사용하는 표면 마이크로머시닝 방법은 증작되는 구조물의 두께가 공정상의 문제로 제한되기 때문에 구조물의 폭 대 높이비인 종횡비(aspect ratio)가 낮은 값으로 제한되는 단점이 있다.However, the surface micromachining method using a semiconductor such as polycrystalline silicon as the material of the microstructure is limited to a low aspect ratio, which is a width-to-height ratio of the structure, because the thickness of the structure to be deposited is limited by process problems. There are disadvantages.
최근 널리 응용되고 있는 정전기력을 이용한 미세 액튜에이터(micro actuator)에서는 구조물의 종횡비에 의해서 구동 전압 및 출력이 결정되고, 구조물의 벽면(sidewall)을 감지 전극으로 사용하는 용량형 센서에서는 종횡비와 구조물의 두께 또는 높이에 정비례해서 감도가 높아지기 때문에 고감도의 용량형 센서를 위해서는 높은 종횡비(high aspect ratio)를 갖는 구조물의 제작 방법이 매우 중요하다.In micro actuators using electrostatic force, which are widely used in recent years, the driving voltage and output are determined by the aspect ratio of the structure, and in the capacitive sensor that uses the sidewall of the structure as the sensing electrode, the aspect ratio and the thickness of the structure are Since the sensitivity is increased in direct proportion to the height, a method of manufacturing a structure having a high aspect ratio is very important for a high sensitivity capacitive sensor.
또한, 액튜에이터가 액튜에이터 위에 집적된 기능요소를 구동시키기 위한 셔틀(shuttle)의 기능을 하는 경우에는 그 기능요소를 지지할 수 있도록 액튜에이터 구조물의 기계적 강성을 크게 하는 것이 바람직하다.In addition, when the actuator functions as a shuttle for driving a functional element integrated on the actuator, it is desirable to increase the mechanical rigidity of the actuator structure so as to support the functional element.
그리고, 구동/감지 방향으로는 변위가 용이하고 이 방향 이외의 축 방향(cross axis)으로는 변위가 충분히 억제할 수 있도록 높은 종횡비를 유지하는 것 역시 고 정밀도의 센서나 액튜에이터의 성능을 향상시키는데 중요한 문제가 된다.In addition, maintaining a high aspect ratio so that displacement is easy in the driving / sensing direction and displacement can be sufficiently suppressed in a cross axis other than this direction is also important for improving the performance of a high precision sensor or actuator. It is a problem.
그러므로, 종래에는 이러한 높은 종횡비를 얻기 위하여 LIGA 방법을 사용하였다.Therefore, the LIGA method has been conventionally used to obtain such a high aspect ratio.
LIGA 방법은 도 1에 도시된 바와 같이 싱크로트론(synchrotron)에서 얻는 뢴트겐 선 또는 X 선을 조사하여 여러 차례에 걸친 도포 등의 방법으로 수십에서 수백 마이크로미터 두께를 갖는 PMMA와 같은 X선에 감응하는 레지스트(resist)를 형상(patterning)하고, 형상된 레지스트를 도금틀(mold)로 하여 도금한 후, 그 레지스트를 제거함으로써, 원하는 높은 종횡비를 갖는 구조물을 제작하는 방법이다.The LIGA method is a resist that is sensitive to X-rays such as PMMA having a thickness of several tens to hundreds of micrometers by irradiation of roentgen or X-rays obtained from synchrotron as shown in FIG. It is a method of manufacturing a structure having a desired high aspect ratio by patterning the resist, plating the shaped resist with a plating mold, and then removing the resist.
그러나, LIGA 방법은 고가의 X선 광원이 필요하고, 특수 제작되는 고가의 X선 마스크가 필요하며, 여러 차례의 도포 등으로 인하여 양산성을 떨어뜨리는 단점들이 있다.However, the LIGA method requires an expensive X-ray light source, an expensive X-ray mask that is specially manufactured, and has disadvantages in that it is inferior in mass productivity due to several applications.
또한, 종래의 LIGA 방법은 단순히 X선 조사로 생성되는 도금틀에 미세 구조물로 쓰이는 금속을 도금한 후, 그 도금틀을 유기 용액으로 녹여내거나 산소 플라즈마(plasma)로 식각(ashing)해 내는 방법을 이용한다.In addition, the conventional LIGA method is simply a method of plating a metal used as a microstructure on the plating mold generated by X-ray irradiation, and then dissolving the plating mold in an organic solution or etching with an oxygen plasma. I use it.
그러나, 이 방법은 미세 구조물 전체가 기판에 고정되어 있는 경우에는 매우 실용적이지만, 일부의 구조물은 일정 방향으로 움직이는 자유도를 갖고 나머지는 기판에 고정되어야 하는 다양한 센서나 액튜에이터 등을 구현하기 위해서는 추가적인 공정이 불가피하게 된다.However, this method is very practical when the entire microstructure is fixed to the substrate. However, some structures have a degree of freedom in moving in a certain direction, and others require additional processes to implement various sensors or actuators that need to be fixed to the substrate. It is inevitable.
상기 종래의 미세 구조물 제조방법에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.The conventional microstructure manufacturing method has the following problems.
첫째, 종래 기술은 고가의 X선 광원이 필요하고, 특수 제작되는 고가의 X선 마스크가 필요하며, 여러 차례의 도포 등으로 인하여 양산성이 저하되고, 제조 원가가 상승한다.First, the prior art requires an expensive X-ray light source, an expensive X-ray mask that is specially manufactured, and due to several coatings, mass productivity is lowered and manufacturing costs are increased.
둘째, 종래 기술은 단순히 X선 조사로 생성되는 도금틀에 미세 구조물로 쓰이는 금속을 도금한 후, 그 도금틀을 제거하기 때문에 일부의 구조물이 일정 방향으로 움직이는 자유도를 가져야 하는 경우에는 추가 공정이 필요하므로 공정이 복잡하다.Second, the prior art simply plated a metal used as a microstructure on a plating frame generated by X-ray irradiation, and then removes the plating frame, so that some structures need to have additional degrees of freedom in moving in a certain direction. Therefore, the process is complicated.
본 발명은 이와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로, 높은 종횡비를 갖는 미세 구조물 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to provide a method for manufacturing a microstructure having a high aspect ratio.
본 발명의 다른 목적은 사진 묘화 공정을 이용하여 양산성 및 제조 원가를 절감하는 미세 구조물 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for producing a microstructure that reduces mass production and manufacturing cost by using a photo-drawing process.
본 발명의 또 다른 목적은 미세 구조물의 움직이는 부분과 고정부를 동시에제작하여 공정을 단순화할 수 있는 미세 구조물 제조방법을 제공하는데 있다.Still another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a microstructure that can simplify the process by simultaneously manufacturing a moving part and a fixing part of the microstructure.
도 1는 종래 기술에 따른 미세 구조물의 제조 공정을 보여주는 구조단면도1 is a structural cross-sectional view showing a manufacturing process of a microstructure according to the prior art
도 2는 본 발명에 따른 미세 구조물의 제조 공정을 보여주는 구조단면도Figure 2 is a structural cross-sectional view showing a manufacturing process of the microstructure according to the present invention
도 3a는 콤 형태의 미세 구조물을 보여주는 사시도Figure 3a is a perspective view showing a microstructure in the form of a comb
도 3b는 도 3a의 콤 부분의 단면도 및 평면도의 치수를 보여주는 도면FIG. 3B shows a cross sectional view and a plan view of the comb portion of FIG. 3A;
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 미세 구조물의 제조공정을 보여주는 공정단면도4a to 4e is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the microstructure according to the present invention
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
1 : 기판 2 : 절연층1 substrate 2 insulation layer
3 : 희생 금속층 4,5 : 씨드 금속층3: sacrificial metal layer 4,5 seed metal layer
7 : 도금틀 8,9 : 금속층7: plating frame 8,9: metal layer
10 : 간극10: gap
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 미세 구조물 제조방법은 절연층이 형성된 기판상에 소정 형상을 갖는 희생층을 형성하는 단계와, 희생층의 일부분이 노출되도록 희생층 및 절연층상에 소정 형상을 갖는 씨드층을 형성하는 단계와, 노출된 희생층상에 도금틀을 형성하는 단계와, 씨드층상에 금속층을 도금하는 단계와, 희생층 및 도금틀을 제거하는 단계로 이루어진다.In order to achieve the above object, the method for manufacturing a microstructure according to the present invention includes forming a sacrificial layer having a predetermined shape on a substrate on which an insulating layer is formed, and forming a predetermined shape on the sacrificial layer and the insulating layer so that a portion of the sacrificial layer is exposed. Forming a seed layer having a, forming a plating frame on the exposed sacrificial layer, plating a metal layer on the seed layer, and removing the sacrificial layer and the plating frame.
이와 같은 제조 공정 단계에 의해 마이크로미터 수준의 구조물 평면 치수 조절 정밀도 및 수십 마이크로미터 이상의 구조물 두께를 형성하여 높은 종횡비를 갖도록 구현 할 수 있다.By this manufacturing process step can be implemented to have a high aspect ratio by forming a structure plane of the micrometer level adjustment precision and the structure thickness of several tens of micrometers or more.
본 발명은 희생층 패턴과 씨드층 패턴을 사진 묘화 공정 및 식각 공정으로 형성하고, 자외선 영역의 파장을 갖는 반도체 일관 공정용 사진 묘화 장치를 이용하여 도금틀을 형상(patterning)한다. 또한, 이종의 금속을 이용하여 특정한 부분에서만 선택적으로 도금이 진행되도록 구조물 형성을 선택적/자체 정렬 방식(self aligned method)으로 시행하고, 희생층 및 도금틀을 동시에 제거하여 도금된 미세 구조물의 움직이는 영역을 릴리즈(release)시킨다.According to the present invention, the sacrificial layer pattern and the seed layer pattern are formed by a photolithography process and an etching process, and the plating mold is patterned using a photolithography apparatus for semiconductor integrated processes having a wavelength in the ultraviolet region. In addition, the formation of the structure is performed by a selective / self aligned method so that the plating is selectively performed only at specific portions using different metals, and the moving area of the plated microstructure is removed by simultaneously removing the sacrificial layer and the plating frame. Release the.
이와 같이 사진 묘화 공정을 사용하여 미세 구조물의 움직이는 부분과 고정부를 동시에 제작함으로써, 양산성 및 제조원가가 절감되고, 공정이 단순화된다.By using the photo-drawing process as described above, by simultaneously manufacturing the moving part and the fixing part of the microstructure, mass productivity and manufacturing cost are reduced, and the process is simplified.
본 발명의 다른 목적, 특징 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해 질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.
본 발명에 따른 미세 구조물 제조방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Referring to the accompanying drawings, a preferred embodiment of the method for manufacturing a microstructure according to the present invention will be described.
먼저, 종래와 본 발명의 실시예에 대한 미세 구조물의 공정 방법을 비교해 보면 도 1 및 도 2와 같다.First, comparing the process method of the microstructures according to the embodiment of the present invention and the prior art as shown in Figs.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 기술에서는 X 선을 발생시키는 싱크로트론을 이용하여 후막 X 선 레지스트에 다이아프램 형태로 특수 제작된 노광 마스크를 통하여 원하는 패턴을 전사(transform)하고 이를 현상(develop)하여 도금틀을 제작하는 방식이지만, 본 발명은 도 2에 도시된 바와 같이, 후막 감광제인 SU-8 등을 도포한 기판을 자외선 파장 영역의 노광기 및 반도체 일관 제조 공정에서 널리 쓰이는 포토마스크를 통하여 패턴을 전사한 후, 현상(develop) 공정을 수행하여 도금틀을 형성하는 방식이다.As shown in FIG. 1, in the related art, a desired pattern is transformed and developed through an exposure mask specially manufactured in a diaphragm form to a thick film X-ray resist using a synchrotron generating X-rays. Although the present invention is a method of manufacturing a plating mold, as shown in FIG. 2, the substrate coated with SU-8, which is a thick film photosensitive agent, is patterned through a photomask widely used in an exposure machine and a semiconductor integrated manufacturing process in an ultraviolet wavelength region. After the transfer, a development process is performed to form a plating mold.
정전기력이 구동/감지 방식으로 이용되는 측방향 구동(side drive) 액튜에이터나 센서의 경우에는 구동력(actuation force)이나 감도의 척도인 정전용량(capacitance)이 미세 구조물의 측벽면의 높이 t, 수평 방향의 치수-측벽 간의 간극 g, 탄상체 지지부(flexural spring)의 폭의 비인 종횡비에 비례하게 된다.In the case of a side drive actuator or sensor in which electrostatic force is used as a driving / sensing method, the capacitance, which is a measure of actuation force or sensitivity, is determined by the height t of the sidewall surface of the microstructure, and the horizontal direction. It is proportional to the aspect ratio, which is the ratio of the gap g between the dimension-side walls, the width of the flexural spring.
도 3b에 표시된 치수를 참조하여 이 관계를 식으로 표시하면 다음과 같다.With reference to the dimensions shown in Figure 3b, this relationship is expressed as an equation:
구동력 : F ∝ Driving force: F ∝
정전용량 : C ∝ Capacitance: C ∝
따라서, 종횡비를 나타내는를 크게 할수록 액튜에이터의 구동력을 크게 하거나 구동 전압을 낮출 수 있고, 감지되는 정전용량을 크게 함으로써 감도를 향상시킬 수 있다.Thus, the aspect ratio The larger the value, the greater the driving force of the actuator or the lower the driving voltage, and the higher the sensed capacitance.
그러므로, 본 발명에서는 선택적 도금 기법과 희생층 선택적 식각 기술을 결합하여 도금틀을 제거함으로써, 기판으로부터 릴리즈(release)되어 움직일 수 있는 미세 구조물과 기판에 고정된 미세 구조물의 제작을 동시에 구현할 수 있는 제조방법을 제안한다.Therefore, in the present invention, by combining the selective plating technique and the sacrificial layer selective etching technique to remove the plating frame, it is possible to simultaneously manufacture the microstructure that can be released and moved from the substrate and the fabrication of the microstructure fixed to the substrate Suggest a method.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 미세 구조물의 제조 공정을 보여주는 공정단면도 및 사시도이다.4A to 4E are cross-sectional views and perspective views showing a manufacturing process of the microstructure according to the present invention.
먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이 절연층(2)이 형성된 기판(1)상에 희생층으로 이용되는 희생 금속층(3)을 필요한 두께만큼 증착한 후 사진 묘화 공정, 습식 또는 건식 식각으로 형상한다.First, as shown in FIG. 4A, a sacrificial metal layer 3 used as a sacrificial layer is deposited on a substrate 1 on which the insulating layer 2 is formed, and then formed by a photo-writing process, wet or dry etching. .
여기서, 희생 금속층(3) 패턴을 리프트-오프(lift-off) 방법으로 제작할 수도 있다.Here, the sacrificial metal layer 3 pattern may be manufactured by a lift-off method.
그리고, 희생 금속층(3)은 후 공정에서 미세 구조물로 사용될 금속을 도금할 때, 희생 금속층(3)상에는 도금이 진행되지 않는 도금 선택도를 갖는 금속을 사용한다.In addition, when the sacrificial metal layer 3 is plated with a metal to be used as a microstructure in a later process, a metal having a plating selectivity on which the plating does not proceed is used on the sacrificial metal layer 3.
예를 들면, 니켈을 구조물용 금속으로 이용할 경우, 희생 금속층(3)은 알루미늄을 사용하면 된다.For example, when nickel is used as the metal for the structure, aluminum may be used for the sacrificial metal layer 3.
이어, 도 4b에 도시된 바와 같이 구조물 금속을 도금할 때 씨드(seed)로 쓰이는 씨드 금속층(4,5)을 증착하고 사진 묘화 공정과 식각 공정을 거쳐 형성한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 4B, seed metal layers 4 and 5, which are used as seeds when plating the structure metal, are deposited and formed through a photo-drawing process and an etching process.
여기서, 씨드 금속층(4, 5)은 희생 금속층(3)을 식각하는 릴리즈 공정에서, 희생 금속층(3)의 식각용 화학 약품에 식각되지 않는 물질을 사용해야 한다.Here, the seed metal layers 4 and 5 should use a material that is not etched in the etching chemical of the sacrificial metal layer 3 in the release process of etching the sacrificial metal layer 3.
또한, 씨드 금속층(4)의 패턴은 희생 금속층(3)의 식각을 위해 희생 금속층(3)을 완전히 덮지 않도록 희생 금속층(3)의 일부를 노출시켜야 한다.In addition, the pattern of the seed metal layer 4 should expose a portion of the sacrificial metal layer 3 so as not to completely cover the sacrificial metal layer 3 for etching the sacrificial metal layer 3.
그리고, 도 4c에 도시된 바와 같이 전면에 후막 감광막을 도포하고, 마스크 정렬기 등을 이용하여 노광한 후, 현상하여 도금틀(7) 형상을 만든다.Then, a thick film photosensitive film is coated on the entire surface as shown in FIG. 4C, exposed using a mask aligner or the like, and then developed to form a plating mold 7.
여기서, 도금틀(7) 패턴은 후 공정인 릴리즈 공정시에 희생 금속층(3)을 식각하기 위해 식각액이 공급될 수 있도록 희생 금속층(3)을 완전히 덮지 않게 최소한의 오버레이(overlay)를 두도록 설계하여야 한다.Here, the plating frame 7 pattern should be designed to have a minimum overlay so as not to completely cover the sacrificial metal layer 3 so that an etchant may be supplied to etch the sacrificial metal layer 3 during a later release process. do.
예를 들어, 씨드 금속층(4)과 도금틀(7) 패턴 사이를 약간 떨어지도록 형성하여 희생 금속층(3)이 일부 노출되도록 한다.For example, the sacrificial metal layer 3 may be partially exposed by forming a gap slightly between the seed metal layer 4 and the plating mold 7 pattern.
이어, 도 4d에 도시된 바와 같이 구조물로 쓰이는 금속층(8,9)를 전해 도금(electroplating)으로 증착한다.Subsequently, metal layers 8 and 9 serving as structures are deposited by electroplating, as shown in FIG. 4D.
이때, 구조물 금속층(8,9)은 씨드 금속층(4,5)이 있는 특정한 영역에서만 진행되며, 씨드 금속층(4,5)이 증착되지 않고 도금틀이 없는 희생 금속층(3)상에서는 도금이 진행되지 않게 된다.At this time, the structure metal layers 8 and 9 proceed only in a specific region in which the seed metal layers 4 and 5 are present, and plating is not performed on the sacrificial metal layer 3 without the seed metal layers 4 and 5 being deposited and without a plating frame. Will not.
이 희생 금속층(3)은 도금 진행시, 기판 전면에 걸쳐 공통 전극으로도 활용된다.The sacrificial metal layer 3 is also utilized as a common electrode over the entire substrate during the plating process.
그리고, 도 4e에 도시된 바와 같이 희생 금속층(3)을 식각하여 움직이는 구조물인 금속층(9)을 릴리즈(release)시키고 동시에 도금틀(7)을 제거한다.As shown in FIG. 4E, the sacrificial metal layer 3 is etched to release the metal layer 9, which is a moving structure, and the plating mold 7 is removed at the same time.
이때, 움직이는 구조물 금속층(9) 아래의 희생 금속층(3)이 제거되면, 그 금속 구조물은 자유로이 움직일 수 있는 간극(10)이 확보되며, 추가적인 도금틀 제거 공정 없이 미세 구조물을 완성하게 된다.At this time, when the sacrificial metal layer 3 under the moving structure metal layer 9 is removed, the metal structure is secured with a freely movable gap 10 to complete the microstructure without an additional plating frame removing process.
이어, 희생 금속층(3)의 식각액을 세척해 낸 후, 건조하여 최종적인 미세 구조물을 완성하다.Subsequently, the etchant of the sacrificial metal layer 3 is washed and then dried to complete the final microstructure.
본 발명의 효과는 선택적 도금을 이용하여 높은 종횡비를 갖는 움직이는 미세 구조물을 구현하여 측방향 구동 미세 액튜에이터의 구동 전압을 낮추거나 구동력을 증가시킬 수 있고, 측벽면을 감지부로 이용하는 정전 용량형 센서의 감도를 높이게 된다.The effect of the present invention is to implement a moving fine structure having a high aspect ratio by using a selective plating to lower the driving voltage or increase the driving force of the lateral drive micro-actuator, the sensitivity of the capacitive sensor using the side wall surface as a sensing unit Will increase.
특히, 본 발명은 높은 종횡비를 갖는 금속 구조물의 도금틀을 사진 묘화 공정으로 행하여 양산성을 제고할 수 있고, 희생층 식각시 도금틀과 희생층을 동시에 제거하여 공정 수를 줄이고 제조 단가를 낮출 수 있다.In particular, the present invention can improve the mass production by performing a plating frame of a metal structure having a high aspect ratio by a photo drawing process, and at the same time to remove the plating frame and the sacrificial layer at the time of etching the sacrificial layer to reduce the number of processes and lower the manufacturing have.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.
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