KR100316074B1 - Electrode Structure of Plasma Reactors - Google Patents
Electrode Structure of Plasma Reactors Download PDFInfo
- Publication number
- KR100316074B1 KR100316074B1 KR1019990019962A KR19990019962A KR100316074B1 KR 100316074 B1 KR100316074 B1 KR 100316074B1 KR 1019990019962 A KR1019990019962 A KR 1019990019962A KR 19990019962 A KR19990019962 A KR 19990019962A KR 100316074 B1 KR100316074 B1 KR 100316074B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- plasma reactor
- power
- electrode structure
- plasma
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32541—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
- H01J37/32183—Matching circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
큰 직경을 갖는 반도체 웨이퍼 또는 대면적의 평판 디스플레이용 유리 기판에서도 증착 및 식각의 균일도을 확보할 수 있는 플라즈마 반응기의 전극 설계(electrode design)가 개시된다. 본 발명은 대면적의 플라즈마 프로세싱을 위한 플라즈마 반응기(plasma reactor)에서, 기판을 지지하기에 적합하며, 고주파(RF) 에너지의 단일 전원에 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극으로부터 소정거리 이격되어 설치되며, 그 전극 구조가 독립적인 복수개의 사각뿔 형상으로 설계된 제2 전극을 포함하며, 상기 각 사각뿔 형상의 제2 전극에 RF 전원을 독립적으로 인가하도록 구성함으로써, 플라즈마 균일성을 향상시킴과 아울러 파워 밀도(power density)를 향상시킬 수 있다.Disclosed are an electrode design of a plasma reactor capable of ensuring uniformity of deposition and etching even in a semiconductor wafer having a large diameter or a glass substrate for a large area flat panel display. The present invention is suitable for supporting a substrate in a plasma reactor for large-area plasma processing, the first electrode connected to a single power source of high frequency (RF) energy, and a predetermined distance from the first electrode. And a second electrode designed in a plurality of square pyramid shapes having independent electrode structures, and configured to independently apply RF power to the second electrodes having the square pyramidal shapes, thereby improving plasma uniformity. It is possible to improve the power density.
Description
본 발명은 반도체 장치 또는 평판 디스플레이 등의 프로세싱(processing)에 유용한 고밀도 플라즈마 장비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 대직경의 반도체 웨이퍼 또는 대면적의 평판 디스플레이 제작에 유용한 플라즈마 반응기(plasma reactors)에서의 신규한 전극 구조에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to high density plasma equipment useful for processing semiconductor devices or flat panel displays, and more particularly, in novel plasma reactors useful for fabricating large diameter semiconductor wafers or large area flat panel displays. It relates to an electrode structure.
집적회로를 형성하는 반도체 웨이퍼의 프로세싱에 있어서, 특히 반도체 웨이퍼로부터 어떤 대상물들을 에칭하거나 반도체 웨이퍼 상에 어떤 대상물들을 증착하기 위해, 플라즈마 프로세스가 매우 유용하게 사용되고 있다. 이러한 플라즈마 프로세스에는 스퍼터 에칭, RIE(Reactive Ion Etching), 및 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등이 포함된다.In the processing of semiconductor wafers forming integrated circuits, plasma processes are very useful, particularly for etching certain objects from or depositing certain objects on semiconductor wafers. Such plasma processes include sputter etching, reactive ion etching (RIE), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and the like.
일반적으로, 이러한 처리가 일어나는 진공 상태의 반응기내의 전극에 파워를 인가하는 전원으로는 RF(radio frequency)가 사용되며, 이 RF 소오스와 파워가 인가된 전극과의 효율적인 커플링(coupling)을 위해 매치박스(matchbox)가 사용된다.In general, a radio frequency (RF) is used as a power source for powering an electrode in a vacuum reactor in which such processing takes place, and a match is required for efficient coupling between the RF source and the powered electrode. A matchbox is used.
최근의 반도체 산업의 경향은, 생산성(throughput) 향상에 따라 대형의 반도체 기판 및 대형의 평판 디스플레이 기판 상에 초미세 구조의 소자들을 생산하는 것이 요구되는 있는 실정에 있다. 이러한 추세에 따라, 반도체 제작 장비의 설계 목표 또한, 오염 및 소자의 손상이 없으며, 안정성 및 고속 처리가 가능한 장비를 제공하는데 두고 있다.The recent trend of the semiconductor industry is in a situation where it is required to produce ultra-fine elements on large semiconductor substrates and large flat panel display substrates as productivity improves. In accordance with this trend, the design goal of semiconductor fabrication equipment is also to provide equipment that is free from contamination and damage to devices, and that enables stability and high-speed processing.
즉, 현재의 생산 라인에 적용되는 12 인치 이상의 반도체 웨이퍼 및/또한 이이상의 대화면을 요구하는 평판 디스플레이의 대면적 기판 상에서, 증착 및 식각의 균일성(uniformity)이 요구되고 있다.That is, uniformity of deposition and etching is required on a large area substrate of a 12 inch or larger semiconductor wafer and / or a flat panel display requiring more than a large screen applied to current production lines.
도 1은 일반적인 평판 방식(capacitive coupling)의 플라즈마 반응기의 개략도를 나타낸다.1 shows a schematic diagram of a plasma reactor in a general capacitive coupling.
도 1을 참조하면, 일반적인 종래의 평판형 플라즈마 반응기(10)는, 파워가 인가되는 상부 전극(14)과 접지에 연결된 하부전극(12)이 진공 챔버(15)내에 설치되어 있다. 상기 챔버(15)의 일측에는 제어 밸브(도시 안됨)를 통하여 아르곤 가스 공급기(16)가 설치되며, 챔버(15)의 타측에 형성된 진공 펌프(17)는 상기 챔버(15)내의 압력을 제어하는데 사용된다. RF 전원(18)은 고주파 매치박스(19)를 통하여 상기 상부전극(14)에 RF 파워를 공급한다. 웨이퍼(11)는 상기 하부전극(12) 상부에 설치된다.Referring to FIG. 1, in a conventional conventional flat plate plasma reactor 10, an upper electrode 14 to which power is applied and a lower electrode 12 connected to ground are installed in a vacuum chamber 15. An argon gas supply 16 is installed at one side of the chamber 15 through a control valve (not shown), and the vacuum pump 17 formed at the other side of the chamber 15 controls the pressure in the chamber 15. Used. The RF power source 18 supplies RF power to the upper electrode 14 through the high frequency match box 19. The wafer 11 is installed on the lower electrode 12.
이러한 구성을 갖는 종래의 평판 방식의 플라즈마 반응기(10)는, 단일 전원을 사용하기 때문에 소 직경을 갖는 기판에 적합하다. 그러나, 상기 기판(11)의 직경이 점점 증가함에 따라 이에 비례하여 전극 면적이 점점 증가하는 경우에는 플라즈마 밀도의 불안정을 초래하게 된다. 또한, 전극 면적이 증가함에 따라, 상기 챔버(15)의 중앙부위와 외곽부 간의 플라즈마 밀도(plasma density)의 차이가 증가하게 되어 상기 외곽 부위에서의 플라즈마 밀도의 왜곡이 심해진다.The conventional planar plasma reactor 10 having such a configuration is suitable for a substrate having a small diameter because a single power source is used. However, as the diameter of the substrate 11 gradually increases, in proportion to the electrode area, the instability of the plasma density is caused. In addition, as the electrode area increases, the difference in plasma density between the central portion and the outer portion of the chamber 15 increases, causing a distortion of the plasma density in the outer portion.
이로 인하여, 에칭 결과, 상기 기판(11)의 중앙부위가 오목하게 파인 오목 형상의 식각 프로파일을 얻을 수 있으며, 증착의 경우 마찬가지로 볼록 형상의 증착 결과를 얻을 수 있다.Therefore, as a result of etching, a concave etch profile in which the center portion of the substrate 11 is concavely recessed can be obtained, and in the case of vapor deposition, a convex deposition result can be obtained in the same manner.
이러한 식각의 불균일성 문제를 개선하기 위하여, 도 2에 도시한 바와 같이, 상부 전극(24)을 삼각형 구조로 설계하여 순차적으로 전원(V2, V3)을 인가하는 방식의 개선된 전극 구조가 개시된 바 있다.In order to improve the etching non-uniformity problem, as illustrated in FIG. 2, an improved electrode structure of a method in which the upper electrodes 24 are designed in a triangular structure and sequentially apply power sources V2 and V3 is disclosed. .
그러나, 이러한 전극 구조는 상부전극(24)을 삼각형 구조로 설계함으로써, 도 2에서 'x' 방향으로 전극 면적을 향상시키는 효과를 기대할 수 있는 반면에, 'y' 방향 측면으로는 전술한 평판형 전극 구조와 동일한 효과 밖에는 기대할 수 없는 한계를 갖고 있다.However, such an electrode structure can be expected to improve the electrode area in the 'x' direction in Figure 2 by designing the upper electrode 24 in a triangular structure, while in the 'y' direction side described above flat plate type There is a limit that cannot be expected except for the same effect as the electrode structure.
본 발명은, 반도체 웨이퍼 및 펑판 디스플레이 패널의 직경이 대형화됨에 따라 플라즈마 반응기의 전극 면적이 이에 비례하여 증가함으로써, 평판형 전극 구조 또는 단일 전원 방식에서 초래되는 플라즈마 밀도의 불안정과 왜곡 현상을 제거하고자 한다.The present invention aims to eliminate the plasma density instability and distortion caused by a flat electrode structure or a single power supply system by increasing the electrode area of the plasma reactor in proportion to the diameter of the semiconductor wafer and the flat panel. .
따라서, 본 발명은 이러한 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 그 목적은 전극 구조 개선을 통한 전극의 유효 면적을 증가시킴으로써, 플라즈마 밀도의 균일성을 향상시킴과 아울러 개선된 전극에의 전원 인가방식을 개선함으로써, 파워 밀도를 향상시킬 수 있는 플라즈마 반응기를 제공하는데 있다.Accordingly, the present invention has been made to solve such a problem, and its object is to increase the effective area of the electrode through the improvement of the electrode structure, thereby improving the uniformity of the plasma density and improving the power supply method to the electrode. The present invention provides a plasma reactor capable of improving power density.
도 1은 종래 기술에 의한 평판방식의 플라즈마 반응기의 개략도,1 is a schematic diagram of a plasma reactor of the plate method according to the prior art,
도 2는 종래의 다른 기술에 의한 플라즈마 반응기의 전극구조를 도시한 개략도,2 is a schematic diagram showing an electrode structure of a plasma reactor according to another conventional technique;
도 3은 본 발명에 의한 플라즈마 반응기의 전극 구조를 도시한 개략도,3 is a schematic diagram showing an electrode structure of a plasma reactor according to the present invention;
도 4는 도 3에서의 상부 전극 구조를 상세 도시한 평면도,4 is a plan view showing in detail the upper electrode structure in FIG.
도 5는 도 3에서의 상부 전극 구조를 상세 도시한 사시도,5 is a perspective view illustrating in detail the upper electrode structure in FIG. 3;
도 6a는 본 발명의 상부 전극에 2전원 인가방식의 예를 도시한 도면,Figure 6a is a view showing an example of the two power supply method to the upper electrode of the present invention,
도 6b는 본 발명의 상부 전극에 4전원 인가방식의 예를 도시한 도면이다.6B is a diagram illustrating an example of a four-power supply method to the upper electrode of the present invention.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
111 ; 기판 112 ; 하부 전극111; Substrate 112; Bottom electrode
114 ; 상부 전극114; Upper electrode
RF ; 고주파 전원RF; High frequency power
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 대면적의 플라즈마 프로세싱을 위한플라즈마 반응기(plasma reactor)에 있어서,The present invention for achieving the above object is a plasma reactor (plasma reactor) for large-area plasma processing,
기판을 지지하기에 적합하며, 고주파(RF) 에너지의 단일 전원에 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극으로부터 소정거리 이격되어 설치되며, 그 전극 구조가 독립적인 복수개의 사각뿔 형상으로 설계된 제2 전극을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.A second electrode suitable for supporting a substrate, the first electrode being connected to a single power source of high frequency (RF) energy, and the second electrode designed to be spaced apart from the first electrode by a predetermined distance and having a plurality of square pyramid shapes having independent electrode structures; Characterized in that it comprises an electrode.
바람직하게, 상기 각 사각뿔 형상의 제2 전극에는 RF 전원을 독립적으로 인가하도록 구성되는 것을 특징으로 한다.Preferably, each of the quadrangular pyramid-shaped second electrodes is characterized in that it is configured to apply RF power independently.
또한, 상기 기판은, 12인치 이상의 큰 직경을 갖는 반도체 기판 또한, 대면적의 평판 디스플레이용 유리(glass) 기판을 사용하는 것이 바람직하다.The substrate is preferably a semiconductor substrate having a large diameter of 12 inches or more and a glass substrate for a flat panel display having a large area.
따라서, 본 발명에 따라 설계된 전극 구조에 의하면, 큰 직경을 갖는 기판에서 나타나는 식각 또는 증착의 불균일성을 감소시킬 수 있다.Therefore, according to the electrode structure designed according to the present invention, it is possible to reduce the non-uniformity of etching or deposition appearing in a substrate having a large diameter.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명에 의한 플라즈마 반응기의 전극 구조를 도시한 개략도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명은 챔버 내에 상부 전극(114)과 하부 전극(112)이 서로 대향되어 형성되어 있다. 상기 하부 전극(112)은 단일 고주파 전원(RF)에 연결되어 있으며, 큰 직경을 갖는 기판(111)이 장착되기에 알맞게 평판 구조로 형성된다. 이 단일 고주파 전원(RF)은 매치박스(V1)를 통하여 상기 하부 전극(112)에 RF 파워를 인가한다.3 is a schematic diagram showing the electrode structure of the plasma reactor according to the present invention. Referring to FIG. 3, in the present invention, the upper electrode 114 and the lower electrode 112 are formed to face each other in the chamber. The lower electrode 112 is connected to a single high frequency power source RF, and is formed in a flat plate structure to be suitable for mounting a substrate 111 having a large diameter. The single high frequency power source RF applies RF power to the lower electrode 112 through the match box V1.
이때, 상기 기판(111)은 12인치 이상의 큰 직경을 갖는 반도체 웨이퍼를 사용할 수 있으며, 대면적의 평판 디스플레이용 유리(glass) 기판을 사용할 수도 있음은 물론이다.In this case, the substrate 111 may use a semiconductor wafer having a large diameter of 12 inches or more, and may also use a glass substrate for a large area flat panel display.
도시되지는 않았지만, 상기 챔버의 일측에는 제어 밸브를 통하여 아르곤 가스 공급기가 설치되며, 챔버의 타측에는 진공 펌프가 형성되어 상기 챔버내의 압력을 제어하는데 사용된다. 이들은 본 기술 분야의 당업자에게 통상적인 것으로서, 그에 대한 설명은 약하기로 한다.Although not shown, an argon gas supplier is installed at one side of the chamber through a control valve, and a vacuum pump is formed at the other side of the chamber to be used to control the pressure in the chamber. These are common to those skilled in the art, and the description thereof will be weak.
도 3에서의 상부 전극 구조를 상세 도시한 도 4의 평면도와, 도 3에서의 상부 전극 구조를 상세 도시한 도 5의 사시도를 참조하면, 본 발명에 따른 상부 전극(114)의 구조는 독립적인 복수개의 사각뿔 형상으로 설계함으로써, 기존의 평면형 전극구조에 비해 동일 면적에서 유효 전극면적을 대폭 증가시켜 플라즈마의 균일도를 향상시킨다.Referring to the plan view of FIG. 4 showing the upper electrode structure in FIG. 3 and the perspective view of FIG. 5 showing the upper electrode structure in FIG. 3 in detail, the structure of the upper electrode 114 according to the present invention is independent. By designing a plurality of quadrangular pyramid shapes, the effective electrode area is greatly increased in the same area as compared with the conventional planar electrode structure, thereby improving the uniformity of plasma.
예를 들면, 가로 및 세로의 길이가 모두 1㎝라 가정할 때, 종래의 평면형 상부전극(14)(도 1 참조)의 면적은 1 ×1 = 1㎠ 인 반면, 본 발명의 사각뿔 모양의 상부전극(114)의 면적은 (÷4)×4 =로서 면적비를 약 2배 이상 증가시킬 수 있다. 더욱이, 사각뿔 형상을 복수개로 형성하는 경우, 전극의 면적비는 사각뿔의 갯수에 비례하여 증가시킬 수 있다.For example, assuming that both horizontal and vertical lengths are 1 cm, the area of the conventional planar upper electrode 14 (see FIG. 1) is 1 × 1 = 1cm 2, whereas the upper portion of the square pyramid of the present invention is The area of the electrode 114 is ( ÷ 4) × 4 = As a result, the area ratio can be increased by about two times or more. Furthermore, when forming a plurality of square pyramid shapes, the area ratio of the electrodes can be increased in proportion to the number of square pyramids.
또한, 상기 각 사각뿔 형상의 상부 전극(114)에 도3에 도시한 바와 같이, RF 전원(V2∼V5)을 독립적으로 인가하도록 구성함으로써, 파워 밀도(power density)를향상시킬 수 있다. 예를 들면, 종래의 평면형 전극 구조의 경우에 단위 면적당 파워 밀도가 약 1 와트(W)라면, 본 발명의 사각뿔 형상의 전극 구조에서는 단위 면적당 파워 밀도가 약 4 와트(W)까지 높일 수 있다.In addition, as illustrated in FIG. 3, the RF power sources V2 to V5 are independently applied to the upper corners 114 having the quadrangular pyramid shape, thereby improving power density. For example, in the case of a conventional planar electrode structure, if the power density per unit area is about 1 watt (W), the power density per unit area can be increased to about 4 watts (W) in the square pyramidal electrode structure of the present invention.
도 6a는 본 발명의 상부 전극에 2전원 인가방식의 예를 도시한 도면으로서, 상기 사각뿔 형상의 상부 전극(114)과 고주파 전원(RF)과의 사이에 2개의 매치박스 (matchbox)를 사용하여 주기적으로 전원을 인가하는 2전원 인가방식을 사용할 수 있으며, 또한, 상부 전극(114)에 4전원 인가방식의 예를 도시한 도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 사각뿔 형상의 상부 전극(114)과 RF 전원과의 사이에 4개의 매치박스(matchbox)(V2∼V5)를 사용하여 각 사각뿔 모양의 전극에 독립적으로 전원을 인가할 수도 있다. 이와 같은 전원 인가방식에 따라 RF 용량의 증가가 가능한다.FIG. 6A illustrates an example of a two-power application method to an upper electrode of the present invention, using two matchboxes between the quadrangular pyramid-shaped upper electrode 114 and a high frequency power source RF. A two-power application method for periodically applying power may be used, and as shown in FIG. 6B illustrating an example of a four-power application method for the upper electrode 114, the quadrangular pyramid-shaped upper electrode 114 and Four matchboxes V2 to V5 may be used between the RF power supply and the power supply may be independently applied to each square pyramid electrode. According to such a power application method, the RF capacity can be increased.
본 발명은 그 정신 또는 주요한 특징으로부터 일탈하는 일없이, 다른 여러 가지 형태로 실시할 수 있다. 따라서, 전술한 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며, 한정적으로 해석해서는 안된다. 본 발명의 범위는 특허청구 범위에 의해서 나타내는 것으로서, 명세서 본문에 의해서는 아무런 구속도 되지 않는다. 또한, 특허청구 범위의 균등 범위에 속하는 변형이나 변경은 모두 본 발명의 범위내의 것이다.This invention can be implemented in other various forms, without deviating from the mind or main characteristic. Therefore, the above-described embodiments are merely examples in all respects and should not be interpreted limitedly. The scope of the present invention is shown by the Claims, and is not restrict | limited by the specification body. Moreover, all the deformation | transformation and a change which belong to the equal range of a claim are within the scope of this invention.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 전극 구조를 사각뿔 형상으로 설치하여 전극의 단위 면적을 증가시킴으로써 유효 면적 증가에 따른 플라즈마 균일도(plasma uniformity)를 향상시킬 수 있으며, 플라즈마 장비의 대면적화에 따른 전극 면적 증가를 최소화할 수 있다.As described above, according to the present invention, by installing the electrode structure in the shape of a square pyramid to increase the unit area of the electrode, it is possible to improve the plasma uniformity according to the increase of the effective area, the electrode area according to the large area of the plasma equipment The increase can be minimized.
또한, 상기 사각뿔 형상의 전극 구조에 각각 독립적인 전원을 인가함으로써, 파워 밀도(power density)(W/㎠)를 증가시킬 수 있다. 또한, 파워 밀도가 증가함으로써 증착 또는 식각의 시간을 절약하여 생산성을 더욱 증가시킬 수 있다.In addition, by applying independent power to each of the rectangular pyramidal electrode structures, power density (W / cm 2) can be increased. In addition, by increasing the power density it is possible to further increase productivity by saving time of deposition or etching.
궁극적으로, 본 발명에 의하면, 큰 직경을 갖는 반도체 웨이퍼 및/또는 대면적의 평판 디스플레이용 유리 기판에서도 증착 및 식각의 균일성을 확보할 수 있는 효과를 발휘한다.Ultimately, according to the present invention, even in a semiconductor wafer having a large diameter and / or a glass substrate for a large area flat panel display, the uniformity of deposition and etching can be obtained.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990019962A KR100316074B1 (en) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | Electrode Structure of Plasma Reactors |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019990019962A KR100316074B1 (en) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | Electrode Structure of Plasma Reactors |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010001010A KR20010001010A (en) | 2001-01-05 |
| KR100316074B1 true KR100316074B1 (en) | 2001-12-28 |
Family
ID=19589068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019990019962A KR100316074B1 (en) | 1999-06-01 | 1999-06-01 | Electrode Structure of Plasma Reactors |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100316074B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100848574B1 (en) * | 2006-08-31 | 2008-07-25 | 유정호 | Plasma reactor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716485A (en) * | 1995-06-07 | 1998-02-10 | Varian Associates, Inc. | Electrode designs for controlling uniformity profiles in plasma processing reactors |
-
1999
- 1999-06-01 KR KR1019990019962A patent/KR100316074B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716485A (en) * | 1995-06-07 | 1998-02-10 | Varian Associates, Inc. | Electrode designs for controlling uniformity profiles in plasma processing reactors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20010001010A (en) | 2001-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100736218B1 (en) | The plasma source with structure of multi-electrode from one side to the other | |
| US5716485A (en) | Electrode designs for controlling uniformity profiles in plasma processing reactors | |
| KR100556983B1 (en) | Inductively coupled plasma processing apparatus | |
| JP5580512B2 (en) | Plasma confinement baffle and flow balancer for enhanced magnetic control of plasma radiation distribution | |
| CN101720500B (en) | Inductively coupled dual zone processing chamber with single planar antenna | |
| CN102163538B (en) | Multi inductively coupled plasma reactor and method thereof | |
| US20080168945A1 (en) | Plasma generating apparatus | |
| US20060254518A1 (en) | Plasma source | |
| KR20020053080A (en) | Materials and gas chemistries for processing systems | |
| KR20100004857A (en) | Dry etching apparatus | |
| TW200402104A (en) | Inductor-coupled plasma processing device | |
| CN114787415B (en) | High density plasma enhanced chemical vapor deposition chamber | |
| TW202102066A (en) | Ground strap assemblies | |
| KR100316074B1 (en) | Electrode Structure of Plasma Reactors | |
| KR20070014698A (en) | Plasma processing apparatus of equipped multi micp | |
| US20100230050A1 (en) | Plasma generating apparatus | |
| KR20040079561A (en) | Multi arranged flat electrode plate assembly and vacuum process chamber using the same | |
| KR20100030090A (en) | Solar cell, method and apparatus for fabrication of the solar cell | |
| KR101585891B1 (en) | Compound plasma reactor | |
| US11043362B2 (en) | Plasma processing apparatuses including multiple electron sources | |
| CN101440524A (en) | Plasma chemical reactor | |
| KR20100004194A (en) | Tary and dry etching apparatus using the same | |
| KR101002260B1 (en) | Compound plasma reactor | |
| TW497123B (en) | Plasma etching apparatus having parallel plate structure of capacitive coupling type and plasma etching method using the same | |
| KR101239694B1 (en) | Substrate support plate improving sag phenomenon of edgy |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| J201 | Request for trial against refusal decision | ||
| AMND | Amendment | ||
| AMND | Amendment | ||
| B701 | Decision to grant | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20070928 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |