KR100315475B1 - Method for fabricating an optical fiber preform - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학기상증착법을 이용하여 석영관으로부터 광섬유 모재를 제조하기 위한 방법에 관한 것으로서,The present invention relates to a method for producing an optical fiber base material from a quartz tube using chemical vapor deposition,
석영관 내부로 유입되는 원료가스를 상기 석영관의 외부로부터 가열하여 클래드층과 코어층을 형성하는 증착과정과,A deposition process of heating a raw material gas introduced into the quartz tube from the outside of the quartz tube to form a clad layer and a core layer;
상기 증착된 코어층상에 높은 굴절률을 가지는 소정의 증착층을 추가적으로 형성하는 추가증착과정과,An additional deposition process of additionally forming a predetermined deposition layer having a high refractive index on the deposited core layer;
상기 추가증착과정후, 상기 클래드층과 코어층 및 추가된 증착층이 형성된 석영관을 연화점 이상으로 가열하여 적정 내경을 가지는 모재봉을 형성하는 응축과정과,After the additional deposition process, the condensation process of forming a base rod having a suitable inner diameter by heating the cladding layer, the core layer and the quartz tube formed with the additional deposition layer or more than the softening point;
상기 응축과정후, 상기 추가증착증의 일부를 프레온 계열의 화합물을 사용하여 식각하며 동시에 내경을 완전히 없에는 에칭-클로즈 과정으로 구성되어 에칭-클로즈과정시 추가증착층의 수축효과에 의한 공정속도를 향상시킬 수 있다.After the condensation process, part of the additional vapor deposition is etched using a freon-based compound, and at the same time, it is composed of an etching-closing process without an inner diameter. Can be improved.
Description
본 발명은 광통신 시스템에서 사용되는 광섬유의 모재 제조방법에 관한 것으로서, 특히 공정시간을 효율적으로 단축하여 생산성을 증대시킬 수 있는 광섬유 모재의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a base material of an optical fiber used in an optical communication system, and more particularly, to a method for manufacturing an optical fiber base material which can increase productivity by shortening process time efficiently.
통상적으로, 광 전송 시스템(Optical Transmission System)은 굴절률이 다른 코어(Core)와 클래드(Clad)층으로 구성되는 글래스 재질의 광섬유(Optical Fiber)를 사용하고 있다. 또한, 점차 저손실 고강도의 광섬유를 생산하기 위한 노력을 경주하고 있으며, 특히 광섬유를 인출하기 위한 광섬유 모재(Optical Fiber Preform)를 제조하는 방법의 개발에 우선적인 역점을 두고 있는 실정이다.In general, an optical transmission system uses an optical fiber made of glass, which is composed of a core and a clad layer having different refractive indices. In addition, efforts are being made to produce low-loss, high-intensity optical fibers, and in particular, the situation is primarily focused on the development of a method for manufacturing an optical fiber preform for drawing out optical fibers.
상기 광섬유 모재를 제조하기 위한 방법으로는 주로 수정된 화학기상증착법 즉, MCVD(Modified Chemical Vapor Deposition)법을 사용하고 있다. 이는 석영관내에 화학조성물을 가스의 형태로 주입하고, 상기 석영관의 외부를 균일하게 가열하므로써, 내부에 일정 증착층이 생기도록 하여 제조하는 방법이다.As a method for manufacturing the optical fiber base material, a modified chemical vapor deposition method, that is, MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition) method is used. This is a method of injecting a chemical composition into a quartz tube in the form of a gas and uniformly heating the outside of the quartz tube to produce a predetermined deposition layer therein.
도 1은 일반적인 MCVD 공정에 사용되는 광섬유 모재 제조장치를 도시한 구성도이고, 도 2는 종래 기술의 일실시예에 따른 광섬유 모재의 제조공정을 도시한 흐름도이다.1 is a block diagram showing an optical fiber base material manufacturing apparatus used in a general MCVD process, Figure 2 is a flow chart showing a manufacturing process of the optical fiber base material according to an embodiment of the prior art.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 일반적으로 MCVD법은 석영관 내부에 원료가스를 주입한후 내부면상에 고온의 열을 가하여 증착시키는 증착(Deposition)과정(100)과, 상기 증착된 증착층을 갖는 석영관(Quartz Reaction Tube)을 일정 연화점 이상으로 가열하여 응축시키므로써 모재봉을 형성하는 응축(Collapsing)과정(200)과, 상기 응축과정중 코어 중심부에서 상대적으로 낮은 굴절률을 갖는 부분을 제거하기 위한 에칭(Etching)과정(300) 및 클로즈(Close)과정(400)으로 구성된다.Referring to FIGS. 1 and 2, in general, the MCVD method is a deposition process 100 in which a raw material gas is injected into a quartz tube and then heated by applying high temperature heat to the inner surface, and the deposited deposition. The condensation (Collapsing) process of forming a base rod by heating the condensed quartz tube (Quartz Reaction Tube) to a predetermined softening point or more, and a portion having a relatively low refractive index at the center of the core during the condensation process It is composed of an etching process 300 and a closing process 400 to remove.
상기 증착과정(100)에서 저장부(36)상에 저장된 원료가스(Reactant Gas)로 실리콘 테트라 클로라이드(SiCl4), 저마늄 테트라 클로라이드(GeCl4)등을 산소(O2)와 함께 혼합하여 상기 석영관(32)내로 주입하게 된다. 이때, 상기 석영관(32)은 소정의 선반(Lathe)(31)상에 자체 회전하도록 설치되며, 상기 석영관(32)의 일단에 가스 주입 파이프(33)등을 이용하여 상기 원료가스를 주입하게 된다. 또한, 상기 주입되는 기체 상태의 원료가스를 상기 석영관(32)의 내주면상에 증착(Deposition)시키기 위하여 버너(Burner)와 같은 가열장치(34)를 사용하여 고온으로 가열하여 되며, 상기 석영관(32)내로의 원료가스의 균일한 증착을 위하여 상기 자체 회전하고 있는 석영관(32) 외부에서 상기 가열장치(34)는 길이 방향으로 수평 왕복운동(Reciprocating Movement)을 하게된다. 이때, 상기 가열장치(34)는 소정의 온도조절부(35)를 구비하고 있으며, 각 공정에 맞는 적절한 온도를 배분하는 역할을 하게 된다.In the deposition process 100, silicon tetrachloride (SiCl 4 ), germanium tetrachloride (GeCl 4 ), and the like are mixed with oxygen (O 2 ) as a source gas stored on the storage unit 36. It is injected into the quartz tube 32. At this time, the quartz tube 32 is installed to rotate itself on a predetermined shelf (Lathe) 31, the raw material gas is injected into one end of the quartz tube 32 using a gas injection pipe 33, etc. Done. In addition, in order to deposit the injected gaseous raw material gas on the inner circumferential surface of the quartz tube 32, it is heated to a high temperature using a heating device 34 such as a burner, and the quartz tube Outside the self-rotating quartz tube 32 for uniform deposition of source gas into 32, the heating device 34 undergoes a horizontal reciprocating movement in the longitudinal direction. At this time, the heating device 34 is provided with a predetermined temperature control unit 35, and serves to distribute the appropriate temperature for each process.
상기 반복적인 증착과정(100)에 의하여 클래드층과 코어층이 형성되며, 주입되는 가스의 농도(Concentration)에 따라 굴절률(Refractive Index)을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, SiCl4는 SiO2를 얻기 위해서 사용되며, GeCl4는 굴절률을 조절하는데 이용되는 GeO2를 얻기위해서 사용된다. 또한, 혼입되는 산소(O2)는 상기 원료가스의 유입량을 조절하는데 사용된다.The cladding layer and the core layer are formed by the repetitive deposition process 100, and the refractive index may be changed according to the concentration of the injected gas. For example, SiCl 4 is used to obtain SiO 2 , and GeCl 4 is used to obtain GeO 2 , which is used to control the refractive index. In addition, the mixed oxygen (O 2 ) is used to control the flow rate of the source gas.
그후, 상기 석영관(32) 내부에 충분한 증착층이 형성되면, 모재봉(Preform Rod)을 형성하기 위한 응축과정(Collapsing)(200)과 클로즈 과정(400)을 거친다. 일반적으로, 상기 응축과정(200)은 산소/수소 버너를 사용하여 증착층이 형성된 석영관(32)을 연화점 이상으로 고온을 가함과 동시에 불꽃압력으로 클로즈 과정(400)을 진행하게 된다.Thereafter, when a sufficient deposition layer is formed in the quartz tube 32, the condensation process 200 and the closing process 400 are performed to form a preform rod. In general, the condensation process 200 applies a high temperature above the softening point of the quartz tube 32 on which the deposition layer is formed using an oxygen / hydrogen burner and proceeds to the closing process 400 at the flame pressure.
이때, 상기 응축과정(200)중에 에칭(Etching)과정(300)이 수행된다. 일반적으로 응축과정중에는 석영관(32)의 연화점 이상으로 높은 버너 불꽃을 사용하게 되는데, 이때, 코어층의 중심부상에 증착된 산화물중 일부가 휘발되면서 굴절률이 낮아지는 상태가 된다. 이를 센터딥(Center Dip) 현상이라 하며, 상기 에칭과정(300)은 이와 같은 낮은 굴절률을 갖는 부분을 식각시키기 위하여 프레온(CF4)등의 화학가스를 흘려주는 과정을 거치는 것이다. 그후, 서서히 클로즈 과정(400)을 거치면서 광섬유모재를 형성하게 된다. 상기 클로즈 과정(400)중에 모재내의 수분 및 OH기를 제거하기 위하여 염소(Cl2)를 공급하게 된다.At this time, an etching process 300 is performed during the condensation process 200. In general, during the condensation process, a high burner flame is used above the softening point of the quartz tube 32. At this time, a portion of the oxide deposited on the central portion of the core layer is volatilized and the refractive index is lowered. This is called a center dip phenomenon, and the etching process 300 is a process of flowing a chemical gas such as Freon CF 4 to etch a portion having such a low refractive index. Thereafter, the optical fiber base material is formed while slowly closing the process 400. During the closing process 400, chlorine (Cl 2 ) is supplied to remove water and OH groups in the base metal.
그러나 응축과 클로즈 과정에서 내경을 완전히 줄이기 위해 여러 시간이 소요되며 전체 공정에서 많은 부분을 차지하게 되어 생산성이 낮아지는 문제가 있다.However, it takes several hours to completely reduce the inner diameter during the condensation and closing process, and takes up a large part of the overall process, thereby lowering productivity.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명의 목적은 전체적인 제조공정 속도를 향상시킬 수 있는 광섬유 모재의 제조방법을 제공하는데 있다.An object of the present invention to solve the above problems is to provide a method for manufacturing an optical fiber base material that can improve the overall manufacturing process speed.
본 발명의 다른 목적은 전체과정중 절반을 차지하는 응축과정과 클로즈 과정을 단축시킬 수 있는 광섬유 모재의 제조방법을 제공하는데 있다.Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing an optical fiber base material which can shorten the condensation process and the closing process, which occupy half of the whole process.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 MCVD법을 이용하여 석영관으로부터 광섬유 모재를 제조하기 위한 방법에 있어서,In order to achieve the above object, the present invention provides a method for manufacturing an optical fiber base material from a quartz tube using the MCVD method,
석영관 내부로 유입되는 원료가스를 상기 석영관의 외부로부터 가열하여 클래드층과 코어층을 형성하는 증착과정과,A deposition process of heating a raw material gas introduced into the quartz tube from the outside of the quartz tube to form a clad layer and a core layer;
상기 증착된 코어층상에 소정의 증착층을 추가적으로 형성하는 추가증착과정과,An additional deposition process of additionally forming a predetermined deposition layer on the deposited core layer;
상기 추가증착과정후, 상기 클래드층과 코어층 및 추가된 증착층이 형성된 석영관을 연화점 이상으로 가열하여 적정 내경을 갖는 모재봉을 형성하는 응축과정과,After the additional deposition process, the condensation process of forming a base rod having a suitable inner diameter by heating the cladding layer, the core layer and the quartz tube formed with the additional deposition layer above the softening point;
상기 응축과정후, 상기 추가증착층의 일부를 프레온 계열의 화합물을 사용하여 식각하며 동시에 내경을 완전히 없에는 에칭-클로즈 과정을 포함함을 특징으로 한다.After the condensation process, a portion of the additional deposition layer is etched using a freon-based compound and at the same time characterized in that it comprises an etching-close process without a complete inner diameter.
도 1은 일반적인 MCVD 공정에 사용되는 광섬유 모재 제조장치를 도시한 구성도.1 is a block diagram showing an optical fiber base material manufacturing apparatus used in a general MCVD process.
도 2는 종래 기술의 일실시예에 따른 광섬유 모재의 제조공정을 도시한 흐름도.Figure 2 is a flow chart showing a manufacturing process of the optical fiber base material according to an embodiment of the prior art.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광섬유 모재의 제조공정을 도시한 흐름도.Figure 3 is a flow chart showing a manufacturing process of the optical fiber base material according to an embodiment of the present invention.
도 4a는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 증착과정을 도시한 석영관의 부분단면도.Figure 4a is a partial cross-sectional view of a quartz tube showing a deposition process according to an embodiment of the present invention.
도 4b는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 증착과정이 완료된후 추가증착과정을 도시한 석영관의 부분단면도.Figure 4b is a partial cross-sectional view of a quartz tube showing a further deposition process after the deposition process is completed in accordance with a preferred embodiment of the present invention.
도 5은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 추가증착이 완료된 석영관의 횡단면도.Figure 5 is a cross-sectional view of the quartz tube completed further deposition according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부호에 대한 설명><Description of Major Symbols in Drawing>
1: 석영관 2: 원료가스1: quartz tube 2: raw material gas
3: 클래드층 4: 코어층3: cladding layer 4: core layer
5: 추가증착층5: additional deposition layer
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 그리고, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 예를 들어, 본원 발명의 종래기술에서 언급하고 있는 MCVD법의 상세한 설명은 본 발명의 요지를 명확히 하기 위하여 생략하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the case where it is determined that the gist of the present invention may be unnecessarily obscured, detailed description thereof will be omitted. For example, the detailed description of the MCVD method mentioned in the prior art of the present invention will be omitted to clarify the gist of the present invention.
본 발명은 증착과정중 코어층상에 상대적으로 높은 굴절률을 갖도록 추가로 증착된 추가증착층을 형성하고, 추가증착층의 일부를 프레온 계열의 화합물을 사용하여 식각하며 동시에 내경을 완전히 없에는 에칭-클로즈 과정으로 구성되어, 에칭-클로즈 과정시 추가증착층의 수축효과에 의한 공정속도를 향상시킬 수 있다.The present invention forms an additional deposited layer that is further deposited to have a relatively high refractive index on the core layer during the deposition process, etching part of the additional deposited layer using a freon-based compound and at the same time etching-closed completely without the inner diameter It is composed of a process, it is possible to improve the process speed due to the shrinkage effect of the additional deposition layer during the etching-close process.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 광섬유 모재의 제조공정을 도시한 흐름도이다. 도 4a는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 증착과정을 도시한 석영관의 부분단면도이고, 도 4b는 증착과정이 완료된후 추가증착과정을 도시한 석영관의 부분단면도이다. 도 5은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 추가증착이 완료된 석영관의 횡단면도이다.3 is a flow chart showing a manufacturing process of the optical fiber base material according to an embodiment of the present invention. Figure 4a is a partial cross-sectional view of a quartz tube showing a deposition process according to an embodiment of the present invention, Figure 4b is a partial cross-sectional view of a quartz tube showing a further deposition process after the deposition process is completed. Figure 5 is a cross-sectional view of the quartz tube is completed further deposition according to an embodiment of the present invention.
도 3 내지 도 5를 참조하여 보면, 본 발명에 의한 광섬유 모재의 제조과정은 증착(Deposite)과정(10), 추가증착과정(20), 응축(Collapse)과정(30), 에칭과정(Etching)(40) 및 클로즈(Close)(50)과정으로 구성된다.3 to 5, the manufacturing process of the optical fiber base material according to the present invention is a deposition process (10), an additional deposition process (20), a condensation (Collapse) process (30), etching process (Etching) 40 and Close (50) process.
상기 증착과정(10)은 도 4a에 도시한 바와 같이, 자체 회전하는 석영관(Quartz Reaction Tube)(1)의 내부에 SiCl4, GeCl4와 O2를 혼합한원료가스(Reactant Gas)(2)를 주입한후, 상기 석영관(1)의 길이 방향으로 왕복 선회운동을 하는 소정의 가열장치(예를 들어 버너등)(34)를 사용하여 가열을 하게 되면, 상기 석영관(1)의 내부에는 산화반응에 의해 소정의 증착층이 형성된다. 상기 증착층은 상기 석영관(1)의 굴절률과 상응한 클래드층(3)과, 상기 클래드층(3)보다 상대적으로 굴절률(Refractive Index)이 높은 코어층(4)으로 형성된다.As illustrated in FIG. 4A, the deposition process 10 includes a reactant gas in which SiCl 4 , GeCl 4, and O 2 are mixed inside a self-rotating quartz tube 1. ) And then heating using a predetermined heating device (for example, a burner, etc.) 34 which reciprocates in the longitudinal direction of the quartz tube 1. Inside, a predetermined deposition layer is formed by an oxidation reaction. The deposition layer is formed of a cladding layer 3 corresponding to the refractive index of the quartz tube 1 and a core layer 4 having a relatively higher refractive index than the cladding layer 3.
상기 추가 증착과정(20)은 도 4b 및 도 5에 도시한 바와 같이, 상기 클래드층(3)과 코어층(4)이 형성된 증착층상에 상기 코어층(4)보다 상대적으로 높은 굴절률을 갖도록 추가로 증착층(5)을 형성한다. 따라서, 상기 추가 증착층(5)은 상기 코어층(4)보다 상대적으로 낮는 점도(Viscosity)를 갖게된다. 또한, 상기 증착층(5)은 2~3Pass정도로 형성하게 된다.The additional deposition process 20 is added to have a relatively higher refractive index than the core layer 4 on the deposition layer on which the clad layer 3 and the core layer 4 are formed, as shown in FIGS. 4B and 5. The vapor deposition layer 5 is formed. Thus, the additional deposition layer 5 has a viscosity lower than the core layer 4. In addition, the deposition layer 5 is formed to about 2 ~ 3 Pass.
그후, 상기 3개의 증착층(3, 4, 5)으로 형성된 석영관(1)을 연화점이상으로 가열하여 모재봉을 형성하는 응축과정(30)을 거친다. 그후, 상기 코어층(4)보다 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 추가증착층(5)을 일부 식각하기 위한 에칭과정(40)과 동시에 모재봉을 마감하는 클로즈과정(50)을 거치게 된다. 상기 에칭과정(40)에서는 프레온(CF4)등을 사용할 수 있다.Thereafter, the quartz tube 1 formed of the three deposition layers 3, 4, and 5 is heated to a softening point or higher, thereby undergoing a condensation process 30 to form a base rod. Thereafter, the etching process 40 for partially etching the additional deposition layer 5 having a refractive index higher than that of the core layer 4 is performed, and a closing process 50 for finishing the base rod is performed. In the etching process 40, a freon CF 4 may be used.
이때, 상기 에칭과정(40)후, 일부 남아있던 높은 굴절률을 가지는 추가증착층(5)은 클로즈 과정(50)시, 센터딥 효과(Center Dip Effect)로 인하여 가열장치의 고온의 불꽃에 의하여 소멸되면서 상기 코어층(4)의 원래의 굴절률과 같거나 낮은 굴절률을 가지면서 광섬유 모재가 형성되는 것이다. 또한, 상기 추가증착층(5)은코어층(4)보다 상대적으로 높은 굴절률을 가지기 때문에 빠른 공정속도로 응축과정과 클로즈 과정(50)을 수행할 수 있게된다.At this time, after the etching process 40, the additional deposition layer 5 having the remaining high refractive index is extinguished by the high temperature flame of the heating apparatus due to the center dip effect during the closing process 50. The optical fiber base material is formed while having a refractive index equal to or lower than the original refractive index of the core layer 4. In addition, since the additional deposition layer 5 has a relatively higher refractive index than the core layer 4, the condensation process and the closing process 50 can be performed at a high process speed.
따라서, 작업자는 상기 추가로 증착되는 추가증착층(5)의 두께를 조절하거나, 식각을 위한 화학가스의 유입량을 조절하면서 공정속도를 증가시킬 수 있는 것이다.Therefore, the operator can increase the process speed while adjusting the thickness of the additional deposition layer (5) to be further deposited, or adjusting the flow rate of the chemical gas for etching.
상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 광섬유 모재의 제조방법은 추가로 증착되는 일정 두께의 높은 굴절률을 가지는 증착층을 형성하므로써 에칭-클로즈 과정시 추가증착층의 수축효과에 의한 공정속도를 향상시킬 수 있다.As described above, the manufacturing method of the optical fiber base material according to the embodiment of the present invention further improves the process speed due to the shrinkage effect of the additional deposition layer during the etching-close process by forming a deposition layer having a high refractive index of a predetermined thickness to be deposited. You can.
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