KR100322611B1 - Fabrication Method of Field Emission Device Using Carbon Nanotube - Google Patents
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Abstract
본 발명은 카본 나노튜브를 이용하기에 적합한 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a field emission device suitable for using carbon nanotubes.
본 발명에 따른 카본 나노튜브를 이용한 전계방출소자의 제조방법은 기판 상에 음극, 카본 나노 튜브가 성장되지 않는 금속의 전도층 및 카본 나노 튜브가 성장되는 금속의 촉매전이금속층을 적층하는 단계와, 촉매전이금속층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계와, 전도층 및 촉매전이금속층을 동시에 등방성 에칭함으로써 마스크패턴 하부에 전도층과 촉매전이금속층이 적층되고 하부보다 상부가 작은 구조물을 형성하는 단계와, 마스크패턴의 상부와 구조물의 주변에 절연물질층과 게이트금속층을 적층하는 단계와, 마스크패턴을 제거하여 마스크패턴 상의 절연물질층과 게이트금속층을 제거함과 동시에 구조물의 주변에 위치한 절연물질층의 일부를 에칭하는 단계와, 구조물의 촉매전이금속층 상에 카본 나노튜브를 성장시키는 단계를 포함한다.Method of manufacturing a field emission device using a carbon nanotube according to the present invention comprises the steps of laminating a cathode, a conductive layer of a metal in which no carbon nanotubes are grown, and a catalyst transition metal layer of a metal in which the carbon nanotubes are grown; Forming a mask pattern on the catalyst transition metal layer, isotropically etching the conductive layer and the catalyst transition metal layer at the same time to form a structure in which the conductive layer and the catalyst transition metal layer are stacked below the mask pattern and having a smaller structure than the lower part; Stacking an insulating material layer and a gate metal layer on top of the pattern and around the structure, removing the mask pattern to remove the insulating material layer and the gate metal layer on the mask pattern, and simultaneously etching a portion of the insulating material layer located around the structure. And growing carbon nanotubes on the catalytic transition metal layer of the structure.
본 발명에 의하면, 전도층 및 촉매전이금속층을 이용하여 카본 나노튜브를 셀중앙에 집속하여 형성할 수 있으므로 게이트전극으로부의 전계를 카본 나노튜브 이미터에 균일하게 집중시킬 수 있게 된다.According to the present invention, since the carbon nanotubes can be formed at the center of the cell by using the conductive layer and the catalyst transition metal layer, the electric field in the gate electrode can be uniformly concentrated on the carbon nanotube emitter.
Description
본 발명은 전계방출 디스플레이나 기타 진공중에서의 전자방출을 위해 이용되는 전계방출소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 카본 나노튜브를 이용하기에 적합한 전계 방출 소자의 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a field emission device used for field emission display or other electron emission in vacuum, and more particularly to a method for producing a field emission device suitable for using carbon nanotubes.
최근들어, 신물질로 각광받고 있는 카본 나노튜브(Carbon Nanotube; 이하, CNT라 한다)는 수 nm에서 수십 nm의 아주 작은 직경의 결정구조를 갖음과 아울러 내화화적 특성 및 기계적 강도가 우수하여 그의 응용이 기대되고 있다. 하나의 응용분야로서 CNT를 이용한 전계 방출 소자로의 제작이 연구되고 있는데, 특히 전계 방출 표시 소자로의 응용이 기대되고 있다. 이는 CNT를 전계 방출 소자로 이용하는 경우 전자 방출 전압을 크게 낮출 수 있으므로 기존의 스핀트형 팁이나 실리콘 팁등과 같은 전계방출소자를 이용하는 것보다 구동전압을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 CNT의 내화학적 특성 및 기계적 강도가 우수하여 신뢰성이 좋은 소자 제작이 가능하기 때문이다. CNT의 전계 방출 전압이 낮은 이유는 직경이 nm로 아주 작아 전계강화효과(Field Enhancdment Factor)가 커서 전자방출이 일어나는 임계전계(Turn-on Field)가 1∼5V/㎛로 낮기 때문이다.Recently, carbon nanotubes (CNTs), which have been spotlighted as new materials, have very small diameter crystal structures of several nm to several tens of nm, and have excellent fire resistance and mechanical strength. It is expected. As one application field, the fabrication of a field emission device using CNTs is being studied. In particular, application to a field emission display device is expected. When CNT is used as a field emission device, the electron emission voltage can be significantly lowered. Therefore, the driving voltage can be lowered than using a field emission device such as a spin type tip or a silicon tip, and the chemical resistance and mechanical strength of the CNT can be reduced. This is because the device can be manufactured with excellent reliability. The reason why the field emission voltage of CNTs is low is because the diameter is so small that the field enhancement factor is large, resulting in a low turn-on field at 1-5V / µm.
도 1은 종래의 삼극구조 CNT 전계 방출 소자를 나타낸 것이다. 도 1의 전계 방출 소자는 하부기판(10) 상에 순차적으로 적층된 저항층(12) 및 절연층(16)과 게이트전극(18)과, 게이트전극(18) 및 절연층(16)의 홀을 통해 노출된 저항층(12) 위에 형성되어진 CNT 이미터(14)를 구비한다. CNT 이미터(14)는 게이트전극(22)으로부터 인가되는 전계에 의존하여 전자를 방출하게 된다.1 shows a conventional tripolar CNT field emission device. The field emission device of FIG. 1 includes holes of the resistive layer 12, the insulating layer 16, the gate electrode 18, the gate electrode 18, and the insulating layer 16 sequentially stacked on the lower substrate 10. It has a CNT emitter 14 formed on the resistive layer 12 exposed through. The CNT emitter 14 emits electrons depending on the electric field applied from the gate electrode 22.
이러한 전계 방출 소자의 제조 방법을 살펴보면, 하부기판(10) 상에 저항층(12)과 절연층(16) 및 게이트전극층(18)을 순차적으로 성막한 후 사진식각방법을 이용하여 게이트전극층(18)과 절연층(16)에 홀을 형성하게 된다. 그리고, 게이트전극(18) 및 절연층(16)의 홀을 통해 노출된 저항층(12) 상에 CNT를 성장시키기 위해 필요한 촉매전이금속(15)을 증착방법을 이용하여 성막하게 된다. 그 다음, 기판 전체를 약 600∼900℃ 온도범위로 가열하여 하이드로카본(Hydrocarbon) 가스를 이용하여 촉매전이금속(15) 위에 CNT를 성장시켜 CNT 이미터(14)를 형성하게 된다.Referring to the method of manufacturing the field emission device, the resistive layer 12, the insulating layer 16, and the gate electrode layer 18 are sequentially formed on the lower substrate 10, and then the gate electrode layer 18 is formed using a photolithography method. And holes are formed in the insulating layer 16. Then, the catalyst transition metal 15 necessary for growing the CNTs on the resistive layer 12 exposed through the holes of the gate electrode 18 and the insulating layer 16 is deposited using a deposition method. Then, the entire substrate is heated to a temperature range of about 600 to 900 ° C. to grow CNTs on the catalyst transition metal 15 using a hydrocarbon gas to form a CNT emitter 14.
이렇게, CNT를 고온에서 직접 기판에 성막시키는 경우 CNT는 촉매전이금속(15) 부위에만 성장하게 되므로 촉매전이금속 영역이 클수록 CNT의 성장영역이 커지게 된다. CNT 성장영역이 넓은 경우 게이트전극(18)을 통해 인가되는 전계가 집중되지 않아 방출된 전자빔이 퍼지게 되고 전자방출영역이 고르지 못하여 주로 전계가 제일 강한 게이트 홀 주변부에서만 국부적으로 전자방출이 일어나게 된다. 또한, CNT 성장영역이 넓은 경우 비대칭적인 전계분포에 의해 전자빔이 게이트전극(18) 쪽으로 끌려가는 누설전류가 많은 문제점이 있다. 이에 따라, 촉매전이금속을 중심부에만 성막시켜 CNT를 집중시키는 것이 중요하나 전술한 전계 방출 소자 제조방법에서는 촉매전이금속을 중심부에만 성막하는 것이 어려운 문제점이 있다.As such, when CNTs are directly deposited on the substrate at a high temperature, the CNTs grow only at the portion of the catalyst transition metal 15, so that the larger the region of the catalyst transition metal, the larger the growth region of the CNT. When the CNT growth region is wide, the electric field applied through the gate electrode 18 is not concentrated, and the emitted electron beam is spread, and the electron emission region is uneven, so that electron emission mainly occurs only around the gate hole where the electric field is strongest. In addition, when the CNT growth region is wide, there is a problem in that the leakage current is attracted to the gate electrode 18 by the asymmetric electric field distribution. Accordingly, it is important to concentrate the CNTs by depositing the catalyst transition metal only at the center portion, but the method of manufacturing the field emission device described above has a problem that it is difficult to deposit the catalyst transition metal only at the center portion.
도 2는 종래의 다른 CNT 전계 방출 소자를 나타낸 것이다. 도 2의 전계 방출 소자는 하부기판(20) 상에 순차적으로 적층된 음극(22) 및 CNT 이미터(24)와, 하부기판(20)으로부터 소정의 공간을 두고 위치한 그리드(26)와, 상부기판(28) 상에 순차적으로 적층된 양극(30) 및 형광체(32)를 구비한다. CNT 이미터(24)는 스크린 프린팅이나 박막패턴 등의 방법으로 형성하게 된다. 다시 말하여, CNT를 분말형태로 만들어 바인더(Binder) 및 전도성 필러(Filler) 등과 혼합하여 슬러리 형태로 만든 다음 스크린 프린팅 등과 같은 방법으로 음극(22) 위에 도포하게 된다. 이어서, 바인더 제거공정을 거쳐 CNT가 밖으로 노출되게 함으로써 CNT 이미터(24)를 만들게 된다. 그리고, 하부기판(20)으로부터 소정의 공간을 띄어 그리드(26)를 위치시켜 게이트전극으로 이용하게 된다. 이 경우, 그리드의 홀부분과 음극간의 배열이 쉽지 않을 뿐만 아니라 CNT에서 방출되는 전자들이 그리드를 통해 누설이 많이 되기 때문에 방출되는 전자의 효율이 저하되는 문제점이 있다.Figure 2 shows another conventional CNT field emission device. The field emission device of FIG. 2 includes a cathode 22 and a CNT emitter 24 sequentially stacked on the lower substrate 20, a grid 26 positioned at a predetermined space from the lower substrate 20, and an upper portion thereof. An anode 30 and a phosphor 32 that are sequentially stacked on the substrate 28 are provided. The CNT emitter 24 is formed by screen printing or a thin film pattern. In other words, CNT is made into a powder, mixed with a binder, a conductive filler, and the like to form a slurry, and then coated on the cathode 22 by a method such as screen printing. The CNT emitter 24 is then made by exposing the CNTs out through a binder removal process. Then, the grid 26 is positioned to use a gate electrode with a predetermined space away from the lower substrate 20. In this case, not only the arrangement between the hole and the cathode of the grid is not easy, but also the electrons emitted from the CNT leak through the grid, which causes a problem that the efficiency of the emitted electrons is reduced.
따라서, 본 발명의 목적은 CNT를 이용하여 전계를 효율적으로 집중시킬 수 있는 CNT 전계 방출 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a CNT field emission device capable of efficiently concentrating an electric field using CNTs.
도 1은 종래의 삼전극 CNT 전계 방출 소자를 나타낸 단면도.1 is a cross-sectional view showing a conventional three-electrode CNT field emission device.
도 2는 종래의 다른 기술에 따른 삼전극 CNT 전계 방출 소자를 나타낸 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing a three-electrode CNT field emission device according to another conventional technique.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시 예에 따른 삼전극 CNT 전계 방출 소자의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 단면도.3A to 3G are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a three-electrode CNT field emission device according to an exemplary embodiment of the present invention.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>
10, 20, 34 : 하부기판 12 : 저항층10, 20, 34: lower substrate 12: resistive layer
14, 24, 48 : CNT 이미터 15 : 촉매전이금속층14, 24, 48: CNT emitter 15: catalyst transition metal layer
16, 42 : 절연층 18, 44 : 게이트전극16, 42 insulation layer 18, 44 gate electrode
22, 36 : 음극 26 : 그리드22, 36: cathode 26: grid
28 : 상부기판 30 : 양극28: upper substrate 30: anode
32 : 형광체 38 : 전도층32: phosphor 38: conductive layer
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 CNT를 이용한 전계방출소자의 제조방법은 기판 상에 음극, 카본 나노 튜브가 성장되지 않는 금속의 전도층 및 카본 나노 튜브가 성장되는 금속의 촉매전이금속층을 적층하는 단계와, 촉매전이금속층 상에 마스크패턴을 형성하는 단계와, 전도층 및 촉매전이금속층을 동시에 등방성 에칭함으로써 마스크패턴 하부에 전도층과 촉매전이금속층이 적층되고 하부보다 상부가 작은 구조물을 형성하는 단계와, 마스크패턴의 상부와 구조물의 주변에 절연물질층과 게이트금속층을 적층하는 단계와, 마스크패턴을 제거하여 마스크패턴 상의 절연물질층과 게이트금속층을 제거함과 동시에 구조물의 주변에 위치한 절연물질층의 일부를 에칭하는 단계와, 구조물의 촉매전이금속층 상에 카본 나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the method for manufacturing a field emission device using a CNT according to the present invention comprises a cathode, a conductive layer of a metal in which no carbon nanotubes are grown, and a catalyst transition metal layer of a metal in which the carbon nanotubes are grown. Stacking, forming a mask pattern on the catalyst transition metal layer, and isotropically etching the conductive layer and the catalyst transition metal layer at the same time to form a structure in which the conductive layer and the catalyst transition metal layer are stacked below the mask pattern and smaller than the lower part. And laminating an insulating material layer and a gate metal layer on the upper portion of the mask pattern and around the structure, and removing the mask pattern to remove the insulating material layer and the gate metal layer on the mask pattern, and at the same time, an insulating material located around the structure. Etching a portion of the layer and growing carbon nanotubes on the catalytic transition metal layer of the structure Characterized in that it comprises a step.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 이점들은 첨부 도면을 참조한 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.Other objects and advantages of the present invention in addition to the above object will be apparent from the description of the preferred embodiment of the present invention with reference to the accompanying drawings.
이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 3a 내지 도 3g를 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3A to 3G.
도 3a 내지 도 3g는 본 발명의 실시 예에 따른 삼전극 CNT 전계 방출 소자의 제조 방법을 단계적으로 나타낸 것이다.3A to 3G show step by step a method of manufacturing a three-electrode CNT field emission device according to an embodiment of the present invention.
우선, 도 3a에 도시된 바와 같이 하부기판(34) 상에 음극(36) 및 전도층(38)과 전이금속층(40) 및 절연마스크막(42)을 순차적으로 형성하게 된다. 하부기판(34)으로는 높은 온도에서 견딜 수 있는 Si, Al2O3, 뮬라이트, 또는 기타 세라믹 등의 재료를 사용하게 된다. 또한, CNT를 저온에서 성막시킬 경우 글래스를 사용할 수도 있다. 음극(36)은 Al, Cr, Cu, Ag, 또는 금속합금 등을 스퍼터링(Sputtering)이나 증착방법을 이용하여 하부기판(34)에 성막함으로써 형성하게 된다. 전도층(38)은 CNT의 중앙집속을 위한 구조물을 형성하기 위한 것으로서 CNT가 성장되지 않는 전도재료, 예컨대 Mo, W, Ta, Ti 등을 스퍼터링이나 화학기상증착법(CVD) 등의 방법을 이용하여 성막함으로써 형성하게 된다. 전이금속층(40)은 CNT를 성장시키기 위한 것으로서 Fe, Ni, Co, 또는 그들의 합금 등을 상기와 동일한 박막형성방법을 이용하여 전도층(38) 상에 성막함으로써 형성하게 된다. 절연마스크막(42)은 패터닝을 위한 것으로 SiO2등의 절연물질을 상기와 같은 박막형성방법을 이용하여 전이금속층(40) 상에 성막함으로써 형성하게 된다.First, as shown in FIG. 3A, the cathode 36, the conductive layer 38, the transition metal layer 40, and the insulating mask layer 42 are sequentially formed on the lower substrate 34. The lower substrate 34 is made of a material such as Si, Al 2 O 3 , mullite, or other ceramics that can withstand high temperatures. In addition, when CNT is formed at low temperature, glass may be used. The cathode 36 is formed by depositing Al, Cr, Cu, Ag, or a metal alloy on the lower substrate 34 using sputtering or vapor deposition. The conductive layer 38 is used to form a structure for central focusing of the CNTs. Sputtering or chemical vapor deposition (CVD) is performed on a conductive material, such as Mo, W, Ta, Ti, etc., on which the CNTs are not grown. It forms by forming into a film. The transition metal layer 40 is for growing CNTs and is formed by depositing Fe, Ni, Co, or their alloys on the conductive layer 38 using the same thin film formation method as described above. The insulating mask layer 42 is for patterning, and is formed by forming an insulating material such as SiO 2 on the transition metal layer 40 using the above thin film forming method.
그 다음, 도 3b에 도시된 바와 같이 절연마스크막(42)을 패터닝하여 절연마스크패턴(42A)을 형성하게 된다. 절연마스크패턴(42A)은 절연마스크막(42) 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 코팅하고 사진식각방법을 이용하여 절연마스크막(42)를 원형 패터닝하고 건식 플라즈마 에칭방법으로 에칭함으로써 형성하게 된다.Next, as shown in FIG. 3B, the insulating mask film 42 is patterned to form the insulating mask pattern 42A. The insulating mask pattern 42A is formed by coating a photo resist on the insulating mask layer 42, circular patterning the insulating mask layer 42 using a photolithography method, and etching the dry mask etching method. .
이어서, 플라즈마 에칭법을 이용하여 절연마스크패턴(42A) 하부의 전이금속층(40) 및 전도층(38)을 순차적으로 식각함으로써 도 3c에 도시된 바와 같이 전이금속층(40A) 및 전도층(38A)으로 이루어진 원뿔형 구조물을 형성하게 된다. 이 경우, 플라즈마 에칭을 위한 가스의 조성과 챔버의 압력, 플라즈마 에너지 등을 조절하여 등방성 식각함으로써 절연마스크패턴(42A) 밑에 원뿔형의 구조물을 형성하게 된다.Subsequently, the transition metal layer 40 and the conductive layer 38 under the insulating mask pattern 42A are sequentially etched by using a plasma etching method, so that the transition metal layer 40A and the conductive layer 38A are shown in FIG. 3C. To form a conical structure consisting of. In this case, a conical structure is formed under the insulating mask pattern 42A by isotropic etching by adjusting the composition of the gas for plasma etching, the pressure of the chamber, the plasma energy, and the like.
그리고, 도 3d 및 3e에 도시된 바와 같이 전자빔증착 방법의 직진성을 이용하여 절연막(44, 44A) 및 게이트금속층(46, 46A)을 순차적으로 형성하게 된다. 이 경우, 절연막(44, 44A)으로는 SiO2, Si3N4, Al2O3, 등과 같은 절연물질을 이용하고, 게이트금속층(46, 46A)는 Cr, Nb, 기타 전도성 재료를 이용한다. 특히, 게이트금속층(46, 46A)의 재료로는 CNT가 성장이 안되는 물질을 사용하게 된다.3D and 3E, the insulating films 44 and 44A and the gate metal layers 46 and 46A are sequentially formed using the straightness of the electron beam deposition method. In this case, an insulating material such as SiO 2 , Si 3 N 4 , Al 2 O 3 , or the like is used as the insulating films 44 and 44A, and the gate metal layers 46 and 46A are made of Cr, Nb, and other conductive materials. In particular, as the material of the gate metal layers 46 and 46A, a material in which CNTs cannot grow is used.
그 다음, 버퍼드(Buffered) HF(BOE) 용액으로 절연마스크패턴(42A)을 리프트-오프시켜 도 3f에 도시된 바와 같이 촉매전이금속층(40A) 위의 절연마스크패턴(42A) 및 절연막(44A), 게이트금속층(46A)을 분리해내게 된다. 이와 동시에, 게이트전극(46) 하부의 절연막(44)이 경사지게 에칭되게 된다.Next, the insulating mask pattern 42A is lifted off with a buffered HF (BOE) solution, and the insulating mask pattern 42A and the insulating film 44A on the catalyst transition metal layer 40A as shown in FIG. 3F. ), The gate metal layer 46A is separated. At the same time, the insulating film 44 under the gate electrode 46 is etched obliquely.
그리고, 도 3g에 도시된 바와 같이 촉매전이금속층(40A) 위에 CNT를 성장시켜 CNT 이미터(48)를 형성하게 된다. CNT 이미터(48)는 CXHY, C2H2, C2H4, CH4, C2H6등과 같은 하이드로카본 가스 또는 COX가스를 사용하여 CVD 법으로 약 400∼900℃의 기판온도범위에서 수직배향된 CNT를 촉매전이금속층(40A) 위에 성장시킴으로써 형성하게 된다. 이 경우, 성장된 CNT의 직경이나 밀도는 주로 촉매금속의 표면개질에 의한 촉매금속의 입자나 분산정도에 의하여 영향을 받고, CNT의 성장길이는 성장시간에 의해 결정된다.As shown in FIG. 3G, CNTs are grown on the catalyst transition metal layer 40A to form a CNT emitter 48. The CNT emitter 48 is formed by using a hydrocarbon gas such as C X H Y , C 2 H 2 , C 2 H 4 , CH 4 , C 2 H 6 , or CO X gas in a CVD method of about 400 to 900 ° C. The CNTs vertically oriented in the substrate temperature range are formed by growing on the catalyst transition metal layer 40A. In this case, the diameter and density of the grown CNTs are mainly influenced by the particles and the degree of dispersion of the catalyst metal by the surface modification of the catalyst metal, and the growth length of the CNTs is determined by the growth time.
이와 같이, 본 발명의 CNT 전계 방출 소자의 제조 방법에서는 원뿔형 구조물을 이루는 전도층(38A) 및 촉매전이금속층(40A)을 이용하여 게이트전극(46) 및 절연층(44B)의 홀 중앙부에만 CNT를 집중시켜 형성할 수 있게 된다. 이에 따라, CNT 이미터(48)는 균일한 전자방출을 하게 됨과 아울러 전계의 비대칭에 의한 게이트전극(46)으로의 누설전류를 최소화할 수 있게 된다.As described above, in the method of manufacturing the CNT field emission device of the present invention, the CNT is formed only at the center of the hole of the gate electrode 46 and the insulating layer 44B by using the conductive layer 38A and the catalyst transition metal layer 40A forming the conical structure. Can be formed by concentration. Accordingly, the CNT emitter 48 provides uniform electron emission and minimizes leakage current to the gate electrode 46 due to asymmetry of the electric field.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 CNT를 이용한 전계 방출 소자 제조 방법에 의하면 전도층 및 촉매전이금속층을 이용하여 CNT를 중앙에 집속하여 형성할 수 있으므로 게이트전극으로부의 전계를 CNT 이미터에 균일하게 집중시킬 수 있게 된다. 이에 따라, CNT 이미터는 균일한 전자방출을 하게 됨과 전계 비대칭에 의한 게이트전극으로의 누설전류를 최소화할 수 있게 된다. 나아가, 본 발명에 따른 CNT를 이용한 전계 방출 소자 제조 방법은 전계방출 표시소자에 적용하는 경우 대면적 제작이 가능하게 함과 아울러 균일하고 안정된 전자방출 특성으로 신뢰성이 우수한 표시소자 구현을 가능하게 한다.As described above, according to the method for manufacturing a field emission device using the CNT according to the present invention, the electric field from the gate electrode can be uniformly formed on the CNT emitter since the CNT can be centrally formed using the conductive layer and the catalyst transition metal layer. You can concentrate. As a result, the CNT emitter can uniformly emit electrons and minimize leakage current to the gate electrode due to the asymmetry of the electric field. Furthermore, the method for manufacturing a field emission device using CNTs according to the present invention enables large-area fabrication when applied to the field emission display device, and also enables the display device to have excellent reliability with uniform and stable electron emission characteristics.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the technical spirit of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification but should be defined by the claims.
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