KR100309135B1 - Method for controlling wire tail of wire bonder - Google Patents
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Abstract
Description
제 1 도는 다이의 패드와 패캐지의 리드 프레임을 와이어 본딩한 상태를 도시한 평면도.1 is a plan view showing wire bonding between a pad of a die and a lead frame of a package;
제 2 도는 리드 프레임에 연결되는 와이어의 스티칭 자국을 확대한 도면.2 is an enlarged view of stitching marks of a wire connected to a lead frame.
제 3 도는 와이어 본더를 사용하여 와이어 본딩하는 작업을 설명하기 위해 제 1 도의 X-X'선을 따라 절단한 단면도.3 is a cross-sectional view taken along the line X-X 'of FIG. 1 to illustrate the operation of wire bonding using a wire bonder.
제 4 도는 종래 와이어 본딩 공정 순서도.4 is a flow diagram of a conventional wire bonding process.
제 5, 7 및 10 도는 툴의 끝단에 테일이 형성된 단면도.5, 7 and 10 degrees cross section with a tail formed at the end of the tool.
제 6, 8 및 9 는 테일에 볼이 형성된 단면도.6, 8, and 9 are cross-sectional views of which balls are formed in the tail.
제 11 도는 본 발명에 의한 와이어 본딩 공정 순서도.11 is a flowchart of a wire bonding process according to the present invention.
제 12 도는 본 발명의 와이어 본더의 요부도.12 is a main view of a wire bonder of the present invention.
제 13 도는 리드 프레임이 히트 블록에 양호하게 접촉되었을 때의 툴 상승을 설명하기 위한 단면도.13 is a cross-sectional view for explaining the tool lift when the lead frame is in good contact with the heat block.
제 14 도는 리드 프레임이 히트 블록에 양호하게 접촉되지 않았을 때의 툴 상승을 설명하기 위한 단면도.14 is a cross-sectional view for explaining tool raising when the lead frame is not in good contact with the heat block.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
1: 다이 2: 다이 패드1: die 2: die pad
3: 리드 프레임 10: 와이어 본더3: lead frame 10: wire bonder
11: 히트 블록 12: 윈도우 클램프11: Heat Block 12: Window Clamp
13: 툴 14: 와이어 클램프13: Tool 14: Wire Clamp
15: 트랜듀셔 16: 리니어 서어보 모터15: Transducer 16: Linear Servo Motor
17: 근접 센서 18: 센서 증폭기17: proximity sensor 18: sensor amplifier
19: 제어부 20: 토치 블레이드19: control unit 20: torch blade
30: 와이어 31: 스티칭 자국30: wire 31: stitching marks
32: 와이어 테일 33: 볼32: wire tail 33: ball
40: 메모리 50: 화상인식장치40: memory 50: image recognition device
60: 모니터60: monitor
본 발명은 와이어 본더(wire bonder)의 와이어 테일(tail) 제어방법에 관한 것으로, 특히 윈도우 클램프의 상태를 양호하세 셋팅(setting)하여 와이어 테일을 효과적으로 제어할 수 있는 와이어 본더의 와이어 테일 제어방법에 관한 것이다.The present invention relates to a wire tail control method of a wire bonder, and more particularly, to a wire tail control method of a wire bonder capable of effectively controlling the wire tail by setting a good state of a window clamp. It is about.
와이어 본더는 반도체 제조공정중 다이(die) 패드(pad)각각과 이들 다이 패드 각각에 대응되는 패캐지(pakage)의 리드 프레임(lead frame)들을 와이어로 상호 연결시키는 장비이다.The wire bonder is a device for interconnecting each die pad and a lead frame of a package corresponding to each die pad in a semiconductor manufacturing process with wires.
제 1 도는 다이의 패드와 패캐지의 리드 프레임을 와이어 본딩한 상태를 도시한 평면도이고,1 is a plan view showing a state of wire bonding a pad of a die and a lead frame of a package,
제 2 도는 리드 프레임에 연결되는 와이어의 스티칭 자국을 확대한 도면이며,2 is an enlarged view of stitching marks of a wire connected to a lead frame,
제 3 도는 와이어 본더를 사용하여 와이어 본딩하는 작업을 설명하기 위해 제 1 도의 X-X'선을 따라 절단한 단면도이고,3 is a cross-sectional view taken along the line X-X 'of FIG. 1 to illustrate the operation of wire bonding using a wire bonder,
제 4 도는 종래 와이어 본딩 공정 순서도이다.4 is a flowchart of a conventional wire bonding process.
다이(1)를 와이어 본더(10)의 히트 블록(heat block; 11)에 진공장치로 고정시킨 후, 패캐지의 리드 프레임(3)이 히트 블록(11)에 잘 접촉되도록 윈도우 클램프(window clamp; 12)로 리드 프레임(3)을 눌러준 상태에서 와이어 본딩 공정을 설명하면 다음과 같다.After the die 1 is fixed to the heat block 11 of the wire bonder 10 with a vacuum device, a window clamp is provided such that the lead frame 3 of the package is in good contact with the heat block 11. 12, the wire bonding process in the state in which the lead frame 3 is pressed is as follows.
시작 신호로 부터 단계(100)에서는 와이어 본더(10)의 상태를 초기화 시키고, 단계(101)로 진행된다. 단계(101)에서는 와이어 본더(10)의 툴(13)을 다이 패드(2)의 윗쪽에 위치되도록 화상인식 정렬과정을 거쳐 본드 헤드를 정렬시키고, 단계(102)로 진행된다. 툴(13)의 끝단으로 부터 연장된 와이어(30)의 테일(32)에는 볼(ball; 33)이 형성되어 있다. 단계(102)에서는 툴(13)을 하강시켜 다이 패드(2)에 접촉되게 하면 볼(33)이 패드(2)에 연결되고, 단계(103)으로 진행된다. 이때 툴(13)에 장착된 와이어 클램프(14)가 오픈(open)된다. 단계(103)에서는 와이어 클램프(14)가 오픈된 상태로 툴(13)을 상승시키면 와이어(30)는 툴(13)의 끝단으로 부터 일정길이 인출되고, 툴(13)을 다이 패드(2)에 대응되는 리드 프레임(3)쪽으로 이동시킴에 의해 툴(13)의 끝단으로 부터 와이어가 인출되어 루프(loop)를 형성하고, 단계(104)로 진행된다. 단계(104)에서는 툴(13)이 리드 프레임(3)에 접촉되는 것을 감지한 후, 단계(105)로 진행되어 리드 프레임(3)에 스티칭(stitching) 자국(31)을 내어 와이어(30)가 리드 프레임(3)에 쐐기모양으로 연결(wedge-shaped bond)되게 하고, 단계(106)으로 진행된다. 단계(106)에서는 툴(13)을 파라미터(parameter)로 이미 셋팅된 값만큼 일정높이 상승시킴에 의해 툴(13)의 끝단에 와이어 테일(32)이 형성되게 하고, 단계(107)로 진행된다. 와이어 테일(32)이 형성되면 와이어 클램프(14)는 클로우즈(close)된다. 단계(107)에서는 토치 블레이드(torch blade; 20)로 와이어 테일(32)에 볼(33)을 형성하고, 단계(108)로 진행된다. 단계(108)에서는 와이어 본딩작업이 양호하게 완료되었는지를 판단하여, 에러(error)가 발생되면 단계(109)로 진행하여 좌표이동 작업을 거친후 단계(102)로 진행되고, 에러가 발생되지 않았으면 단계(110)으로 진행되어 다음작업을 수행하게 된다.In step 100 from the start signal to initialize the state of the wire bonder 10, and proceeds to step 101. In step 101, the bond head is aligned through image recognition alignment so that the tool 13 of the wire bonder 10 is positioned above the die pad 2, and the process proceeds to step 102. A ball 33 is formed in the tail 32 of the wire 30 extending from the end of the tool 13. In step 102, lowering the tool 13 to contact the die pad 2 causes the ball 33 to connect to the pad 2 and proceeds to step 103. At this time, the wire clamp 14 mounted on the tool 13 is opened. In step 103, when the tool 13 is raised with the wire clamp 14 open, the wire 30 is drawn out a predetermined length from the end of the tool 13, and the tool 13 is removed from the die pad 2. By moving toward the lead frame 3 corresponding to the wire from the end of the tool 13 is drawn out to form a loop (loop), and proceeds to step 104. In step 104, after sensing that the tool 13 is in contact with the lead frame 3, the process proceeds to step 105 where a stitching mark 31 is placed on the lead frame 3 to form a wire 30. Is wedge-shaped bond to the lead frame 3 and proceeds to step 106. In step 106, the wire 13 is formed at the end of the tool 13 by raising the tool 13 by a predetermined height by a value already set as a parameter, and the process proceeds to step 107. . When the wire tail 32 is formed, the wire clamp 14 is closed. In step 107 a ball 33 is formed in the wire tail 32 with a torch blade 20 and the flow proceeds to step 108. In step 108, it is determined whether the wire bonding operation is successfully completed. If an error occurs, the process proceeds to step 109, and after the coordinate shift operation, the process proceeds to step 102, and no error has occurred. If it is proceeded to step 110 to perform the next operation.
이와같은 와이어 본딩 공정은 하나의 소자가 완성될 때 까지 반복 실시된다.This wire bonding process is repeated until one device is completed.
상술한 종래의 와이어 본딩 공정에서 제 5 도에 도시된 바와같이 윈도우 클램프(12)에 의해 리드 프레임(3)이 히트 블록(11)에 양호하게 클램핑되었을 경우에는 와이어(30)를 리드 프레임(3)에 연결한 후 툴(13)을 상승시킬 때 툴(13)의 끝단에 원하는 길이"L1"을 간는 와이어 테일(32)이 형성된다. 길이"L1"을 갖는 테일(32)에 토치 블레이드(20)와 와이어 테일간의 고전압의 스파크(spark)로 볼(33)을 형성하는데, 형성된 볼(33)은 제 6 도에 도시된 바와같이 툴(13)의 끝단 중심부분에 양호하게 형성된다. 볼(33)이 양호하게 형성된 상태에서 다이 패드(2)에 와이어(30)를 연결할 경우 제 1 도의 지시부호(A)와 같이 양호한 접촉상태가 된다.In the above-described conventional wire bonding process, when the lead frame 3 is well clamped to the heat block 11 by the window clamp 12 as shown in FIG. 5, the wire 30 is connected to the lead frame 3. ), A wire tail 32 is formed at the end of the tool 13 that raises the desired length "L1" when the tool 13 is raised. Ball 33 is formed from a high voltage spark of torch blade 20 and wire tail on tail 32 having a length " L1 ", wherein the formed ball 33 is a tool as shown in FIG. It is preferably formed in the central portion of the end of (13). When the wire 30 is connected to the die pad 2 in a state where the ball 33 is well formed, a good contact state is obtained as indicated by reference numeral A of FIG.
그러나, 와이어 본딩 공정에서 다수의 얇고 작은 리드 프레임(3)을 히트 블록(11)에 제 5 도와 같이 양호하게 클램핑하는 것은 사실상 어려우며, 또한 리드 프레임(3) 자재 역시 불안정한 요인을 갖고 있다. 따라서, 제 7 및 10 도에 도시된 바와같이 리드 프레임(3)이 히트 블록(11)에 잘 클램핑되지 않아 와이어(30)를 리드 프레임(3)에 연결한 후 툴(13)을 상승시킬 때 툴(13)의 끝단에 원하는 길이"L1"보다 길거나 짧은 길이를 갖는 와이어 테일(32)이 기울어지게 형성된다. 제 7 도는 와이어(30)를 리드 프레임(3)에 연결한 후 툴(13)을 상승시킬 때 툴(13)의 끝단에 길이"L2"를 갖는 와이어 테일(32)이 기울어지게 형성된 것이 도시된다. 길이"L2"가 길 경우 제 8 도에 도시된 바와같이 툴(13)의 끝단 중심부분에 볼(33)이 형성되지 않고, 넥(neck)이 있는 골프(golf) 볼(33)이 형성되는데, 골프 볼(33)은 다이 패드(2)에 와이어(30)를 연결할 경우 제 1 도의 지시부호(B)와 같이 볼(33)의 넥 부분이 다이 패드(2)에 붙어서 다른 전도체와 쇼트(short)될 우려가 높다. 길이 "L2"가 짧을 경우 제 9 도에 도시된 바와같이 툴(13)의 끝단 중심부분에 볼(33)이 형성되지 않고, 옆쪽으로 치우쳐 볼(33)이 형성되는데, 이 볼(33)은 다이 패드(2)에 와이어(30)를 연결할 경우 제 1 도의 지시부호(C)와 같이 다이 패드(2)에 옆쪽으로 편위되어 다른 전도체와 쇼트(short)될 우려가 높다. 제 10 도는 툴(13)의 끝단에 매우 짧은 길이"L3"를 갖는 와이어 테일(32)이 형성된 것이 도시되는데, 이 경우 볼(33)이 형성되지 않아 제 1 도의 지시부호(D)와 같이 다이 패드(2)와 리드 프레임(3)를 연결하는 와이어(30)가 형성되지 않는다.However, in the wire bonding process, it is practically difficult to clamp a large number of thin and small lead frames 3 to the heat block 11 like a fifth degree, and the lead frame 3 material also has an unstable factor. Thus, as shown in FIGS. 7 and 10, when the lead frame 3 is not well clamped to the heat block 11, the tool 13 is raised after connecting the wire 30 to the lead frame 3. At the end of the tool 13 a wire tail 32 having a length longer or shorter than the desired length "L1" is formed to be inclined. 7 shows that the wire tail 32 having a length "L2" is inclined at the end of the tool 13 when the tool 13 is raised after connecting the wire 30 to the lead frame 3. . When the length "L2" is long, as shown in FIG. 8, the ball 33 is not formed at the center portion of the end of the tool 13, and a golf ball 33 having a neck is formed. When the golf ball 33 connects the wire 30 to the die pad 2, the neck portion of the ball 33 adheres to the die pad 2, as indicated by reference numeral B of FIG. There is a high possibility of shorting. When the length "L2" is short, as shown in FIG. 9, the ball 33 is not formed at the center portion of the end of the tool 13, and the ball 33 is formed to be shifted laterally. When the wire 30 is connected to the die pad 2, as shown by the reference symbol C of FIG. 1, the die pad 2 is laterally biased and shorted to other conductors. 10 shows the formation of a wire tail 32 having a very short length "L3" at the end of the tool 13, in which case the ball 33 is not formed and dies as indicated by reference numeral D of FIG. The wire 30 connecting the pad 2 and the lead frame 3 is not formed.
따라서, 본 발명은 각각의 리드 프레임에서 상기의 문제점을 유발시킬 수 있는 각 리드의 들뜬상태(클램핑 상태)를 통계적으로 산출하여 문제점을 유발시킬 수 있는 각 리드 위치에 대응되는 윈도우 클램프의 상태를 양호하게 셋팅(setting)하므로써, 와이어 테일을 효과적으로 제어할 수 있어 품질 및 생산성을 향상시킬 수 있는 와이어 본더의 와이어 테일 제어방법을 제공함에 있다.Therefore, the present invention is good in the state of the window clamp corresponding to each lead position that can cause problems by statistically calculating the excited state (clamping state) of each lead that can cause the above problems in each lead frame. By setting this, it is possible to effectively control the wire tail to provide a wire tail control method of the wire bonder that can improve the quality and productivity.
이러한 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 와이어 본더의 와이어 테일 제어방법은 윈도우 클램프의 상태를 양호하게 셋팅하여 와이어 테일을 효과적으로 제어할 수 있는 와이어 본더의 와이어 테일 제어방법에 있어서, 툴을 다이 패드 윗쪽에 위치되도록 화상인식 정렬과정을 거쳐 본드헤드를 정렬시킨 후, 상기 툴을 하강시켜 상기 다이 패드에 와이어를 연결하는 제 1 단계; 상기 툴을 상승시키면서 리드 프레임쪽으로 이동시켜 와이어 루프를 형성하는 제 2 단계; 상기 툴을 하강시켜 상기 툴이 상기 리드 프레임의 윗면에 최초 접촉되는 콘택 레벨값"T"와 상기 리드 프레임에 스티칭 자국을 내는 순간 상기 툴이 상기 리드 프레임의 윗면에 접촉되는 콘택 레벨값"S"를 제어부에 저장하고, 이들 레벨값의 절대차 "|T - S|"가 상기 제어부에 파라미터로 입력되어 있는 테일이 기울어지지 않는 최대 레벨값"D"보다 큰지를 판단하는 제 3 단계; "|T - S|"의 값이 "D"값보다 클 경우 상기 툴은 저속으로 상승되도록 하며, 이 경우에 적용되는 각 리드 프레임을 제어부에서 저속상승된 리드 프레임의 번호와 횟수를 중앙처리장치의 메모리에 기억 및 카운트 하며, "|T - S|"의 값이 "D"값보다 작을 경우 상기 툴은 고속으로 상승되도록 하는 제 4 단계; 상기 툴이 상승됨에 의해 와이어 테일이 형성되는 제 5 단계; 토치 블레이드로 상기 와이어 테일에 볼을 형성하는 제 6 단계; 및 상기 제 1 내지 6 단계를 반복 실시하되, 상기 제 4 단계에서 "|T - S|"의 값이 "D"값보다 클 경우 상기 툴이 저속으로 상승될 때마다 이에 적용되는 각 리드 프레임을 제어부에서 각 리드 프레임의 번호와 이들의 횟수를 중앙처리장치의 메모리에 저장한 후 합산하여 통계적으로 데이타를 모니터에 나타내주어 상기 툴이 저속상승되는 부분의 각 리드 프레임에 대응되는 윈도우 클램프를 양호한 상태로 셋팅하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The wire tail control method of the wire bonder of the present invention for achieving the above object is a wire tail control method of the wire bonder that can effectively control the wire tail by setting the state of the window clamp well, the tool on the die pad Aligning the bond head through an image recognition alignment process so as to be positioned, and then lowering the tool to connect a wire to the die pad; A second step of moving the tool toward the lead frame while raising the tool to form a wire loop; The tool is lowered so that the contact level value "T" is initially in contact with the upper surface of the lead frame and the contact level value "S" in contact with the upper surface of the lead frame at the moment the tool makes a stitch mark on the lead frame. A third step of determining whether the absolute difference "| T-S |" of these level values is greater than the maximum level value "D" at which the tail inputted to the controller as a parameter is not tilted; If the value of "| T-S |" is greater than the value of "D", the tool raises it at a low speed. In this case, the control unit sets the number and the number of the low-rise lead frames at the control unit. A fourth step of storing and counting in the memory of the memory device and causing the tool to rise at a high speed when the value of "| T-S |" is smaller than the value of "D"; A fifth step of forming a wire tail by lifting the tool; A sixth step of forming a ball in the wire tail with a torch blade; And repeating the first to sixth steps, and if the value of "| T-S |" is greater than the value of "D" in the fourth step, The control unit stores the numbers of the lead frames and the number of them in the memory of the central processing unit, sums them up, and displays the data statistically on the monitor. It characterized in that the step consisting of setting to.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
제 11 도는 본 발명에 의한 와이어 본딩 공정 순서도이다. 제 12 도는 본 발명의 와이어 본더의 요부도이다.11 is a flowchart of a wire bonding process according to the present invention. 12 is a principal view of the wire bonder of the present invention.
전술한 제 1 및 2 도에 도시된 바와같이 다이(1)를 와이어 본더(10)의 히트 블록(heat block; 11)에 진공장치로 고정시킨 후, 패캐지의 리드 프레임(3)이 히트 블록(11)에 잘 접촉되도록 윈도우 클램프(window clamp; 12)로 리드 프레임(3)을 눌러준 상태에서 본 발명의 와이어 본딩 공정을 설명하면 다음과 같다.After the die 1 is fixed to the heat block 11 of the wire bonder 10 as shown in FIGS. 1 and 2 by the vacuum apparatus, the lead frame 3 of the package is connected to the heat block ( 11, the wire bonding process of the present invention is described in the state in which the lead frame 3 is pressed by a window clamp 12 so as to be in good contact.
시작 신호로 부터 단계(200)에서는 와이어 본더(10)의 상태를 초기화 시키고, 단계(201)로 진행된다. 단계(201)에서는 와이어 본더(10)의 툴(13)을 다이 패드(2)의 윗쪽에 위치되도록 정렬시키고, 단계(202)로 진행된다. 툴(13)의 끝단으로 부터 연장된 와이어(30)의 테일(32)에는 볼(ball; 33)이 형성되어 있다. 단계(202)에서는 리니어 서어보 모터(linear servo motor; 16)에 의해 위치제어되는 트랜듀셔(15)에 의해 툴(13)을 하강시켜 다이 패드(2)에 접촉되게 하면 볼(33)이 패드(2)에 연결되고, 단계(203)으로 진행된다. 이때 툴(13)에 장착된 와이어 클램프(14)는 오픈(open)된다. 단계(203)에서는 와이어 클램프(14)가 오픈된 상태로 툴(13)을 상승시키면 와이어(30)는 툴(13)의 끝단으로 부터 일정길이 인출되고, 툴(13)을 다이 패드(2)에 대응되는 리드 프레임(3)쪽으로 이동시킴에 의해 툴(13)의 끝단으로 부터 와이어가 인출되어 루프(loop)를 형성하고, 단계(204)로 진행된다. 단계(204)에서는 리드 프레임(3)의 윗면에 툴(13)이 접촉되는 것을 근접센서(17)에서 검출하고, 단계(205)로 진행된다. 툴(13)이 리드 프레임(3) 윗면을 감지하는 콘택 레벨값을 "T"라고 정의하면, 제 13 도와 같이 리드 프레임(3)이 히트 블록(11)에 양호하게 접촉되었을 경우 콘택 레벨값"T"는 리드 프레임(3)의 두께에 비례한 값이되며, 제 14 도와 같이 리드 프레임(3)이 히트 블록(11)으로 부터 일정거리 이격 되었을 경우 콘택 레벨값"T"는 리드 프레임(3)의 두께에 이격된 거리를 합한 수치에 비례한 값이 된다. 콘택 레벨값"T"는 근접 센서(17)에 의해 검출된 검출거리를 전압으로 증폭해주는 센서 증폭기(18)에 전달하고, 센서 증폭기(18)의 전압을 제어부(19)에 전달하여 디지탈(dital)값으로 저장된다. 단계(205)에서는 리드 프레임(3)에 툴(13)에 의하여 스티칭(stitching) 자국(31)을 내어 와이어(30)가 리드 프레임(3)에 연결되게 하고, 단계(206)으로 진행된다. 리드 프레임(3) 밑면이 히트 블록(11)에 양호하게 접촉되었을 때 툴(13)이 리드 프레임(3) 윗면을 감지하는 콘택 레벨값을 "S"라고 정의하면, 콘택 레벨값"S"는 리드 프레임(3)의 두께에 비례한 값이 된다. 콘택 레벨값"S"는 근접 센서(17)에 의해 검출된 검출거리를 전압으로 증폭해주는 센서 증폭기(18)에 전달하고, 센서 증폭기(18)의 전압을 제어부(19)에 전달하여 디지탈(dital)값으로 저장된다. 단계(206)에서는 |T - S| > D {여기서, "D"는 테일(32)이 기울어지지 않는 최대 레벨값이라 정의하고, 이 값은 미리 제어부(19)에 파라미터로서 입력되어 있는 상태임.}를 제어부(19)에서 판단하여, "|T - S|"의 값이 "D"값보다 작을 경우 단계(207)로 진행되어 툴(13)이 고속으로 상승되도록 제어부(19)에서 리니어 서어보 모터(16)에 신호를 보내어 툴(13)이 고속상승되도록 제어하고, 반대로 "|T - S|"의 값이 "D"값보다 클 경우 단계(208)로 진행되어 툴(13)이 저속으로 상승되도록 제어부(19)에서 리니어 서어보 모터(16)에 신호를 보내어 툴(13)이 저속상승되도록 제어한다. 단계(207) 또는 단계(208)로 부터 단계(209)로 진행되는데, 단계(209)에서는 툴(13)을 고속 또는 저속으로 이미 와이어 본더의 테일값 파라미터로서 셋팅된 일정높이를 상승시킴에 의해 툴(13)의 끝단에 와이어 테일(32)이 형성되게 하고, 단계(210)로 진행된다. 와이어 테일(32)이 형성되면 와이어 클램프(14)는 클로우즈(close)된다. 단계(210)에서는 토치 블레이드(torch blade; 20)로 와이어 테일(32)에 볼(33)을 형성하고, 단계(211)로 진행된다. 단계(211)에서는 와이어 본딩작업이 양호하게 완료되었는지를 판단하여, 완료되지 않았으면 다음 패드 및 리드를 와이어 본딩토록 단계(212)로 진행하여 좌표이동 작업을 거친후 단계(202)로 진행되고, 한 소자의 와이어 본딩이 완료되었으면 단계(213)으로 진행되어 다음 소자의 작업을 수행하게 된다.In step 200 from the start signal, the state of the wire bonder 10 is initialized, and the process proceeds to step 201. In step 201, the tool 13 of the wire bonder 10 is aligned so as to be positioned above the die pad 2, and the flow proceeds to step 202. A ball 33 is formed in the tail 32 of the wire 30 extending from the end of the tool 13. In step 202, the tool 13 is lowered by the transducer 15, which is positioned by a linear servo motor 16, and brought into contact with the die pad 2 so that the ball 33 pads. It is connected to (2), and proceeds to step 203. At this time, the wire clamp 14 mounted on the tool 13 is opened. In step 203, when the tool 13 is raised with the wire clamp 14 open, the wire 30 is pulled out a predetermined length from the end of the tool 13, and the tool 13 is removed from the die pad 2. By moving toward the lead frame 3 corresponding to the wire is drawn out from the end of the tool 13 to form a loop, and proceeds to step 204. In step 204, the proximity sensor 17 detects that the tool 13 is in contact with the upper surface of the lead frame 3, and proceeds to step 205. If the tool 13 defines a contact level value "T" for sensing the upper surface of the lead frame 3, the contact level value when the lead frame 3 is in good contact with the heat block 11 as shown in the thirteenth diagram. T "is a value proportional to the thickness of the lead frame 3, and as shown in FIG. 14, when the lead frame 3 is spaced from the heat block 11 by a predetermined distance, the contact level value" T "is the lead frame 3 ) Is proportional to the sum of the distances of the thickness and the distance. The contact level value "T" is transmitted to the sensor amplifier 18 which amplifies the detection distance detected by the proximity sensor 17 to a voltage, and transmits the voltage of the sensor amplifier 18 to the control unit 19 to digital. Value is stored. In step 205, the stitching marks 31 are stitched by the tool 13 to the lead frame 3 so that the wire 30 is connected to the lead frame 3, and the flow proceeds to step 206. When the bottom surface of the lead frame 3 is in good contact with the heat block 11, if the tool 13 defines a contact level value "S" for detecting the top surface of the lead frame 3, the contact level value "S" The value is proportional to the thickness of the lead frame 3. The contact level value "S" is transmitted to the sensor amplifier 18 which amplifies the detection distance detected by the proximity sensor 17 to a voltage, and transmits the voltage of the sensor amplifier 18 to the control unit 19 to digital. Value is stored. In step 206, the | T-S | &Quot; D " is defined as the maximum level value at which the tail 32 is not tilted, and this value is a state previously inputted as a parameter to the controller 19. " If the value of "| T-S |" is smaller than the value of "D", the flow proceeds to step 207 where the control unit 19 sends a signal to the linear servo motor 16 to raise the tool 13 at high speed. If the value of " | T-S | " is greater than the value of " D ", the process proceeds to step 208, whereby the control unit 19 causes the tool 13 to rise at a low speed. A signal is sent to the linear servo motor 16 to control the tool 13 to rise at low speed. From step 207 or step 208 to step 209, in step 209 the tool 13 is raised at a high or low speed by raising the constant height already set as the tail value parameter of the wire bonder. The wire tail 32 is formed at the end of the tool 13 and proceeds to step 210. When the wire tail 32 is formed, the wire clamp 14 is closed. In step 210, a ball 33 is formed on the wire tail 32 with a torch blade 20, and the flow proceeds to step 211. In step 211, it is determined whether the wire bonding operation is successfully completed, and if it is not completed, the next pad and lead proceed to step 212 for wire bonding, and then go to step 202 after the coordinate movement operation. When the wire bonding of one device is completed, the process proceeds to step 213 to perform the operation of the next device.
만약 상기의 와이어 본딩 공정에서 툴(13)이 저속으로 상승될 경우 이 공정에 적용되는 리드 프레임(3)에 관련하여 제어부(19)에서 와이어 루프가 형성되는 리드번호"Lx"와 횟수"Cx"를 메모리(40)에 기억하고 카운트(count)를 해둔다(여기서 x는 자연수임). 이와같은 와이어 본딩 공정은 하나의 소자가 완성될 때 까지 반복 실시되는데, 각각의 리드 프레임(3)에서 툴(13)이 저속상승되는 각 리드 프레임(3)에 관련하여 제어부(19)에서 저속상승 부분의 리드번호"Lx"와 횟수"Cx"를 중앙처리장치의 메모리(40)에 기억하고 카운트 해둔다.If the tool 13 is raised at a low speed in the wire bonding process, the lead number " Lx " and the number " Cx " Is stored in the memory 40 and counted (where x is a natural number). This wire bonding process is repeatedly performed until one device is completed, and the low speed rise in the control unit 19 in relation to each lead frame 3 in which the tool 13 slows up in each lead frame 3 is performed. The lead number "Lx" and the number "Cx" of the portion are stored in the memory 40 of the central processing unit and counted.
각각의 리드 프레임(3)에서 툴(13)이 저속상승되는 부분의 리드 프레임(3)의 번호와 이들의 횟수는 중앙처리장치의 메모리(40)에 저장되어 있고, 이 저장된 값을 합산하여 통계적으로 데이타를 산출하여 화상인식장치(50)를 통해 모니터(60)에 나타내주므로써, 툴(13)이 저속상승되는 부분의 각 리드 프레임(3)에 대응되는 윈도우 클램프(12)의 상태를 양호하게 셋팅(setting)할 수 있게 한다.In each lead frame 3, the number of the lead frames 3 and the number of times in which the tool 13 rises at low speed is stored in the memory 40 of the central processing unit. The data is calculated and displayed on the monitor 60 through the image recognition device 50, so that the state of the window clamp 12 corresponding to each lead frame 3 in the portion where the tool 13 is rising at a low speed is good. To allow setting.
따라서, 본 발명은 와이어 테일을 효과적으로 제어할 수 있어 품질 및 생산성을 향상시킬 수 있다.Therefore, the present invention can effectively control the wire tail can improve the quality and productivity.
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104126A (en) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | Wire bonding method |
JPH04320350A (en) * | 1991-04-19 | 1992-11-11 | Shinkawa Ltd | Wire bonding method and device therefor |
US5326015A (en) * | 1993-03-29 | 1994-07-05 | Kulicke And Soffa Investments, Inc. | Wire bonder tail length monitor |
JPH06291161A (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Toshiba Seiki Kk | Wire bonding equipment |
-
1995
- 1995-11-02 KR KR1019950039313A patent/KR100309135B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62104126A (en) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | Wire bonding method |
JPH04320350A (en) * | 1991-04-19 | 1992-11-11 | Shinkawa Ltd | Wire bonding method and device therefor |
US5326015A (en) * | 1993-03-29 | 1994-07-05 | Kulicke And Soffa Investments, Inc. | Wire bonder tail length monitor |
JPH06291161A (en) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Toshiba Seiki Kk | Wire bonding equipment |
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